KR101026513B1 - 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판 및 이를 이용한 고체 기판의 표면개질 방법 - Google Patents

수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판 및 이를 이용한 고체 기판의 표면개질 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고체 기판; 하기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물 및 상기 수산화 벤젠-아민계 화합물이 상기 고체 기판 상부에 코팅된 코팅층; 및 상기 코팅층에 중합된 생분해성 고분자를 포함하는 표면이 개질된 고체 기판 및 고체 기판의 표면을 개질하는 방법을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112009049759816-pat00001
(여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다.)
본 발명에 따르면, 금속 또는 비금속 등의 다양한 고체 기판 상에 고분자 박막을 형성함으로써 다양한 고체 기판의 표면을 생분해성 고분자로 코팅하여 개질할 수 있는 효과가 있다.
표면 개질, 표면 개시 고분자 중합법, 생분해성 고분자, 노에피네프린

Description

수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판 및 이를 이용한 고체 기판의 표면개질 방법{A Modified Solid Substrate Using Hydroxybenzene-Amine and a Method of modifying the Surface of a Solid Substrate Using the Same}
본 발명은 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판 및 이를 이용한 고체 기판의 표면개질 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 수산화벤젠-아민계 물질을 고체 기판의 표면에 코팅시킨 후 표면 개시 고리열림 고분자 중합 반응을 일으켜 고체 기판의 표면을 생분해성 고분자로 개질하는 방법 및 이에 의하여 개질된 고체 기판에 관한 것이다.
고리열림 고분자 중합 반응은 단량체의 고리구조가 열리면서 중합반응을 일으키는 것으로써 주로 생분해성 고분자의 중합에 이용되고 있다. 특히 표면으로부터 고분자 중합반응을 일으키는 표면 개시 고리 열림 고분자 중합반응은 의료용 도구 기술 개발에 있어서 중요한 역할을 하는데, 이는 의료용 도구의 표면보호를 위해 생분해성 고분자 코팅이 광범위하게 이용되기 때문이다. 한편, 표면으로부터 생분해성 고분자를 중합시키기 위해서는 전처리과정이 필요하다. 생분해성 고분자를 중합시키기 위한 방법으로 사용되는 고리열림 고분자 중합 반응은 수산화기로부터 시작되는 반응이기 때문에, 고분자 코팅을 위해서는 코팅하려고 하는 물질의 표면에 수산화기를 도입해주는 과정이 필요하다.
현재까지 고체 기판의 표면에 수산화기를 도입해주는 방법은 특정 고체 기판인 실리콘, 유리, 금과 같은 고체 기판에 대해 집중적으로 연구되어 왔다. 이는 위 고체 기판의 표면과 실란 화합물 및 티올 화합물이 특정 결합을 이룰 수 있을 뿐만 아니라, 이 때 사용하는 화합물로써 말단에 수산화기가 포함되어 있는 화합물을 이용하면 쉽게 수산화기의 고체표면으로의 도입이 가능하기 때문이다. 하지만 이러한 방법은 특정 고체 기판에만 제한적으로 적용이 가능하다는 단점을 가지고 있으며, 따라서 위 고체 기판 외에도 수산화기를 쉽게 도입할 수 있는 방법이 필요시 되고 있다.
수산화벤젠-아민계 물질을 이용한 표면 코팅 방법은 알칼리성 용액에 수산화벤젠-아민계 물질을 녹인 후 그 용액에 고체 기판을 넣었을 때 고체 기판의 표면에 상관없이 수산화벤젠-아민계 물질로 코팅되는 방법이다. 최근 수산화벤젠-아민계 물질의 일종인 도파민을 이용한 표면 무관 코팅방법이 보고된 바 있는데, 알칼리성 용액에 도파민을 첨가시킨 후 고체 기판을 넣어주면 도파민이 자가고분자 중합을 일으키면서 고체기판에 코팅이 된다. 이 때 고체 기판은 종류에 상관없이 도파민 고분자로 코팅되며, 이 도파민 고분자는 티올 및 아민 작용기와 선택적으로 결합을 일으킬 수가 있어 종류에 상관없이 고체 기판의 표면을 개질시키는데 획기적인 방법으로 보고되었다. (Haeshin Lee and Phillip B. Messersmith et al. Science 2007, 318, 426) 그러나, 상기 방법은 도파민 상의 치환기가 고리 열림 고분자 중합을 개시할 수 없어, 상기 코팅된 고체기판을 생분해성 고분자의 중합과 같은 응용분야에 적용할 수 없는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판을 제공하는데 있다. 본 발명의 다른 목적은 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 고체 기판의 표면을 개질하는 방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 고체 기판; 하기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물이 상기 고체 기판 상부에 코팅된 코팅층; 및 상기 코팅층에 중합된 생분해성 고분자를 포함하는 표면이 개질된 고체 기판을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112009049759816-pat00002
(여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다.)
또한, 본 발명은 상기 화학식 1의 구조를 갖는 수산화 벤젠-아민계 화합물을 염기성 용매에 용해시키는 단계(단계 1); 상기 용해된 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계(단계 2); 상기 코팅된 고체 기판 표면을 세척하는 단계(단계 3); 및 상기 세척된 고체 기판 표면상에 촉매를 이용하여 고분자를 중합시키는 단계(단계 4)를 포함하는 고체 기판 표면개질 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 다양한 고체 기판에 수산화기를 가지고 있는 수산화 벤젠-아민계 화합물을 코팅하는 것이 가능하여, 다양한 고체 기판의 표면을 생분해성 고분자로 코팅할 수 있으며, 이에 따라 생분해성 고분자 코팅이 요구되는 의료분야 등 다양한 분야에서 유용하게 활용될 수 있다.
이하 본 발명을 구체적으로 설명한다.
본 발명은 하기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용하여 표면이 개질된 고체 기판을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112009049759816-pat00003
(여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다.)
더욱 구체적으로, 본 발명에 따른 표면이 개질된 고체 기판은 고체 기판; 상기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물이 상기 고체 기판 상부에 코팅된 코팅층; 및 상기 코팅층에 중합된 생분해성 고분자를 포함하는 표면이 개질된 고체 기판을 제공한다.
본 발명에서 사용되는 고체 기판의 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
고체 기판의 재료로 사용되는 물질 중, 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르 에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것이 바람직하고, 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 비금속류 물질은 실리콘 또는 실리콘 고무인 것이 바람직하며, 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명은 고체 기판상에 수산화기를 도입하는 표면 개질을 위하여, 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용한다. 수산화 벤젠-아민계 화합물은 고체 기판 물질의 종류와 무관하게 기판 상에 우수한 접착력으로 코팅되므로, 다양한 종류의 고체 기판을 코팅할 수 있다는 점에서 바람직하다. 또한, 고체 기판을 코팅하기 위한 수 산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것이 바람직하다. 상기 물질들은 수산화알킬기를 포함하고 있어, 고리 열림 고분자 중합반응을 개시하여 생분해성 고분자를 중합할 수 있는 장점이 있다. 수산화 벤젠-아민계 화합물은 고체 기판상에서 산화중합반응을 하며 코팅층을 형성한다.
본 발명에 따른 표면이 개질된 고체 기판은 수산화 벤젠-아민계 화합물 코팅층 상에서 중합된 생분해성 고분자를 포함한다. 생분해성 고분자의 중합을 위하여 사용되는 단량체는 고리형 단량체인 생분해성 락톤계 단량체 또는 락탐계 단량체일 수 있으며, 고리열림 고분자 중합반응에 의하여 중합되는 생분해성 고분자는 폴리카프로락톤 또는 폴리카프로락탐인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명은 수산화 벤젠-아민계 화합물을 이용한 고체 기판 표면개질 방법을 제공한다.
더욱 구체적으로, 본 발명은 상기 화학식 1의 구조를 갖는 수산화 벤젠-아민계 화합물을 염기성 용매에 용해시키는 단계(단계 1); 상기 용해된 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계(단계 2); 상기 코팅된 고체 기판 표면을 세척하는 단계(단계 3); 및 상기 세척된 고체 기판 표면상에 촉매를 이용하여 고분자를 중합시키는 단계(단계 4)를 포함하는 고체 기판 표면개질 방법을 제공한다.
이하, 각 단계별로 더욱 구체적으로 설명한다.
본 발명의 단계 1은 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하기 전에 용매에 용해시키는 단계이다.
본 발명에서 사용되는 수산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것이 바람직하다. 상기 물질들은 수산화알킬기를 포함하고 있어, 고리 열림 고분자 중합반응을 개시하여 생분해성 고분자를 중합할 수 있는 장점이 있다. 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계 2에서 수산화 벤젠-아민계 화합물의 산화중합이 용이하게 일어나게 하기 위하여, 단계 1에서 사용되는 용매는 염기성 용매인 것이 바람직하고, 용매의 pH는 7 내지 12인 것이 바람직하다. 이와 같은 조건을 만족시키기 위하여 용매로 물, 메탄올, 에탄올 등을 단독으로 혹은 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 단계 2는 용해된 수산화 벤젠-아민계 물질을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계이다.
상기 단계는 수산화 벤젠-아민계 화합물이 용해된 용액에 코팅할 고체 기판을 담금으로써 수행된다. 이때, 수산화 벤젠-아민계 화합물이 고체 기판 상에서 충분히 산화중합시키기 위하여 고체 기판을 용액 내에 10 분 내지 24 시간동안 유지하는 것이 바람직하다.
본 발명의 단계 2에서 사용되는 고체 기판의 재료는 특별히 제한되지는 않으나, 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하며, 이때, 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것이 바람직하고, 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하고, 비금속류 물질은 실 리콘 또는 실리콘 고무인 것이 바람직하며, 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다.
본 발명의 단계 3은 수산화 벤젠-아민계 화합물로 코팅된 고체 기판을 세척하는 단계로, 생분해성 고분자를 중합시키기 이전에 미반응 물질을 제거하는 단계이다. 상기 세척 단계에서는 물, 메탄올, 또는 에탄올과 같은 용매를 이용하여 세척이 이루어질 수 있다.
본 발명의 단계 4는 수산화 벤젠-아민계 화합물로 코팅된 고체 기판에 생분해성 고분자를 중합시키는 단계이다.
상기 단계는 촉매를 포함하는 용액 내에 코팅 후 세척된 고체 기판을 담그고, 이에 단량체를 주입하여 고분자중합을 진행시킴으로써 수행된다.
고체 기판 표면에 코팅된 수산화 벤젠-아민계 화합물의 수산화 알킬기는 주입된 단량체에 대하여 고리열림 고분자 중합반응을 개시하고, 이를 통하여 고체 기판의 표면에 생분해성 고분자가 중합된다. 이때, 사용되는 촉매는 주석 화합물, 알루미늄 화합물, 티타늄 화합물, 및 수은화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 또한, 사용되는 단량체는 락톤계 또는 락탐계의 고리형 단량체가 사용될 수 있으며, 카프로락톤, 락타이드, 및 카프로락탐을 포함하는 군으로부 터 선택되는 것이 바람직하다.
이하 본 발명을 제조예, 실시예 및 실험예를 통하여 더욱 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 범위가 하기 제조예, 실시예 및 실험예에 의하여 제한되는 것은 아니다.
<제조예 1>
노에피네프린 고분자로 표면이 개질된 고체 기판의 제조 1
우선 노에피네프린 10 mg의 양을 pH 8.5 완충용액 5 mL 에 넣고 교반하여 용해시켰다. 상기 용액 내에 금 기판을 18시간동안 침지하여 기판을 코팅하고, 코팅이 완료된 후 기판을 꺼내어 물과 메탄올로 세척 후, 아르곤 가스를 사용하여 건조시킴으로써 노에피네프린 고분자로 코팅된 금 기판을 준비하였다.
<제조예 2~20>
노에피네프린 고분자로 표면이 개질된 고체 기판의 제조 2~19
고체 기판으로 NiTi, 산화규소(SiO2), 티타늄(Ti), 유리(glass), 산화니오븀(Nb2O5), Ta2O5, ITO, 산화알루미늄(Al2O3), GaAs, Si3N4, 백금(Pt), 테코플렉스(Tecoflex), 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리디메틸실록 산(polydimethylsiloxane), 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 및 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene)의 물질을 사용한 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 고체 기판의 표면을 개질하였다.
<실시예 1>
생분해성 고분자로 표면이 개질된 고체 기판의 제조 1
주석화합물 촉매(Sn(Oct)2) 5 ㎕를 고분자 반응 용기에 넣고, 무수 톨루엔 5 mL을 상기 반응 용기에 주입한 후, 상기 용액을 5분간 교반하였다. 다른 반응 용기에 제조예 1에 따라 노에피네프린 고분자로 코팅된 금 기판을 넣고, 상기 톨루엔 용액을 주입한 후, 55 ℃에서 1 시간동안 놓아두었다. 그 후, 카프로락톤 0.5 ㎖를 천천히 주입하고, 24 시간동안 55 ℃에서 반응시켰다. 반응 후, 상기 금 기판을 세척제로 씻어냈으며, 세척제로는 톨루엔과 1,2-디클로로에탄을 사용하였다. 상기와 같은 방법으로 생분해성 고분자의 일종인 폴리(카프로락톤) 박막을 상기 금 고체 기판 표면에 형성하여, 고체 기판의 표면을 개질하였다.
<실험예 1>
노에피네프린 코팅의 확인
고체 기판의 표면 상태에 따른 물에 대한 접촉각을 측정하였다. 도 1은 여 러가지 고체 기판에 아무 처리도 하지 않은 상태에서 고체 기판 표면과 물 사이의 접촉각과 본 발명의 제조예 1~20에 따라 제조된 노에피네프린 고분자로 코팅된 고체 기판과 물 사이의 접촉각을 각각 측정하여 비교한 결과이다. 상기 접촉각 측정은 기판의 표면에 물방울을 떨어뜨린 뒤 기판과 물방울이 이루는 각도를 측정하는 방법으로 수행되었으며, 고체 기판 표면의 친수성 및 소수성 정도를 확인하는 방법이다. 도 1에 따르면, 상기 물과의 접촉각 변화를 통해 상기 고체 기판의 표면 특성이 변화하였음을 알 수 있으며, 노에피네프린 고분자 코팅 실험 후, 사용한 고체 기판 모두에 대해서 일정한 접촉각을 확인할 수 있었다. 즉, 표면 코팅 전에는 각각 다양한 접촉각을 갖던 고체 기판들이 노에피네프린 고분자로 코팅된 뒤에는 약 60도로 일정한 접촉각을 가짐을 확인함으로써 실험에 사용한 모든 고체 기판에 대해 노에피네프린 고분자 코팅이 잘 이루어졌음을 알 수 있다.
<실험예 2>
노에피네프린 코팅의 확인
고체 기판의 표면에 노에피네프린 고분자가 코팅되었는지의 여부를 엑스선 광전자 분광(X-ray photoelectron spectroscopy) 분석을 통하여 확인하였다. 제조예 4에서 제조된 노에피네프린 고분자가 코팅된 티타늄 표면에 대하여 엑스선 광전자 분광 분석을 실행한 결과, 상기 노에피네프린 고분자에 존재하는 원소인 질소 피크가 399.5 eV 에서 관찰되었다. 상기 결과를 통하여 티타늄 표면에 노에피네프린 고분자가 잘 코팅되었음을 알 수 있다. 상기 엑스선 광전자 분광분석 결과 는 도 2에 나타내었으며, 노에피네프린 고분자 코팅 전후를 비교하여 나타내었다.
<실험예 3>
폴리 ( 카프로락톤 ) 박막 형성여부의 확인
본 실험예 3에서는 실시예 1에서 제조된 금 기판 표면에 폴리(카프로락톤) 박막이 형성되었는지 여부를 접촉각 측정, 적외선 분광분석, 및 원자힘 현미경 사진을 통하여 확인하였다.
(1) 접촉각 측정
금 기판 표면에 형성된 폴리(카프로락톤) 박막은 물과의 접촉각 측정을 통해 확인하였다. 분석 결과, 폴리(카프로락톤) 박막을 형성하기 전에는 물과의 접촉각이 약 60도 정도이나, 폴리(카프로락톤) 박막 형성 후에는 물과의 접촉각이 약 110도 정도로 증가하였다. 이는 폴리(카프로락톤)이 가지는 소수성 때문으로 접촉각 증가를 통하여 폴리(카프로락톤)이 금 기판 표면에 잘 형성되었음을 알 수 있다. 도 3은 노에피네프린 고분자로 코팅된 금 기판의 표면과 물 사이의 접촉 상태를 촬영한 사진이며, 도 4는 폴리(카프로락톤) 박막으로 코팅된 금 기판의 표면과 물 사이의 접촉상태를 촬영한 사진이다.
(2) 적외선 분광분석
금 기판 표면에 형성된 폴리(카프로락톤) 박막은 적외선 분광 분석을 통해서 확인하였다. 분석 결과, 폴리(카프로락톤) 박막이 특정적으로 가지는 원소간의 결합 진동 에너지인 C=O 스트레칭 피크가 1733 cm-1에서 확인되었다. 상기 피크는 폴리(카프로락톤) 박막 형성 전에는 보이지 않던 피크로서, 피크의 형성을 통해 폴리(카프로락톤) 박막이 노에피네프린 고분자 층 위에 형성되었음을 알 수 있다. 도 5는 금 기판 표면에 폴리(카프로락톤) 박막이 형성되었음을 나타내는 적외선 분광 분석 그래프로, (a)는 제조예 1에 따른 노에피네프린 고분자로 코팅된 금 기판의 표면 적외선 분광 분석 그래프이고, (b)는 실시예 1에 따른 노에피네프린 고분자 층 위에 폴리(카프로락톤) 박막이 형성된 금 기판의 표면 적외선 분광 분석 그래프이다.
(3) 원자힘 현미경 사진
금 기판 표면에 형성된 폴리(카프로락톤) 박막은 원자힘 현미경 사진 분석을 통해서 간접적으로 확인하였다. 상기 폴리(카프로락톤) 박막 형성 전후의 원자힘 현미경 사진을 비교함으로써 간접적으로 상기 금 기판 표면의 변화를 알 수 있다. 도 6a 및 도 6b는 각각 폴리(카프로락톤) 박막 형성 전후의 금 기판 표면의 원자힘 현미경 사진이다. 도면을 참조하면 상기 박막 형성 전에는 표면이 매끄러우나 상기 박막 형성 후 상기 기판의 표면이 거칠고 굴곡이 심해지는 것을 관찰할 수 있어 폴리(카프로락톤) 박막이 형성되었음을 알 수 있다.
도 1은 제조예 1~20에 따라 제조된 노에피네프린이 코팅된 고체 기판에 대한 접촉각을 측정하여 코팅전 고체 기판과 비교한 그래프이고,
도 2는 제조예 4에 따른 노르에피테프린이 코팅된 티타늄 기판에 대한 엑스선 광전자 분광 분석 그래프이고,
도 3은 노에피네프린 고분자로 코팅된 금 기판의 표면과 물 사이의 접촉 상태를 촬영한 사진이고,
도 4는 노에피네프린 상에 폴리(카르로락톤)박막으로 코팅된 금 기판의 표면과 물 사이의 접촉상태를 촬영한 사진이고,
도 5(a)는 제조예 1에 따른 노에피네프린만이 코팅된 금 기판에 대한 적외선 분광 분석 그래프이고,
도 5(b)는 실시예 1에 따른 노에피네프린 고분자 층 상에 폴리(카프로락톤)박막이 형성된 금 기판에 대한 적외선 분광 분석 그래프이고,
도 6(a)는 제조예 1에 따른 노에피네프린만이 코팅된 금 기판에 대한 원자힘 현미경 사진이고,
도 6(b)는 실시예 1에 따른 노에피네프린 고분자 층 상에 폴리(카프로락톤)박막이 형성된 금 기판에 대한 원자힘 현미경 사진이다.

Claims (27)

  1. 고체 기판; 하기 화학식 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물이 상기 고체 기판 상부에 코팅된 코팅층; 및 상기 코팅층에 중합된 생분해성 고분자를 포함하는 표면이 개질된 고체 기판:
    [화학식 1]
    Figure 112009049759816-pat00004
    (여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다.).
  2. 제 1항에 있어서, 상기 고체 기판의 재료는 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합 물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  5. 제 2항에 있어서, 상기 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  6. 제 2항에 있어서, 상기 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  7. 제 2항에 있어서, 상기 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  8. 제 2항에 있어서, 상기 비금속류 물질은 실리콘 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  9. 제 2항에 있어서, 상기 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 수산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 생분해성 고분자는 폴리카프로락톤 또는 폴리카프로락탐인 것을 특징으로 하는 표면이 개질된 고체 기판.
  12. 하기 화학식 1의 구조를 갖는 수산화 벤젠-아민계 화합물을 염기성 용매에 용해시키는 단계(단계 1);
    상기 용해된 수산화 벤젠-아민계 화합물을 고체 기판 표면에 코팅하는 단계(단계 2);
    상기 코팅된 고체 기판 표면을 세척하는 단계(단계 3); 및
    상기 세척된 고체 기판 표면상에 촉매를 이용하여 생분해성 고분자를 중합시키는 단계(단계 4)를 포함하는 고체 기판 표면개질 방법:
    [화학식 1]
    Figure 112009049759816-pat00005
    (여기서, X는 H 또는 OH이며; Y1은 H, -(CH2)n-OH, 또는 -(CH2)n-OCONH-Y2이되, 두 개의 치환기 Y1이 동시에 H는 아니고, 상기 Y2는 말단에 OH를 가지는 분자량 1000이하의 저분자량 분자(small molecule) 또는 폴리에틸렌글리콜과 폴록사머(poloxamer)를 포함하는 고분자(polymer)이고; n은 0 및 양의 정수이다.).
  13. 제 12항에 있어서, 상기 단계 1의 수산화 벤젠-아민계 화합물은 노에피네프린 또는 메틸노에피네프린인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  14. 제 12항에 있어서, 상기 단계 1의 염기성 용매의 pH는 7 내지 12인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  15. 제 12항에 있어서, 상기 단계 2의 고체 기판의 재료는 고분자계 물질, 귀금속류 물질, 금속류 물질, 산화금속류 물질, 세라믹계 물질, 비금속류 물질 및 3-5, 2-6족 화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 고분자계 물질은 폴리테트라플루오르에틸렌 (polytetrafluoroethylene), 폴리카보네이트(polycarbonate), 폴리우레탄(polyurethane), 니트로셀룰로스(nitrocellulose), 초산 셀룰로스(cellulose acetate), 폴리스티렌(polystyrene), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리염화비닐(polyvinyl chloride) 폴리에틸렌 텔레프탈레이트(polyethylene terephthalate), 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane), 및 폴리에테르 에테르 케톤(polyetheretherketone)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  17. 제 15항에 있어서, 상기 귀금속류 물질은 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 및 구리(Cu)를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  18. 제 15항에 있어서, 상기 금속류 물질은 강철(steel) 또는 티타늄(Ti)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  19. 제 15항에 있어서, 상기 산화금속류 물질은 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 및 산화니오븀(Nb2O5)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  20. 제 15항에 있어서, 상기 세라믹계 물질은 수산화인회석(hydroxyapatite), 유리(glass), 및 석영(quartz)을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  21. 제 15항에 있어서, 상기 비금속류 물질은 실리콘 또는 실리콘 고무인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  22. 제 15항에 있어서, 상기 3-5, 2-6족 화합물은 NiTi, GaAs, CdSe, PbSe, 및 ZnSe를 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  23. 제 12항에 있어서, 상기 단계 2는 수산화 벤젠-아민계 화합물이 용해된 염기성 용액에 고체 기판을 10 분 내지 24 시간동안 담금으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  24. 제 12항에 있어서, 상기 단계 3은 물, 메탄올 및 에탄올을 포함하는 군으로부터 선택되는 하나 이상의 용매를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  25. 제 12항에 있어서, 상기 단계 4의 촉매는 주석 화합물, 알루미늄 화합물, 티타늄 화합물, 및 수은화합물을 포함하는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  26. 제 12항에 있어서, 상기 단계 4에서 고분자를 중합시키기 위하여 사용되는 단량체는 락톤계 또는 락탐계 단량체인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 락톤계 단량체는 카프로락톤(caprolactone) 또는 락타이드(lactide)인 것을 특징으로 하는 고체 기판 표면개질 방법.
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