KR101018537B1 - 게르마늄 나노결정립의 제조방법 - Google Patents

게르마늄 나노결정립의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101018537B1
KR101018537B1 KR1020080074644A KR20080074644A KR101018537B1 KR 101018537 B1 KR101018537 B1 KR 101018537B1 KR 1020080074644 A KR1020080074644 A KR 1020080074644A KR 20080074644 A KR20080074644 A KR 20080074644A KR 101018537 B1 KR101018537 B1 KR 101018537B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
germanium
nanocrystals
thin film
nitrogen gas
heat treatment
Prior art date
Application number
KR1020080074644A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20100013119A (ko
Inventor
정민철
신현준
박용섭
이영미
Original Assignee
포항공과대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 포항공과대학교 산학협력단 filed Critical 포항공과대학교 산학협력단
Priority to KR1020080074644A priority Critical patent/KR101018537B1/ko
Publication of KR20100013119A publication Critical patent/KR20100013119A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101018537B1 publication Critical patent/KR101018537B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00—Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05—Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054—Nanosized particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22—CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00—Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/28—Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from gaseous metal compounds
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

게르마늄 나노결정립의 제조방법을 개시한다. 상기 제조방법은 게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계; 및 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 제조방법에 의해 상온에서 불순물 없는 고순도의 게르마늄 나노결정립을 형성할 수 있다.
게르마늄, 나노결정립, 게르마늄 질화물, 이온화, 질소가스

Description

게르마늄 나노결정립의 제조방법{Fabrication method of Nanocrystalline-germanium }
본 발명은 나노 소재에 관한 것으로, 특히 게르마늄 나노결정립 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
나노크기 또는 나노구조를 가지는 재료는 새로운 물성을 가지거나 기존 소재의 물성을 향상시키는 것으로 보고되면서 최근 연구개발의 초점이 되고 있다. 나노미터 크기에 속하는 입자나 결정립은 비정질에서부터 결정질에 걸쳐 나타나며, 보통 크기는 100nm 이하이다. 입자를 구성하는 빌딩 블럭(building block)은 수천 개 정도의 원자를 포함하는 클러스터이며, 나노결정(nanocrystalline), 나노상(nanophase), 나노스케일(nanoscale) 및 나노결정립(nanograined) 등의 용어가 구별없이 통상적으로 사용되고 있다.
게르마늄 나노결정립은 실리콘 나노결정립과 같이 4족 기반 광전자소자 및 나노전자소자 개발의 핵심 소재와 메모리 소자 응용에서의 전하 저장 물질로서 많은 관심대상이 되고 있다. 하지만, 게르마늄을 소재로 한 나노미터 크기의 구조물을 형성하는 것은 매우 어려운 공정이다. 이는 게르마늄의 녹는점이 약 950 ℃ 부 근이어서 실리콘처럼 고속에서 빠른 후열처리과정(rapid thermal annealing: RTA)으로 격자 상수 불일치(lattice mismatch)를 통한 제작이 쉽지 않기 때문이다. 이로 인하여 일반적으로 게르마늄 나노결정립을 형성하는 것은 매우 어려운 일로 인식되어 왔다.
현재까지 알려져 있는 게르마늄 나노결정립의 형성방법은 화학 기상 증착 법(chemical vapor-deposition) 또는 그의 일종인 플라즈마 화학 기상 증착법(plasma chemical vapor-deposition)이라 할 수 있다. 이러한 방법들은 자기 성장 기법(self-assemble growth method)을 기반으로 하며, 반응기의 압력, 온도, 플라즈마 조건 등의 성장조건 조절을 통해 게르마늄 나노 구조물을 형성하는 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 게르마늄 나노결정립 제조방법의 일 예를 설명하는 도면이다.
먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이 기판(10)을 준비한다. 여기서, 기판(10)은 실리콘 기판 또는 게르마늄 기판인 것이 바람직하다. 그런 다음, 도 1b에 도시된 바와 같이 기판(10)상에 화학 기상 증착법에 의해 HfO2, ZrO2 또는 CeO2 등으로 이루어지는 고유전율 절연막(20)을 에피텍셜 성장시켜 제막한다. 화학 기상 증착법은 증착될 물질의 원자를 포함하고 있는 기체상태의 화합물을 이 기체가 반응을 일으킬 수 있는 환경을 갖는 챔버로 유입하여 화학적 반응에 의해 기판 표면 상에서 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 이에 따라 결정성이 좋은 고유전율 절연막이 형 성된다. 다음으로 도 1c에 도시된 바와 같이 다시 화학 기상 증착법 또는 플라즈마 화학 기상 증착법에 의해 절연막(20)상에 게르마늄 나노결정립(30)을 형성한다.
그러나, 이러한 기술의 단점은 가스의 압력 및 플라즈마 상태, 시료의 온도, 시료에 제공되는 전압 등 실험 조건들이 다양하고 복잡하여 나노미터 크기의 게르마늄 결정립 크기를 제어하기가 힘들다는 것이다. 또한, 산소 및 탄소 등 기타 불순물이 함유될 수 있다. 뿐만 아니라 4족 기반 화합물의 증착 공정이 비교적 높은 온도인 300℃ 이상에서 이루어지는 어려움이 있다. 게르마늄의 실리콘에 비해 훨씬 낮은 녹는점은 전술한 화학 기상 증착법을 이용하여 다량의 균일하면서 불순물이 함유되지 않은 순수한 게르마늄 나노결정립 형성을 매우 어렵게 한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 균일하면서 불순물 없는 고순도의 게르마늄 나노결정립 및 그의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 일 양태에 따르면 게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계, 및 상기 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법을 제공한다. 상기 이온화된 질소가스는 핫필라멘트 방식의 직류 이온총을 이용하여 얻을 수 있다. 상기 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계는 상온에서 수행될 수 있다.
본 발명의 다른 양태에 따르면 게르마늄 기판, 상기 게르마늄 기판상에 형성된 게르마늄 질화물 박막, 상기 게르마늄 질화물 박막상에 형성된 게르마늄 나노결정립, 및 상기 게르마늄 나노결정립을 둘러싸고 형성되어 상기 게르마늄 나노결정립을 외부와 차단시키는 게르마늄 질화물 막을 포함하는 게르마늄 나노결정립을 가지는 기판을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 게르마늄 나노결정립은 게르마늄 나노결정립 주위에 나노 단위의 게르마늄 질화물 방어막이 형성됨으로써 구조적 안정성이 확보된다. 이온화된 질소가스 및 후열처리공정의 온도에 따라 나노 단위의 게르마 늄 질화물의 크기 및 밀도를 조절할 수 있다. 특히, 상온에서 불순물 없는 고순도의 게르마늄 나노결정립을 형성할 수 있다. 궁극적으로 반도체 기반 소자, 광전자 소자 및 전하 축전 분야 등에 응용할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 다음 실시예들은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이며 본 발명이 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 게르마늄 나노결정립의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이 진공챔버 내에 게르마늄 기판(100)을 준비하고, 게르마늄 기판(100)상의 존재하는 산화막(200)을 제거한다. 일반적으로 게르마늄 기판(100)은 대기상의 노출로 인하여 발생하는 자연 산화막(200)을 가지고 있다. 이러한 산화막(200)을 제거하기 위하여 초진공상의 진공챔버 내에서 이온화된 불활성기체를 이용하여 표면을 스퍼터링(sputtering)한다. 상기 불활성기체로는 네온, 아르곤 및 크세논 등을 이용할 수 있다. 예컨대, 먼저 초진공상의 진공챔버 내에서 네온가스(Ne)를 직류형 이온총(DC ion gun)을 이용하여 높은 전압, 예를 들어 3kV를 인가하여 이온화된 네온가스(Ne+)를 얻을 수 있다. 상기 이온화된 네온가스(Ne+)는 핫필라멘트 방식(hot-filament type)의 직류 이온총을 이용하여 얻을 수도 있다. 그런 다음, 이온화된 네온가스(Ne+)을 이용하여 산화막(200)을 가진 게르마늄 기판(100)을 스퍼터링한다. 이는 상온에서 수행할 수 있다. 여기서, 상온은 25℃ 내외를 의미한다. 진공챔버 내의 압력은 0.5× 10-6 내지 10 × 10-6 torr로 유지시킨다. 바람직하게는 1.0× 10-6 torr 내외로 유지시킨다. 노출시간을 1시간 내외로 하면, 게르마늄 기판(100)상의 산화막(200)이 제거된다.
다음으로, 도 2b에 도시된 바와 같이 게르마늄 기판(100)상에 나노 단위의 게르마늄 질화물(GeNx) 박막(300)을 형성시킨다. 초진공상의 진공챔버 내에서 질소가스(N2)를 주입시켜 이온화시킨 후, 이온화된 질소가스에 의해 게르마늄 기판(100)상에 나노 단위의 게르마늄 질화물(GeNx) 박막(300)을 형성시킬수 있다.
예컨대, 질소가스(N2)가 들어있는 진공챔버 내 직류형 이온총(DC ion gun)을 이용하여 높은 전압, 예를 들어 3 kV를 인가하여 질소가스(N2)를 이온화시킬 수 있다. 상기 질소가스(N2)는 핫필라멘트 방식(hot-filament type)의 직류 이온총을 이용하여 이온화시킬 수 있다. 이는 상온에서 수행할 수 있다. 진공챔버 내의 압력은 0.5× 10-6 내지 10 × 10-6 torr로 유지시킨다. 바람직하게는 1.0× 10-6 torr 내외로 유지시킨다. 상기 진공챔버의 압력이 0.5× 10-6 torr 이하인 경우, 이온화된 질소가스의 밀도가 매우 적어 게르마늄 질화물 박막(300)의 형성이 미비하거나 형성 자체가 되지 않을 수 있다. 반면, 10 × 10-6 torr 이상인 경우, 가스량이 증가하여 이온화된 질소가스에 에너지 주입을 충분히 하지 못해 게르마늄 질화물 박막(300)의 형성이 미비해져 게르마늄 나노결정립 형성을 방해할 수 있다. 이렇게 획득된 이온화된 질소가스의 종(species)은 주로 N2 +상태일 수 있다.
도 2b를 참조하면, 전술한 공정을 통해 추가적으로 질소가스(N2)가 게르마늄 기판(100)에 주입되어 게르마늄 기판(100) 표면 부근에 가스형태로 존재하게 된다. 이때 이온화된 질소가스의 이온화 에너지가 너무 작으면, 게르마늄 질화물 박막(300) 형성이 어려우며 추가적으로 질소가스의 게르마늄 기판내 주입이 불가능할 수 있다. 반대로 이온화된 질소가스의 이온화 에너지가 너무 크면, 게르마늄 질화물 박막(300)이 나노 단위를 넘어서 형성되고 화학적 조성비로 안정된 Ge3N4가 형성되어 나중에 후열처리공정시 게르마늄 나노결정립이 형성되지 않을 수 있다. 증착 시간을 1 시간 내외로 하면, 게르마늄 기판(100) 표면상에 약 30 nm 이하의 게르마늄 질화물 박막(300)이 형성되고, 게르마늄 기판(100) 표면 부근에 질소가스(400)가 주입되어 기체형태로 존재한다.
다음으로, 도 2c에 도시된 바와 같이 게르마늄 기판(100)상에 게르마늄 질화물 방어막(300a,300b)을 갖는 게르마늄 나노결정립(500)을 형성시킨다. 구체적으로는, 초진공상의 진공챔버 내에서 후열처리를 통해 게르마늄 기판(100)상에 게르마늄 질화물 방어막(300a,300b)을 갖는 게르마늄 나노결정립(500)을 형성시킨다. 여기서, '게르마늄 질화물 방어막'은 게르마늄 질화물로 이루어진 것으로 게르마늄 나노결정립(500) 주위를 모두 둘러싼 막으로서, 더욱 상세하게는 게르마늄 기 판(100)상에 형성된 게르마늄 질화물 박막(300a)과 게르마늄 질화물 박막(300a) 상에 존재하는 게르마늄 나노결정립(500) 주위를 둘러싼 게르마늄 질화물 막(300b)이 모두 연결된 막을 말한다. 진공챔버의 압력은 0.1 × 10-9 내지 5.0× 10-9 torr로 유지시킨다. 상기 진공챔버의 압력이 5.0× 10-9 torr 이상인 경우 산소 및 탄소 등의 불순물 유입으로 인하여 게르마늄 산화물 및 탄화물 등을 형성하여 순수한 게르마늄 나노결정립(500)을 얻지 못할 수 있다. 이러한 후열처리공정은 30 초 내지 1분 동안 수행할 수 있다. 상기 후열처리공정이 30초 이하로 수행되는 경우는 게르마늄 질화물 및 주입된 질소가스에 제대로 열전달이 이루어지지 않아 게르마늄 나노결정립(500)이 형성되지 않을 수 있다. 반면, 1분 이상으로 수행되는 경우는 나노구조물이 나노결정립 형성을 넘어 모두 화학적으로 안정된 Ge3N4의 상태로 되어 박막을 형성하게 된다.
상기 후열처리공정은 400 내지 500℃ 에서 수행할 수 있다. 상기 후열처리공정의 온도가 400℃ 이하인 경우는 게르마늄 원자들이 이동력이 없어 게르마늄 나노결정립(500)이 형성되지 않을 수 있다. 500℃ 이상인 경우는 게르마늄 질화물이 화학적으로 안정화된 Ge3N4 상태의 박막으로 표면에 형성되어 버릴 수 있다. 바람직하게는 진공챔버의 압력을 1.0× 10-9 torr 내외로 유지시키면서 1 분간 500℃ 부근의 온도로 후열처리를 한다.
다시 도 2b 및 도 2c를 참조하면, 초기 형성된 게르마늄 질화물 박막(300)의 두께는 이온화된 질소가스의 이온화 에너지에 의해 제어될 수 있다. 후열처리공정 후 형성되는 게르마늄 질화물 방어막(300a,300b)을 갖는 게르마늄 나노결정립(500)의 크기는 후열처리공정의 온도 및 시간에 의하여 제어될 수 있다.
도 3은 본 발명의 실시에에 따른 후열처리공정 전후의 질소의 X선 흡수 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 3을 참조하면, 후열처리공정 전의 그래프는, 구체적으로는 질소가스(N2)를 주입시켜 이온화시킨 후 후열처리공정 전의 그래프이다. 질소가스(N2)를 주입시켜 이온화시킨 후 후열처리공정 전에는 질소가스(N2)에 의해 발생하는 질소가스 떨림 모드(N2 vibration mode)가 나타나는 것을 확인할 수 있다. 이를 통하여 이온화된 질소가스에 노출 후 질소가스가 게르마늄 기판에 주입되어 고정화됨을 알 수 있다. 후열처리공정 후에는 이 질소가스 떨림 모드가 급격하게 사라짐을 확인할 수 있다. 이는 후열처리공정에서 질소가스가 분리되면서 게르마늄과 결합하여 게르마늄 질화물의 형태로 변형되어간 것을 증명한다.
도 4a 내지 도 4e은 본 발명의 실시예에 따른 각 공정에서 시행한 방사광 엑스선광전자분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy with the synchrotron radiation; XPS)결과를 나타낸 그래프이다. 이온화된 네온가스(Ne+)를 이용한 스퍼터링공정 전과 후 및 이온화된 질소가스를 주입한 후와 후열처리공정 후의 시료에 대해 방사광 엑스선광전자분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy with the synchrotron radiation; XPS)을 이용하여 양자역학적 전자의 화학적 상태 변화 모습을 측정한 결과를 나타낸다.
도 4a를 참조하면, Ge 3d의 속레벨에서 초기 게르마늄 기판상에 산화막이 존재할 때 전형적인 GeO2의 산화물이 존재함을 확인할 수 있다. 질소가스(N2)를 주입시켜 이온화시킨 후, GeNx가 형성됨을 확인할 수 있다. 후열처리공정 후에는 Ge3N4와 GeNx가 형성됨을 확인할 수 있다. 후열처리공정 후 순수한 Ge 3d 쪽의 피크폭이 증가하여 나노결정립이 형성되었음을 확인할 수 있다.
도 4c를 참조하면, O 1s의 속레벨에서 초기 게르마늄 기판상에 산화막이 존재할 때만 존재하고, 산화막(200)을 제거한 후에는 게르마늄 나노결정립을 만드는 전 공정에서 존재하지 않는 것을 확인할 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예를 통하여 오염되지 않은 순수한 게르마늄 나노결정립이 형성되었음을 확인할 수 있다.
도 4d를 참조하면, N 1s의 속레벨에서 질소가스(N2)를 주입시켜 이온화시킨 후 피크가 발생함으로 인하여 게르마늄 질화물이 형성되었음을 확인할 수 있다. 후열처리공정 후 다양한 질소의 화학적 상태를 가지게 됨을 확인할 수 있다.
도 5은 본 발명의 실시에에 따른 후열처리공정 후 고분해능 투과 전자 현미경으로 측정한 시료의 표면 상이다.
도 5을 참조하면, 게르마늄 기판상에 두께 약 15 nm, 너비 약 20 nm의 구조물들이 산재되어 있는 것을 확인할 수 있다. 이는 게르마늄 나노결정립임을 확인할 수 있다. 게르마늄 기판과 게르마늄 나노결정립의 사이에는 게르마늄 질화물이 존 재한다. 또한, 게르마늄 나노결정립 주위를 둘러싼 게르마늄 질화물 방어막이 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
이상 본 발명에 대하여 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시켜 실시할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 상술한 실시예에 한정되지 않고, 본 발명은 이하의 특허청구범위의 범위 내의 모든 실시예들을 포함한다고 할 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 종래 게르마늄 나노결정립 제조방법의 일 예를 설명하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 게르마늄 나노결정립의 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 후열처리공정 전후의 질소의 X선 흡수 스펙트럼을 나타낸 그래프이다.
도 4a 내지 도 4e은 본 발명의 실시예에 따른 각 공정에서 시행한 방사광 엑스선광전자분광법 결과를 나타낸 그래프이다.
도 5은 본 발명의 실시예에 따른 후열처리공정 후 고분해능 투과 전자 현미경으로 측정한 시료의 표면 상이다.

Claims (11)

  1. 게르마늄 기판상에 이온화된 질소가스를 이용하여 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계; 및
    상기 게르마늄 질화물 박막상에 후열처리를 통해 게르마늄 질화물 막으로 둘러싸인 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계를 포함하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온화된 질소가스는 핫필라멘트 방식의 직류 이온총을 이용하여 얻는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 이온화된 질소가스는 N2 + 상태인 기체를 포함하는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계는 상온에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 게르마늄 질화물 박막을 형성하는 단계는 0.5 × 10-6 내지 10 × 10-6 torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 게르마늄 나노결정립을 형성하는 단계는 0.1 × 10-9 내지 5.0× 10-9 torr의 압력에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 후열처리는 400℃ 내지 500℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 후열처리는 30초 내지 1분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립의 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 의해 제조된 게르마늄 나노결정립.
  10. 게르마늄 기판;
    상기 게르마늄 기판상에 형성된 게르마늄 질화물 박막;
    상기 게르마늄 질화물 박막상에 형성된 게르마늄 나노결정립; 및
    상기 게르마늄 나노결정립을 둘러싸고 형성되어 상기 게르마늄 나노결정립을 외부와 차단시키는 게르마늄 질화물 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 게르마늄 나노결정립을 가지는 기판.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 게르마늄 질화물 박막의 두께는 30 nm 이하인 것을 특징으로 하는 기판.
KR1020080074644A 2008-07-30 2008-07-30 게르마늄 나노결정립의 제조방법 KR101018537B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080074644A KR101018537B1 (ko) 2008-07-30 2008-07-30 게르마늄 나노결정립의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080074644A KR101018537B1 (ko) 2008-07-30 2008-07-30 게르마늄 나노결정립의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100013119A KR20100013119A (ko) 2010-02-09
KR101018537B1 true KR101018537B1 (ko) 2011-03-03

Family

ID=42087206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080074644A KR101018537B1 (ko) 2008-07-30 2008-07-30 게르마늄 나노결정립의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101018537B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659280B1 (ko) 2005-11-26 2006-12-19 학교법인 포항공과대학교 실리콘 기반 나노 구조물 내부에 실리콘 나노결정립 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100659280B1 (ko) 2005-11-26 2006-12-19 학교법인 포항공과대학교 실리콘 기반 나노 구조물 내부에 실리콘 나노결정립 제조방법

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Journal of Non-Crystalline Solids, 55, (1983) 325-333

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100013119A (ko) 2010-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5184357B2 (ja) バナジウム酸化物薄膜の製造方法
Xu et al. Field emission from zinc oxide nanopins
US7560394B2 (en) Nanodots formed on silicon oxide and method of manufacturing the same
JP2010037184A (ja) シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
US20030126742A1 (en) Method of fabrication of ZnO nanowires
Jain et al. Novel quantum dot gate FETs and nonvolatile memories using lattice-matched II–VI gate insulators
Taghavi et al. Synthesizing tubular and trapezoidal shaped ZnO nanowires by an aqueous solution method
KR20030031334A (ko) 금속 나노선의 제조방법
KR102405011B1 (ko) ReS2 박막 형성 방법 및 이를 이용한 광 검출기 형성 방법
KR101018537B1 (ko) 게르마늄 나노결정립의 제조방법
Takeguchi et al. Fabrication and analysis of the nanometer-sized structure of silicon by ultrahigh vacuum field emission transmission electron microscope
Samukawa et al. A new silicon quantum-well structure with controlled diameter and thickness fabricated with ferritin iron core mask and chlorine neutral beam etching
KR100659280B1 (ko) 실리콘 기반 나노 구조물 내부에 실리콘 나노결정립 제조방법
CN110697696B (zh) 一种利用金属插层大面积制备单层石墨烯的方法
Pandey et al. Growth of Very Large MoS 2 Single Crystals Using Out-Diffusion Transport and Their Use in Field Effect Transistors
KR101934162B1 (ko) 단결정 SiC 나노와이어 제조방법
JP2004087888A (ja) 半球状シリコン微結晶の形成方法
JP3994161B2 (ja) 単結晶酸化タングステンナノチューブとその製造方法
CN111593318A (zh) 金刚石纳米晶/氮掺杂碳化硅界面相的n型半导体复合薄膜及其制备方法
Wan et al. High-vacuum electron-beam co-evaporation of Si nanocrystals embedded in Al2O3 matrix
KR20090012198A (ko) 금속 나노 입자 형성 방법
Wang et al. Metal catalysis-free, direction-controlled planar growth of single-crystalline α-Si3N4 nanowires on Si (100) substrate
Chang et al. Nanogrids and beehive-like nanostructures formed by plasma etching the self-organized SiGe islands
KR100457798B1 (ko) 실리콘 나노결정립 형성방법
KR100471745B1 (ko) 양자점 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131231

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee