KR101006302B1 - Apparatus for removing particle of Ion Implanter and method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실 내부에 발생하는 파티클을 효율적으로 제거하여 예방정비의 횟수를 줄일 수 있고, 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ion implanter particle removal apparatus and method for efficiently eliminating particles generated in a wafer processing chamber in which an ion implantation process is performed to reduce the number of preventive maintenance and to improve wafer yield. will be.

이를 실현하기 위한 본 발명은 이온화된 불순물을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼에 주입시키는 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실; 상기 웨이퍼가공실의 내부 바닥면에 소정의 공간을 가지도록 형성되어 이온주입공정 중 발생하는 파티클을 포집하는 파티클챔버; 상기 파티클챔버와 상기 웨이퍼가공실 사이에 형성된 파티클 포집통로를 개폐시키는 도어개폐부; 상기 포집통로가 폐쇄된 상태에서 상기 파티클챔버 내부에 포집된 파티클을 제거할 수 있도록 질소를 분사시키는 파티클제거부; 상기 파티클제거부에서 파티클을 제거한 뒤 상기 파티클챔버 내부에 잔류하는 파티클과 질소를 배출시킴과 동시에 상기 파티클챔버 내부의 압력을 설정치로 맞춰주는 펌핑부; 상기 일련의 파티클 제거과정을 순차제어프로그래밍에 의해 순차적으로 제어하는 제어부;로 구성되는 것을 특징으로 한다.The present invention for realizing this is a wafer processing chamber in which an ion implantation process for accelerating the ionized impurities to a specific energy to be injected into the wafer; A particle chamber formed to have a predetermined space on an inner bottom surface of the wafer processing chamber to collect particles generated during an ion implantation process; A door opening and closing unit configured to open and close a particle collecting passage formed between the particle chamber and the wafer processing chamber; A particle removal unit for injecting nitrogen to remove particles collected in the particle chamber in a state in which the collecting passage is closed; A pumping unit which removes particles from the particle removing unit and discharges particles and nitrogen remaining in the particle chamber and at the same time adjusts the pressure inside the particle chamber to a set value; And a controller for sequentially controlling the series of particle removal processes by sequential control programming.

이온주입기, 파티클챔버, 질소, 펌핑(Pumping) Ion Injectors, Particle Chambers, Nitrogen, Pumping

Description

이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법{Apparatus for removing particle of Ion Implanter and method thereof}Apparatus for removing particle of Ion Implanter and method

본 발명은 이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 이온주입이 이루어지는 공정챔버 내부에 발생하는 파티클을 효율적으로 제거할 수 있는 이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an apparatus and method for removing particles of an ion implanter, and more particularly, to an apparatus and method for removing particles of an ion implanter capable of efficiently removing particles generated in a process chamber in which an ion implantation is performed. .

일반적으로, 이온주입기는 진공 상태에서 이온화된 불순물(dopant)을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼에 넣어주는 반도체 제조장치로서, MOSFET 제조 공정 시 문턱전압(threshold voltage) 조절공정, 웰(well) 형성공정, 소오스 및 드레인 영역형성, 커패시터(capacitor) 전극 형성공정 등 여러 단계의 공정에 사용된다.In general, an ion implanter is a semiconductor manufacturing apparatus that accelerates an ionized dopant to a specific energy and puts it in a wafer in a vacuum state. In a MOSFET manufacturing process, a threshold voltage adjusting process, a well forming process, It is used in various steps such as source and drain region formation and capacitor electrode formation.

도 1은 일반적인 이온주입장비의 구성을 보여주는 개략도이고, 도 2 및 도 3은 종래 웨이퍼가공실의 구성을 보여주는 내부구성도이다.1 is a schematic view showing the configuration of a general ion implantation equipment, Figures 2 and 3 is an internal configuration showing the configuration of a conventional wafer processing chamber.

도 1에 도시된 바와 같이, 이온주입기는 진공부(10), 이온 공급부(20), 빔가이드(30), 가속기(40), 주사기(미도시) 및 웨이퍼가공실(50)의 기본요소로 이루어져 있다.As shown in FIG. 1, the ion implanter is a basic element of the vacuum unit 10, the ion supply unit 20, the beam guide 30, the accelerator 40, the syringe (not shown), and the wafer processing chamber 50. consist of.

이온 공급부(20)에서는 고진공 상태의 아아크실에 있는 필라멘트에 전류를 흘려줌으로써 열전자가 방출되고, 이러한 열전자가 필라멘트와 아아크실 간의 전압에 의해 아아크실 내부에 공급된 불순물 소스인 기체와 충돌하면서 이온화된다. In the ion supply unit 20, hot electrons are emitted by flowing a current to the filament in the high vacuum arc chamber, and the hot electrons are ionized while colliding with a gas which is an impurity source supplied inside the arc chamber by the voltage between the filament and the arc chamber. .

추출전극에 가해진 음의 전압에 의하여 상기 이온들은 아아크실 밖으로 추출되며, 이차 추출전압에 의하여 더욱 가속되면서 높은 에너지를 갖게 된다.The ions are extracted out of the arc chamber by the negative voltage applied to the extraction electrode, and have high energy while being further accelerated by the secondary extraction voltage.

이렇게 형성된 이온들은 빔가이드(30)의 분류자석(미도시)에 의하여 필요한 이온들만 선택적으로 가려지며 주사기에 의하여 여러 가지 스캔(scan) 방식으로 웨이퍼가공실(50)에 있는 웨이퍼 쪽으로 보내지면서 이온주입이 진행된다.The ions thus formed are selectively masked only by the classifier magnet (not shown) of the beam guide 30, and ion implantation is directed to the wafer in the wafer processing chamber 50 by various scanning methods by a syringe. This is going on.

도 2를 참조하면, 상기 웨이퍼가공실(50)은 이온빔(B)이 종국적으로 웨이퍼(W)에 주입되는 곳으로, 이온량을 측정하는 장치인 플래그 패러데이(Flag Faraday)(51), 패러데이컵(Faraday Cup)(52)과, 웨이퍼(W)가 장착되는 디스크(Disk)(53), 바이어스 어퍼처(54), E-샤워(55), 회전모터(56)로 이루어져 있다.Referring to FIG. 2, the wafer processing chamber 50 is a place where the ion beam B is finally injected into the wafer W, and a flag Faraday 51, a Faraday cup, which is a device for measuring the amount of ions. Faraday Cup 52, a disk 53 on which the wafer W is mounted, a bias aperture 54, an E-shower 55, and a rotating motor 56.

상기 플래그 패러데이(51)는 공정진행 전에 적절히 셋업(set-up)된 빔 커런트(Beam Current)를 리딩(Reading) 및 차단하고 있다가 웨이퍼(W) 다수 장이 디스크(53)에 로딩 된 후 상기 디스크(53)가 회전모터(56)에 의해 회전하기 시작하면 플래그 패러데이(51)가 이동하면서 이온빔(B)은 바이어스 어퍼처(54), E-샤워(55)를 지나 디스크(53)에 있는 다수 장의 웨이퍼(W)로 주입된다.The flag Faraday 51 reads and blocks beam current which is properly set-up before proceeding, and then loads a plurality of wafers W onto the disk 53. As the 53 begins to rotate by the rotary motor 56, the flag Faraday 51 moves while the ion beam B passes through the bias aperture 54, the E-shower 55, and the majority of the disk 53 It is injected into an enteric wafer (W).

도 3을 참조하면, 상기와 같이 이온주입공정이 이루어지는 과정에서 웨이퍼가공실(50)의 내부에 파티클(P)이 발생하게 되고, 이러한 파티클(P)은 내부 바닥면(50a)에 차츰 쌓이게 된다.Referring to FIG. 3, particles P are generated inside the wafer processing chamber 50 during the ion implantation process as described above, and the particles P are gradually accumulated on the inner bottom surface 50a. .

그러나 상기와 같은 파티클(P)은 이온빔(B)에 포함되어 웨이퍼(W)에 함께 주 입됨으로써 결국 웨이퍼의 수율(Yield)을 저하시키는 문제점이 있다.However, the particles P as described above are included in the ion beam B and injected into the wafer W, resulting in a decrease in yield of the wafer.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로, 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실 내부에 발생하는 파티클을 효율적으로 제거하여 예방정비의 횟수를 줄일 수 있고, 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있도록 한 이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above-described problems, ions that can effectively remove the particles generated inside the wafer processing chamber in which the ion implantation process is performed to reduce the number of preventive maintenance, improve the yield of the wafer It is an object of the present invention to provide an apparatus and method for removing particles of an injector.

상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 이온주입기의 파티클 제거장치는, 이온화된 불순물을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼에 주입시키는 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실을 포함하는 이온주입기의 파티클 제거장치에 있어서, 상기 웨이퍼가공실의 내부 바닥면에 소정의 공간을 가지도록 형성되어 이온주입공정 중 발생하는 파티클을 포집하는 파티클챔버; 상기 파티클챔버와 상기 웨이퍼가공실 사이에 형성된 파티클 포집통로를 개폐시키는 도어개폐부; 상기 포집통로가 폐쇄된 상태에서 상기 파티클챔버 내부에 포집된 파티클을 제거할 수 있도록 질소를 분사시키는 파티클제거부; 상기 파티클제거부에서 파티클을 제거한 뒤 상기 파티클챔버 내부에 잔류하는 파티클과 질소를 배출시킴과 동시에 상기 파티클챔버 내부의 압력을 설정치로 맞춰주는 펌핑부; 상기 일련의 파티클 제거과정을 순차제어프로그래밍에 의해 순차적으로 제어하는 제어부;로 구성되는 것을 특징으로 한다.Particle removal apparatus of the ion implanter of the present invention for realizing the above object, the particle removal device of the ion implanter including a wafer processing chamber is made of an ion implantation process for accelerating the ionized impurities to a specific energy injected into the wafer A particle chamber comprising: a particle chamber formed to have a predetermined space on an inner bottom surface of the wafer processing chamber to collect particles generated during an ion implantation process; A door opening and closing unit configured to open and close a particle collecting passage formed between the particle chamber and the wafer processing chamber; A particle removal unit for injecting nitrogen to remove particles collected in the particle chamber in a state in which the collecting passage is closed; A pumping unit which removes particles from the particle removing unit and discharges particles and nitrogen remaining in the particle chamber and at the same time adjusts the pressure inside the particle chamber to a set value; And a controller for sequentially controlling the series of particle removal processes by sequential control programming.

이 경우 상기 도어개폐부는, 상기 포집통로에 슬라이딩 가능하게 설치된 도 어;와, 상기 도어를 개폐시킬 수 있도록 상기 도어에 연결된 공급라인을 통해 CDA를 공급해주는 CDA공급부; 및, 상기 공급라인에 설치되어 CDA의 공급을 단속하는 제1밸브;로 이루어진 것을 특징으로 한다.In this case, the door opening and closing portion, a door slidably installed in the collecting passage; CDA supply unit for supplying the CDA through a supply line connected to the door to open and close the door; And a first valve installed in the supply line to control the supply of the CDA.

또한, 상기 파티클제거부는, 상기 파티클챔버에 각각 연결된 공급라인을 통해 질소를 공급해주는 질소공급부;와, 상기 공급라인에 설치되어 질소의 공급을 단속하는 제2밸브;로 이루어진 것을 특징으로 한다.The particle removing unit may include a nitrogen supply unit supplying nitrogen through a supply line respectively connected to the particle chamber, and a second valve installed in the supply line to regulate supply of nitrogen.

또한, 상기 펌핑부는, 상기 파티클챔버에 각각 연결된 공급라인을 통해 상기 파티클챔버 내부를 저압상태로 펌핑하는 펌프;와, 상기 공급라인에 설치되어 펌핑을 단속하는 제3밸브;로 이루어진 것을 특징으로 한다.The pumping unit may include a pump for pumping the inside of the particle chamber at a low pressure state through a supply line respectively connected to the particle chamber, and a third valve installed at the supply line to control pumping. .

또한, 상기 공급라인에는 상기 파티클챔버 내부의 압력을 측정할 수 있도록 압력측정게이지가 구비된 것을 특징으로 한다.In addition, the supply line is characterized in that the pressure measuring gauge is provided to measure the pressure inside the particle chamber.

이온주입기의 파티클 제거방법에 있어서, 웨이퍼가공실과 파티클챔버 사이에 설치된 도어를 폐쇄시켜 파티클 포집통로를 차단하는 제1단계; 상기 파티클챔버에 포집된 파티클을 제거할 수 있도록 상기 파티클챔버 내부에 질소를 분사시키는 제2단계; 상기 파티클챔버 내부를 저압상태로 펌핑하여 상기 파티클챔버 내부에 잔류하는 파티클과 질소를 배출시키는 제3단계; 상기 파티클챔버 내부를 저압상태로 펌핑함과 동시에 상기 파티클챔버 내부에 질소를 적어도 10회 이상 순간 분사시키는 제4단계; 상기 질소 분사가 완료된 후 파티클챔버 내부를 펌핑하여 소정의 압력수치로 설정하는 제5단계; 상기 도어를 개방시키는 제6단계; 를 포함하는 것을 특징으로 한다.A particle removing method of an ion implanter, comprising: a first step of blocking a particle collecting passage by closing a door installed between a wafer processing chamber and a particle chamber; Injecting nitrogen into the particle chamber to remove particles trapped in the particle chamber; Pumping the inside of the particle chamber at a low pressure state to discharge particles and nitrogen remaining in the particle chamber; A fourth step of pumping the inside of the particle chamber at a low pressure and simultaneously injecting nitrogen into the particle chamber at least 10 times; A fifth step of pumping the inside of the particle chamber after the nitrogen injection is completed to set a predetermined pressure value; A sixth step of opening the door; Characterized in that it comprises a.

또한, 상기 제3단계에서 상기 파티클챔버의 내부압력은 1.0E-4Torr인 것을 특징으로 한다.In addition, in the third step, the internal pressure of the particle chamber is characterized in that 1.0E-4Torr.

또한, 상기 제5단계에서 상기 파티클챔버의 내부압력은 10mTorr인 것을 특징으로 한다.In addition, in the fifth step, the internal pressure of the particle chamber is characterized in that 10mTorr.

본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거장치 및 그 방법은 이온주입공정에서 발생하게 되는 파티클을 별도의 파티클챔버에 포집한 다음 효율적으로 제거해줌으로써 불필요한 예방정비의 횟수를 줄일 수 있고, 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.Particle removal apparatus and method of the ion implanter according to the present invention by collecting the particles generated in the ion implantation process in a separate particle chamber and then efficiently removed to reduce the number of unnecessary preventive maintenance, improve the wafer yield There is an advantage to this.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

여기서, 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Here, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are denoted by the same reference numerals as much as possible even if displayed on the other drawings.

도 4는 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거장치의 내부구성도이다.Figure 4 is an internal configuration of the particle removal device of the ion implanter according to the present invention.

도 4를 참조하면, 이온화된 불순물을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼(W)에 주입시키는 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실(50) 내부에서 발생하게 되는 파티클(P)을 제거하기 위한 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거장치는 파티클챔버(100), 도어개폐부(110), 파티클제거부(130) 및 펌핑부(150)를 포함하여 구 성된다.Referring to FIG. 4, according to the present invention for removing particles P generated in the wafer processing chamber 50 in which an ion implantation process in which ionized impurities are accelerated to a specific energy and injected into the wafer W is performed. Particle removal apparatus of the ion implanter is configured to include a particle chamber 100, the door opening and closing 110, the particle removal unit 130 and the pumping unit 150.

상기 파티클챔버(100)는 웨이퍼가공실(50)의 내부 바닥면(50a)에 소정의 공간(101)을 가지도록 형성되어 이온주입공정 중에 발생하는 파티클(P)을 포집하는 역할을 한다. 이 경우 상기 파티클챔버(100)는 바닥면(50a)에 하나의 공간으로 설치되어도 무방하지만 파티클(P)의 원활한 포집을 위하여 적어도 두 개 이상으로 형성되는 것이 바람직하다.The particle chamber 100 is formed to have a predetermined space 101 on the inner bottom surface 50a of the wafer processing chamber 50 to collect particles P generated during the ion implantation process. In this case, the particle chamber 100 may be installed as one space on the bottom surface 50a, but at least two particle chambers may be formed to smoothly collect the particles P.

상기 도어개폐부(110)는 웨이퍼가공실(50)과 파티클챔버(100)의 사이에 형성된 파티클(P)의 포집통로(100a)를 개폐시켜주는 역할을 한다. 이 경우 상기 도어개폐부(110)는 포집통로(100a)에 슬라이딩 가능하게 설치되는 도어(113)와, 상기 도어(113)를 개폐시킬 수 있도록 도어(113)에 연결된 공급라인(111)을 통해 CDA(Clean Dry Air)를 공급해주는 CDA공급부(115)와, 상기 공급라인(111)에 설치되어 CDA의 공급을 단속(ON/OFF)하는 제1밸브(V1)로 이루어진다.The door opening and closing part 110 opens and closes the collecting passage 100a of the particle P formed between the wafer processing chamber 50 and the particle chamber 100. In this case, the door opening and closing part 110 is provided through a door 113 that is slidably installed in the collecting passage 100a and a supply line 111 connected to the door 113 to open and close the door 113. CDA supply unit 115 to supply (Clean Dry Air) and the first valve (V1) is installed in the supply line 111 to intermittently supply (ON / OFF) the supply of the CDA.

상기 파티클제거부(130)는 도어(113)가 폐쇄된 상태에서 파티클챔버(100) 내부에 질소(N2)를 여러 차례에 거쳐 순간분사시켜줌으로써 포집된 파티클(P)를 제거(purge)하는 역할을 한다. 이 경우 상기 파티클제거부(130)는 파티클챔버(100)에 각각 연결된 공급라인(131)을 통해 질소를 공급해주는 질소공급부(135)와, 상기 공급라인(131)에 설치되어 질소의 공급을 단속하는 제2밸브(V2)로 이루어진다.The particle removal unit 130 removes the collected particles P by instantaneous injection of nitrogen (N 2 ) into the particle chamber 100 several times in a state in which the door 113 is closed. Play a role. In this case, the particle removal unit 130 is a nitrogen supply unit 135 for supplying nitrogen through a supply line 131 connected to the particle chamber 100, respectively, and is installed in the supply line 131 to interrupt the supply of nitrogen. It consists of a second valve (V2).

상기 펌핑부(150)는 파티클제거부(130)에서 파티클(P)을 제거하는 과정에서 파티클챔버(100) 내부에 잔류하는 파티클(P)과 질소를 외부로 배출시킴과 동시에 상기 파티클챔버(100) 내부의 압력을 소정의 설정치로 맞춰주는 역할을 한다. 이 경우 상기 펌핑부(150)는 파티클챔버(100)에 각각 연결된 공급라인(151)을 통해 상기 파티클챔버(100) 내부를 저압상태로 펌핑(Pumping)하는 펌프(155)와, 상기 공급라인(151)에 설치되어 펌핑을 단속하는 제3밸브(V3)로 이루어진다. 이 경우 상기 펌핑부(150)는 파티클챔버(100)의 내부압력을 1.0E-4 Torr로 설정하는 것이 바람직하다.The pumping unit 150 discharges the particles P and nitrogen remaining inside the particle chamber 100 to the outside in the process of removing the particles P from the particle removing unit 130 and at the same time the particle chamber 100 ) It adjusts the internal pressure to a predetermined set value. In this case, the pumping unit 150 is a pump 155 for pumping the inside of the particle chamber 100 to a low pressure state through a supply line 151 connected to the particle chamber 100, and the supply line ( 151 is installed in the third valve (V3) for intermittent pumping. In this case, the pumping unit 150 preferably sets the internal pressure of the particle chamber 100 to 1.0E-4 Torr.

또한, 상기 펌핑부(150)의 공급라인(151)에는 파티클챔버(100) 내부의 압력을 측정할 수 있도록 압력측정게이지(153)가 설치되어 있다. 상기 압력측정게이지(153)는 파티클챔버(100) 내부의 파티클 제거과정이 완료된 후 도어(113)를 개방하기에 앞서 파티클챔버(100)의 압력이 설정치로 맞춰있는가를 체크해주는 역할을 한다. 일례로, 상기 압력측정게이지(153)는 파티클챔버(100)의 내부압력이 10mTorr로 설정되었는지를 체크하게 된다.In addition, a pressure measuring gauge 153 is installed in the supply line 151 of the pumping unit 150 to measure the pressure inside the particle chamber 100. The pressure measuring gauge 153 serves to check whether the pressure of the particle chamber 100 is set to a set value before opening the door 113 after the particle removing process inside the particle chamber 100 is completed. For example, the pressure measuring gauge 153 checks whether the internal pressure of the particle chamber 100 is set to 10 mTorr.

한편, 상기와 같은 파티클챔버(100) 내의 파티클 제거과정은 제어부(미도시)의 순차제어프로그래밍에 의해 순차적으로 진행된다.Meanwhile, the particle removal process in the particle chamber 100 as described above is sequentially performed by a sequential control programming of a controller (not shown).

이와 같은 구성의 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거과정을 도 5를 참조하여 설명하면 다음과 같다.The particle removal process of the ion implanter according to the present invention having such a configuration will be described below with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다.5 is a flow chart showing a particle removal process of the ion implanter according to the present invention.

도 5를 참조하면, 제1밸브(V1)를 온(On) 상태로 전환하면 CDA공급부(115)에 서 공급되는 CDA가 공급라인(111)을 통해 공급되면서 도어(113)을 폐쇄시켜 웨이퍼가공실(50)과 파티클챔버(100) 간의 파티클 포집통로(100a)를 차단한다(S210). 이때, 상기 웨이퍼가공실(50)의 이온주입공정은 중지된 상태이다.Referring to FIG. 5, when the first valve V1 is turned on, the CDA supplied from the CDA supply unit 115 is supplied through the supply line 111 and the door 113 is closed to close the wafer. Blocking the particle collecting passage (100a) between the vacancy (50) and the particle chamber (100) (S210). At this time, the ion implantation process of the wafer processing chamber 50 is stopped.

상기 파티클챔버(100) 내부에 포집된 파티클(P)을 제거할 수 있도록 제2밸브(V2)를 작동시켜 상기 파티클챔버(100) 내부에 질소(N2)를 분사시킨다(S220).The second valve (V2) is operated to remove the particles (P) collected in the particle chamber 100 to inject nitrogen (N 2 ) into the particle chamber (100) (S220).

그 후, 상기 제3밸브(V3)를 온(On)상태로 전환하여 파티클챔버(100) 내부를 저압상태로 펌핑해줌으로써 파티클챔버(100) 내부에 잔류하는 파티클(P)과 질소를 배출시킨다(S230).Thereafter, the third valve V3 is turned on to pump the inside of the particle chamber 100 to a low pressure state, thereby discharging particles P and nitrogen remaining in the particle chamber 100. (S230).

이 경우 상기 파티클챔버(100)의 내부를 저압상태로 펌핑함과 동시에 제2밸브(V2)를 작동(On/Off)하여 파티클챔버(100)의 내부에 질소를 적어도 10회 이상 분사시켜줌으로써 포집된 파티클(P)을 말끔하게 제거한다(S240).In this case, the inside of the particle chamber 100 is pumped at a low pressure and at the same time, the second valve V2 is operated (on / off) to inject nitrogen at least 10 times into the particle chamber 100 to be collected. The particles P are neatly removed (S240).

상기 파티클(P) 제거작업이 완료된 후 웨이퍼가공실(50)과 파티클챔버(100) 사이의 도어(113)를 개방하기 이전에 파티클챔버(100) 내부의 압력을 웨이퍼가공실(50)과 동일한 상태로 맞출 수 있도록 상기 파티클챔버(100) 내부를 펌핑하여 소정의 압력수치로 설정한다(S250).After the particle P removal is completed, the pressure inside the particle chamber 100 is equal to that of the wafer processing chamber 50 before opening the door 113 between the wafer processing chamber 50 and the particle chamber 100. The inside of the particle chamber 100 is pumped so as to fit in a state and set to a predetermined pressure value (S250).

이와 같은 파티클 제거작업이 완료되면 제1밸브(V2)를 오프(Off) 상태로 전환시켜 도어(113)를 개방하게 되고, 상기 웨이퍼가공실(50)에서의 이온주입공정이 다시 진행된다(S260).When the particle removal operation is completed, the door 113 is opened by switching the first valve V2 to an off state, and the ion implantation process in the wafer processing chamber 50 is performed again (S260). ).

이상에서는 본 발명을 특정의 바람직한 실시 예를 들어 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않으며 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been shown and described with reference to certain preferred embodiments, the present invention is not limited to the above-described embodiments and the general knowledge in the technical field to which the present invention pertains is not limited to the technical spirit of the present invention. Of course, various changes and modifications are possible.

도 1은 일반적인 이온주입장비의 구성을 보여주는 개략도,1 is a schematic view showing the configuration of a typical ion implantation equipment,

도 2 및 도 3은 종래 웨이퍼가공실의 구성을 보여주는 내부구성도,2 and 3 is an internal configuration showing the configuration of a conventional wafer processing chamber,

도 4는 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거장치의 내부구성도,4 is an internal configuration of the particle removal device of the ion implanter according to the present invention,

도 5는 본 발명에 따른 이온주입기의 파티클 제거과정을 보여주는 순서도이다.5 is a flow chart showing a particle removal process of the ion implanter according to the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

50 : 웨이퍼가공실 100 : 파티클챔버50: wafer processing chamber 100: particle chamber

100a : 포집통로 101 : 공간100a: collecting passage 101: space

110 : 도어개폐부 113 : 도어110: door opening and closing part 113: door

115 : CDA공급부 130 : 파티클제거부115: CDA supply unit 130: particle removal unit

135 : 질소공급부 150 : 펌핑부135: nitrogen supply unit 150: pumping unit

153 : 압력측정게이지 155 : 펌프153: pressure gauge 155: pump

V1 : 제1밸브 V2 : 제2밸브V1: first valve V2: second valve

V3 : 제3밸브 P : 파티클V3: Third valve P: Particle

Claims (8)

이온화된 불순물을 특정한 에너지로 가속시켜 웨이퍼에 주입시키는 이온주입공정이 이루어지는 웨이퍼가공실을 포함하는 이온주입기의 파티클 제거장치에 있어서,A particle removing apparatus of an ion implanter comprising a wafer processing chamber in which an ion implantation step of accelerating ionized impurities to a specific energy is injected into a wafer, 상기 웨이퍼가공실의 내부 바닥면에 소정의 공간을 가지도록 형성되어 이온주입공정 중 발생하는 파티클을 포집하는 파티클챔버;A particle chamber formed to have a predetermined space on an inner bottom surface of the wafer processing chamber to collect particles generated during an ion implantation process; 상기 포집통로에 슬라이딩 가능하게 설치된 도어; 상기 도어를 개폐시킬 수 있도록 상기 도어에 연결된 공급라인을 통해 CDA를 공급해주는 CDA공급부; 및 상기 공급라인에 설치되어 CDA의 공급을 단속하는 제1밸브;를 포함하며, 상기 파티클챔버와 상기 웨이퍼가공실 사이에 형성된 파티클 포집통로를 개폐시키는 도어개폐부;A door slidably installed in the collecting passage; A CDA supply unit supplying a CDA through a supply line connected to the door to open and close the door; And a first valve installed in the supply line to control the supply of CDA; a door opening / closing unit which opens and closes a particle collecting passage formed between the particle chamber and the wafer processing chamber. 상기 파티클챔버에 각각 연결된 공급라인을 통해 질소를 공급해주는 질소공급부; 및 상기 공급라인에 설치되어 질소의 공급을 단속하는 제2밸브;를 포함하며, 상기 포집통로가 폐쇄된 상태에서 상기 파티클챔버 내부에 포집된 파티클을 제거할 수 있도록 질소를 분사시키는 파티클제거부;A nitrogen supply unit supplying nitrogen through supply lines respectively connected to the particle chambers; And a second valve installed in the supply line to control the supply of nitrogen, wherein the particle removal unit injects nitrogen to remove particles collected in the particle chamber while the collection passage is closed. 상기 파티클챔버에 각각 연결된 공급라인을 통해 상기 파티클챔버 내부를 저압상태로 펌핑하는 펌프; 및 상기 공급라인에 설치되어 펌핑을 단속하는 제3밸브;를 포함하며, 상기 파티클제거부에서 파티클을 제거한 뒤 상기 파티클챔버 내부에 잔류하는 파티클과 질소를 배출시킴과 동시에 상기 파티클챔버 내부의 압력을 설정치로 맞춰주는 펌핑부; 및A pump for pumping the inside of the particle chamber to a low pressure state through a supply line respectively connected to the particle chamber; And a third valve installed in the supply line to control pumping, and removes particles from the particle removing unit and discharges the particles and nitrogen remaining in the particle chamber and simultaneously pressurizes the pressure inside the particle chamber. A pumping unit adapted to a set value; And 상기 일련의 파티클 제거과정을 순차제어프로그래밍에 의해 순차적으로 제어하는 제어부;를 포함하며,And a controller for sequentially controlling the series of particle removal processes by sequential control programming. 상기 공급라인에는 압력측정게이지가 구비되어 상기 파티클챔버 내부의 압력을 측정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 이온주입기의 파티클 제거장치.The supply line is provided with a pressure measuring gauge particle removal device of the ion implanter, characterized in that configured to measure the pressure inside the particle chamber. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete
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