KR101001427B1

KR101001427B1 - Phase shift mask and manufacturing method thereof

Info

Publication number: KR101001427B1
Application number: KR1020080088060A
Authority: KR
Inventors: 이동찬
Original assignee: 주식회사 동부하이텍
Priority date: 2008-09-08
Filing date: 2008-09-08
Publication date: 2010-12-14
Also published as: KR20100029322A

Abstract

본 발명은 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 상기 광투과성 기판 상부에 사각형 형태로 인접하는 4개의 광투과 영역이 형성된 차광막 패턴과, 상기 각각의 광투과 영역을 완전히 덮도록 상기 차광막 패턴의 상부에 형성되어 상기 광투과 영역으로 투과되는 광의 위상차를 발생시키는 4개의 위상 반전 패턴을 포함하는 위상 반전 마스크의 제조 방법은, 상기 4개의 위상 반전 패턴을 각각 좌측 위 패턴, 우측 위 패턴, 좌측 아래 패턴 및 우측 아래 패턴으로 구분할 때, 상기 좌측 위 패턴과 우측 위 패턴 사이 그리고 상기 좌측 아래 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 180°가 되도록, 상기 좌측 위 패턴과 좌측 아래 패턴 사이 그리고 상기 우측 위 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 90°가 되도록 위상 반전 패턴을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to a phase inversion mask and a method of manufacturing the same. A phase difference between light blocking film patterns having four light transmitting areas adjacent to each other in a quadrangular shape on the light transmissive substrate, and light formed on the light blocking film patterns so as to completely cover each of the light transmitting areas. The method for manufacturing a phase inversion mask including four phase inversion patterns to be generated may include the upper left pattern and the upper left pattern when the four phase inversion patterns are respectively classified into an upper left pattern, an upper right pattern, a lower left pattern, and a lower right pattern. The phase difference of light between the upper right pattern and between the lower left pattern and the lower right pattern is 180 °, so that the phase difference of light between the upper left pattern and the lower left pattern and between the upper right pattern and the lower right pattern is 90 °. And producing a phase reversal pattern.

위상 반전 마스크, 광투과성 기판, 차광막 패턴, 위상 반전 패턴, 위상차 Phase inversion mask, light transmissive substrate, light shielding film pattern, phase inversion pattern, phase difference

Description

Phase shift mask and manufacturing method

본 발명은 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이고, 더욱 상세하게는 인접하는 개구 패턴 사이에 생기는 사이드로브(sidelobe) 현상을 방지하여 미세패턴을 형성할 수 있는 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a phase inversion mask and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a phase inversion mask capable of forming a fine pattern by preventing sidelobe phenomenon occurring between adjacent opening patterns and a method of manufacturing the same. will be.

반도체 집적회로 소자의 제조에 있어서, 소정 패턴(예컨대, 도전 패턴, 콘택 패턴 등)을 반도체 기판 상에 형성하기 위해서는 마스크를 노광 공정에 적용하여 상기 패턴들을 정의하는 감광막 패턴을 반도체 기판의 전면에 형성하는 것이 필수적이다. 그런데, 반도체 소자의 집적도가 증가하여 상기 패턴들의 디자인룰이 감소함에 따라서, 감광막 패턴을 정의하는 마스크 패턴 또한 미세화되고 있다. 이와 같이, 감광막 패턴을 정의하는 마스크 상의 패턴들이 점점 미세화됨에 따라, 빛의 회절 또는 간섭 특성이 노광 공정에서 문제가 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 마스크를 투과한 빛의 위상을 반전하여 소멸 간섭시키는 위상 반전 마스크(phase shift mask)가 고안되었다. In the fabrication of semiconductor integrated circuit devices, in order to form a predetermined pattern (eg, a conductive pattern, a contact pattern, etc.) on a semiconductor substrate, a mask is applied to an exposure process to form a photoresist pattern defining the patterns on the entire surface of the semiconductor substrate. It is essential. However, as the degree of integration of semiconductor devices increases and the design rule of the patterns decreases, the mask pattern defining the photoresist pattern is also miniaturized. As such, as the patterns on the mask defining the photoresist pattern are gradually miniaturized, diffraction or interference characteristics of light become a problem in the exposure process. To solve this problem, a phase shift mask has been devised that inverts and extinguishes the phase of light passing through the mask.

도 1a는 일반 마스크를 사용한 경우를 예시한 것인데, 투명기판(10)에 차광 을 위한 크롬층(11)을 형성하고 개구부(12)를 만든다. 이 경우에, 패턴이 미세한 부분에서 크롬이 완전한 차광부의 역할을 하지 못하고, 웨이퍼 상에 노광되는 빛이 A로 도시된 바와 같이 보강간섭을 하게 된다. 그에 따라, 크롬층(11)에 의해 차광되어야 할 부분까지 노광되어 원하는 패턴을 형성하지 못하는 결과를 가져온다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 위상 반전 마스크가 도 1b와 같은 원리로 만들어졌다.FIG. 1A illustrates a case of using a general mask, in which a chromium layer 11 for shading is formed on a transparent substrate 10 and an opening 12 is formed. In this case, chromium does not serve as a complete light shielding portion at the minute pattern, and the light exposed on the wafer is subjected to constructive interference as shown by A. FIG. As a result, the portion to be shielded by the chromium layer 11 is exposed, resulting in a failure to form a desired pattern. In order to solve this problem, a phase inversion mask is made on the same principle as in FIG. 1B.

도 1b에서, 도면부호 13은 위상 반전층을 나타낸다. 위상 반전층은 빛의 투과율이 6% 또는 8%를 갖는 재료를 많이 사용하고 있으며, 이러한 위상 반전층(13)에 의해 인접 경계부간의 노광된 빛의 위상차는 180°를 갖게 된다. 경계부에서의 위상차가 180°이므로, 빛의 소멸간섭에 의해 광강도는 0이 되어 원하지 않는 노광을 방지할 수 있게 되고, 따라서 원하는 패턴을 높은 해상도로 형성할 수 있게 된다. In Fig. 1B, reference numeral 13 denotes a phase inversion layer. The phase inversion layer uses a material having a light transmittance of 6% or 8%, and the phase difference of the light exposed by the phase inversion layer 13 between adjacent boundaries has 180 °. Since the phase difference at the boundary portion is 180 °, the light intensity becomes zero due to the extinction interference of light, so that unwanted exposure can be prevented, and thus a desired pattern can be formed at high resolution.

도 1c의 (a)는 밀집된 개구부(12)와, 그 주위에 위상 반전층(14)을 갖는 위상 반전 마스크를 나타내고 있다. FIG. 1C (a) shows a phase inversion mask having a dense opening 12 and a phase inversion layer 14 around it.

그러나, 도 1c의 (b)에 도시된 바와 같이, 위상 반전층은 6% 내지 8% 정도로 빛이 투과되고, 이러한 투과된 빛이 인접 패턴의 중간지점에서 합쳐지면 광강도가 증폭된다. 그에 따라, 노광되지 않아야 할 부분이 노광되는 결과가 되어, 웨이퍼 상에 불필요한 새로운 개구(12')를 생성하게 되고, 이를 사이드로브라고 한다. 이는 웨이퍼 패터닝에 매우 치명적으로 작용한다. 도 1c의 (c)는 웨이퍼를 측면에서 보았을 때, 이러한 사이드로브가 생성된 상태를 도시하고 있다. 사이드로브는 밀 집된 개구 패턴 사이의 거리가 가까울수록 더 잘 생성되어, 반도체 패턴의 미세화에 장애 요인이 되고 있다. 또한, 이러한 사이드로브가 생성되는 것을 방지하기 위해 위상 반전 재료의 빛의 투과율을 증가시킬 경우, 패턴의 해상력은 높아지지만 해상되지 않아야 할 곳도 해상되게 된다. 따라서, 사이드로브가 생길 가능성도 그만큼 더 높아지므로, 빛의 투과율을 증가시키는 데에는 한계가 있다. However, as shown in (b) of FIG. 1C, the light is transmitted through the phase inversion layer by about 6% to 8%, and the light intensity is amplified when the transmitted light is combined at an intermediate point of the adjacent pattern. The result is that the portion that should not be exposed results in exposure, creating an unnecessary new opening 12 'on the wafer, which is called sidelobe. This is very fatal for wafer patterning. (C) of FIG. 1C shows a state in which such side lobes are generated when the wafer is viewed from the side. Side lobes are generated better as the distance between the dense opening patterns is closer, which is a barrier to the miniaturization of the semiconductor pattern. In addition, when the light transmittance of the phase reversal material is increased in order to prevent such side lobes from being generated, the resolution of the pattern is increased, but it is also resolved where it should not be resolved. Therefore, there is a limit to increasing the transmittance of light since the possibility of side lobe is also higher.

따라서, 본 발명은 상기 사정을 감안하여 발명한 것으로, 밀집된 개구 패턴 사이에 사이드로브가 생기는 것을 방지하여 더욱 미세한 반도체 소자 패턴을 제작하기 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조 방법을 제공하고자 함에 목적이 있다. Accordingly, the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a phase inversion mask and a method of manufacturing the same for preventing the occurrence of side lobes between dense opening patterns to produce finer semiconductor device patterns.

본 발명의 광투과성 기판 상부에 사각형 형태로 인접하는 4개의 광투과 영역이 형성된 차광막 패턴과, 상기 각각의 광투과 영역을 완전히 덮도록 상기 차광막 패턴의 상부에 형성되어 상기 광투과 영역으로 투과되는 광의 위상차를 발생시키는 4개의 위상 반전 패턴을 포함하는 위상 반전 마스크의 제조 방법은, 상기 4개의 위상 반전 패턴을 각각 좌측 위 패턴, 우측 위 패턴, 좌측 아래 패턴 및 우측 아래 패턴으로 구분할 때, 상기 좌측 위 패턴과 우측 위 패턴 사이 그리고 상기 좌측 아래 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 180°가 되도록, 상기 좌측 위 패턴과 좌측 아래 패턴 사이 그리고 상기 우측 위 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 90°가 되도록 위상 반전 패턴을 제작하는 단계를 포함하는 것을 특징 으로 한다.A light shielding film pattern having four light transmitting areas adjacent to each other in a quadrangular shape on the light transmissive substrate of the present invention, and light formed on the light shielding film pattern so as to completely cover each of the light transmitting areas, and transmitted to the light transmitting area. In the method of manufacturing a phase inversion mask including four phase inversion patterns that generate a phase difference, when the four phase inversion patterns are divided into an upper left pattern, an upper right pattern, a lower left pattern, and a lower right pattern, respectively, the upper left The phase difference of light between the upper left pattern and the lower left pattern and between the upper right pattern and the lower right pattern is 90 ° such that the phase difference of the light between the pattern and the upper right pattern and between the lower left pattern and the lower right pattern is 180 °. It characterized in that it comprises a step of producing a phase reversal pattern to be.

또한, 상기 위상 반전 패턴을 제작하는 단계는 상기 위상 반전 패턴의 두께 또는 재질을 각각 다르게 함으로써 광의 위상차를 다르게 하는 것을 특징으로 한다.In the preparing of the phase reversal pattern, the phase retardation of light may be different by varying the thickness or material of the phase reversal pattern.

본 발명의 광투과성 기판 상부에 사각형 형태로 인접하는 4개의 광투과 영역이 형성된 차광막 패턴과, 상기 각각의 광투과 영역을 완전히 덮도록 상기 차광막 패턴의 상부에 형성되어 상기 광투과 영역으로 투과되는 광의 위상차를 발생시키는 4개의 위상 반전 패턴을 포함하는 위상 반전 마스크는, 상기 4개의 위상 반전 패턴을 각각 좌측 위 패턴, 우측 위 패턴, 좌측 아래 패턴 및 우측 아래 패턴으로 구분할 때, 상기 좌측 위 패턴과 우측 위 패턴 사이 그리고 상기 좌측 아래 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 180°이고, 상기 좌측 위 패턴과 좌측 아래 패턴 사이 그리고 상기 우측 위 패턴과 우측 아래 패턴 사이의 광의 위상차는 90°인 것을 특징으로 한다.A light shielding film pattern having four light transmitting areas adjacent to each other in a quadrangular shape on the light transmissive substrate of the present invention, and light formed on the light shielding film pattern so as to completely cover each of the light transmitting areas, and transmitted to the light transmitting area. The phase inversion mask including four phase inversion patterns for generating a phase difference includes the upper left pattern and the upper right pattern when the four phase inversion patterns are respectively divided into an upper left pattern, an upper right pattern, a lower left pattern, and a lower right pattern, respectively. The phase difference of light between the upper pattern and between the lower left pattern and the lower right pattern is 180 °, and the phase difference of light between the upper left pattern and the lower left pattern and between the upper right pattern and the lower right pattern is 90 °. do.

또한, 상기 4개의 위상 반전 패턴에 의해 발생되는 각각의 광의 위상차는 상기 위상 반전 패턴의 두께 또는 재질을 다르게 하여 발생되는 것을 특징으로 한다.In addition, the phase difference of each light generated by the four phase reversal patterns is characterized by being generated by varying the thickness or material of the phase reversal pattern.

본 발명에 따르면, 밀집된 개구 패턴 사이에 사이드로브가 생기는 것을 방지할 수 있는 위상 반전 마스크를 제공하여 더욱 미세한 반도체 소자 패턴을 제작할 수 있는 장점이 있다. According to the present invention, there is an advantage in that a finer semiconductor device pattern can be manufactured by providing a phase reversal mask that can prevent side lobes from occurring between the dense opening patterns.

이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다. 여기서 각 도면의 구성요소들에 대해 참조부호를 부가함에 있어서 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호로 표기되었음에 유의하여야 한다.Hereinafter, the configuration and operation of the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the drawings, like reference numerals refer to like elements throughout. The same reference numerals in the drawings denote like elements throughout the drawings.

본 발명은 기존의 위상 반전 마스크에서 투과되는 빛의 위상차가 0°와 180°만 존재하는 것과 달리, 이러한 위상차가 45°, 135°, 225°, 315°가 되도록 위상 반전 마스크를 제작함으로써, 사이드로브 현상이 발생하지 않게 하는 것이다.The present invention, unlike the phase difference of the light transmitted from the conventional phase inversion mask is only 0 ° and 180 °, by producing a phase inversion mask such that the phase difference is 45 °, 135 °, 225 °, 315 °, It is to prevent the lobe phenomenon.

도 2는 위상에 따른 E-필드(E-field)를 나타낸 것이다. 위상차가 45°와 225°인 경우, 광강도는 동일하나 위상은 정확히 반대가 된다. 또한, 135°와 315°도 동일한 위치에 있다. 즉, 2개의 위상의 E-필드 합은 제로가 된다.Figure 2 shows the E-field (E-field) according to the phase. If the phase difference is 45 ° and 225 °, the light intensity is the same but the phase is exactly opposite. In addition, 135 degrees and 315 degrees are also in the same position. In other words, the sum of the E-fields of the two phases becomes zero.

도 3은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크(100)의 구성도로서, 광투과성 기판(110)과, 광투과 영역인 개구부(120)와, 위상 반전 패턴(131, 132, 133, 134)을 포함한다. 인접하는 4개의 개구부(120) 사이의 거리가 밀접한 패턴의 경우에, 개구부(120) 주변 구역의 위상 반전 패턴(131, 132, 133, 134)에 의해 발생되는 위상차가 서로 상쇄되는 방향으로 위상 반전 마스크를 제작하게 된다. 3 is a configuration diagram of the phase reversal mask 100 according to the present invention, and includes a light transmissive substrate 110, an opening 120 serving as a light transmission region, and phase reversal patterns 131, 132, 133, and 134. do. In the case of a pattern having a close distance between four adjacent openings 120, phase inversion in a direction in which phase differences generated by phase inversion patterns 131, 132, 133, and 134 in a region around the opening 120 cancel each other out. You will create a mask.

예를 들어, A지역의 위상 반전 패턴(131)에서 투과되는 빛의 위상차를 225°로, B지역의 위상 반전 패턴(132)에서 투과되는 빛의 위상차를 45°로 하면, 위상 반전 패턴(131, 132) 사이의 접하는 부분(141)에서 광의 위상차가 180°가 된다. 마찬가지로, C지역의 위상 반전 패턴(133)에서 투과되는 빛의 위상차를 315°로, D지역의 위상 반전 패턴(134)에서 투과되는 빛의 위상차를 135°로 하면, 위상 반전 패턴(133, 134) 사이의 접하는 부분(142)에서 광의 위상차가 180°가 된다. 따라서, 이러한 접하는 부분(141, 142)에서 투과되는 빛의 E-필드 합은 제로가 된다. For example, when the phase difference of the light transmitted through the phase reversal pattern 131 of the region A is 225 ° and the phase difference of the light transmitted by the phase reversal pattern 132 of the region B is 45 °, the phase reversal pattern 131 , The phase difference of light in the contacting portion 141 between the 132 is 180 degrees. Similarly, when the phase difference of the light transmitted through the phase reversal pattern 133 of the region C is 315 ° and the phase difference of the light transmitted by the phase reversal pattern 134 of the D region is 135 °, the phase reversal patterns 133 and 134 ), The phase difference of the light is 180 degrees at the contacting portion 142 between them. Thus, the E-field sum of the light transmitted in these contacting portions 141, 142 becomes zero.

한편, A지역의 위상 반전 패턴(131)과 C지역의 위상 반전 패턴(133) 사이의 접하는 부분(143)에서 광의 위상차는 90°로서, 이러한 부분에서 x축 방향에 대해서는 E-필드 합이 0이 되고, y축 방향에 대해서만 E-필드가 존재한다. 마찬가지로, B지역의 위상 반전 패턴(132)과 D지역의 위상 반전 패턴(134) 사이의 접하는 부분(144)에서 광의 위상차는 90°로서, 이러한 부분에서 x축 방향에 대해서는 E-필드 합이 0이 되고, y축 방향에 대해서만 E-필드가 존재한다. 또한, 이러한 부분들(143, 144)이 만나는 곳(E)에서 E-필드 합은 y축 방향에서의 값이 +,-로 되어 제로가 된다. On the other hand, in the contact portion 143 between the phase reversal pattern 131 of the region A and the phase reversal pattern 133 of the region C, the phase difference of the light is 90 degrees, and the E-field sum is 0 in the x-axis direction in this region. And the E-field exists only in the y-axis direction. Similarly, in the contact portion 144 between the phase inversion pattern 132 in the region B and the phase inversion pattern 134 in the region D, the phase difference of the light is 90 degrees, where the E-field sum is zero for the x-axis direction. And the E-field exists only in the y-axis direction. Also, at the point E where these parts 143, 144 meet, the E-field sum is zero, with the value in the y-axis direction being +,-.

또한, A지역의 위상 반전 패턴(131)과 D지역의 위상 반전 패턴(134) 사이의 접하는 곳(E)에서 광의 위상차는 90°로서, y축 방향에 대해서는 E-필드 합이 0이 되고, x축 방향에 대해서만 E-필드가 존재한다. 마찬가지로, B지역의 위상 반전 패턴(132)과 C지역의 위상 반전 패턴(133) 사이의 접하는 곳(E)에서 광의 위상차는 90°로서, y축 방향에 대해서는 E-필드 합이 0이 되고, x축 방향에 대해서만 E-필드가 존재한다. 또한, 이러한 부분들이 만나는 곳(E)에서 E-필드 합은 x축 방향에 서의 값이 +,-로 되어 제로가 된다. In addition, in the contact point E between the phase reversal pattern 131 of the region A and the phase reversal pattern 134 of the region D, the phase difference of the light is 90 degrees, and the sum of the E-fields is 0 in the y-axis direction. There is an E-field only for the x-axis direction. Similarly, in the contact point E between the phase inversion pattern 132 in the region B and the phase inversion pattern 133 in the region C, the phase difference of the light is 90 °, and the sum of the E-fields is zero in the y-axis direction. There is an E-field only for the x-axis direction. In addition, where these parts meet (E), the sum of the E-fields becomes zero because the value in the x-axis direction becomes + and-.

따라서, 사이드로브가 가장 쉽게 발생되는 A, B, C, D의 모든 지역이 만나는 곳(E)에서, E-필드 합은 0이 되어 사이드로브 현상이 발생하지 않게 된다.Therefore, at the point E where all the areas of A, B, C, and D where the sidelobe occurs most easily meet, the E-field sum becomes 0 so that the sidelobe phenomenon does not occur.

이러한 각각의 위상 반전 패턴(131, 132, 133, 134)에 의해 발생되는 각각의 다른 위상차는 위상 반전 패턴의 두께 또는 재질을 다르게 함으로써 가능해진다. 그러나, 위상 반전 패턴의 각각 다른 위상차를 얻는 방법은 기술분야에 알려진 다른 방법으로도 가능함은 물론이다. Each different phase difference generated by each of the phase reversal patterns 131, 132, 133, and 134 is made possible by varying the thickness or material of the phase reversal pattern. However, the method of obtaining different phase differences of the phase inversion pattern is also possible by other methods known in the art.

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 위상 반전 마스크를 제작하는 방법을 나타내고 있다. 4A to 4G show a method of manufacturing the phase inversion mask of the present invention.

먼저, 도 4a에 도시된 바와 같이, 광투과성 기판(이하, "석영")(1) 위에 차광막 패턴(이하, "크롬층")(2)을 형성하고, 그 위에 전자빔 감광용 레지스트(이하, "레지스트")(4)를 도포한다. First, as shown in FIG. 4A, a light shielding film pattern (hereinafter referred to as "chromium layer") 2 is formed on a light transmissive substrate (hereinafter referred to as "quartz") 1, and an electron beam photosensitive resist (hereinafter, referred to as "quartz") is formed thereon. &Quot; resist "

다음에, 도 4b에 도시된 바와 같이, 레지스트(4)를 마스크로 하여 크롬층(2)을 식각하여 원하는 소자 패턴을 형성한다. Next, as shown in FIG. 4B, the chromium layer 2 is etched using the resist 4 as a mask to form a desired device pattern.

다음에, 도 4c에 도시된 바와 같이, 패턴이 형성된 크롬층(2) 위에 빛의 투과율이 6% 또는 8%인 위상 반전층(3)을 도포한다. Next, as shown in Fig. 4C, a phase inversion layer 3 having a light transmittance of 6% or 8% is applied over the chrome layer 2 on which the pattern is formed.

다음에, 도 4d에 도시된 바와 같이, 위상 반전층(3) 위에 레지스트(4)를 도포한다.Next, as shown in FIG. 4D, a resist 4 is applied over the phase inversion layer 3.

다음에, 도 4e에 도시된 바와 같이, 레지스트(4)를 마스크로 하여 좌측 개 구(10) 측의 위상 반전층(3)을 알맞은 두께로 식각하여 원하는 빛의 위상차를 갖게 한다. Next, as shown in Fig. 4E, the phase inversion layer 3 on the left opening 10 side is etched to an appropriate thickness by using the resist 4 as a mask to have a desired phase difference of light.

다음에, 도 4f에 도시된 바와 같이, 위상 반전층(3) 위에 다시 레지스트(4)를 도포한다.Next, as shown in FIG. 4F, the resist 4 is again applied on the phase inversion layer 3.

다음에, 도 4g에 도시된 바와 같이, 레지스트(4)를 마스크로 하여 우측 개구(20) 측의 위상 반전층(3)을 알맞은 두께로 식각하여 원하는 빛의 위상차를 갖게 한다.Next, as shown in Fig. 4G, the phase inversion layer 3 on the right opening 20 side is etched to an appropriate thickness by using the resist 4 as a mask to have a desired phase difference of light.

이와 같이, 4개의 인접하는 개구 패턴이 있을 경우, 레지스트(4)를 도포한 후, 각각의 해당하는 위상 반전층(3)을 알맞은 두께로 식각하여 원하는 빛의 위상차를 갖게 함으로써, 본 발명의 위상 반전 마스크를 제작할 수 있다. Thus, when there are four adjacent opening patterns, after applying the resist 4, each corresponding phase inversion layer 3 is etched to an appropriate thickness to give a desired phase difference of light, thereby achieving the phase of the present invention. Invert masks can be produced.

상술한 바와 같이, 본 발명의 위상 반전 마스크에서는 인접하는 사각형 형태의 개구 패턴에서 각각의 개구 주변의 위상 반전층의 위상차를 다르게 조절함으로써, 인접하는 개구 패턴의 가운데에서 사이드로브가 생기는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. As described above, in the phase inversion mask of the present invention, by controlling the phase difference of the phase inversion layer around each opening in the adjacent rectangular opening pattern, side lobe can be effectively prevented from occurring in the center of the adjacent opening pattern. Can be.

본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 아니하는 범위 내에서 다양하게 수정 또는 변형되어 실시될 수 있음은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어서 자명한 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention will be.

도 1a는 종래의 일반 마스크에서 광의 보강간섭이 생기는 것을 나타내는 도면.1A is a diagram showing that constructive interference of light occurs in a conventional general mask.

도 1b는 위상 반전 패턴에 의해 광의 소멸간섭이 생기는 것을 나타내는 도면.1B is a diagram showing that extinction interference of light is caused by a phase inversion pattern.

도 1c는 위상 반전 마스크에서 밀집된 개구 패턴에 의해 원하지 않는 사이드로브가 생기는 것을 나타내는 도면.1C shows that unwanted side lobes are caused by a dense aperture pattern in a phase reversal mask.

도 2는 위상에 따른 E-필드를 나타내는 도면.2 shows an E-field according to phase.

도 3은 본 발명에 따른 위상 반전 마스크의 구성도.3 is a block diagram of a phase inversion mask according to the present invention.

도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 위상 반전 마스크를 제작하는 방법을 순차적으로 나타내는 도면.4A to 4G sequentially show a method of manufacturing the phase inversion mask of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 : 석영1: quartz

2 : 크롬층2: chrome layer

3 : 위상 반전층3: phase inversion layer

4 : 레지스트4: resist

10 : 좌측 개구10: left opening

20 : 우측 개구20: right opening

100 : 위상 반전 마스크100: phase reversal mask

110 : 광투과성 기판110: light transmissive substrate

120 : 개구부120: opening

131, 132, 133, 134 : 위상 반전 패턴131, 132, 133, 134: phase inversion pattern

Claims

A light shielding film pattern in which four light transmission areas are formed adjacent to each other in a rectangular shape on a light transmissive substrate, and a phase difference between light formed on the light shielding film pattern so as to completely cover each light transmission area is transmitted to the light transmission areas. In the manufacturing method of the phase inversion mask containing four phase inversion patterns to make it,

In order to prevent side lobes from occurring in the middle of adjacent patterns of four light transmissive regions adjacent to each other in the quadrangular shape, the four phase reversal patterns may be respectively an upper left pattern, an upper right pattern, a lower left pattern, and a lower right side. When divided into patterns, the phase difference of the light between the upper left pattern and the upper right pattern and between the lower left pattern and the lower right pattern is 180 ° so that the upper left and lower left patterns and the upper right and lower right patterns are 180 °. Producing a phase reversal pattern such that the phase difference of light between the patterns is 90 °,

The manufacturing of the phase reversal pattern is a method of manufacturing a phase reversal mask, characterized in that the phase difference of light is different by different thickness or material of the phase reversal pattern.

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