KR101017164B1 - Image display device - Google Patents
Image display device Download PDFInfo
- Publication number
- KR101017164B1 KR101017164B1 KR1020090003429A KR20090003429A KR101017164B1 KR 101017164 B1 KR101017164 B1 KR 101017164B1 KR 1020090003429 A KR1020090003429 A KR 1020090003429A KR 20090003429 A KR20090003429 A KR 20090003429A KR 101017164 B1 KR101017164 B1 KR 101017164B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- detection
- display
- voltage
- current
- reference voltage
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C27/00—Electric analogue stores, e.g. for storing instantaneous values
- G11C27/04—Shift registers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 소부 현상을 해소하는 회로를 그 규모를 크게 하지 않고 구비한 화상 표시 장치를 제공하는 것이다. 복수의 표시 소자에 의해 구성된 표시부와, 그 표시부에 표시 신호 전압을 입력하는 신호선과, 그 표시 신호 전압을 제어하는 표시 제어부를 구비하는 화상 표시 장치로서, 검출용 전원과, 그 검출용 전원의 전류를 상기 표시 소자에 흘리는 절환 스위치와, 상기 표시 소자에 흐르는 전류를 검출하는 검출 회로와, 그 검출 회로에 의해 검출된 정보를 저장하고 그 정보에 의해 상기 표시 신호 전압을 보정하는 검출 정보 저장 회로를 구비하고, 상기 검출 회로는, 제1 기준 전압에 의해 제1 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행한 후, 검출된 전류량을 피드백함으로써, 상기 제1 기준 전압과 서로 다른 제2 기준 전압에 의해 제2 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행하도록 구성되어 있다.The present invention provides an image display device having a circuit for eliminating the baking phenomenon without increasing its scale. An image display device comprising a display portion constituted by a plurality of display elements, a signal line for inputting a display signal voltage to the display portion, and a display control portion for controlling the display signal voltage, comprising: a detection power supply and a current of the detection power supply; A switching switch flowing through the display element, a detection circuit for detecting a current flowing through the display element, and a detection information storage circuit for storing information detected by the detection circuit and correcting the display signal voltage based on the information. And detecting the current by setting the first current measurement range by the first reference voltage, and then feeding back the detected amount of current, thereby detecting the second current by a second reference voltage different from the first reference voltage. The current detection range is set by setting the current measurement range.
7 to 3 디코더, 참조 전압 제어 수단, 위 참조 전압 생성 수단, 아래 참조 전압 생성 수단, 검출 타이밍 제어 수단 7 to 3 decoder, reference voltage control means, upper reference voltage generating means, lower reference voltage generating means, detection timing control means
Description
본 발명은 화상 표시 장치에 관한 것으로, 예를 들면 EL(Electro Luminescence) 소자 혹은 유기 EL 소자 그 밖의 자발광 타입의 표시 소자(화소)에 의해 표시 영역을 구성하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
이 종류의 화상 표시 장치는, 그 표시 소자(자발광 소자)의 발광 휘도가 그 소자를 흐르는 전류량에 비례한다고 하는 성질이 있고, 그 소자를 흐르는 전류량을 제어함으로써 계조 표시를 가능하게 하고 있다.This type of image display apparatus has a property that the light emission luminance of the display element (self-emitting element) is proportional to the amount of current flowing through the element, and gray scale display is made possible by controlling the amount of current flowing through the element.
그러나, 예를 들면 유기 EL 소자는, 그 소자 특성의 열화에 의해, 계속해서 표시하고 있는 화소와 표시하고 있지 않은 화소에 휘도차가 생기게 되는 성질을 갖는다.However, for example, an organic EL element has the property that a luminance difference arises in the pixel which is displayed continuously and the pixel which is not displayed by the deterioration of the element characteristic.
그리고, 이들 표시 소자의 휘도차가 「소부 현상」으로서 인간의 눈에 인식되게 되어, 화상 표시 장치로서의 수명을 저하시키는 요인으로 되고 있다.Then, the luminance difference between these display elements is recognized by the human eye as a "swept phenomenon", which is a factor of reducing the lifespan as an image display device.
그 때문에, 예를 들면 하기 특허 문헌 1(특허 공개 제2004-38209호 공보)에 기재한 바와 같이, 각 표시 소자를 흐르는 전류량을 측정하고, 그 측정한 전류량에 따라서 열화분을 보정하는 수단을 설치하고, 이에 의해 전술한 「소부 현상」을 해 소하는 기술이 개시되어 있다.Therefore, for example, as described in Patent Document 1 (Patent Publication No. 2004-38209) below, a means for measuring the amount of current flowing through each display element and correcting the thermal content in accordance with the measured amount of current is provided. In this way, a technique for solving the above-described "baking phenomenon" is disclosed.
여기서, 상기 특허 문헌 1에 개시된 화상 표시 장치는, 각 표시 소자를 흐르는 전류량을 측정하기 위해, 예를 들면 A/D 변환기로 이루어지는 전류 측정기를 구비한다.Here, the image display device disclosed in
그러나, 상기 전류 측정기에서, 그 측정 범위는 상당히 넓은 범위인 것이 요구된다. 각 표시 소자의 열화에 의한 전류 변동이 크고, 또한 온도 혹은 제조 변동에 의한 전류 변동에도 충분히 대처할 수 있게 하기 위해서이다.However, in the current meter, the measuring range is required to be quite wide. The reason is that the current fluctuation due to deterioration of each display element is large, and the current fluctuation due to temperature or manufacturing fluctuation can be sufficiently coped with.
이 경우, 상기 전류 측정기의 회로 규모가 증대되는 것이 염려된다. 따라서, 상기 전류 측정기의 회로 규모의 증대를 회피하는 것이 요구되지만, 상기 특허 문헌 1에는 이 점을 고려한 기재는 없다.In this case, it is concerned that the circuit scale of the current meter is increased. Therefore, while it is required to avoid an increase in the circuit scale of the current measuring device,
본 발명의 목적은, 소부 현상을 해소하는 회로를 그 규모를 크게 하지 않고 구비한 화상 표시 장치를 제공하는 데에 있다.An object of the present invention is to provide an image display device having a circuit for eliminating the baking phenomenon without increasing its scale.
본 발명의 화상 표시 장치는, 온도에 의한 비교적 큰 전류 변동을 검출하기 위해 표시 소자에 흐르는 전류량을 측정하는 검출 수단(전류 측정기)의 기준 전압을, 상기 전류량을 피드백시킴으로써 상기 표시 소자의 열화에 의한 미소한 전류 변화를 검출할 수 있는 기준 전압으로 절환하고, 그 검출 수단의 전류 측정 범위를 온도 변동에 추종시키도록 하였다. 이에 의해, 동일한 검출 수단에 의해, 변동이 큰 온도 상황에 의한 전류량의 변동과 변동이 미소한 소자 열화에 의한 전류량의 변동을 모두 검출할 수 있게 하였다.The image display device of the present invention is caused by deterioration of the display element by feeding back the current amount of the reference voltage of the detection means (current meter) for measuring the amount of current flowing through the display element in order to detect a relatively large current variation due to temperature. A small current change was switched to a reference voltage capable of detecting the current, and the current measurement range of the detection means was made to follow the temperature variation. Thereby, the same detection means made it possible to detect both the fluctuation of the amount of current due to the large temperature fluctuation and the fluctuation of the amount of current due to the element deterioration with a small fluctuation.
본 발명의 구성은, 예를 들면, 이하와 같은 것으로 할 수 있다.The structure of this invention can be made as follows, for example.
(1) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, 복수의 표시 소자에 의해 구성된 표시부와, 그 표시부에 표시 신호 전압을 입력하는 신호선과, 그 표시 신호 전압을 제어하는 표시 제어부를 구비하는 화상 표시 장치로서,(1) An image display device according to the present invention includes, for example, a display portion constituted by a plurality of display elements, a signal line for inputting a display signal voltage to the display portion, and a display control portion for controlling the display signal voltage. As an image display device,
검출용 전원과, 그 검출용 전원의 전류를 상기 표시 소자에 흘리는 절환 스위치와, 상기 표시 소자에 흐르는 전류를 검출하는 검출 회로와, 그 검출 회로에 의해 검출된 정보를 저장하고 그 정보에 의해 상기 표시 신호 전압을 보정하는 검출 정보 저장 회로를 구비하고,A detection power supply, a switching switch for flowing a current of the detection power supply to the display element, a detection circuit for detecting a current flowing through the display element, and information detected by the detection circuit, and storing A detection information storage circuit for correcting the display signal voltage,
상기 검출 회로는, 제1 기준 전압에 의해 제1 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행한 후, 검출된 전류량을 피드백함으로써, 상기 제1 기준 전압과 서로 다른 제2 기준 전압에 의해 제2 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The detection circuit measures a second current by a second reference voltage different from the first reference voltage by setting a first current measurement range based on a first reference voltage to perform current detection, and then feeding back the detected current amount. It is characterized by setting a range and performing a current detection.
(2) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 절환 스위치는, 1 표시 기간 중의 상기 표시 신호 전압을 출력하는 기간과는 별도의 기간에, 상기 검출용 전원과 상기 표시 소자를 접속하는 것을 특징으로 한다.(2) The image display device according to the present invention assumes, for example, the configuration of (1), and the switching switch is in a period other than a period in which the display signal voltage is output in one display period. The detection power supply and the display element are connected.
(3) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 검출용 전원은 정전류원인 것을 특징으로 한다.(3) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (1) that the power source for detection is a constant current source.
(4) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 검출 회로는 열화 소자의 레벨을 판별하고, 상기 검출 정보 저장 회로는 1 화면분의 열화 소자의 상태를 저장하는 것을 특징으로 한다.(4) The image display device according to the present invention assumes, for example, the configuration of (1), that the detection circuit determines the level of the degradation element, and the detection information storage circuit is one screen degradation element. It is characterized by storing the state of.
(5) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 표시 제어 회로는 상기 열화 소자에 입력하는 표시 데이터를 보정하는 것을 특징으로 한다.(5) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (1) that the display control circuit corrects display data input to the deterioration element.
(6) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 표시 신호 전압의 공급에서, 상기 표시부 내에, 적, 녹, 청을 담당하는 각 신호를 시분할하여 공급하는 절환 스위치를 설치하는 것을 특징으로 한다.(6) The image display device according to the present invention time-divisions each signal that is responsible for red, green, and blue in the display unit in the supply of the display signal voltage, assuming, for example, the configuration of (1). It is characterized by installing a switching switch for supplying.
(7) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 제1 전류 측정 범위의 폭과 제2 전류 측정 범위의 폭은 동일한 것을 특징으로 한다.(7) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (1) that the width of the first current measurement range and the width of the second current measurement range are the same.
(8) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (1)의 구성을 전제로 하고, 상기 제1 전류 측정 범위의 폭과 제2 전류 측정 범위의 폭은 서로 다른 것을 특징으로 한다.(8) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (1) that the width of the first current measurement range and the width of the second current measurement range are different from each other.
(9) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, 복수의 표시 소자에 의해 구성된 표시부와, 그 표시부에 표시 신호 전압을 입력하는 데이터 신호선과, 그 표시 신호 전압을 제어하는 표시 제어부를 구비하는 화상 표시 장치로서,(9) An image display device according to the present invention includes, for example, a display portion constituted by a plurality of display elements, a data signal line for inputting a display signal voltage to the display portion, and a display control portion for controlling the display signal voltage. As an image display device to
검출용 전원과, 그 검출용 전원의 전류를 검출 신호선을 통하여 상기 표시 소자에 흘리는 절환 스위치와, 상기 표시 소자에 흐르는 전류를 검출하는 검출 회 로와, 그 검출 회로에 의해 검출된 정보를 저장하고 그 정보에 의해 상기 표시 신호 전압을 보정하는 검출 정보 저장 회로를 구비하고, 상기 데이터 신호선과 상기 검출 신호선은, 절환 회로에 의해 절환되는 공통의 신호선으로 구성되고,A detection power supply, a switching switch for passing the current of the detection power supply through the detection signal line to the display element, a detection circuit for detecting the current flowing through the display element, and information detected by the detection circuit; A detection information storage circuit for correcting the display signal voltage based on the information, wherein the data signal line and the detection signal line are composed of a common signal line switched by a switching circuit,
상기 검출 회로는, 제1 기준 전압에 의해 제1 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행한 후, 검출된 전류량을 피드백함으로써, 상기 제1 기준 전압과 서로 다른 제2 기준 전압에 의해 제2 전류 측정 범위를 설정하여 전류 검출을 행하도록 구성되어 있는 것을 특징으로 한다.The detection circuit measures a second current by a second reference voltage different from the first reference voltage by setting a first current measurement range based on a first reference voltage to perform current detection, and then feeding back the detected current amount. It is characterized by setting a range and performing a current detection.
(10) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 절환 스위치는, 1 표시 기간 중의 그 표시 신호 전압을 출력하는 기간과는 별도의 기간에, 상기 검출용 전원과 상기 표시 소자를 접속하는 것을 특징으로 한다.(10) The image display device according to the present invention assumes, for example, the configuration of (9), and the changeover switch is in a period separate from the period in which the display signal voltage is output in one display period. The detection power supply and the display element are connected.
(11) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 검출용 전원은 정전류원인 것을 특징으로 한다.(11) The image display device according to the present invention is based on the configuration of (9), for example, and the detection power source is a constant current source.
(12) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 검출 회로는 열화 소자의 레벨을 판별하고, 상기 검출 정보 저장 회로는 1 화면분의 열화 소자의 상태를 저장하는 것을 특징으로 한다.(12) The image display device according to the present invention assumes, for example, the configuration of (9), that the detection circuit determines the level of the deterioration element, and the detection information storage circuit is one screen deterioration element. It is characterized by storing the state of.
(13) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 표시 제어 회로는 상기 열화 소자에 입력하는 표시 데이터를 보정하는 것을 특징으로 한다.(13) The image display device according to the present invention is based on, for example, the configuration of (9), and the display control circuit is characterized in that it corrects display data input to the deterioration element.
(14) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하 고, 상기 표시 신호 전압의 공급에서, 상기 표시부 내에, 적, 녹, 청을 담당하는 각 신호를 시분할하여 공급하는 절환 스위치를 설치하는 것을 특징으로 한다.(14) The image display device according to the present invention assumes each signal in charge of red, green, and blue in the display unit in the supply of the display signal voltage, assuming, for example, the configuration of (9). It is characterized by installing a switching switch for time-division supply.
(15) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 제1 전류 측정 범위의 폭과 제2 전류 측정 범위의 폭은 동일한 것을 특징으로 한다.(15) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (9) that the width of the first current measurement range and the width of the second current measurement range are the same.
(16) 본 발명에 따른 화상 표시 장치는, 예를 들면, (9)의 구성을 전제로 하고, 상기 제1 전류 측정 범위의 폭과 제2 전류 측정 범위의 폭은 서로 다른 것을 특징으로 한다.(16) The image display device according to the present invention is assuming, for example, the configuration of (9) that the width of the first current measurement range and the width of the second current measurement range are different from each other.
또한, 본 발명은 이상의 구성에 한정되지 않고, 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 않는 범위에서 다양한 변경이 가능하다. 또한, 상기한 구성 이외의 본 발명의 구성의 예는, 본원 명세서 전체의 기재 또는 도면으로부터 명백하게 된다.In addition, this invention is not limited to the above structure, A various change is possible in the range which does not deviate from the technical idea of this invention. In addition, the example of the structure of this invention other than the above-mentioned structure becomes clear from description or drawing of the whole this specification.
본 발명에 따른 화상 표시 장치에 따르면, 소부 현상을 해소하는 회로를 그 규모를 크게 하지 않고 구비할 수 있다.According to the image display device according to the present invention, a circuit for eliminating the baking phenomenon can be provided without increasing the scale.
본 발명의 그 밖의 효과에 대해서는, 명세서 전체의 기재로부터 명백하게 된다.Other effects of the present invention will become apparent from the description of the entire specification.
본원 발명의 상기 목적 및 그 외의 목적, 특징 및 장점은 첨부 도면을 참조하여 후술하는 바람직한 실시예의 상세한 설명으로부터 더욱 명확해질 것이다.The above and other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of preferred embodiments with reference to the accompanying drawings.
본 발명의 실시예를, 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 각 도면 및 각 실 시예에서, 동일 또는 유사한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, in each figure and each Example, the same code | symbol is attached | subjected to the same or similar component, and description is abbreviate | omitted.
여기서, 참조 부호는 6 : 표시 및 검출 제어부, 11 : 데이터선 구동 수단, 13 : 발광용 전압 생성 수단, 15 : 주사선 구동 수단, 17 : 자발광 소자 디스플레이, 18 : 소자 특성 검출 주사 수단, 21 : 소부 검출 및 위치 판별 수단, 24 : 소부 정보 저장 수단, 26 : 소부 화소 데이터 보정 수단, 28 : 구동 타이밍 생성 수단, 37 : 소부 보정량 산출 수단, 44 : 제1 R 선택 스위치, 45 : 제1 G 선택 스위치, 46 : 제1 B 선택 스위치, 47 : 제2 R 선택 스위치, 62 : 데이터 기입 스위치, 63 : 기입 용량, 64 : 구동 트랜지스터, 65 : 유기 EL, 73 : 검출용 전원, 74 : 제1 검출선 스위치, 75 : 제2 검출선 스위치, 76 : 제3 검출선 스위치, 77 : 제4 검출선 스위치, 79 : 시프트 레지스터, 84 : A/D 변환 수단, 85 : 소부 화소 위치 정보 생성 수단, 94 : 유기 EL 전류 대 전압 특성, 97 : 열화 소자 유기 EL 전류 대 전압 특성, 101 : 고온 유기 EL 전류 대 전압 특성, 103 : 고온 열화 소자 유기 EL 전류 대 전압 특성, 108 : 제1 비교기, 109 : 제2 비교기, 110 : 제3 비교기, 111 : 제4 비교기, 112 : 제5 비교기, 113 : 제6 비교기, 114 : 제7 비교기, 137 : 7 to 3 디코더, 141 : 참조 전압 제어 수단, 143 : 위 참조 전압 생성 수단, 145 : 아래 참조 전압 생성 수단, 147 : 검출 타이밍 제어 수단, 151 : 위 참조 전압 절환 수단, 152 : 아래 참조 전압 절환 수단, 156 : 표시/검출 절환 제어부, 158 : 데이터선 구동 및 소부 위치 판별 수단, 160 : 데이터선 및 검출선 공통 자발광 소자 디스플레이, 161 : 1 수평 래치 및 아날로그 변환 수단, 167 : 제1 데이터선 검 출 절환 스위치, 168 : 제2 데이터선 검출 절환 스위치, 169 : 제3 데이터선 검출 절환 스위치, 170 : 제4 데이터선 검출 절환 스위치, 175 : RGB 절환 제어 수단이다.Herein,
<제1 실시 형태><1st embodiment>
이하, 본 발명의 제1 실시 형태를 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 1st Embodiment of this invention is described in detail using drawing.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태인 화상 표시 장치를 나타내고, 자발광 소자 표시 장치의 예를 나타내고 있다.1 shows an image display device according to an embodiment of the present invention, and shows an example of a self-luminous element display device.
도 1에서, 참조 부호 1은 수평 동기 신호, 2는 수직 동기 신호, 3은 데이터 인에이블, 4는 표시 데이터, 5는 동기 클럭을 나타내고 있다. 수직 동기 신호(1)는 표시 1 화면 주기(1 프레임 주기)의 신호, 수평 동기 신호(2)는 1 수평 주기의 신호, 데이터 인에이블 신호(3)는 표시 데이터(4)가 유효한 기간(표시 유효 기간)을 나타내는 신호이다. 이들 모든 신호는 동기 클럭(5)에 동기하여 입력된다. 본 실시 형태에서는, 이들 표시 데이터는, 그 1 화면분이 좌상단의 화소로부터 순차적으로 래스터 스캔 형식으로 전송되고, 예를 들면 1 화소분의 정보는 6 비트의 디지털 데이터로 이루어진다. 참조 부호 6은 표시 및 검출 제어부, 7은 데이터선 제어 신호, 8은 주사선 제어 신호, 9는 검출 주사선 제어 신호, 10은 검출선 제어 신호이다. 표시 및 검출 제어부(6)는 수직 동기 신호(1), 수평 동기 신호(2), 데이터 인에이블 신호(3), 표시 데이터(4), 동기 클럭(5)에 의해, 표시 제어를 위한 데이터선 제어 신호(7)와 주사선 제어 신호(8) 및 후술하는 표시 소자의 특성 검출을 위한 검출 주사선 제어 신호(9)와 검출선 제어 신호(10)를 생성한다. 참조 부호 11은 데이터선 구동 수단, 12는 데이터선 구동 신호이다. 데이터선 구동 수단(11)은 데이터선 제어 신호(7)에 따라서 자발광 소자에 의해 구성되는 화소(후술)에 기입하는 신호 전압 및 삼각파 신호(후술)를 생성하여 데이터선 구동 신호(12)로서 출력한다. 참조 부호 13은 발광용 전압 생성 수단, 14는 발광용 전압이다. 발광용 전압 생성 수단(13)은 자발광 소자(후술)를 발광시키기 위한 전류를 공급하는 전원 전압을 생성하고, 발광용 전압(14)으로서 출력한다. 참조 부호 15는 주사선 구동 수단, 16은 주사선 선택 신호이다. 참조 부호 17은 자발광 소자 디스플레이다. 자발광 소자 디스플레이(17)는 표시 소자로서 발광 다이오드나 유기 EL 등을 이용한 디스플레이를 말한다. 자발광 소자 디스플레이(17)는 매트릭스 형상으로 배치된 복수의 자발광 소자(화소부)를 갖는다. 자발광 소자 디스플레이(17)에의 표시 동작은, 주사선 구동 수단(15)으로부터 출력되는 주사선 구동 신호(16)에 의해 선택, 기입 제어된 화소에, 데이터선 구동 수단(11)으로부터 출력되는 데이터선 구동 신호(12)의 신호 전압에 따른 화소에의 데이터 기입 및 삼각파 신호에 의해 동작한다. 자발광 소자를 구동하는 전압은 발광용 전압(14)으로서 공급한다. 또한, 데이터선 구동 수단(11), 주사선 구동 수단(15)은, 각각 LSI로 실현하여도 되고, 하나의 LSI로 실현하여도 되고, 또는 화소부와 동일한 글래스 기판 상에 형성하여도 된다. 자발광 소자 디스플레이(17)는, 예를 들면 240×320 도트의 해상도를 갖고, 1 도트가 좌측으로부터 R(적), G(녹), B(청)의 3 화소로 구성된다. 즉 디스플레이(17)의 수평 방향은 720개의 화소로 구성된다. 자발광 소자 디스플레이(17)는 자발광 소자에 흐르는 전류량과, 자발광 소자의 점등 시간에 의해, 자발 광 소자가 발광하는 휘도를 조정하는 것이 가능하다. 자발광 소자에 흐르는 전류량이 클수록 자발광 소자의 휘도가 높아진다. 자발광 소자의 점등 시간이 길어질수록 자발광 소자의 휘도가 높아진다. 참조 부호 18은 소자 특성 검출 주사 수단, 19는 검출 주사선 선택 신호이다. 소자 특성 검출 조작 수단(18)은, 자발광 소자 디스플레이(17)의 자발광 소자의 열화 상태를 검출하는 주사선을 선택하기 위한 검출 주사선 선택 신호(19)를 생성한다. 참조 부호 20은 검출선 출력 신호, 21은 소부 검출 및 위치 판별 수단, 22는 소부 검출 결과, 23은 위치 정보이다. 검출선 출력 신호(20)는 자발광 소자 디스플레이(17)의 검출 주사선 선택 신호(19)에 의해 선택된 1 수평 라인 상의 자발광 소자의 열화의 상태를 검출한 결과이고, 소부 검출 및 위치 판별 수단(21)에 의해, 소부 검출 결과(22)와, 그 결과에 대응하는 자발광 디스플레이(17) 상의 위치 정보(23)를 출력한다. 참조 부호 24는 소부 정보 저장 수단, 25는 소부 보정 화소 정보이다. 소부 정보 저장 수단(24)은 소부 검출 결과(22)를 위치 정보(23)에 따라서 일단 저장하고, 소부 보정 화소 정보(25)로서 출력한다. 소부 검출 결과(22)는 열화의 레벨을 나타내고, 위치 정보(23)는 화면 상의 위치를 나타내는 어드레스 정보로서 출력한다. 소부 정보 저장 수단(24)은 위치 정보(23)에 따른 어드레스에, 열화의 레벨을 저장함으로써, 소부 보정 화소 정보(25)는 표시 타이밍에 맞추어 열화의 레벨이 출력된다.In Fig. 1,
도 2는 상기 표시 및 검출 제어부(6)의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 도 2에서, 참조 부호 26은 소부 화소 데이터 보정 수단, 27은 표시 보정 데이터이다. 소부 화소 데이터 보정 수단(26)은, 후술하는 소부 보정량에 따라서, 표시 데이터(4)를 보정하고, 표시 보정 데이터(27)로서 출력한다. 참조 부호 28은 구동 타이밍 생성 수단, 29는 수평 개시 신호, 30은 수평 시프트 클럭, 31은 수직 개시 신호, 32는 수직 시프트 클럭이다. 구동 타이밍 생성 수단(28)은, 표시 수평 위치의 선두를 나타내는 수평 개시 신호(29), 표시 데이터(4)를 1 화소씩 래치하는 타이밍으로 되는 수평 시프트 클럭(30), 표시 수직 위치의 선두를 나타내는 수직 개시 신호(31), 주사선 선택을 순차적으로 시프트시키는 수직 시프트 클럭(32)을 생성한다. 참조 부호 33은 수직 검출 개시 신호, 34는 수직 검출 시프트 클럭, 35는 수평 검출 개시 신호, 36은 수평 검출 시프트 클럭이다. 구동 타이밍 생성 수단(28)이, 검출 동작의 수직 방향의 선두를 나타내는 수직 검출 개시 신호(33), 검출 주사선을 순차적으로 시프트시키는 수직 검출 시프트 클럭(34), 검출의 수평 위치의 선두를 나타내는 수평 검출 개시 신호(35), 검출의 수평 위치를 순차적으로 시프트시키는 수평 검출 시프트 클럭(36)을 생성한다. 참조 부호 37은 소부 보정량 산출 수단, 38은 소부 보정량이다. 소부 보정량 산출 수단(37)은, 소부 보정 화소 정보(25)로부터 소부 레벨을 판단하여 보정량을 산출하고, 소부 보정량(38)으로서 출력한다.FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of a configuration inside the display and
도 3은 상기 자발광 소자 디스플레이(17)의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 자발광 소자로서 예를 들면 유기 EL 소자를 이용한 경우의 예를 나타낸다. 도 3에서, 참조 부호 39는 제1 데이터선 출력, 40은 제2 데이터선 출력, 41은 R 선택 신호, 42는 G 선택 신호, 43은 B 선택 신호, 44는 제1 R 선택 스위치, 45는 제1 G 선택 스위치, 46은 제1 B 선택 스위치, 47은 제2 R 선택 스위 치이다. 제1 데이터선 출력(39)은, R 선택 신호(41)에 의해 절환되는 제1 R 선택 스위치(44), G 선택 신호(42)에 의해 절환되는 제1 G 선택 스위치(45), B 선택 신호(43)에 의해 절환되는 제1 B 선택 스위치(46)에 접속되고, 이후 제2, 제3, …, 제240까지, 데이터선 출력은 모두 RGB의 선택 스위치에 접속된다. R 선택 신호(41), G 선택 신호(42), B 선택 신호(43)는, 1 수평 기간을 3 분할하여 "ON" 상태로 되는 신호이며, 1개의 데이터선 출력에 의해 R, G, B의 3개의 데이터선에 신호 전압을 출력한다. 참조 부호 48은 제1 R 데이터선, 49는 제1 G 데이터선, 50은 제1 B 데이터선, 51은 제2 R 데이터선, 52는 제1 주사선, 53은 제2 주사선, 54는 제1행 제1열 R 화소, 55는 제1행 제1열 G 화소, 56은 제1행 제1열 B 화소, 57은 제1행 제2열 R 화소, 58은 제2행 제1열 R 화소, 59는 제2행 제2열 G 화소, 60은 제2행 제1열 B 화소, 61은 제2행 제2열 R 화소이다. 제1 R 데이터선(48), 제1 G 데이터선(49), 제1 B 데이터선(50), 제2 R 데이터선(51)은, 각각의 신호 전압을 화소에 입력하기 위한 데이터선이다. 제1 주사선(52), 제2 주사선(53)은, 각각 제1 주사선 선택 신호, 제2 주사선 선택 신호(후술)를 화소에 입력하기 위한 신호선이다. 각각의 주사선 선택 신호에 의해 선택되는 주사선 상의 화소에, 각각의 데이터선을 통하여 신호 전압을 기입하고, 신호 전압에 따라서 화소의 휘도를 제어한다. 이 때의 발광용의 전원이 발광용 전압(14)으로 된다. 여기서는, 화소의 내부의 구성을 제1행 제1열 R 화소(54)에만 나타내고 있지만, 제1행 제1열 G 화소(55), 제1행 제1열 B 화소(56), 제1행 제2열 R 화소(57), 제2행 제1열 R 화소(58), 제2행 제1열 G 화소(59), 제2행 제1열 B 화소(60), 제2행 제2열 R 화소(61)에 대해서도 마찬가 지의 구성이다. 참조 부호 62는 데이터 기입 스위치, 63은 기입 용량, 64는 구동 트랜지스터, 65는 유기 EL 소자이다. 데이터 기입 스위치(62)는, 제1 주사선(52)에 의해 온 상태로 되고, 제1 R 데이터선(48)으로부터의 신호 전압을, 기입 용량(63)에 축적한다. 구동 트랜지스터(64)는 기입 용량(63)에 축적된 신호 전압에 따른 구동 전류를, 유기 EL 소자(65)에 공급한다. 따라서, 유기 EL 소자(65)의 발광 휘도는, 기입 용량(63)에 기입하는 신호 전압 및 발광용 전압(14)에 의해 결정되는 것을 나타내고 있다. 또한, 앞서 설명한 바와 같이, 자발광 소자 디스플레이(17)의 화소수는, 해상도가 240×320으로 되어 있고, 주사선은 수평 방향의 선이, 수직 방향으로 제1 라인부터 제320 라인까지 320개 나열되고, 데이터선은 R, G, B, 각각 수직 방향의 선이, 수평 방향으로 제1 도트부터 제240 도트까지 240개, 합계 720개 나열되어 있는 것으로 한다. 참조 부호 66은 검출 스위치, 67은 제1 검출 주사선, 68은 제2 검출 주사선, 69는 제1 검출선, 70은 제2 검출선, 71은 제3 검출선, 72는 제4 검출선이다. 검출 스위치(66)는, 제1 검출 주사선(67)에 의해 선택되었을 때 유기 EL 소자(65)의 특성을 제1 검출선(69)에 출력하는 스위치이다. 제2 검출 주사선(68), 제2 검출선(70), 제3 검출선(71), 제4 검출선(72)도 마찬가지로, 각각의 화소의 검출 스위치를 통하여 유기 EL 소자에 접속된다. 여기서도, 검출선은 예를 들면 720개 나열되어 있다.3 is a diagram showing an embodiment of the configuration of the interior of the self-
도 4는 상기 소부 검출 및 위치 판별 수단(21)의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 도 4에서, 참조 부호 73은 검출용 전원, 74는 제1 검출선 스위치, 75는 제2 검출선 스위치, 76은 제3 검출선 스위치, 77은 제4 검출선 스 위치, 78은 검출 출력선이다. 제1 검출선 스위치(74), 제2 검출선 스위치(75), 제3 검출선 스위치(76), 제4 검출선 스위치(77)는, 후술하는 시프트 레지스터에 의해 수평 방향으로 순차적으로 시프트하여 선택하고, 정전류원인 검출용 전원(73)을 제1 검출선(69), 제2 검출선(70), 제3 검출선(71), 제4 검출선(72), …, 제720 검출선에 순차적으로 접속하였을 때의 유기 EL 소자의 특성을 검출 출력선(78)에 출력한다. 참조 부호 79는 시프트 레지스터, 80은 제1 검출선 선택 신호, 81은 제2 검출선 선택 신호, 82는 제3 검출선 선택 신호, 83은 제4 검출선 선택 신호이다. 수평 검출 개시 신호(35), 수평 검출 시프트 클럭(36)에 따라서, 앞서 설명한 검출선 스위치를 순차적으로 절환하기 위한 제1 검출선 선택 신호(80), 제2 검출선 선택 신호(81), 제3 검출선 선택 신호(82), 제4 검출선 선택 신호(83)를 출력한다. 참조 부호 84는 A/D 변환 수단이다. 아날로그값인 검출 출력선(78)으로부터 출력되는 유기 EL 소자의 특성을 디지털 변환하여, 소부 검출 결과(22)로서 출력한다. 참조 부호 85는 소부 화소 위치 정보 생성 수단이며, 수평 검출 개시 신호(35), 수평 검출 시프트 클럭(36)으로부터 화소의 위치를 판단하여, 위치 정보(23)로서 출력한다.4 is a diagram showing an embodiment of the configuration of the inside of the burnt detection and
도 5는 상기 자발광 디스플레이(17)에서 소부가 생긴 경우의 표시예를 나타내는 도면이다. 도 5의 (a)는 표시 영역의 대부분을 흑 표시하고 있는 경우를 나타낸다. 참조 부호 86이 표시 외부 틀, 87이 흑 표시, 88이 고정 표시 패턴이다. 표시 외부 틀(86) 내의 유효 표시 영역의 배경을 흑 표시(87)로 하고, 그 안에 고정 표시 패턴(88)을 동일한 위치에 장시간 표시하고 있는 상태를 나타내고 있다. 도 5의 (b)는 표시 영역의 전체를 백 표시한 경우를 나타낸다. 참조 부호 89는 백 표시, 90은 소부 패턴, 91은 동일 수평 라인이다. 상기 고정 패턴(88)을 장시간 표시한 경우, 주변의 흑 표시(87)에 비해 열화가 진행되게 된다. 이 때문에, 백 표시(89)로 하였을 때에 열화가 진행된 고정 패턴(88)을 표시하고 있었던 화소에는 소부 패턴(90)이 보이게 된다. 따라서, 표시 영역의 동일 수평 라인(91) 상에는, 소부가 없는 화소와 소부가 있는 화소가 나열되게 된다.5 is a diagram illustrating a display example in the case where baking occurs in the self-
도 6은 상기 유기 EL 소자(65)의 검출 특성을 도시하는 도면이다. 도 6에서, 참조 부호 92는 전류축, 93은 전압축, 94는 유기 EL 소자의 전류 대 전압 특성, 95는 정전류 조건, 96은 정전류 인가시 전압이다. 전류 대 전압 특성(94)이 유기 EL 소자(65)에 인가하는 전압과 전류의 관계를 나타내는 곡선이다. 여기서, 특성 검출 시에는 정전류원인 검출용 전원(73)을 접속하므로, 전류 대 전압 특성(94)의 곡선 상의, 정전류 조건(95)을 인가한 경우의 전압의 값으로 되는 정전류 인가시 전압(96)이 검출될 특성 전압으로 된다. 참조 부호 97은 유기 EL 소자가 열화되었을 때의 전류 대 전압 특성, 98은 유기 EL 소자가 열화되었을 때의 전류 인가시 전압이다. 상기 전류 대 전압 특성(97)은, 열화 시에, 전류 대 전압 특성(94)보다도 기울기가 작아지고, 이 때 정전류 조건(95)을 인가하면 정전류 인가시 전압(98)으로 되고, 열화 시에는 검출 전압이 증대하는 것을 나타내고 있다.6 is a diagram illustrating detection characteristics of the
도 7은 도 5에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 화소의 정전류 인가시 전압을 도시하는 도면이다. 도 7에서, 참조 부호 99는 수평 표시 위치, 100은 검출 전압이다. 종축을 전압축(93)으로 하고 있기 때문에, 동일 수평 라인(91) 상의 화소 의 검출 전압(100)은, 소부가 없는 화소에서 정전류 인가시 전압(96), 소부가 생긴 화소에서 정전류 인가시 전압(98)으로 되는 것을 나타내고 있다.FIG. 7 is a diagram showing the voltage when the constant current is applied to the pixels on the same
도 8은 상기 유기 EL 소자(65)의 검출 특성의 고온 시에서의 변동을 나타내는 도면이다. 도 8에서, 참조 부호 101은 고온 시에서의 유기 EL 소자(65)의 전류 대 전압 특성, 102는 그 때의 정전류 인가시 전압이다. 전술한 바와 같이, 특성 검출 시에는 정전류원인 검출용 전원(73)을 접속하므로, 고온의 상태에서 검출을 하는 경우, 상기 전류 대 전압 특성(101)의 곡선 상의, 정전류 조건(95)을 인가한 경우의 전압의 값으로 되는 정전류 인가시 전압(102)이 검출될 특성 전압으로 된다. 참조 부호 103은 고온에 의해 열화된 유기 EL 소자(65)의 전류 대 전압 특성, 104는 그 때의 정전류 인가시 전압이다. 전술한 바와 마찬가지로, 상기 전류 대 전압 특성(103)은, 열화 시에, 상기 전류 대 전압 특성(101)보다도 기울기가 작아지고, 이 때의 정전류 조건(95)의 인가에 의해 정전류 인가시 전압(104)으로 되고, 열화 시에는 검출 전압이 증대한 것을 나타내고 있다. 여기서, 정전류 인가시 전압(102), 정전류 인가시 전압(104)은 모두, 상온 시의 정전류 인가시 전압(96), 정전류 인가시 전압(98)에 비해 작아지는 방향으로 변동되고, 열화 시의 변동과 비교하여 크다.FIG. 8 is a diagram showing fluctuations in detection characteristics of the
도 9는, 도 7에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 화소의 정전류 인가시 전압이 고온 시에서 변동되는 것을 나타내는 도면이다. 도 9에서, 참조 부호 105는 고온 시에서의 검출 전압이며, 100은 상온 시에서의 검출 전압이다. 고온 시에서의 검출 전압(105)은, 상온 시의 검출 전압(100)과 비교하여, 전체의 레벨이 작아지는 것을 알 수 있다.FIG. 9 is a diagram showing that the voltage during constant current application of the pixels on the same
도 10은, 상온 시 및 고온 시 중 어느 것에도 검출 전압을 얻을 수 있도록, A/D 변환에서의 기준 전압 설정의 예를 나타내는 도면이다. 도 10에서, 참조 부호 106은 상온 전압 설정 범위, 107은 고온 전압 설정 범위이다. 상온 전압 설정 범위(106)는, 최대값은 유기 EL 소자(65)의 열화 시의 정전류 인가시 전압(98), 최소값이 정전류 인가시 전압(96)으로 된다. 이 예에서는 소부의 검출 레벨을 7 레벨, 즉 A/D 변환에서 기준 전압의 최대값부터 최소값까지 아날로그값을 7 레벨의 분해능에 의해 검출하고, 3 비트의 디지털 데이터로 변환하여 출력한다.FIG. 10 is a diagram illustrating an example of reference voltage setting in A / D conversion so that a detection voltage can be obtained at either normal temperature or high temperature. In Fig. 10,
이 때, 고온 시에서의 검출 전압(105)은 상기 상온 전압 설정 범위(106)를 벗어나므로, A/D 변환의 기준 전압을 상기 상온 전압 설정 범위(106)도 포함한 고온 전압 설정 범위(107)까지 확대시킬 필요가 있다. 그리고, A/D 변환기로서, 상기 고온 전압 설정 범위(107)에 대응하기 위하여, 복수의 A/D 변환기를 설치하거나, 전압 설정 범위를 넓게 하고 아울러서 분해능도 증대시킨 A/D 변환기를 필요로 하여 어느 것이나 회로 규모의 증대를 초래할 수밖에 없다.At this time, since the detected
도 11은, 도 4에 도시한 A/D 변환기(84)의 내부 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 도 11에서, 참조 부호 108은 제1 비교기, 109는 제2 비교기, 110은 제3 비교기, 111은 제4 비교기, 112는 제5 비교기, 113은 제6 비교기, 114는 제7 비교기, 115는 제1 비교 전압, 116은 제2 비교 전압, 117은 제3 비교 전압, 118은 제4 비교 전압, 119는 제5 비교 전압, 120은 제6 비교 전압, 121은 제7 비교 전압, 122는 제1 비교 결과, 123은 제2 비교 결과, 124는 제3 비교 결과, 125는 제4 비교 결과, 126은 제5 비교 결과, 127은 제6 비교 결과, 128은 제7 비교 결과이다. 각 비교기(108∼114)는, 검출 출력선(78)의 전압을 각각의 비교 전압(115∼121)과 비교하고, 결과를 비교 결과(122∼128)로서 출력한다. 예를 들면, 검출 출력선(78)의 전압이 비교 전압보다 큰 경우에 "1"을 비교 결과로서 출력한다. 참조 부호 129는 제1 분압 저항, 130은 제2 분압 저항, 131은 제3 분압 저항, 132는 제4 분압 저항, 133은 제5 분압 저항, 134는 제6 분압 저항, 135는 제7 분압 저항, 136은 제8 분압 저항이다. 각 분압 저항(129∼136)에 의해, 후술하는 위 참조 전압과 아래 참조 전압을 분압하여 각 비교 전압(115∼121)을 생성한다. 제1 분압 저항(129)과 제8 분압 저항(136)은 거의 0옴이고, 제1 비교 전압(115)은 위 참조 전압, 제7 비교 전압(121)은 아래 참조 전압과 동일한 전압으로 하고, 제2 분압 저항(130)∼제7 분압 저항(135)은 동일한 저항값이며, 제2 비교 전압(116)으로부터 제6 비교 전압(120)은, 위 참조 전압과 아래 참조 전압 사이를 균등하게 분압한다. 참조 부호 137은 7 to 3 디코더, 138은 디지털 제3 비트 출력, 139는 디지털 제2 비트 출력, 140은 디지털 제1 비트 출력이다. 7 to 3 디코더(137)는 비교 결과(122∼128)를 디코드하여 3 비트의 디지털 출력(138∼140)으로서 출력한다. 여기서, 앞서 설명한 바와 같이, 비교 결과(122∼128)는 "0000000", "0000001", "0000011", "0000111", "0001111", "0011111", "0111111", "1111111"의 8 종류로 나타내게 되므로, 각각 "000", "001", "010", "011", "100", "101", "110", "111"로 변환한다. 참조 부호 141은 참조 전압 제어 수단, 142는 소부 검출시 참조 전압, 143은 위 참조 전압 생성 수단, 144는 소부 검출시 위 참조 전압, 145는 아래 참조 전압 생성 수단, 146은 소부 검출시 아래 참조 전압, 147은 검출 타이밍 제어 수단, 148은 검출 절환 신호, 149는 온도 검출시 위 참조 전압, 150은 온도 검출시 아래 참조 전압, 151은 위 참조 전압 절환 수단, 152는 아래 참조 전압 절환 수단, 153은 위 참조 전압, 154는 아래 참조 전압이다. 검출 타이밍 제어 수단(147)은 온도 검출과 소부 검출의 타이밍을 절환하기 위한 검출 절환 신호(148)를 생성한다. 위 참조 전압 절환 수단(151), 아래 참조 전압 절환 수단(152)은 각각 검출 절환 신호(148)에 따라, 온도 검출시에는 온도 검출시 위 참조 전압(149), 온도 검출시 아래 참조 전압(150)을, 소부 검출시에는 소부 검출시 위 참조 전압(144), 소부 검출시 아래 참조 전압(146)을 절환하고, 각각 위 참조 전압(153), 아래 참조 전압(154)으로서 출력한다. 참조 전압 제어 수단(141)은 온도 검출시의 비교 결과(122∼128)로부터 소부 검출시의 상하 참조 전압의 기준으로 되는 소부 검출시 참조 전압(142)을 생성한다. 위 참조 전압 생성 수단(143), 아래 참조 전압 생성 수단(145)은 각각, 소부 검출시 참조 전압(142)을 기준으로, 소부 검출시 위 참조 전압(144), 소부 검출시 아래 참조 전압(146)을 생성한다.FIG. 11: is a figure which shows one Embodiment of the internal structure of the A /
도 12는 상기 A/D 변환기(84)의 동작을 설명하는 도면이다. 도 12에서, 도 12의 (a)가 온도 검출 동작, 도 12의 (b)가 소부 검출 동작을 도시한다. 참조 부호 155는 온도 검출 포인트이다. 온도 검출시는, 위 참조 전압(153)을 온도 검출시 위 참조 전압(149)(도 11 참조), 아래 참조 전압(154)을 온도 검출시 아래 참조 전압(150)(도 11 참조)으로 하기 위해 비교 전압(115∼121)은 그 사이를 균등 분할한 레벨로 된다. 여기서 본 실시예에서는, 온도 검출시 위 참조 전압(149), 온도 검출시 아래 참조 전압(150)은 제품을 사용하는 환경의 온도 변화에 대한 특성의 변동에 대응하는 범위를 갖는 것으로 하고, 또한 주변 온도가 높은 경우의 동작으로서 설명한다. 온도 검출의 결과로부터, 참조 전압의 범위는 대략 제7 비교 전압(121)으로부터 제4 비교 전압(118)으로 되고, 이 결과를 소부 검출시 참조 전압(142)에 반영시킨다. 본 실시예에서는, 온도 검출 포인트(155)의 측정 결과를 소부 검출시 참조 전압(142)으로 하고, 소부 검출시 참조 전압(142)과 동일 레벨인 소부 검출시 아래 참조 전압(146)(도 11 참조)을 아래 참조 전압(154)으로서 출력하고, 소부 검출시 참조 전압(142)에 검출할 최대의 폭을 가산한 값인 소부 검출시 위 참조 전압(144)(도 11 참조)을 위 참조 전압(153)으로 한다. 이에 의해, 소부 검출시의 비교 전압(115∼121)은 온도 검출시에 비해 세세하게 할 수 있어, 보다 미소한 변동에도 대응할 수 있게 된다.12 is a diagram for explaining the operation of the A /
도 13은, 도 8과 대응한 도면이며, 상기 유기 EL 소자(65)의 검출 특성의 고온 시에서의 변동이 도 8에 도시한 바와 같은 서로 다른 특성을 나타내는 경우를 도시한 도면이다. 도 8과 마찬가지로, 참조 부호 101은 고온 시의 유기 EL 소자(65)의 전류 대 전압 특성, 102는 고온 시의 정전류 인가시 전압이다. 참조 부호 183은 고온 시의 열화된 유기 EL 소자(65)의 전류 대 전압 제2 특성, 184는 고온 시의 열화된 유기 EL 소자(65)의 정전류 인가 시 제2 전압이다. 상기 전류 대 전압 제2 특성(183)은, 전류 대 전압 특성(101)은 열화 시에 기울기가 작은 것에 대해, 상온 시와 비교하여 변동이 크게 되어 있고, 이 때 정전류 조건(95)을 인가하면 정전류 인가 시 제2 전압(184)으로 되고, 열화 시에는 검출 전압이 상온 시와 비교하여 변동량이 커지는 것을 알 수 있다.FIG. 13 is a view corresponding to FIG. 8, and is a diagram showing a case where variation in the detection characteristics of the
도 14는, 도 9와 대응하는 도면이며, 도 7에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 화소의 정전류 인가시 전압의 고온 시에서의 변동이 도 9와 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 도면이다. 도 14에서, 참조 부호 185는 고온 검출 제2 전압이며, 상온 시의 검출 전압(100)과 비교하여, 전체의 레벨이 작아짐과 함께, 도 9에 도시한 고온 검출 전압(105)과 비교하여 진폭(전류 측정 범위의 폭)이 크게 되어 있다.FIG. 14 is a diagram corresponding to FIG. 9, wherein a variation in voltage at the time of applying a constant current of a pixel on the same
도 15는, 도 10과 대응하는 도면이며, A/D 변환에서의 기준 전압 설정의 고온 시에서의 특성이 도 10과는 서로 다른 경우의 실시 양태가 나타내는 도면이다. 도 15에서, 상온 전압 설정 범위(106), 고온 전압 설정 범위(107)는, 도 10에 도시한 바와 마찬가지로, 고온 시 검출 전압(185)이 상온 전압 설정 범위(106)를 벗어나므로, A/D 변환의 기준 전압을 고온 전압 설정 범위(107)까지 넓힐 필요가 생긴다. 이에 대응하기 위해서는, 복수의 A/D 변환기를 설치하거나, 전압 설정 범위를 넓게 하고, 또한 분해능도 늘릴 필요가 있어, 회로 규모의 증대를 초래하게 된다. 또한, 도 15에서, 고온 시 검출 전압(185)의 범위는, 도 10의 경우와 비교하여, 대폭 커지고 있다.FIG. 15 is a diagram corresponding to FIG. 10, illustrating an embodiment in a case where the characteristic at high temperature of the reference voltage setting in the A / D conversion is different from that in FIG. 10. In FIG. 15, the room temperature
도 16은, 도 12와 대응하는 도면이며, 도 11에 도시한 A/D 변환기(84)의 동작의 고온 시의 변동이 도 12와는 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 실시 양태를 나타내는 도면이다. 도 16에서, 동작은 도 12의 경우와 마찬가지이지만, 고온 시 검출 전압(185)의 범위가, 상온 시의 검출 전압(100)과 비교하여 커지기 때문에, 소부 검출시의 비교 전압(115∼121)은, 도 16에 도시한 고온 시, 혹은 도 12에 도 시한 고온 시와 비교하여 커지고 있다. 또한, 고온 시 검출 전압(185)의 범위는 도 13에 도시한 특성으로부터 미리 산출할 수 있고, 이 산출 데이터에 기초하여 소부 검출시의 비교 전압(115∼121)을 설정하게 되어 있다.FIG. 16 is a diagram corresponding to FIG. 12, and is a diagram showing an embodiment in the case where fluctuations at the high temperature of the operation of the A /
이하, 전술한 도 1 내지 도 16을 이용하여, 온도 변동에 대응하는 소부 검출에 대해 설명한다. 우선, 도 1을 이용하여 화상 표시 장치에서의 표시 데이터의 흐름을 설명한다. 도 1에서, 표시 및 검출 제어 수단(6)은 수평 동기 신호(1), 수직 동기 신호(2), 데이터 인에이블(3), 동기 클럭(5)에 의해, 자발광 소자 디스플레이(17)의 표시 타이밍으로 되는 데이터선 제어 신호(7), 주사선 제어 신호(8)를 생성한다. 그리고, 이 생성 외에 자발광 소자 디스플레이(17)의 화소의 상태를 검출하기 위한 타이밍으로 되는 검출 주사선 제어 신호(9), 검출선 제어 신호(10)를 생성한다. 상세한 것은 후에 설명한다. 데이터선 구동 수단(11), 주사선 구동 수단(15), 발광용 전압 생성 수단(13)의 동작은 종래와 마찬가지이다. 소자 특성 검출 주사 수단(18)은 표시 동작의 기간과 별도로 설정된 검출 기간에서, 검출하는 화소를 주사하기 위해, 검출 주사선 제어 신호(9)로부터 검출 주사선 선택 신호(19)를 생성한다. 소부 검출 및 위치 판별 수단(21)은, 검출 주사선 선택 신호(19)에 의해 선택된 주사선 상의 화소의 특성으로 되는 검출선 출력 신호(20)의 상태로부터 소자의 열화 상태를 검출하고, 아울러 검출선 제어 신호(10)로부터 화소의 위치를 판단함으로써, 소부 정보 저장 수단(24)에 저장하기 위한 어드레스 정보인 위치 정보(23)와 소자 열화의 레벨을 나타내는 소부 검출 결과(22)를 생성한다. 상세한 것은 후에 설명한다. 소부 보정 화소 정보(25)는 표시 타이밍에 맞추 어 소부 정보 저장 수단(24)으로부터 소자 열화의 레벨을 읽어내는 정보이다. 다음으로, 도 2를 이용하여 상기 표시 및 검출 제어 수단(6)의 동작의 상세에 대해서 설명한다. 도 2에서, 소부 화소 데이터 보정 수단(26)은 소부 보정량(38)에 의해, 표시 데이터(4) 중 열화된 화소의 데이터만을 보정하고, 그 밖의 화소는 보정하지 않고 표시 보정 데이터(27)로서 출력한다. 상세한 것은 후에 설명한다. 구동 타이밍 생성 수단(28)은 수평 개시 신호(29), 수평 시프트 클럭(30), 수직 개시 신호(31), 수직 시프트 클럭(32)을 종래와 마찬가지로 생성한다. 또한, 구동 타이밍 생성 수단(28)은 1 표시 기간에서, 표시 기간과는 별도로 설정한 검출 기간 내에서 검출 주사선을 주사하기 위한 타이밍 신호인 수직 검출 개시 신호(33), 수직 검출 시프트 클럭(34)을 생성하고, 선택된 검출 주사선 상의 화소의 상태를 수평 방향으로 순차적으로 출력하기 위한 타이밍 신호인 수평 검출 개시 신호(35), 수평 검출 시프트 클럭(36)을 생성한다. 다음으로, 도 3에서, 제1 검출 주사선(67), 제2 검출 주사선(68)을 통하여 순차적으로 출력되는 주사선 선택 신호에 의해, 각각의 화소의 검출 스위치를 통하여 각각의 화소의 유기 EL 소자(65)가, 제1 검출선(69), 제2 검출선(70), 제3 검출선(71), 제4 검출선(72)으로부터 제320 검출선(도시 생략)에 접속되고, 각각의 특성이 검출선 출력 신호(20)로서 출력된다.Hereinafter, the baking detection corresponding to a temperature change is demonstrated using FIG. 1 thru | or FIG. 16 mentioned above. First, the flow of display data in the image display device will be described with reference to FIG. 1. In FIG. 1, the display and detection control means 6 is connected to the self-
도 4에서, 검출 출력선(78)에는 온도 특성 검출 시에는 후술하는 온도 검출 포인트에 대응하는 검출선 선택 신호, 검출선 스위치를 절환함으로써 해당하는 화소의 특성만 출력된다. 소부 검출시에는, 검출 수평 개시 신호(35), 검출 수평 시프트 클럭(36)에 따라서 시프트 레지스터(79)에서 생성되는 제1 검출선 선택 신 호(80), 제2 검출선 선택 신호(81), 제3 검출선 선택 신호(82), 제4 검출선 선택 신호(83)에 따라서, 제1 검출선 스위치(74), 제2 검출선 스위치(75), 제3 검출선 스위치(76), 제4 검출선 스위치(77)를 통하여, 수평 방향으로 순차적으로 시프트하여 절환되어 출력된다. 이 때, 도 3에 도시한 유기 EL 소자(65)는 정전류원인 검출용 전원(73)(도 4 참조)에 접속되게 되므로, 도 8에 도시한 특성을 갖는 유기 EL 소자(65)는, 도 5에 도시한 백 표시(89)에서는, 상온 시에 정전류 인가시 전압(96), 고온 시에 고온 정전류 인가시 전압(102), 소부 패턴(90)에서는, 상온 시에 열화 소자 정전류 인가시 전압(98), 고온 시에 고온 소자 열화 시 정전류 인가시 전압(104)을 검출 특성으로 하여, 검출 출력선(78)에 출력한다. 그 결과, 도 5에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 소자 특성의 검출 결과는 도 9에 도시된 바와 같게 된다. A/D 변환 수단(84)은, A/D 변환의 기준 전압의 초기 설정에 의한 온도 검출시의 특성으로부터 소부 검출시의 A/D 변환의 기준 전압을 설정하고, 소부 검출시에는 아날로그 데이터인 검출 출력선(78)을 디지털 데이터인 검출 결과(22)로 변환하고, 소부 화소 위치 정보 생성 수단(85)은 소부 검출시에만, 수직 검출 개시 신호(33), 수평 검출 개시 신호(35), 수평 검출 시프트 클럭(36)으로부터, 검출 결과(22)를 출력하고 있는 화소 위치를 판별하여, 위치 정보(23)로서 출력한다.In FIG. 4, only the characteristics of the corresponding pixel are output to the
상기 유기 EL 소자(65)가 정전류원인 검출용 전원(73)에 접속된 경우, 도 8에 도시한 바와 같이 그 유기 EL 소자(65)는 온도에 의해 특성이 변동되고, 도 9에 도시한 바와 같이 상온 시에는 정전류 인가시 전압(96), 혹은 열화 소자 정전류 인가시 전압(98)을 검출 특성으로 하여 검출선 출력 신호(20)에 출력하고, 고온 시에 는 고온 정전류 인가시 전압(102), 고온 소자 열화 정전류 인가시 전압(104)을 검출 특성으로 하여 검출선 출력 신호(20)에 출력하게 된다. 그 결과, 도 5에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 소자 특성의 검출 결과는 도 9에 도시한 바와 같이 크게 변동되게 된다.When the
상기 A/D 변환 수단(84)은 전압 설정 범위 내의 7 레벨을 참조하여 디지털 변환한다. 도 10에 도시한 바와 같이, 예를 들면 상온 시에서는, 검출 전압(100)에 의해 나타내어지는 아날로그 데이터를 디지털 변환하기 때문에, 상온 전압 설정 범위(106)가 A/D 변환 수단에 필요한 전압 설정 범위로 된다. 이에 대해, 주위 온도가 높거나, 점등 시간이 길어 패널의 온도가 상승한 경우, 고온 검출 전압(105)에 도시한 바와 같이 검출 전압(100)과 비교하여 크게 레벨이 변동된다. 이 경우, 상온 전압 설정 범위(106)에서는 디지털 변환이 불가능하게 된다. 이 때문에, 동일한 A/D 변환 수단에서 대응하기 위해 전압 설정 범위를 고온 전압 설정 범위(107)와 같이 넓게 하고, 또한 변환하는 레벨수를 늘리거나, 복수의 A/D 변환 수단을 설치할 필요가 있지만, 회로 규모가 증대한 문제점이 생긴다. 따라서, 본 실시 양태에서는, 도 11에 도시한 바와 같이, A/D 변환 수단(84)의 참조 전압을 가변으로 함으로써 대응하고 있다. 즉, 검출 타이밍 제어 수단(147)은 소부 검출 전에 반드시 온도 특성의 검출을 하도록 타이밍 제어를 행한다. 온도 특성의 검출 시에는, 온도 검출 포인트(155)에서의 소자 특성을 검출한다. 이 때, 온도 검출시 위 참조 전압(149)과 온도 검출시 아래 참조 전압(150)을 기준으로 하여 각 비교 전압(115∼121)을 생성한다. 이 때의 온도 검출시 위 참조 전압(149)과 온도 검출시 아래 참조 전압(150)은 유기 EL 소자(65)의 특성이 사용하는 온도 상황에서 취할 수 있는 최대의 범위로 되도록 설정한다. 따라서, 도 12의 (a)에 도시한 바와 같이 넓은 전압 설정 범위에서 각 비교 전압의 간격도 성긴 설정으로 된다. 도 16에 도시한 바와 같이, 본 실시 양태에서의 온도 검출 포인트(155)에서의 A/D 변환의 결과는 대략 제7 비교 전압(121) 부근으로 되므로, 이 결과를 소부 검출시 참조 전압(142)에 반영시킨다. 소부 검출시 참조 전압(142)과 동일 레벨을 소부 검출시 한 참조 전압(146)을 아래 참조 전압(154)으로서 출력하고, 소부 검출시 참조 전압(142)에 검출할 최대의 폭을 가산한 값을 소부 검출시 위 참조 전압(144)을 위 참조 전압(153)으로 함으로써, 소부 검출시의 비교 전압(115∼121)은 온도 검출시에 비해 세세하게 되어, 보다 미소한 변동에도 대응할 수 있다. 여기서, 본 실시 양태에서는, 온도 검출 포인트(155)에서의 A/D 변환의 결과를 아래 참조 전압으로 하고 있지만, 결과를 중앙으로 하여 위 참조 전압을 가산, 아래 참조 전압을 감산에 의해 생성하여도 되고, 결과를 위 참조 전압으로 하고, 아래 참조 전압을 감산에 의해 생성하여도 된다.The A / D conversion means 84 performs digital conversion with reference to seven levels within the voltage setting range. As shown in Fig. 10, for example, at normal temperature, since the analog data represented by the
다음으로, 전술한 도 13 내지 도 16에 도시한 바와 같이, 상온 시의 열화 특성과 고온 시의 열화 특성이 서로 다른 경우의, 소자 열화 검출 동작을, 이하 설명한다. 상기 유기 EL 소자(65)는, 도 4에 도시한 정전류원인 검출용 전원(73)에 접속되고, 온도에 의해 특성이 변동되는 유기 EL 소자(65)는, 도 17에 도시한 바와 같이, 상온 시에는 정전류 인가시 전압(96), 혹은 열화 소자 정전류 인가시 전압(98)을 검출 특성으로 하여 검출선 출력 신호(20)를 출력하고, 고온 시에는 고온 정전류 인가시 전압(102), 고온 소자 열화 정전류 인가시 전압(184)을 검출 특성으로 하여 검출선 출력 신호(20)를 출력한다. 이 결과, 도 5에 도시한 동일 수평 라인(91) 상의 소자 특성의 검출 결과는, 도 17에 도시한 바와 같이 크게 변동하여, 상온 시의 열화 특성과 고온 시의 열화 특성이 동일한 경우와 비교하면, 검출 결과의 진폭(전류 측정 범위의 폭)이 서로 다른 것을 알 수 있다.Next, as shown in FIG. 13 to FIG. 16 described above, the element deterioration detection operation when the deterioration characteristic at normal temperature and the deterioration characteristic at high temperature are different will be described below. The
다음으로, 도 15에 도시한 바와 같이, A/D 변환 수단(84)은 전압 설정 범위 내의 7 레벨을 참조하여 디지털 변환한다. 예를 들면, 상온 시에서는, 검출 전압(100)에 의해 나타내어지는 아날로그 데이터를 디지털 변환하기 때문에, 상온 전압 설정 범위(106)가 상기 A/D 변환 수단(84)에 필요한 전압 설정 범위로 된다. 이에 대해, 주위 온도가 높거나, 점등 시간이 길어 패널의 온도가 상승한 경우, 고온 검출 전압(185)은, 상기 검출 전압(100)과 비교하여 레벨이 크게 변동되고, 상온 시의 열화 특성과 고온 시의 열화 특성이 동일한 경우와 달리, 그 진폭(전류 측정 범위의 폭)도 변화하는 것을 알 수 있다.Next, as shown in FIG. 15, the A / D conversion means 84 performs digital conversion with reference to seven levels within a voltage setting range. For example, at normal temperature, since the analog data represented by the
이와 같은 레벨이 큰 변동 및 진폭의 변화에 대해서는, A/D 변환 수단(84)의 참조 전압(도 11 참조)을 가변으로 함으로써 대응한다. 동작은, 상온 시의 열화 특성과 고온 시의 열화 특성이 동일한 경우와 거의 마찬가지이지만, 도 16에 도시한 바와 같이, 고온 시의 소부 검출시의 비교 전압(115∼121)이 상온 시와 비교하여 크게 되도록, 위 참조 전압(153), 아래 참조 전압(154)을 생성하게 된다. 또한, 그 위 참조 전압(153), 아래 참조 전압(154)은, 예를 들면, 도 13에 도시한 특성도로부터, 도 16의 (b)에 도시하는 참조 부호 115∼121의 폭을 설정할 수 있으므 로, 해당 폭에 기초하여 설정할 수 있다.Such large fluctuations and changes in amplitude are responded by varying the reference voltage (see FIG. 11) of the A / D conversion means 84. The operation is almost the same as the case where the deterioration characteristic at room temperature and the deterioration characteristic at high temperature are the same, but as shown in Fig. 16, the
이상의 동작에 의해, 도 1에서 소부 및 위치 판별 수단(21)이, 자발광 소자 디스플레이(17) 내의 소자 열화에 의해 생기는 소부 현상의 검출 결과를, 소부의 레벨을 나타내는 소부 검출 결과(22)와, 그 위치를 나타내는 위치 정보(23)로서 출력하고, 소부 정보 저장 수단(24)에, 위치 정보(23)에 따른 어드레스에 소부 검출 결과(22)를 저장한다. 마지막으로 소부 정보 저장 수단(24)으로부터는, 표시 타이밍에 따라서 해당하는 화소의 소부 정보를 읽어내고, 필요에 따라서 표시 데이터를 보정함으로써 소부가 해소되게 된다.By the above operation, the firing and position determination means 21 in FIG. 1 detects the detection result of the firing phenomenon caused by the deterioration of the element in the self-
<제2 실시 형태><2nd embodiment>
이하, 본 발명의 제2 실시 형태를, 도면을 이용하여 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, 2nd Embodiment of this invention is described in detail using drawing.
도 17은 본 발명의 제2 실시 형태인 자발광 소자 표시 장치를 나타내고 있다. 도 17에서, 도 1과 동일한 부호를 붙인 부분은, 제1 실시 형태와 마찬가지의 구성과 마찬가지의 동작을 한다. 참조 부호 156은 표시/검출 절환 제어부, 157은 표시/검출 절환 제어 신호, 158은 데이터선 구동 및 흑점 결함 위치 판별 수단, 159는 데이터선 구동 및 검출선 출력 신호, 160은 데이터선 및 검출선 공통 자발광 소자 디스플레이이다. 표시/검출 절환 제어부(156)는 데이터선 제어 신호(7), 주사선 제어 신호(8), 검출 주사선 제어 신호(9)를 생성함과 함께, 검출선 제어 신호에 데이터선 구동과 검출 동작을 절환하는 신호를 추가한 표시/검출 절환 제어 신호(157)를 생성한다. 데이터선 구동 및 소부 위치 판별 수단(158)은 데이터선 구동 수단과 제1 실시 형태에 나타낸 소부 검출 및 위치 판별 수단의 양방의 기능을 갖고, 데이터선 구동 및 검출선 출력 신호(159)를 공통의 데이터선을 통하여 데이터선 및 검출선 공통 자발광 소자 디스플레이(160)와 접속된다.Fig. 17 shows a self-luminous element display device as a second embodiment of the present invention. In FIG. 17, the portions denoted by the same reference numerals as in FIG. 1 perform the same operations as those in the first embodiment.
도 18은 상기 데이터선 구동 및 소부 위치 판별 수단(158)의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 도 18에서, 도 4와 동일한 부호를 붙인 부분은, 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 마찬가지의 동작을 한다. 참조 부호 161은 1 수평 래치 및 아날로그 변환 수단, 162는 제1 데이터선 구동 신호 출력, 163은 제2 데이터선 구동 신호 출력, 164는 제3 데이터선 구동 신호 출력, 165는 제4 데이터선 구동 신호 출력이다. 1 수평 래치 및 아날로그 변환 수단(161)은, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 입력되는 표시 보정 데이터(26)를 수평 개시 신호(28)를 선두로 하여 수평 시프트 클럭(29)에 따라서 취득하고, 1 수평분의 데이터를 제1 데이터선 구동 신호 출력(162), 제2 데이터선 구동 신호 출력(163), 제3 데이터선 구동 신호 출력(164), 제4 데이터선 구동 신호 출력(165)으로서 출력한다. 이 실시 양태에서는, 예를 들면, 제1 실시 형태와 마찬가지로, 제240 데이터선 구동 신호 출력까지 출력한다. 참조 부호 166은 검출 절환 신호, 167은 제1 데이터선 검출 절환 스위치, 168은 제2 데이터선 검출 절환 스위치, 169는 제3 데이터선 검출 절환 스위치, 170은 제4 데이터선 검출 절환 스위치, 171은 제1 데이터선 및 검출선, 172는 제2 데이터선 및 검출선, 173은 제3 데이터선 및 검출선, 174는 제4 데이터선 및 검출선이다. 이 실시 양태에서는, 제1 실시 형태와는 달리, 검출선의 개수는 데이터선과 공통으로 하므로 240개로 한다. 제1 데이터선 검출 절환 스위치(167), 제2 데이터선 검출 절환 스위치(168), 제3 데이터선 검출 절환 스위 치(169), 제4 데이터선 검출 절환 스위치(170), …, 제240 데이터선 검출 절환 스위치는 검출 절환 신호(166)에 따라서, 표시 구동 시에는 제1 데이터선 구동 신호 출력(162), 제2 데이터선 구동 신호 출력(163), 제3 데이터선 구동 신호 출력(164), 제4 데이터선 구동 신호 출력(165), …, 제240 데이터선 구동 신호 출력을, 제1 데이터선 및 검출선(171), 제2 데이터선 및 검출선(172), 제3 데이터선 및 검출선(173), 제4 데이터선 및 검출선(174), …, 제240 데이터선 및 검출선에 출력함으로써 제1 실시 형태의 표시 동작과 마찬가지의 동작을 행한다. 검출 시에는 제1 검출선(69), 제2 검출선(70), 제3 검출선(71), 제4 검출선(72), …, 제240 검출선을, 제1 데이터선 및 검출선(171), 제2 데이터선 및 검출선(172), 제3 데이터선 및 검출선(173), 제4 데이터선 및 검출선(174), …, 제240 데이터선 및 검출선에 접속함으로써 제1 실시 형태의 검출 동작을 1 수평 기간 내에서 R, G, B로 분할하여 행한다. 참조 부호 175는 RGB 절환 제어 수단, 176은 R 표시 검출 선택 신호, 177은 G 표시 검출 선택 신호, 178은 B 표시 검출 선택 신호이다. RGB 절환 제어 수단(175)은, 제1 실시 형태와 마찬가지로 1 수평 기간을 R, G, B로 3 분할하여 데이터선 신호 기입을 행하는 것 외에, 검출도 마찬가지로 3 분할하기 위한 절환 신호로 되는 R 표시 및 검출 선택 신호(176), G 표시 및 검출 선택 신호(177), B 표시 및 검출 선택 신호(178)를 생성한다.FIG. 18 is a diagram showing an embodiment of the configuration of the data line driving and baking position determining means 158. FIG. In FIG. 18, since the same code | symbol as FIG. 4 is the same as that of 1st Embodiment, it performs the same operation. Reference numeral 161 denotes one horizontal latch and analog converting means, 162 denotes a first data line driving signal output, 163 denotes a second data line driving signal output, 164 denotes a third data line driving signal output, and 165 denotes a fourth data line driving signal. Output. As in the first embodiment, the one horizontal latch and the analog converting means 161 acquire the input
도 19는 상기 데이터선 및 검출선 공통 자발광 소자 디스플레이(160)의 내부 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면이다. 도 19에서 도 3과 동일한 부호를 붙인 부분은, 제1 실시 형태와 마찬가지이므로, 마찬가지의 동작을 한다. 참조 부호 179는 제1 R 표시 검출 공통선, 180은 제1 G 표시 검출 공통선, 181은 제1 B 표시 검출 공통선, 182는 제2 R 표시 검출 공통선이다. 예를 들면, R 표시 검출 공통선, G 표시 검출 공통선, B 표시 검출 공통선은 각각 240개, 합계 720개 나열되어 있다. 제1 R 표시 검출 공통선(179), 제1 G 표시 검출 공통선(180), 제1 B 표시 검출 공통선(181), 제2 R 표시 검출 공통선(182), …, 제240 R 표시 검출 공통선, 제240 G 표시 검출 공통선, 제240 B 표시 검출 공통선은, 각각 표시 구동 시에는 각 화소의 데이터 기입 스위치(62)를 온 상태로 함으로써 기입 용량(63)에 접속되어 제1 실시 형태와 마찬가지의 신호 전압 기입 동작을 행하고, 검출 시에는 각 화소의 검출 스위치(66)를 온 상태로 함으로써 유기 EL 소자(65)에 접속되어 제1 실시 형태와 마찬가지의 특성 검출 동작을 행한다.FIG. 19 is a diagram illustrating an embodiment of an internal configuration of the data line and the detection line common self-light
이상, 본 실시 형태에서는 데이터선과 검출선을 공통으로서 절환하여 사용하는 이외의 동작은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.As mentioned above, in this embodiment, operation | movement other than switching and using a data line and a detection line in common is the same as that of 1st embodiment.
이상, 본 발명을 실시예를 이용하여 설명해 왔지만, 지금까지의 각 실시예에서 설명한 구성은 어디까지나 일례이며, 본 발명은 기술 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 적절하게 변경 가능하다. 또한, 각각의 실시예에서 설명한 구성은, 서로 모순되지 않는 한, 조합하여 이용하여도 된다.As mentioned above, although this invention was demonstrated using an Example, the structure demonstrated by each Example until now is an example to the last, and this invention can be suitably changed within the range which does not deviate from a technical idea. In addition, as long as it does not contradict, mutually demonstrated the structure demonstrated in each Example may be used in combination.
도 1은 본 발명의 화상 표시 장치의 일 실시 형태를 나타내는 도면으로서, 자발광 소자 표시 장치를 도시하는 도면.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows one Embodiment of the image display apparatus of this invention, and shows a self-luminous element display apparatus.
도 2는 도 1에 도시한 표시 및 검출 제어부의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면.FIG. 2 is a diagram illustrating an embodiment of an internal configuration of the display and detection control unit shown in FIG. 1. FIG.
도 3은 도 1에 도시한 자발광 소자 디스플레이의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면.FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of the configuration of the interior of the self-luminous element display shown in FIG. 1; FIG.
도 4는 도 1에 도시한 소부 검출 및 위치 판별 수단의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면.4 is a diagram showing an embodiment of the configuration of the inside of the baking detection and position discriminating means shown in FIG. 1;
도 5는 도 1에 도시한 자발광 디스플레이에서 소부가 생긴 경우의 표시예를 나타내는 설명도.FIG. 5 is an explanatory diagram showing a display example in the case where baking occurs in the self-luminous display shown in FIG. 1; FIG.
도 6은 도 3에 도시한 유기 EL 소자의 검출 특성의 일례를 나타내는 그래프.6 is a graph showing an example of detection characteristics of the organic EL device shown in FIG. 3;
도 7은 도 5에 도시한 동일 수평 라인 상의 각 화소의 정전류 인가시 전압을 도시하는 도면.FIG. 7 is a diagram showing a voltage during constant current application of each pixel on the same horizontal line shown in FIG. 5; FIG.
도 8은 도 6에 도시한 유기 EL 소자의 검출 특성의 고온 시에서의 변동을 나타내는 도면.FIG. 8 is a view showing variation at high temperature of detection characteristics of the organic EL device shown in FIG. 6; FIG.
도 9는 도 7에 도시한 동일 수평 라인 상의 화소의 정전류 인가시 전압의 고온 시에서의 변동을 나타내는 도면.FIG. 9 is a view showing a variation in voltage at high temperature when a constant current is applied to pixels on the same horizontal line shown in FIG. 7; FIG.
도 10은 A/D 변환에서의 기준 전압 설정의 일례를 나타내는 설명도.10 is an explanatory diagram showing an example of reference voltage setting in A / D conversion.
도 11은 도 4에 도시한 A/D 변환기의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내 는 도면.FIG. 11 is a diagram showing an embodiment of an internal configuration of the A / D converter shown in FIG. 4; FIG.
도 12는 도 11에 도시한 A/D 변환기의 동작을 설명하기 위한 도면.12 is a view for explaining the operation of the A / D converter shown in FIG.
도 13은 도 6에 도시한 유기 EL 소자의 검출 특성의 고온 시에서의 변동이 도 8에 도시한 것과 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 도면.FIG. 13 is a diagram in the case where variation in the detection characteristics of the organic EL element shown in FIG. 6 at a high temperature exhibits different characteristics from those shown in FIG. 8;
도 14는 도 7에 도시한 동일 수평 라인 상의 화소의 정전류 인가시 전압의 고온 시에서의 변동이 도 9에 도시한 것과 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 도면.FIG. 14 is a diagram in the case where the fluctuation at the high temperature of the voltage when the constant current is applied to the pixels on the same horizontal line shown in FIG. 7 exhibits different characteristics from those shown in FIG.
도 15는 A/D 변환에서의 기준 전압 설정의 교환 시에서의 특성이 도 10에 도시한 것과 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 도면.Fig. 15 is a diagram in which the characteristics at the time of exchange of the reference voltage setting in the A / D conversion show different characteristics from those shown in Fig. 10;
도 16은 도 11에 도시한 A/D 변환기의 동작의 고온 시의 변동이 도 12에 도시한 것과 서로 다른 특성을 나타내는 경우의 실시 양태를 나타내는 도면.FIG. 16 is a diagram showing an embodiment in a case where fluctuations at the high temperature of the operation of the A / D converter shown in FIG. 11 exhibit different characteristics from those shown in FIG. 12;
도 17은 본 발명의 화상 표시 장치의 다른 실시 형태를 나타내는 도면.17 shows another embodiment of the image display device of the present invention.
도 18은 도 17에 도시한 데이터선 구동 및 소부 위치 판별 수단의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면.FIG. 18 is a diagram showing an embodiment of an internal configuration of the data line driving and baking position discriminating means shown in FIG. 17; FIG.
도 19는 도 17에 도시한 데이터선 및 검출선 공통 자발광 소자 디스플레이의 내부의 구성의 일 실시 형태를 나타내는 도면.FIG. 19 is a diagram showing an embodiment of an internal configuration of a data line and a detection line common self-light emitting device display shown in FIG. 17; FIG.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
1 : 수평 동기 신호1: horizontal sync signal
2 : 수직 동기 신호2: vertical sync signal
3 : 데이터 인에이블3: Enable data
4 : 표시 데이터4: display data
5 : 동기 클럭5: synchronous clock
6 : 표시 및 검출 제어부6: display and detection control unit
11 : 데이터선 구동 수단11 data line driving means
13 : 발광용 전압 생성 수단13: voltage generating means for light emission
15 : 주사선 구동 수단15: scanning line driving means
17 : 자발광 소자 디스플레이17: self-luminous element display
18 : 소자 특성 검출 주사 수단18: element characteristic detection scanning means
21 : 소부 검출 및 위치 판별 수단21: bake detection and position determining means
24 : 소부 정보 저장 수단24: means for storing information
26 : 소부 화소 데이터 보정 수단26: baking pixel data correction means
28 : 구동 타이밍 생성 수단28: drive timing generating means
37 : 소부 보정량 산출 수단37: means for calculating the correction amount
Claims (16)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090003429A KR101017164B1 (en) | 2008-03-27 | 2009-01-15 | Image display device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2008-082398 | 2008-03-27 | ||
KR1020090003429A KR101017164B1 (en) | 2008-03-27 | 2009-01-15 | Image display device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090103698A KR20090103698A (en) | 2009-10-01 |
KR101017164B1 true KR101017164B1 (en) | 2011-02-25 |
Family
ID=41533209
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020090003429A KR101017164B1 (en) | 2008-03-27 | 2009-01-15 | Image display device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101017164B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN113380163A (en) * | 2020-03-10 | 2021-09-10 | 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 | Display state detection system |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020063524A (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light emitting device |
JP2005033906A (en) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Toko Inc | Switching constant current power supply device |
KR20060017311A (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display device and method for controlling brightness thereof |
JP2007033689A (en) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Image display device |
-
2009
- 2009-01-15 KR KR1020090003429A patent/KR101017164B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20020063524A (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | Light emitting device |
JP2005033906A (en) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Toko Inc | Switching constant current power supply device |
KR20060017311A (en) * | 2004-08-20 | 2006-02-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display device and method for controlling brightness thereof |
JP2007033689A (en) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Fuji Xerox Co Ltd | Image display device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090103698A (en) | 2009-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9177504B2 (en) | Image display device | |
JP4256888B2 (en) | Display device | |
JP5350111B2 (en) | Self-luminous display device | |
KR102014853B1 (en) | Organic Light Emitting Display Device and Driving Method thereof | |
JP4897525B2 (en) | Image display device | |
CN106683618B (en) | Organic light emitting diode display and driving method thereof | |
TWI459353B (en) | Compensated drive signal for electroluminescent display | |
US20080315890A1 (en) | Image Display Device | |
KR101276456B1 (en) | Organic el display device and method for manufacturing the same | |
JP4814676B2 (en) | Self-luminous display device | |
US8749540B2 (en) | Apparatus for outputting gamma filter reference voltage, display apparatus, and method of driving the display apparatus | |
JP3922090B2 (en) | Display device and display control method | |
US11322075B2 (en) | Optical compensation system and optical compensation method of display device | |
US11222597B2 (en) | Display device and method for controlling same | |
JP2009042486A (en) | Electroluminescence display device | |
JP2007240803A (en) | Spontaneous light emission display device, black level correcting device and program | |
KR102467464B1 (en) | Data driver and data voltage setting method thereof | |
KR20190078316A (en) | Organic Light Emitting Display Device and Method for Driving the Same | |
JP5008110B2 (en) | Display device | |
KR102387789B1 (en) | Organic light emitting diode display device and method for driving the same | |
KR101017164B1 (en) | Image display device | |
JP2008292834A (en) | Display device | |
JP3855868B2 (en) | Display device | |
TWI401654B (en) | An image display device and a driving method thereof | |
JP2010085945A (en) | Display device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140117 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150119 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160119 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170119 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180118 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190129 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200203 Year of fee payment: 10 |