KR101002314B1 - Method for manufacturing organic Electro-Luminance device - Google Patents

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Abstract

본 발명은 유기 EL 소자의 제조방법에 관한 것으로, 유리 기판 상에, 양극 및 유기 발광층을 포함하는 유기 화합물층을 형성하는 단계; 상기 유기 화합물층 상에, 마이크로 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 마이크로 패턴층 상에 접하여 음극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 유기 화합물층 상에 필름을 위치시키는 단계; 상기 필름을 유리전이 온도까지 가열하는 단계; 및 규칙적 또는 불규칙적인 형태의 표면을 갖는 헤드를 이용하여 상기 필름에 압력을 가하여 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a method for manufacturing an organic EL device, comprising: forming an organic compound layer including an anode and an organic light emitting layer on a glass substrate; Forming a micro pattern layer on the organic compound layer; And forming a cathode in contact with the micro pattern layer. The forming of the micro pattern layer may include positioning a film on the organic compound layer; Heating the film to a glass transition temperature; And applying pressure to the film using a head having a regular or irregular shaped surface to form the micro pattern layer.

상기 마이크로 패턴층에 의하여 음극의 표면이 플랫(flat)하지 않고 굴곡을 갖게 되므로 표면 플라즈몬에 의한 액시톤의 소멸을 줄일 수 있다. 따라서, 유기 EL 소자의 광효율이 향상되게 된다.Since the surface of the cathode is not flat by the micro-pattern layer, the surface of the cathode may be curved, thereby reducing the disappearance of the acetone by the surface plasmon. Thus, the light efficiency of the organic EL element is improved.

유기 EL, 표면 플라즈몬, 광효율Organic EL, Surface Plasmon, Light Efficiency

Description

유기 ＥＬ 소자의 제조방법{Method for manufacturing organic Electro-Luminance device}Method for manufacturing organic EL device {Method for manufacturing organic Electro-Luminance device}

도 1은 일반적인 유기 EL(Electro-Luminescence) 소자의 단면도1 is a cross-sectional view of a typical organic EL (Electro-Luminescence) device

도 2a 내지 도 2e는 유기 EL 소자에 사용되는 물질들의 분자 구조를 나타낸 도면2A to 2E show molecular structures of materials used in organic EL devices

도 3은 바텀 이미션(bottom emission) 방식의 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면3 is a view showing the structure of an organic EL device of the bottom emission method (bottom emission)

도 4는 탑 이미션(top emission) 방식의 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면4 is a view showing the structure of an organic EL device of the top emission method (top emission)

도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도5A to 5B are cross-sectional views of a manufacturing process of an organic EL device according to an embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 EL 소자의 단면도6 is a cross-sectional view of an organic EL device according to another embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명에 따른 마이크로 패턴층의 표면을 촬영한 사진Figure 7 is a photograph of the surface of the micro pattern layer according to the present invention

도 8은 Alq를 재료로 마이크로 패턴층을 형성한 경우에 마이크로 패턴층의 두께에 따른 빛의 투과성을 나타낸 그래프8 is a graph showing light transmittance according to the thickness of the micro pattern layer when the micro pattern layer is formed of Alq.

**도면의 주요 부분에 대한 부호 설명**** Description of the symbols for the main parts of the drawings **

51 : 유리 기판 52 : 양극51 glass substrate 52 anode

53 : 정공주입층 54 : 정공수송층 53: hole injection layer 54: hole transport layer                 

55 : 발광층 56 : 전자수송층55 light emitting layer 56 electron transport layer

57 : 전자주입층 58 : 필름57: electron injection layer 58: film

59 : 마이크로 패턴층 60 : 음극59: micro pattern layer 60: cathode

61 : 금속 전극61: metal electrode

본 발명은 유기 EL 소자에 관한 것으로 특히, 표면 플라즈몬(surface plasmon)에 의한 액시톤(exciton)의 소멸을 줄이므로써 고효율의 유기 EL 소자를 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to organic EL devices, and more particularly, to a method for manufacturing an organic EL device having high efficiency by reducing the disappearance of excitons by surface plasmons.

유기 EL 디스플레이(display)는 전자 주입 전극(음극)과 정공 주입 전극(양극) 사이에 형성된 유기막에 전하를 주입하면 전자와 정공이 쌍을 이룬 후 소멸하면서 빛을 내는 소자로서, 낮은 전압에서 구동이 가능하고, 또한 전력 소모가 비교적 적은 것이 특징이다.An organic EL display is a device that emits light when electrons and holes are paired and disappear when a charge is injected into an organic film formed between an electron injection electrode (cathode) and a hole injection electrode (anode). It is possible that the power consumption is relatively low.

도 1은 일반적인 유기 EL(Electro-Luminescence) 소자의 단면도로, 이를 참조하여 유기 EL 소자의 제작 과정을 살펴보면 다음과 같다.1 is a cross-sectional view of a general organic EL (Electro-Luminescence) device, with reference to this manufacturing process of the organic EL device as follows.

우선, 투명기판(11)위에 양극(anode)(12)을 형성하고, 그 위에 유기 화합물층을 형성한다.First, an anode 12 is formed on the transparent substrate 11, and an organic compound layer is formed thereon.

상기 양극(12)으로는 흔히 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 투명한 물질을 이용한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injunction Layer : HIL)(13), 정공수송 층(Hole Transport Layer : HTL)(14), 발광층(Emitting layer)(15), 전자수송층(Electron Transport Layer : ETL)(16), 전자주입층(Electron Injunction Layer : EIL)(17)의 적층막으로 이루어지며, 그 제조를 위해서는 우선 양극(12)상에 정공주입층(13)을 형성한다.As the anode 12, a transparent material such as indium tin oxide (ITO) is often used. The organic compound layer includes a hole injection layer (HIL) 13, a hole transport layer (HTL) 14, an emitting layer 15, an electron transport layer (ETL) ( 16), a lamination film of an electron injecting layer (EIL) 17 is formed, and the hole injection layer 13 is first formed on the anode 12 for its manufacture.

상기 정공주입층(13)으로는 주로 10~30nm 두께의 CuPc(Copper Phthalocyanine)를 이용한다. 상기 CuPc의 분자 구조는 도 2a와 같다.As the hole injection layer 13, mainly CuPc (Copper Phthalocyanine) having a thickness of 10 to 30 nm is used. The molecular structure of the CuPc is shown in Figure 2a.

그리고, 상기 정공주입층(13)상에 정공수송층(Hole Transport Layer : HTL)(14)을 형성한다. 상기 정공수송층(14)으로는 흔히 30~60nm 정도의 TPD(N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl) - (1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine) 또는 NPD(4,4'-bis[N-(1-naphthy1)-N-pheny1-amino]bipheny1)으로 형성한다.A hole transport layer (HTL) 14 is formed on the hole injection layer 13. As the hole transport layer 14, TPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl)-(1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine having a thickness of about 30 to 60 nm is commonly used. ) Or NPD (4,4'-bis [N- (1-naphthy1) -N-pheny1-amino] bipheny1).

상기 TPD 및 NPD의 분자 구조는 도 2b 및 도 2c에 도시된 바와 같다.The molecular structures of the TPD and NPD are as shown in FIGS. 2B and 2C.

그리고, 상기 정공수송층(14)상에 발광층(Emitting layer)(15)을 형성한다.In addition, an emission layer 15 is formed on the hole transport layer 14.

이때, 필요에 따라서 상기 발광층(15)에 도펀트(dopant)를 첨가한다.At this time, a dopant is added to the light emitting layer 15 as necessary.

녹색(green) 발광의 경우 흔히 발광층(15)으로 Alq3(tris(8-hydroxy-quinolate)aluminum)을 30~60nm의 두께로 증착하며, 도펀트로는 coumarin 6 또는 Quinacridome(Qd)를 많이 사용한다. In the case of green light emission, Alq 3 (tris (8-hydroxy-quinolate) aluminum) is deposited to the light emitting layer 15 to a thickness of 30 to 60 nm, and coumarin 6 or Quinacridome (Qd) is used as a dopant. .

한편, 적색(red) 발광의 경우 도펀트로 DCM, DCJT, DCJTB 등을 사용한다.In the case of red light emission, DCM, DCJT, DCJTB or the like is used as a dopant.

상기 Alq3의 분자구조는 도 2d에 도시되어 있으며, 적색 발광의 도펀트 분자구조는 도 2e에 도시되어 있다. The molecular structure of Alq 3 is shown in FIG. 2D, and the red light emitting dopant molecular structure is shown in FIG. 2E.

이어서, 상기 발광층(15)상에 전자수송층(Electron Transport Layer : ETL)(16)과 전자주입층(Electron Injecting Layer : EIL)(17)을 차례로 적층한다.Subsequently, an electron transport layer (ETL) 16 and an electron injection layer 17 (EIL) 17 are sequentially stacked on the light emitting layer 15.

이때, 녹색 발광의 발광층(15)으로 이용되는 Alq3은 좋은 전자수송능력을 갖기 때문에 상기 발광층(15)으로 Alq3을 적용한 경우에는 전자수송층(16) 및 전자주입층(17)을 사용하지 않아도 무방하다.At this time, Alq 3 used as the light emitting layer 15 of green light emission has good electron transport ability, and thus, when Alq 3 is applied as the light emitting layer 15, the electron transport layer 16 and the electron injection layer 17 do not need to be used. It's okay.

상기 전자 주입층(17)으로는 전자의 주입 특성을 좋게 하기 위해서 LiF나 LiO3을 약 5Å 정도 얇게 입히거나 Li, Ca, Mg, Sm 등의 알카리금속 또는 알카리토금속을 200Å 미만으로 입혀 형성한다.In order to improve electron injection characteristics, the electron injection layer 17 is formed by coating LiF or LiO 3 thinly with an alkali metal or an alkali metal such as Li, Ca, Mg, Sm, or less than 200 GPa.

마지막으로, 상기 전자 주입층(17)상에 알루미늄을 약 1000Å 정도 입혀 음극(cathode)(18)을 형성한다. Finally, aluminum is coated on the electron injection layer 17 by about 1000 알루미늄 to form a cathode 18.

상기한 유기 EL 소자는 바텀 이미션(Bottom-emission) 방식과 탑-이미션(Top-emission) 방식으로 나눌 수 있다.The organic EL device may be divided into a bottom emission method and a top emission method.

도 3은 일반적인 바텀 이미션(Bottom-emission) 방식의 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면으로, 음극(cathode)으로 사용되는 물질이 거울 반사면의 역할을 하기 때문에, 발광층에서 발생한 빛의 절반은 투명한 양극(anode)쪽으로 나오고 나머지 절반은 음극(cathode)을 통해 반사되어 양극(anode)쪽으로 나오게 된다.3 is a view illustrating a structure of a general bottom-emission organic EL device. Since the material used as a cathode serves as a mirror reflection surface, half of the light generated in the light emitting layer is transparent. It comes out toward the anode and the other half is reflected through the cathode and out towards the anode.

그리고, 도 4는 일반적인 탑-이미션(Top-emission) 방식의 유기 EL 소자의 구조를 나타낸 도면으로, 음극(cathode)으로 ITO나 IZO와 같은 옥사이드 박막이 사용되고, 양극(anode)으로는 고반사율 또는 일함수(Work-function)가 큰 특성을 갖 는 물질을 사용한다. 따라서, 양극(anode)으로 사용되는 물질이 거울 반사면의 역할을 하여 유기 EL 소자의 발광층(emitting layer)에서 발생한 빛의 절반은 투명 전극인 음극(cathode)으로 에미션되고 나머지 절반은 양극(anode)에서 반사되어 음극(cathode)쪽으로 에미션된다.FIG. 4 is a view illustrating a structure of a general top-emission organic EL device. An oxide thin film such as ITO or IZO is used as a cathode, and a high reflectance is used as an anode. Or use a material with a large work-function. Therefore, the material used as the anode serves as a mirror reflection surface, so that half of the light generated in the emitting layer of the organic EL element is emitted to a cathode, which is a transparent electrode, and the other half is an anode. Reflects off and emits toward the cathode.

이러한 유기 EL 소자는 양극에서는 정공이 음극에서는 전자가 주입되어 발광층(emitting layer)에서 만나 액시톤(exciton)을 형성하여 빛을 조사하게 된다. In such an organic EL device, holes are injected at an anode and electrons are injected at a cathode to meet in an emitting layer to form an exciton to irradiate light.

하지만, 생성된 액시톤 중 단지 25% 정도만이 실제 소자 밖으로 나오고, 나머지 75%는 양극과 음극 사이의 웨이브-가이드 모드(wave-guide mode)와 흡수에 의해서 소자 안에서 소멸되게 되게 된다. However, only 25% of the generated acetone comes out of the actual device, and the remaining 75% is lost in the device by the wave-guide mode and absorption between the anode and cathode.

즉, 유기 EL 소자의 효율은 광간섭과 전극흡수에 의해 약 75%의 비발광영역이 있게 되는데, 이러한 비발광영역의 효율을 발광영역으로 바꾸는 작업을 아웃-커플링(out-coupling)이라고 한다.That is, the efficiency of the organic EL device is about 75% of the non-light emitting area due to light interference and electrode absorption. The operation of converting the efficiency of the non-light emitting area into the light emitting area is called out-coupling. .

현재, 아웃 커플링의 효율을 극대화시키기 위하여 사용되는 방법으로는 웨이브 가이드 모드(wave-guide mode)를 파-필드 방출 모드(far-field radiation mode)로 바꾸는 방법, 주기적인 마이크로 패턴(periodic micro pattern)을 이용하여 브레그(bragg) 산란시키는 방법, 비주기적인 패턴을 이용한 산란법, 굴절율 지수를 조절하여 전반사되는 각도(angle)를 조절하는 방법들이 사용되고 있다.At present, the method used to maximize the efficiency of outcoupling is a method of changing the wave-guide mode to the far-field radiation mode, the periodic micro pattern The Bragg scattering method using a), the scattering method using an aperiodic pattern, and the method of adjusting the total reflection angle by adjusting the refractive index are used.

현재, '표면 플라즈몬(surface plasmon)'이라 불리는 플랫(flat)한 캐소드 전극의 표면 흡수에 의한 액시톤의 소멸(quenching)은 그다지 고려되지 않고 있다. 그러나, 표면 플라즈몬에 광 손실은 전체 75% 정도의 광 손실 중 40% 정도를 차지 할 정도로 매우 큰 비중을 차지한다.At present, quenching of axtone by surface absorption of flat cathode electrodes called 'surface plasmons' is not considered very much. However, the loss of light on surface plasmons is very large, accounting for about 40% of the total 75% of light loss.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로 표면 플라즈몬에 의한 비발광 액시톤을 발광 액시톤으로 전환시켜 유기 EL 소자의 광효율을 향상시키는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and its object is to improve the light efficiency of an organic EL device by converting non-emitting axtone by surface plasmon into light emitting axtone.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 소자의 제조방법은 유리 기판 상에, 양극 및 유기 발광층을 포함하는 유기 화합물층을 형성하는 단계; 상기 유기 화합물층 상에, 마이크로 패턴층을 형성하는 단계; 및 상기 마이크로 패턴층 상에 접하여 음극을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계는, 상기 유기 화합물층 상에 필름을 위치시키는 단계; 상기 필름을 유리전이 온도까지 가열하는 단계; 및 규칙적 또는 불규칙적인 형태의 표면을 갖는 헤드를 이용하여 상기 필름에 압력을 가하여 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an organic EL device, including: forming an organic compound layer including an anode and an organic light emitting layer on a glass substrate; Forming a micro pattern layer on the organic compound layer; And forming a cathode in contact with the micro pattern layer. The forming of the micro pattern layer may include positioning a film on the organic compound layer; Heating the film to a glass transition temperature; And applying pressure to the film using a head having a regular or irregular shaped surface to form the micro pattern layer.

바람직하게, 상기 필름은 전도성 고분자 물질 또는 비전도성 물질 중 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 한다.Preferably, the film is formed using any one of a conductive polymer material or a non-conductive material.

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바람직하게, 상기 전도성 고분자 물질은 사이오펜(thiophene) 계열, 비닐렌(vinyene) 계열, 플러린 계열의 물질 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 한다. Preferably, the conductive polymer material is characterized by using any one of a thiophene-based, vinylene (vinyene) -based, fullerene-based material.                     

바람직하게, 상기 비전도성 물질은 PMMA, PEN, 포토레지스트 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the non-conductive material is characterized by using any one of PMMA, PEN, photoresist.

바람직하게, 상기 마이크로 패턴 구조의 층은 0.1~10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the layer of the micro-pattern structure is characterized in that formed to a thickness of 0.1 ~ 10㎛.

바람직하게, 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계 이전에, 상기 유기 화합물층 상에 접하여 일함수값이 큰 재료로 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.Preferably, before the forming of the micro-pattern layer, further comprising the step of forming a metal electrode made of a material having a large work function value in contact with the organic compound layer.

바람직하게, 상기 음극은 Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr 중 어느 하나를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 한다.Preferably, the cathode is formed using any one of Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr.

본 발명의 다른 목적, 특징 및 이점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예의 구성과 그 작용을 설명하며, 도면에 도시되고 또 이것에 의해서 설명되는 본 발명의 구성과 작용은 적어도 하나의 실시예로서 설명되는 것이며, 이것에 의해서 상기한 본 발명의 기술적 사상과 그 핵심 구성 및 작용이 제한되지는 않는다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings illustrating the configuration and operation of the embodiment of the present invention, the configuration and operation of the present invention shown in the drawings and described by it will be described as at least one embodiment, By the technical spirit of the present invention described above and its core configuration and operation is not limited.

도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 소자의 제조공정 단면도이다.5A to 5B are cross-sectional views of the manufacturing process of the organic EL device according to an embodiment of the present invention.

유기 EL 소자를 제조하기 위해서는 우선, 도 5a에 도시된 바와 같이, 유리 기판(51) 위에 양극(anode)(52), 전공주입층(HIL)(53), 정공수송층(HTL)(54), 발광층(emitting layer)(55), 전자수송층(ETL)(56), 전자주입층(EIL)(57)을 적층하여 형성한다. In order to manufacture the organic EL device, first, as shown in FIG. 5A, an anode 52, a hole injection layer (HIL) 53, a hole transport layer (HTL) 54, and a glass substrate 51 are disposed on a glass substrate 51. The light emitting layer 55, the electron transport layer 56, and the electron injection layer 57 are formed.                     

그 다음, 상기 전자주입층(57) 위에 필름(film)(58)을 올려놓고 필름 물질의 유리전이 온도까지 열을 가한다. 유리전이 온도가 되어 필름(58)이 변성을 가질 수 있게 되면, 스탭프 형태(stamp type)의 헤드(head)(70)를 이용하여 상기 필름(58)에 압력을 가하여 도 5b에 도시된 바와 같이 마이크로 패턴층(59)을 형성한다.A film 58 is then placed on the electron injection layer 57 and heated to the glass transition temperature of the film material. When the glass transition temperature allows the film 58 to have denaturation, pressure is applied to the film 58 using a head type 70 of a staff type, as shown in FIG. 5B. Similarly, the micro pattern layer 59 is formed.

이때, 상기 마이크로 패턴층(59)의 모양은 필름(58)에 압력을 가하는 헤드(70)의 표면 형상에 따라서 결정되는데, 상기 헤드(70)의 표면 형상은 웨이브(wave)나 콘(cone)과 같은 규칙적인 형태, 불규칙적인 형태 모두 가능하며, 발광물질의 주기와 발광층으로부터 전극까지의 거리를 고려하여 결정한다.At this time, the shape of the micro-pattern layer 59 is determined according to the surface shape of the head 70 to apply pressure to the film 58, the surface shape of the head 70 is a wave (wave) or cone (cone) Both regular and irregular shapes are possible, and are determined in consideration of the period of the light emitting material and the distance from the light emitting layer to the electrode.

상기 필름(58)은 전도성 고분자 물질 또는 비전도성 물질을 재료로 하는데, 전도성 고분자 물질로는 PEDOT(Poly-3,4-Ethylenedioxythiophene Thiophene : polythiophene)인 사이오펜(thiophene) 계열과, 비닐렌(vinylene) 계열, 플러린 계열 등이 사용될 수 있고, 비전도성 물질로는 PMMA(Polymethyl methacrylate), PEN(polyethylene naphthalate), 감광성물질인 포토레지스트(PR) 등이 사용될 수 있다. 상기 포토레지스트로는 네거티브(negative) 물질을 이용한다.The film 58 is made of a conductive polymer material or a non-conductive material, and the conductive polymer material is a thiophene-based (PEDOT) polythiophene (polythiophene) and vinylene (vinylene) A series, a fullerine series, and the like may be used, and as the non-conductive material, polymethyl methacrylate (PMMA), polyethylene naphthalate (PEN), and photoresist (PR) may be used. The photoresist uses a negative material.

위에 서술한 물질들은 기본적으로 필름 형태로 만들어지는데, 전도성 고분자 물질인 경우 그 물질 자체가 필름으로 만들어진다. 하지만, 포토레지스트의 경우 분자량이 작아 유리전이점이 낮은 고분자에 바인더(binder) 형태로 만들어진다.The above-mentioned materials are basically made in the form of a film. In the case of a conductive polymer, the material itself is made of a film. However, the photoresist is made of a binder (binder) in the polymer having a low molecular weight and a low molecular weight.

상기 마이크로 패턴층(59)의 두께는 0.1~10㎛까지 사용 가능하며, 가장 좋은 효과를 볼 수 있는 최적의 두께는 1㎛ 내외이다. The thickness of the micro pattern layer 59 can be used up to 0.1 ~ 10㎛, the optimum thickness to see the best effect is about 1㎛.

상기 마이크로 패턴층(59)은 50~90℃의 온도에서 형성하는데, 65℃가 가장 바람직하다. The micro pattern layer 59 is formed at a temperature of 50 ~ 90 ℃, 65 ℃ is most preferred.

이어, 상기 마이크로 패턴층(59)상에 반사율이 높은 재료로 음극(60)을 형성한다. 상기 음극(60)으로는 Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr 등이 이용가능하며, 이 중 Al, Ag를 사용하는 것이 가장 바람직하다.Subsequently, the cathode 60 is formed of a material having high reflectance on the micro pattern layer 59. Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr, etc. may be used as the cathode 60, and among them, Al and Ag are most preferable.

이상의 방법으로 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 EL 소자를 완성한다.The organic EL device according to the embodiment of the present invention is completed by the above method.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 EL 소자를 나타낸 도면으로, 상기 실시예와의 차이점은 전자주입층(EIL)(57)위에 마이크로 패턴층(59)을 형성하기 전에 일함수(work function)가 큰 박막의 금속 전극(61)을 형성한 점이다.FIG. 6 is a view showing an organic EL device according to another embodiment of the present invention. The difference from the above embodiment is a work function before forming the micro pattern layer 59 on the electron injection layer (EIL) 57. FIG. It is a point where the metal electrode 61 of a thin film with a large function is formed.

도 7은 본 발명에 따른 마이크로 패턴층(59)의 표면을 촬영한 사진으로, 마이크로 패턴층(59)을 규칙적으로 배열된 반구 형태로 형성한 경우이다.7 is a photograph of the surface of the micro pattern layer 59 according to the present invention, in which the micro pattern layer 59 is formed in a hemispherical shape arranged regularly.

표면 플라즈몬은 주로 플랫(flat)한 표면에서 발생하는 것으로서 굴곡이 있거나 거친 표면에서는 발생하기 어려우므로 도 7과 같이 마이크로 패턴층(59)을 형성하면, 음극(60) 표면에서 액시톤의 흡수를 효과적으로 줄일 수 있게 된다. 따라서, 표면 플라즈몬에 의한 광손실을 줄일 수 있다.Surface plasmons occur mainly on flat surfaces and are hard to occur on curved or rough surfaces. Therefore, when the micropattern layer 59 is formed as shown in FIG. 7, the absorption of axtone on the surface of the cathode 60 is effectively performed. Can be reduced. Therefore, light loss due to surface plasmon can be reduced.

도 8은 Alq를 재료로 마이크로 패턴층을 형성한 경우에 마이크로 패턴층의 두께에 따른 빛의 투과성을 나타낸 그래프로, 캐비티(cavity)구조에서 투과되는 파장의 세기는 마이크로 패턴층(58)의 두께에 의존함을 나타낸다.8 is a graph showing light transmittance according to the thickness of the micropattern layer when the micropattern layer is formed of Alq, and the intensity of the wavelength transmitted in the cavity structure is the thickness of the micropattern layer 58. To depend on.

상기와 같은 본 발명의 유기 EL 소자의 제조방법은 마이크로 패턴층을 형성하여 표면 플라즈몬에 의한 액시톤(exciton)의 소멸을 줄일 수 있으므로, 유기 EL 소자의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.The method of manufacturing the organic EL device of the present invention as described above can reduce the disappearance of the excitons caused by the surface plasmon by forming the micro pattern layer, thereby improving the light efficiency of the organic EL device.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 이탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정하는 것이 아니라 특허 청구범위에 의해서 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the examples, but should be defined by the claims.

Claims (8)

유리 기판 상에, 양극 및 유기 발광층을 포함하는 유기 화합물층을 형성하는 단계;Forming an organic compound layer on the glass substrate, the organic compound layer comprising an anode and an organic light emitting layer; 상기 유기 화합물층 상에, 마이크로 패턴층을 형성하는 단계; 및Forming a micro pattern layer on the organic compound layer; And 상기 마이크로 패턴층 상에 접하여 음극을 형성하는 단계를 포함하고, Contacting the micro pattern layer to form a cathode; 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계는,Forming the micro pattern layer, 상기 유기 화합물층 상에 필름을 위치시키는 단계;Positioning a film on the organic compound layer; 상기 필름을 유리전이 온도까지 가열하는 단계; 및Heating the film to a glass transition temperature; And 규칙적 또는 불규칙적인 형태의 표면을 갖는 헤드를 이용하여 상기 필름에 압력을 가하여 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.And applying the pressure to the film to form the micropattern layer using a head having a surface having a regular or irregular shape. 삭제delete 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 필름은 The film is 전도성 고분자 물질 또는 비전도성 물질 중 어느 하나를 이용하여 형성함을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.A method for manufacturing an organic EL device, characterized in that formed using either a conductive polymer material or a non-conductive material. 제 3항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 전도성 고분자 물질은 사이오펜(thiophene) 계열, 비닐렌(vinyene) 계열, 플러린 계열의 물질 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.The conductive polymer material may be any one of a thiophene-based, vinylene-based, and fullerene-based material. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 비전도성 물질은 PMMA, PEN, 포토레지스트 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.The non-conductive material is a method of manufacturing an organic EL device, characterized in that using any one of PMMA, PEN, photoresist. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마이크로 패턴층은 0.1~10㎛의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.The micro pattern layer is a method of manufacturing an organic EL device, characterized in that formed in a thickness of 0.1 ~ 10㎛. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 마이크로 패턴층을 형성하는 단계 이전에, Before forming the micro pattern layer, 상기 유기 화합물층 상에 접하여 일함수값이 큰 재료로 금속 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.And forming a metal electrode made of a material having a large work function value in contact with the organic compound layer. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 음극은 Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr 중 어느 하나를 이용하여 형성 하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 소자의 제조방법.The cathode is a method of manufacturing an organic EL device, characterized in that formed using any one of Al, Ag, AlNd, Au, Ni, AgAu, Cr.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086353A (en) * 2001-09-11 2003-03-20 Nissan Chem Ind Ltd Transparent substrate for organic el element and organic element
JP2003243182A (en) 2002-02-19 2003-08-29 Sanyo Electric Co Ltd Organic el element

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