KR101005331B1 - 벽수조절이 가능한 탄소나노튜브의 성장방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 양질이고 원하는 벽수를 갖는 탄소나노튜브를 성장시키는 방법에 관한 것이다.
이를 위해 본 발명은 기판상에 촉매금속층을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상에 합성가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하고; 상기 촉매금속층과 상기 합성가스를 열 노출시간 내에 주입하여 상기 탄소나노튜브를 형성하는 탄소나노튜브 성장방법을 제공한다.
탄소나노튜브, 벽수, 촉매, 화학기상증착(CVD)

Description

벽수조절이 가능한 탄소나노튜브의 성장방법{Carbon NanoTube growing method for controlling wall number}
본 발명은 탄소나노튜브에 관한 것으로, 양질이고 원하는 벽수를 갖는 탄소나노튜브를 성장시키는 방법에 관한 것이다.
최근 평면 기판상에서 배향된 탄소나노튜브(carbon nanotube: CNT)의 인시츄 성장(in situ growth)은 나노트랜지스터, 광전자 디스플레이용 전자 에미터(electron emitters) 및 DNA 탐지용 나노전극(nanoelectrode)등과 같은 나노튜브 기반 디바이스의 제조용으로 매력적인 선택이 되고 있다.
많은 응용에 있어서, 탄소나노튜브의 고밀도, 고품질, 양질의 배향성(alignment)은 선결과제이다. 그러나, 주로 지난 10년에 적용된 대부분의 합성 방법은 단지 무질서한 단일벽 나노튜브 묶음이나 수직으로 배향된 다중벽 탄소나노튜브(MWNTs)를 양산할 수 있었다.
수직 배향에 대해, 높은 표면밀도(단위면적당 기판 표면상의 촉매입자들의 수로 정의됨)를 가진 촉매 나노입자들의 준비는 매우 중요할 정도로, 가장 개연성 있는 메카니즘은 고밀도 유도 정렬로 간주되어 왔다.
증착 또는 스퍼터링 같은 물리적 기술에 의해 매우 쉽게 준비될 수 있는 촉매 박막들은 수직적으로 배향된 다중벽 나노튜브의 성장에 보편적으로 적용될 수 있고, 다양한 연구는 열 전처리 동안 형성된 촉매 나노입자들의 크기는 촉매의 두께에 의존한다는 것을 증명해왔다.
이러한 연구에서 탄소나노튜브의 벽수를 제어하기 위한 다양한 노력이 이루어지고 있다.
본 발명은 전술한 바와 연구 환경을 반영한 것으로, 탄소나노튜브의 성장시 성장 위치 및 열 노출시간을 조절하여 합성되는 탄소나노튜브의 벽수를 조절할 수 있는 탄소나노튜브 성장방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 해결하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예는 기판상에 촉매금속층을 형성하는 단계와, 상기 촉매금속층 상에 합성가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하고; 상기 촉매금속층과 상기 합성가스를 열 노출시간 내에 주입하여 상기 탄소나노튜브를 형성하는 탄소나노튜브 성장방법을 제공한다.
또한, 상기 촉매가 증착된 기판이 놓여지는 위치는 열적 영향을 받지 않는 위치거나 냉각수로 냉각되어진 부분에 위치시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 탄소나노튜브 성장시 열 노출 시간은 동시에 주입하여 0초의 범위를 가지거나 1초 이하의 범위를 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 열 노출시간을 조절하여 상기 탄소나노튜브의 벽수를 조절하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 탄소나노튜브는 이중벽 탄소나노튜브(DWNT) 또는 삼중벽 탄소나노튜브(TWMT)로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 챔버의 가열온도는 750~830℃의 범위를 가지며, 상기 금속촉매는 Fe, Ni, Co, Cr, Ni/Ti, Co/Ti, Fe/Ti 중 적어도 어느 하나를 이용하며, 상기 탄소나노튜브의 성장은 T-CVD 공정과 인시츄 공정에서 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 기판은 SUS 판이며, 상기 합성가스는 C2H2, H2 및 Ar을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 탄소나노튜브의 합성시 열 노출시간을 최소화하여 합성되는 탄소나노튜브가 이중벽 탄소나노튜브 또는 삼중벽 탄소나노튜브로 구성되게 하여 다양한 전자 에미터에 적용가능하게 한다.
또한, 상기 열 노출시간을 조절하면서 촉매의 상태를 바꾸어주면 합성되는 탄소나노튜브의 벽수를 조절하여 질 좋고 원하는 벽수를 갖는 탄소나노튜브를 제조할 수 있게 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄소나노튜브의 성장과정을 나타낸 흐름도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 먼저 기판상에 전자빔(e-beam) 증착기나 스퍼터법을 이용하여 단일 또는 다층의 1nm 두께로 촉매금속층을 형성한다(S110). 이때, 기판은 p-타입 Si 웨이퍼 또는 스테인레스 강판(SUS)이 사용될 수 있다. 특히, 저비용 및 무처리 기판이 탄소나노튜브 에미터(emitter)의 적용으로서 긴히 요청되므 로, 탄소나노튜브의 성장을 위한 기판으로서 스테인레스강(SUS)이 바람직하다.
또한, 상기 촉매금속층은 Fe, Ni, Co, Cr, Ni/Ti, Co/Ti, Fe/Ti 등을 사용할 수 있다.
이후, 촉매금속층상에 탄소나노튜브를 형성한다(S120). 이때, 탄소나노튜브 성장은 촉매금속의 두께, 가스의 부분압력 및 처리전후의 성장온도와 같은 다양한 임계조건에 의존하는데, 본 발명에서는 도 2의 챔버(chamber)내에서 T-CVD(Thermal chemical vapor deposition) 공정과 인시츄(in situ) 공정을 통해 탄소나노튜브를 합성한다. 합성을 위한 챔버 내부의 가열 온도는 750~830℃ 범위 내이고, 800℃가 바람직하다.
기판상에 증착된 촉매가 탄소나노튜브로 가장 잘 합성되기 위해서는 적절한 크기로 챔버내에 적절한 상태로 놓여 있는 것이 좋다. 따라서, 촉매가 증착된 기판이 놓여지는 위치는 챔버 내부에서 열적영향(thermal effect)을 받지 않는 위치여야 하고, 촉매는 열 노출 정도에 따라 상태가 바뀌게 되므로 열 노출시간을 최소화하는 것이 바람직하다. 가령, 도 2에서 가열지대(Heating Zone)이 아닌 챔버 내 공간이 열적영향을 받지 않는 위치라고 할 수 있다. 또한, 챔버 내부에서 냉각수로 냉각되어진 부분에 위치시킨다.
열 노출시간은 전처리 공정에서 행해지는 시간으로, 가열된 챔버에서 샘플(촉매증착된 기판) 입력으로부터 가스 입력까지의 시간을 말하는데, 전처리된 Si 웨이퍼의 표면분포는 AFM에 의해 확인된다. 이때, 기판이 열에 노출되는 정도가 너무 적으면 얇게 펴진 상태로 존재하게 되고, 열에 노출되는 정도가 늘어나면서 표면에 탄소나노튜브가 합성될 수 있는 돌기나 입자가 형성되게 된다. 열 노출 정도가 높아지면 상기 돌기나 입자가 서로 엉겨 붙어 크기가 커지고 내부적인 물리적인 상태도 변하게 되고, 여기서 열 노출 정도를 더욱 높일 경우 촉매들이 증발하여 촉매량이 줄어들게 된다. 따라서, 질 좋고 원하는 벽수를 가진 탄소나노튜브를 제조하기 위해 적정의 크기와 상태로 유지하는 것이 요구된다. 이를 위해 전술한 성장시 촉매증착된 기판이 챔버에서 놓여지는 위치와 열 노출시간을 최소화시키는 것이 바람직하다. 예를 들면, 촉매가 증착된 기판과 합성가스가 800℃로 가열된 챔버 내부로 동시에 집어 넣을 경우 열 노출시간을 최소화할 수 있고, 챔버 내부에 도착하는 약 1초 정도의 시간에 탄소나노튜브로 합성되어지는 가장 안정적인 촉매 조건을 형성하게 된다. 따라서, 열 노출시간은 0~1초 범위가 가장 바람직하다.
또한, 상기 열 노출시간을 조절하면서 촉매의 상태를 바꾸어 주면 합성되어지는 탄소나노튜브의 벽수에 변화를 줄 수 있어, 시간의 미세조절을 통해 탄소나노튜브 벽수의 미세조절이 가능하다. 예를 들면, 열 노출시간을 증가시킬수록 탄소나노튜브의 벽수는 증가하는 경향이 있고, 그 반대로 열 노출시간을 감소시키면 탄소나노튜브의 벽수는 줄어들 수 있다.
한편, 어떠한 증착 촉매 없이 스테인레스강 기판상에 직접적인 MWNT의 성장은 다른 연구에서 보고되고 있으며, 만약 철-니켈 합금이 탄소나노튜브의 성장을 위해 사용되었더라면, 성장조건은 좀더 복잡해지고 스테인레스강 상에 직접 성장된 튜브에 대한 벽수의 제어는 어렵게 된다.
스테인레스강 기판상에 성장된 탄소나노튜브의 벽 상태는 TEM 이미지를 이용 하여 확인할 수 있고, 전계 방출의 속성은 바이폴러(bipolar) 전극 구조로부터 식별될 수 있다.
전처리 및 10분 합성 동안 사용된 반응 가스는 C2H2(500 sccm), H2(500 sccm), 및 Ar(500 sccm)을 포함할 수 있다.
이처럼 수직 배향된 탄소나노튜브의 성장 전에 기판상에 1nm Fe 촉매층이 기상증착되고, 전처리는 탄소나노튜브의 성장전에 T-CVD 내의 히팅 지대(Heating zone)에서 노출시간에 따라 수행된다. 전술한 바와 같이, 열 노출시간은 기판상에750~830℃에서 가열된 챔버에 놓여지는 시간부터 반응가스가 주입되는 시간까지로 간주된다.
도 3(a) 내지 도 3(f)는 본 발명의 일실시예에서 AFM에 의해 정해진 전처리된 Si 웨이퍼의 표면 분포 및 표면조도(RMS)를 나타낸 그래프이다.
도 3(a)는 기상증착된 촉매 Fe를 가지는 전처리 전에 Si 웨이퍼의 표면조도는 0.099nm로 확인되고, 전처리시간이 계속되면서 표면조도는 도 3(b)에서 0.166nm(0초), 도 3(c)에서 0.190nm(2초), 도 3(d)에서 0.265nm(5초), 도 3(e)에서 1.621nm(30초), 도 3(f)에서 0.338nm(60초) 순으로 변화된다. 여기서, 표면조도는 도 3(b) 내지 도 3(e)에 도시된 0~30초의 범위에서는 증가하지만, 도 3(f)의 60초에서 감소하기 시작한다. 도 3(e)의 30초에서 전처리 동안 촉매 Fe 입자의 재결합에 기인하여, 촉매 입자는 더 크게 성장하고, 도 3(f)의 60초에서 기상증착된 촉매의 다수가 다시 기상됨을 알 수 있다.
탄소나노튜브는 각 전처리된 Si 웨이퍼를 사용하여 성장되고, 탄소나노튜브의 길이 및 벽수는 SEM 및 TEM 영상에 의해 확인된다.
도 4(a) 내지 도 4(f)는 전처리 기간 내인 10초 동안 성장된 CNT를 보여주는데, 성장된 탄소나노튜의 길이를 SEM 이미지를 통해 확인할 수 있다.
도 4(a)에서 반응가스는 Si 웨이퍼가 750℃에 노출되기 전에 5초 주입된다. 촉매가 열전처리되기 전에 반응가스가 주입될 때 반응가스를 이용하여 수직배향된 CNT를 성장시키는 것은 불가능하다는 것을 확인할 수 있다. 수직 배향된 CNT는 0~10초(도 4(b) 내지 도 4(e)) 동안 전처리된 웨이퍼상에 성장되며, 전처리기간이 증가함에 따라, CNT의 길이는 감소되는데, CNT의 길이는 각각 0초에서 208㎛(도 4(b)), 2초에서 198㎛(도 4(c)), 5초에서 110㎛(도 4(d)), 10초에서 40㎛(도 4(e)) 성장한다. 전처리에 기인한 표면 분포의 변화는 성장된 CNT의 수직 배향 뿐만아니라 CNT의 성장속도에도 영향을 미쳤다는 것을 확인할 수 있다.
도 5(a) 내지 도 5(e)는 전처리에 의해 성장된 CNT의 TEM 이미지를 보여주며 벽 상태를 확인할 수 있다. 발견된 CNT의 벽수는 다음과 같다. 즉, 도 5(a)는 0초에서 2~7(주로 3개) 벽을 보여주며, 도 5(b)는 2초에서 2~8(주로 4개) 벽을 보여주며, 도 5(c)는 5초에서 2~13(주로 6개) 벽을 보여주며, 도 5(d)는 10초에서 3~31(주로 9개) 벽을 보여준다. 도 2는 30초(도 2(f)) 동안 전처리에 의해 형성된 Fe 입자가 수직배열 및 적은 벽수를 갖는 CNT의 성장에 적합하지 않다는 것을 보여준다.
전처리를 위한 시간이 길어짐에 따라 CNT 벽수는 증가하고 CNT는 더 두꺼워 짐을 확인할 수 있다. 표면분포에 있어서 변화는 CNT 성장을 위한 촉매 형성에 영향을 미침에 의해 이중벽 나노튜브(DWNT) 및 삼중벽 나노튜브(TWNT)를 포함하는 CNT의 속성을 향상시키는데 기여한다. 더 짧아진 전처리 시간은 작은 벽수를 가진 CNT를 성장시키는 것을 가능하게 하는 나노크기의 촉매 형성에 유리하다. 성장이 전처리를 최소화시킴에 의해 수행될 경우 CNT의 다수는 DWNT 및 TWNT로 구성됨을 TEM 이미지를 통해 알 수 있다. 이와같이, 가장 작은 벽수를 갖는 CNT를 성장시키기 위해 전처리 공정을 최소화시키는 것이 바람직하다.
X-선 소스와 같은 에미터 총(emitter gun)으로 합성된 CNT를 사용하기 위해, 5mm 직경을 갖는 SUS 기판에 CVD에 의해 CNT가 성장된다.
도 6(a) 및 도 6(b)는 본 발명의 일실시예에 따라 스테인레스강판에 수직 배향된 CNT의 TEM 이미지를 나타낸 그래프이다.
도 6(a) 및 도 6(b)을 참조하면, 벽수가 2~7(주로 2)이다는 것을 보여준다. 이때, CNT의 대부분은 DWNT로 구성되고, DWNT의 직경은 7nm이다.
스테인레스강판을 이용한 CNT의 성장은 이미터 건 등의 다양한 형태에 탄소나노튜브를 적용하거나 처리하는데 기능적으로 많은 이점을 가진다.
Si 웨이퍼 및 스테인레스강 기판에 성장된 CNT에서의 결점 및 결정화를 조사하기 위해 라만 분광법(Raman spectroscopy)을 수행하고 그 결과는 도 7(a)에 보여준다.
632.8nm의 He-Ne 레이저 여기 파장(excitation wavelength)에서 얻어진 라만 스펙트럼은 다른 무질서 sp2 탄소 종류의 비결정질 탄소의 상대적인 양에 비례하는, D대역(흑연의 무질서 유도형)의 강도비 대 G대역(결정질 흑연의 광적으로 허용된 E2g모드)의 밀도비(Id/Ig)에 따라 피크 강도 및 폭에서의 차이를 나타낸다. 열 노출시간 0초(스테인레스)에서의 비는 1.09이고, 열 노출시간 0초(Si 웨이퍼)에서의 비는 1.27이고, 열 노출시간 10초(Si 웨이퍼)에서의 비는 1.54이다. 열 노출시간에서 Id/Ig의 증가는 CNT에서 무질서를 증가시키는 원인이 되고, 이는 표면상의 Fe 나노입자의 크기에 기인할지도 모른다. 열 노출시간에서 Id/Ig의 감소는 벽수의 감소로 생각됨이 제안된다. 도 7(b)는 스테인레스강판상의 0초 및 Si 웨이퍼상의 0 및 10초에서 다른 전처리 샘플의 개략적인 튜브 직경이 TEM 이미지로부터 결정될 수 있음을 나타낸다. 각각 Si 웨이퍼 및 스테인레스강판에 대해 0초 동안 전처리된 CNT가 12nm 및 7nm의 평균직경을 가짐에 반해, Si 웨이퍼에 대해 10초 동안 전처리된 CNT가 약 25nm의 평균 직경을 가지므로 더 큰 직경을 가진다는 것을 보여준다.
TEM 이미지 및 라만 분광법은 스테인레스강판상에 성장된 CNT가 동일한 성장 조건하에서 Si 웨이퍼상에 성장된 CNT 보다 좀더 균일하고 양질의 특성을 가짐을 보여준다. 게다가 스테인레스강판상에 성장된 CNT의 벽수는 작다. 촉매의 형성은 CNT 성장의 몇몇 경우에 문제가 될 수 있다. 본 발명은, 촉매 형성과 CNT간의 직경 및 벽수 상관관계는 촉매 형성이 CNT 성장동안 효과적으로 억제된다는 것을 나타낸다. 우리는 CNT가 성장을 시작하기 전에 촉매활동의 향상이 촉매 금속의 형성 에 원인이 될 것으로 판단하며, 적당한 온도에서의 성장은 촉매금속의 해리 전반을 방지할 수 있다. 결과적으로, 촉매금속에 대응되는 CNT 직경 및 벽수가 얻어지고, 뛰어난 벽수 제어성은 스테인레스강판상의 0초에서 얻어질 수 있다.
이상에서 기상증착된 촉매 Fe을 가지고 Si 웨이퍼 및 스테인레스강판상에 전처리를 통하여 전계방출에 이익이 되는 CNT 성장을 확인할 수 있다. 0초 동안 전처리된 CNT는 SEM 및 TEM 이미지로부터 DWNT 및TWNT에서 2~7(주로 2) 벽을 가지는 것으로 확인되었다.
뛰어난 벽수 제어성은 스테인레스강판상에 0초에서 얻어지며, 우리는 CNT가 성장을 시작하기 전에 촉매 활동에서의 향상이 촉매 금속의 형성에 원인이 될 수 있으며, 적당한 온도에서의 성장은 촉매금속의 해리 전반을 방지할 수 있다. 결과적으로 촉매 금속의 직경 및 벽수에 해당하는 CNT 직경 및 벽수가 얻어지며, 게다가 전처리 조건의 제어는 단지 DWNT 및 TWNT로 구성되는 CNT의 성장을 가능하게 한다는 것을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 탄소나노튜브의 성장과정을 나타낸 흐름도,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 탄소나노튜브 합성을 위한 T-CVD 장치의 개략도,
도 3(a) 내지 도 3(f)는 본 발명의 일실시예에서 AFM에 의해 정해진 전처리된 Si 웨이퍼의 표면 분포 및 표면조도(RMS)를 나타낸 그래프,
도 4(a) 내지 도 4(f)는 전처리 기간 내인 10초 동안 성장된 CNT를 보여주는 SEM 이미지를 나타낸 그래프,
도 5(a) 내지 도 5(e)는 전처리에 의해 성장된 CNT의 TEM 이미지를 나타낸 그래프,
도 6(a) 및 도 6(b)는 본 발명의 일실시예에 따라 스테인레스강판에 수직 배향된 CNT의 TEM 이미지를 나타낸 그래프,
도 7(a) 및 도 7(b)는 각각 다른 전처리 조건하에서 성장된 CNT의 라만 스펙트럼 및 히스토그램을 나타낸 그래프이다.

Claims (10)

  1. 챔버에서 기판상에 촉매금속층을 형성하는 단계와,
    상기 촉매금속층 상에 합성가스를 주입하여 탄소나노튜브를 성장시키는 단계를 포함하되;
    상기 촉매금속층이 증착된 기판을 상기 챔버에 주입한 시점부터 상기 합성가스의 주입한 시점까지로 정의되는 열 노출시간을 조절하여 상기 탄소나노튜브의 벽수를 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 촉매가 증착된 기판이 놓여지는 위치는 열적 영향을 받지 않는 위치거나 냉각수로 냉각되어진 부분에 위치시키는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브 성장시 상기 열 노출시간을 0초 초과 내지 1초 이하의 범위로 조절하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  4. 삭제
  5. 제3항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브는 이중벽 탄소나노튜브(DWNT) 또는 삼중벽 탄소나노튜브(TWMT)로 구성되는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 가열온도는 750~830℃의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 촉매금속층은 Fe, Ni, Co, Cr, Ni/Ti, Co/Ti, Fe/Ti 중 적어도 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 탄소나노튜브의 성장은 T-CVD 공정과 인시츄 공정에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  9. 제1항에 있어서
    상기 기판은 스테인레스강(SUS) 판인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 합성가스는 C2H2, H2 및 Ar을 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 성장방법.
KR1020080050391A 2008-05-29 2008-05-29 벽수조절이 가능한 탄소나노튜브의 성장방법 KR101005331B1 (ko)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20080004114A (ko) * 2006-07-04 2008-01-09 세메스 주식회사 탄소나노튜브 생산시스템 및 방법
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