KR101017403B1 - 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 나노잉크의 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 유동성을 갖는 나노잉크가 패턴이 각인된 스탬프와 접촉하였을 때 패턴 형상이 만들어지고 형성된 나노잉크 패턴 내부의 용매가 스탬프에 흡수되고 패턴이 고체화되어 스탬프가 이형된 이후에도 안정한 패턴을 유지하게 하는 방법과, 공정상의 제약으로 나노잉크의 유동성이 부족하여 잔류층이 존재하는 패턴이 형성될 경우 스탬프에 나노잉크의 용매를 흡수시켜 임프린트 중에 이 용매가 분출되게 함으로써 나노잉크에 유동성을 부여하여 잔여층이 없는 패턴을 형성할 수 있게 하는 방법을 제공한다.

임프린트 리소그래피, 나노잉크, 도전성 페이스트, 금속, 나노입자

Description

나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법{Patterning method of nanoink using nano-imprint lithography}

본 발명은 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 나노임프린트 리소그래피를 통해서 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 관한 것이다.

일반적으로 임프린트 기술을 이용한 금속의 패터닝 방법은 스퍼터링이나 기상증착에 의해 생성된 박막 위에 고분자 레진을 도포하여 이 고분자를 형틀로 가압하여 패턴을 만들고 열이나 자외선을 이용하여 경화시켜 안정한 고분자 패턴을 얻은 후 이를 에칭보호막으로 이용하여 기저에 존재하는 금속박막을 식각하는 방식으로 간적접인 형태로 금속 박막을 패터닝한다.

여기서, 임프린트에 이용되는 고분자 레진은 열이나 자외선 등의 에너지원을 통해서 경화된다.

그러나, 나노잉크는 단순히 액상으로 만들기 위해 첨가된 용매를 형판인 스탬프에 흡수시킴으로써 안정화된 패턴을 얻을 수 있게 하는 것으로, 이는 상온/저 압 조건에서 가능한 방법으로 시스템구성이 용이하다.

실제 PDMS 고분자 형판에 나노잉크를 이용해 패터닝할 경우 상온에서 0.05bar의 조건으로도 패터닝이 가능하다.

그리고, 나노잉크는 벌크형태의 물질을 작은 미립자로 만들어 이를 분산제 또는 접착제 등을 혼합하여 용매에 분산시켜 만든 액상형태의 물질이다.

이는 스핀코팅이나 닥터블레이드와 같은 간단한 장치로 균일한 박막을 형성할 수 있고, 생성된 박막에 유동성이 존재하여 패턴이 각인된 스탬프와의 접촉시 모세관 현상에 의해 음각형태의 패턴부를 충진시키고, 양각형태의 스탬프가 나노잉크를 밀어내어 기판과 접촉하여 독립된 형태의 패턴을 형성할 수 있다.

상기와 같이 형성된 패턴은 용매가 스탬프에 흡수되어 고형화되어 안정한 패턴형상을 만들어낸다.

그리고, 나노크기 입자의 경우 벌크형이 가지지 못한 특성이 부가되기도 하는데, 일례로 벌크형 은(Ag, silver)의 경우는 섭씨 960도의 높은 온도에서 용융되는 반면 수십나노 이하의 나노입자의 경우 섭씨 100도 근처의 낮은 온도에서도 용융되어 입자간의 결합을 일으켜 밀도가 높은 막을 형성하여 10^-6Ω.cm 정도의 벌크형에 유사한 비저항 특성을 나타낸다.

이러한 액상의 나노잉크의 장점을 이용하기 위해 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 및 그라비아 인쇄기술등의 새로운 인쇄기술이 많이 선보이고 있다.

그러나 상기와 같은 방법은 패턴 크기면에서 나노미터 크기의 패턴 형성에는 아직 기술력이 확보되지 않아 비교적 큰 패턴에만 이용되고 있다.

이외에 나노잉크를 이용한 직접 패터닝 방법으로는 광감응성 물질을 나노잉크에 혼합하여 노광과정(UV or LASER)을 통해 직접 패터닝 하는 방법도 있으나 광감응성 물질의 혼합으로 패터닝하고자 하는 물질의 고유 특성을 저하시키는 단점이 존재하며, 차후 현상공정이 추가되어 더 많은 공정시간과 비용이 요구되는 문제점이 있었다.

그리고, 종래의 인쇄기판 형성방법은 나노잉크 액적을 노즐이나 슬릿과 같은 토출공으로부터 토출시켜 기록부에 부착시켜 패턴을 형성하였다. 그러나 이러한 방식은 토출된 액적 크기에 제한이 있고 일단 작은 액적이 토출되었다 하더라도 기록부에 부착되는 과정에서 액정의 퍼짐성 때문에 나노미터 사이즈의 미세 패터닝이 불가능하였다.

그리고 직접 패턴을 토출부가 기록하는 방식이기 때문에 대면적 패턴형성에 어려움이 있어 적용에 제약이 있었다.

이외에도 전자인쇄 기법인 그라비아 인쇄, 스크린 프린팅 기법 등은 임프린트 기법과 유사한 공정으로 대면적, 대용량의 패터닝이 행해지고 있다.

그러나 이 방법도 사이즈의 제한(마이크로미터)으로 전자소자의 소형화, 집적화 및 경량화에 제한이 있었다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 고분자 재질의 스탬프의 용매 흡수 특성을 이용하고 액상의 나노잉크를 임프린트 기술을 이용하여 직접 패터닝하는 방법으로, 간접적인 방법에 의한 패터닝 공정보다 단순한 공정으로 패턴을 형성할 수 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 제공하는 데에 있다.

상기한 바와 같은 목적을 성취하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 나노잉크의 유동성이 충분한 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법은, 기판 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크를 소정의 두께로 도포하여 박막을 형성시키는 단계; 상기 기판 상에 도포된 나노잉크 박막 위에 음각 형태의 스탬프를 접촉시켜서 소정의 시간동안 가압하여 패턴 구조를 형성하는 단계; 상기 나노잉크의 용매가 상기 스탬프에 흡수되게 하여 고형을 형성하는 단계; 상기 나노잉크의 용매의 흡수에 의해 나노입자가 고형화되는 단계; 및 상기 기판에 열을 가하여 나노입자를 고밀도 패턴으로 형성하는 단계;로 이루어진다.

본 발명의 다른 실시예에 따른 나노잉크의 유동성이 충분하지 않고 임프린트에 걸리는 시간이 길어질 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법은, 기판 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크가 임프린트 직전에 소정의 두께로 도포되어 박막을 형성하는 단계; 음각 형태의 스탬프를 나노잉크를 용해할 수 있는 용매와 접촉시켜 소정량의 용매가 상기 스탬프의 표면에 흡수되게 하는 단계; 용매가 흡수된 음각 형태의 상기 스탬프로 나노잉크가 도포된 기판을 가압하여 패턴 구조를 형성하는 임프린트 실시 중에 상기 스탬프로 흡수된 용매가 다시 나노잉크로 분출되는 단계; 상기 나노잉크의 용매가 다시 상기 스탬프에 흡수되게 하여 고형을 형성하는 단계; 상기 나노잉크의 용매의 흡수에 의해 나노입자가 고형화되는 단계; 및 상기 기판에 열을 가하여 나노입자를 고밀도 패턴으로 형성하는 단계;로 이루어진다.

상기와 같은 본 발명에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 이용하면, 인쇄형 전자부품에 형성되는 전극이나 배선 등의 패턴형성 과정에 있어 초미세(나노미터) 패턴도 저압 상온 조건하에서의 대량생산을 가능하게 하며, 나노미터 수준의 패턴형성이 가능하기 때문에 인쇄형 전자소자의 집적화를 가능하게 하는 효과를 제공한다.

이하, 본 발명에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 대한 바람직한 실시예들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 보인 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 보인 단면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성을 위한 롤 스탬프의 일례를 보인 단면도이며, 도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예들에 의해 제조된 선형 패턴에 대한 사진이다.

도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 나노잉크(2)의 유동성이 충분한 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크(2)의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 기판(1) 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크(2)를 소정의 두께로 도포하여 박막을 형성시킨다.

이때, 상기 기판(1) 상에서 고르게 분산시켜서 형성하고자 하는 나노잉크(2) 박막의 높이는 패턴 구조의 높이보다 낮게 형성해야 만이 패턴의 잔류층을 제거할 수 있게 된다.

여기서, 상기 기판(1)은 실리콘 웨이퍼 또는 금속판의 경질 기판이나 PC, PET 또는 PES의 유연 기판 중 어느 하나를 이용하는 것이 가능하다.

그리고, 상기 나노잉크(2)는 10cP의 점도로 6000rpm으로 스핀코팅한 다음 열경화 후에 35nm의 박막 두께로 이루어지는 점성을 가지는 것을 사용하면 100nm 깊이의 패턴성형이 가능하다.

또한, 상기 나노잉크(2)는 50nm 내지 500nm 두께로 코팅 가능하도록 10cP 내지 100cP정도의 점도 특성과 실리콘이 웨이퍼나 고분자 필름 등의 기판 재료에 접 착 특성을 지녀야 한다.

또한, 100nm 깊이 이상의 후박을 형성하는 것은 스핀코팅의 회전수를 조정함으로써 가능하다.

상기 나노잉크(2)가 도전성을 가지도록 하기 위해서 금속, 금속산화물 또는 전도성 고분자의 도전성 물질이 이용되지만, 필요에 따라서 절연성 물질을 포함하는 것도 가능하다.

상기 기판(1) 상에 나노잉크(2)가 도포된 후에는 나노잉크(2) 박막 위에 음각 형태의 스탬프(3)를 접촉시켜서 소정의 시간동안 가압하여 패턴 구조가 형성되게 한다.

여기서, 상기 기판(1) 상에 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트까지의 시간은 테트라데케인(tetradecane) 용매에 20중량%의 Ag가 분산된 10cP 점도의 나노잉크(2)가 6000rpm으로 도포될 때까지인 것이 바람직하다.

그리고, 본 발명에서는 용매(4)가 스탬프(3)에 흡수될 수 있도록 하기 위해서, 상기 스탬프(3)를 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloane)을 이용하였다.

상기 폴리디메틸실록산으로 이루어진 스탬프(3)로 가압할 때의 가압시간은 테트라데케인(tetradecane) 용매에 분산된 20중량% 나노잉크(2)가 3000rpm으로 도포될 경우 5초 이하로 할 때 안정된 패턴을 얻을 수 있게 된다.

상기 나노잉크(2)에 스탬프(3)를 접촉시키는 과정은 나노잉크(2)가 스탬프(3)의 음각형태의 패턴 내부를 채워 패턴 형상을 만들기 위한 것이다.

상기 스탬프(3)의 음각형태의 패턴 내부에 나노잉크(2)가 채워지면 용매(4)가 스탬프(3)로 흡수되게 하여 고형을 형성하게 된다.

상기와 같이 나노잉크(2)의 용매(4)가 스탬프(3)에 흡수되어 안정한 고형을 형성하게 되면 스탬프(3)를 제거해도 패턴형상에 손상이 가해지지 않기 때문이며, 이에 더하여 상술한 바와 같이 적당한 임프린트 가압시간을 필요로 한다.

상기 나노잉크(2)의 용매(4)가 흡수되면 기판(1) 상의 나노잉크(2)에 있는 나노입자(5)는 고형화된다.

그 후, 상기 기판(1)에 열을 가하면 고형화된 나노입자(5)가 고밀도 패턴(6)으로 형성된다.

다음, 본 발명의 다른 실시예에 따라, 상기 나노잉크(2)의 유동성이 충분하지 않고 임프린트에 걸리는 시간이 길어질 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크(2)의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 도 2를 통해서 살펴보면 다음과 같다.

상기 방법에서는 기판(1) 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크(2)의 박막이 임프린트 직전에 소정의 두께로 도포되어야 한다.

여기서, 상기 기판(1)의 종류, 나노잉크(2) 박막의 두께 및 스탬프(3)의 종류와 그의 가압시간에 대한 설명은 상술된 바와 같은 본 발명의 일 실시예와 동일하기 때문에 생략하기로 한다.

상기의 나노잉크(2)의 박막을 임프린트 직전에 도포해야 하는 이유는, 기판(1) 위에 도포된 나노잉크(2)가 대면적으로 노출된 시간이 길어져 나노잉크(2)의 용매(4)가 증발되어 임프린트에 필요한 유동성을 잃게 되기 때문이다.

따라서, 상기 기판(1) 상에 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트까지 걸리는 시간은 30초 이하인 것이 바람직하다.

상기의 기판(1) 상에 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트까지의 시간은, 테트라데케인(tetradecane) 용매에 20중량%의 Ag가 분산된 10cP 점도의 나노잉크(2)가 6000rpm으로 도포될 때를 고려한 것이다.

여기서, 상기 기판(1)에 도포되는 나노잉크(2)의 양이 많아질 경우엔 도포 후 임프린트에 걸리는 시간을 좀 더 연장할 수 있다.

이는 나노잉크(2)의 도포층 자체에 포함된 용매(4)의 양이 도포층 두께만큼 더 포함되어 있기 때문에 가능하게 된다.

그리고, 패턴 형성을 위한 시스템 구성상의 제약으로 인하여 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트에 걸리는 시간이 길어질 경우 도포된 나노잉크(2)의 유동성 부족으로 임프린트 패턴 내에 잔여층을 완전히 제거하지 못하는 경우가 발생한다.

이 경우에는, 음각 형태의 스탬프(3)를 용기(8) 내에 담겨져 있고 나노잉크(2)를 용해 · 제거할 수 있는 자일렌과 같은 용매(4)에 직접 접촉시켜 소정 량의 용매(4)가 상기 스탬프(3)로 흡수되게 한다.

그리고, 음각 형태의 상기 스탬프(3)를 가압하여 패턴 구조를 형성하는 임프린트 실시 중에 상기 스탬프(3)로 흡수된 용매(4)가 다시 나노잉크(2)로 분출되게 한다.

이렇게 하면 분출된 용매(4)가 기판(1) 상의 나노잉크(2)와 접촉하여 나노잉 크(2)를 녹여 유동성을 부여하게 된다.

상기와 같이 유동성이 부여된 나노잉크(2)가 스탬프(3)에 접촉되면 패턴 형태가 만들어지고, 상대적으로 용매(4)가 많은 나노잉크(2)에서 스탬프(3) 쪽으로 용매(4)가 이동되어 나노잉크(2)가 고체화된다.

그리고, 상기 나노잉크(2)가 도포되면 표면층에서 기화가 일어나 표면층부터 기화가 일어난다.

이때, 표면층을 녹여줄 수 있는 기체화된 용매(4)가 만나면 표면층의 얇은 고체층에 유동성이 부가되어 임프린트가 가능해 지는 것이다.

그러나, 상기 나노잉크(2)가 상온상압 조건에서 오랜시간, 바람직하게는 최소 10분 이상 방치될 경우 스탬프(3)에 아무리 많은 용매(4)가 흡수되어 있다 해도 굳어진 나노잉크(2)를 완전하게 패터닝하기란 어렵게 된다.

또한, 많은 용매(4)가 흡수된 형판에 의해 임프린트가 이루어질 경우 형판에서 용매(4)가 분출되는 압력에 의해 패턴 내부가 손상되기 쉬워진다(도 4 참조).

상기와 같이, 상기 나노잉크(2)의 용매(4)가 다시 상기 스탬프(3)에 흡수되게 하여 고형을 형성하게 하고, 상기 나노잉크(2)의 용매(4)의 흡수에 의해 기판(1) 상의 나노입자(5)가 고형화된 후에는, 상기 기판(1)에 열을 가하여 나노입자(5)를 고밀도 패턴(6)으로 형성시킨다.

상기의 본 발명의 실시예들을 통해서 도 5에 도시된 바와 같은 300 내지500nm 크기의 선형 패턴 구조가 얻어질 수 있다.

그리고, 본 발명의 나노잉크(2)의 패턴 형성방법에 있어서는, 패턴 구조가 원통형의 롤 스탬프(7)에 의한 연속공정을 통해 형성되는 것이 제안되었다.

상기의 원통형의 롤 스탬프(7)는 그의 재료 자체를 원통형으로 패터닝하여 제작하는 한가지의 방법을 사용할 수도 있지만, 다른 한 가지 방법에 있어서는 강성이 있는 재료를 원통형의 내부로 제작하고 여기에 나노잉크(2)를 흡수할 수 있는 롤 스탬프(7) 재료를 외부의 박막으로(여기서, 원통형 곡률이 작을수록 두께를 작게 해야 함) 제작하여 원통형 내부에 붙여서 사용할 수 있게 한다.

여기서, 상기 롤 스탬프(7)의 제작 시 3차원으로 패턴을 가공하는 것은 아직 비용이나 기술면에서 어려움이 있으므로 후자의 방법이 적용에 수월할 것으로 보인다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 또한 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않으며, 특허청구범위에서 청구된 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 기재된 청구범위 내에 있게 된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 보인 단면도.

도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법을 보인 단면도.

도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성을 위한 롤 스탬프의 일례를 보인 단면도.

도 4 및 도 5는 본 발명의 실시예들에 의해 제조된 선형 패턴에 대한 사진.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 간략한 설명*

1: 기판 2: 나노잉크

3: 스탬프 4:용매

5: 나노입자 6: 고밀도 패턴

7: 롤 스탬프 8: 용기

Claims (13)

1. 나노잉크의 유동성이 충분한 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 있어서,

   기판(1) 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크(2)를 소정의 두께로 도포하여 박막을 형성시키는 단계;

   상기 기판(1) 상에 도포된 나노잉크(2) 박막 위에 음각 형태의 스탬프(3)를 접촉시켜서 소정의 시간동안 가압하여 패턴 구조를 형성하는 단계;

   상기 나노잉크(2)의 용매(4)가 상기 스탬프(3)에 흡수되게 하여 고형을 형성하는 단계;

   상기 나노잉크(2)의 용매(4)의 흡수에 의해 나노입자(5)가 고형화되는 단계; 및

   상기 기판(1)에 열을 가하여 나노입자(5)를 고밀도 패턴(6)으로 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
2. 나노잉크의 유동성이 충분하지 않고 임프린트에 걸리는 시간이 길어질 경우 초미립자가 독립상태로 균일하게 분산되게 함으로써 나노잉크의 패턴을 형성하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법에 있어서,

   기판(1) 상에 초미립자 독립 분산액인 나노잉크(2)가 임프린트 직전에 소정의 두께로 도포되어 박막을 형성하는 단계;

   음각 형태의 스탬프(3)를 나노잉크를 용해·제거할 수 있는 용기(8) 내의 용매와 접촉시켜 소정 량의 용매(4)가 상기 스탬프(3)로 흡수되게 하는 단계;

   음각 형태의 상기 스탬프(3)로 가압하여 패턴 구조를 형성하는 임프린트 실시 중에 상기 스탬프(3)로 흡수된 용매(4)가 다시 나노잉크(2)로 분출되는 단계;

   상기 나노잉크(2)의 용매(4)가 다시 상기 스탬프(3)에 흡수되게 하여 고형을 형성하는 단계;

   상기 나노잉크(2)의 용매(4)의 흡수에 의해 나노입자(5)가 고형화되는 단계; 및

   상기 기판(1)에 열을 가하여 나노입자(5)를 고밀도 패턴(6)으로 형성하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
3. 제2항에 있어서, 상기 기판(1) 상에 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트까지 걸리는 시간은 7초 내지 30초인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 기판(1) 상에 나노잉크(2)의 도포 후 임프린트까지의 시간은 테트라데케인(tetradecane) 용매에 20중량%의 Ag가 분산된 10cP 점도의 나 노잉크(2)가 6000rpm으로 도포될 때인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판(1)은 실리콘 웨이퍼 또는 금속판의 경질 기판이나 PC, PET 또는 PES의 유연 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판(1)에 도포된 나노잉크(2)의 높이는 패턴 구조의 높이보다 낮게 형성시키는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노잉크(2)는 10cP의 점도로 6000rpm으로 스핀코팅한 다음 열경화 후에 35nm의 박막 두께로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노잉크(2)는 50nm 내지 500nm 두께로 코팅 가능하도록 10cP 내지 100cP정도의 점성을 가지며, 실리콘이 웨이퍼나 고분자 필름 등의 기판 재료에 접착되는 접착성을 가지는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 나노잉크(2)는 금속, 금속산화물 또는 전도성 고분자의 도전성 물질 또는 절연성 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 스탬프(3)는 폴리디메틸실록산(PDMS, polydimethylsiloane)인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 폴리디메틸실록산재의 스탬프(3)로 가압할 때의 가압시간은 테트라데케인(tetradecane) 용매에 분산된 20중량% 나노잉크(2)가 3000rpm으로 도포될 경우 5초인 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
12. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 패턴 구조는 원통형의 롤 스탬프(7)에 의한 연속공정을 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 롤 스탬프(7)의 내부는 강성 재료로 이루어지게 하고, 외부는 나노잉크(2)의 용매(4)를 흡수할 수 있는 재료로 이루어지게 하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트 리소그래피를 이용한 나노잉크의 패턴 형성방법.

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