KR101021123B1 - 은이온수 제조장치 및 그 제어방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 유입되는 물의 압력을 조절하여 물이 누설되는 현상을 방지할 수 있고, 유입되는 물의 양이나 온도가 변하는 경우에도 배출되는 은이온수의 농도를 거의 균일화할 수 있는 은이온수 제조장치 및 그 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 은이온수 제조장치는 물이 유입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 물을 정화하기 위해 본체 내에 설치된 정수필터와, 본체 내에 설치되며 전기분해를 통해 은이온수를 제조하는 은이온화장치와, 본체로 유입되는 물의 압력을 조절하기 위해 유입구 쪽에 설치된 수압조절기를 포함한다. 또 그 제어방법은 본체로 유입되는 물의 양이 증가할수록 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하도록 제어하고, 본체로 유입되는 물의 온도가 상승할수록 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지도록 제어한다.

Description

은이온수 제조장치 및 그 제어방법{Silver ion water generating apparatus and control method thereof}

본 발명은 은이온수 제조장치 및 그 제어방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유체의 흐름을 안정화할 수 있고 은이온수의 농도를 균일화할 수 있는 은이온수 제조장치 및 그 제어방법에 관한 것이다.

은이온이 포함된 은이온수는 은 금속 특유의 살균 및 항균작용을 하기 때문에 최근 여러 분야에서 다양하게 개발되어 이용되고 있다. 통상적으로 은이온수를 제조할 때는 물속에 담긴 은판에 전기를 인가하여 전기분해가 생기도록 함으로써 은판으로부터 방출된 은이온이 물에 포함되도록 한다.

이러한 은이온수를 제조하는 장치로는 대한민국 등록실용신안공보 20-327331호에 개시된 것으로 본 출원인이 고안한 은이온수 제조장치가 있다. 이 은이온수 제조장치는 수도물에 포함된 염소이온과 유기물을 흡착 제거하는 흡착수단과, 흡착수단을 통과하면서 유기물 및 염소이온이 제거된 수도물을 은이온수로 만드는 은이온화장치를 구비한다. 은이온화장치는 수도물이 통과하는 경로에 배치된 제1 및 제2 -전극판과 은전극판을 포함한다. 이는 물이 은이온화장치를 통과하는 가운데 은 전극판의 전기분해가 이루어지도록 함으로써 은전극판으로부터 방출된 은이온이 물에 함유되어 은이온수가 제조될 수 있도록 한 것이다.

그러나 이러한 은이온수 제조장치는 유입구로 유입되는 물의 수압을 제어할 수 없기 때문에 유입되는 물의 수압이 너무 높을 경우 케이스의 틈 등으로 물이 누설될 수 있는 문제가 있었다. 또 은이온화장치을 통과하는 물의 양이나 물의 온도가 변하기 때문에 배출되는 은이온수의 농도를 균일화하기 어려웠다.

또 이러한 은이온수 제조장치는 수도물에 포함된 석회성분이 제거되지 않기 때문에 케이스 내부나 배관에 스케일이 생기는 문제가 있었다.

본 발명은 이와 같은 문제점들을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 유입되는 물의 압력을 조절하여 물이 누설되는 현상을 방지할 수 있도록 하는 은이온수 제조장치를 제공하는 것이다.

본 발명의 다른 목적은 은이온화장치를 통과하는 물의 양이나 온도 변화에 따라 은이온화장치에 인가되는 전원을 제어하여 배출되는 은이온수의 농도를 거의 균일화할 수 있도록 하는 은이온수 제조장치 및 그 제어방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 또 다른 목적은 물 속에 포함된 석회성분을 제거할 수 있도록 하는 은이온수 제조장치를 제공하는 것이다.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 물이 유 입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 물을 정화하기 위해 상기 본체 내에 설치된 정수필터와, 상기 본체 내에 설치되며 전기분해를 통해 은이온수를 제조하는 은이온화장치와, 상기 본체로 유입되는 물의 압력을 조절하기 위해 상기 유입구 쪽에 설치된 상기 수압조절기를 포함한다.

상기 본체는 내부공간이 상기 정수필터를 수용하는 정수공간과 상기 은이온화장치를 수용하는 은이온수생성공간으로 구획되며, 상기 정수공간의 개폐를 위한 제1서브케이스 및 상기 은이온수생성공간의 개폐를 위한 제2서브케이스를 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기 수압조절기는 상기 유입구 쪽에 설치된 하우징과, 상기 하우징으로 유입되는 물의 압력에 따라 진퇴하면서 상기 하우징 내부의 유로를 개폐하는 플런저와, 상기 유로를 개방하는 방향으로 상기 플런저를 가압하는 압력조절스프링을 포함하며, 상기 플런저는 수압이 작용하는 플렌지부와, 상기 유로의 개폐를 위해 상기 플렌지부와 함께 진퇴하는 개폐부를 포함한다.

상기 정수필터는 물에 포함된 석회성분을 걸러주는 세라믹필터와, 물에 포함된 유기물 및 염소이온을 흡착 제거하는 활성탄소필터를 포함한다.

상기 정수공간은 상호 연통된 하부의 제1정수공간과 상부의 제2정수공간으로 구획되고, 상기 제1정수공간은 상기 세라믹필터를 수용하며 상기 유입구와 연통되고, 상기 제2정수공간은 상기 활성탄필터를 수용하며 그 상부가 상기 은이온수생성공간과 연통되는 것을 특징으로 한다.

상기 은이온수 제조장치는 상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지하는 유량센 서와, 상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지하는 온도센서와, 상기 은이온화장치로 인가되는 전압을 조절하는 스위칭부와, 상기 유량센서 및 상기 온도센서의 감지정보를 토대로 상기 스위칭부를 제어하는 제어부를 더 포함한다.

상기 은이온화장치는 상호 이격되도록 배치된 제1 및 제2-전극판과, 상기 제1-전극판과 상기 제2-전극판 사이에 설치된 은전극판과, 상기 제1-전극판, 상기 은전극판, 상기 제2-전극판이 상호 이격된 상태로 지지될 수 있도록 이들의 양측에 각각 결합된 제1지지부재와 제2지지부재를 포함한다.

상기 은이온수 제조장치는 상기 본체의 유입구 쪽에 연결된 서브정수유닛을 더 포함하며, 상기 서브정수유닛은 정수케이스와, 상기 정수케이스 내에 설치된 세라믹필터와 활성탄필터를 포함한다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 제어방법은 상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지한 후, 상기 본체로 유입되는 물의 양이 증가할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하고 상기 본체로 유입되는 물의 양이 감소할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지도록 제어하는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 제어방법은 상기 본체로 유입되는 물의 양이 설정유량보다 적으면, 상기 이온화장치로 전원이 인가되는 ON시간과 상기 이온화장치로 전원이 인가되지 않는 OFF시간이 반복되도록 제어하는 것을 특징으로 한다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 제어방법은 상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지한 후, 상기 본체로 유입되는 물의 온도가 상승할수록 상기 은이 온화장치로 인가되는 전압이 낮아지고 상기 본체로 유입되는 물의 온도가 낮아질수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하도록 제어하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 수압조절기에 의해 본체로 유입되는 물의 압력이 설정압력 이하로 조절되기 때문에 본체 또는 본체와 연결되는 배관으로부터 물이 누설되는 현상을 방지할 수 있는 효과가 있다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 본체로 유입되는 물의 양이나 온도의 변화를 토대로 은이온화장치에 인가되는 전원을 제어하기 때문에 본체로 유입되는 물의 양이나 온도가 변하는 경우에도 배출되는 은이온수의 농도를 거의 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 본체로 유입되는 물의 양이 설정유량보다 적을 경우 이온화장치로 전원이 인가되는 ON시간과 이온화장치로 전원이 인가되지 않는 OFF시간이 반복되도록 제어하기 때문에 본체로 유입되는 물의 양이 적은 경우에도 배출되는 은이온수의 농도를 거의 일정하게 유지할 수 있는 효과가 있다.

또 본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 물속에 포함된 석회성분이 세라믹필터에 의해 제거되기 때문에 본체 내부 및 본체와 연결되는 배관 내에 스케일이 생기는 현상을 최소화할 수 있는 효과가 있다.

이하에서는 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

본 발명에 따른 은이온수 제조장치는 도 1에 도시한 바와 같이, 물이 유입되는 유입구(14)와 은이온수가 배출되는 배출구(15)를 구비하는 본체(10)와, 본체(10)의 유입구(14) 쪽에 설치된 유량센서(51), 온도센서(52), 수압조절기(60)를 구비한다. 또 유량센서(51)와 온도센서(52)의 감지정보를 토대로 본체로 공급되는 전원을 제어하기 위한 제어부(71) 및 스위칭부(72)를 포함한다.

본체(10)는 도 2 내지 도 5에 도시한 바와 같이, 내부공간이 유입되는 물을 정화하기 위한 정수공간(16)과, 은이온수를 생성하기 위한 은이온수 생성공간(17)으로 구획된다. 정수공간(16) 내에는 물을 정화하기 위한 정수필터들(18,19)이 설치되고, 은이온수 생성공간(17) 내에는 은이온수의 생성을 위한 은이온화장치(30)가 설치된다.

본체(10)는 양측에 각각 정수공간(16)과 은이온수 생성공간(17)이 마련된 메인케이스(11)와, 정수공간(16)의 개폐를 위해 메인케이스(11)의 일측에 착탈 가능하게 결합된 제1서브케이스(12), 은이온수 생성공간(17)의 개폐를 위해 메인케이스(11)의 타측에 착탈 가능하게 결합된 제2서브케이스(13)를 포함한다.

메인케이스(11)는 도 5에 도시한 바와 같이, 정수공간(16)과 은이온수 생성공간(17)을 구획하는 제1구획벽(20)과, 정수공간(16) 내부를 하부의 제1정수공간(16a)과 상부의 제2정수공간(16b)으로 구획하는 제2구획벽(21)을 구비한다. 제2구획벽(21)에는 제1정수공간(16a)과 제2정수공간(16b)을 연통시키는 제1연통유 로(21a)가 형성된다.

메인케이스(11)의 내측 상부에는 제2정수공간(16b)과 은이온수 생성공간(17) 상부를 연통시키는 제2연통유로(22)가 마련된다. 제2연통유로(22)는 제2정수공간(16a)의 상부에 제2구획벽(21)과 유사하게 형성된 제3구획벽(23) 및 제1구획벽(20)의 상부에 형성된 다수의 통공(24)에 의해 형성된다. 다수의 통공(24)은 도 4에 도시한 바와 같이, 상호 균등한 간격으로 배치됨으로써 제2정수공간(16b)을 거쳐 은이온수 생성공간(17) 쪽으로 흐르는 물이 균등하게 분배될 수 있도록 한다.

메인케이스(11) 양측의 정수공간(16)과 은이온수 생성공간(17)은 상반된 위치의 측면이 개방된 형태이며, 각 개방면에는 제1서브케이스(12)와 제2서브케이스(13)가 결합됨으로써 폐쇄된다. 제1서브케이스(12)와 제2서브케이스(13)는 각각 복수의 고정나사(25) 체결에 의해 메인케이스(11)와 결합된다.

제1서브케이스(12) 내면에는 메인케이스(11)와 결합에 의해 제1 및 제2정수공간(16a,16b)을 형성하도록 그 내부를 구획하는 제4구획벽(26)과 제5구획벽(27)이 마련된다. 제4 및 제5구획벽(26,27)은 메인케이스(11)의 제2구획벽(21)과 실질적으로 동일한 형태로 마련된다. 또 제1서브케이스(12)에는 제1정수공간(16a) 내부와 연통하도록 물이 유입되는 유입구(14)가 마련된다.

메인케이스(11) 하부에는 도 5에 도시한 바와 같이, 은이온수 생성공간(17)에서 생성된 은이온수를 일시적으로 저장하기 위해 은이온수 생성공간(17)과 연통된 은이온수 저장부(28)가 마련되고, 은이온수 저장부(28)의 하부에는 은이온수의 배출을 위한 배출구(15)가 형성된다.

이러한 본체(10)는 유입구(14)로 유입된 물이 제1정수공간(16a), 제2정수공간(16b), 제2연통유로(22), 은이온수 생성공간(17), 은이온수 저장부(28)를 차례로 거친 후 배출구(15)로 배출될 수 있도록 한 것이다. 또 도 5에 도시한 바와 같이, 정수공간(16)과 은이온수 생성공간(17)이 양측에 구획된 형태로 배치되어 공간효율을 높임으로써 그 외형을 컴팩트화 한 것이며, 정수공간(16)과 은이온수 생성공간(17)이 제1 및 제2서브케이스(12,13)에 의해 개폐되도록 함으로써 정수필터(18,19)의 교환 및 은이온화장치(30)의 고장수리가 용이하도록 한 것이다.

정수필터는 제1정수공간(16a)의 내에 수용된 세라믹필터(18)와, 제2정수공간(16b) 내에 수용된 활성탄필터(19)를 포함한다. 세라믹필터(18)는 원통형으로 마련되며 규조토, 맥반석분, 게르마늄 석분, 황토 등이 함유된 천연소재로 구성된다. 세라믹필터(18)는 유입구(14)를 통하여 유입되는 물이 통과하도록 설치됨으로써 물에 포함된 불순물이나 석회성분을 제거하여 은이온수 생성공간(17), 은이온수 저장부(28), 배관 등의 내부에 스케일이 생기는 현상을 방지한다. 활성탄필터(19)는 역시 원통형으로 마련되며 물속에 함유된 유기물이나 염소이온(Cl-)을 흡착할 수 있는 활성탄소를 주성분으로 하여 제조된다.

따라서 유입구(14)를 통하여 제1정수공간(16a)으로 유입된 물은 세라믹필터(18)의 외측으로부터 중심부분으로 세라믹필터(18)를 통과하여 흐르면서 세라믹필터(18)에 의해 석회성분이나 불순물이 여과된다. 이 물은 다시 제2정수공간(16b)의 활성탄필터(19)의 외측으로 유입된 후, 활성탄필터(19)의 외측으로부터 중심부분으로 활성탄필터(19)를 통과하여 흐르면서 유기물이나 염소이온이 여과된다. 활 성탄필터(19)를 통과한 물은 제2연통유로(22)를 통하여 은이온수 생성공간(17) 상측으로 유입된다. 이러한 유동을 위해 활성탄필터(19)의 하부에는 제1정수공간(16a)으로부터 상승하는 물을 그 둘레 쪽으로 유도하는 캡부재(19a)가 결합되고, 활성탄필터(19)의 상부에는 활성탄필터(19)를 통과한 물을 제2연통유로(22)로 안내하는 원통형 안내관(19b)이 설치된다.

은이온화장치(30)는 도 4와 도 5에 도시한 바와 같이, 은이온수 생성공간(17) 양측에 각각 설치된 제1 및 제2-전극판(31,32)과, 제1-전극판(31)과 제2-전극판(32) 사이에 설치된 은전극판(33)과, 제1-전극판(31), 은전극판(33), 제2-전극판(32)이 상호 이격된 상태로 지지될 수 있도록 이들의 양측에 각각 결합된 제1지지부재(34)와 제2지지부재(35)를 포함한다. 제1-전극판(31)과 제2-전극판(32)은 스테인리스 스틸과 같은 도전성 금속으로 이루어지고, 제1 및 제2지지부재(34,35)는 절연재질로 이루어진다. 제1지지부재(34)와 제2지지부재(35)는 제1 및 제2-전극판(31,32)과 은이온판(33)을 이격상태로 지지하기 위한 걸림턱들(34a)과 홈(34b)을 구비한다. 이는 제1-전극판(31)과 은전극판(33)이 이격되어 제1전해통로(17a)가 형성되고, 제2-전극판(32)과 은전극판(33)이 이격되어 제2전해통로(17b)가 형성되도록 한 것이다.

제2지지부재(35)는 제1 및 제2-전극판(31,32)과 은전극판(33)에 전원을 인가하기 위한 단자들(36a,36b,36c)이 관통하는 단자결합홈들(35c,35d,35e)을 구비한다. 이러한 이온화장치(30)가 은이온수 생성공간(17) 내에 수용되도록 설치되면, 단자들(36a,36b,36c)은 본체(10)의 외부로 연장된다. 단자들(36a,36b,36c) 중 은전 극판(33)과 연결된 단자(36c)에는 +전원이 연결되고, 제1 및 제2-전극판(31,32)과 연결된 단자들(36a,36b)에는 -전원이 연결된다.

은이온화장치(30)는 제1 및 제2-전극판(31,32)과 은전극판(33)이 제1 및 제2지지부재(34,35)에 의해 본체(10) 외부에서 하나의 유닛형태로 조립된 후 은이온수 생성공간(17) 내에 장착된다. 따라서 추후 유로 상의 장해물 등으로 인해 결석이 생기는 경우에도 은이온화장치(30)를 쉽게 분리하여 세척하거나 새로운 것으로 교체할 수 있다. 즉 은이온화장치(30)의 고장수리 및 청소를 용이하게 수행할 수 있다.

은이온화장치(30)는 은이온수 생성공간(17)으로 물이 흐르는 과정에서 전원이 인가될 경우 은전극판(33)의 전기분해에 의해 은전극판(33)으로부터 방출된 은이온이 물에 함유되도록 함으로써 은이온수가 생성되도록 한다. 은이온수 생성공간(17)으로 유입되는 물은 활성탄필터(19)에 의해 유기물과 염소이온(Cl-)이 제거된 상태에서 유입되므로 은이온수 생성공간(17)에서는 염화은이 포함되지 않은 고품질의 은이온수를 제조할 수 있다. 이러한 은이온수는 메인케이스(11) 하부의 은이온수 저장부(28)에 잠시 저장되었다가 배출구(15)로 배출된다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본체(10)의 유입구(14)와 연결되는 배관(40)에는 유입되는 물의 압력을 조절하는 수압조절기(60)가 설치된다. 수압조절기(60)는 도 7에 도시한 바와 같이, 유로(62)를 갖춘 하우징(61)과, 하우징(61)의 내부로 유입되는 물의 압력에 따라 진퇴하면서 하우징(61) 내부의 유로(62)를 개폐하는 플런저(63)와, 유로(62)를 개방하는 방향으로 플런저(63)를 가압하는 압력조절스프 링(64)을 구비한다.

하우징(61) 내부의 유로(62)는 배관(40)을 따라 흐르는 물의 주유동방향과 대략 직교하는 방향으로 형성되고, 플런저(63)는 일부가 이 유로(62)에 진입된 상태에서 진퇴하도록 설치된다. 플런저(63)는 환봉형태이며 유로(62)를 통과하는 물의 수압이 작용하는 플랜지부(63a)와, 진퇴에 따라 유로(62)를 개폐할 수 있도록 그 단부에 테이퍼형으로 마련된 개폐부(63b)를 구비한다. 유입되는 물의 압력이 플랜지부(63a)에 가해질 때 플런저(63)가 상승함으로써 개폐부(63b)가 유로(62)를 폐쇄할 수 있도록 한 것이다.

압력조절스프링(64)은 플런저(63)의 외측에 설치되며 그 일단이 하우징(61) 상부를 폐쇄하는 캡(66)에 의해 지지되는 압축코일스프링으로 구성된다. 압력조절스프링(64)은 플런저(63)의 플랜지부(63a)를 가압함으로써 평소 유로(62)가 개방된 상태를 유지하도록 한다. 이러한 압력조절스프링(64)은 설정수압(대략 2.5kg/㎠)에 상당하는 탄성을 가지도록 한다. 유입되는 물의 압력이 설정수압보다 높으면 플런저(63)가 압력조절스프링(64)의 힘을 이기고 상승함으로써 개폐부(63a)가 유로(62)를 폐쇄하고, 이를 통해 본체(10) 내부로 유입되는 물의 압력이 항상 설정수압 이하로 유지될 수 있도록 한 것이다. 도 7에서 부호 67은 물의 누설을 방지하는 다이어프램이다.

이처럼 본 실시 예의 은이온수 제조장치는 본체(10)로 유입되는 물의 압력이 설정수압 이하로 유지되기 때문에 각 케이스(11,12,13) 사이의 틈이나 배관연결부분 등으로 물이 누설되는 현상을 방지할 수 있다. 또 본체(10) 내부, 특히 은이온 수 생성공간(17)을 흐르는 물의 유동이 안정화되도록 하여 은이온수 생성이 원활하도록 할 수 있다.

도 1에 도시한 바와 같이, 본체(10)의 유입구(14)와 연결된 배관(40)에는 유량센서(51)와 온도센서(52)가 설치된다. 유량센서(51)는 배관(40)을 통과하는 물의 유속을 감지함으로써 단위시간 당 본체(10)로 유입되는 유량을 알 수 있다. 유량센서(51)는 유체의 흐름에 따른 회전날개의 회전을 감지하는 회전속도 검출식 센서, 자계를 이용하는 전자식 센서, 도플러효과를 이용하는 초음파식 센서 등일 수 있다.

제어부(71)는 유량센서(51)와 온도센서(52)의 감지정보를 토대로 스위칭부(72)를 제어하여 은이온화장치(30) 쪽으로 인가되는 전원을 제어함으로써 유입되는 물의 양이나 온도가 변하는 경우에도 거의 일정한 농도의 은이온수가 제조될 수 있도록 한다. 즉 유입되는 물의 양이 많아 은이온수 생성공간(17)을 통과하는 물의 유속이 빠를 경우에는 은이온화장치(30)로 인가되는 전압을 높이고, 유속이 느릴 경우에는 전압을 낮추는 방식이다. 또 수온이 높을수록 전기분해가 효과가 높아지는 현상을 감안하여 수온이 높을수록 은이온화장치(30)로 인가되는 전압을 낮추고, 수온이 낮을수록 전압을 높이는 방식이다.

본 실시 예에서는 유입되는 물의 유량 및 수온의 변화에 따라 제어부(71)가 스위칭부(72)를 제어함으로써 은이온화장치(30)로 인가되는 전압이 제1레벨 7V, 제2레벨 8V, 제3레벨 9V로 변화할 수 있도록 하였다.(각 전압은 예로써 제시한 것이므로 이에 한정되는 것은 아니다) 즉 도 8에 도시한 바와 같이, 유입되는 물의 온 도가 상대적으로 낮은 제1수온(T1)으로부터 상대적으로 높은 제3수온(T3)으로 갈수록 전압이 낮아지고, 유입되는 물의 양이 상대적으로 적은 제1유량(Q1)으로부터 상대적으로 많은 제3유량(Q3)으로 갈수록 전압이 높아지도록 하였다. 이처럼 은이온화장치(30)로 인가되는 전압을 제어하면, 유입되는 물의 양이나 온도가 변하는 경우에도 은이온수의 농도를 거의 일정하게 유지시킬 수 있다. 이때 은이온수의 농도는 0.1PPM ~ 1PPM의 범위 내에서 제어되도록 하는 것이 좋다.

또 제어부(71)는 도 9에 도시한 바와 같이, 유량센서(51)의 감지정보를 토대로 유입되는 물의 양을 판단하고, 유입되는 유량이 감소할 경우에는 일시적으로 전원이 인가되는 않는 OFF시간(A)이 존재하도록 제어한다. 유량이 적을 경우 은이온수가 은이온수 생성공간(17) 내에서 정체하는 것을 방지하기 위한 것이다. 예를 들면, 상대적으로 적은 제1유량(Q1)일 경우에는 전원이 인가되는 ON시간(B)과 전원이 인가되지 않는 OFF시간(A)이 반복되도록 제어한다. 물론 이때 OFF시간(A)은 ON시간(B)보다 짧게 설정한다. 이러한 방식으로 전원을 제어하면, 유입유량이 적은 경우 전기분해가 과다하게 이루어지는 것을 방지함으로써 배출되는 은이온수의 색이 검어지는 현상을 방지할 수 있다. 즉 유량이 감소하는 경우에도 배출되는 은이온수의 농도가 거의 일정하게 유지되도록 할 수 있게 된다.

도 10은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 다른 실시 예에 관한 것으로, 온도센서(52)와 본체(10)의 유입구(14) 사이에 물을 정화하는 서브정수유닛(90)이 추가로 설치된 것이다. 서브정수유닛(90)은 정수케이스(91)와, 정수케이스(91)의 내부에 설치된 세라믹필터(93) 및 활성탄필터(94)를 포함한다. 이는 본체(10)로 유 입되는 물이 서브정수유닛(90)에 의해 미리 정수된 상태에서 본체(10) 내부의 정수필터들(18,19)에 의해 재차 정수되도록 함으로써 정수효과가 향상되도록 한 것이다. 이러한 서브정수유닛(90)은 사용자의 필요에 따라 장착하거나 분리할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 구성도이다.

도 2는 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 본체 외관을 나타낸 사시도이다.

도 3은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 제1서브케이스를 분해한 상태의 사시도이다.

도 4는 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 제2서브케이스를 분해한 상태의 사시도이다.

도 5는 도 2의 A-A'선에 따른 단면도이다.

도 6은 도 2의 B-B'선에 따른 단면도이다.

도 7은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 수압조절기를 나타낸 단면도이다.

도 8은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 본체로 유입되는 물의 양 및 온도 변화에 따른 전압제어의 예를 나타낸 것이다.

도 9는 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 본체로 유입되는 물의 양이 적을 경우의 전원 제어를 나타낸 것이다.

도 10은 본 발명에 따른 은이온수 제조장치의 구성도로, 다른 실시 예를 나타낸 것이다.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *

10: 본체, 11: 메인케이스,

12: 제1서브케이스, 13: 제2서브케이스,

14: 유입구, 15: 배출구,

16: 정수공간, 17: 은이온수 생성공간,

18: 세라믹필터, 19: 활성탄필터,

28: 은이온수 저장부, 30: 은이온화장치,

31: 제1-전극판, 32: 제2-전극판,

33: 은전극판, 34: 제1지지부재,

35: 제2지지부재, 51: 유량센서,

52: 온도센서, 60: 수압조절기,

63: 플런저, 64: 압력조절스프링,

71: 제어부, 72: 스위칭부,

90: 서브정수유닛.

Claims (12)

1. 물이 유입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 물을 정화하기 위해 상기 본체 내에 설치된 정수필터와, 상기 본체 내에 설치되며 전기분해를 통해 은이온수를 제조하는 은이온화장치를 포함하는 은이온수 제조장치에 있어서,

   상기 본체로 유입되는 물의 압력을 조절하기 위해 상기 유입구 쪽에 설치된 수압조절기와, 상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지하는 유량센서와, 상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지하는 온도센서와, 상기 은이온화장치로 인가되는 전압을 조절하는 스위칭부와, 상기 유량센서 및 상기 온도센서의 감지정보를 토대로 상기 스위칭부를 제어하되 유입되는 물의 양이 증가할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하고 유입되는 물의 온도가 상승할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지도록 제어하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 하는 은이온수 제조장치.
2. 제1항에 있어서,

   상기 본체는 내부공간이 상기 정수필터를 수용하는 정수공간과 상기 은이온화장치를 수용하는 은이온수생성공간으로 구획되며, 상기 정수공간의 개폐를 위한 제1서브케이스 및 상기 은이온수생성공간의 개폐를 위한 제2서브케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 은이온수 제조장치.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서,

   상기 수압조절기는 상기 유입구 쪽에 설치된 하우징과, 상기 하우징으로 유입되는 물의 압력에 따라 진퇴하면서 상기 하우징 내부의 유로를 개폐하는 플런저와, 상기 유로를 개방하는 방향으로 상기 플런저를 가압하는 압력조절스프링을 포함하며,

   상기 플런저는 수압이 작용하는 플렌지부와, 상기 유로의 개폐를 위해 상기 플렌지부와 함께 진퇴하는 개폐부를 포함하는 은이온수 제조장치.
4. 제2항에 있어서,

   상기 정수필터는 물에 포함된 석회성분을 걸러주는 세라믹필터와, 물에 포함된 유기물 및 염소이온을 흡착 제거하는 활성탄소필터를 포함하는 은이온수 제조장치.
5. 제4항에 있어서,

   상기 정수공간은 상호 연통된 하부의 제1정수공간과 상부의 제2정수공간으로 구획되고,

   상기 제1정수공간은 상기 세라믹필터를 수용하며 상기 유입구와 연통되고,

   상기 제2정수공간은 상기 활성탄필터를 수용하며 그 상부가 상기 은이온수생성공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 은이온수 제조장치.
6. 삭제
7. 삭제
8. 삭제
9. 물이 유입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 전기분해를 통해 은이온수를 제조하도록 상기 본체 내에 설치된 은이온화장치와, 상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지하는 유량센서와, 상기 이온화장치로 인가되는 전원을 제어하는 제어부를 포함하는 은이온수 제조장치의 제어방법에 있어서,

   상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지한 후,

   상기 본체로 유입되는 물의 양이 증가할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하고 상기 본체로 유입되는 물의 양이 감소할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지도록 제어하는 것을 특징으로 은이온수 제조장치의 제어방 법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 본체로 유입되는 물의 양이 설정유량보다 적으면, 상기 이온화장치로 전원이 인가되는 ON시간과 상기 이온화장치로 전원이 인가되지 않는 OFF시간이 반복되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 은이온수 제조장치의 제어방법.
11. 물이 유입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 전기분해를 통해 은이온수를 제조하도록 상기 본체 내에 설치된 은이온화장치와, 상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지하는 온도센서와, 상기 이온화장치로 인가되는 전원을 제어하는 제어부를 포함하는 은이온수 제조장치의 제어방법에 있어서,

    상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지한 후,

    상기 본체로 유입되는 물의 온도가 상승할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지고 상기 본체로 유입되는 물의 온도가 낮아질수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하도록 제어하는 것을 특징으로 은이온수 제조장치의 제어방법.
12. 물이 유입되는 유입구와 은이온수가 배출되는 배출구를 갖춘 본체와, 전기분해를 통해 은이온수를 제조하도록 상기 본체 내에 설치된 은이온화장치와, 상기 본체로 유입되는 물의 양을 감지하는 유량센서와, 상기 본체로 유입되는 물의 온도를 감지하는 온도센서와, 상기 이온화장치로 인가되는 전원을 제어하는 제어부를 포함하는 은이온수 제조장치의 제어방법에 있어서,

    상기 본체로 유입되는 물의 양과 온도를 감지한 후,

    상기 본체로 유입되는 물의 양이 증가할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 상승하도록 제어하고,

    상기 본체로 유입되는 물의 온도가 상승할수록 상기 은이온화장치로 인가되는 전압이 낮아지도록 제어하는 것을 특징으로 은이온수 제조장치의 제어방법.

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