KR101025763B1

KR101025763B1 - 엘이디용 파워 방열장치

Info

Publication number: KR101025763B1
Application number: KR1020090035933A
Authority: KR
Inventors: 이춘희; 김기분
Original assignee: 이춘희
Priority date: 2009-04-24
Filing date: 2009-04-24
Publication date: 2011-04-04
Also published as: KR20100117278A

Abstract

본 발명은 엘이디(ＬＥＤ)용 파워 방열장치에 관한 것으로, 그 목적은 서브마운트의 홈내에 발광소자를 설치하고, 히트싱크슬러그 상측에 서브마운트를 적층하는 2중구조로 형성하여, 열전달효율 및 방열효과를 극대화시킬 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명은 발광소자와, 발광소자가 안착되는 요홈을 구비하는 서브마운트와, 서브마운트가 상측에 적층되는 히트싱크슬러그와, 발광소자가 안착된 요홈내로 삽입되는 제1렌즈와, 발광소자로 전원을 공급하는 전원공급라인과, 발광소자와 서브마운트가 내부에 위치하도록 설치되고 하단이 히트싱크슬러그에 실리콘 몰딩처리되는 제2렌즈를 포함하여 구성되어, 발광소자에서 발생하는 열이 서브마운트 및 히트싱크슬러그를 통해 확산되어 방열되도록 되어 있다.

서브마운트, 히트싱크슬러그, 발광소자, 엘이디

Description

엘이디용 파워 방열장치{Power heat radiation apparatus for high luminant LED}

본 발명은 엘이디(ＬＥＤ)용 파워 방열장치에 관한 것으로, 서브마운트 요홈 내에 발광소자를 설치하고, 서브마운트 하측에 히트싱크슬러그를 위치시켜, 발광소자에서 발생되는 열이 서브마운트와 히트싱크슬러그로 신속하게 전도 확산시킬 수 있는 엘이디용 파워 방열장치에 관한 것이다.

광원소자인 엘이디램프는 전류가 흐르면 빛을 방출하는 다이오드의 한가지로, 초기에 낮은 휘도와 색깔 구현의 한계가 있었으나 현재는 저 전류영역에서는 새로운 발광 다이오드 원재료와 진보된 생산기술로 백색을 포함한 가시광선 영역의 모든 색깔을 발광 다이오드에서 구현할 수가 있으며 이러한 고휘도, 고효율, 다양한 색깔의 발광다이오드는 이미 선진국 및 국내에서 대형 전광판, 비상등, 교통신호등, 승용차등의 각종표시등 및 사인, 인테리어, 전시 등에 널리 응용되고 있다. 발광 다이오드는 작고, 가볍고, 내구성이 크고, 긴 수명 때문에 향후 진보된 기술이 가미된다면 한층 더 광범위한 영역에서 응용되어 질 것이며 우리가 일상생활에 서 접하는 일반 광원들을 대부분 대체할 것으로 전망하고 있다.

종래에 사용되고 있는 발광다이오드의 구조는 대한민국 공개특허공보 10-2004-98191호(발광다이오드와 그 패키지 구조체 및 제조방법) 또는 대한민국 등록실용신안공보 20-370479호(발광다이오드의 구조)에 개시된 바와 같이, 베이스 층의 상단에 반사판이 장착되고, 이 반사판의 상단에 발광다이오드가 설치되며, 이 발광다이오드의 양단에 전선이 연결됨과 더불어, 외측으로 뻗어 외부전극과 연결되고, 상기 발광다이오드의 상부에 렌즈가 덮어 씌워진 것으로 구성되는 것이 일반적이다.

그러나 저 전류영역에서 상용되는 상기와 같은 종래의 발광다이오드 패키지는 상기 반도체로 구성된 발광다이오드에서 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있는 재질 및 구조가 제한적이어서, 상기 발광다이오드의 발열로 인해 발광다이오드의 손상과 성능저하는 물론 타 부품의 손상 및 오동작이 유발되는 문제점이 있었으며, 액정디스플레이에 적용된 발광다이오드의 경우, 상기 발광다이오드의 발열로 인해 상기 액정디스플레이의 구성부품이 손상되는 문제점이 발생되었다.

특히 발광다이오드를 이용하는 고 전류조명영역에 있어서는 발광다이오드의 성능과 생산가격 그리고 발광다이오드를 둘러싼 방열구조 및 재질, 광학기술 등의 제한성으로 아직까지 실내 형광등과 백열등 외부 경관조명등을 대체하여 사용하기에는 그 성능의 부족과 가격측면의 경제성이 떨어진다는 것은 이미 널리 알려진 사실이다.

기존의 조명용 엘이디램프 대부분의 방열구조는 엘이디램프에서 발생하는 열을 엘이디하우징 내에 삽입되어 있는 히트싱크슬러그를 통하여 각종재질의 전원회로기판(일명 PCB보드판; 금속인쇄회로기판 등)상의 전기 절연코팅제 접속부로 전달하고, 다시 전원회로기판 하부의 철판 등 열전도성이 우수한 금속판으로 전도하여, 금속판 재질 배면의 넓은 면적을 통하여 외부로 열을 방출하도록 되어 있고,

기존의 기술들은 발광소자 전원선의 전기절연과 서브마운트와 히트싱크슬러그의 열전도성을 고려하여 상기 서브마운트와 히트싱크슬러그의 재질을 전기절연체로 하는 경우와 전기전도체로 하는 경우 2가지를 각각 이용하고 있으며, 이를 전기절연체로 하는 경우는 가장 최근에 열전도율이 50∼60Ｗ/ｍ-Ｋ인 탄화규소(SiC)소결체, 열전도율 150∼200Ｗ/ｍ-Ｋ인 질화알루미늄(AlN)소결체, 열전도율 40∼45Ｗ/ｍ-Ｋ인 실리콘이나 실리콘수지 등 방열성이 좋은 소재를 이용하여 전원회로기판에 부착 접속하여 조명성능을 향상시키고 있고, 전기전도체로 하는 경우는 열전도율이 196Ｗ/ｍ-Ｋ내외인 알루미늄이나 알루미늄합금, 열전도율이 320Ｗ/ｍ-Ｋ내외인 동이나 동합금 등 방열성이 좋은 전도체 재료를 이용하고, 이용하는 전도체재료 자체를 상기 발광소자 전원공급선으로 하여 전도체인 상기 히트싱크슬러그 하단을 절연 코팅된 전원회로기판 상부에 부착 접속하여 전기를 차단시킴과 동시에 열전도율을 더욱 좋게 하여 조명성능을 향상시키고 있다.

그럼에도 불구하고 이러한 기존의 방열 재질 및 구조는 고 전류영역에서는 아직도 열전도도가 충분치 않아 엘이디램프에서 발생된 열을 빠른 시간 내에 금속판 전면으로 전도, 확산시키는 데에는 한계성이 있다. 즉, 발광다이오드를 둘러싼 발광다이오드 상부의 렌즈 층 및 하부의 히트싱크 슬러그와 밀봉패키지 포장재 그리고 전원회로기판표면의 코팅제 방열성능 한계 때문에, 단위면적당 방열량을 대폭 향상시키는 데에는 한계가 있는 등 여러 가지 문제점이 있었다.

또한, 상기와 같은 발광다이오드의 발열로 인한 문제점을 해소하기 위하여,

특허등록 제 0688626 호, 공개특허 10-2008-0081331 호, 공개특허 10-2008-0079745, 특허등록 제 0797507 호, 특허등록 제 0867568 호, 등록 특허 0626845 호 등과 같이 발광다이오드 및 그 방열구조에 대한 다양한 연구개발이 이루어지고 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 개선하기 위한 것으로, 그 목적은 발광다이오드를 둘러싼 방열구조 및 재질을 향상시켜고 전류영역에서의 실내·외 조명이 가능하도록 한 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 고 전류영역에서의 상기와 같은 목적을 해소하기 위한 것으로, 그 목적은 발광소자를 이용한 조명시에 통전전류를 증가시켜, 발광소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방열할 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 발광소자에서 발생되는 열을 서브마운트 및 히트싱크슬러그를 통해 전원회로기판 및 등기구 판으로 신속하게 확산 전도할 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 서브마운트 및 히트싱크슬러그의 조성을 한정하여, 열전도율 600Ｗ/ｍ-Ｋ 이상의 물적 특성을 구비할 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 서브마운트, 히트싱크슬러그를 모두 방열성능이 뛰어난 방열소재로 형성하여, 발광소자의 열이 히트싱크슬러그 하단으로 신속하게 방열되는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 서브마운트의 홈 내에 발광소자를 설치하여, 열전달 효율을 향상시킬 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또다른 목적은 히트싱크슬러그 상측에 서브마운트를 적층하는 2중구조로 형성하여, 방열과 전기절연효과를 극대화시킬 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 방열효율을 향상시켜 발광소자의 휘도증가는 물론 수명을 연장시키고, 엘이디의 동작신뢰성을 향상시킬 수 있는 엘이디용 파워 방열장치를 제공하는 것이다.

이와 같이 본 발명은 서브마운트내의 홈에 발광소자를 안착하고, 상기 서브마운트와 히트싱크슬러그가 열전도율 600Ｗ/ｍ-Ｋ 이상의 물적특성을 구비하도록 하여, 발광소자에서 발생되는 열이 서브마운트를 통해 히트싱크슬러그로 신속하게 전도 확산되고, 이를 통해 발광소자의 휘도증가, 수명연장 및, 동작신뢰성을 향상 시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 서브마운트와 히트싱크슬러그의 소재를 한정하고, 히트싱크슬러그 상측에 서브마운트를 적층 형성하여, 열전도율 및 인장강도, 전기절연 특성을 향상시키는 등 많은 효과를 구비한다.

도 1 은 본 발명에 따른 구성을 보인 예시도를 도시한 것으로, 본 발명은 발광소자(10)와, 발광소자(10)가 안착되는 요홈(31)을 구비하는 서브마운트(30)와, 상기 서브마운트가 상측에 적층되는 히트싱크슬러그(20)와, 발광소자(10)가 안착된 요홈(31)내로 삽입되는 제1렌즈(60)와, 발광소자로 전원을 공급하는 전원공급라인(50)과, 발광소자(10)와 서브마운트(30)가 내부에 위치하도록 설치되고 하단이 히트싱크슬러그(20)에 실리콘 몰딩처리되는 제2렌즈(40)를 포함하여 구성되어, 발광소자에서 발생하는 열이 서브마운트 및 히트싱크슬러그를 통해 신속히 하부로 확산되어 방열되도록 되어 있다.

즉, 본 발명은 발광소자(10)가 서브마운트(30)에 형성된 요홈(31)내에 안착되어 제1렌즈(60)에 의해 밀봉되고, 상기 서브마운트(30) 하부에 히트싱크슬러그(20)가 적층되어 형성되며, 제2렌즈(40), 발광소자(10), 서브마운트(30)가 내측에 위치하도록 제2렌즈(40)가 설치되어 있다.

상기 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 발생되는 열을 신속하게 하단으로 전달하기 위하여, 이용 시에 경제성이 있고 강도가 높으며 전기절연체이고 열 전도율이 2,000Ｗ/ｍ-Ｋ인 공업용 인조다이아몬드, 공업용 인조다이아몬드분말, 강도가 강철보다 높으며 초전도체이고 열전도율이 6,000Ｗ/ｍ-Ｋ이며, 화학증기증착법으로 대형화시킨 그라핀(graphen), 그라핀분말, 그라핀과 강도가 비슷하며 전기전도도가 동(Cu)보다 높고 열전도율이 6000Ｗ/ｍ-Ｋ인 카본나노튜브, 카본나노튜브분말, 카본나노튜브와 물성이 비슷하며 그 입자가 카본나노튜브보다 100배 이상 큰 기상성장카본파이버필러로 이루어진 군에서 적어도 1종 이상에 의해 형성된다.

또한 상기 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 기존의 기술에 이용된 물질인 용융점이 260℃이며 부착력이 좋고 전기절연체이며 열전도율 40∼45Ｗ/ｍ-Ｋ인 실리콘, 실리콘수지, 전기절연체이며 강도가 알루미늄합금과 비슷하고 열전도율이 200Ｗ/ｍ-Ｋ인 질화알루미늄(AlN)분말, 전기절연체이며 강도가 강철보다 높고 열전도율 60Ｗ/ｍ-Ｋ인 탄화규소(SiC)분말, 전기절연체이며 열전도율이 20Ｗ/ｍ-Ｋ인 질화규소(Si₃N₄)분말로 이루어진 군에서 선택된 하나를 상기의 인조다이아몬드분말, 그라핀분말, 카본나노튜브분말, 기상성장카본파이버필러에 첨가하여 첨가되는 배합비율에 따라 하기에 기재된 바와 같이, 열전도율의 다양화가 가능하도록 형성된다.

또한, 상기 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 발광소자(10)에 공급되는 전원선의 전기절연과 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)의 열전도성을 고려하여 일체로 형성되거나, 히트싱크슬러그(20) 상측에 서브마운트(30)가 적층되어 일체화되며, 본 발명에 따른 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 열전도율 600Ｗ/ｍ-Ｋ 이상의 물적 특성을 구비한다.

즉, 본 발명에 따른 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 전기절연체이며 열전도율이 ,2000Ｗ/ｍ-Ｋ인 공업용인조다이아몬드 100wt% 또는,

전기절연체인 공업용인조다이아몬드분말입자 50∼99wt%를 부착력이 좋고 전기절연체이며 열전도율이 40∼45Ｗ/ｍ-Ｋ인 실리콘 또는 실리콘수지 1∼50wt%와 배합하여 상온(약20℃) 이상에서 고압으로 압축 소결한 소결체로 이루어져 있으며, 이와 같이 이루어지는 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 배합비율에 따라 열전도율의 다양화가 가능하도록 형성되며, 열전도율 1,000∼2,000 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비한다. 또한 이와 같이 이루어지는 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 전기절연체이므로 히트싱크슬러그(20)하단을 열전도율이 우수한 전원회로기판 금속표면이나 등기구 금속판 표면에 직접 부착가능 하여 신속한 열 방출이 된다.

또한, 본 발명에 따른 서브마운트와 히트싱크슬러그는 인조다이아몬드분말 50∼90wt%, 실리콘 또는 실리콘수지 5∼25wt% 그리고 질화알루미늄(AlN)분말, 탄화규소(SiC)분말, 질화규소(Si₃N₄)분말로 이루어진 군에서 선택된 하나 5∼25wt%를 첨가하고, 이를 350℃ 이상에서 고압으로 압축소결한 소결체로 형성하여 소결체의 강도를 증가시키고 배합비율에 따른 열전도율의 다양화가 가능하도록 하여, 이와 같 이 이루어지는 서브마운트(30)와 히트싱크슬러그(20)는 열전도율 900∼1500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하며 전기절연체로서의 효과는 상기와 같다.

또한, 본 발명에 따른 서브마운트와 히트싱크슬러그는 상기에 기재된 물성을 지닌 기존의 대형화시킨 그라핀(graphen)과 카본나노튜브와 기상성장 카본파이버 필러 중에서 선택된 하나에 의해 형성되며, 이와 같이 이루어진 서브마운트와 히트싱크슬러그는 열전도율 6,000∼6,500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하여 쾌속한 방열이 가능하고, 이 경우는 매우 높은 전기전도물질이므로 서브마운트와 히트싱크슬러그 자체를 상기 발광소자 전원공급선으로도 이용할 수 있으며, 이럴 경우, 전도체인 상기 히트싱크슬러그 하단이 전원회로기판 상부나 등기구 금속판상부의 전기절연 코팅 면에 부착 접속하여 전기를 차단시켜야 한다.

또한, 본 발명에 따른 서브마운트와 히트싱크슬러그는 기상성장 카본파이버필러 10∼90wt%, 카본나노튜브분말 또는 그라핀분말 10∼90wt%를 배합하여 형성할 수 있으며, 1000℃이상에서 고온고압 압축소결한 소결체로 이루어지며, 이와 같이 이루어진 서브마운트와 히트싱크슬러그는 열전도율 5,000∼5,500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하며 전기전도체 물질이므로 전기전도체를 이용하는 효과와 작동방법은 상기와 같다.

또한, 본 발명에 따른 서브마운트와 히트싱크슬러그는 소결체의 강도를 증가 시키고 배합비율에 따른 열전도율의 다양성확보를 위해 카본나노튜브분말 또는 그라핀분말 또는 기상성장 카본파이버필러 10∼90wt%, 질화알루미늄(AlN)분말, 탄화규소(SiC)분말, 질화규소(Si₃N₄)분말로 이루어진 군에서 선택된 하나 10∼90wt%와 850℃ 이상에서 고압으로 압축소결한 소결체에 의해 형성되며, 이와 같이 이루어지는 서브마운트와 히트싱크슬러그는 열전도율 600∼5,400 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하며, 전기전도체 물질이므로 전기전도체를 이용하는 효과와 작동방법은 상기와 같다.

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그의 소결체 소결장치는 기존의 고온고압 압축소결장치와 플라즈마 소결장치 등을 이용하며, 이러한 처리는 공지된 기술수단이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다.

또한 상기 제1렌즈(60)는 발광소자(10)가 안착된 서브마운트(30)의 요홈(31)내로 삽입되어 밀봉된다.

상기 제2렌즈(40)는 발광소자(10)가 안착된 요홈(31)이 내부에 위치하도록 설치되며, 하단이 히트싱크슬러그(20)에 실리콘 몰딩처리되어 기밀을 유지하게 되며, 발광소자(10)로 전원을 공급하는 전원공급라인(50)은 제2렌즈(40) 사이에 위치하여 제2렌즈의 실리콘 몰딩처리 시 함께 처리된다.

상기 전원공급라인(50)은 발광소자(10)에 연결되어 전원을 공급하는 것으로, 동 박막선 또는 리드프레임 또는 전선 등이 사용된다.

상기와 같이 이루어진 본 발명은 발광소자, 서브마운트, 히트싱크슬러그 및 제1,2렌즈가 일체화되어 패키지를 구비하게 된다.

또한, 본 발명의 제1,2렌즈, 전원공급라인, 서브마운트 및, 히트싱크슬러그는 수지 등으로 몰딩 처리되거나 Solder접합(땜 접합)되며, 이러한 처리는 공지된 기술수단이므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략한다. 또한, PCB보드판, 금속인쇄회로기판, 등기구판, 방열핀 등과 같은 공지기술 역시 본 발명에 적용할 수 있다.

이와 같은 발명의 실시를 위한 구체적인 내용인 상기의 재질과 구조는 기존의 기술수단에 비해 방열성능 등이 훨씬 우수하여 발광소자에서 발생하는 열전자를 신속히 하부로 이동하게 하므로 고 전류영역에서 통전전류의 증가로 발생하는 발광소자 주위의 온실효과를 크게 감소시켜 발광소자의 휘도증가, 수명연장 및, 동작신뢰성이 확보된다.

본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

도 1 은 본 발명에 따른 구성을 보인 예시도

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

(10) : 발광소자 (20) : 히트싱크슬러그

(30) : 서브마운트 (31) : 요홈

(40) : 제2렌즈 (50) : 전원공급라인

(60) : 제1렌즈

Claims

발광소자와,

발광소자가 안착되는 요홈을 구비하는 서브마운트와,

서브마운트가 상측에 적층되는 히트싱크슬러그와,

발광소자가 안착된 요홈내로 삽입되는 제1렌즈와,

발광소자로 전원을 공급하는 전원공급라인과,

발광소자와 서브마운트가 내부에 위치하도록 설치되고, 하단이 히트싱크슬러그에 실리콘 몰딩처리되는 제2렌즈를 포함하여 구성되어, 발광소자에서 발생하는 열이 서브마운트 및 히트싱크슬러그를 통해 확산되어 방열되는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 인조다이아몬드, 인조다이아몬드분말, 그라핀(graphen), 그라핀분말, 카본나노튜브, 카본나노튜브분말, 기상성장카본파이버필러로 이루어진 군에서 1종 이상에 의해 형성된 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 인조다이아몬드 100wt%,

또는 인조다이아몬드분말 50∼99wt%, 실리콘 또는 실리콘수지 1∼50wt%로 이루어지고,

상온 이상에서 고압으로 압축 소결한 소결체로, 열전도율 1,000∼2,000 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 인조다이아몬드분말 50∼90wt%, 실리콘 또는 실리콘수지 5∼25wt% 그리고 질화알루미늄(AlN)분말, 탄화규소(SiC)분말, 질화규소(Si₃N₄)분말로 이루어진 군에서 선택된 하나 5∼25wt%로 혼합 형성되고, 350℃ 이상에서 고압으로 압축소결한 소결체로, 열전도율 900∼1500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 그라핀(graphen), 카본나노튜브, 기상성장 카본파이버 필러 중에서 선택된 하나에 의해 형성되고, 열전도율 6,000∼ 6,500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 기상성장 카본파이버필러 10∼90wt%, 카본나노튜브분말 또는 그라핀분말 10∼90wt%를 1000℃ 이상에서 고온고압 압축소결한 소결체로, 열전도율 5,000∼5,500 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크슬러그는 카본나노튜브분말 또는 그라핀분말 또는 기상성장 카본파이버필러 10∼90wt%, 질화알루미늄(AlN)분말, 탄화규소(SiC)분말, 질화규소(Si₃N₄)분말로 이루어진 군에서 선택된 하나 10∼90wt%를 850℃ 이상에서 고압으로 압축소결한 소결체로, 열전도율 600∼5,400 Ｗ/ｍ-Ｋ를 구비하는 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.
청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서;

상기 서브마운트와 히트싱크 슬러그는 일체형으로 형성되거나, 분리 적층하여 일체화시킨 것을 특징으로 하는 엘이디용 파워 방열장치.