KR101002929B1 - 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 - Google Patents
전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101002929B1 KR101002929B1 KR1020080124796A KR20080124796A KR101002929B1 KR 101002929 B1 KR101002929 B1 KR 101002929B1 KR 1020080124796 A KR1020080124796 A KR 1020080124796A KR 20080124796 A KR20080124796 A KR 20080124796A KR 101002929 B1 KR101002929 B1 KR 101002929B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- photocatalyst
- dye
- sensitized solar
- solar cell
- transition metal
- Prior art date
Links
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 title claims abstract description 100
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 53
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 32
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000010802 sludge Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 14
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 101710134784 Agnoprotein Proteins 0.000 claims description 7
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 claims description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 6
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013504 Triton X-100 Substances 0.000 claims description 4
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 claims description 4
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 claims description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- XSNQEMWVLMRPFR-UHFFFAOYSA-N silver nitride Chemical compound [N-3].[Ag+].[Ag+].[Ag+] XSNQEMWVLMRPFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002538 Polyethylene Glycol 20000 Polymers 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003245 coal Substances 0.000 description 1
- 239000010779 crude oil Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000010977 jade Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- -1 nitrate ion (NO 3 -) ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J35/00—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties
- B01J35/30—Catalysts, in general, characterised by their form or physical properties characterised by their physical properties
- B01J35/39—Photocatalytic properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/48—Silver or gold
- B01J23/50—Silver
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/38—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of noble metals
- B01J23/48—Silver or gold
- B01J23/52—Gold
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J23/00—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00
- B01J23/70—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper
- B01J23/76—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36
- B01J23/84—Catalysts comprising metals or metal oxides or hydroxides, not provided for in group B01J21/00 of the iron group metals or copper combined with metals, oxides or hydroxides provided for in groups B01J23/02 - B01J23/36 with arsenic, antimony, bismuth, vanadium, niobium, tantalum, polonium, chromium, molybdenum, tungsten, manganese, technetium or rhenium
- B01J23/85—Chromium, molybdenum or tungsten
- B01J23/86—Chromium
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J37/00—Processes, in general, for preparing catalysts; Processes, in general, for activation of catalysts
- B01J37/0072—Preparation of particles, e.g. dispersion of droplets in an oil bath
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
- B82B3/0095—Manufacture or treatments or nanostructures not provided for in groups B82B3/0009 - B82B3/009
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/86—Inert electrodes with catalytic activity, e.g. for fuel cells
- H01M4/90—Selection of catalytic material
- H01M4/9041—Metals or alloys
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/30—Hydrogen technology
- Y02E60/50—Fuel cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
본 발명은 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법에 관한 것으로, 기존 상용화되어 시판되고 있는 P-25(Degussa, Germaby) 광촉매(SiO2, TiO2)에 질산화은(AgNO3)을 함침법을 이용하여 담지한 후 초음파를 통해 입자간 분산을 유도하고, 초음파 분산이 끝난 광촉매 슬러지는 탈수, 건조, 및 소성의 과정을 걸쳐 Ag를 담지한 최종의 광촉매 입자를 제조할 수 있다. 그리고, 광촉매를 입자를 파쇄하여 패이스트를 제조한 후 FTO 유리판에 코팅한 후 소성과정을 걸쳐 염료를 흡착함으로써 태양전지의 광전극을 제조할 수 있다.
본 발명에 의하면, 광촉매에 전이금속을 포함함으로써 염료감응형 태양전지의 에너지 변환효율을 향상시킬 수 있다.
전이금속, 질산화은(AgNO3), 광촉매, 염료감응형 태양전지
Description
본 발명은 질산화은(AgNO3)을 이용하여 은(Ag)만을 선택적으로 광촉매에 담지하여 고성능 광촉매를 제조하고, 광촉매를 사용하여 패이스트(paste)를 제조함으로써 태앙전지의 구성요소인 광전극을 제조하여 에너지 변환효율이 좋은 염료감응형 태양전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.
화석연료에 의존되어 온 현대 인류의 생활은 에너지가 충분한 환경에서 살고 있지 않다. 최근에 원유 원가 상승에 대한 신 재생 에너지 개발은 그 좋은 예로서 향후 에너지 대란을 예고한다 하여도 과언이 아니다.
이러한 에너지 대란에 대비하여 미생물을 이용한 바이오 에너지, 풍력, 태양 광, 태양열, 소수력, 폐기물 재활용, 해양의 조력, 지열 등의 재생 에너지 분야와 수소, 연료전지, 석탄가스화 및 액화 등의 신에너지 분야로 전 세계적으로 대체 에너지 개발에 박차를 가하고 있는 실정이다.
이 중 태양광을 이용한 태양전지(photovoltaic cell or solar cell)는 태양광 에너지를 직접 전기 에너지로 변환시키는 기술을 적용함으로서 다른 신재생에너지에 비해 에너지원이 무한정하며, 전기 발전 과정에서 공해가 배출되지 않아 친환경적이며, 에너지 수급안정성 확보가 가능한 장점이 있다.
또한, 수명이 반영구적이고 소음이 없으며 유지보수가 간단하여 소규모 전원부터 대규모 발전소 용까지 응용이 가능하다는 장점이 있다.
현재, 태양전지는 실리콘 산화막을 이용한 실리콘 표면 패시베이션 (passivation) 기술과 전극의 패시베이션 기술을 적용하면서 고효율 실리콘 태양전지를 제조하여 현재 25%까지 도달하는 에너지 변환효율과 제조공정의 확보가 이루어져 널리 사용되고 있다.
그러나, 실리콘 태양전지는 제조에 대형의 고가장비가 사용되며, 원료 가격의 한계, 고도의 기술 및 다량의 에너지가 필요한 단점이 있다.
이를 해결하기 위한 대안으로 연구된 염료감응형 태양전지는 실리콘 태양전지에 비해 제조원가가 낮으며(약 1/4 ~ 1/5) 원재료인 산화티탄, 색소, 전해질 용액이 자원적으로 풍부하며, 대기압 하에서 코팅방식이나 생산방식이 간단하여 대량 제조가 가능한 장점이 있다.
하지만, 염료감응형 태양전지는 태양광의 에너지 변환 효율면에서 실리콘 태 양전지보다 낮은 단점이 있다.
따라서, 실리콘 태양전지와 동일한 효과를 내면서 염료감응형 태양전지의 장점을 갖는 태양전지의 개발이 요구된다.
본 발명은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 태양광 중 자외선(UV) 뿐만 아니라 가시광선 영역에서도 활성을 갖도록 하여 더욱 많은 태양광을 활용하고, 상대전극 및 광전극의 태양광의 흡수 에너지값을 감소시켜 실리콘 태양전지보다 좋은 효율의 태양광 에너지를 갖는 전이금속을 포함하는 광촉매 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법을 제공하는 데에 목적이 있다.
본 발명의 전이금속을 포함하는 광촉매 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법은 질산화은(AgNO3)을 수용액에 녹여 이온화시킨 다음 광촉매를 투여한 후 입자들을 분산 및 교반하여 생성된 은(Ag)이 담지된 광촉매를 활용하여 패이스트를 제조하고, 그에 이용하여 광전극을 제조함으로써 태양광 에너지 변환효율을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법에 관한 것으로, 전이금속이 담지된 광촉매를 교반하고, 원심분리를 통해 슬러지를 형성하는 단계를 포함하고, 상기 슬러지를 소성 및 파쇄하여 광촉매 입자를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 전이금속은 크롬(Cr), 바나듐(V), 은(Ag), 금(Au), 팔라 듐(Pd), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 및 니오브(Nb) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성할 수 있다.
또한, 본 발명의 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법은 수용액에 질산화은(AgNO3)을 넣어 이온화하여 교반하는 단계를 포함하고, 상기 교반에 의해 얻어진 용액 내의 광촉매를 넣은 후 교반하여 원심분리를 통해 슬러지를 형성하는 단계를 포함하며, 상기 슬러지를 소성한 후 소정의 크기로 파쇄하여 광촉매 입자를 생성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 이온화하여 교반하는 단계에서 질산화은을 포함하는 수용액 내의 은의 농도는 2.9*10-3mole/L 이상 5.8*10-3mole/L 이하로 형성할 수 있다.
본 발명에서 상기 광촉매 입자 내의 전이금속의 질량분률은 2.47% 이상 2.86% 이하로 형성할 수 있다.
본 발명에서 상기 광촉매 입자의 크기는 20nm ~ 30nm 으로 형성할 수 있다.
그리고, 본 발명의 염료감응형 태양전지 제조방법은 전이금속을 포함하는 광촉매 입자를 사용하여 패이스트를 제조하는 단계를 포함하고, 상기 패이스트를 사용하여 광전극을 제조하는 단계를 포함하며, 백금(Pt)이 코팅된 상대전극을 제조하여 핫 프레스법을 통해 태양전지 셀을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 광전극을 제조하는 단계는 50mL 볼밀 반응조당 상기 전이금속을 포함하는 광촉매 7.0g ~ 7.5g 및 시약을 포함하여 패이스트를 제조하는 단계를 포함하고, 불소 도핑 산화주석(FTO)이 코팅된 전도체 유리의 상부에 패이스트 를 코팅하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 시약은 증류수(H2O), 99 %에탄올, 아세틸아세톤(Acetylaceton), 폴리에틸렌 글리콜(PEG), 트리톤(Triton) X-100, 및 질화수소(HNO3) 용액을 모두 포함하여 형성할 수 있다.
본 발명에서 상기 상대전극은 상기 광전극의 제조와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명의 염료 감응형 태양전지에 있어서 상기 제 1항 또는 제 3항에 의해 형성된 전이금속을 포함한 광촉매 입자를 통해 형성된 패이스트를 기판에 코팅 및 소성하여 형성되는 광전극을 포함할 수 있다.
본 발명에 의하면 전이금속을 포함하는 광촉매를 이용하여 광전극을 제조함으로써 염료감응형 태양전지의 에너지 변환 효율을 향상시키는 효과가 있다.
또한, 전이금속을 포함하는 광촉매의 제조 시 사용화되어 있는 P-25 (Degussa, Germaby)를 사용함으로써 원재료 획득이 용이한 효과가 있다.
염료감응형 태양전지의 에너지 변화 효율을 증가하기 위하여 전이금속을 포함하는 광촉매를 제조하고, 제조된 광촉매를 사용하여 광전극을 제조한다.
염료감응형 태양전지의 광전극을 제조하기 위한 광촉매는 상용화되어 시판되고 있는 P-25(Degussa, Germaby)를 사용하여 용이하게 제작할 수 있다.
광촉매의 공극 크기(pore size)는 은(Ag)의 담지에 유리하도록 클수록 유리하며 한정하는 것은 아니지만, 13Å이상인 것이 바람직하다. 그리고, 광촉매는 비표면적이 클수록 염료의 흡착량과 태양광의 접촉면이 증가하기 때문에 40m2/g이상으로 사용하는 것이 바람직하다.
왜냐하면, 광촉매 입자의 크기가 너무 작으면 입자와 입자 사이의 공극이 줄어들어 비표면적이 작아져 효율이 감소하며, 너무 큰 입자는 생성된 전자가 이동 중 재결합을 통해 소실되기 때문에 에너지 변환효율을 감소시킬 수 있기 때문이다.
따라서, 광촉매의 입자 크기는 약 20~30nm 정도가 적당하며, 이러한 조건은 상용화되고 있는 P-25 광촉매가 모두 만족하기 때문에 염료감응형 태양전지의 광전극 제조시 P-25 광촉매를 활용할 수 있다.
광촉매에 포함되는 전이금속은 대표적으로 크롬(Cr), 바나듐(V), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo), 및 니오브(Nb) 중 선택되는 어느 하나의 금속으로 형성할 수 있으며, 본 발명의 실시 예에서는 은(Ag)을 사용한다.
은(Ag)은 전기적, 열적 전도성이 우수하며, 대기상태에서도 높은 안정성을 가지고, 전자(electron)-정공(hole) 분리에 의한 자유전자의 포획 기능(Schottky barrier law)이 있으며, 공간 내 전자의 여기(electron excitation)를 쉽게 도와주는 역할을 수행한다.
이하, 도 1을 참조하여 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매 제조방법을 알 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매 제조방법을 나타낸 흐름도로서, 은(Ag)을 효과적으로 광촉매 내부에 포함하기 위하여 증류가 된 물을 용액으로 하고 질산화은(AgNO3)을 용질로 하여 이온화시킨다(S100).
질산화은(AgNO3)은 증류수에 녹이면 쉽게 은(Ag+) 이온과 질산(NO3 -) 이온으로 쉽게 분리되며, 이러한 성질을 이용하여 질산화은(AgNO3) 0.05g을 넣고 약 6시간 이상 25℃ 환경에서 충분히 교반시켜 은(Ag) 용액을 형성한다(S110).
이때, 용액 내의 전이금속(Ag)의 농도는 2.9*10-3 mole/L ~ 5.8*10-3 mole/L로 형성할 수 있으며, 최적의 농도로는 2.9*10-3 mole/L의 농도가 바람직하다.
그리고, 용액 내의 전이금속(Ag)의 농도가 2.9*10-3 mole/L 일 경우 광촉매 입자 내의 전이금속의 질량분률은 2.86%를 나타내고, 5.8*10-3 mole/L일 경우의 광촉매 입자 내의 전이금속의 질량분률은 2.47%를 나타낸다.
또한, 교반에 의해 제조된 은(Ag) 용액 내에 사용화되고 있는 P-25 광촉매를 약 10g 넣은 후(S120), 25℃에서 2시간 충분히 교반시킨다.
교반 후 동일한 환경(25℃)에서 1시간 동안 초음파를 쬐어준 후, 다시 21시 간 교반하고(S130), 그 후 4℃, 8000rpm 환경에서 원심분리하여(S140) 슬러지를 형성한다.
형성된 슬러지는 450℃에서 30분간 소성하고(S150), 소성이 완료되면 옥 재질의 나노 막자사발을 이용하여 소성이 완료된 슬러지를 파쇄하여(S160) 약 20nm~30nm의 광촉매 입자를 형성한다(S170).
그리고, 파쇄가 끝나 형성된 광촉매 입자는 밀봉된 상태에서(질소분위기) 보관하며, 사용할 때마다 분취하여 사용한다.
광전극 제조를 위한 패이스트(paste)는 도 1에 의해 제조된 광촉매 입자와 아래의 시약을 혼합하여 제작할 수 있다(표1 참조).
Paste 제조 | |
전이금속이 담지된 광촉매 입자 | 7.5g |
H2O | 7 mL |
Ethanol | 2 mL |
Acetylaceton | 0.3 mL |
PEG(20000) | 0.4g |
Triton X-100 | 0.1 mL |
HNO3 | 1 mL |
좀 더 자세하게, 패이스트를 제조하는 방법은 전이금속이 담지된 TiO2 광촉매 입자를 약 7.0g ~ 7.5g 분취하며, 좀 더 정확하게는 7.5g을 분취하여 50mL용량을 가진 세라믹 재질의 볼밀 반응조에 넣는다.
그리고, 표 1의 용량에 따라 증류수(H2O), 99 %에탄올(Ethanol), 아세틸아세톤(Acetylaceton), 폴리에틸렌 글리콜(PEG), 트리톤(Triton) X-100, 및 질화수소(HNO3) 용액을 순서대로 볼밀 반응조에 넣고, 알루미나 볼을 넣은 후 외부와 가스 유출입이 없도록 단단히 밀봉하여 24동안 광촉매 입자와 시약들이 잘 섞이도록 한다.
볼밀 작업이 끝나면 제조된 패이스트를 밀봉이 가능한 바이얼에 취하여 암실에 보관한다.
이 패이스트를 FTO(Fluorine-doped Tin Oxide, 7~9ohm) 유리판에 면적이 0.25㎠가 되도록 닥터브레이드법을 사용하여 코팅한 후, 450℃, 30분동안 소성릉 시켜 5*10-4mole/L의 Ruthenum 535-bisTBA 염료에 25℃, 24시간 동안 담궈 염료를 광촉매 필름에 흡착시켜 광전극을 제조한다.
염료 감응형 태양전지의 광전극의 상기와 같은 방법으로 제조하고, 상대전극(백금(Pt)가 코팅된 전극) 역시 광전극과 같은 전극으로 제조한 후 양극을 핫 프레스(hot-pressing)법을 이용하여 최종 염료감응형 태양전지를 제조한다.
이하, 도 2a 및 도 2b, 도 3a 및 도 3b, 도 4, 및 표 3을 통해 종래의 광촉매와 본 발명의 전이금속을 포함하는 광촉매의 특성을 평가하고, 도 5를 통해 제조된 염료감응형 태양전지 셀의 전기 에너지 변환 효율을 평가할 수 있다.
도 2a는 종래의 P-25 광촉매의 FE-SEM 분석결과를 나타낸 사진이며, 도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 FE-SEM 분석결과를 나타낸 사진이다.
도 2a 및 도 2b를 참조하면, 광촉매의 입자크기가 P-25 광촉매의 경우 약 24nm로 나타나며, 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 경우 입자크기가 약 25nm로 나타난다. 이에 따라 전이금속이 포함된 광촉매의 경우 입자의 크기가 커짐을 알 수 있다.
도 3a는 종래의 P-25 광촉매의 EDX 분석결과를 나타낸 사진이고, 도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 EDX 분석결과를 나타낸 사진이다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 하기의 표2를 얻을 있으며 분석결과 P-25 광촉매는 산소(O)와 티타늄(Ti)의 무게 분율이 각각 40.29%, 59.71%로 나타났고, 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)는 산소(O), 티타늄(Ti), 및 은(Ag)의 무게분율이 각각 46.77%, 52.76%, 0.47%로 나타났다.
Element |
Weight(%) | |
P-25 | 전이금속을 포함하는 광촉매 | |
O | 40.29 | 46.77 |
Ti | 59.71 | 52.76 |
Ag | 0 | 0.47 |
Total | 100 | 100 |
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25) 및 그 외 다수 광촉매의 XRD 분석결과를 나타낸 그래프로서, P-25 광촉매와 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25) 모두 아나타제(Anatase)와 루타일(Rutile) 구조가 혼합된 결정 구조를 가지고 있음으로 알 수 있으며, 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 경우 Ag Peak가 나타나는 것을 알 수 있다.
Variety of photocatalyst | Surface area (m2/g) |
Total pore Volume(cc/g) |
Average pore size(Å) |
P-25 | 44.80 | 0.0148 | 13.20 |
전이금속을 포함하는 광촉매 | 51.65 | 0.0183 | 14.18 |
상기의 표 3은 BET 분석결과를 나타낸 것으로, 분석결과 P-25 광촉매에 비해 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)가 Surfacd area, Total pore vomume, average pore size에서 모두 증가하는 것을 알 수 있다.
즉, 상기의 도 2a 및 도 2b, 도 3a 및 도 3b, 도 4, 및 표 3을 참조하면, 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 특성이 종래의 P-25 광촉매의 특성과 유사하거나, 오히려 더 향상되어 나타남을 알 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)와 종래의 P-25 광촉매의 I-V curves를 측정한 결과를 나타낸 그래프로서, 측정결과는 하기의 표4를 참조한다.
도 5 및 표 4를 참조하면, 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)를 사용한 광전극이 에너지 변환 효율에서 약 1.4% 향상된 효과를 나타내는 것을 알 수 있다.
개방전압(V) | 광전류(mA/cm2) | 필펙터 | 에너지변환효율(%) | |
P-25 | 0.68 | 18.28 | 55.9 | 6.95 |
P-25+Ag | 0.69 | 21.42 | 56.5 | 8.35 |
위의 실험 결과(도 2a 및 도 2b, 도 3a 및 도 3b, 도 4, 및 도 5)를 보면 본 발명의 전이금속을 포함하는 광촉매를 이용한 광전극은 염료감응형 태양전지를 작동할 때 특성이 종래 P-25 광촉매를 이용한 광전극에 뒤지지 않으며 에너지 변환 효율이 더 향상된다. 특히, 질량분률 약 2.86%로 전이금속(Ag)이 담지되었을 때의 에너지 변환 효율은 기존의 P-25 보다 약 1.4%의 향상된 증가율을 나타낸다.
상기와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
당업자는 본 발명의 범위를 벗어나지 않고 설명된 실시형태를 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 범위에 속한다. 또한, 본 명세서에서 설명한 각 구성요소의 물질은 당업자가 공지된 다양한 물질로부터 용이하게 선택하여 대처할 수 있다. 또한, 당업자는 본 명세서에서 설명된 구성요소 중 일부를 성능의 열화 없이 생략하거나 성능을 개선하기 위해 구성요소를 추가할 수 있다. 뿐만 아니라, 당업자는 공정 환경이나 장비에 따라 본 명세서에서 설명한 방법 단계의 순서를 변경할 수도 있다. 따라서 본 발명의 범위는 설명된 실시형태가 아니라 특허청구범위 및 그 균등물에 의해 결정되어야 한다
도 1a는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매 제조방법을 나타낸 흐름도.
도 2a는 종래의 P-25 광촉매의 FE-SEM 분석결과를 나타낸 사진.
도 2b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 FE-SEM 분석결과를 나타낸 사진.
도 3a는 종래의 P-25 광촉매의 EDX 분석결과를 나타낸 사진.
도 3b는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)의 EDX 분석결과를 나타낸 그래프.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25) 및 그 외 다수 광촉매의 XRD 분석결과를 나타낸 그래프.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 전이금속(Ag)을 포함하는 광촉매(P-25)와 종래의 P-25 광촉매의 I-V curves를 측정한 결과를 나타낸 그래프.
Claims (11)
- 전이금속을 포함하는 광촉매를 제조하는 단계;50mL 볼밀 반응조당 상기 전이금속을 포함하는 광촉매 7.0g 내지 7.5g과, 시약을 포함하여 패이스트를 제조하는 단계;불소 도핑 산화주석(FTO)이 코팅된 전도체 유리의 상부에 상기 패이스트를 코팅하여 광전극을 제조하는 단계;백금(Pt)이 코팅된 전도체 유리의 상부에 상기 패이스트를 코팅하여 상대전극을 제조하는 단계; 및상기 광전극과 상대전극을 제조한 후, 핫 프레스법을 통해 태양전지 셀을 형성하는 단계;를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 시약은,증류수(H2O), 99 %에탄올, 아세틸아세톤(Acetylaceton), 폴리에틸렌글리콜(PEG), 트리톤(Triton) X-100, 및 질화수소(HNO3) 용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 광촉매의 제조단계는,전이금속이 담지된 광촉매를 교반하고, 원심분리를 통해 슬러지를 형성하는 단계; 및상기 슬러지를 소성 및 파쇄하여 광촉매 입자를 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 3항에 있어서, 상기 전이금속은크롬(Cr), 바나듐(V), 은(Ag), 금(Au), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 몰리브덴(Mo) 또는 니오브(Nb) 중 선택되는 어느 하나의 금속인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 광촉매 입자 내의 전이금속의 질량분률은 2.47% 이상 2.86% 이하인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 3항에 있어서,상기 광촉매 입자의 크기는 20nm 내지 30nm 인것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 광촉매의 제조단계는,수용액에 질산화은(AgNO3)을 넣어 이온화하여 교반하는 단계;상기 교반에 의해 얻어진 용액 내의 광촉매를 넣은 후 교반하여 원심분리를 통해 슬러지를 형성하는 단계; 및상기 슬러지를 소성한 후 소정의 크기로 파쇄하여 광촉매 입자를 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 7항에 있어서, 상기 이온화하여 교반하는 단계에서,질산화은을 포함하는 수용액 내의 은의 농도는 2.9*10-3mole/L 이상 5.8*10-3mole/L 이하인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 광촉매 입자 내의 전이금속의 질량분률은 2.47% 이상 2.86% 이하인 것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 7항에 있어서,상기 광촉매 입자의 크기는 20nm 내지 30nm 인것을 특징으로 하는 염료감응형 태양전지 제조방법.
- 제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항의 염료감응형 태양전지 제조방법에 의해 제조된 염료감응형 태양전지.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080124796A KR101002929B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080124796A KR101002929B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100066129A KR20100066129A (ko) | 2010-06-17 |
KR101002929B1 true KR101002929B1 (ko) | 2010-12-21 |
Family
ID=42365264
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080124796A KR101002929B1 (ko) | 2008-12-09 | 2008-12-09 | 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101002929B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101548296B1 (ko) | 2013-12-23 | 2015-08-28 | 인하대학교 산학협력단 | 이종 전이금속으로 도핑된 이산화티타늄의 제조방법 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110311145B (zh) * | 2019-07-01 | 2021-06-18 | 江苏乾景新能源产业技术研究院有限公司 | 一种采用污泥制备燃料电池催化剂的方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003053576A1 (fr) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Showa Denko K.K. | Particule photocatalytique hautement active, procede de production et utilisation d'une telle particule |
-
2008
- 2008-12-09 KR KR1020080124796A patent/KR101002929B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003053576A1 (fr) | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Showa Denko K.K. | Particule photocatalytique hautement active, procede de production et utilisation d'une telle particule |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101548296B1 (ko) | 2013-12-23 | 2015-08-28 | 인하대학교 산학협력단 | 이종 전이금속으로 도핑된 이산화티타늄의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100066129A (ko) | 2010-06-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Ren et al. | In situ fabrication of robust cocatalyst‐free CdS/g‐C3N4 2D–2D step‐scheme heterojunctions for highly active H2 evolution | |
Chen et al. | Recent advances in visible-light-driven photoelectrochemical water splitting: catalyst nanostructures and reaction systems | |
Lee et al. | Ag grid induced photocurrent enhancement in WO3 photoanodes and their scale-up performance toward photoelectrochemical H2 generation | |
Tian et al. | Control of nanostructures and interfaces of metal oxide semiconductors for quantum-dots-sensitized solar cells | |
Abdi et al. | Efficient solar water splitting by enhanced charge separation in a bismuth vanadate-silicon tandem photoelectrode | |
Yang et al. | In situ Sn-doped WO 3 films with enhanced photoelectrochemical performance for reducing CO 2 into formic acid | |
Sun et al. | Nanorod array of SnO2 quantum dot interspersed multiphase TiO2 heterojunctions with highly photocatalytic water splitting and self-rechargeable battery-like applications | |
Lim et al. | Activation of a nickel-based oxygen evolution reaction catalyst on a hematite photoanode via incorporation of cerium for photoelectrochemical water oxidation | |
WO2016136374A1 (ja) | 光触媒構造体および光電池 | |
Lee et al. | Preparation of a nanoporous CaCO3-coated TiO2 electrode and its application to a dye-sensitized solar cell | |
Baraton | Nano-TiO2 for dye-sensitized solar cells | |
Qiu et al. | Assembling γ-graphyne surrounding TiO 2 nanotube arrays: an efficient p–n heterojunction for boosting photoelectrochemical water splitting | |
Wu et al. | Metal oxide based photoelectrodes in photoelectrocatalysis: advances and challenges | |
Cai et al. | Application of TiO2 hollow microspheres incorporated with up-conversion NaYF4: Yb3+, Er3+ nanoparticles and commercial available carbon counter electrodes in dye-sensitized solar cells | |
Koshevoy et al. | Photoelectrochemical methods for the determination of the flat-band potential in semiconducting photocatalysts: A comparison study | |
Xin et al. | Hole storage interfacial regulation of Sb2Se3 photocathode with significantly enhanced photoelectrochemical performance | |
Wang et al. | Electrochemically Deposited Cu2O-Doped TiO2 Nanotube Photoanodes for Hydrogen Evolution | |
CN105702472A (zh) | 一种太阳能电池电极及其制备方法、太阳能电池 | |
Xu et al. | Heterostructure Fe2O3/BiVO4 as a photoanode for a visible-light-responsive photocatalytic fuel cell | |
KR101002929B1 (ko) | 전이금속을 포함하는 광촉매 제조방법, 및 그를 포함하는 염료감응형 태양전지 제조방법 | |
Naikoo et al. | Recent trends in MXenes hybrids as efficient 2D materials for photo-and electrocatalysis hydrogen production | |
Heo et al. | Surface Engineering of Cu2O Photocathodes via Facile Graphene Oxide Decoration for Improved Photoelectrochemical Water Splitting | |
Chang et al. | Fundamentals of photoelectrochemical water splitting | |
TWI709666B (zh) | 溶凝膠金屬氧化物高效率複合光電極製備方法 | |
CN109671849B (zh) | 用于碳基钙钛矿太阳能电池的介孔碳电极及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131108 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151029 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |