KR101000065B1 - Photosensitive electrode paste - Google Patents

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Abstract

본 발명은 감광성 전극 페이스트에 관한 것이다. 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는, 유기 바인더 3 내지 9 wt%, 광 중합성 모노머 3.5 내지 6.5 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 은 분말 50 내지 70 wt%, 용매 8 내지 11 wt% 및 올리고머 4 내지 10 wt%를 포함하고, 올리고머의 산가는 30 내지 100 mgKOH/g 이다. 이에 의해, 전극이 충분한 광경화성을 유지하면서 현상시 블랙 매트릭스의 잔사 발생을 방지할 수 있다.The present invention relates to a photosensitive electrode paste. The photosensitive electrode paste according to the present invention includes 3 to 9 wt% of an organic binder, 3.5 to 6.5 wt% of a photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 50 to 70 wt% of silver powder, 8 to 11 wt% of a solvent, and 4-10 wt% of an oligomer, with an acid value of 30-100 mgKOH / g. Thereby, it is possible to prevent the occurrence of residues of the black matrix during development while the electrodes maintain sufficient photocurability.

잔사, 전극 페이스트, 산가 Residue, electrode paste, acid value

Description

감광성 전극 페이스트{Photosensitive electrode paste}Photosensitive electrode paste

본 발명은 감광성 전극 페이스트에 관한 것으로, 산가가 30 내지 100 mgKOH/g인 올리고머를 포함하는 감광성 전극 페이스트에 관한 것이다.The present invention relates to a photosensitive electrode paste, and relates to a photosensitive electrode paste containing an oligomer having an acid value of 30 to 100 mgKOH / g.

일반적으로 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma display panal, PDP)은 격벽으로 분리된 방전셀에 방전가스를 주입하고, 플라즈마 발광시에 발생하는 자외선이 형광체를 여기시켜 바닥상태로 돌아갈 때의 에너지 차에 의해 발생하는 가시광선의 발광현상을 이용한 표시소자이다.In general, a plasma display panel (PDP) injects a discharge gas into a discharge cell separated by a partition wall, and is caused by an energy difference when ultraviolet rays generated during plasma emission excite phosphors and return to a ground state. A display device using a light emission phenomenon of visible light.

플라즈마 디스플레이 패널은 화상이 디스플레이 되는 표시면인 상부 패널과 그와 평행하게 결합된 하부 패널로 구성되며, 상부패널은 상부 기판 상에 스캔 전극 및 서스테인 전극이 쌍을 이뤄 형성된 복수의 유지 전극 쌍을 포함하고, 하부 패널에는 하부 기판 상에 상부 패널에 형성된 복수의 유지 전극 쌍과 교차되도록 복수의 어드레스 전극이 배열된다.The plasma display panel includes an upper panel, which is a display surface on which an image is displayed, and a lower panel coupled in parallel thereto, and the upper panel includes a plurality of sustain electrode pairs formed by pairing a scan electrode and a sustain electrode on the upper substrate. In the lower panel, a plurality of address electrodes are arranged on the lower substrate to intersect a plurality of pairs of sustain electrodes formed in the upper panel.

스캔 전극 및 서스테인 전극은 투명 전극과 투명 전극 상에 버스 전극을 포함하여 구성된다. 한편, 버스 전극을 형성할 때 화면의 콘트라스트를 향상시키기 위해 흑색 페이스트로 블랙 매트릭스층 인쇄하고, 그 위에 도전성 은(Ag) 페이스트 로 버스 전극을 인쇄하여 노광 후 현상 과정을 거쳐 2층 구조의 전극을 형성할 수 있다.The scan electrode and the sustain electrode comprise a transparent electrode and a bus electrode on the transparent electrode. On the other hand, when forming the bus electrode, in order to improve the contrast of the screen, the black matrix layer is printed with black paste, and the bus electrode is printed with the conductive silver (Ag) paste thereon, followed by a post-exposure developing process to form an electrode having a two-layer structure. Can be formed.

그러나 이 경우 블랙 매트릭스의 하부는 노광이 충분히 이루어지지 못하게 되며, 현상시 비노광부가 깨끗하게 제거되지 않아 소성 후 직진성이 떨어지고 잔사가 발생할 수 있다.However, in this case, the lower part of the black matrix may not be sufficiently exposed, and during development, the non-exposed part may not be removed cleanly, resulting in poor straightness after firing and residue.

본 발명의 목적은 전극이 충분한 광경화성을 유지하면서 현상시 블랙 매트릭스의 잔사 발생을 방지할 수 있는 감광성 전극 페이스트의 제공에 있다.An object of the present invention is to provide a photosensitive electrode paste capable of preventing the occurrence of residues of a black matrix during development while the electrode maintains sufficient photocurability.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는, 유기 바인더 3 내지 9 wt%, 광 중합성 모노머 3.5 내지 6.5 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 은 분말 50 내지 70 wt%, 용매 8 내지 11 wt% 및 올리고머 4 내지 10 wt%를 포함하고, 올리고머의 산가는 30 내지 100 mgKOH/g이다.The photosensitive electrode paste according to the present invention for achieving the above object is 3 to 9 wt% of an organic binder, 3.5 to 6.5 wt% of a photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 50 to 70 wt% of silver powder, 8 to 11 wt% solvent and 4 to 10 wt% oligomer, and the acid value of the oligomer is 30 to 100 mgKOH / g.

본 발명에 따르면, 감광성 전극 페이스트는 산가 30 내지 100 mgKOH/g 인 올리고머를 포함함으로써, 전극이 충분한 광경화성을 유지하면서 현상시 블랙 매트릭스의 잔사 발생을 방지할 수 있다.According to the present invention, the photosensitive electrode paste includes an oligomer having an acid value of 30 to 100 mgKOH / g, thereby preventing the occurrence of residue of the black matrix during development while the electrode maintains sufficient photocurability.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings will be described the present invention in more detail.

본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 전극 페이스트는 유기 바인더 3 내지 9 wt%, 광 중합성 모노머 3.5 내지 6.5 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 은 분말 50 내지 70 wt% 및 용매 8 내지 11 wt%를 포함하고, 올리고머 4 내지 10 wt%를 더 포함할 수 있다.Photosensitive electrode paste according to an embodiment of the present invention is 3 to 9 wt% of organic binder, 3.5 to 6.5 wt% of photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 50 to 70 wt% of silver powder and 8 to 11 of solvent. wt%, and may further include 4 to 10 wt% of an oligomer.

먼저 유기 바인더는 소성 전에서의 각 성분의 결합재로서 기능하는 것으로, 균일성을 위해 현탁중합에 의해 제조하는 것이 바람직하다. 유기 바인더로는, 카르복실기를 포함하는 수지, 구체적으로는 그 자체가 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖는 카르복실기 함유 감광성 수지 및 에틸렌성 불포화 이중 결합을 갖지 않는 카르복실기 함유 수지를 포함할 수 있다.First, the organic binder functions as a binder of each component before firing, and is preferably prepared by suspension polymerization for uniformity. The organic binder may include a resin containing a carboxyl group, specifically, a carboxyl group-containing photosensitive resin having an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group-containing resin not having an ethylenically unsaturated double bond.

예를 들어, i) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 공중합시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 수지, ii) 불포화 카르복실산과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에 에틸렌성 불포화기를 팬던트로서 부가시킴으로써 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지, iii)불포화 이중 결합을 갖는 산 무수물과 불포화 이중 결합을 갖는 화합물의 공중합체에, 수산기와 불포화 이중 결합을 갖는 화합물을 반응시켜 얻어지는 카르복실기 함유 감광성 수지를 포함할 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.For example, i) carboxyl group-containing resin obtained by copolymerizing an unsaturated carboxylic acid and a compound having an unsaturated double bond, and ii) a carboxyl group obtained by adding an ethylenically unsaturated group as a pendant to a copolymer of an unsaturated carboxylic acid and a compound having an unsaturated double bond. Containing photosensitive resin, iii) a carboxyl group-containing photosensitive resin obtained by reacting a copolymer of an acid anhydride having an unsaturated double bond with a compound having an unsaturated double bond, with a hydroxyl group and a compound having an unsaturated double bond, and the like. It is not.

유기 바인더는 상술한 다양한 카르복실기 함유 수지 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있으며, 3 내지 9 wt% 포함될 수 있다.The organic binder may be used alone or in combination with the various carboxyl group-containing resins described above, and may be included in an amount of 3 to 9 wt%.

유기 바인더가 3 wt% 미만으로 포함된 경우는 형성되는 도막 중의 유기 바인더의 분포가 불균일해질 수 있어, 선택적 노광, 현상에 의한 패터닝이 곤란해질 수 있다. 반면에, 9 wt% 를 초과하는 경우는 전극의 소성시 패턴 붕괴나 선폭 수축을 일으키기 쉬워 바람직하지 않다.When the organic binder is contained in less than 3 wt%, the distribution of the organic binder in the coating film to be formed may become uneven, and patterning by selective exposure and development may be difficult. On the other hand, when it exceeds 9 wt%, it is not easy to cause pattern collapse or line width shrinkage during firing of the electrode.

광 중합성 모노머는 감광성 전극 페이스트의 광경화성을 촉진시키고 현상성을 향상시키기 위해 사용한다. The photopolymerizable monomer is used to promote photocurability of the photosensitive electrode paste and to improve developability.

광 중합성 모노머로서는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크 릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리 메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리틀펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틀헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류; 프탈산, 아디프산, 말레산, 아타콘산, 숙신산, 트리멜리트산, 테레프탈산 등의 다염기산과 히드록시알킬(메타)아크릴레이트와의 모노-, 디-, 트리- 또는 그 이상의 폴리에스테르 등을 들 수 있지만, 특정한 것으로 한정되지 않고, 이들을 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As the photopolymerizable monomer, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyurethane diacrylate, trimethylol Propane triacrylate, pentaerythrite triacrylate, pentaerythrite tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaery little pentaacrylate, dipenta Erythritol hexaacrylate and each methacrylate corresponding to the acrylate; Mono-, di-, tri- or more polyesters of polybasic acids such as phthalic acid, adipic acid, maleic acid, ataconic acid, succinic acid, trimellitic acid and terephthalic acid with hydroxyalkyl (meth) acrylates. However, it is not limited to a specific thing, These can be used individually or in combination of 2 or more types.

광 중합성 모노머가 3.5 wt% 미만으로 포함된 경우는 충분한 광 경화성을 얻기 어려워질 수 있으며, 6.5 wt% 를 초과하는 경우는 광 경화가 너무 빨라지기 때문에 경화불균일이 발생할 수 있다. 따라서, 광 중합성 모노머는 3.5 내지 6.5 wt% 포함될 수 되는 것이 바람직하다. When less than 3.5 wt% of the photopolymerizable monomer is included, it may be difficult to obtain sufficient photocurability. If it exceeds 6.5 wt%, curing unevenness may occur because the photocuring becomes too fast. Therefore, the photopolymerizable monomer may be included 3.5 to 6.5 wt%.

또한, 유리 프릿은 2 내지 10 wt%로 포함될 수 있다. 유리 프릿이 2 wt% 미만으로 포함된 경우는 기판에 대한 도전막의 접착 강도가 충분하지 않을 수 있으며, 반면에 10 wt%를 초과하여 첨가되는 경우는 도전막의 소결성이 저하되고, 생성된 전극의 저항이 증가할 수 있다.In addition, the glass frit may be included in 2 to 10 wt%. When the glass frit is included in less than 2 wt%, the adhesive strength of the conductive film to the substrate may not be sufficient, whereas when the glass frit is added in excess of 10 wt%, the sinterability of the conductive film is lowered and the resistance of the resulting electrode is reduced. This can increase.

유리 프릿의 조성으로서는, 특별히 제한되지 않지만, 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 것이 바람직하다. 유리 프릿의 유리 전이점(Tg)이 350℃ 이상인 경우는 기포, 팽창 등의 발생이 억제되며, 550℃ 기판과의 밀착성이 우수하고, 핀 홀의 발생이나 에지컬 등의 형상 불량이 효과적으로 억제될 수 있다.Although it does not restrict | limit especially as a composition of a glass frit, It is preferable that the glass transition temperature (Tg) of a glass frit is 350-550 degreeC. When the glass transition point (Tg) of the glass frit is 350 ° C. or higher, generation of bubbles, expansion, etc. is suppressed, and adhesion with the 550 ° C. substrate is excellent, and shape defects such as pinholes and edge curls can be effectively suppressed. have.

또한, 본 발명에 있어서 유리 프릿은 핀 홀이 없는 소성 패턴으로 효과적으로 만들기 위해 평균 입경(D50) 0.5 내지 2 ㎛의 범위에 있는 미세 분말이 바람직하다.In addition, in this invention, in order to make a glass frit effectively into the firing pattern without a pinhole, the fine powder which exists in the range of 0.5-2 micrometers of average particle diameters (D50) is preferable.

은(Ag) 분말은 페이스트에 도전성을 부여하며, 형상으로서는 구상, 플레이크상 등 특별히 제한되지는 않으나 분산성 등을 고려하면 구상인 것이 바람직하다. 이러한 구형의 은 분말 50 내지 70 wt% 포함할 수 있다.The silver (Ag) powder imparts conductivity to the paste, and the shape is not particularly limited as spherical or flake, but is preferably spherical in view of dispersibility. Such spherical silver powder may comprise 50 to 70 wt%.

우선, 구형 은 분말이 50wt% 보다 적은 경우는, 페이스트로부터 얻어지는 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 한편, 70 wt%를 초과하여 포함되면, 전극의 점도가 너무 높아서 인쇄가 어려워질 수 있기 때문에 바람직하지 않다.First, if the spherical silver powder is less than 50 wt%, sufficient conductivity of the conductor pattern obtained from the paste is not obtained, while if it is contained in excess of 70 wt%, the viscosity of the electrode may be so high that printing may be difficult. Because it is not desirable.

한편, 이러한 구형의 은 분말의 평균 입경(D50)이 0.1㎛ 보다 작은 경우는 제조된 페이스트의 유동성이 떨어져 작업성이 저하될 뿐 아니라 페이스트의 제조단가가 상승하며, 반대로 2 ㎛를 초과하는 경우는 형성된 전극의 전기저항이 높아지며 기재와의 밀착성이 저하될 수 있으므로, 구형의 은 분말의 평균 입경(D50)은 0.1 내지 2㎛ 인 것이 바람직하다.On the other hand, when the average particle diameter (D50) of the spherical silver powder is smaller than 0.1 µm, the flowability of the prepared paste is not only degraded, but also the workability of the paste is increased, and in contrast, when the average particle diameter (D50) is larger than 2 µm, Since the electrical resistance of the formed electrode may be increased and the adhesion to the substrate may be reduced, the average particle diameter (D50) of the spherical silver powder is preferably 0.1 to 2 μm.

또한, 용매는 유기 바인더를 용해시킬 수 있고, 기타 첨가제와 잘 혼합되면서 비등점이 150도 이상인 것을 사용할 수 있다. 이에는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di-propylene glycol) monomethyl ether)등 알데히드기를 포함하는 것 등이 있으나 이에 한정되지 않는다. In addition, the solvent can dissolve the organic binder, it can be used with a boiling point of more than 150 degrees while being well mixed with other additives. These include a-terpinol, buty cabitol acetate, texanol, buty cabitol, di-propylene glycol monomethyl ether And the like, including an aldehyde group, but are not limited thereto.

이러한 용매는 8 내지 11 wt%로 포함되는 것이 바람직하다. 용매의 포함량이 8 wt% 미만인 경우는, 기재상에 페이스트가 균일하게 도포되기 어려울 수 있으며, 반면에 11 wt% 보다 많이 포함되는 경우는, 도전체 패턴의 충분한 도전성이 얻어지지 않고, 기재와의 밀착성이 떨어지기 때문에 바람직하지 않다.Such solvents are preferably comprised between 8 and 11 wt%. When the content of the solvent is less than 8 wt%, it may be difficult to apply the paste uniformly on the substrate, whereas when it contains more than 11 wt%, sufficient conductivity of the conductor pattern is not obtained, and It is not preferable because the adhesion is poor.

한편, 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는 4 내지 10wt%로 올리고머를 더 포함할 수 있다. 또한 올리고머는 카르복실기를 포함하며, 산가는 30 내지 100 mgKOH/g인 것이 바람직하다.On the other hand, the photosensitive electrode paste according to the present invention may further comprise an oligomer at 4 to 10wt%. In addition, the oligomer includes a carboxyl group, and the acid value is preferably 30 to 100 mgKOH / g.

블랙 매트릭스의 형성을 위해 도포된 흑색 페이스트 상에 감광성 전극 페이스트를 도포하는 경우, 감광성 전극 페이스트에 포함된 카르복실기를 갖는 올리고머가 흑색 페이스트로 침투할 수 있고, 이 경우 블랙 매트릭스와 전극을 노광하여 패터닝 할 때에 현상액에 의해 미노광부를 효율적으로 제거할 수 있어서, 블랙 매트릭스의 잔사가 발생하는 것을 효과적으로 방지할 수 있게 된다.When the photosensitive electrode paste is applied onto the black paste applied to form the black matrix, oligomers having a carboxyl group included in the photosensitive electrode paste may penetrate into the black paste. In this case, the black matrix and the electrode may be exposed and patterned. At this time, the unexposed portion can be efficiently removed by the developer, so that the residue of the black matrix can be effectively prevented.

또한, 카르복실기를 포함하는 올리고머는 바인더에 비교하여 빛에 반응할 수 있는 이중구조를 상대적으로 많이 포함하고 있으므로, 감광성 전극 페이스트는 광경화성을 유지할 수 있다.In addition, since the oligomer containing a carboxyl group contains relatively many double structures which can react with light compared with a binder, the photosensitive electrode paste can maintain photocurability.

한편, 올리고머의 산가는 30 내지 100 mgKOH/g인 것이 바람직하다. 산가가 30 mgKOH/g 미만이면, 알카리 수용액에 대한 용해성이 불충분하여 현상 불량이 발생할 수 있으며, 반면에 100 mgKOH/g 를 초과하는 경우에는 현상시에 피막의 밀착 성이 떨어지거나, 광경화부의 용해가 발생할 수 있기에 바람직하지 않다.On the other hand, it is preferable that the acid value of an oligomer is 30-100 mgKOH / g. If the acid value is less than 30 mgKOH / g, poor solubility in an aqueous alkali solution may cause poor development, whereas if it exceeds 100 mgKOH / g, the adhesion of the film may be degraded at the time of development, or the dissolution of the photocurable part may occur. Is not desirable as it may occur.

또한, 올리고머의 첨가량이 4 wt% 미만인 경우에는 현상시의 피막의 밀착성에 악영향을 줄 수 있으며, 10wt%를 초과하는 경우에는 현상 불량이 생길 수 있기 때문에 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는 4 내지 10wt%로 올리고머를 포함하는 것이 바람직하다.In addition, when the addition amount of the oligomer is less than 4 wt% may adversely affect the adhesion of the film during development, if it exceeds 10wt% may cause poor development, the photosensitive electrode paste according to the present invention is 4 to 10wt It is preferred to include oligomers in%.

그 외에, 본 발명의 감광성 전극 페이스트는 광 중합 개시제로서, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르 등의 벤조인과 벤조인알킬에테르류; 아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시-2-페닐아세토페논, 1,1-디클로로아세토페논 등의 아세토페논류; 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-(디메틸아미노)-2-[(4-메틸페닐)메틸]-1-[4-(4-모르폴리닐)페닐]-1-부타논 등의 아미노아세토페논류; 2-메틸안트라퀴논, 2-에틸안트라퀴논, 2-t-부틸안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논 등의 안트라퀴논류; 2,4-디메틸티오크산톤,2,4-디에틸티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤류; 아세토페논디메틸케탈, 벤질디메틸케탈 등의 케탈류; 벤조페논 등의 벤조페논류; 또는 크산톤류; (2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-펜틸포스핀옥시드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥시드, 에틸-2,4,6-트리메틸벤조일페닐포스피네이트 등의 포스핀옥시드류; 각종 퍼옥시드류 등을 들 수 있고, 이들 공지 관용의 광 중합 개시제를 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive electrode paste of this invention is benzoin and benzoin alkyl ether, such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, as a photoinitiator; Acetophenones such as acetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxy-2-phenylacetophenone, and 1,1-dichloroacetophenone; 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholinopropane-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone- Aminoacetophenones such as 1,2- (dimethylamino) -2-[(4-methylphenyl) methyl] -1- [4- (4-morpholinyl) phenyl] -1-butanone; Anthraquinones such as 2-methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-t-butylanthraquinone and 1-chloroanthraquinone; Thioxanthones, such as 2, 4- dimethyl thioxanthone, 2, 4- diethyl thioxanthone, 2-chloro thioxanthone, and 2, 4- diisopropyl thioxanthone; Ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal; Benzophenones such as benzophenone; Or xanthones; (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-pentylphosphineoxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine jade Phosphine oxides such as seeds and ethyl-2,4,6-trimethylbenzoylphenylphosphinate; Various peroxides etc. are mentioned, These known conventional photoinitiators can be used individually or in combination of 2 or more types.

또한, 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는 필요에 따라서 실리콘계, 아크릴계 등의 소포ㆍ레벨링제, 피막의 밀착성 향상을 위한 실란 커플링제 등의 다른 첨가제를 배합할 수도 있다. Moreover, the photosensitive electrode paste which concerns on this invention can mix | blend other additives, such as a defoaming and leveling agent, such as a silicone type and an acryl type, and a silane coupling agent for improving the adhesiveness of a film as needed.

그 외에 필요에 따라서 도전성 금속 분말의 산화를 방지하기 위한 공지 관용의 산화 방지제나, 보존시의 열적 안정성을 향상시키기 위한 열 중합 금지제, 소성시에 있어서의 기판과의 결합 성분으로서의 금속 산화물, 규소 산화물, 붕소 산화물, 저융점 유리 등의 미립자를 더 첨가할 수도 있으며, 소성 수축을 조정할 목적으로 실리카, 산화비스무스, 산화알루미늄, 산화티탄 등의 무기 분말, 유기 금속 화합물, 금속 유기산염, 금속 알콕시드 등을 첨가할 수도 있다.In addition, a known conventional antioxidant for preventing oxidation of the conductive metal powder, a thermal polymerization inhibitor for improving thermal stability during storage, a metal oxide as a bonding component with a substrate during firing, and silicon, if necessary Fine particles such as oxides, boron oxides and low melting glass may be further added, and inorganic powders such as silica, bismuth oxide, aluminum oxide and titanium oxide, organometallic compounds, metal organic acid salts and metal alkoxides for the purpose of adjusting plastic shrinkage. Etc. can also be added.

도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 버스 전극 제조공정을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a bus electrode manufacturing process of a plasma display panel.

우선, 도 1의 (a)에 도시된 바와 같이, 상부기판(110)에 스퍼터링(sputtering), 이온 도금, 화학 증착 및 전착 등의 공정을 통해 ITO로 형성한 투명전극(120)이 이미 형성된 상태에서 흑색 페이스트(130)를 도포한다. 흑색 페이스트(130)는 고온에서 색조 안정성을 가지는 Cu, Fe, Cr, Mn, Co, Ru, La 등의 단독 금속 산화물 및/또는 금속 원소 2종 이상을 포함하는 복합 산화물을 포함할 수 있다. 이어서 열풍 순환식 건조로나 원적외선 건조로에서 건조시켜 유기 용매를 증발시킨다.First, as shown in FIG. 1A, a transparent electrode 120 formed of ITO is formed on the upper substrate 110 through a process such as sputtering, ion plating, chemical vapor deposition, and electrodeposition. The black paste 130 is applied. The black paste 130 may include a complex oxide including a single metal oxide and / or two or more metal elements such as Cu, Fe, Cr, Mn, Co, Ru, and La which have color stability at high temperature. The organic solvent is then evaporated by drying in a hot air circulation drying furnace or a far infrared drying furnace.

이어서, (b)와 같이, 흑색 페이스트(130) 상에 상술한 조성을 가지는 감광성 전극 페이스트(140)를 인쇄법, 바 코터, 블레이드 코터 등 적절한 방법으로 도포한 후 건조시킨다. 이때, 감광성 전극 페이스트(140)에 포함되어 있는 올리고머는 확산 현상에 의해 흑색 페이스트(130)로 침투하게 된다. 이때, 올리고머는 30 내지 100 mgKOH/g의 산가를 가지는 것이 바람직하다.Subsequently, as shown in (b), the photosensitive electrode paste 140 having the composition described above is applied onto the black paste 130 by an appropriate method such as a printing method, a bar coater, a blade coater, and then dried. At this time, the oligomers included in the photosensitive electrode paste 140 penetrate into the black paste 130 by diffusion. At this time, the oligomer preferably has an acid value of 30 to 100 mgKOH / g.

계속하여, (c)와 같이 감광성 전극 페이스트(140)가 도포된 상부기판(110)에 일정한 패턴이 형성된 마스크(150)를 위치시킨다. 이때, 마스크(150)는 버스 전극(142) 및 블랙 매트릭스(132)가 형성될 위치와 대응되는 위치에 개구(152)가 형성되어 있다. Subsequently, a mask 150 having a predetermined pattern is positioned on the upper substrate 110 to which the photosensitive electrode paste 140 is applied as shown in (c). In this case, the mask 150 has an opening 152 formed at a position corresponding to the position at which the bus electrode 142 and the black matrix 132 are to be formed.

마스크(150)를 위치시킨 후, 마스크(150)의 상부에서 일정시간 노광한다. 이때 사용되는 활성 광원은, 가시광선, 근적외선, 자외선, 전자선, X선 밍 레이저 광 등이 있으며, 바람직하게는 자외선을 사용한다.After the mask 150 is positioned, the mask 150 is exposed for a predetermined time on the mask 150. The active light source used at this time includes visible light, near infrared ray, ultraviolet ray, electron beam, X-ray dimming laser light and the like, and preferably ultraviolet ray is used.

자외선 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 할로겐 램프 및 살균등 등을 사용할 수 있다. 바람직하게는 초고압 수은등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되지 아니함은 물론이다.As the ultraviolet light source, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a halogen lamp and a germicidal lamp can be used. Preferably, an ultra-high pressure mercury lamp may be used, but is not limited thereto.

일 예로, 자외선을 조사하면, 감광성 전극 페이스트(140) 및 흑색 페이스트(130)는 자외선에 감응하여 경화된다. 또한, 감광성 전극 페이스트(140)에 포함되어 있는 올리고머는 빛과 반응할 수 있는 이중결합을 바인더와 비교하여 상대적으로 많이 포함하고 있기 때문에 광 경화성이 우수할 수 있다.For example, when the ultraviolet light is irradiated, the photosensitive electrode paste 140 and the black paste 130 are cured in response to the ultraviolet light. In addition, since the oligomer included in the photosensitive electrode paste 140 includes a relatively large number of double bonds that may react with light, the photopolymerizable electrode paste 140 may have excellent photocurability.

이때, 감광성 전극 페이스트(140) 및 흑색 페이스트(130) 위에 놓인 마스크(150)에 의해 일정 부분만 경화된다. 즉, 개구(152)의 하부에 위치한 감광성 전극 페이스트(140) 및 흑색 페이스트(130)는 상기 자외선이 조사되어 경화되고, 개 구(152)가 형성되지 않은 부분의 하부에 위치한 감광성 전극 페이스트(140) 및 흑색 페이스트(130)는 상기 자외선이 투과하지 못하여 경화되지 않는 것이다.At this time, only a predetermined portion is cured by the mask 150 placed on the photosensitive electrode paste 140 and the black paste 130. That is, the photosensitive electrode paste 140 and the black paste 130 positioned below the opening 152 are cured by being irradiated with ultraviolet rays, and the photosensitive electrode paste 140 positioned below the opening 152 is not formed. ) And the black paste 130 are not cured because the ultraviolet rays do not transmit.

본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트(140)는 올리고머를 포함하며, 올리고머는 빛에 반응할 수 있는 이중결합을 바인더에 비해 상대적으로 많이 포함하고 있기 때문에, 감광성 전극 페이스트(140)는 충분한 광 경화성을 가지게 된다.The photosensitive electrode paste 140 according to the present invention includes an oligomer, and since the oligomer includes a relatively large number of double bonds that can react to light, the photosensitive electrode paste 140 may have sufficient photocurability. do.

마스크(150)를 제거한 후, 현상공정을 수행한다. 현상공정으로서는 분무법, 침지법 등이 이용된다. 현상액으로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 규산나트륨 등의 금속 알칼리 수용액이나, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민 등의 아민수용액 등이 이용될 수 있으나, 특히 약 1.5 wt% 이하 농도의 묽은 알칼리 수용액이 바람직하다.After the mask 150 is removed, a developing process is performed. As the developing step, spraying, dipping and the like are used. As the developing solution, aqueous metal alkali solutions such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, potassium carbonate, sodium silicate, and amine aqueous solutions such as monoethanolamine, diethanolamine and triethanolamine may be used, but in particular, about 1.5 wt% or less Preference is given to dilute aqueous alkali solutions.

한편, 흑색 페이스트(130)로 침투된 30 내지 100 mgKOH/g의 산가를 가지는 올리고머는 흑색 페이스트(130)의 비노광부를 효율적으로 세척할 수 있도록 도움을 주게 된다. 따라서, 잔사 발생을 효율적으로 방지할 수 있게 된다.On the other hand, the oligomer having an acid value of 30 to 100 mgKOH / g penetrated into the black paste 130 helps to clean the non-exposed part of the black paste 130 efficiently. Therefore, it is possible to effectively prevent the occurrence of residues.

이어서, 소성 공정을 수행하여 (d)에 도시된 바와 같이, 버스전극(142) 및 블랙 매트릭스(132)의 형성을 완료한다.Subsequently, a firing process is performed to complete formation of the bus electrode 142 and the black matrix 132 as shown in (d).

이하에는 실시예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명이 하기 실시예로 한정되지 않는다.EXAMPLES Hereinafter, although an Example is shown and this invention is demonstrated concretely, this invention is not limited to the following Example.

본 발명의 감광성 전극 페이스트는 상술한 바와 같은 필수 성분과 임의 성분을 소정의 비율로 배합하고, 3개 롤이나 블렌더 등의 혼련기에서 균일하게 분산시켜 얻어진다. 이렇게 하여 얻어진 감광성 전극 페이스트는, 도 1에서 상술한 바와 같은 공정에 의해 전극의 패턴으로서 형성된다.The photosensitive electrode paste of this invention is obtained by mix | blending the above-mentioned essential component and arbitrary components in predetermined ratio, and disperse | distributing uniformly in kneading machines, such as three rolls and a blender. The photosensitive electrode paste obtained in this way is formed as a pattern of an electrode by the process as mentioned above in FIG.

하기의 표 1은 본 발명에 따른 실시예와 비교예를 나타낸다. 여기서 특별히 언급이 없는 한 단위는 전부 wt% 기준이다.Table 1 below shows Examples and Comparative Examples according to the present invention. All units are by weight% unless otherwise stated.

하기의 표 1에서 감광성 전극 페이스트의 용매는 Butyl Carbitol과 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di(propylene glycol) monomethyl ether)를 혼합사용하였으며, 광개시제로 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온을 사용하였다. 또한, 광 중합성 모노머는 Trimethylopropane Triacrylate를 사용하다.In Table 1 below, a solvent of the photosensitive electrode paste was mixed with Butyl Carbitol and dipropylene glycol monomethyl ether (Di (propylene glycol) monomethyl ether), and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4- as a photoinitiator. Morpholinophenyl) butan-1-one was used. In addition, the photopolymerizable monomer uses Trimethylopropane Triacrylate.

한편, 올리고머는 포함되는 산가를 달리하여 측정하였다.On the other hand, the oligomer was measured by varying the acid value included.

실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 바인더bookbinder 9.09.0 6.06.0 3.03.0 6.06.0 8.08.0 12.012.0 올리고머(0mgKOH/g)Oligomer (0mgKOH / g) 6.06.0 올리고머(30mgKOH/g)Oligomer (30mgKOH / g) 4.04.0 올리고머(60mgKOH/g)Oligomer (60 mgKOH / g) 6.06.0 올리고머(100mgKOH/g)Oligomer (100 mgKOH / g) 10.010.0 올리고머(140mgKOH/g)Oligomer (140 mgKOH / g) 4.04.0 Butyl CarbitolButyl carbitol 5.05.0 6.06.0 8.08.0 6.06.0 6.06.0 6.06.0 Di(propylene glycol) monomethyl etherDi (propylene glycol) monomethyl ether 3.03.0 3.03.0 3.03.0 3.03.0 3.03.0 3.03.0 광중합성 모노머Photopolymerizable monomer 6.56.5 6.56.5 3.53.5 6.56.5 6.56.5 6.56.5 광개시제Photoinitiator 1.51.5 1.51.5 1.51.5 1.51.5 1.51.5 1.51.5 중합 금지제Polymerization inhibitor 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 은분말Silver powder 65.065.0 65.065.0 65.065.0 65.065.0 65.065.0 65.065.0 유리프릿Glass frit 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 5.05.0 레벨링제Leveling agent 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 0.50.5 TotalTotal 100.0100.0 100.0100.0 100.0100.0 100.0100.0 100.0100.0 100.0100.0

상기 표 1의 조성을 가지는 감광성 전극 페이스트를 이용하여 도 1에서 설명한 방법에 의해 버스 전극과 블랙 매트릭스의 패턴을 형성하여 하기 표 2에 나타난 바와 같은 물성을 평가하였다. 여기서 기재는 PD200 유리를 사용하였고, 노광 mask 폭 라인은 90㎛를 사용하였다. Using the photosensitive electrode paste having the composition shown in Table 1, the bus electrode and the black matrix were formed by the method described with reference to FIG. 1 to evaluate physical properties as shown in Table 2 below. The substrate used was PD200 glass, and the exposure mask width line was 90 μm.

이때, 하부의 블랙 매트릭스 건조는 100℃ 에서 10분간 수행하였으며, 버스전극의 건조는 105℃ 에서 10분간 수행하였다. 현상속도는 800mm/min, 소성은 Box로 580℃에서 10분간(승온 30℃/분) 소성하였다.At this time, the black matrix was dried at 100 ° C. for 10 minutes, and the bus electrode was dried at 105 ° C. for 10 minutes. The development speed was 800 mm / min, and the firing was carried out at 580 ° C. for 10 minutes (at 30 ° C./min in temperature).

특성 평가Property evaluation 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 노광량 mJ/20.0mWExposure amount mJ / 20.0mW 100100 100100 100100 100100 100100 100100 해상도(㎛)Resolution (μm) 30.0030.00 30.0030.00 30.0030.00 미현상Not present 패턴 탈락Pattern dropout 30.0030.00 현상 후 두께(㎛)Thickness after development (㎛) 12.8312.83 12.9912.99 13.0013.00 13.7013.70 12.5012.50 12.4712.47 형상 후 선폭(㎛)Line width after shape (㎛) 112.11112.11 113.04113.04 114.26114.26 117.19117.19 109.97109.97 111.47111.47 현상 후 undercut(㎛)Undercut (μm) after development 18.7218.72 19.4419.44 20.5220.52 10.2110.21 24.0924.09 20.4420.44 현상 후 잔사 특성Residue after development ×× ×× 소성 후 패턴 선폭Pattern line width after firing 90.5090.50 89.3289.32 89.8489.84 99.2299.22 81.3381.33 82.2382.23 소성 후 패턴 두께Pattern thickness after firing 4.494.49 4.584.58 4.694.69 4.324.32 4.984.98 5.275.27 소성 수축량(㎛)Plastic shrinkage amount (㎛) 21.6121.61 23.7223.72 24.4224.42 17.9717.97 28.6428.64 29.2429.24 E/curlE / curl 0.890.89 1.021.02 1.761.76 0.000.00 3.213.21 5.475.47 라인 저항(Ω/5㎝)Line resistance (Ω / 5㎝) 3.713.71 3.893.89 3.813.81 4.104.10 3.793.79 3.603.60 비저항Resistivity 3.023.02 3.183.18 3.213.21 3.513.51 3.073.07 3.123.12

실시예 1 내지 3, 비교예 1 내지 3은 동일한 노광량으로 노광하고, 산수 용액에 15분씩 동일하게 에칭을 하였다.Examples 1-3 and Comparative Examples 1-3 were exposed by the same exposure amount, and it etched in the arithmetic solution for 15 minutes similarly.

먼저 비교예 3은 올리고머가 포함되지 않은 경우를 나타낸다. 비교예 3의 결과를 표 2에서 보면, 현상 후 잔사가 발생하여 잔사 특성이 좋지 않은 것을 알 수 있으며, 비교예 1의 경우는 산가가 0 mgKOH/g인 올리고머를 포함한 경우로 현상이 되지 않아, 역시 잔사 특성이 좋지 않은 것을 알 수 있다.First, Comparative Example 3 shows a case where an oligomer is not included. When the results of Comparative Example 3 are shown in Table 2, it can be seen that after the development, residues occur and the residue characteristics are not good. In Comparative Example 1, the acid value does not develop as it contains an oligomer having 0 mgKOH / g, Again, the residue characteristics are not good.

이에 비해, 실시예 1 내지 3은 산가가 30 내지 100 mgKOH/g 인 올리고머를 포함한 경우로 잔사 특성이 좋은 것을 알 수 있다.On the other hand, Examples 1 to 3 include good oligomers having an acid value of 30 to 100 mgKOH / g.

한편 비교예 2를 보면, 잔사가 발생하지 않아 현상 후 잔사 특성이 좋으나, 포함된 올리고머의 산가가 상술한 바람직한 범위를 초과한 140 mgKOH/g인 경우로, 패턴이 탈락 한 경우이다. 즉, 비교예 2의 경우는 포함된 올리고머의 산가가 100 mgKOH/g를 초과하는 경우로 현상시에 피막의 밀착성이 떨어지거나, 광경화부의 용해가 발생한 경우이다.On the other hand, when looking at Comparative Example 2, the residue does not occur, the residue properties after development is good, but the acid value of the oligomer included is 140 mgKOH / g exceeded the above-mentioned preferred range, it is a case that the pattern is dropped. That is, the comparative example 2 is a case where the acid value of the oligomer contained exceeds 100 mgKOH / g, and adhesiveness of a film falls at the time of image development, or the photocurable part melt | dissolved.

또한, 실시예 1 내지 3은 형성된 전극의 에지컬이 0.89 내지 1.76㎛로, 비교예 3의 에지컬 5.47㎛에 비해, 67.8% 내지 84.6% 줄어든 것을 알 수 있다.In addition, it can be seen that in Examples 1 to 3, the edge curl of the formed electrode was 0.89 to 1.76 μm, which is 67.8% to 84.6% less than the edge curl of 5.47 μm of Comparative Example 3.

따라서, 본 발명에 따른 감광성 전극 페이스트는 산가가 30 내지 100 mgKOH/g인 올리고머를 더 포함함으로써, 전극이 충분한 광경화성을 유지하면서 현상시 잔사의 발생을 방지할 수 있다. 뿐만 아니라, 형성되는 전극의 에지컬의 현상을 감소시켜, 글래스 기판 전극과 유전체막이 만나는 곳에서의 기포 발생을 방지하고 최종 패널이 완성된 후 인가되는 전압에 의해 절연 파괴가 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.Therefore, the photosensitive electrode paste according to the present invention further includes an oligomer having an acid value of 30 to 100 mgKOH / g, thereby preventing the occurrence of residue during development while the electrode maintains sufficient photocurability. In addition, by reducing the phenomenon of the edge curl of the electrode to be formed, it is possible to prevent the generation of bubbles at the intersection of the glass substrate electrode and the dielectric film and to prevent the occurrence of dielectric breakdown by the voltage applied after the final panel is completed. It has an effect.

도 2는 본 발명에 따른 흑색 페이스트로 형성되는 블랙매트릭스를 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.2 is a diagram illustrating a structure of a PDP including a black matrix formed of a black paste according to the present invention.

도면을 참조하면, 플라즈마 디스플레이 패널(200)은 상부기판(210) 상에 형성되는 유지 전극 쌍인 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212), 하부기판(220) 상에 형성되는 어드레스 전극(222)을 포함한다.Referring to the drawings, the plasma display panel 200 includes a scan electrode 211, a sustain electrode 212 and a sustain electrode 212, which are formed on the upper substrate 210, and an address electrode 222 formed on the lower substrate 220. It includes.

상기 유지 전극 쌍(211, 212)은 통상 인듐틴옥사이드(Indium-Tin-Oxide;ITO)로 형성된 투명전극(211a, 212a)과 버스 전극(211b, 212b)을 포함하며, 상기 버스 전극(211b, 212b)은 은(Ag), 크롬(Cr) 등의 금속 또는 크롬/구리/크롬(Cr/Cu/Cr)의 적층형이나 크롬/알루미늄/크롬(Cr/Al/Cr)의 적층형으로 형성될 수 있다. The sustain electrode pairs 211 and 212 generally include transparent electrodes 211a and 212a and bus electrodes 211b and 212b formed of indium tin oxide (ITO), and the bus electrodes 211b, 212b) may be formed of a metal such as silver (Ag) or chromium (Cr) or a stack of chromium / copper / chromium (Cr / Cu / Cr) or a stack of chromium / aluminum / chromium (Cr / Al / Cr). .

버스 전극(211b, 212b)은 투명전극(211a, 212a) 상에 형성되어, 저항이 높은 투명전극(211a, 212a)에 의한 전압 강하를 줄이는 역할을 한다.The bus electrodes 211b and 212b are formed on the transparent electrodes 211a and 212a to reduce the voltage drop caused by the high resistance transparent electrodes 211a and 212a.

한편, 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212)의 투명전극(211a, 212a)과 버스전극(211b, 211c)의 사이에는 상부 기판(210)의 외부에서 발생하는 외부광을 흡수하여 반사를 줄여주는 광차단의 기능과 상부 기판(210)의 퓨리티(Purity) 및 콘트라스트를 향상시키는 기능을 하는 블랙 매트릭스(Black Matrix, BM, 215)가 배열된다.Meanwhile, between the transparent electrodes 211a and 212a of the scan electrode 211 and the sustain electrode 212 and the bus electrodes 211b and 211c, external light generated from the outside of the upper substrate 210 is absorbed to reduce reflection. The black matrix (BM, 215) is arranged to serve as a light blocking function and to improve the purity and contrast of the upper substrate 210.

블랙 매트릭스(215)는 상부 기판(210)에 형성되는데, 격벽(221)과 중첩되는 위치에 형성되는 제1 블랙 매트릭스(215)와, 투명전극(211a, 212a)과 버스전극(211b, 212b)사이에 형성되는 제2 블랙 매트릭스(211c, 212c)로 구성될 수 있다. The black matrix 215 is formed on the upper substrate 210, the first black matrix 215 formed at a position overlapping the partition wall 221, the transparent electrodes 211a and 212a and the bus electrodes 211b and 212b. Second black matrices 211c and 212c formed therebetween may be formed.

한편, 버스 전극(211b, 211c)은 유기 바인더 3 내지 9 wt%, 광 중합성 모노머 3.5 내지 6.5 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 은 분말 50 내지 70 wt%, 용매 8 내지 11 wt% 및 올리고머 4 내지 10 wt%를 포함한 감광성 전극 페이스트로 형성될 수 있다. 특히, 산가가 30 내지 100 mgKOH/g인 올리고머를 포함하는 것이 바람직하다. 카르복실기를 갖는 올리고머는 흑색 페이스트로 침투될 수 있고, 이는 현상액에 의해 흑색 페이스트의 미노광부를 효과적으로 세척할 수 있도록 도움을 주게 된다. 이에 의해 제2 매트릭스(211c,212c) 현상시 잔사의 발생을 방지할 수 있다.Meanwhile, the bus electrodes 211b and 211c have 3 to 9 wt% of an organic binder, 3.5 to 6.5 wt% of a photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 50 to 70 wt% of silver powder, and 8 to 11 wt% of a solvent. And a photosensitive electrode paste including 4 to 10 wt% of an oligomer. In particular, it is preferable to include the oligomer whose acid value is 30-100 mgKOH / g. The oligomer having a carboxyl group can penetrate into the black paste, which helps to effectively wash the unexposed portions of the black paste by the developer. As a result, it is possible to prevent the occurrence of residues when developing the second matrices 211c and 212c.

뿐만 아니라 형성되는 전극의 에지컬의 현상을 감소시켜, 글래스 기판 전극과 유전체막이 만나는 곳에서의 기포 발생을 방지하고 최종 패널이 완성된 후 인가되는 전압에 의해 절연 파괴가 발생되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다. In addition, by reducing the phenomenon of the edge curl of the electrode to be formed, it is possible to prevent the occurrence of bubbles at the intersection of the glass substrate electrode and the dielectric film and to prevent the occurrence of dielectric breakdown by the voltage applied after the final panel is completed It works.

한편, 제 1 블랙 매트릭스(215)와 블랙층 또는 블랙 전극층이라고도 하는 제 2 블랙 매트릭스(211c, 212c)는 형성 과정에서 동시에 형성되어 물리적으로 연결될 수 있고, 동시에 형성되지 않아 물리적으로 연결되지 않을 수도 있다. Meanwhile, the first black matrix 215 and the second black matrices 211c and 212c, which are also called black layers or black electrode layers, may be simultaneously formed and physically connected in the formation process, or may not be simultaneously formed and thus not physically connected. .

또한, 물리적으로 연결되어 형성되는 경우, 제 1 블랙 매트릭스(215)와 제 2 블랙 매트릭스(211c, 212c)는 동일한 재질로 형성되지만, 물리적으로 분리되어 형성되는 경우에는 다른 재질로 형성될 수 있다.In addition, when physically connected and formed, the first black matrix 215 and the second black matrix 211c and 212c may be formed of the same material, but may be formed of different materials when they are formed separately.

보호막(214)은 가스 방전시 발생된 하전입자들의 스피터링으로부터 상부 유전체층(213)을 보호하고, 2차 전자의 방출 효율을 높이게 된다.The passivation layer 214 protects the upper dielectric layer 213 from sputtering of charged particles generated during gas discharge, and increases emission efficiency of secondary electrons.

어드레스 전극(222)은 스캔 전극(211) 및 서스테인 전극(212)과 교차되는 방향으로 형성된다. The address electrode 222 is formed in a direction crossing the scan electrode 211 and the sustain electrode 212.

어드레스 전극(222)이 형성된 하부기판(220) 상에는 하부 유전체층(224)과 격벽(221)이 형성된다.The lower dielectric layer 224 and the partition wall 221 are formed on the lower substrate 220 on which the address electrode 222 is formed.

하부 유전체층(224)은 어드레스 전극(222) 보호와 전기적으로는 콘덴서 역학을 하며, 방전광이 배면기판쪽으로 투과되는 것을 막기 위하여 백색으로 형성하고 있다.The lower dielectric layer 224 is electrically condensed to protect the address electrode 222 and is formed in white to prevent the discharge light from being transmitted to the rear substrate.

하부 유전체층(224)의 형성방법은 스크린 인쇄법이 주류를 이루고 있으나, green sheet laminate법, slot coater법, roll coater법 등 각종 coater에 의한 형성방법에 의해 형성할 수 있다.The method of forming the lower dielectric layer 224 is mainly used for screen printing, but may be formed by various coaters such as a green sheet laminate method, a slot coater method, and a roll coater method.

또한, 하부 유전체층(224)과 격벽(221)의 표면에는 형광체층(223)이 형성된다. 격벽(221)은 세로 격벽(221a)와 가로 격벽(221b)가 폐쇄형으로 형성되고, 방전셀을 물리적으로 구분하며, 방전에 의해 생성된 자외선과 가시광이 인접한 방전셀에 누설되는 것을 방지한다.In addition, the phosphor layer 223 is formed on the surfaces of the lower dielectric layer 224 and the partition wall 221. The partition wall 221 has a vertical partition wall 221a and a horizontal partition wall 221b formed in a closed shape, and physically distinguishes the discharge cells, and prevents ultraviolet rays and visible light generated by the discharge from leaking to the adjacent discharge cells.

이상 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어 져서는 안 될 것이다.While the preferred embodiments of the present invention have been shown and described, the present invention is not limited to the specific embodiments described above, and the present invention is not limited to the specific embodiments of the present invention, without departing from the spirit of the invention as claimed in the claims. Various modifications can be made by those skilled in the art, and these modifications should not be individually understood from the technical spirit or the prospect of the present invention.

도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 제조공정을 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating an electrode manufacturing process of a plasma display panel.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 감광성 전극 페이스트로 형성된 전극을 포함하는 PDP의 구조를 도시한 도이다.2 is a diagram illustrating a structure of a PDP including an electrode formed of a photosensitive electrode paste according to an embodiment of the present invention.

Claims (10)

플라즈마 디스플레이 패널의 블랙 매트릭스를 형성하기 위한 흑색 페이스트 상에 도포되고, Applied onto the black paste for forming the black matrix of the plasma display panel, 유기 바인더 3 내지 9 wt%, 광 중합성 모노머 3.5 내지 6.5 wt%, 유리 프릿 2 내지 10 wt%, 은 분말 50 내지 70 wt%, 용매 8 내지 11 wt% 및 카르복실기를 가지는 올리고머 4 내지 10 wt%를 포함하며, 상기 올리고머의 산가는 30 내지 100 mgKOH/g인 감광성 전극 페이스트.3 to 9 wt% of organic binder, 3.5 to 6.5 wt% of photopolymerizable monomer, 2 to 10 wt% of glass frit, 50 to 70 wt% of silver powder, 8 to 11 wt% of solvent and 4 to 10 wt% of oligomer having carboxyl group To include, The acid value of the oligomer is 30 to 100 mgKOH / g Photosensitive electrode paste. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 바인더는 카르복실기를 포함하는 감광성 전극 페이스트.The organic binder is a photosensitive electrode paste containing a carboxyl group. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 용매는 a-터피놀(a-Terpinol), 부틸 카비톨 아세테이트(buty cabitol acetate), 텍사놀(Texonol), 부틸 카비톨(butly cabitol) 및 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(Di(propylene glycol) monomethyl ether) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 감광성 전극 페이스트.The solvent is a-terpinol, buty cabitol acetate, texanol, buty cabitol and dipropylene glycol monomethyl ether (Di (propylene glycol) monomethyl) A photosensitive electrode paste containing at least one of ether). 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 광 중합성 모노머는 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 디에틸렌글리콜디아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 폴리우레탄디아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리 아크릴레이트, 펜타에리스리틀트리아크릴레이트, 펜타에리스리틀테트라아크릴레이트, 트리메틸올프로판에틸렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 트리 메틸올프로판프로필렌옥사이드 변성 트리아크릴레이트, 디펜타에리스리틀펜타아크릴레이트, 디펜타에리스리틀헥사아크릴레이트 및 상기 아크릴레이트에 대응하는 각 메타크릴레이트류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 감광성 전극 페이스트.The photopolymerizable monomer is 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, diethylene glycol diacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, polyurethane diacrylate, trimethylol Propane triacrylate, pentaerythrite triacrylate, pentaerythrite tetraacrylate, trimethylolpropane ethylene oxide modified triacrylate, trimethylolpropanepropylene oxide modified triacrylate, dipentaery little pentaacrylate, dipenta The photosensitive electrode paste containing at least one of an erythrile hexaacrylate and each methacrylate corresponding to the said acrylate. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 유리 프릿의 평균 입도(D50)가 0.5 내지 2 ㎛인 감광성 전극 페이스트.The photosensitive electrode paste of which the average particle size (D50) of the glass frit is 0.5 to 2 μm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유리 프릿의 유리 전이온도(Tg)는 350 내지 550℃ 인 감광성 전극 페이스트.The glass transition temperature (Tg) of the glass frit is 350 to 550 ℃ photosensitive electrode paste. 제1항에 있어서, The method of claim 1, 광중합 개시제, 레벨링제, 소포제 및 커플링제 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 감광성 전극 페이스트.The photosensitive electrode paste which further contains at least any one of a photoinitiator, a leveling agent, an antifoamer, and a coupling agent. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 광중합 개시제는 벤조인알킬에테르류, 아세토페논류, 아미노아세토페논류, 안트라퀴논류, 티오크산톤류, 벤조페논류, 크산톤류, 포스핀옥시드류 및 퍼옥 시드류 중 적어도 어느 하나를 포함하는 감광성 전극 페이스트.The photopolymerization initiator includes at least one of benzoin alkyl ethers, acetophenones, aminoacetophenones, anthraquinones, thioxanthones, benzophenones, xanthones, phosphine oxides and peroxides. Photosensitive electrode paste. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 감광성 전극 페이스트의 소성물로 형성된 전극.An electrode formed of a fired product of the photosensitive electrode paste of any one of claims 1 to 8. 제9항의 전극을 포함하는 플라즈마 디스플레이 장치.A plasma display device comprising the electrode of claim 9.
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KR101351580B1 (en) * 2007-09-19 2014-01-15 삼성전자주식회사 Electronic device

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101351580B1 (en) * 2007-09-19 2014-01-15 삼성전자주식회사 Electronic device
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