KR101039823B1 - Low Noise Amplifier Circuit in Tuner - Google Patents

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Abstract

본 발명은 튜너의 저잡음 증폭기 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a low noise amplifier circuit of a tuner.

본 발명은 신호 입력단과 신호 출력단 사이에 설치된 다이오드 스위칭 소자와, 내부 전원 전압을 입력받아 입력된 내부 전원 전압을 상기 다이오드 스위칭 소자에 바이어스 전압으로서 인가하는 내부 전원 전압 입력단과, 상기 내부 전원 전압 입력단으로부터 상기 다이오드 스위칭 소자로 인가되는 바이어스 전압을 스위칭하여 상기 다이오드 스위칭 소자의 바이어스를 제어하는 포트를 포함한다.The present invention provides a diode switching element provided between a signal input terminal and a signal output terminal, an internal power supply voltage input terminal configured to receive an internal power supply voltage and apply an inputted internal power supply voltage to the diode switching device as a bias voltage, and from the internal power supply voltage input terminal. And a port for switching the bias voltage applied to the diode switching element to control the bias of the diode switching element.

저잡음, 증폭, 튜너 Low noise, amplification, tuner

Description

튜너의 저잡음 증폭기 회로 {Low Noise Amplifier Circuit in Tuner}Low Noise Amplifier Circuit in Tuner

실시예는 튜너의 저잡음 증폭기 회로에 관한 것이다.Embodiments relate to a low noise amplifier circuit of a tuner.

튜너의 복조기는 수신 신호의 세기를 판단하여 이에 따른 RF AGC(Radio Frequency Automatic Gain Control) 전압을 전달함으로써, 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier; LNA)가 선택적으로 증폭 동작을 수행하게 한다.The demodulator of the tuner determines the strength of the received signal and transfers the RF AGC (Radio Frequency Automatic Gain Control) voltage, thereby allowing the low noise amplifier (LNA) to selectively perform amplification.

종래의 저잡음 증폭기는 RF 신호 입력단과 RF 신호 출력단의 사이에 증폭용의 트랜지스터를 포함하며, 튜너 외부의 제어 전압이 트랜지스터의 바이어스 전압으로서 인가되며, 저잡음 증폭기의 증폭 동작이 수행되지 않을 때, RF 신호 입력단의 RF 신호를 RF 신호 출력단으로 우회시키는 신호 라인에는 튜너의 내부 전압이 인가된다.The conventional low noise amplifier includes a transistor for amplification between an RF signal input terminal and an RF signal output terminal, and when a control voltage outside the tuner is applied as a bias voltage of the transistor, and the amplification operation of the low noise amplifier is not performed, the RF signal The internal voltage of the tuner is applied to the signal line that bypasses the RF signal at the input to the RF signal output.

즉, 종래의 저잡음 증폭기가 내장된 튜너를 제어를 하기 위해서는, 외부에서 전압 및 전류를 공급하여야 하는데, 이를 위해서는 레귤레이터나 DC??DC 컨버터를 사용하여 전압을 공급하게 된다.그런데, 상기와 같이 외부의 전원 전압을 공급함을 인하여 파워 노이즈(power noise)와 플라즈마 디스플레이 장치의 경우에는 서스테인(sustain)이 유입되는 문제점이 있다.In other words, in order to control a tuner incorporating a conventional low noise amplifier, a voltage and a current must be supplied from an external source. For this purpose, a voltage is supplied using a regulator or a DC? DC converter. Due to the supply of the power supply voltage, power noise and sustain are introduced in the case of the plasma display device.

실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로는 외부의 전원 전압 공급에 기인한 파워 노이즈나 서스테인의 유입을 방지할 수 있다.The low noise amplifier circuit of the tuner according to the embodiment can prevent inflow of power noise or sustain due to external power supply voltage.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하 당업자)에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems to be achieved by the present invention are not limited to the above-mentioned technical problems, and other technical problems not mentioned above are provided to those skilled in the art (hereinafter, those skilled in the art) from the following description. It will be clearly understood.

실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로는 신호 입력단과 신호 출력단 사이에 설치된 다이오드 스위칭 소자와, 내부 전원 전압을 입력받아 입력된 내부 전원 전압을 상기 다이오드 스위칭 소자에 바이어스 전압으로서 인가하는 내부 전원 전압 입력단과, 상기 내부 전원 전압 입력단으로부터 상기 다이오드 스위칭 소자로 인가되는 바이어스 전압을 스위칭하여 상기 다이오드 스위칭 소자의 바이어스를 제어하는 포트를 포함한다.The low noise amplifier circuit of the tuner according to the embodiment includes a diode switching element provided between a signal input terminal and a signal output terminal, an internal power supply voltage input terminal configured to receive an internal power supply voltage and apply the inputted internal power supply voltage to the diode switching device as a bias voltage; And a port for controlling a bias of the diode switching element by switching a bias voltage applied to the diode switching element from the internal power supply voltage input terminal.

실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로는 내부 전원 전압만으로 구동되도록 구성되어, 외부에서 전원 전압을 공급하기 위한 장치를 생략할 수 있어 구조가 단순해지고, 외부의 전원 전압 공급에 기인한 파워 노이즈나 서스테인의 유입을 방지할 수 있는 효과가 있다.The low-noise amplifier circuit of the tuner according to the embodiment is configured to be driven only by the internal power supply voltage, so that the device for supplying the power supply voltage from the outside can be omitted, thereby simplifying the structure, and the power noise or sustain caused by the external power supply voltage There is an effect that can prevent the inflow of.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. Like reference numerals refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로도이다. 본 발명의 실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로는, RF 신호 입력단(10)과 RF 신호 출력단(20) 사이에 다이오드 스위칭 소자(Q1)가 설치된다.1 is a low noise amplifier circuit diagram of a tuner according to an embodiment of the present invention. In the low noise amplifier circuit of the tuner according to the embodiment of the present invention, a diode switching element Q1 is provided between the RF signal input terminal 10 and the RF signal output terminal 20.

이때, 다이오드 스위칭 소자(Q1)는 트랜지스터일 수가 있다.In this case, the diode switching element Q1 may be a transistor.

상기 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단과 RF 신호 입력단(10)의 사이에는 다이오드(D2)가 설치되고, 다이오드(D2)의 애노드는 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단에 연결되고 다이오드(D2)의 캐소드는 RF 신호 입력단(10)에 연결된다.A diode D2 is installed between the base end of the diode switching element Q1 and the RF signal input terminal 10, and an anode of the diode D2 is connected to the base end of the diode switching element Q1 and is connected to the diode D2. The cathode of is connected to the RF signal input terminal 10.

다이오드(D2)의 캐소드와 RF 신호 입력단(10)의 사이에는 캐패시터(C1, C2)가 직렬로 연결되고, 캐패시터(C1)와 캐패시터(C2)의 사이에는 인덕터(L1)의 일단이 연결되고 인덕터(L1)의 타단이 접지단에 연결된다.Capacitors C1 and C2 are connected in series between the cathode of the diode D2 and the RF signal input terminal 10, and one end of the inductor L1 is connected between the capacitor C1 and the capacitor C2 and the inductor The other end of L1 is connected to the ground terminal.

캐패시터(C2)와 다이오드(D2)의 사이에는 인덕터(L2)의 일단이 연결되고 인덕터(L2)의 타단에는 캐패시터(C3)와 저항(R4)이 병렬 연결되고, 캐패시터(C3)와 저항(R4)의 타단은 접지단에 연결된다.One end of the inductor L2 is connected between the capacitor C2 and the diode D2, and the capacitor C3 and the resistor R4 are connected in parallel to the other end of the inductor L2, and the capacitor C3 and the resistor R4 are connected in parallel. The other end of) is connected to the ground end.

다이오드(D2)의 애노드와 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단의 사이에는 캐패시터(C4)가 직렬 연결되고, 캐패시터(C4)와 트랜지스터(Q1)의 베이스단 사이에는 저항(R6)의 일단이 연결되고 저항(R6)의 타단은 접지단에 연결된다.A capacitor C4 is connected in series between the anode of the diode D2 and the base end of the diode switching element Q1, and one end of the resistor R6 is connected between the capacitor C4 and the base end of the transistor Q1. The other end of the resistor R6 is connected to the ground terminal.

다이오드 스위칭 소자(Q1)의 컬렉터 단과 RF 신호 출력단(20)의 사이에는 다이오드(D1)가 설치되고, 다이오드(D1)의 애노드는 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 컬렉터단에 연결되며, 다이오드(D1)의 캐소드는 RF 신호 출력단(20)에 연결된다.A diode D1 is installed between the collector stage of the diode switching element Q1 and the RF signal output terminal 20, and the anode of the diode D1 is connected to the collector stage of the diode switching element Q1 and the diode D1. The cathode of is connected to the RF signal output terminal 20.

다이오드(D1)의 애노드와 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 컬렉터단 사이에는 저항(R10)이 직렬로 연결되고 다이오드(D1)의 캐소드와 RF 신호 출력단(20)의 사이에는 캐패시터(C7)가 직렬로 연결된다.A resistor R10 is connected in series between the anode of the diode D1 and the collector terminal of the diode switching element Q1, and a capacitor C7 is connected in series between the cathode of the diode D1 and the RF signal output terminal 20. Connected.

다이오드(D1)와 캐패시터(C7)의 사이에는 저항(R11)의 일단이 연결되고 저항(R11)의 타단은 접지단에 연결된다.One end of the resistor R11 is connected between the diode D1 and the capacitor C7 and the other end of the resistor R11 is connected to the ground terminal.

다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단과 컬렉터단은 내부 전원 전압 입력단(30)으로부터 바이어스 전압을 인가받도록 이루어져 있는데, 다이오드 스위칭 소자 (Q1)의 베이스단과 내부 전원 전압 입력단(30)의 사이에는 저항(R8), 인덕터(L3), 인덕터(L4), 저항(R7) 및 캐패시터(C5)가 직렬로 연결되며, 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 컬렉터단이 인덕터(L3)와 인덕터(L4)의 사이에 연결된다.The base end and the collector end of the diode switching element Q1 are configured to receive a bias voltage from the internal power supply voltage input terminal 30. The resistor R8 is provided between the base end of the diode switching element Q1 and the internal power supply voltage input terminal 30. ), The inductor L3, the inductor L4, the resistor R7 and the capacitor C5 are connected in series, and the collector terminal of the diode switching element Q1 is connected between the inductor L3 and the inductor L4. do.

그리고, 캐패시터(C2)와 다이오드(D2)의 사이에는 다이오드(D3)의 캐소드가 연결되고 다이오드(D3)의 애노드는 다이오드(D4)의 애노드에 연결되며, 다이오드(D4)의 캐소드는 다이오드(D1)와 캐패시터(C7)의 사이에 연결된다.The cathode of the diode D3 is connected between the capacitor C2 and the diode D2, the anode of the diode D3 is connected to the anode of the diode D4, and the cathode of the diode D4 is the diode D1. ) And the capacitor C7.

다이오드(D3)와 다이오드(D4)의 사이에는 저항(R2)과 저항(R3)의 각 일단이 연결되고 저항(R2)의 타단은 접지단에 연결되며, 저항(R3)의 타단은 저항(R8)의 일 단과 내부 전원 전압 입력단(30)에 공통 연결된다. Each end of the resistor R2 and the resistor R3 is connected between the diode D3 and the diode D4, the other end of the resistor R2 is connected to the ground terminal, and the other end of the resistor R3 is the resistor R8. Commonly connected to one end of the terminal and the internal power supply voltage input terminal 30.

또한, 본 발명의 실시예는, 내부 전원 전압 입력단(30)으로부터 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단 및 컬렉터단의 바이어스 전압을 스위칭하여 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 동작을 제어하는 포트(Port)(40)를 포함한다.In addition, the embodiment of the present invention, the port (Port) for controlling the operation of the diode switching element (Q1) by switching the bias voltage of the base terminal and the collector terminal of the diode switching element (Q1) from the internal power supply voltage input terminal (30) And 40.

포트(40)는 직렬 연결된 저항(R5)을 통해 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단과 캐패시터(C5)의 일단과 캐패시터(C4)의 일단 및 저항(R6)의 일단에 연결됨과 더불어 저항(R1)을 통해 캐패시터(C4)의 타단과 다이오드(D2)의 애노드 사이에 연결된다.The port 40 is connected to the base end of the diode switching element Q1, one end of the capacitor C5, one end of the capacitor C4 and one end of the resistor R6 through a series connected resistor R5, and the resistor R1. It is connected between the other end of the capacitor (C4) and the anode of the diode (D2) through.

또, 포트(40)는 직렬 연결된 저항(R12)을 통해 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 컬렉터단 측의 저항(R10)과 다이오드(D1)의 사이에 연결되며, 저항(R10)과 저항(R12)의 사이에는 캐패시터(C8)가 연결된다.In addition, the port 40 is connected between the resistor R10 and the diode D1 at the collector end side of the diode switching element Q1 through a resistor R12 connected in series, and the resistor R10 and the resistor R12 are connected to each other. The capacitor C8 is connected between.

상기 포트(40)는 튜너 내의 집적 회로에 의해 온/오프 스위칭 동작되며, 예컨대, MOPLL IC(Mixer Oscillator Phase Locked Loop Integrated Circuit)에 의해 제어될 수 있다.The port 40 is switched on / off by an integrated circuit in the tuner, and may be controlled by, for example, a MOPLL IC (Mixer Oscillator Phase Locked Loop Integrated Circuit).

이제 상기와 같이 구성된 본 발명의 실시예에 대한 작용 효과를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.With reference to the accompanying drawings will now be described the effect of the embodiment of the present invention configured as described above.

포트(40)가 온되면, 내부 전원 전압 입력단(30)으로부터 인가되는 내부 전원 전압에 의해 다이오드(D1)와 다이오드(D2)가 도통되어, 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단에 바이어스 전압이 인가됨으로써, 다이오드 스위칭 소자(Q1)가 동작하 여 증폭 동작이 수행된다.When the port 40 is turned on, the diode D1 and the diode D2 are conducted by the internal power supply voltage applied from the internal power supply voltage input terminal 30, so that a bias voltage is applied to the base end of the diode switching element Q1. As a result, the diode switching element Q1 operates to perform an amplification operation.

이 때, 다이오드(D3)와 다이오드(D4)는 역 바이어스로 인해 차단된다.At this time, diode D3 and diode D4 are blocked due to reverse bias.

포트(40)가 오프되면, 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 베이스단의 바이어스 전압이 영(0) 볼트가 되어 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 동작이 중지되면서 증폭 동작이 중단된다.When the port 40 is turned off, the bias voltage at the base end of the diode switching element Q1 becomes zero volts to stop the operation of the diode switching element Q1 and stop the amplification operation.

이 때, 내부 전원 전압 입력단(30)으로 입력되는 내부 전원 전압이 분배되어 다이오드(D3)의 애노드와 다이오드(D4)의 애노드에 인가되고, 다이오드(D3)와 다이오드(D4)는 도통되어, RF 신호 입력단(10)으로 입력된 RF 신호가 다이오드(D3)와 다이오드(D4)를 통한 우회 신호 라인을 통해 RF 신호 출력단(40)으로 출력된다.At this time, the internal power supply voltage inputted to the internal power supply voltage input terminal 30 is distributed and applied to the anode of the diode D3 and the anode of the diode D4, and the diode D3 and the diode D4 are conducted to conduct RF. The RF signal input to the signal input terminal 10 is output to the RF signal output terminal 40 through the bypass signal line through the diode D3 and the diode D4.

상기한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭 회로는, 내부 전원 전압 입력단(30)을 통해 입력되는 내부 전원 전압에 의해서만 동작하고, 다이오드 스위칭 소자(Q1)의 바이어스 및 동작이 포트(40)를 통해 제어되므로, 외부 전원 전압이 불필요하다.As described above, the low noise amplifier circuit of the tuner according to the embodiment of the present invention operates only by the internal power supply voltage input through the internal power supply voltage input terminal 30, and the bias and operation of the diode switching element Q1 Controlled by 40), no external power supply voltage is required.

이와 같이, 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예(들)에 관해 설명하였으나, 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능함은 물론이다.As described above, in the detailed description of the present invention, specific embodiment (s) have been described, but various modifications are possible without departing from the scope of the present invention.

그러므로 본 발명의 범위는 설명된 실시 예(들)에 국한되어 정해져서는 안 되며, 후술하는 특허청구범위 뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.Therefore, the scope of the present invention should not be limited to the described embodiment (s), but should be defined by the claims below and equivalents thereof.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 튜너의 저잡음 증폭기 회로도.1 is a low noise amplifier circuit diagram of a tuner according to an embodiment of the present invention.

＜도면의 주요부분에 사용된 부호의 설명＞<Description of the code used in the main part of the drawing>

10: RF 신호 입력단 20: RF 신호 출력단10: RF signal input terminal 20: RF signal output terminal

30: 내부 전원 전압 입력단 40: 포트30: Internal power supply voltage input 40: Port

Q1: 다이오드 스위칭 소자 D1~D4: 다이오드Q1: Diode Switching Element D1 to D4: Diode

L1~L4: 인덕터 C1~C8: 캐패시터L1 to L4: Inductor C1 to C8: Capacitor

R1~R12: 저항R1 to R12: resistance

Claims (6)

신호 입력단과 신호 출력단 사이에 설치된 다이오드 스위칭 소자;A diode switching element provided between the signal input terminal and the signal output terminal; 내부 전원 전압을 입력받아 입력된 내부 전원 전압을 상기 다이오드 스위칭 소자에 바이어스 전압으로서 인가하는 내부 전원 전압 입력단; 및An internal power supply voltage input terminal configured to receive an internal power supply voltage and apply the input internal power supply voltage to the diode switching element as a bias voltage; And 상기 내부 전원 전압 입력단으로부터 상기 다이오드 스위칭 소자로 인가되는 바이어스 전압을 스위칭하여 상기 다이오드 스위칭 소자의 바이어스를 제공하는 포트를 포함하며,A port for switching the bias voltage applied from the internal power supply voltage input terminal to the diode switching element to provide a bias of the diode switching element, 상기 다이오드 스위칭 소자는 트랜지스터이고, 상기 내부 전원 전압 입력단은 내부 전원 전압을 상기 트랜지스터의 컬렉터단에 각각 인가되며, 상기 포트는 상기 트랜지스터의 베이스단에 각각 연결되고, 상기 트랜지스터의 컬렉터단과 상기 포트의 사이에 캐패시터가 직렬 연결되며, 상기 트랜지스터의 컬렉터단과 상기 포트의 사이 및 상기 트랜지스터의 베이스단과 상기 포트의 사이에는 각각 저항이 연결되고, 상기 신호 입력단과 상기 트랜지스터의 베이스단의 사이 및 상기 신호 출력단과 상기 트랜지스터의 컬렉터단의 사이에는 각각 다이오드가 연결되며, 일측이 상기 신호 입력단과 상기 트랜지스터의 베이스단의 사이에 다이오드를 통해 연결되고 타측이 상기 신호 출력단과 상기 트랜지스터의 컬렉터단의 사이에 다이오드를 통해 연결되며 상기 내부 전원 전압 입력단으로부터 내부 전원 전압을 인가받는 신호 라인이 포함된 것을 특징으로 하는 튜너의 저잡음 증폭기 회로.The diode switching element is a transistor, and the internal power supply voltage input terminal applies an internal power supply voltage to the collector terminal of the transistor, respectively, and the port is connected to the base terminal of the transistor, respectively, between the collector terminal of the transistor and the port. A capacitor is connected in series, a resistor is connected between the collector terminal of the transistor and the port, and between the base terminal of the transistor and the port, respectively, between the signal input terminal and the base terminal of the transistor, and the signal output terminal and the A diode is connected between the collector terminals of the transistors, respectively, one side of which is connected between the signal input terminal and the base terminal of the transistor through a diode and the other side of the transistor connected between the signal output terminal and the collector terminal of the transistor. And A group that contains a tuner, characterized in that the signal lines receive is an internal power supply voltage from the internal power supply voltage input end low-noise amplifier circuit. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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