JP2009042486A - Electroluminescence display device - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 136
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims abstract description 167
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 82
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 77
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 36
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 16
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 17
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 7
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 3
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
Description
エレクトロルミネッセンス素子を各画素に有する表示装置、特にその特性の時間変化に応じた補正に関する。 The present invention relates to a display device having an electroluminescence element in each pixel, and more particularly to correction of characteristics of the display device according to a change with time.
自発光素子であるエレクトロルミネッセンス素子(以下EL素子という)を各画素の表示素子に採用したEL表示装置は、次世代の平面表示装置として期待され、研究開発が行われている。 An EL display device that employs an electroluminescence element (hereinafter referred to as an EL element), which is a self-luminous element, as a display element of each pixel is expected as a next-generation flat display device, and is researched and developed.
このようなEL表示装置のうち、各画素に、EL素子と、このEL素子を画素毎に駆動する薄膜トランジスタ(TFT)などを形成したいわゆるアクティブマトリクス型EL表示装置は、画素毎の表示制御を正確に実行することができることから、高精細や、大画面の表示装置への適用が試みられている。 Among such EL display devices, a so-called active matrix EL display device in which an EL element and a thin film transistor (TFT) for driving the EL element for each pixel are formed in each pixel is accurate in display control for each pixel. Therefore, application to high-definition and large-screen display devices has been attempted.
しかし、上記EL素子は、通電時間の経過によって発光効率が低下し、その結果、発光輝度低下が発生することが知られている。発光効率が低下することで端子間電圧が増大することに着目し、特許文献1では、画素が配列された表示部の外側に複数のダミーEL素子を形成し、この複数のダミーEL素子の端子間電圧の平均値が上昇すると、表示部の各画素のEL素子に供給する駆動電流や電源電圧を一律に増大させることが開示されている。 However, it is known that the EL element has a light emission efficiency that decreases with the lapse of energization time, resulting in a decrease in light emission luminance. Focusing on the increase in inter-terminal voltage due to a decrease in light emission efficiency, in Patent Document 1, a plurality of dummy EL elements are formed outside a display unit in which pixels are arranged, and terminals of the plurality of dummy EL elements are formed. It is disclosed that when the average value of the inter-voltage increases, the drive current and the power supply voltage supplied to the EL elements of the pixels of the display unit are uniformly increased.
また、各画素にTFT、特に低温多結晶シリコン(LTPS)を用いたTFTを採用する場合、このTFTの動作閾値Vthのばらつきなど、TFT特性にばらつきが生ずることがある。TFTのしきい値Vthのばらつきは、対応する画素においてEL素子の輝度ばらつきを発生させる。そこで上記特許文献2では、パネルを発光させてその輝度のばらつきを測定し、画素に供給するデータ信号(映像信号)を補正している。また、他の方法として、各画素に、EL素子に流す電流を制御する素子駆動トランジスタのVthのばらつきを補正する回路を組み込むことが提案されている。
In addition, when a TFT, particularly a TFT using low-temperature polycrystalline silicon (LTPS), is employed for each pixel, variations in TFT characteristics such as variations in the operation threshold Vth of the TFT may occur. Variation in the threshold value Vth of the TFT causes variation in luminance of the EL element in the corresponding pixel. Therefore, in
しかし、EL素子の発光効率の低下は、EL素子に用いられる発光材料への依存が大きく、また、同一材料が用いられている場合であっても、表示内容に応じた各画素での駆動条件の違いに応じて異なる。したがって、特許文献1のように複数のダミーEL素子の端子間電圧の平均値に基づいたのでは、個別画素のEL素子の発光効率の低下の程度は知ることができない。また、端子間電圧の平均値に基づいて、全画素に対して一律に駆動電流や電源電圧を調整したのでは却って適切な駆動条件からずれてしまう可能性がある。 However, the decrease in the luminous efficiency of the EL element largely depends on the light emitting material used for the EL element, and even when the same material is used, the driving conditions in each pixel according to the display contents Depending on the difference. Therefore, based on the average value of the inter-terminal voltages of the plurality of dummy EL elements as in Patent Document 1, it is impossible to know the degree of decrease in the light emission efficiency of the EL elements of the individual pixels. Further, if the drive current and the power supply voltage are uniformly adjusted for all the pixels based on the average value of the inter-terminal voltage, there is a possibility that the drive condition is not suitable.
特許文献2のように発光輝度のばらつきに基づいて表示データの値を補正することで画素毎のTFT特性ばらつきを補正するが、発光効率については一定であるとしてTFT特性ばらつきの補正を行っている。
As in
しかし、上述のように発光効率は通電時間の経過につれて変化するため、より長期間、高画質な表示を維持するには、発光効率を考慮する必要がある。また、上記特許文献2では、出荷前に発光輝度を計測して得た補正値を用いるため、後発的な発光効率の低下などに応じた補正をすることはできない。
However, since the light emission efficiency changes as the energization time elapses as described above, it is necessary to consider the light emission efficiency in order to maintain a high-quality display for a longer period. Moreover, in the said
本発明は、EL表示装置における発光効率の変化による焼き付きを抑制することを目的とする。 An object of the present invention is to suppress image sticking due to a change in light emission efficiency in an EL display device.
本発明は、表示部と、前記表示部に供給するデータ信号を処理するためのデータ処理部と、を備えるエレクトロルミネッセンス表示装置であって、前記表示部はマトリクス配置された複数の画素を備え、前記複数の画素のそれぞれは、ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極に接続され前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電圧を検出するための検出用トランジスタと、を備え、前記データ処理部は、各画素に対して検査用データ信号を供給して前記検出用トランジスタを介して得られるアノード電圧と、対応する画素の初期アノード電圧と、に基づき、対応するエレクトロルミネッセンス素子における発光効率の変化に応じて、対応する画素に供給すべきデータ信号を補正するための発光効率補正値を求める。 The present invention is an electroluminescence display device comprising a display unit and a data processing unit for processing a data signal supplied to the display unit, the display unit comprising a plurality of pixels arranged in a matrix, Each of the plurality of pixels is connected to an electroluminescent element having a diode structure, an element driving transistor connected to the electroluminescent element and controlling a current flowing through the electroluminescent element, and an anode electrode of the electroluminescent element A detection transistor for detecting an anode voltage of the electroluminescence element, and the data processing unit supplies an inspection data signal to each pixel and is obtained through the detection transistor Voltage and the initial annotation of the corresponding pixel Based on the de voltage, in accordance with the change in the light emission efficiency of the corresponding electroluminescent element, we obtain the luminous efficiency correction value for correcting the data signal to be supplied to the corresponding pixel.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記検査用データ信号は、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値によって補正されている。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the inspection data signal is corrected by a display unevenness correction value for correcting display unevenness due to characteristic variation of each pixel.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記データ処理部は、通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、前記表示ムラ補正値は、前記エレクトロルミネッセンス素子の画素毎の発光輝度に基づいて対応する画素の特性ばらつきを検出して求められる。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the data processing unit corrects display unevenness due to characteristic variation of each pixel with respect to a data signal supplied to the corresponding pixel during normal display. Correction processing is executed based on the display unevenness correction value and the light emission efficiency correction value, and the display unevenness correction value detects the characteristic variation of the corresponding pixel based on the light emission luminance of each pixel of the electroluminescence element. Is required.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記データ処理部は、通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、前記表示ムラ補正値は、各画素に前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給し、かつ、前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させて、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、該カソード電流の値に基づいて求められる。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the data processing unit corrects display unevenness due to characteristic variation of each pixel with respect to a data signal supplied to the corresponding pixel during normal display. Correction processing is executed by the display unevenness correction value and the light emission efficiency correction value, and the display unevenness correction value supplies each pixel with an on-display signal for inspection with the electroluminescence element as a light emission level, and The device driving transistor is operated in the saturation region of the transistor to detect the cathode current of the electroluminescent device, and is obtained based on the value of the cathode current.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記データ処理部は、通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、前記表示ムラ補正値は、各画素の前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させ、かつ、該画素に、発光レベルとする検査用オン表示信号と、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号と、を供給し、前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、のオンオフ電流差を検出し、前記オンオフ電流差を基準値と比較から求められる。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the data processing unit corrects display unevenness due to characteristic variation of each pixel with respect to a data signal supplied to the corresponding pixel during normal display. Correction processing is executed using the display unevenness correction value and the light emission efficiency correction value, and the display unevenness correction value causes the element driving transistor of each pixel to operate in the saturation region of the transistor and An inspection on-display signal for setting a light emission level, and an inspection off-display signal for setting the electroluminescence element to a non-light emission level, and a cathode current of the electroluminescence element according to the inspection on-display signal; , An on / off current of the electroluminescence element corresponding to the inspection off-display signal Detecting a is determined from comparison with a reference value the OFF current difference.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、前記発光効率補正値は、初期アノード電圧と測定時のアノード電圧とに応じたアノード電圧変化率aと、初期発光効率と前記アノード電圧測定時の発光効率とに応じた発光効率変化率bと、の関係に基づいて、前記アノード電圧変化率aから算出される前記発光効率変化率bを用い、前記データ信号に対し、初期発光効率に相当する発光輝度を得るために必要な修正量として求められる。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the light emission efficiency correction value includes an anode voltage change rate a corresponding to an initial anode voltage and an anode voltage at the time of measurement, an initial light emission efficiency, and the anode voltage measurement. Based on the relationship between the luminous efficiency change rate b in accordance with the luminous efficiency at the time, the luminous efficiency change rate b calculated from the anode voltage change rate a is used to obtain the initial luminous efficiency for the data signal. It is obtained as a correction amount necessary to obtain the corresponding emission luminance.
本発明の他の態様では、上記エレクトロルミネッセンス表示装置において、アノード電圧測定制御部は、前記エレクトロルミネッセンス表示装置の所定電源投入時において、前記検査用データ信号を対応する画素に供給し、前記複数の画素の各検出用トランジスタを制御して、該検査用トランジスタを介して得られるアノード電圧を測定し、前記発光効率補正値は、得られたアノード電圧と、アノード電圧記憶部に予め保持されている初期アノード電圧とに基づいて算出されて、発光効率補正値用記憶部に記憶され、通常表示時に、前記データ処理部は、前記発光効率補正値と、表示ムラ補正値とに基づいて前記各画素に供給するデータ信号に対する補正処理を実行する。 In another aspect of the present invention, in the electroluminescence display device, the anode voltage measurement control unit supplies the inspection data signal to a corresponding pixel when the electroluminescence display device is turned on at a predetermined power supply, and Each detection transistor of the pixel is controlled to measure the anode voltage obtained through the inspection transistor, and the light emission efficiency correction value is stored in advance in the obtained anode voltage and anode voltage storage unit. Calculated based on the initial anode voltage and stored in the light emission efficiency correction value storage unit, and during normal display, the data processing unit is configured to display each pixel based on the light emission efficiency correction value and the display unevenness correction value. Correction processing is performed on the data signal supplied to.
本発明では、画素毎に、検出トランジスタを介してEL素子のアノード電圧を測定し、このアノード電圧に基づいてエレクトロルミネッセンス(EL)素子の発光効率の変化率を求め、発光効率の変化率に応じてデータ信号を補正することができ、画素毎の焼き付き発生を確実に抑制し、表示装置全体として適切な表示を維持する装置寿命を延ばすことができる。 In the present invention, the anode voltage of the EL element is measured for each pixel through the detection transistor, and the change rate of the light emission efficiency of the electroluminescence (EL) element is obtained based on the anode voltage, and the change rate of the light emission efficiency is determined according to the change rate of the light emission efficiency. Thus, the data signal can be corrected, the occurrence of burn-in for each pixel can be reliably suppressed, and the life of the apparatus for maintaining an appropriate display as the entire display apparatus can be extended.
また、EL素子に流れる電流を制御する素駆動トランジスタの閾値ずれ等が発生した場合、EL素子に流れる電流量の相違による表示ムラが発生する可能性があるが、この表示ムラの補正と、上記測定したアノード電圧に基づいた上記発光効率に応じた補正の両方を実行することにより、初期だけでなく長期間に渡って画素毎の表示にばらつきがなく、かつ焼き付きのない高品質の表示を実現することができる。 In addition, when a threshold deviation of the element driving transistor that controls the current flowing through the EL element occurs, display unevenness may occur due to a difference in the amount of current flowing through the EL element. By performing both corrections based on the measured anode voltage in accordance with the luminous efficiency, high-quality display is achieved with no variation in pixel-to-pixel display over the long term as well as the initial period. can do.
さらに、EL素子のカソード電流に基づいて補正する構成を表示装置内に内蔵すれば、例えば素子駆動トランジスタなどの後発的な特性変動に起因した表示ばらつきを、随時補正することが可能となる。 Furthermore, if a configuration for correcting based on the cathode current of the EL element is built in the display device, it is possible to correct display variations due to subsequent characteristic fluctuations such as an element driving transistor as needed.
アノード電圧測定を表示装置の電源投入時に実行すれば、通常表示時に測定する必要がなく、また、測定時間に余裕を持つことができる。 If the anode voltage measurement is performed when the display device is turned on, it is not necessary to perform the measurement at the normal display time, and the measurement time can be afforded.
以下、図面を用いてこの発明の最良の実施の形態(以下、実施形態という)について説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The best embodiment of the present invention (hereinafter referred to as an embodiment) will be described below with reference to the drawings.
本実施形態において、表示装置は、具体的にはアクティブマトリクス型の有機EL表示装置であり、複数の画素を備える表示部がELパネル100に形成されている。図1は、この実施形態に係るアクティブマトリクス型EL表示装置の等価回路の一例を示す図である。ELパネル100の表示部には、マトリクス状に複数の画素が配置され、マトリクスの水平(H)走査方向(行方向)には、順次選択信号が出力される選択ライン(ゲートラインGL)10と、保持容量Csの電極の電位を制御するための容量制御ライン14(SC)と、EL素子18のアノード電圧の検出を制御する検出制御ライン22(SG)とが設けられている。垂直(V)走査方向(列方向)には、データ信号(Vsig)が出力されるデータライン12(DL)と、被駆動素子である有機EL素子(以下、単に「EL素子」という)18に、駆動電源PVDDを供給するための電源ライン16(VL)、さらにEL素子18のアノード電圧を検出するためのアノード電圧検出ライン20(SL)が形成されている。
In the present embodiment, the display device is specifically an active matrix organic EL display device, and a display unit including a plurality of pixels is formed on the
各画素は、概ねこれらのラインによって区画される領域に設けられており、各画素は、被駆動素子としてEL素子18を備え、また、nチャネルのTFTより構成された選択トランジスタTr1(以下、「選択Tr1」)、保持容量Cs、pチャネルのTFTより構成された素子駆動トランジスタTr2(以下、「素子駆動Tr2」)、さらに、アノード電圧検出用トランジスタ(以下、「検出Tr3」を備える。
Each pixel is provided in a region roughly divided by these lines. Each pixel includes an
選択Tr1は、そのドレインが垂直走査方向に並ぶ各画素にデータ電圧(Vsig)を供給するデータライン12(DL)に接続され、ゲートが1水平走査ライン上に並ぶ画素を選択するためのゲートライン10(GL)に接続され、そのソースは素子駆動Tr2のゲートに接続されている。 The selection Tr1 is connected to the data line 12 (DL) for supplying the data voltage (Vsig) to the pixels whose drains are arranged in the vertical scanning direction, and the gate line for selecting the pixels whose gates are arranged on one horizontal scanning line. 10 (GL), and its source is connected to the gate of the element drive Tr2.
素子駆動Tr2のソースは電源ライン16(VL)に接続され、ドレインはEL素子18のアノードに接続されている。EL素子のカソードは各画素共通で形成され、カソード電源CVに接続されている。
The element drive Tr2 has a source connected to the power supply line 16 (VL) and a drain connected to the anode of the
EL素子18は、ダイオード構造で下部電極と上部電極の間に発光素子層を備える。発光素子層は、例えば少なくとも有機発光材料を含む発光層を備え、発光素子層に用いる材料特性などにより、単層構造や、2層、3層あるいは4層以上の多層構造を採用することができる。本実施形態では、下部電極が画素毎に個別形状にパターニングされ上記アノードとして機能し、素子駆動Tr2に接続されている。また、上部電極が複数の画素に共通でカソードとして機能する。
The
さらに、EL素子18のアノード電極とアノード電圧検出ライン20との間には、検出Tr3のソース・ドレインが接続され、この検出Tr3のゲートは、検出制御ライン22(SG)に接続されている。
Furthermore, the source / drain of the detection Tr3 is connected between the anode electrode of the
画素毎に上記のような回路構成を備えるアクティブマトリクス型EL表示装置において、EL素子に採用する有機発光材料などがEL素子の駆動時間の経過に応じて劣化するとEL素子の初期状態では同一であった発光効率の変化率(変化量)が、画素毎に異なってくることがある。例えば、R,G,B毎にEL素子に異なる有機発光材料を用いた場合には、材料に応じて劣化の速度が異なり、発光効率の経時的な変化率に差が生ずる。また、R,G,Bの画素に白色発光材料等共通の材料を用いた場合であっても、例えば静止画表示が続いたり、特定の色の画素のみが集中的に駆動されるなど、表示内容等に応じて画素毎の変化が発生する。発光効率の変化はこれを直接測定することは難しいが、図2に示すように、EL素子のアノード電圧と発光効率とは一定の割合で変化していく。具体的には、初期アノード電圧をVano0、初期発光効率をη0とすると、EL素子の駆動時間の経過に従って、発光効率は低下し、逆にアノード電圧は上昇していく。この発光効率の低下と、アノード電圧の上昇とは、下記式(i)で示されるような一定の関係がある。 In an active matrix EL display device having a circuit configuration as described above for each pixel, when the organic light emitting material used for the EL element deteriorates with the passage of the driving time of the EL element, the initial state of the EL element is the same. The change rate (change amount) of the luminous efficiency may vary from pixel to pixel. For example, when different organic light-emitting materials are used for the EL elements for each of R, G, and B, the rate of deterioration differs depending on the material, and there is a difference in the rate of change in light emission efficiency over time. Even when a common material such as a white light emitting material is used for the R, G, and B pixels, for example, a still image display continues, or only a specific color pixel is driven intensively. A change for each pixel occurs depending on the contents and the like. Although it is difficult to directly measure the change in the luminous efficiency, as shown in FIG. 2, the anode voltage of the EL element and the luminous efficiency change at a constant rate. Specifically, if the initial anode voltage is Vano0 and the initial light emission efficiency is η0, the light emission efficiency decreases as the EL element drive time elapses, and the anode voltage increases. The decrease in luminous efficiency and the increase in anode voltage have a certain relationship as shown by the following formula (i).
そこで、本実施形態では、上述のように各画素にアノード電圧を検出するための検出用Tr3を設け、表示装置の出荷後の所定タイミングにおいて、検出用Tr3を介して対応するEL素子18のアノード電圧を測定し、EL素子における発光効率の変化に応じて、対応する画素に供給すべきデータ信号を補正するための発光効率補正値を求める。
Therefore, in the present embodiment, as described above, each pixel is provided with the detection Tr3 for detecting the anode voltage, and the anode of the
図2に示すように、アノード電圧変化率aは、a=Vano1/Vano0で示され、発光効率変化率bは、b=η1/η0で示される。初期アノード電圧Vano0に対し、所定のアノード電圧測定時(所定の劣化タイミング)におけるアノード電圧はVano1であり、初期発光効率η0に対し、アノード電圧測定時の発光効率はη1である。このaと、bとの関係は、下記式(i)
b=a*k ・・・(i)
に満たす比例関係である。なお、式中、kは、有機EL素子の材料に固有の値である。
As shown in FIG. 2, the anode voltage change rate a is indicated by a = Vano1 / Vano0, and the luminous efficiency change rate b is indicated by b = η1 / η0. With respect to the initial anode voltage Vano0, the anode voltage when measuring a predetermined anode voltage (predetermined deterioration timing) is Vano1, and with respect to the initial luminous efficiency η0, the luminous efficiency when measuring the anode voltage is η1. The relationship between a and b is given by the following formula (i)
b = a * k (i)
It is a proportional relationship that satisfies In the formula, k is a value specific to the material of the organic EL element.
EL素子の初期輝度をL0、上記アノード電圧測定時(所定の劣化タイミング)における輝度L1で表すと、各輝度は式(ii)、式(iii)で表現される。
L0=η0*Ioled
=η0*β(Vg1−Vth)2 ・・・(ii)
L1=η1*Ioled
=η1*β(Vg1−Vth)2 ・・・(iii)
上記式(2)、(3)において、βは、各画素において、Pch型TFTで構成された素子駆動Tr2の特性パラメータであり、下式(iv)
β=(1/2)*μ*(W/L)*Cox ・・・(iv)
で示される。なお、Coxは、この素子駆動Tr2のゲート容量である。
When the initial luminance of the EL element is represented by L0 and the luminance L1 at the time of the anode voltage measurement (predetermined deterioration timing), each luminance is represented by Expression (ii) and Expression (iii).
L0 = η0 * Ioled
= Η0 * β (Vg1−Vth) 2 (ii)
L1 = η1 * Ioled
= Η1 * β (Vg1−Vth) 2 (iii)
In the above formulas (2) and (3), β is a characteristic parameter of the element drive Tr2 composed of the Pch type TFT in each pixel, and the following formula (iv)
β = (1/2) * μ * (W / L) * C ox (iv)
Indicated by Note that C ox is the gate capacitance of this element driving Tr2.
また、式(ii)、(iii)において、Vthは、Pch型TFTで構成された素子駆動Tr2の動作閾値であり、Vgは、センシングに用いるデータに相当したゲートソース電圧Vgsである。 In the expressions (ii) and (iii), Vth is an operation threshold value of the element drive Tr2 formed of a Pch TFT, and Vg is a gate source voltage Vgs corresponding to data used for sensing.
劣化後初期の輝度に戻すために必要な電圧修正量をVaとすると、
L0=η1*β((Vg1+Va)−Vth)2 ・・・(v)
となる。さらに、式(i)=式(v)であるから、
b=η0/η1
={(Vg1+Va)−Vth}2/(Vg1−Vth)2 ・・・(vi)
(1/b)1/2=(Va+Vg1−Vth)/(Vg1−Vth) ・・・(vii)
Va=(1/(b1/2)−1)(Vg1−Vth) ・・・(viii)
上記(viii)式に(i)式を代入すると、下記式(ix)
Va=(1/((a*k)1/2)−1)(Vg1−Vth) ・・・(ix)
が得られ、アノード電圧の測定値(正確にはアノード電圧変化率a)から所望の電圧修正量、即ち発光効率補正値を算出することができる。
If the voltage correction amount required to return to the initial luminance after deterioration is Va,
L0 = η1 * β ((Vg1 + Va) −Vth) 2 (v)
It becomes. Furthermore, since formula (i) = formula (v),
b = η0 / η1
= {(Vg1 + Va) −Vth} 2 / (Vg1−Vth) 2 (vi)
(1 / b) 1/2 = (Va + Vg1-Vth) / (Vg1-Vth) (vii)
Va = (1 / (b 1/2 ) −1) (Vg1−Vth) (viii)
Substituting equation (i) into equation (viii) above, the following equation (ix)
Va = (1 / ((a * k) 1/2 ) -1) (Vg1-Vth) (ix)
Thus, a desired voltage correction amount, that is, a light emission efficiency correction value can be calculated from the measured value of the anode voltage (more precisely, the anode voltage change rate a).
アノード電圧の測定は、図3に示す例では、測定時に全画素をオンさせるため、全てのゲートライン(ここでは、GL1〜GL480)に選択Tr1をオンさせる選択信号を出力する。このとき全データラインDLには所定の検査用データ信号を出力する。さらに、検査対象となる行の検出制御ラインSGに、検査用Tr3を選択するための検査用選択信号を順次出力していく。全画素において、選択Tr1がオンして検査用データ信号が保持容量Csに保持され、素子駆動Tr2が、この検査用データ信号に応じて動作し、電源PVDDからEL素子18のアノード電極に検査用データ信号に応じた電流が流れている。この状態で測定対象となる行の検査用Tr3がオンすることで、対応するアノード電圧検出ライン20には、EL素子18のアノード電圧信号が出力される。
In the example shown in FIG. 3, the anode voltage is measured by outputting a selection signal for turning on the selection Tr1 to all the gate lines (here, GL1 to GL480) in order to turn on all pixels at the time of measurement. At this time, a predetermined inspection data signal is output to all the data lines DL. Further, an inspection selection signal for selecting the inspection Tr3 is sequentially output to the detection control line SG of the row to be inspected. In all the pixels, the selection Tr1 is turned on and the inspection data signal is held in the holding capacitor Cs, and the element driving Tr2 operates according to the inspection data signal, and the inspection drive is performed from the power supply PVDD to the anode electrode of the
ここで、通常表示時には、パネル100の各データラインDLには、図4の表示装置構成図に示すよう、表示装置用の駆動装置(IC)200から、デジタルアナログ変換部(DAC)222によってアナログ信号に変換された表示データ信号が出力される。このデータラインDLには、それぞれ、データライン用スイッチDSWが設けられている。上記通常表示時には、スイッチDSWはDAC222の出力端に接続されているが、アノード電圧測定時には、アノード電圧の検査用データ信号出力端に接続される。この検査用データ信号出力端は、この例では、全データラインDLに対して共通の電源412(Vref)が接続されている。即ち、図4の例では検査用データ信号として、全画素共通の電源Vrefを用いている。なお電源Vrefは、詳しくは後述するが、素子駆動Tr2を飽和領域で動作させるために必要な所望の電圧値とする。各データラインDLに対し、以上のように検査用データ信号が出力され、検査用選択信号が出力された行の各画素からは、アノード電圧検出ライン20を介してアノード電圧信号が出力され、このアノード電圧信号は、順次アナログデジタル変換部(ADC)420においてデジタル信号に変換され、アノード電圧値が検出される。
Here, at the time of normal display, each data line DL of the
なお、この検査用の共通電源412を設けない場合には、スイッチDSWは省略することができ、その代わりDAC222から各データラインDLに対して検査用データ信号を出力する。後述するように、画素毎に個別の補正が施された検査用データ信号を供給する場合には、DAC222から順次出力する。この場合、図3の例では、アノード電圧測定時において、全画素をオンさせたて検査対象行のアノード電圧を測定しているが、通常表示時と同様に、行毎に画素をオン動作させ、各データラインDLに検査用データ信号を出力しアノード電圧測定を実行してもよい。
When the
各アノード電圧検出ライン20とADC420との間には、複数のアノード電圧検出ライン20からのアノード電圧信号を選択的にADC420に供給するための切替スイッチSWが設けられており、1つのスイッチSWにより、隣接するR,G,Bの3列が順番に切り替えられてADC420に接続される。
Between each anode
スイッチSWは、R,G,B毎に1つ設けられており、図4に示すように奇数番目のR,G,Bの組のアノード電圧検出ライン20をSL1、偶数番目のR,G,Bの組のアノード電圧検出ライン20をSL2とすると、スイッチSWの切替により、図3に示すようにSL1R、SL1G、SL1B、SL2R、SL2G、SL2Bが順に選択され、ADC420には、対応するアノード電圧信号が供給される。また、SL1Rの選択期間については、図3において拡大して示すように、さらに、SL1R,SL3R,SL5R・・・SL639Rと、6列おきに選択されていく。
One switch SW is provided for each of R, G, and B. As shown in FIG. 4, the odd-numbered R, G, and B sets of anode
スイッチSWの切替方法は、上記の例には限られないが、以上のようにスイッチSWを順次切替え制御することで、単一のADC420を用いた場合でも、短時間に確実に全列のアノード電圧信号を得ることができる。ADCの動作周波数が1MHzであるとして、VGAのパネルの場合、(640×480×3)/106=0.46secで全画素についてのアノード電圧信号のデジタル変換処理を実行することができる。よって、例えば表示装置の電源投入時にこのアノード電圧検出を実行すれば、約0.5sec以内で全画素のアノード電圧の読み込み、得られたアノード電圧に基づいて、上述のような演算を実行することで各画素についての発光効率補正値作成を行うことができる。なお、得られた発光効率補正値は、少なくとも装置電源がオフされるまでの期間、メモリに記憶しておき、表示部を通常動作させて表示を実行する際、各画素に供給するデータ信号の補正に用いる。
The switching method of the switches SW is not limited to the above example, but by sequentially controlling the switching of the switches SW as described above, even when a
なお、アノード電圧の測定は、電源投入時に実行することには限定されず、例えば通常表示中の垂直、水平走査期間中に、数行ごとに分けて実行しても良い。 The measurement of the anode voltage is not limited to being performed when the power is turned on. For example, the anode voltage may be divided into several lines during vertical and horizontal scanning periods during normal display.
次に、表示パネル100と、パネル駆動部200との接続部の構成例を図5を参照して説明する。図5では、パネル駆動部200において、データラインDLに対し、通常表示時のデータ信号を供給するための出力端子と、アノード電圧検出ラインSLからのアノード検出信号をADC420に供給するための入力端子パッドとに共通の端子パッド402が用いられている。また、図4に示したように、アノード電圧検出時に全データラインDLに共通の検査用データ信号を出力するための端子パッド404は、上記共通の端子バッド402とは別に設けられ、端子パッド404には電源412が接続されている。またパネル100側では、この共通の電源412に対し端子404に対して、データライン用スイッチDSWが設けられている。
Next, a configuration example of a connection unit between the
端子パッド402をデータ信号の出力端子として用いるか、アノード電圧入力端子として用いるかの切替は、データ信号を出力するDAC222からの出力経路と、ADC420への入力経路とを切り替えるためのスイッチ406によって切り替えられている。このスイッチ406は、各端子パッド402にそれぞれ対応して設けられており、ADC420側に接続されているときは、この端子パッド402にスイッチSWを介して接続されているアノード電圧検出ラインSLからのアノード電圧信号がADC420に供給される。スイッチ406がDAC222の出力側に接続されている時は、DAC222の各出力段から対応するデータラインDLに対してデータ信号が供給される。なお、図5において、スイッチ406がADC420側に切り替わり、アノード電圧検出モードの時には、DAC222の出力部は、ハイインピーダンス(HiZ)に設定され、DAC222へのノイズ重畳を防止している。
Switching between using the
ここで、上記図3の駆動波形では、アノード電圧検出時には、全画素をオンさせた状態で実行しており、このような駆動を行う場合には、画素を選択するゲートラインGLと、検出用Tr3を選択するための検出制御ラインSGとは、図1に示すようにそれぞれ独立して設ける。また、アノード電圧検出時において、行毎に画素を選択する場合には、図1のゲートラインGLと検出制御ラインSGとは兼用させることができる。つまり、同一の選択信号によって画素を選択すると共に、検出用Tr3を選択してアノード電圧を検出することができる。なお、ゲートラインGLと検出制御ラインSGを共通化する場合には、上記図5のように入出力端子402を共用させず、それぞれ専用に形成してもよい。
Here, in the drive waveform of FIG. 3, when the anode voltage is detected, all the pixels are turned on. When such drive is performed, the gate line GL for selecting the pixels and the detection line are detected. The detection control line SG for selecting Tr3 is provided independently as shown in FIG. When the anode voltage is detected, when selecting a pixel for each row, the gate line GL and the detection control line SG in FIG. 1 can be used in common. That is, the pixel can be selected by the same selection signal, and the detection Tr3 can be selected to detect the anode voltage. When the gate line GL and the detection control line SG are shared, the input /
次に、各画素に供給するデータ信号に対する発光効率の補正と、表示ムラの補正との関係について、図6及び図7を参照して説明する。 Next, the relationship between the correction of the light emission efficiency with respect to the data signal supplied to each pixel and the correction of display unevenness will be described with reference to FIGS.
アクティブマトリクス型EL表示装置において、各画素の素子駆動Tr2の動作しきい値Vthがばらつくと、同一のデータ信号を各画素に供給しても、EL素子には駆動電源PVDDから同一の電流が供給されない。このような画素の特性ばらつきは、輝度ばらつき(表示ばらつき)、即ち表示ムラの原因となる。上述のように長期間にわたって、各画素における表示のばらつきを防止するには、上述のように発光効率に応じた補正だけでなく、この特性ばらつきを補正することが好適である。 In the active matrix EL display device, if the operation threshold value Vth of the element drive Tr2 of each pixel varies, even if the same data signal is supplied to each pixel, the same current is supplied to the EL element from the drive power supply PVDD. Not. Such pixel characteristic variations cause luminance variations (display variations), that is, display unevenness. In order to prevent display variation in each pixel over a long period as described above, it is preferable to correct not only the correction according to the light emission efficiency as described above but also the characteristic variation.
特性ばらつきに起因した輝度ばらつきは、上述の特許文献2のように全画素のEL素子を発光させ、これをカメラで撮像して求めることができる。また後述するように、各画素を選択してEL素子に電流Ioledを流し、カソード電流を順次検出することによっても求めることができる。このようにして得られた画素毎の輝度ばらつきから、各画素についての表示ムラ補正値を作成し、データ信号に対する補正(二次元補正)を行って図7に示すようにEL素子に流れる電流量Ioledの調整を行い、さらにアノード電圧検出から発光効率に応じた補正をすれば、初期特性のばらつきも、経時的な変化も補正することができる。
The luminance variation caused by the characteristic variation can be obtained by causing the EL elements of all the pixels to emit light and imaging with a camera as in the above-mentioned
上記カメラで撮像することによって特性ばらつきを検出する方法は、表示装置の出荷前に実行する。検出した輝度から求めたばらつきを補正するための二次元補正データは、後述する図8の記憶部500に予め記憶しておく。また、カソード電流の検出によって特性ばらつきを検出する方法は、出荷前に実行して、図8の記憶部500に記憶しておいても良いし、後述する図9に示すように駆動回路200内に二次元ばらつき検出部300を設けることで、装置の出荷後、リアルタイムでばらつきを測定し、補正することもできる。
The method of detecting characteristic variation by imaging with the camera is executed before the display device is shipped. Two-dimensional correction data for correcting variation obtained from the detected luminance is stored in advance in the
素子駆動Tr2の動作しきい値Vthのばらつきが生じた場合、図6(a)の等価回路に示す素子駆動Tr2のゲートソース電圧Vgsに対し、EL素子に流れる電流Ioledと、この電流によって生ずる電圧Voledとは、図6(b)のような関係になる。図6(b)は、素子駆動Tr2及びEL素子のVds−ids(Voled−Ioled)特性を示している(図6(c)、(d)も同様)。 When variation in the operation threshold value Vth of the element drive Tr2 occurs, the current Ioled flowing through the EL element and the voltage generated by this current with respect to the gate source voltage Vgs of the element drive Tr2 shown in the equivalent circuit of FIG. Voled has a relationship as shown in FIG. FIG. 6B shows the Vds-ids (Voled-Ioled) characteristics of the element drive Tr2 and the EL element (the same applies to FIGS. 6C and 6D).
素子駆動Tr2の動作しきい値Vthがばらついた場合、素子駆動Tr2のドレイン側に正常よりも大きな抵抗又は小さな抵抗が接続されたこと見なすことができる。EL素子の電流電圧特性は正常画素と変わらないが、素子駆動Tr2への印加電圧がVgs−Vth<Vdsを満たし、素子駆動Tr2が飽和領域で動作領域(通常表示動作におけるTr2の動作領域)では、図6(b)に示すように、Vthが標準(Vth0)より小さい場合、Ioledは標準よりも多く、発光輝度は高くなる。逆に、図示しないが、Vthが標準Vth0より高い場合には、Ioledは、標準よりも少なくなり、この画素の発光輝度は、標準の発光輝度よりも低くなる。 When the operation threshold value Vth of the element drive Tr2 varies, it can be considered that a resistance larger or smaller than normal is connected to the drain side of the element drive Tr2. Although the current-voltage characteristics of the EL element are not different from those of a normal pixel, the voltage applied to the element drive Tr2 satisfies Vgs−Vth <Vds, and the element drive Tr2 is in a saturation region and in an operation region (operation region of Tr2 in a normal display operation). As shown in FIG. 6B, when Vth is smaller than the standard (Vth0), Ioled is larger than the standard, and the light emission luminance is high. Conversely, although not shown, when Vth is higher than the standard Vth0, Ioled is less than the standard, and the light emission luminance of this pixel is lower than the standard light emission luminance.
従って、素子駆動Tr2を飽和領域で動作させて表示ばらつき検査用の信号を供給し、発光輝度を観察するかEL電流Ioledに対応するカソード電流Icvを測定することで、各画素に供給するデータ信号の表示ムラ補正値を求めることができる。図6(b)のように、素子駆動Tr2のVth(|Vth|)が標準より小さい場合、|Vth|の基準に対するずれに応じてデータ信号の絶対値|Vsig|を小さくする。この補正は、図7(a)に示すようにEL素子のVI特性を平行移動(シフト)させることに相当する。但し、図7(b)に示すようにシフトさせただけでは、基準のEL素子のVI特性と傾きが異なるため、データ信号Vsigに応じて傾きを合わせるための演算をすることで、正確な表示ムラ補正が行われる。 Therefore, the data signal supplied to each pixel is operated by operating the element driving Tr2 in the saturation region to supply a display variation inspection signal and observing the light emission luminance or measuring the cathode current Icv corresponding to the EL current Ioled. The display unevenness correction value can be obtained. As shown in FIG. 6B, when the Vth (| Vth |) of the element drive Tr2 is smaller than the standard, the absolute value | Vsig | of the data signal is decreased according to the deviation of the | Vth | This correction corresponds to translating (shifting) the VI characteristic of the EL element as shown in FIG. However, since the inclination and the VI characteristic of the reference EL element are different only by shifting as shown in FIG. 7B, an accurate display is obtained by performing an operation for adjusting the inclination according to the data signal Vsig. Unevenness correction is performed.
以上のようにして表示ムラ補正を行った場合にも、駆動時間の経過によりEL素子の発光効率が低下すると、図6(c)に示すように、EL素子のVI特性が変化して傾きが小さくなり、その結果Voled、即ち、アノード電圧が上昇する。そこで、本実施形態では、図6(d)のように、発光効率の低下を補うようにVsigを調整して電流量を上昇させる。 Even when the display unevenness correction is performed as described above, if the light emitting efficiency of the EL element decreases with the lapse of the driving time, the VI characteristic of the EL element changes and the inclination is decreased as shown in FIG. As a result, Voled, that is, the anode voltage increases. Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 6D, the amount of current is increased by adjusting Vsig so as to compensate for the decrease in light emission efficiency.
なお、以上の画素回路では、素子駆動トランジスタとして、pチャネルのTFTを採用したが、nチャネルのTFTを用いてもよい。さらに、以上の画素回路では、1画素について、トランジスタとして、選択トランジスタと駆動トランジスタの2つのトランジスタを備える構成を採用した例を説明したが、トランジスタが2つのタイプ及び上記回路構成には限られない。また、以上の説明では、発光効率の変化を測定するためにEL素子のアノード電圧を検出しているが、カソード電圧を測定して発光効率の変化を測定しても良い。カソード電流を測定して特性ばらつき(Vthシフト)を検出しているが、アノード電流を測定して検出しても良い。例えば、EL素子の各画素に個別の電極をアノード電極とし、共通電極をカソード電極とする構成に代えて、個別の電極をカソード電極、共通電極をアノード電極とする場合、上記のように、カソード電圧から発光効率の変化、アノード電流から特性ばらつきを求めることができる。言い換えると、EL素子の個別電極の電圧から発光効率の変化に応じた補正値を求めてもよく。なお、この場合に、共通電極の電流から素子駆動トランジスタの閾値ばらつきに応じた補正値を求めても良い。 In the pixel circuit described above, a p-channel TFT is used as the element driving transistor, but an n-channel TFT may be used. Further, in the above pixel circuit, an example in which a configuration including two transistors, that is, a selection transistor and a drive transistor, is employed as a transistor for one pixel has been described. However, the transistors are not limited to the two types and the circuit configuration described above. . In the above description, the anode voltage of the EL element is detected in order to measure the change in luminous efficiency. However, the change in luminous efficiency may be measured by measuring the cathode voltage. Although the characteristic variation (Vth shift) is detected by measuring the cathode current, the anode current may be measured and detected. For example, when the individual electrode is used as the cathode electrode and the common electrode is used as the anode electrode instead of the configuration in which the individual electrode is used as the anode electrode and the common electrode is used as the cathode electrode for each pixel of the EL element, It is possible to obtain a change in luminous efficiency from the voltage and a characteristic variation from the anode current. In other words, a correction value corresponding to a change in light emission efficiency may be obtained from the voltage of the individual electrode of the EL element. In this case, a correction value corresponding to the threshold variation of the element driving transistor may be obtained from the current of the common electrode.
図8は、予め記憶した各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、随時求める発光効率補正値の両方を用いた補正処理を実行するEL表示装置のデータ処理部の概略構成を示している。EEPROMなどが採用可能な記憶部450には、予め求めた二次元補正データ(表示ムラ補正値)が格納されており、この表示ムラ補正値は補正演算部250に出力される。
FIG. 8 shows data processing of an EL display device that performs correction processing using both display unevenness correction values for correcting display unevenness caused by characteristic variations of pixels stored in advance and light emission efficiency correction values that are obtained as needed. The schematic structure of a part is shown. The
上述のようにアノード電圧検出ラインからスイッチSWを介して順次ADC420に供給されるアノード電圧信号Vano1は、ADC420でデジタル変換されて発光効率補正値作成部440に出力される。発光効率補正値作成部440は、このアノード電圧Vano1と、EEPROMなどを採用可能な記憶部430に予め(出荷前に)記憶されている初期アノード電圧Vano0に基づいて、上述の演算を実行し、発光効率補正値を求め、補正演算部250に出力する。なお、初期アノード電圧Vano0が、全ての画素のEL素子で同じ場合、上記記憶部430には、画素毎ではなく、全画素共通の初期アノード電圧Vano0のみを記憶しておいても良い。
As described above, the anode voltage signal Vano1 sequentially supplied from the anode voltage detection line to the
信号処理部230は、外部からのカラー映像信号をELパネル100での表示に適した表示信号にするための信号処理回路である。そのシリアル・パラレル変換部232は、外部から供給される映像信号をパラレルデータに変換し、得られたパラレル映像信号は、マトリクス変換部236に供給される。マトリクス変換部236において、外部から供給される映像信号がYUV形式の場合には、ELパネルの表示する色調に応じたオフセット処理が行われる。なお、Yは輝度信号、Uは輝度信号と青色成分の差、Vは輝度信号と赤色成分の差であり、YUV形式は、この3つの情報で色を表している。また、マトリクス変換部236は、パラレル映像信号をこのELパネル100に適した形式への間引きなどの変換処理を行う。また、併せて、色空間補正、ブライト・コントラスト補正なども実行する。さらにガンマ値設定部238が、マトリクス変換部236からの映像信号に対し、ELパネル100に応じたγ値の設定(ガンマ補正)を行い、ガンマ補正後の映像信号が表示データ信号として上記補正演算部250に供給される。
The
補正演算部250は、発光効率補正値と、表示ムラ補正値の両方を用い、各画素に供給するための表示データ信号を補正する。
The
以上のようにして補正が施された映像信号は、デジタルアナログ(DA)変換部260に供給され、ここで各画素に供給するためのアナログデータ信号に変換される。このアナログデータ信号は、表示部の対応するデータライン12に出力すべきデータであり、パネル100に設けられたビデオ線に出力され、Vドライバ220Vの制御に従って対応するデータライン12に供給される。なお、補正演算部250は、信号処理部230から供給されるデータ信号から消費電力を推測し、ELパネル100のピーク電流を最適制御するためのACL信号を発生し、DA変換部260に供給している。これにより、パネル100での過大な消費電流の発生が抑制される。
The video signal corrected as described above is supplied to a digital-analog (DA)
なお、図示しないが、上述のように、一例として表示装置の電源投入時に求められる発光効率補正値は、EEPROMなどの記憶部に記憶し、通常表示動作時においては、この記憶部から処理対象となる画素アドレスに応じて発光効率補正値を読み出し、補正演算部250に供給することが好適である。
Although not shown, as described above, the luminous efficiency correction value obtained when the display device is turned on as an example is stored in a storage unit such as an EEPROM, and during normal display operation, the processing target is stored in the storage unit. It is preferable to read out the light emission efficiency correction value according to the pixel address and supply it to the
ここで、発光効率をより正確に測定する観点からは、アノード電圧測定時に、各画素に供給する検査用データ信号について、二次元補正を施しておくことが好適である。検査用データ信号について二次元補正をする場合においても、検査用データ信号に対して、図8に示す記憶部450から対応する画素の二次元補正データを読み出し、補正演算部250が補正し、これをパネルの表示部に出力する。そして、得られるアノード電圧信号に基づいて発光効率補正値を求めればよい。なお、検査用データ信号に二次元補正を実行すると、画素毎に検査用データ信号が異なるため、アノード電圧測定時において、データラインDLに全画素に対して共通の検査用データ信号を供給することはできない。表示ムラの影響が小さく、或いは、装置構成の簡略化が要求される用途(両方の場合も含め)においては、二次元補正を実行せず、上述の図4、図5のように共通の検査用データ信号を各画素に供給してアノード電圧測定を実行する。
Here, from the viewpoint of more accurately measuring the light emission efficiency, it is preferable to perform two-dimensional correction on the inspection data signal supplied to each pixel during the anode voltage measurement. Even when two-dimensional correction is performed on the inspection data signal, the two-dimensional correction data of the corresponding pixel is read from the
図9は、カソード電流の検出及びアノード電圧の検出をリアルタイムで実行するエレクトロルミネッセンス表示装置の全体的な構成の一例を示している。この表示装置は、上述のような画素を備える表示部が形成されたELパネル100と、表示部での表示及び動作を制御する駆動部200を備え、駆動部200は、概略して、表示制御部210と、ばらつき検出部300、発光効率変化検出部400を備える。なお、カソード電流の検出については、以下の説明と同様の処理を装置出荷前に実行し、図8に示すような記憶部450に記憶しておいても良い。
FIG. 9 shows an example of the overall configuration of an electroluminescence display device that executes cathode current detection and anode voltage detection in real time. The display device includes an
表示制御部210は、信号処理部230、ばらつき補正部250、タイミング信号作成(T/C)部240、ドライバ220等を有する。
The
信号処理部230は、上記図8に示すような構成を備え、外部からのカラー映像信号をELパネル100における表示に適した表示データ信号を作成し、タイミング信号作成部240は、外部から供給されるドットクロック(DOTCLK)、同期信号(Hsync、Vsync)などに基づいて、H方向、V方向のクロックCKH、CKV、水平、垂直スタート信号STH、STV等、表示部で必要な各種タイミング信号を作成する。補正演算部250は、ばらつき検出部300から供給される二次元補正データと、発光効率変化検出部400から供給される発光効率補正値とを利用して映像信号を駆動対象であるELパネルの特性に合わせて補正する。
The
ドライバ220は、タイミング信号作成部240から得られる各種タイミング信号に基づいてELパネル100をH方向、V方向に駆動する信号を作成して画素に供給するとともに、ばらつき補正部250から供給される補正後の映像信号を対応する各画素にデータ信号(Vsig)として供給する。なお、ドライバ220は、図1に例示するように表示部のH(行)方向の駆動を制御するHドライバ220H及びV(列)方向の駆動を制御するVドライバ220Vを備える。図1に示すように、このHドライバ220H及びVドライバ220Vは、ELパネル100の表示領域の周辺に、図1の画素回路と同様にパネル基板上に内蔵させることもできるし、ELパネル100とは別に駆動部200と一緒又は別の集積回路(IC)によって構成することも可能である。
The
ばらつき検出部300は、ELパネル100の通常使用環境下におけるブランキング期間に表示ばらつきを検出して補正値を得るための動作をしており、図9の例では、ばらつき検査を制御する検査制御部310、検査用信号を発生しELパネルの検査行の画素に供給するための検査用信号発生回路320、上記検査用信号を供給した際にカソード電極から得られるカソード電流を検出するカソード電流検出部330、カソード電流検出結果を記憶するメモリ340、検出されたカソード電流に基づいて補正データを作成する補正データ作成部350等を備える。また、検査時において、検査行の画素を選択し、検査するために必要な選択信号の作成や、後述するような所定ラインの電位制御のための制御信号発生回路は、ドライバ220内に組み込んで検査制御部310の制御に応じて実行させることができる。なお、この構成は、専用の検査用の制御信号発生回路によって実行しても良いし、検査制御部310が実行しても良い。
The
発光効率変化検出部400は、アノード電圧検査を実行して発光効率補正値を求めるための動作をしており、アノード電圧検査制御部410、アノード電圧検出部420、初期アノード電圧メモリ430、発光効率補正値作成部440を有する。アノード電圧検査制御部410は、検査時に、例えばドライバ220等に対して、各画素を選択して検査用データ信号を供給し、かつ、アノード電圧を得るために必要な制御信号を発生する。アノード電圧検出部420は、図8に示すようにスイッチSWを介して各アノード電圧検出ライン20に接続されたADCを備え、各ライン20から得られるアノード電圧Vano1をデジタル信号に変換して発光効率補正値作成部440に供給する。発光効率補正値作成部440では、上記図8についての説明と同様に、メモリ430から読み出す初期アノード電圧と、測定したアノード電圧Vano1とに基づいて、補正値を作成し、補正演算部250に供給する。
The light emission efficiency
カソード電流の検出部330は、カソード電極端子Tcvから得られるカソード電流Icvを随時デジタル信号に変換するADCを備えている。カソード電流の検出処理は、映像信号の1ブランキング期間中において、表示部の所定の1行を検査行として選択し、対応する画素に検査用信号を供給し、その画素のEL素子のカソード電極からカソード端子に流れ出るカソード電流Icvを検出する。ブランキング期間は、垂直ブランキング期間又は水平ブランキング期間である。カソード電流検出のための駆動方式としては、以下のような方式が採用可能である。
The cathode
(駆動方式1)カソード電極が全画素共通の共通電極で、水平ブランキング期間中にカソード電流検出を実行する場合
y行x列マトリクスのELパネル100に対し、1水平ブランキング期間に所定の1検査行(n行目)を選択し、かつ所定の1列(k列目)の画素に検査用信号を供給してそのときのカソード電流を検出する。この作業を順次選択行を変更して繰り返すことで1フレーム(1垂直(V)走査)期間でk列目の全画素についてのカソード電流検出を実行することができる。この処理を全列に対して実行することで、ELパネル100の全画素に対する検出処理が完了する。ELパネル100がVGA型のサイズである場合、480行×640列の画素が存在し、上記方式では、1フレーム60Hzで、合計約10.7秒(=1/60秒×640列)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
(Driving method 1) When the cathode electrode is a common electrode common to all the pixels and the cathode current detection is executed during the horizontal blanking period For the
(駆動方式2)カソード電極が全画素共通で、垂直ブランキング期間中にカソード電流検出を実行した場合
1垂直ブランキング期間中、所定の1検査行(n行目)に属する全画素に、順次、検査用信号を供給し、そのときのカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のVGAパネルの場合、合計約8秒(=1/60秒×480行)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。この駆動方法2を実行するタイミングチャートは、図10に示すとおりであり、垂直スタート信号(STV)の立ち上がりから、次の立ち上がりまでの期間において、n行目についてのカソード電流の検査を実行している。
(Driving method 2) Cathode electrode is common to all pixels, and cathode current detection is executed during the vertical blanking period. During one vertical blanking period, all pixels belonging to a predetermined one inspection row (the nth row) are sequentially The inspection signal is supplied and the cathode current at that time is detected. This procedure is executed for all rows by changing the inspection row every vertical blanking period to obtain the cathode current of all the pixels. In this method, in the case of a VGA panel similar to the above, cathode current detection can be performed for all pixels in a total of about 8 seconds (= 1/60 seconds × 480 rows). A timing chart for executing this
(駆動方式3)カソード電極が列毎に分割され、垂直ブランキング期間中にカソード電流の検出を実行した場合
1垂直ブランキング期間中に所定の1検査行(n行目)の全画素に、それぞれ検査用信号を供給し、各列におけるカソード電流を検出する。この手順を垂直ブランキング期間毎に検査行を変更して実行し全行に対して行うことで、全画素のカソード電流を得る。この方式では、上記同様のVGAパネルの場合、合計約8秒(=1/60秒×480行)で全画素についてのカソード電流検出が実行できる。
(Driving method 3) When the cathode electrode is divided for each column and the detection of the cathode current is performed during the vertical blanking period, all pixels in a predetermined one inspection row (n-th row) during one vertical blanking period Each of the test signals is supplied, and the cathode current in each column is detected. This procedure is executed for all rows by changing the inspection row every vertical blanking period to obtain the cathode current of all the pixels. In this method, in the case of a VGA panel similar to the above, cathode current detection can be performed for all pixels in a total of about 8 seconds (= 1/60 seconds × 480 rows).
カソード電流の検査用信号としては、EL素子の発光を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給することで、原理的に素子駆動Tr2のしきい値ばらつきに応じた表示ムラを検出することができる。しかし、検査用信号として、図7(b)及び駆動方式2の動作を示す図10に示すように(ブランキング期間中のVsig参照)、上記検査用オン表示信号と、さらにEL素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号とを検査行の画素に対して供給し、検査用オン表示信号の印加時のオンカソード電流及び前記検査用オフ表示信号印加時のオフカソード電流を検出し、その差ΔIcvを求めることで、検査の高速化及び検査の高精度化を図ることが可能となる。これは、オフカソード電流Icvoffを測定し、このIcvoffを基準としてオン表示信号の時のオンカソード電流Icvonを相対的に把握できるため、オンカソード電流Icvonの絶対値を正確に判断する必要や、別途基準となるオフカソード電流Icvoffを測定する必要がないからである。つまり、オンカソード電流とオフカソード電流との差分(カソード電流差)を用いることで、上記電流検出アンプ332の特性ばらつきなどの影響をこのカソード電流差からキャンセルすることができ、また、オンカソード電流値の絶対値を判定するための基準値を必要としないためである。具体的には、Vref+Icvon*R と、Vref+Icvoff*Rをそれぞれ読み取り、カソード電流検出部330のAD変換部でデジタル変換し、メモリ部340に供給する前に、引き算部を設けて両データを引き算することで、最終的に(Icvon−Icvoff)*Rを求め、ΔIcv=Icvon−Icvoffを得ることができる。
As an inspection signal for the cathode current, by supplying an on-display signal for inspection with the light emission level of the EL element as a light emission level, it is possible in principle to detect display unevenness in accordance with the threshold variation of the element drive Tr2. it can. However, as the inspection signal, as shown in FIG. 7B and FIG. 10 showing the operation of the driving method 2 (see Vsig during the blanking period), the above-described on-display signal for inspection and the EL element are not light-emitted. And supply an inspection off display signal as a level to the pixels in the inspection row, and detect an on cathode current when the inspection on display signal is applied and an off cathode current when the inspection off display signal is applied. By obtaining the difference ΔIcv, it is possible to increase the inspection speed and the accuracy of the inspection. It measures the off-cathode current Icv off, this Icv off because it can relatively grasped on cathode current Icv on when the ON display signal as a reference, to determine exactly the absolute value of the ON cathode current Icv on This is because it is not necessary and it is not necessary to measure the off-cathode current Icv off which is a separate reference. That is, by using the difference (cathode current difference) between the on-cathode current and the off-cathode current, the influence of the characteristic variation of the current detection amplifier 332 can be canceled from the cathode current difference, and the on-cathode current. This is because a reference value for determining the absolute value of the value is not required. Specifically, Vref + Icv on * R and Vref + Icv off * R are respectively read, converted into digital data by the AD conversion unit of the cathode
メモリ340には、例えば10秒程度で全画素についてのカソード電流検出データが蓄積され、メモリ340はこの全画素についてのカソード電流検出データを少なくとも次に全画素について新しいカソード電流検出データを得るまで格納しておく。
For example, the cathode current detection data for all the pixels is accumulated in the
このメモリ340は、揮発性の一次メモリと、不揮発性の二次メモリとを備える。また、一次メモリに供給するデータ(ΔIcvデータ)として、電流検出部330からリアルタイムで得られるデータとするか、二次メモリの記憶データとするかを選択するセレクタを備える。
The
一次メモリとしては、高速でのデータ書き込み及び読み出しが可能な揮発性メモリを用いる(例えばSRAM)。一方、二次メモリとしては、装置電源がオフしてもデータ保持が可能であって、かつ書換えの可能なEEPROM等の不揮発性メモリを用いる。これにより、一次メモリに高速メモリを用いると、カソード電流検出データを記憶し、かつ、補正データ作成部350に対し、検出データを高速で供給することが可能である。しかし、SRAMのような高速メモリは、揮発性であり、装置電源がオフされるとデータは消えてしまう。しかし、二次メモリに、不揮発性のEEPROMなどを採用することで、電源投入時には、この二次メモリに予め記憶しておいた各画素についてのカソード電流検出データを読み出し、これを一次メモリに供給すれば、電源投入直後から、リアルタイムのカソード電流検出データが揃うまでの間において、二次メモリに記憶されていたカソード電流検出データを利用して補正をすることが可能となる。
As the primary memory, a volatile memory capable of writing and reading data at high speed is used (for example, SRAM). On the other hand, as the secondary memory, a non-volatile memory such as an EEPROM that can retain data even when the apparatus power is turned off and is rewritable is used. Accordingly, when a high-speed memory is used as the primary memory, the cathode current detection data can be stored and the detection data can be supplied to the correction
補正データ作成部350は、メモリ340内の一次メモリ342に蓄積された画素毎のカソード電流検出データを随時読み出し、このデータに基づいて、映像信号に対し、各画素の素子駆動Tr2の特性ばらつきに起因した表示ばらつきを補正するための補正データを以下のようにして作成する。
The correction
次に、素子駆動Tr2のしきい値ずれに応じた補正データの作成についてより具体的に説明する。図7(b)に示すように、EL素子を発光状態とする同一の検査用信号を印加した場合、測定対象の画素の素子駆動Tr2のしきい値Vthが正常の素子駆動Tr2のしきい値Vthよりも高圧側にシフトしている場合(図中の一点鎖線)、得られるカソード電流は、正常画素がIcvaであるのに対し、シフトした画素ではIcvbとなる。 Next, the creation of correction data according to the threshold deviation of the element drive Tr2 will be described more specifically. As shown in FIG. 7B, when the same inspection signal that causes the EL element to emit light is applied, the threshold value Vth of the element drive Tr2 of the pixel to be measured is normal. When shifting to a higher voltage side than Vth (the one-dot chain line in the figure), the obtained cathode current is Icv for the normal pixel, whereas it is Icvb for the shifted pixel.
そこで、補正データ作成部350は、図7(b)に示すように、素子駆動Tr2の動作しきい値Vthが正常なTFTよりもずれている場合、カソード電流検出データからその動作しきい値Vthのずれを補償する補正データを求める。概念的には、この補正データにより、図6において点線で示す特性のように動作しきい値Vthのずれ分に応じて各画素に供給するデータ信号の電圧をシフトさせることとなる。
Accordingly, as shown in FIG. 7B, the correction
データ信号の電圧をシフトさせるための補正データの作成方法の一例を具体的に説明すると以下の通りである。まず、各画素の動作しきい値の基準からのずれは、下記式(1)によって求めることができる。 An example of a method of creating correction data for shifting the voltage of the data signal will be specifically described as follows. First, the deviation of the operation threshold value of each pixel from the reference can be obtained by the following equation (1).
式(1)において、Vth(i)、V(Icv) 、Vsigonおよびγは、以下のように定義される。 In formula (1), Vth (i), V (Icv), Vsigon and γ are defined as follows.
Vth(i):検査対象画素の動作しきい値ずれ
V(ΔIcv):検査対象画素のオンオフカソード電流値(電圧データ)
V(ΔIcvref):基準オンオフカソード電流値(電圧データ)
Vsigon:検査用オン表示信号の階調レベル
γ:表示パネルの発光効率特性(定数値)
検査用オン表示信号の階調レベル[Vsigon]を、例えば240(0〜255)に設定した場合、この階調レベル240、検査対象画素のオンオフカソード電流値[V(ΔIcv)]、基準のオンオフカソード電流値[V(ΔIcvref)]、定数の発光効率特性γに基づいて、上記式(1)から各画素の基準に対する動作しきい値ずれVth(i)を求めることができる。例えば、A〜Eの画素について、以下のようにそれぞれ基準からのしきい値ずれ量Vth(i)が得られたとする。
Vth (i): Operation threshold deviation of the pixel to be inspected V (ΔIcv): On / off cathode current value (voltage data) of the pixel to be inspected
V (ΔIcvref): reference on / off cathode current value (voltage data)
Vsigon: gradation level of on-display signal for inspection γ: luminous efficiency characteristic of display panel (constant value)
When the gradation level [Vsignon] of the on-display signal for inspection is set to 240 (0 to 255), for example, the
Vth(A)=0
Vth(B)=13.4
Vth(C)=17.0
Vth(D)=3.2
Vth(E)=20.7
上記例では、画素Eのしきい値Vthずれが最大であり、各画素に同一階調レベルのデータ信号を供給すると、画素Eが表示部の中で最も低輝度で発光することとなる。一方で、各画素に供給できるデータ信号の最大値には限度がある。そこで、このVth(i)maxの画素Eを基準にデータ信号の最大値Vsigmaxを決定する。つまり、得られた各画素のVth(i)の中から、最大値Vth(i)maxを求め、このVth(i)maxに対する他の画素のVthの差ΔVth(i)をそれぞれ得る。さらに、その画素に供給すべきデータ信号の最大値Vsigmax(i)を、Vsigmaxから、得られたΔVth(i)を減算して[Vsigmax−ΔVth(i)]を求め、後述する式(2)の補正値を反映した初期補正データRSFT(init)として補正演算部250に供給する。
Vth (A) = 0
Vth (B) = 13.4
Vth (C) = 17.0
Vth (D) = 3.2
Vth (E) = 20.7
In the above example, the threshold value Vth shift of the pixel E is the maximum, and when the data signal of the same gradation level is supplied to each pixel, the pixel E emits light with the lowest luminance in the display portion. On the other hand, there is a limit to the maximum value of the data signal that can be supplied to each pixel. Therefore, the maximum value Vsig max of the data signal is determined based on the pixel E of Vth (i) max . That is, the maximum value Vth (i) max is obtained from the obtained Vth (i) of each pixel, and the difference ΔVth (i) of Vth of other pixels with respect to this Vth (i) max is obtained. Further, the maximum value Vsig max (i) of the data signal to be supplied to the pixel is subtracted from the obtained ΔVth (i) from Vsig max to obtain [Vsig max −ΔVth (i)]. The initial correction data RSFT (init) reflecting the correction value of (2) is supplied to the
なお、以上のようにして補正データ作成部350で作成された各画素の補正データは、例えば図3に示す補正値記憶部280などに記憶しておくことができる。この補正データは、次に全画素分について補正データが揃うまで記憶しておくことが好適である。
The correction data of each pixel created by the correction
補正演算部250は、新しい表示ムラ補正データが得られるまでは、この記憶されている補正データを用い、信号処理部230から供給される映像信号に対して、各画素毎にばらつき補正を実行する(2次元表示ムラ補正)。補正演算部250での補正演算に必要なタイミングで(映像信号のタイミングに合わせて)、補正データ作成部350が補正データを作成し、補正演算部250に供給しても良い。
The
ここで、ばらつき補正部250では、一例として下記式(2)
を用いて二次元表示ムラ補正を実行する。式(2)において、RSFT(init)は、補正データ作成部350において求められた補正値を反映した初期補正データである(工場出荷前に各画素についての補正データが存在する場合にはその補正データも反映した値である)。Rinは、信号処理部230から供給される入力映像信号で、ここでは、9ビットデータであり、0〜511のいずれかの値を備える。ADJ_SFTは、補正値調整(重み付け)パラメータであり、R_SFTは、二次元表示ムラ補正後の表示データである。
2D display unevenness correction is executed using. In Formula (2), RSFT (init) is initial correction data reflecting the correction value obtained by the correction data creation unit 350 (if correction data for each pixel exists before factory shipment, the correction is performed). The value also reflects the data). Rin is an input video signal supplied from the
図7(b)から理解できるように、素子駆動Tr2の動作しきい値Vthにずれが生じた場合、このTFTの特性カーブの傾きβは、正常なTFTの特性カーブの傾きとは異なる。そこで、補正演算部250では、上記式(2)等を用いて、傾きβ、つまり、上記式(2)の重み付けパラメータを考慮して実映像信号の値(輝度レベル)に応じて最適な補正を施し、正常のTFT特性に合ったカソード電流がEL素子に流れるように調整する。このような補正により、単純なΔVthのシフト補正だけの場合にTFT特性の傾きの違いに起因して生ずる低階調側の白うき(高階調側へのずれ)等を、確実に防止できる。
As can be understood from FIG. 7B, when a deviation occurs in the operation threshold value Vth of the element drive Tr2, the slope β of the characteristic curve of this TFT is different from the slope of the normal TFT characteristic curve. Accordingly, the
以上に説明したカソード電流の検出による表示ムラ補正は、既に説明したように、アノード電圧の測定時に、アノード電圧の検査用データ信号に対して実行することでより正確な発光効率の補正が可能となる。もちろん、上述の図4,5に示すように、アノード電圧測定時に、検査用データ信号に対して上記表示ムラ補正を実行せず、共通の検査用データ信号を出力してもよい。 As described above, the display unevenness correction by detecting the cathode current as described above can be performed more accurately on the anode voltage test data signal when the anode voltage is measured. Become. Of course, as shown in FIGS. 4 and 5 described above, the common inspection data signal may be output without performing the display unevenness correction on the inspection data signal when the anode voltage is measured.
なお、上述のように発光輝度をカメラで撮像して表示ムラ補正値を算出する場合においては、上記(1)式において、Vsigon、Vsigoffではなく、一例として、それぞれ求めた輝度レベルLon、Loffを用いて演算することができる。 In the case of calculating the display unevenness correction value by imaging the light emission luminance with the camera as described above, in the above equation (1), instead of Vsigon and Vsigoff, for example, the obtained luminance levels Lon and Loff are respectively used. Can be used to calculate.
10 ゲートライン(GL)、12 データライン(DL)、14 容量制御ライン(SC)、16 電源ライン(VL)、18 EL素子、20 アノード電圧検出ライン(SL)、22 検出制御ライン(SG)、100 ELパネル、200 駆動部(パネル駆動装置)、220 ドライバ、222 検査用制御信号発生回路、230 信号処理部、240 タイミング信号作成(T/C)部、250 補正演算部、280 補正パラメータ設定部(補正値記憶部)、300 ばらつき検出部、310 検査制御部、320 検査用信号発生回路、330 カソード電流検出部、340 メモリ、350 補正データ作成部、400 発光効率変化検出部、410 アノード電圧検出制御部、420 アノード電圧検査部、430 メモリ(初期アノード電圧記憶部)、440 発光効率補正値作成部、450 二次元補正データ記憶部、500 記憶部。
10 gate lines (GL), 12 data lines (DL), 14 capacitance control lines (SC), 16 power supply lines (VL), 18 EL elements, 20 anode voltage detection lines (SL), 22 detection control lines (SG), 100 EL panel, 200 drive unit (panel drive device), 220 driver, 222 inspection control signal generation circuit, 230 signal processing unit, 240 timing signal creation (T / C) unit, 250 correction calculation unit, 280 correction parameter setting unit (Correction value storage unit), 300 variation detection unit, 310 inspection control unit, 320 inspection signal generation circuit, 330 cathode current detection unit, 340 memory, 350 correction data creation unit, 400 luminous efficiency change detection unit, 410 anode voltage detection Control unit, 420 anode voltage inspection unit, 430 memory (initial annotator) Voltage storage unit), 440 luminous efficiency correction
Claims (7)
前記表示部はマトリクス配置された複数の画素を備え、
前記複数の画素のそれぞれは、
ダイオード構造のエレクトロルミネッセンス素子と、
該エレクトロルミネッセンス素子に接続され、該エレクトロルミネッセンス素子に流れる電流を制御するための素子駆動トランジスタと、
前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電極に接続され前記エレクトロルミネッセンス素子のアノード電圧を検出するための検出用トランジスタと、を備え、
前記データ処理部は、各画素に対して検査用データ信号を供給して前記検出用トランジスタを介して得られるアノード電圧と、対応する画素の初期アノード電圧と、に基づき、対応するエレクトロルミネッセンス素子における発光効率の変化に応じて、対応する画素に供給すべきデータ信号を補正するための発光効率補正値を求めることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 An electroluminescence display device comprising: a display unit; and a data processing unit for processing a data signal supplied to the display unit,
The display unit includes a plurality of pixels arranged in a matrix.
Each of the plurality of pixels is
An electroluminescent element having a diode structure;
An element driving transistor connected to the electroluminescent element for controlling a current flowing through the electroluminescent element;
A detection transistor connected to the anode electrode of the electroluminescence element for detecting the anode voltage of the electroluminescence element,
The data processing unit supplies an inspection data signal to each pixel and based on the anode voltage obtained through the detection transistor and the initial anode voltage of the corresponding pixel, in the corresponding electroluminescence element An electroluminescence display device characterized by obtaining a light emission efficiency correction value for correcting a data signal to be supplied to a corresponding pixel in accordance with a change in light emission efficiency.
前記検査用データ信号は、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値によって補正されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescent display device according to claim 1,
The electroluminescence display device, wherein the inspection data signal is corrected by a display unevenness correction value for correcting display unevenness caused by characteristic variation of each pixel.
前記データ処理部は、
通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、
前記表示ムラ補正値は、
前記エレクトロルミネッセンス素子の画素毎の発光輝度に基づいて対応する画素の特性ばらつきを検出して求められることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescence display device according to claim 1 or 2,
The data processing unit
During normal display, a correction process is performed on the data signal supplied to the corresponding pixel by using the display unevenness correction value for correcting display unevenness due to the characteristic variation of each pixel and the light emission efficiency correction value.
The display unevenness correction value is
An electroluminescence display device characterized in that it is obtained by detecting a characteristic variation of a corresponding pixel based on a light emission luminance of each pixel of the electroluminescence element.
前記データ処理部は、
通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、
前記表示ムラ補正値は、
各画素に前記エレクトロルミネッセンス素子を発光レベルとする検査用オン表示信号を供給し、かつ、前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させて、前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流を検出し、該カソード電流の値に基づいて求められることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescence display device according to claim 1 or 2,
The data processing unit
During normal display, a correction process is performed on the data signal supplied to the corresponding pixel by using the display unevenness correction value for correcting display unevenness due to the characteristic variation of each pixel and the light emission efficiency correction value.
The display unevenness correction value is
An on-display signal for inspection with the electroluminescence element as a light emission level is supplied to each pixel, and the element driving transistor is operated in a saturation region of the transistor to detect a cathode current of the electroluminescence element, An electroluminescence display device characterized by being obtained based on a value of a cathode current.
前記データ処理部は、
通常表示時に、対応する画素に供給するデータ信号に対し、各画素の特性ばらつきに起因した表示ムラを補正するための表示ムラ補正値と、前記発光効率補正値と、によって補正処理を実行し、
前記表示ムラ補正値は、
各画素の前記素子駆動トランジスタを該トランジスタの飽和領域で動作させ、かつ、該画素に、発光レベルとする検査用オン表示信号と、前記エレクトロルミネッセンス素子を非発光レベルとする検査用オフ表示信号と、を供給し、
前記検査用オン表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、前記検査用オフ表示信号に応じた前記エレクトロルミネッセンス素子のカソード電流と、のオンオフ電流差を検出し、
前記オンオフ電流差を基準値と比較から求められることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescence display device according to claim 1 or 2,
The data processing unit
During normal display, a correction process is performed on the data signal supplied to the corresponding pixel by using the display unevenness correction value for correcting display unevenness due to the characteristic variation of each pixel and the light emission efficiency correction value.
The display unevenness correction value is
An on-display signal for inspection that causes the element driving transistor of each pixel to operate in a saturation region of the transistor and that causes the pixel to emit light, and an off-display signal for inspection that causes the electroluminescent element to emit light at a non-emission level Supply, and
Detecting the on / off current difference between the cathode current of the electroluminescence element according to the on-display signal for inspection and the cathode current of the electroluminescence element according to the off-display signal for inspection;
The electroluminescence display device characterized in that the on / off current difference is obtained from a comparison with a reference value.
前記発光効率補正値は、
初期アノード電圧と測定時のアノード電圧とに応じたアノード電圧変化率aと、初期発光効率と前記アノード電圧測定時の発光効率とに応じた発光効率変化率bと、の関係に基づいて、前記アノード電圧変化率aから算出される前記発光効率変化率bを用い、前記データ信号に対し、初期発光効率に相当する発光輝度を得るために必要な修正量として求められることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 5,
The luminous efficiency correction value is
Based on the relationship between the anode voltage change rate a according to the initial anode voltage and the anode voltage at the time of measurement, and the light emission efficiency change rate b according to the initial light emission efficiency and the light emission efficiency at the time of the anode voltage measurement, The electroluminescence obtained by using the light emission efficiency change rate b calculated from the anode voltage change rate a and obtaining the data signal as a correction amount necessary for obtaining light emission luminance corresponding to the initial light emission efficiency. Display device.
アノード電圧測定制御部は、前記エレクトロルミネッセンス表示装置の所定電源投入時において、前記検査用データ信号を対応する画素に供給し、前記複数の画素の各検出用トランジスタを制御して、該検査用トランジスタを介して得られるアノード電圧を測定し、
前記発光効率補正値は、得られたアノード電圧と、アノード電圧記憶部に予め保持されている初期アノード電圧とに基づいて算出されて、発光効率補正値用記憶部に記憶され、
通常表示時に、前記データ処理部は、前記発光効率補正値と、表示ムラ補正値とに基づいて前記各画素に供給するデータ信号に対する補正処理を実行することを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。 The electroluminescence display device according to any one of claims 1 to 6,
The anode voltage measurement control unit supplies the inspection data signal to a corresponding pixel when a predetermined power source of the electroluminescence display device is turned on, controls each detection transistor of the plurality of pixels, and the inspection transistor Measure the anode voltage obtained through
The luminous efficiency correction value is calculated based on the obtained anode voltage and the initial anode voltage held in advance in the anode voltage storage unit, and stored in the luminous efficiency correction value storage unit,
In normal display, the data processing unit executes correction processing on a data signal supplied to each pixel based on the light emission efficiency correction value and display unevenness correction value.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009042486A true JP2009042486A (en) | 2009-02-26 |
Family
ID=40443279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2007207267A Pending JP2009042486A (en) | 2007-08-08 | 2007-08-08 | Electroluminescence display device |
Country Status (1)
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010237528A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | Image display |
JP2012042921A (en) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Active organic light emitting display device |
WO2014021201A1 (en) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | シャープ株式会社 | Display apparatus and method for driving same |
WO2014141958A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | Display device and method for driving same |
KR101560417B1 (en) | 2009-11-24 | 2015-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof |
WO2015170493A1 (en) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | 株式会社Joled | Display device, method for driving display device, and electronic device |
CN105247603A (en) * | 2013-06-27 | 2016-01-13 | 夏普株式会社 | Display device and drive method for same |
CN109545141A (en) * | 2018-12-14 | 2019-03-29 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel, pixel circuit and its driving method |
JP2020024411A (en) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Display device |
JP2020073956A (en) * | 2014-09-26 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2022133320A (en) * | 2013-12-27 | 2022-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
-
2007
- 2007-08-08 JP JP2007207267A patent/JP2009042486A/en active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010237528A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | Image display |
KR101560417B1 (en) | 2009-11-24 | 2015-10-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | Organic Light Emitting Diode Display And Driving Method Thereof |
JP2012042921A (en) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | Active organic light emitting display device |
US9305492B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-04-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving the same |
WO2014021201A1 (en) * | 2012-08-02 | 2014-02-06 | シャープ株式会社 | Display apparatus and method for driving same |
CN104520918A (en) * | 2012-08-02 | 2015-04-15 | 夏普株式会社 | Display apparatus and method for driving same |
CN104520918B (en) * | 2012-08-02 | 2016-08-31 | 夏普株式会社 | Display device and its driving method |
JPWO2014021201A1 (en) * | 2012-08-02 | 2016-07-21 | シャープ株式会社 | Display device and driving method thereof |
JP5908084B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-04-26 | シャープ株式会社 | Display device and driving method thereof |
JPWO2014141958A1 (en) * | 2013-03-14 | 2017-02-16 | シャープ株式会社 | Display device and driving method thereof |
US9711092B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-07-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving same |
US20150379940A1 (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving same |
CN105190739A (en) * | 2013-03-14 | 2015-12-23 | 夏普株式会社 | Display device and method for driving same |
US9881552B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for driving same |
WO2014141958A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | シャープ株式会社 | Display device and method for driving same |
CN105190739B (en) * | 2013-03-14 | 2017-08-08 | 夏普株式会社 | Display device and its driving method |
CN105247603B (en) * | 2013-06-27 | 2017-07-11 | 夏普株式会社 | Display device and its driving method |
CN105247603A (en) * | 2013-06-27 | 2016-01-13 | 夏普株式会社 | Display device and drive method for same |
JP2022133320A (en) * | 2013-12-27 | 2022-09-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
JP7373025B2 (en) | 2013-12-27 | 2023-11-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | light emitting device |
CN106463090A (en) * | 2014-05-09 | 2017-02-22 | 株式会社日本有机雷特显示器 | Display device, method for driving display device, and electronic device |
WO2015170493A1 (en) * | 2014-05-09 | 2015-11-12 | 株式会社Joled | Display device, method for driving display device, and electronic device |
US10002568B2 (en) | 2014-05-09 | 2018-06-19 | Joled Inc. | Display unit, display unit driving method, and electronic apparatus with deterioration suppression |
JPWO2015170493A1 (en) * | 2014-05-09 | 2017-04-20 | 株式会社Joled | Display device, driving method of display device, and electronic apparatus |
JP2020073956A (en) * | 2014-09-26 | 2020-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device |
JP2020024411A (en) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Display device |
JP7030085B2 (en) | 2018-08-07 | 2022-03-04 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | Display device |
CN109545141A (en) * | 2018-12-14 | 2019-03-29 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel, pixel circuit and its driving method |
WO2020119185A1 (en) * | 2018-12-14 | 2020-06-18 | 昆山国显光电有限公司 | Display panel, pixel circuit and driving method therefor |
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