KR101011522B1 - 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지 - Google Patents

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Abstract

플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지가 개시된다. 본 발명에 따른 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지는 전도성 재질의 기판(100); 기판(100) 상에 형성되되 기판(100) 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층(110); 및 버퍼층(110) 상에 형성되는 배리어층(120)을 포함하는 것을 특징으로 한다.
플렉서블, 금속 박막, 휨, 버퍼층, 배리어층

Description

플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지{FLEXIBLE SUBSTRATE AND SOLAR CELL USING THE SAME}
본 발명은 플렉서블 기판 및 이를 이용한 태양전지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 상에 형성되는 반도체층을 열처리하는 공정에서 기판이 변형되는 것을 방지할 수 있는 플렉서블 기판과 이를 이용한 태양전지에 관한 것이다.
플렉서블(flexible) 기판은 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display: LCD)와 유기 전계 발광표시장치(Organic Light Emitting Diode display: OLED) 같은 표시장치의 휴대성을 향상시킴과 동시에 다양하게 설치할 수 있는 기반 기술이다. 또한, 플렉서블 기판은 박막형 태양전지(Thin-Film Type Solar Cell)와 같은 광전 소자의 휴대성을 향상시킴과 동시에 자동차나 건물 외벽, 유리표면 등에 다양하게 설치할 수 있는 핵심 기반 기술이다.
이러한 플렉서블(flexible) 기판으로는 플라스틱계열의 기판과 금속계열의 기판이 있는데, 내열성이 우수하며, 전극의 기능을 동시에 수행할 수 있는 금속 박막(foil) 형태의 플렉서블 기판을 이용하는 기술이 일반적으로 활용되고 있다.
하지만, 플렉서블(flexible) 기판 상에 형성되는 비정질 실리콘층(a-si)을 폴리 실리콘층(p-si)으로 결정화시키는데, 통상적으로 550℃ 내지 650℃의 고온이 필요하기 때문에, 열에 강한 금속 재질의 플렉서블 기판에도 응력(stress)이 발생되어 휨 현상을 초래하는 문제점이 있었다.
또한, 이러한 고온의 열처리 공정은 플렉서블 기판과 반도체층 사이에서 불필요한 화학적 반응을 초래하여 소자의 특성을 저하와 박리를 초래시키는 문제점도 있었다.
이러한 플렉서블 기판의 문제점 중 휨 현상을 방지하기 위해서는, 기판 내부에 존재하는 잔류응력(residual stress)을 제거해야 하는데, 잔류응력은 결정상태나, 밀착력과 같은 기판의 물성과 관계 있는 것이기 때문에, 기판과 반도체층의 열팽창 계수(CTE: Coefficients of thermal expansion)를 서로 유사하게 조절해야만 제거할 수 있다.
또한, 플렉서블 기판의 문제점 중 반응 현상을 방지하기 위해서는, 금속 기판과 반도체층의 계면특성을 개선하고 층간의 확산을 방지해야 하지만, 상술된 열팽창계수를 조절하는 방법과 계면 특성 및 확산 현상을 개선하는 방법 모두 새로운 물질을 제조해야만 하는 기술적인 문제와 함께 비용 등의 문제를 발생시키기 때문에 해결책으로는 그 한계가 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 제반 문제점을 해결하기 위한 것으로, 열처리 공정시 발생하는 응력을 흡수할 수 있는 플렉서블 기판을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 반도체층과 기판 사이의 계면에서 화학적 반응을 방지할 수 있는 플렉서블 기판을 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 플렉서블 기판 상에 형성되는 박막(예를 들면, 반도체층)이 박리되는 것을 방지할 수 있는 플렉서블 기판을 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 광전 변환 효율성이 향상되고 신뢰성과 수명이 증대된 태양전지를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
본 발명의 상기 목적은 전도성 재질의 기판; 상기 기판 상에 형성되되 상기 기판 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 형성되는 배리어층을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판에 의해 달성된다.
또한, 본 발명의 상기 목적은 전도성 재질의 기판; 상기 기판 상에 형성되되 상기 기판 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층; 상기 버퍼층 상에 형성되는 배리어층; 상기 배리어층 상에 형성되는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 형성되는 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지에 의해서도 달성된다.
이때, 상기 버퍼층은 Al일 수 있다.
상기 배리어층은 TiN일 수 있다.
상기 배리어층은 Ti/TiN/Ti의 적층 구조일 수 있다.
상기 기판은 서스(SUS) 또는 인바(Invar)일 수 있다.
상기 반도체층은 제1 다결정 반도체층; 상기 제1 다결정 반도체층 상에 형성되는 제2 다결정 반도체층; 및 상기 제2 다결정 반도체층 상에 형성되는 제3 다결정 반도체층을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면, 플렉서블 기판은 버퍼층을 구비함으로써 응력을 흡수하여 기판의 휨 발생을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 플렉서블 기판은 배리어층을 구비함으로써 층간의 확산을 방지하고 계면특성을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 플렉서블 기판 상의 박막이 박리되는 것을 방지하려 양호한 계면특성을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상술된 플렉서블 기판을 이용하여 우수한 특성(예를 들면, 태양전지의 광전 변환 효율성 및 신뢰성과 수명)을 얻을 수 있다.
후술하는 본 발명에 대한 상세한 설명은, 본 발명이 실시될 수 있는 특정 실시예를 예시로서 도시하는 첨부 도면을 참조한다. 이들 실시예는 당업자가 본 발명을 실시할 수 있기에 충분하도록 상세히 설명된다. 본 발명의 다양한 실시예는 서로 다르지만 상호 배타적일 필요는 없음이 이해되어야 한다. 예를 들어, 여기에 기재되어 있는 특정 형상, 구조 및 특성은 일 실시예에 관련하여 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 다른 실시예로 구현될 수 있다. 또한, 각각의 개시된 실시예 내의 개별 구성요소의 위치 또는 배치는 본 발명의 정신 및 범위를 벗어나지 않으면서 변경될 수 있음이 이해되어야 한다. 따라서, 후술하는 상세한 설명은 한정적인 의미로서 취하려는 것이 아니며, 본 발명의 범위는, 적절하게 설명된다면, 그 청구항들이 주장하는 것과 균등한 모든 범위와 더불어 첨부된 청구항에 의해서만 한정된다. 도면에서 유사한 참조부호는 여러 측면에 걸쳐서 동일하거나 유사한 기능을 지칭하며, 길이 및 면적, 두께 등과 그 형태는 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다.
이하에서는, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 용이하게 실시할 수 있도록 하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예들에 관하여 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
플렉서블 기판
본 명세서에 있어서, 플렉서블 기판이란 금속 박막(metal foil)을 기판으로 사용하여 전기적 구동을 하는 전자소자를 형성할 수 있는 기판을 총칭하는 포괄적인 의미로 이해되어야 한다.
이하의 상세한 설명에서는 편의를 위해 일 예로, 플렉서블 기판 상에 박막형 태양전지를 형성하는 기술을 중심으로 설명하지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
[본 발명의 바람직한 실시예]
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 제조 공정을 나타내는 도면이다.
먼저, 도 1a를 참조하면, 플렉서블 특성을 가지는 기판(100)을 제공하는데 이러한 기판(100)의 재질은 금속 박막(foil) 형태로 서스(SUS) 또는 인바(Invar)일 수 있다.
이어서, 기판(100) 상에 응력을 흡수할 수 있는 버퍼층(110)을 형성할 수 있는데, 이러한 버퍼층(110)은 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD)을 이용하여 형성할 수 있다.
이때, 버퍼층(110)은 기판(100) 보다 용융점이 낮은 Al과 같은 금속을 사용하는 것이 바람직한데, 이는 고온의 열처리(예를 들면, 결정화)시 용융되어 기판(100)과 기판(100) 상에 형성되는 다른 박막층(예를 들면, 반도체층)에서 발생되는 응력을 흡수하는 기능을 수행할 수 있기 때문이다.
다음으로, 도 1b를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 버퍼층(110) 상에는 배리어층(120)을 더 형성할 수 있는데, 이러한 배리어층(120)은 스퍼터링(sputtering)과 같은 물리기상 증착법(Physical Vapor Deposition; PVD) 또는 화학기상 증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)을 이용하여 형성할 수 있다.
이때, 배리어층(120)은 층간의 확산을 효율적으로 방지를 위하여 TiN으로 형성할 수 있는데, 계면특성을 개선시켜 접착력을 향상시키기 위해서 TiN을 포함하는 다층구조인 것이 바람직하다. 일례로, Ti/TiN/Ti구조를 사용할 수 있으나 본 발명 이 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 본 발명의 플렉서블 기판의 보다 상세한 이해를 돕기 위해 아래와 같은 비교예 및 실험예를 제시한다. 다만, 하기의 실험예는 본 발명의 이해를 돕기 위한 것일 뿐이며 본 발명이 하기의 실험예에 의해 한정되는 것이 아님을 밝혀둔다.
[비교예]
이하의 비교예에서는 종래의 플렉서블 기판 상에 소정의 반도체층을 형성하고, 결정화 공정을 수행한 후 기판(100)의 상태를 촬영하였다.
먼저, 200um의 박막형 SUS(steel use stainless)로 이루어진 기판(100) 상에 a-Si으로 반도체층을 형성하였다. 이어서, 기판(100) 전면에 650℃의 고온 열처리를 수행하여 a-Si을 p-Si으로 결정화하는 공정을 수행하였다. 끝으로, 결정화 공정 후의 기판(100) 상태를 촬영하였다.
[실험예]
이하의 실험예에서는 본 발명의 일 실시예에서 의한 플렉서블 기판과 같이 기판(100) 상에 버퍼층(110)과 배리어층(120) 모두를 형성하고, 소정의 반도체층을 결정화하는 공정을 수행한 후의 기판(100)의 상태를 촬영하였다.
먼저, 200um의 박막형 SUS(steel use stainless)로 이루어진 기판(100) 상에 스퍼터링으로 40nm의 Al으로 버퍼층(110)을 형성하였다. 이어서, 버퍼층(110) 상에 스퍼터링으로 Ti(100nm)/TiN(300nm)/Ti(40nm)의 적층 구조로 이루어진 배리어층(120)을 형성하였다. 이어서, 배리어층(120) 상에 a-Si으로 반도체층을 형성하 였다. 이어서, 기판(100) 전면에 650℃의 고온 열처리를 수행하여 a-Si을 p-Si으로 결정화하는 공정을 수행하였다. 끝으로, 결정화 공정 후의 기판(100) 상태를 촬영하였다.
이상의 실험예와 비교예에 의한 기판(100)의 상태는 도 2를 참조한 이하의 설명에서 명확해질 것이다.
도 2는 본 발명의 비교예 및 실험예에 의한 기판의 상태를 촬영한 사진이다.
도 2를 참조하면, 비교예에 의한 도 2-(A)의 기판(100)에는 휨 현상(10)과 반응된 영역(20)이 명확하게 육안으로 확인됨을 알 수 있다.
반면에, 실험예에 의한 도 2-(B)의 기판(100)에는 휨 현상(10)과 반응된 영역(20)이 모두 존재하지 않음을 알 수 있다.
따라서, 종래의 플렉서블 기판에 대비하여 본 발명의 일 실시예에 의한 배리어층(120)을 구비하는 플렉서블 기판은 기판(100)과 반도체층 사이의 확산과 계면 특성을 개선하여 불필요한 반응 및 박리현상을 방지하는 기능을 수행할 수 있으며, 본 발명의 일 실시예에 의한 버퍼층은(110)을 구비하는 플렉서블 기판은 기판의 휨을 방지하는 기능을 수행할 수 있음을 알 수 있다.
플렉서블 기판을 이용한 태양전지
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 이용한 태양전지의 단면도이다.
먼저 도 3a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판(100)의 배리어층(120) 상에는 3층의 비정질 실리콘층(210, 220, 230)이 적층되어 형성될 수 있다. 보다 상세하게 설명하면, 배리어층(120) 상에는 제1 비정질 실리콘층(210)을 형성하고, 이어서 제1 비정질 실리콘층(210) 상에는 제2 비정질 실리콘층(220)을 형성하고, 이어서 제2 비정질 실리콘층(220) 상에는 제3 비정질 실리콘층(230)을 형성할 수 있다. 이때, 제1 내지 제3 비정질 실리콘층(210, 220, 230)의 형성 방법으로는 PECVD 또는 LPCVD와 같은 화학기상 증착법을 이용하여 형성할 수 있다.
다음으로, 도 3b를 참조하면, 제1, 제2, 제3 비정질 실리콘층(210, 220, 230)을 열처리하여 결정화하는 과정을 수행할 수 있다. 즉, 제1 비정질 실리콘층(210)은 제1 다결정 실리콘층(211)으로, 제2 비정질 실리콘층(220)은 제2 다결정 실리콘층(221)으로, 제3 비정질 실리콘층(230)은 제3 다결정 실리콘층(231)으로 각각 결정화한다. 결국, 배리어층(120) 상에는 제1, 제2, 제3 다결정 실리콘층(211, 221, 231)으로 구성되는 광전소자(200)가 형성된다.
이러한 광전소자(200)는 다결정 실리콘층이 적층된 구조로 광이 수광되어 발생되는 광기전력으로 전력을 생산할 수 있는 p형, i형, n형의 다결정 실리콘층이 순서대로 적층된 p-i-n 다이오드의 구조일 수 있다. 여기서 i형은 불순물이 도핑되지 않은 진성(intrinsic)을 의미한다. 또한, n형 또는 p형 도핑은 비정질 실리콘층 형성시에 불순물을 인시츄(in situ) 방식으로 도핑하는 것이 바람직하다. p형 도핑시 불순물로서는 보론(B)을 n형 도핑시 불순물로서는 인(P) 또는 비소(As)를 사용하는 것이 일반적이나, 이에 한정되는 것은 아니며 공지된 기술을 제한 없이 사용할 수 있다.
이때, 제1, 제2, 제3 비정질 실리콘층(210, 220, 230)의 결정화 방법은 SPC(Solid Phase Crystallization), ELA(Excimer Laser Annealing), SLS(Sequential Lateral Solidification), MIC(Metal Induced Crystallization), 및 MILC(Metal Induced Lateral Crystallization) 중 어느 하나의 방법을 사용할 수 있다. 상기의 비정질 실리콘의 결정화 방법은 공지의 기술이므로 이에 대한 상세한 설명은 본 명세서에서는 생략하기로 한다.
한편, 상기에서는 제1, 제2, 제3 비정질 실리콘층(210, 220, 230)을 모두 형성한 후에 이들 층을 동시에 결정화시키는 것으로 설명하고 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 비정질 실리콘층 마다 결정화 공정을 별도로 진행할 수 있으며, 또한 두 개의 비정질 실리콘층은 동시에 결정화 공정을 진행하고 나머지 하나의 비정질 실리콘층은 별도로 결정화 공정을 진행할 수도 있다.
또한, 도시되지는 않았지만 제1 다결정 실리콘층(211), 제2 다결정 실리콘층(221), 제3 다결정 실리콘층(231)은 다결정 실리콘의 성질을 보다 향상시키기 위하여 결함 제거 공정을 추가로 진행할 수 있다. 본 발명에서는 다결정 실리콘층을 고온 열처리하거나 수소 플라즈마 처리하여 다결정 실리콘층 내에 존재하는 결함(예를 들어, 불순물 및 댕글링 본드 등)을 제거할 수 있다.
이어서, 제3 다결정 실리콘층(231) 상에는 투명 전도성 재질의 상부전극(400)을 형성한다. 상부전극(400)의 소재는 ITO, ZnO, IZO, AZO(ZnO:Al), FSO(SnO:F) 중 어느 하나인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상부전극(400)의 형성 방법으로는 스퍼터링과 같은 물리기상 증착법 및 LPCVD, PECVD, MOCVD와 같은 화학기상 증착법 등을 포함할 수 있다.
한편, 본 실시예에 따른 태양전지에서 하부 전극은 플렉서블 기판(100) 자체가 된다. 따라서, 상기 태양전지를 단위 셀로 하여 태양전지 모듈을 제조하는 경우에는 상기 태양전지의 플렉서블 기판(100)과 상기 태양전지와 이웃하는 태양전지의 상부 전극(미도시)이 연결될 수 있다.
상기와 같이 버퍼층(110)과 배리어층(120)이 형성된 기판(100) 상에 광전소자를 형성하면, 기판의 휨, 박리 및 화학 반응을 방지할 수 있어 광전 변환 효율성을 향상시킬 수 있으며 소자의 신뢰성과 수명을 증대시키는 효과도 기대할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 이용한 다른 형태의 태양전지의 단면도이다.
도 4를 참조하면, 이상에서 설명된 광전소자(200) 상에 다른 광전소자(300)가 더 형성될 수 있는데, 이러한 광전소자(300)는 비정질 반도체층이 적층된 구조로, 일례로 3층의 비정질 실리콘층(310, 320, 330)이 형성될 수 있다.
보다 상세하게 설명하면, 하부에 위치하는 광전소자(200) 상에는 제1 비정질 실리콘층(310)을 형성하고, 이어서 제1 비정질 실리콘층(310) 상에는 제2 비정질 실리콘층(320)을 형성하고, 이어서 제2 비정질 실리콘층(320) 상에는 제3 비정질 실리콘층(330)을 형성하여 광전소자(300)와 같은 p-i-n 다이오드의 구조의 광전소자(300)가 구성된다. 이때, 제1, 제2, 제3 비정질 실리콘층(310, 320, 330)의 형성 방법으로는 PECVD 또는 LPCVD와 같은 화학기상 증착법을 이용하여 형성할 수 있 다.
이어서, 제3 비정질 반도체층(330) 상에는 투명 전도성 재질의 상부전극(400)을 형성한다. 상부전극(400)의 소재는 ITO, ZnO, IZO, AZO(ZnO:Al), FSO(SnO:F) 중 어느 하나인 것이 바람직하나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상부전극(400)의 형성 방법으로는 스퍼터링과 같은 물리기상 증착법 및 LPCVD, PECVD, MOCVD와 같은 화학기상 증착법 등을 포함할 수 있다.
한편, 도시되어 있지 않지만, 제3 다결정 실리콘층(231)과 제1 비정질 실리콘층(310) 사이에는 투명 전도성 재질의 연결층(버퍼층)이 추가로 형성될 수 있다. 이때, 연결층은 광을 투과시킬 수 있는 ITO(Indium-Tin-Oxide) AZO(ZnO:Al), GZO(ZnO:Ga), BZO(ZnO:B), SnO2(SnO2:F) 중 어느 하나일 수 있다.
이러한 연결층은 제3 다결정 실리콘층(231)과 제1 비정질 실리콘층(310)간에 터널 접합(Tunnel Junction)이 이루어지게 하여서 그 결과 태양전지의 보다 양호한 광전 변환 효율을 기대할 수 있게 된다.
이로써, 다결정 실리콘층으로 이루어진 광전소자(200)와 비정질 실리콘층으로 이루어진 광전소자(300)로 구성되는 탠덤 구조의 태양전지를 얻을 수 있다. 이때, 광전소자(200)는 다결정 실리콘층으로 이루어지기 때문에 장파장대 광에 대하여 광전 변환 효율이 양호하고, 광전소자(300)는 비정질 실리콘층으로 이루어지기 때문에 단파장대 광에 대하여 광전 변환 효율이 양호하다. 따라서, 본 발명에 따른 탠덤 구조의 태양전지는 다양한 파장대의 광을 흡수할 수 있어서 광전 변환 효 율성을 향상시킬 수 있다.
이상의 상세한 설명에서는 광전소자(200, 300)로 적층된 탠덤(tandem) 구조를 일 예로 설명하였지만 필요에 따라 광전소자를 이중 이상으로 적층시킬 수도 있다. 광전소자(200, 300)는 또한, p-i-n 형이 아닌 p-n 형을 사용할 수도 있다.
이상의 상세한 설명에서 본 발명은 구체적인 구성요소 등과 같은 특정 사항들과 한정된 실시예 및 도면에 의해 설명되었으나, 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명이 상기 실시예들에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형을 꾀할 수 있다.
따라서, 본 발명의 사상은 상기 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등하게 또는 등가적으로 변형된 모든 것들은 본 발명의 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
도 1a 및 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 비교예 및 실험예에 의한 기판의 상태를 촬영한 사진이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 이용한 태양전지의 제조 공정을 나타내는 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 플렉서블 기판을 이용한 다른 형태의 태양전지의 단면도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 기판
110: 버퍼층
120: 배리어층
200, 300: 광전소자
400: 상부전극

Claims (10)

  1. 전도성 재질의 기판;
    상기 기판 상에 형성되되 상기 기판 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층; 및
    상기 버퍼층 상에 형성되는 배리어층
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 버퍼층은 Al인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 배리어층은 TiN인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 배리어층은 Ti/TiN/Ti의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기판은 서스(SUS) 또는 인바(Invar)인 것을 특징으로 하는 플렉서블 기판.
  6. 전도성 재질의 기판;
    상기 기판 상에 형성되되 상기 기판 보다 용융점이 낮은 재질의 버퍼층;
    상기 버퍼층 상에 형성되는 배리어층;
    상기 배리어층 상에 형성되는 반도체층; 및
    상기 반도체층 상에 형성되는 상부전극
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 버퍼층은 Al인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 배리어층은 TiN인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 배리어층은 Ti/TiN/Ti의 적층 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 반도체층은 제1 다결정 반도체층;
    상기 제1 다결정 반도체층 상에 형성되는 제2 다결정 반도체층; 및
    상기 제2 다결정 반도체층 상에 형성되는 제3 다결정 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지.
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