KR101002508B1 - 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반죽기(100)에 실리콘 수지(10) 60 ~ 35 중량 %을 투입하고, 탄소나노튜브(20) 0.5 ~ 2.0 중량 %를 첨가하여 혼합하며, 상기 반죽기(100)에 구비된 초음파 발생장치(110)에서 60 ~ 80 분 동안 초음파를 발생시켜 탄소나노튜브(20)의 입자와 실리콘 수지를 초음파합성 후에 토르마린(30) 1.0 ~ 3.0 중량 %과 silca 액(40) 5 ~ 10 중량 %를 첨가하고 20 ~ 30 분 동안 혼합하는 단계(S100)와; 상기 반죽기(100)에 투입된 첨가물에 가소제(50) 5.0 ~ 20 중량 %를 투입한 후 10 ~ 20 분 동안 반죽기(100)에서 더 혼합하여 베이스(1)를 완성하는 단계(S110)와; 상기 베이스(1)를 일정 크기로 나누어 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 충전제(60) 10 ~ 15 중량 %를 첨가하여 배합한 후 10 ~ 30 분 동안 냉각믹싱하는 단계(S120)와; 상기 롤러배합수단(200)을 통과한 베이스(1)를 18℃ ~ 25℃, 습도 50% 이하의 숙성실(300)에 하루 동안 보관하여 가스제거를 위해 1차 저온숙성하는 단계(S130)와; 상기 1차 저온숙성으로 완성된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 상기 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 경화제(70) 10 ~ 20 중량 %를 함께 첨가하여 혼합믹싱하는 단계(S140); 상기 혼합믹싱된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 압축성형, 사출성형, 압출성형, 카랜다성형의 성형방법 중 한 어느 가지를 이용해 가온, 가압하여 경화시키되, 상기 경화된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 생산되는 제품에 맞는 금형에 설정온도 120℃ ~ 180℃를 유지하면서 제품을 성형제조하는 단계(S170)를 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조방법을 제공한다.
또한, 상기 제조방법을 통해 제조되는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판을 제공한다.
상기와 같은 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판을 제공함으로써, 천연고무 또는 실리콘보다 고온과 극저온에서도 탄력성을 지속적으로 유지하며 오랫동안 견딜 수 있으며, 탄소나노튜브가 극히 작은 입자로 형성되어 있어 강철보다 무려 10 ~ 100배 더 견고하면서 유연하며 탄성률과 내부손실 및 밀도의 측면에서 우수한 성질을 갖고 있으며, 가볍고 튼튼한 진동판을 얻게되며 질기고 복원력이 매우 강하다.
그리고, 코로나 방전 등으로 발생하는 오존 등에도 연화(軟化)하지 않으며 장시간의 자외선이나 비바람 등에 노출되어도 물성의 변화가 거의 없다.
또한, 토르마린 원석을 가공하여 첨가함으로써, 환경 개선용 제품에 널리 쓰일 수 있으며, 음이온 발생, 탈취, 항균 등에 효과가 탁월하고, 특히, 스피커 진동시에 발생되는 전자파에 의해 양이온이 증가해도 토르마린에서 방출되는 음이온에 의해 이온밸런스가 유지되어 전자파를 현저하게 줄일 수 있다.
Description
도2는 본 발명에 따른 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조과정을 도시한 순서도
도3은 본 발명에 따른 롤러배합수단을 도시한 상태도
도4는 본 발명에 따른 숙성실을 도시한 상태도
도5는 본 발명에 따른 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조과정의 다른 실시 예를 도시한 순서도
10:실리콘 수지 20:탄소나노튜브
30:토로마린 40:Silica 액
50:가소제 60:충전제
70:경화제 80:안료
100:반죽기 200:롤럴배합수단
300:숙성실
Claims (4)
- 반죽기(100)에 실리콘 수지(10) 60 ~ 35 중량 %을 투입하고, 탄소나노튜브(20) 0.5 ~ 2.0 중량 %를 첨가하여 혼합하며, 상기 반죽기(100)에 구비된 초음파 발생장치(110)에서 60 ~ 80 분 동안 초음파를 발생시켜 탄소나노튜브(20)의 입자와 실리콘 수지를 초음파합성 후에 토르마린(30) 1.0 ~ 3.0 중량 %과 silca 액(40) 5.0 ~ 10 중량 %를 첨가하고 20 ~ 30 분 동안 혼합하는 단계(S100)와;
상기 반죽기(100)에 투입된 첨가물에 가소제(50) 5.0 ~ 20 중량 %를 투입한 후 10 ~ 20 분 동안 반죽기(100)에서 더 혼합하여 베이스(1)를 완성하는 단계(S110)와;
상기 베이스(1)를 일정 크기로 나누어 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 충전제(60) 10 ~ 15 중량 %를 첨가하여 배합한 후 10 ~ 30 분 동안 냉각믹싱하는 단계(S120)와;
상기 롤러배합수단(200)을 통과한 베이스(1)를 18℃ ~ 25℃, 습도 50% 이하의 숙성실(300)에 하루 동안 보관하여 가스제거를 위해 1차 저온숙성하는 단계(S130)와;
상기 1처 저온숙성으로 완성된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 상기 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 경화제(70) 10 ~ 20 중량 %를 함께 첨가하여 혼합믹싱하는 단계(S140);
상기 혼합믹싱된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 압축성형, 사출성형, 압출성형, 카랜다성형의 성형방법 중 한 어느 가지를 이용해 가온, 가압하여 경화시키되, 상기 경화된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 생산되는 제품에 맞는 금형에 설정온도 120℃ ~ 180℃를 유지하면서 제품을 성형제조하는 단계(S170)를 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조방법.
- 제1항에 있어서,
상기 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)에 경화제를 혼합믹싱하는 단계(S140) 이후, 상기 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)에 사용자의 취향에 따라 색상을 표현하는 안료(80)를 첨가하는 단계(S150)를; 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조방법.
- 제2항에 있어서,
상기 안료(80) 첨가 단계(S150) 이후, 상기 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 18℃ ~ 25℃, 습도 50% 이하의 숙성실(300)에 하루 동안 보관하여 가스제거를 위해 2차 저온숙성하는 단계(S160)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판 제조방법.
- 반죽기(100)에 실리콘 수지(10) 60 ~ 35 중량 %을 투입하고, 탄소나노튜브(20) 0.5 ~ 2.0 중량 %를 첨가하여 혼합하며, 상기 반죽기(100)에 구비된 초음파 발생장치(110)에서 60 ~ 80 분 동안 초음파를 발생시켜 탄소나노튜브(20)의 입자와 실리콘 수지를 초음파합성 후에 토르마린(30) 1.0 ~ 3.0 중량 %과 silca 액(40) 5.0 ~ 10 중량 %를 첨가하고 20 ~ 30 분 동안 혼합하고;
상기 반죽기(100)에 투입된 첨가물에 가소제(50) 5 ~ 20 중량 %를 투입한 후 10 ~ 20 분 동안 반죽기(100)에서 더 혼합하여 베이스(1)를 완성하고;
상기 베이스(1)를 일정 크기로 나누어 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 충전제(60) 10 ~ 15 중량 %를 첨가하여 배합한 후 10 ~ 30 분 동안 냉각믹싱하고;
상기 롤러배합수단(200)을 통과한 베이스(1)를 18℃ ~ 25℃, 습도 50% 이하의 숙성실(300)에 하루 동안 보관하여 가스제거를 위해 1차 저온숙성하고;
상기 1차 저온숙성으로 완성된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 상기 배합롤러(210)를 포함한 롤러배합수단(200)에 투입함과 동시에 경화제(70) 10 ~ 20 중량 %를 함께 첨가하여 혼합믹싱하고;
상기 혼합믹싱된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 압축성형, 사출성형, 압출성형, 카랜다성형의 성형방법 중 한 어느 가지를 이용해 가온, 가압하여 경화시키되, 상기 경화된 음이온 탄소나노튜브 실리콘(2)을 생산되는 제품에 맞는 금형에 설정온도 120℃ ~ 180℃를 유지하면서 성형제조하는 것을 특징으로 하는 음이온 탄소나노튜브 실리콘 스피커 진동판.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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2010
- 2010-09-10 KR KR1020100088739A patent/KR101002508B1/ko active IP Right Grant
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