KR101001028B1 - Liquid crystal device display and the fabrication method thereof - Google Patents

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Abstract

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 저온 환경에서도 액정 구동이 가능한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and to a liquid crystal display device capable of driving a liquid crystal even in a low temperature environment and a manufacturing method thereof.

본 발명은 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판에 도전성 물질을 형성하여 전류를 인가하고 이를 발열층으로 사용하여 극저온 환경에서도 구동이 가능한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.The present invention provides a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can be driven in a cryogenic environment by applying a current by forming a conductive material on a color filter substrate and using the same as a heat generating layer in the liquid crystal display device.

또한, 본 발명은 상부 기판의 블랙 매트릭스를 발열층으로 이용함으로써 별도의 발열층을 구비할 필요가 없어 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.In addition, the present invention does not need to provide a separate heating layer by using the black matrix of the upper substrate as a heating layer has the effect of reducing the manufacturing cost.

또한, 본 발명과 같은 내장 히터를 구비하는 액정 표시 장치는 극저온의 환경에서도 양호하게 액정 표시 장치를 사용할 수 있어 사용자의 제품 신뢰도를 향상시키고 사용 환경을 개선하는 효과가 있다. In addition, the liquid crystal display device having a built-in heater as in the present invention can use the liquid crystal display device well even in an extremely low temperature environment, thereby improving the product reliability of the user and improving the use environment.

발열층, 저온 구동, 블랙 매트릭스, 은접점(Ag dot)Heating layer, low temperature drive, black matrix, silver dot (Ag dot)

Description

액정 표시 장치 및 그 제조 방법{Liquid crystal device display and the fabrication method thereof}Liquid crystal display and its manufacturing method

도 1은 종래 내장 히터를 구비하는 액정 표시 장치를 단면하여 개략적으로 보여주는 도면.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a conventional built-in heater.

도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 액정 표시 장치에서 부분 단면도를 보여주는 도면.2 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판을 제조하는 과정을 보여주는 공정 순서도.3 is a process flowchart showing a process of manufacturing a color filter substrate of a liquid crystal display according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 액정 표시 장치의 부분 단면도를 보여주는 도면.4 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 액정 표시 장치의 부분 단면도를 보여주는 도면.5 is a partial cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호 설명><Description of Signs of Major Parts of Drawings>

201, 301, 401, 202, 302, 402 : 기판201, 301, 401, 202, 302, 402: substrate

210, 310, 410 : 상부 기판 212, 312, 412 : 블랙 매트릭스210, 310, 410: upper substrates 212, 312, 412: black matrix

214, 314, 414 : 컬러 필터 230, 330, 430 : 하부 기판214, 314, 414: color filter 230, 330, 430: lower substrate

216, 316, 416 : 공통 전극 232, 332, 432 : 게이트 전극 216, 316, 416: common electrode 232, 332, 432: gate electrode                 

234, 334, 434 : 게이트 절연막 236a, 336a, 436a : 액티브층234, 334, and 434 gate insulating films 236a, 336a, and 436a active layer

236b, 336b, 436b : 오믹콘택층 238, 338, 438 : 소스 전극236b, 336b, and 436b: ohmic contact layer 238, 338, and 438: source electrode

240, 340, 440 : 드레인 전극 242, 342, 442 : 보호층240, 340, 440: drain electrodes 242, 342, 442: protective layer

244, 344, 444 : 드레인 콘택홀 248, 348, 448 : 화소 전극244, 344, 444: drain contact holes 248, 348, 448: pixel electrodes

250, 350, 450 : 액정층 252, 352, 452 : 은접점(Ag)250, 350, 450: liquid crystal layer 252, 352, 452: silver contact point (Ag)

271, 371 : 발열층(heating layer) 272, 372 : 버퍼층(buffer layer)271, 371: heating layer 272, 372: buffer layer

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 저온 환경에서도 액정 구동이 가능한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and to a liquid crystal display device capable of driving a liquid crystal even in a low temperature environment and a manufacturing method thereof.

최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 그 중 색 재현성 등이 우수한 액정 표시 장치(liquid crystal display)가 활발하게 개발되고 있다.Recently, with the rapid development of the information society, there is a need for a flat panel display having excellent characteristics such as thinning, light weight, and low power consumption. Among them, a liquid crystal display having excellent color reproducibility, etc. displays are actively being developed.

일반적으로 액정 표시 장치는 일면에 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다. In general, a liquid crystal display device is formed by arranging two substrates having electrodes formed on one surface thereof so that the surfaces on which the two electrodes are formed face each other, injecting a liquid crystal material between the two substrates, and then applying voltage to the two electrodes. By moving the liquid crystal molecules by an electric field, the device expresses an image by the transmittance of light that varies accordingly.                         

액정 표시 장치는 다양한 형태로 이루어질 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.Liquid crystal displays may be formed in various forms. Currently, an active matrix LCD (AM-LCD) having a thin film transistor and pixel electrodes connected to the thin film transistors arranged in a matrix manner has excellent resolution and video performance. It is the most noticeable.

이러한 액정 표시 장치는 하부의 어레이 기판에 화소 전극이 형성되어 있고 상부 기판인 컬러 필터 기판에 공통 전극이 형성되어 있는 구조로, 상하로 걸리는 기판에 수직한 방향의 전기장에 의해 액정 분자를 구동하는 방식이다. 이는, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하며, 상판의 공통 전극이 접지 역할을 하게 되어 정전기로 인한 액정셀의 파괴를 방지할 수 있다.The liquid crystal display has a structure in which a pixel electrode is formed on a lower array substrate and a common electrode is formed on a color filter substrate, which is an upper substrate, and drives liquid crystal molecules by an electric field in a direction perpendicular to an up and down substrate. to be. This is excellent in characteristics such as transmittance and aperture ratio, and the common electrode of the upper plate serves as a ground, thereby preventing the destruction of the liquid crystal cell due to static electricity.

상기와 같이 구성되는 다결정 액정 표시 장치를 극저온에서 구동할 경우에 액정의 구동 범위를 벗어나기 때문에 화질이 불량하게 된다.When the polycrystalline liquid crystal display device configured as described above is driven at cryogenic temperatures, the image quality is poor because it is out of the driving range of the liquid crystal.

종래 이와 같이 저온에서 구동가능하도록 내장 히터(heater)로서 투명 전극을 기판 전면에 패터닝하여 형성하였다.As described above, a transparent electrode is formed on the entire surface of the substrate as a built-in heater so as to be driven at a low temperature.

도 1은 종래 내장 히터를 구비하는 액정 표시 장치를 단면하여 개략적으로 보여주는 도면이다.1 is a schematic cross-sectional view of a liquid crystal display device having a conventional built-in heater.

도 1에 도시된 바와 같이, 상판(150)과 하판(100)사이에 액정(133)을 형성하고 있으며, 하판(100) 상에 투명 도전성 전극으로 발열층(heating layer)(110)를 형성한다.As shown in FIG. 1, the liquid crystal 133 is formed between the upper plate 150 and the lower plate 100, and a heating layer 110 is formed on the lower plate 100 using a transparent conductive electrode. .

여기서, 상기 투명 도전성 전극으로 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등이 있다. The transparent conductive electrode may include indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and the like.                         

그리고, 상기 발열층 상에는 열전도가 우수한 버퍼층(buffer layer)(111)이 형성이 되며 상기 버퍼층(111) 상에 박막 트랜지스터 어레이(TFT array)(120)가 차례로 형성이 된다.A buffer layer 111 having excellent thermal conductivity is formed on the heat generating layer, and a TFT array 120 is sequentially formed on the buffer layer 111.

이와 같이 하판(100) 상의 최하층에 형성이 되는 발열층(110)은 투명 도전성 전극으로 이루어져 외부에서 전류가 인가되면 상기 투명 도전성 전극에 전류가 흘러 열이 발생된다.As such, the heat generating layer 110 formed on the lowermost layer on the lower plate 100 is made of a transparent conductive electrode, and when current is applied from the outside, current flows to the transparent conductive electrode to generate heat.

그러나, 다결정 실리콘 액정 표시 장치의 경우에는, 박막 트랜지스터 어레이를 형성하는 공정에서 결정화 공정과 같이 고온 공정이 필수적이다.However, in the case of a polycrystalline silicon liquid crystal display device, a high temperature process is essential in the process of forming a thin film transistor array like a crystallization process.

상기 발열층으로 기형성된 투명 도전성 전극은 후속 공정으로 진행되는 고온의 결정화 공정에서 데미지(damage)가 발생하는 문제점이 있다.The transparent conductive electrode pre-formed with the heat generating layer has a problem in that damage occurs in a high temperature crystallization process which is performed in a subsequent process.

본 발명은 액정 표시 장치에서 컬러 필터 기판에 도전성 물질을 형성하여 전류를 인가하여 이를 발열층으로 사용하여 극저온 환경에서도 구동이 가능한 액정 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 데 목적이 있다.SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device and a method of manufacturing the same, which can be driven in a cryogenic environment by forming a conductive material on a color filter substrate in a liquid crystal display device and applying a current to the heat generating layer.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 일정 간격 이격하여 대향하는 어레이 기판과 컬러 필터 기판과, 기판 사이에 형성되는 액정층으로 이루어지는 액정 표시 장치에서, 상기 컬러 필터 기판에서 발열층과, 상기 발열층에 전류를 인가하는 연결 구조를 구비하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention is a liquid crystal display device comprising an array substrate and a color filter substrate facing each other at a predetermined interval, and a liquid crystal layer formed between the substrate, the heat generating layer and the heat generation in the color filter substrate And a connection structure for applying a current to the layer.

상기 어레이 기판은 종횡으로 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선, 데이 터 배선과, 상기 교차하는 지점에 형성되는 박막 트랜지스터를 가지는 것을 특징으로 한다.The array substrate may have a gate wiring, a data wiring, and a thin film transistor formed at the crossing point, which cross each other to define pixels.

상기 컬러 필터 기판은, 기판 상에 형성되는 발열층과; 상기 발열층 상에 형성되는 버퍼층과; 상기 버퍼층 상에 형성되는 복수개의 블랙 매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터와; 상기 컬러필터 상에 위치하는 공통전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The color filter substrate may include a heat generating layer formed on the substrate; A buffer layer formed on the heat generating layer; A plurality of black matrices formed on the buffer layer; Red (R), green (G), and blue (B) color filters positioned between the black matrix; And a common electrode positioned on the color filter.

상기 컬러 필터 기판은, 기판의 일면에 형성되는 발열층과; 기판의 다른 일면에 형성되는 복수개의 블랙 매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터와; 상기 컬러필터 상에 위치하는 공통전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The color filter substrate may include a heat generating layer formed on one surface of the substrate; A plurality of black matrices formed on the other side of the substrate; Red (R), green (G), and blue (B) color filters positioned between the black matrix; And a common electrode positioned on the color filter.

상기 연결 구조는 발열층과 어레이 기판의 패드부를 연결하는 은접점(Ag dot)인 것을 특징으로 한다.The connection structure is characterized in that the silver contact (Ag dot) connecting the heating layer and the pad portion of the array substrate.

상기 발열층은 투명한 도전성 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.The heat generating layer is characterized by consisting of a transparent conductive electrode.

상기 발열층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 중에서 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.The heating layer is formed of any one material of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), and indium tin zinc oxide (ITZO).

상기 발열층은 블랙 매트릭스를 이용하는 것을 특징으로 한다.The heat generating layer is characterized by using a black matrix.

상기 블랙 매트릭스는 전도성 물질인 것을 특징으로 한다.The black matrix is characterized in that the conductive material.

상기 발열층은 전압 DC 5V 이상에서 구동되는 것을 특징으로 한다.The heat generating layer is characterized in that it is driven at a voltage DC 5V or more.

상기 발열층의 두께는 수백 Å인 것을 특징으로 한다. The thickness of the heat generating layer is characterized in that several hundred kPa.                     

또한, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 제조 방법은, 일정 간격 이격하여 대향하는 어레이 기판과 컬러 필터 기판과, 기판 사이에 형성되는 액정층으로 이루어지는 액정 표시 장치에서, 상기 컬러 필터 기판에 발열층과, 상기 발열층에 전류를 인가하는 연결 구조를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In addition, in order to achieve the above object, the manufacturing method of the liquid crystal display device according to the present invention is a liquid crystal display device comprising an array substrate and a color filter substrate facing each other at regular intervals, and a liquid crystal layer formed between the substrates. And forming a heat generating layer and a connection structure for applying current to the heat generating layer on the color filter substrate.

상기 컬러 필터 기판은, 기판 상에 발열층을 형성하는 단계와; 상기 발열층 상에 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 버퍼층 상에 복수개의 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터를 형성하는 단계와; 상기 컬러 필터 상에 위치하는 공통전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The color filter substrate may include forming a heating layer on the substrate; Forming a buffer layer on the heat generating layer; Forming a plurality of black matrices on the buffer layer; Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters located between the black matrices; And forming a common electrode disposed on the color filter.

상기 컬러 필터 기판은, 기판의 일면에 발열층을 형성하는 단계와; 기판의 다른 일면에 복수개의 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터를 형성하는 단계와; 상기 컬러 필터 상에 위치하는 공통전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.The color filter substrate may include forming a heating layer on one surface of the substrate; Forming a plurality of black matrices on the other side of the substrate; Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters located between the black matrices; And forming a common electrode disposed on the color filter.

이하, 첨부한 도면을 참조로 하여 본 발명에 따른 구체적인 실시예를 들어 상세히 설명한다. Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

<제 1 실시예><First Embodiment>

도 2는 본 발명에 따른 일 실시예로서, 액정 표시 장치에서 부분 단면도를 보여주는 도면이다. 2 illustrates a partial cross-sectional view of an LCD according to an exemplary embodiment of the present invention.                     

도시한 바와 같이, 상부 및 하부 기판(210, 230)이 서로 일정간격 이격되어 있고, 이 상부 및 하부 기판(210, 230) 사이에는 액정층(250)이 개재되어 있다. As shown, the upper and lower substrates 210 and 230 are spaced apart from each other by a predetermined distance, and the liquid crystal layer 250 is interposed between the upper and lower substrates 210 and 230.

상기 하부 기판(230)의 투명 기판(201) 상부에는 게이트 전극(232)이 형성되어 있고, 게이트 전극(232) 상부에는 게이트 절연막(234)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(234) 상부의 게이트 전극(232)을 덮는 위치에는 액티브층(236a), 오믹콘택층(236b)이 차례대로 적층된 반도체층(236)이 형성되어 있고, 반도체층(236)의 상부에는 서로 일정간격 이격된 소스 및 드레인 전극(238, 240)이 형성되어 있고, 소스 및 드레인 전극(238, 240) 간의 이격구간에는 액티브층(236a)의 일부를 노출시킨 채널(ch ; channel)이 형성되어 있고, 게이트 전극(232), 반도체층(236), 소스 및 드레인 전극(238, 240), 채널(ch)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다. A gate electrode 232 is formed on the transparent substrate 201 of the lower substrate 230, a gate insulating film 234 is formed on the gate electrode 232, and a gate electrode on the gate insulating film 234. The semiconductor layer 236 in which the active layer 236a and the ohmic contact layer 236b are stacked in this order is formed at a position covering the 232, and the source and drain spaced apart from each other by a predetermined interval on the semiconductor layer 236. Electrodes 238 and 240 are formed, and a channel (ch; channel) exposing a portion of the active layer 236a is formed in the interval between the source and drain electrodes 238 and 240, and the gate electrode 232 is formed. The semiconductor layer 236, the source and drain electrodes 238 and 240, and the channel ch form a thin film transistor T.

도면으로 제시하지 않았지만, 상기 게이트 전극(232)과 연결되어 제 1 방향으로 게이트 배선이 형성되고, 이 제 1 방향과 교차되는 제 2 방향으로 상기 소스 전극(238)과 연결되는 데이터 배선이 형성되고, 이 게이트 및 데이터 배선이 교차되는 영역은 화소 영역(P)으로 정의된다. Although not shown in the drawings, a gate line is formed in a first direction by being connected to the gate electrode 232, and a data line is formed in a second direction crossing the first direction and is connected to the source electrode 238. The area where the gate and the data line cross each other is defined as the pixel area P. FIG.

또한, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에는 드레인 콘택홀(244)을 가지는 보호층(242)이 형성되어 있고, 화소 영역(P)에는 드레인 콘택홀(244)을 통해 상기 드레인 전극(240)과 연결되는 화소 전극(248)이 형성되어 있다. In addition, a passivation layer 242 having a drain contact hole 244 is formed on the thin film transistor T, and is connected to the drain electrode 240 in the pixel region P through a drain contact hole 244. The pixel electrode 248 is formed.

그리고, 상기 상부 기판(210)의 투명 기판(201) 하부에는 도전성 전극으로 이루어진 발열층(heating)(271)을 형성하고, 상기 발열층(271) 상에는 버퍼층(buffer layer)(272)이 형성되어 있다. A heating layer 271 made of a conductive electrode is formed below the transparent substrate 201 of the upper substrate 210, and a buffer layer 272 is formed on the heating layer 271. have.                     

그리고, 상기 버퍼층(272) 상에는 상기 화소 전극(248)과 대응되는 위치에 특정 파장대의 빛만을 걸러주는 컬러필터층(214)이 형성되어 있고, 컬러필터층(214)의 컬러별 경계부에는 빛샘 현상 및 박막트랜지스터(T)로의 광유입을 차단하는 블랙 매트릭스(212)가 형성되어 있다. In addition, a color filter layer 214 is formed on the buffer layer 272 to filter only light of a specific wavelength band at a position corresponding to the pixel electrode 248, and a light leakage phenomenon and a thin film are formed at each color boundary of the color filter layer 214. A black matrix 212 is formed to block the influx of light to the transistor T.

그리고, 이 컬러필터층(214) 및 블랙매트릭스(212)의 하부에는 액정층(250)에 전압을 인가하는 또 다른 전극인 공통 전극(216)이 형성되어 있다.A common electrode 216, which is another electrode for applying a voltage to the liquid crystal layer 250, is formed under the color filter layer 214 and the black matrix 212.

그리고, 상기 상부 및 하부 기판(210, 230) 사이에는 은접점(Ag)(252)이 소정 위치에 도팅(dotting)되어 하부 기판의 패드부와 연결되어 발열층으로 신호를 인가한다.In addition, a silver contact point (Ag) 252 is dotting at a predetermined position between the upper and lower substrates 210 and 230 to be connected to the pad portion of the lower substrate to apply a signal to the heating layer.

이때, 도시된 은접점(252)은 발열층(271)으로 신호를 인가하기 위한 것으로, 이와는 별도로, 도시되지는 않았으나 상부 기판의 공통 전극(216)으로 신호를 인가하기 위한 은접점(Ag)이 별도로 구비되어 있다.In this case, the illustrated silver contact point 252 is for applying a signal to the heating layer 271. In addition, although not shown, a silver contact Ag for applying a signal to the common electrode 216 of the upper substrate is provided. It is provided separately.

따라서, 상기 발열층(271)에 전류를 인가하는 은접점(252)은 공통 전극(216)과 연결되지 않는다.Therefore, the silver contact 252 that applies current to the heat generating layer 271 is not connected to the common electrode 216.

도면으로 제시하지 않았지만, 상기 상부 및 하부 기판(210, 230)의 액정층(250)과 각각 접하는 부분에는 액정의 배열을 용이하게 유도하기 위해 상부 및 하부 배향막을 더욱 포함한다.Although not shown in the drawings, portions of the upper and lower substrates 210 and 230 that contact the liquid crystal layers 250 may further include upper and lower alignment layers to easily induce alignment of liquid crystals.

이와 같이 상부 기판(210)에 발열층(271)을 형성시키면 액정 표시 장치의 투과율과 개구율에 영향을 주지 않으면서 액정의 구동 범위가 벗어난 저온에서도 액정 표시 장치의 정상 구동을 가능하게 한다. As such, when the heat generating layer 271 is formed on the upper substrate 210, the liquid crystal display may be normally driven even at a low temperature outside the driving range of the liquid crystal without affecting the transmittance and the aperture ratio of the liquid crystal display.                     

도 3은 본 발명에 따른 액정 표시 장치의 컬러 필터 기판을 제조하는 과정을 보여주는 공정 순서도이다.3 is a process flowchart illustrating a process of manufacturing a color filter substrate of a liquid crystal display according to the present invention.

도 3a에 도시된 바와 같이, 투명한 기판(201)에 투명 전도성 물질을 증착하여 발열층(heating layer)(271)을 형성한다.As shown in FIG. 3A, a transparent conductive material is deposited on the transparent substrate 201 to form a heating layer 271.

상기 투명 전도성 물질로는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등이 있다.The transparent conductive material includes indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO), and the like.

이어서, 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 발열층(271) 상에 절연막으로서 열전도도가 우수한 버퍼층(272)을 형성한다.Subsequently, as shown in FIG. 3B, a buffer layer 272 having excellent thermal conductivity is formed as an insulating film on the heat generating layer 271.

상기 버퍼층(272)은 추후 상기 발열층(271)으로 전류를 인가하기 위한 은접점(Ag)을 형성하기 위하여 패터닝한다.The buffer layer 272 is later patterned to form a silver contact Ag for applying current to the heat generating layer 271.

그리고, 도 3c에 도시된 바와 같이, 상기 버퍼층(272) 상에 서로 일정간격 이격되어 다수 개의 블랙매트릭스(212)가 형성되어 있고, 블랙매트릭스(212)간 이격 구간에는 적, 녹, 청 컬러 필터(214)가 반복적으로 형성되어 있다. As illustrated in FIG. 3C, a plurality of black matrices 212 are formed on the buffer layer 272 by being spaced apart from each other at a predetermined interval, and red, green, and blue color filters are disposed in the intervals between the black matrices 212. 214 is formed repeatedly.

상기 적, 녹, 청의 컬러필터(214)는 색채를 표현하기 위하여 빛을 선택 투과시키고, 블랙매트릭스(212)는 컬러별 색 구분 및 빛샘 현상을 방지하는 역할을 한다. The red, green, and blue color filters 214 selectively transmit light to express colors, and the black matrix 212 prevents color separation and light leakage by color.

상기 블랙매트릭스(212)를 이루는 재질은 카본(carbon)계열의 유기물질에서 선택된다. The material forming the black matrix 212 is selected from a carbon-based organic material.

이때, 상기 컬러 필터(214)의 표면이 불균일해져 평탄화 특성이 떨어지므로, 이러한 문제점을 보완하기 위하여 컬러 필터 상에 별도의 오버코트층을 형성할 수 도 있다.In this case, since the surface of the color filter 214 is uneven and the planarization property thereof is deteriorated, a separate overcoat layer may be formed on the color filter to compensate for this problem.

이어서, 기판 전면에 액정 구동을 위한 공통 전극(216)을 형성한다.Subsequently, the common electrode 216 for driving the liquid crystal is formed on the entire surface of the substrate.

여기서, 상기 발열층(271)으로 전류를 인가하기 위하여 은접점(252)을 도팅하며, 여기서, 상기 공통 전극(216)에 Vcom 신호를 인가하기 위한 은접점도 별도로 도팅한다.Here, the silver contact 252 is doped to apply a current to the heat generating layer 271, where the silver contact for applying the Vcom signal to the common electrode 216 is also doped separately.

따라서, 하부 기판(230)의 패드부를 통해서 인가되는 전류는 은접점(252)을 통해서 상부 기판의 발열층(271)으로 인가되어 발열이 된다.Therefore, the current applied through the pad portion of the lower substrate 230 is applied to the heat generating layer 271 of the upper substrate through the silver contact 252 to generate heat.

<제 2 실시예>&Lt; Embodiment 2 >

도 4는 본 발명에 따른 다른 실시예로서, 액정 표시 장치의 부분 단면도를 보여주는 도면이다.4 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 4에 도시된 바와 같이, 액정 표시 장치의 구조는 도 2에서 설명한 바와 같으므로 이하, 동일한 구성 요소를 설명한 것에 대해서는 구체적인 부호 설명은 생략한다.As shown in FIG. 4, since the structure of the liquid crystal display is the same as that described with reference to FIG. 2, detailed description of the same elements will be omitted.

컬러 필터(314)와 블랙 매트릭스(312)로 이루어지는 컬러 필터층이 형성되어 있는 하부 기판(310)의 외(外)면에 투명 도전성 전극으로 이루어지는 발열층(371)을 형성한다.A heat generating layer 371 made of a transparent conductive electrode is formed on the outer surface of the lower substrate 310 on which the color filter layer composed of the color filter 314 and the black matrix 312 is formed.

<제 3 실시예>Third Embodiment

도 5는 본 발명에 따른 또 다른 실시예로서, 액정 표시 장치의 부분 단면도를 보여주는 도면이다. 5 is a cross-sectional view of a liquid crystal display according to another exemplary embodiment of the present invention.

도 5에 도시된 바와 같이, 상부 기판(410)에 형성되는 블랙 매트릭스(412)를 이용해서 발열층(471)을 형성한다.As shown in FIG. 5, the heat generating layer 471 is formed using the black matrix 412 formed on the upper substrate 410.

상기 블랙 매트릭스(412)는 크롬(Cr) 성분을 포함하고 있으므로 전류를 인가할 경우 발열시킬 수 있다.Since the black matrix 412 includes a chromium (Cr) component, the black matrix 412 may generate heat when a current is applied.

투명한 기판(401) 상에 상에 서로 일정간격 이격되어 다수 개의 블랙매트릭스(412)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(412)간 이격 구간에는 적, 녹, 청 컬러 필터(414)가 반복적으로 형성되어 있다. A plurality of black matrices 412 are formed on the transparent substrate 401 by being spaced apart from each other by a predetermined interval, and red, green, and blue color filters 414 are repeatedly formed in the intervals between the black matrices 412. have.

상기 적, 녹, 청의 컬러필터(414)는 색채를 표현하기 위하여 빛을 선택 투과시키고, 블랙 매트릭스(412)는 컬러별 색구분 및 빛샘 현상을 방지하는 역할을 한다. The red, green, and blue color filters 414 selectively transmit light in order to express colors, and the black matrix 412 serves to prevent color separation and light leakage by color.

상기 블랙 매트릭스(412)를 이루는 재질은 크롬(Cr) 성분을 포함하고 있는 물질에서 선택된다. The material constituting the black matrix 412 is selected from a material containing a chromium (Cr) component.

그리고, 상기 블랙 매트릭스(412)는 하판의 패드부로부터 전류가 인가될 수 있도록 은접점(452)이 형성되는 블랙 매트릭스의 일측이 상기 은접점과 접촉할 수 있도록 한다.In addition, the black matrix 412 allows one side of the black matrix where the silver contact point 452 is formed to contact the silver contact point so that a current can be applied from the pad portion of the lower plate.

이때, 상기 컬러 필터(414)의 표면이 불균일해져 평탄화 특성이 떨어지므로, 이러한 문제점을 보완하기 위하여 컬러 필터 상에 별도의 오버코트층을 형성할 수도 있다.In this case, since the surface of the color filter 414 is uneven and the planarization property thereof is deteriorated, a separate overcoat layer may be formed on the color filter to compensate for this problem.

이어서, 기판 전면에 액정 구동을 위한 공통 전극(416)을 형성한다.Subsequently, the common electrode 416 for driving the liquid crystal is formed on the entire surface of the substrate.

여기서, 상기 블랙 매트릭스(412)는 발열층으로 사용하며 상기 블랙 매트릭스(412)로 전류를 인가하기 위하여 은접점(452)을 도팅한다. Here, the black matrix 412 is used as a heat generating layer, and the silver contact 452 is doped to apply a current to the black matrix 412.                     

이때, 상기 공통 전극(416)에 Vcom 신호를 인가하기 위한 은접점도 별도로 도팅하며, 상기 블랙 매트릭스(412)와 접촉하는 부분이 없도록 한다.At this time, the silver contact for applying the Vcom signal to the common electrode 416 is also separately doped, so that there is no portion in contact with the black matrix 412.

따라서, 하부 기판의 패드부를 통해서 인가되는 전류는 은접점(452)을 통해서 상부 기판(410)의 발열층 즉, 블랙 매트릭스(412)으로 인가되어 발열이 된다.Accordingly, the current applied through the pad portion of the lower substrate is applied to the heat generating layer of the upper substrate 410, that is, the black matrix 412 through the silver contact 452 to generate heat.

상기 상부 기판(410)과 대향하고 있는 상기 하부 기판(430)의 투명 기판(402) 상부에는 게이트 전극(432)이 형성되어 있고, 게이트 전극(432) 상부에는 게이트 절연막(434)이 형성되어 있고, 게이트 절연막(434) 상부의 게이트 전극(432)을 덮는 위치에는 액티브층(436a), 오믹콘택층(436b)이 차례대로 적층된 반도체층(436)이 형성되어 있고, 반도체층(436)의 상부에는 서로 일정간격 이격된 소스 및 드레인 전극(438, 440)이 형성되어 있고, 소스 및 드레인 전극(438, 440) 간의 이격구간에는 액티브층(436a)의 일부를 노출시킨 채널(ch ; channel)이 형성되어 있고, 게이트 전극(432), 반도체층(436), 소스 및 드레인 전극(438, 440), 채널(ch)은 박막트랜지스터(T)를 이룬다. A gate electrode 432 is formed on the transparent substrate 402 of the lower substrate 430 facing the upper substrate 410, and a gate insulating layer 434 is formed on the gate electrode 432. The semiconductor layer 436 in which the active layer 436a and the ohmic contact layer 436b are sequentially stacked is formed at a position covering the gate electrode 432 on the gate insulating layer 434. Source and drain electrodes 438 and 440 spaced apart from each other are formed on the upper portion, and a channel (ch; channel) exposing a part of the active layer 436a is exposed in the separation section between the source and drain electrodes 438 and 440. The gate electrode 432, the semiconductor layer 436, the source and drain electrodes 438 and 440, and the channel ch form a thin film transistor T.

또한, 상기 박막트랜지스터(T) 상부에는 드레인 콘택홀(444)을 가지는 보호층(442)이 형성되어 있고, 화소 영역(P)에는 드레인 콘택홀(444)을 통해 상기 드레인 전극(440)과 연결되는 화소 전극(448)이 형성되어 있다. In addition, a passivation layer 442 having a drain contact hole 444 is formed on the thin film transistor T, and is connected to the drain electrode 440 through the drain contact hole 444 in the pixel region P. The pixel electrode 448 to be formed is formed.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 장치 및 그 제조 방법은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, this is for explaining the present invention in detail, and a liquid crystal display and a method of manufacturing the same according to the present invention are not limited thereto. It is apparent that modifications and improvements are possible by those skilled in the art.

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로, 상부 기판에 발열층을 형성함으로써 저온의 환경에서도 액정을 구동할 수 있도록 하여 제품의 신뢰성을 향상시키는 효과가 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and by forming a heat generating layer on an upper substrate, the liquid crystal can be driven even in a low temperature environment, thereby improving the reliability of the product.

또한, 본 발명은 상부 기판의 블랙 매트릭스를 발열층으로 이용함으로써 별도의 발열층을 구비할 필요가 없어 제조 비용을 절감하는 효과가 있다.In addition, the present invention does not need to provide a separate heating layer by using the black matrix of the upper substrate as a heating layer has the effect of reducing the manufacturing cost.

또한, 본 발명과 같은 내장 히터를 구비하는 액정 표시 장치는 극저온의 환경에서도 양호하게 액정 표시 장치를 사용할 수 있어 사용자의 사용 환경을 개선하는 효과가 있다.

In addition, the liquid crystal display device having the built-in heater as in the present invention can use the liquid crystal display device even in an extremely low temperature environment, thereby improving the user's use environment.

Claims (18)

일정 간격 이격하여 대향하는 어레이 기판과 컬러 필터 기판과, 기판 사이에 형성되는 액정층으로 이루어지는 액정 표시 장치에서,In a liquid crystal display device comprising an array substrate and a color filter substrate facing each other at a predetermined interval, and a liquid crystal layer formed between the substrates, 상기 컬러 필터 기판에서 발열층과, 상기 발열층에 전류를 인가하는 연결 구조를 구비하고, A connection structure for applying a current to the heating layer and the heating layer in the color filter substrate, 상기 연결 구조는 발열층과 어레이 기판의 패드부를 연결하는 은접점(Ag dot)인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the connection structure is an Ag dot connecting the heating layer to the pad of the array substrate. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 어레이 기판은 종횡으로 교차하여 화소를 정의하는 게이트 배선, 데이터 배선과, 상기 교차하는 지점에 형성되는 박막 트랜지스터를 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the array substrate has a gate wiring, a data wiring, and a thin film transistor formed at the crossing point, which cross each other to define pixels. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러 필터 기판은,The color filter substrate, 기판 상에 형성되는 발열층과;A heat generating layer formed on the substrate; 상기 발열층 상에 형성되는 버퍼층과;A buffer layer formed on the heat generating layer; 상기 버퍼층 상에 형성되는 복수개의 블랙 매트릭스와;A plurality of black matrices formed on the buffer layer; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터와;Red (R), green (G), and blue (B) color filters positioned between the black matrix; 상기 컬러필터 상에 위치하는 공통전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a common electrode disposed on the color filter. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 컬러 필터 기판은,The color filter substrate, 기판의 일면에 형성되는 발열층과;A heating layer formed on one surface of the substrate; 기판의 다른 일면에 형성되는 복수개의 블랙 매트릭스와;A plurality of black matrices formed on the other side of the substrate; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터와;Red (R), green (G), and blue (B) color filters positioned between the black matrix; 상기 컬러필터 상에 위치하는 공통전극;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And a common electrode disposed on the color filter. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열층은 투명한 도전성 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the heat generating layer is formed of a transparent conductive electrode. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 중에서 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The heating layer is formed of any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO). 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열층은 블랙 매트릭스를 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the heat generating layer uses a black matrix. 제 8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 블랙 매트릭스는 전도성 물질인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the black matrix is a conductive material. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 발열층은 전압 DC 5V 이상에서 구동되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.And the heat generating layer is driven at a voltage of DC 5V or higher. 삭제delete 일정 간격 이격하여 대향하는 어레이 기판과 컬러 필터 기판과, 기판 사이에 형성되는 액정층으로 이루어지는 액정 표시 장치에서,In a liquid crystal display device comprising an array substrate and a color filter substrate facing each other at a predetermined interval, and a liquid crystal layer formed between the substrates, 상기 컬러 필터 기판에 발열층과, 상기 발열층에 전류를 인가하는 연결 구조를 형성하는 단계와, Forming a heat generating layer and a connection structure for applying a current to the heat generating layer on the color filter substrate; 상기 발열층과 어레이 기판의 패드부를 연결하는 은접점(Ag dot)을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And forming an Ag dot connecting the heating layer to the pad portion of the array substrate. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 컬러 필터 기판은, The color filter substrate, 기판 상에 발열층을 형성하는 단계와;Forming a heating layer on the substrate; 상기 발열층 상에 버퍼층을 형성하는 단계와;Forming a buffer layer on the heat generating layer; 상기 버퍼층 상에 복수개의 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a plurality of black matrices on the buffer layer; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터를 형성하는 단계와;Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters located between the black matrices; 상기 컬러 필터 상에 위치하는 공통전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Forming a common electrode on the color filter; and manufacturing the liquid crystal display device. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 컬러 필터 기판은,The color filter substrate, 기판의 일면에 발열층을 형성하는 단계와;Forming a heating layer on one surface of the substrate; 기판의 다른 일면에 복수개의 블랙 매트릭스를 형성하는 단계와;Forming a plurality of black matrices on the other side of the substrate; 상기 블랙 매트릭스 사이에 위치한 적(R), 녹(G), 청(B)의 컬러 필터를 형성하는 단계와;Forming red (R), green (G), and blue (B) color filters located between the black matrices; 상기 컬러 필터 상에 위치하는 공통전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.Forming a common electrode on the color filter; and manufacturing the liquid crystal display device. 삭제delete 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 발열층은 투명한 도전성 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The heat generating layer is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that the transparent conductive electrode. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 발열층은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 중에서 어느 한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.The heating layer is a method of manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that formed of any one of indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin zinc oxide (ITZO). 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 발열층은 블랙 매트릭스를 이용하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치의 제조 방법.And the heat generating layer uses a black matrix.
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JP2003131191A (en) * 2001-10-22 2003-05-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Field sequential color liquid crystal display device

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