KR100994967B1 - Method for adhesion lead lock tape for fixing leads - Google Patents

Method for adhesion lead lock tape for fixing leads Download PDF

Info

Publication number
KR100994967B1
KR100994967B1 KR1020080076366A KR20080076366A KR100994967B1 KR 100994967 B1 KR100994967 B1 KR 100994967B1 KR 1020080076366 A KR1020080076366 A KR 1020080076366A KR 20080076366 A KR20080076366 A KR 20080076366A KR 100994967 B1 KR100994967 B1 KR 100994967B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead
lead frame
lock tape
plasma treatment
present
Prior art date
Application number
KR1020080076366A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100016755A (en
Inventor
이성원
이혁수
김지윤
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020080076366A priority Critical patent/KR100994967B1/en
Publication of KR20100016755A publication Critical patent/KR20100016755A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100994967B1 publication Critical patent/KR100994967B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements

Abstract

본 발명은 리드 락 테이프의 부착방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 본 발명은 리드 프레임의 리드의 상면에 리드 락 테이프를 접착하고, 각각의 리드 간 영역에 존재하는 접착물질을 상압 저온의 플라즈마 처리로 제거하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a method of attaching a lead lock tape, specifically, the present invention is to adhere the lead lock tape to the upper surface of the lead of the lead frame, the adhesive material present in each inter-lead region by the atmospheric pressure low temperature plasma treatment It is characterized by removing.

본 발명에 따르면, 리드 프레임의 각 리드 간에 존재하는 접착물질을 플라즈마 처리로 제거함으로써, 접착층을 매개로 하는 산화 및 환원 현상을 방지하는 동시에 리드 간의 전기적인 쇼트를 방지함과 아울러, 플라즈마 처리를 통하여 리드 락 테이프의 접착층을 제거와 리드 프레임의 전면에 있는 오염원을 제거함으로써, 와이어 본더빌러티(wire bondability)를 향상시키는 효과가 있다.According to the present invention, by removing the adhesive material present between each lead of the lead frame by plasma treatment, while preventing oxidation and reduction through the adhesive layer and at the same time prevent electrical short between the leads, and also through the plasma treatment By removing the adhesive layer of the lead lock tape and removing the contamination source on the front surface of the lead frame, there is an effect of improving wire bondability.

리드 프레임, 리드 락 테이프, 이온 마이그레이션, 플라즈마 Lead Frame, Lead Rock Tape, Ion Migration, Plasma

Description

리드 락 테이프의 부착방법{Method for adhesion lead lock tape for fixing leads}Method for adhesion lead lock tape for fixing leads

본 발명은 리드 고정용 리드 락 테이프의 부착방법에 관한 것으로서, 리드 프레임에 부착시키는 리드 락 테이프의 부착방법을 개선하여, 리드 락 테이프의 접착성분에 의한 각 리드 간의 쇼트현상을 방지할 수 있도록 하는 리드 락 테이프의 부착방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of attaching a lead lock tape for fixing a lead, and to improve a method of attaching a lead lock tape to be attached to a lead frame, to prevent shorting between leads due to an adhesive component of the lead lock tape. A method for attaching lead lock tapes.

일반적으로 반도체 패키지는 반도체 칩 자체만으로는 외부로부터 전기를 공급 받아 전기 신호를 전달해 주거나 전달받을 수 없기 때문에, 반도체 칩이 각종 전기적인 신호를 외부와 주고받기 위하여 칩을 패키징하는 것이 필요하다. 최근에는 칩의 크기 축소, 열 방출 능력 및 전기적 수행능력 향상, 신뢰성 향상, 제조비용 등을 고려하여, 리드 프레임, 인쇄회로기판, 회로필름 등의 각종 부재를 이용하여 다양한 구조로 제조되고 있다. 그리고 반도체 칩의 고집적화 추세에 따라서 반도체 칩과 외부회로기판 사이의 전기적인 연결선(Lead)인 입, 출력 단자의 수를 증가시킬 필요가 있다. 이를 위하여, 서로 별도로 칩과 외부회로를 연결하는 2열 이상의 배열을 가지는 리드들을 구비한 다열(multi-row) 리드 프레임의 반도체 패키 지가 주목받고 있다. 그리고 리드 프레임은 반도체 칩과 함께 반도체 패키지를 구성하는 것으로서, 반도체 칩을 지지하는 동시에 상기 반도체 칩과 외부회로를 전기적으로 연결해 주는 기능을 한다.In general, since a semiconductor package cannot receive or transmit electric signals by receiving electricity from the outside by the semiconductor chip itself, it is necessary for the semiconductor chip to package the chip in order to exchange various electrical signals with the outside. Recently, in consideration of chip size reduction, heat dissipation ability and electrical performance improvement, reliability improvement, manufacturing cost, and the like, various structures, such as lead frames, printed circuit boards, and circuit films, have been manufactured. In addition, according to the trend of higher integration of semiconductor chips, it is necessary to increase the number of input and output terminals, which are electrical leads between the semiconductor chip and the external circuit board. For this purpose, a semiconductor package of a multi-row lead frame having leads having two or more arrays for connecting a chip and an external circuit to each other has been attracting attention. The lead frame constitutes a semiconductor package together with a semiconductor chip, and supports a semiconductor chip and electrically connects the semiconductor chip and an external circuit.

도 1에서 (a)는 종래 리드 프레임의 구성을 보인 개념도이다.1 (a) is a conceptual diagram showing the configuration of a conventional lead frame.

도 1에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(10)은 다이패드(11) 및 리드(13)를 구비한다. 다이패드(11)는 타이 바(12)에 의해 사이드 레일(17)에 연결되고 반도체 칩을 지지하는 기능을 가진다. 또한, 리드(13)는 내부 리드(inner lead)(14) 및 외부 리드(outer lead)(15)를 구비하며, 내부 리드(14)와 외부 리드(15) 사이에는 각 리드의 간격을 유지하고 지지하는 댐바(16)가 형성되어 있고, 연결선(19)에 의해 다이패드(11)에 연결된다. 반도체 패키지의 조립이 완료되면 사이드 레일(17) 및 댐바(16)는 제거된다. 이와 같은 리드 프레임은 통상 스탬핑(stamping) 또는 에칭(etching)에 의하여 제조된다. 이러한 리드 프레임을 고정하기 위해서는 리드 락 테이프(18)가 사용된다.As shown in FIG. 1, the lead frame 10 includes a die pad 11 and a lead 13. The die pad 11 is connected to the side rail 17 by a tie bar 12 and has a function of supporting a semiconductor chip. In addition, the lead 13 has an inner lead 14 and an outer lead 15, and maintains a spacing of each lead between the inner lead 14 and the outer lead 15. A supporting dam bar 16 is formed and connected to the die pad 11 by a connecting line 19. When the assembly of the semiconductor package is completed, the side rail 17 and the dam bar 16 are removed. Such lead frames are typically manufactured by stamping or etching. In order to fix such a lead frame, the lead lock tape 18 is used.

상기 리드 락 테이프(18)는 반도체의 패키징 공정에서 공정간의 핸들링시 각 리드의 흔들림 현상과 더불어 인접한 리드끼리 서로 접촉하는 현상을 방지하기 위하여 각 리드를 연결 부착하여 고정하는 수단으로서, 일반적으로 그 구성은 상부 층은 접착력이 없는 폴리이미드(Polyimide)재질로 되어 있으며, 하부 층은 접착력을 갖는 에폭시수지와 러버의 혼합재질로 구성되어 있는 것이 일반적이다. 하부 층을 형성하는 접착력을 갖는 접착물질은 염소, 요오드, 브롬과 같은 할로겐족 원소가 포함되어 있다. 그러나 이러한 종래의 리드 락 테이프의 부착구조는 리드 간의 쇼트현상을 일으키는 문제가 있었다.The lead lock tape 18 is a means for connecting and fixing each lead in order to prevent the phenomenon of shaking each lead and the contact between adjacent leads when handling between processes in a semiconductor packaging process. The silver upper layer is made of a non-adhesive polyimide material, and the lower layer is generally made of a mixture of epoxy resin and rubber having adhesive strength. Adhesive materials having adhesion to form the underlying layer include halogenated elements such as chlorine, iodine and bromine. However, such a conventional attachment structure of lead lock tape has a problem of causing a short phenomenon between leads.

도 2를 참조하여 종래의 리드 락 테이프의 부착구조의 쇼트현상의 문제점을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the problem of the short phenomenon of the attachment structure of the conventional lead lock tape with reference to Figure 2 as follows.

기본적으로 도시된 도면에서 리드 락 테이프(18)의 상부면(18a)은 접착력이 업는 부분이며, 리드 락 테이프(18)의 하부면(18b)은 접착성분이 포함되어 접착력을 갖게 된다. 이 하부 면(18b)의 전체 리드(13)의 상부 면에 밀착하게 된다.In the illustrated drawing, the upper surface 18a of the lead lock tape 18 is a portion where the adhesive force is increased, and the lower surface 18b of the lead lock tape 18 includes an adhesive component to have an adhesive force. It comes in close contact with the upper surface of the entire lid 13 of the lower surface 18b.

전체 리드는 파워용 및 신호교환용 리드(+리드), 그라운드 리드(- 리드)로 분류될 수 있으며, 상기 리드 락 테이프의 하부 층을 매개로 하여 파워용 및 신호교환용 리드에는 산화가 일어나는 동시에, 그라운드 리드에는 환원이 일어나 결국 각 리드 간에 전기적인 쇼트현상이 일어나게 된다.The entire lead can be classified into power and signal exchange lead (+ lead) and ground lead (-lead), and the power and signal exchange leads are oxidized at the same time through the lower layer of the lead lock tape. In this case, the reduction of the ground leads causes electrical short between each lead.

구체적으로, 도 2b를 참조하면, (+)리드(13a)의 상부 면이 리드 락 테이프의 하부 면(18b)과 접촉하는 경우, 상기 하부 면(18b)에 포함되어 있는 불순물(염소, 요오드, 브롬 등)이 공기 중의 산소와 결합하여 산화제역할을 하여, (+)리드의 상면에서 산화가 일어나게 되고, 수산화구리(Cu(OH)2)가 생성되고, 이 수산화구리로부터 나온 구리 이온(Cu2 +)이 상기 리드 락 테이프의 하부 층(18b)의 접착물질을 매개로 하여 인접하는 (-)리드(13b)로 환원되는 현상이 발생하게 된다. 이러한 환원 현상에 의해 이온의 마이그레이션 현상이 발생하게 되고, 이로 인해 (-)리드의 상면에 구리가 덴드라이트 구조를 성장하여 상기 (+)리드와 접촉하게 되면 쇼트현상이 발생하게 되는 것이다. 도 2c는 Cu이온의 성장으로 각 리드 간에 쇼트가 일어나는 현상을 보여주는 사진이다. Specifically, referring to FIG. 2B, when the upper surface of the (+) lead 13a contacts the lower surface 18b of the lead lock tape, impurities (chlorine, iodine, Bromine, etc.) combines with oxygen in the air to act as an oxidant, causing oxidation on the upper surface of the (+) lead, producing copper hydroxide (Cu (OH) 2 ), and copper ions (Cu 2) from the copper hydroxide. + ) Is reduced to the adjacent (-) lead 13b through the adhesive material of the lower layer 18b of the lead lock tape. Due to this reduction phenomenon, ion migration occurs. Therefore, when copper grows a dendrite structure on the upper surface of the (-) lead and contacts the (+) lead, a short phenomenon occurs. Figure 2c is a photograph showing the phenomenon that a short occurs between each lead by the growth of Cu ions.

도 3a에 도시된 바와 같이, 상술한 각 리드 간에 쇼트를 방지하고자 등록특허 제10-0651576호에서는, 각 리드(13)의 상부 면(13a)에 개별적으로 접착제(18b)를 바르고, 그 상부 면에 폴리이미드(18a)를 부착하여 각 리드 사이 면에 접착물질을 제거하여 쇼트를 방지하는 방법을 제공하고자하는 시도가 있었다.As shown in FIG. 3A, in order to prevent a short between the above-mentioned leads, in Patent No. 10-0651576, an adhesive 18b is applied to the upper face 13a of each lead 13 individually, and the upper face thereof. Attempts have been made to provide a method of attaching a polyimide (18a) to a surface to remove shortages of adhesive material on the surface between each lead to prevent shorts.

그러나 이러한 방법은 리드에 개별적으로 접착제를 붙이기 위해서는 매우 미세한 피치의 각각의 리드의 상부 면에 정확하게 접착제를 붙여야 하므로, 그 정밀도 면에서 매우 조악한 실정이며, 공정상으로도 매우 어려운 문제가 발생했다.However, in order to apply the adhesive to the leads individually, the adhesive must be precisely attached to the upper surface of each lead of a very fine pitch, and thus, it is very poor in precision and has a very difficult process.

반면, 상술한 방법과는 다르게 도 3b에 제시된 것처럼, 리드(13)에 일괄적으로 접착제(18b)를 바른 후, 폴리이미드를 그 위에 형성하고, 각 리드의 사이 부분을 에칭하여 쇼트를 방지하는 방법이 제시되었다. 그러나 이 방법 역시 일괄적으로 접착제(18b)를 바른 후에 에칭을 하여 쇼트를 방지하기 위해서는 리드, 리드 락 테이프(접착물질 + 폴리이미드)가 형성된 상태에서 에칭을 하여야 하는데, 이 경우, 접착제 자체에 언더 컷 현상이 발생하여 리드와 리드 락 테이프 간의 접착이 이루어지지 않아 접착의 효율성이 현저하게 저하되는 문제점이 발생하였다. On the other hand, unlike the above-described method, as shown in FIG. 3B, after applying the adhesive 18b to the leads 13 collectively, a polyimide is formed thereon, and a portion between each lead is etched to prevent a short. The method was presented. However, this method also needs to be etched with lead and lead lock tape (adhesive material + polyimide) formed in order to prevent short-circuit by etching after applying adhesive 18b collectively. In this case, underneath the adhesive itself Since a cut phenomenon occurs, adhesion between the lead and the lead lock tape is not performed, thereby causing a problem in that the efficiency of the adhesion is significantly reduced.

즉 도 3c에 (a)에 도시된 것처럼, 접착제(18b)부분이 상부로 갈수록 가늘어지게 되어, 종국에는 각 리드가 떨어져 나가는 치명적인 약점이 발생하게 된다. 또한, (b)에 도시된 것처럼, 접착제의 언더 컷 현상이 발생함과 동시에, 접착제의 에칭시에 리드 자체가 에칭액에 반응하여, 리드의 형상이 변형되는 문제로 인해 리드로서의 기능을 수행하기가 어려운 문제도 발생하였다.That is, as shown in (a) of FIG. 3C, the portion of the adhesive 18b becomes thinner toward the top, resulting in a fatal weakness in which each lead is separated. Further, as shown in (b), the undercut phenomenon of the adhesive occurs and at the same time, the lead itself reacts to the etchant during the etching of the adhesive, so that the shape of the lead is deformed to perform a function as a lead. Difficult problems also occurred.

본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 리드 프레임의 각 리드 간에 존재하는 접착물질을 플라즈마 처리로 제거함으로써, 접착층을 매개로 하는 산화 및 환원 현상을 방지하는 동시에 리드 간의 전기적인 쇼트를 방지함과 아울러, 플라즈마 처리를 통하여 리드 락 테이프의 접착층을 제거와 리드 프레임의 전면에 있는 오염원을 제거함으로써, 와이어 본더빌러티(wire bondability)를 향상시키는 데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-described problem, and an object of the present invention is to remove an adhesive material existing between each lead of a lead frame by plasma treatment, thereby preventing oxidation and reduction through the adhesive layer and at the same time lead. In addition to preventing the electrical short between the liver, and by removing the adhesive layer of the lead lock tape through the plasma treatment and the contamination source on the front of the lead frame to improve the wire bondability (wire bondability).

본 발명은 상술한 과제의 구현을 위하여, 리드 프레임의 리드의 상면에 리드 락 테이프를 접착하고, 각각의 리드 간 영역에 존재하는 접착물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법을 제공한다. 즉 각 리드 간에 발생하는 산화와 환원의 매개물질인 리드와 리드 사이에 있는 접착물질을 제거하여 리드 간 쇼트를 방지함과 아울러 리드 프레임 전면에 플라즈마 처리를 하여 오염물질을 제거함으로써, 와이어 본더빌러티(wire bondability)를 향상시킬 수 있도록 한다.The present invention provides a lead lock lead lock for a lead frame, comprising: adhering a lead lock tape to an upper surface of a lead of a lead frame, and removing an adhesive substance present in each inter lead region for realizing the above-described problem. Provides a tape attachment method. In other words, wire bondability is prevented by removing the adhesive between the leads and the leads, which are the mediators of oxidation and reduction between each lead, to prevent short circuit between the leads and by removing plasma from the lead frame. (wire bondability) can be improved.

또한, 본 발명은 상기 접착물질의 제거는 상기 리드 프레임의 전면영역에 대한 플라즈마 처리에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법을 제공할 수 있도록 한다. 이를 통해 각각의 리드 사이의 영역에 존재하는 접착물질을 제거하는 한편, 전체 리드 프레임 부분까지 전면 으로 플라즈마 처리를 하여 쇼트의 원인이 되는 접착물질의 제거뿐만 아니라, 리드 프레임에 잔존해 있는 유기물 또는 파티킬 등의 오염원을 제거하고, 조도를 증가시켜, wire bondability를 향상시킬 수 있도록 한다. The present invention also provides a method for attaching a lead lock tape for fixing a lead frame, characterized in that the removal of the adhesive material is performed by plasma treatment of the front region of the lead frame. This removes the adhesive material present in the area between each lead, and plasma treatments the entire lead frame to the entire surface to remove not only the adhesive material that causes the short, but also the organic matter or the party remaining in the lead frame. It removes pollutants such as kills and increases roughness to improve wire bondability.

또한, 본 발명은 상기 플라즈마 처리는 상압 저온 플라즈마 처리인 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법을 제공하여, 리드 락 테이프의 접착물질의 제거 있어서 다른 외부 구성부분에 영향을 주지 않고, 접착물질만을 효율적이고 용이하게 제거할 수 있도록 한다.In addition, the present invention provides a method of attaching a lead lock tape for fixing a lead frame to a lead frame, wherein the plasma treatment is an atmospheric pressure low temperature plasma treatment, so that other external components are not affected by the removal of the adhesive material of the lead lock tape. Instead, only the adhesive material can be removed efficiently and easily.

또한, 본 발명은 상기 플라즈마 처리는 산소(Oxygen)라디칼을 이용하여 상기 접착물질을 제거하는 것을 특징으로 하는 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법을 제공한다. 이를 통하여 전기적인 쇼트현상의 원인이 되는 접착층을 활성화된 oxygen 라디칼을 이용하여 CO2나 H2O로 변환시켜 제거할 수 있도록 한다.The present invention also provides a method for attaching a lead lock tape for fixing a lead, characterized in that the plasma treatment removes the adhesive material using oxygen (oxygen) radicals. Through this, the adhesive layer causing the electrical short phenomenon can be removed by converting it into CO 2 or H 2 O using activated oxygen radicals.

본 발명에 따르면, 리드 프레임의 각 리드 간에 존재하는 접착물질을 플라즈마 처리로 제거함으로써, 접착층을 매개로 하는 산화 및 환원 현상을 방지하는 동시에 리드 간의 전기적인 쇼트를 방지할 수 있는 효과가 있다.According to the present invention, by removing the adhesive material present between each lead of the lead frame by plasma treatment, there is an effect that can prevent the electrical short between the leads while preventing oxidation and reduction through the adhesive layer.

또한, 본 발명은 플라즈마 처리를 통하여 리드 락 테이프의 접착층을 제거함과 동시에 리드 프레임의 전면에 있는 오염원을 제거함으로써, 와이어 본더빌러티(wire bondability)를 향상시키는 효과도 있다.In addition, the present invention also has the effect of improving the wire bondability by removing the adhesive layer of the lead lock tape through plasma treatment and at the same time removing the contamination source on the front surface of the lead frame.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail the configuration and operation of the present invention.

본 발명의 요지는 리드 락 테이프에서 각 리드 사이에 존재하는 접착물질을 플라즈마처리로 제거하여, 각 리드 간 쇼트현상을 방지하며, 더불어 리드 프레임 전체 면에 존재하는 오염원을 동시에 제거하여 조도의 증가로 인한 와이어 본더빌러티(wire bondability)를 증가시키는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The gist of the present invention removes the adhesive material between the leads from the lead lock tape by plasma treatment to prevent shorting between each lead, and simultaneously removes the contaminants present on the entire surface of the lead frame, thereby increasing the roughness. Increasing wire bondability is caused.

도 4를 참조하면, 폴리이미드층(110a)과 접착 물질층(110b)으로 이루어진 리드 락 테이프를 리드 프레임의 상면에 부착한다. (S1, S2)Referring to FIG. 4, a lead lock tape made of a polyimide layer 110a and an adhesive material layer 110b is attached to an upper surface of the lead frame. (S1, S2)

다음에서는 각 리드와 리드 사이에 존재하는 접착물질이 존재하는 부분(t)을 플라즈마 처리를 통하여 제거될 수 있도록 한다.(S3) 이 경우 상기 플라즈마 처리는 기본적으로 상압 저온 플라즈마 처리를 이용함이 바람직하다. 상압 저온 플라즈마 처리는 상압 플라즈마의 발생을 대기압하에서 다양한 방법의 전기방전을 이용하되, 전자에너지의 세기가 이온 및 중성입자 등의 에너지보다 높게 유지되어 플라즈마가 비평형 상태가 되도록 하여 진행된다. 상기 플라즈마 처리를 위한 방전방식으로는 유전체 장벽방전, 코로나방전, 마이크로웨이브 장전, 아크 방전등의 기술이 이용될 수 있다.In the following, it is possible to remove the portion (t) in which the adhesive material existing between each lead is present through the plasma treatment. (S3) In this case, it is preferable that the plasma treatment basically uses an atmospheric pressure cold plasma treatment. . The atmospheric low-temperature plasma treatment uses various types of electrical discharges under atmospheric pressure to generate atmospheric pressure plasma, but the electron energy is maintained higher than the energy of ions, neutral particles, and the like, so that the plasma is in an unbalanced state. As the discharge method for the plasma treatment, techniques such as dielectric barrier discharge, corona discharge, microwave loading, and arc discharge may be used.

일례를 들면, 본 발명에 따른 플라즈마 처리는 상술한 온도와 압력조건에서 주로 oxygen-baseed plasma를 사용하여 이온 마이그레이션으로 인한 전기적인 쇼트 현상의 원인이 되는 접착물질 부분을 활성화된 oxygen 라디칼을 이용하여 CO2 나 H2O로 변환시켜 제거하는 공정을 사용할 수 있다.For example, in the plasma treatment according to the present invention, the oxygen-based plasma is mainly used under the above-described temperature and pressure conditions, and the portion of the adhesive material causing the electrical short phenomenon due to the ion migration is activated by using the oxygen radical. It can be used to convert to 2 or H 2 O to remove.

또한, 상술한 플라즈마 처리는 기본적으로 리드 락 테이프의 접착 부분뿐만 아니라 리드 프레임 전체 면을 플라즈마 처리함으로써, 쇼트의 원인이 되는 접착층의 제거뿐만 아니라, 리드 프레임에 잔존해 있는 오염물(ex)유기물, particle)까지 제거시키며, 이로 인해 조도를 증가시켜 와이어 본더빌러티(wire bondability)가 향상될 수 있도록 한다.In addition, the above-described plasma treatment basically treats not only the adhesive portion of the lead lock tape but also the entire surface of the lead frame, thereby not only removing the adhesive layer that causes short, but also contaminants (ex) organic matter and particles remaining in the lead frame. ), Which increases the roughness and improves wire bondability.

S3, S4 단계에서는 플라즈마 처리로 인해 상술한 리드 간의 접착물질층(t)부분이 제거되는 결과를 도시한 것이다.In the steps S3 and S4, the adhesive material layer t between the leads is removed by the plasma treatment.

본 발명에 따른 리드 락 테이프의 부착방법에 따르면, 리드 프레임의 각 리드를 리드 락 테이프로 접착연결시키는 경우라도, 각 리드의 사이에 존재하는 접착물질을 플라즈마 처리로 효율적으로 제거하여, 접착물질을 매개로 하는 산화 및 환원현상을 방지하는 동시에 리드 간의 전기적인 쇼트현상을 방지할 수 있다. 특히 이러한 전기적인 쇼트현상 방지와 동시에 리드 프레임 전면에 오염원을 동시에 제거하여 와이어 본더빌러티(wire bondability)가 향상될 수 있는 장점이 구현된다.According to the method of attaching the lead lock tape according to the present invention, even when each lead of the lead frame is adhesively connected with the lead lock tape, the adhesive material existing between the leads is efficiently removed by plasma treatment to remove the adhesive material. It is possible to prevent the oxidation and reduction as a medium, and to prevent the electrical short between the leads. In particular, the electrical short phenomenon can be prevented and at the same time, the contaminant on the front of the lead frame can be simultaneously removed to improve wire bondability.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 기술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의 해 정해져야 한다.In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the described embodiments of the present invention, but should be determined not only by the claims, but also by those equivalent to the claims.

도 1은 종래의 리드 프레임과 리드 락 테이프의 구성예를 나타낸 도면이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a figure which shows the structural example of the conventional lead frame and lead lock tape.

도 2a는 리드 락 테이프의 일반적인 구조를 도시한 것이다.2A shows the general structure of a lead lock tape.

도 2b 및 도 2c는 접착물질을 매개로 한 이온 마이그레이션에 의한 리드 간 쇼트현상을 나타낸 도면이다.2B and 2C are diagrams illustrating short phenomena between leads by ion migration through an adhesive material.

도 3a 내지 도 3c는 종래의 리드 락 테이프의 개선발명의 문제점을 도시한 도면이다.3A to 3C are diagrams showing problems of the improved invention of the conventional lead lock tape.

도 4는 본 발명에 따른 각각의 리드 간에 존재하는 접착물질의 제거 및 리드 프레임의 오염원의 제거를 구현하는 본 발명의 흐름도를 나타낸 것이다.Figure 4 shows a flow chart of the present invention for implementing the removal of the adhesive material present between each lead and the removal of contaminants in the lead frame according to the present invention.

Claims (5)

리드 프레임의 리드의 상면에 리드 락 테이프를 접착하는 단계;Adhering a lead lock tape to an upper surface of a lead of the lead frame; 상기 리드 프레임 전면 영역에 대한 플라즈마 처리를 하여 상기 리드프레임의 각각의 리드 간 영역에 존재하는 접착물질을 제거하는 단계;Performing a plasma treatment on the front region of the lead frame to remove the adhesive material present in each inter lead region of the lead frame; 를 포함하는 하는 리드 프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법.Lead lock tape attaching method for fixing the lead frame comprising a. 삭제delete 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 플라즈마 처리는 상압 저온 플라즈마 처리인 리드 프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법.The plasma treatment is a method for attaching a lead lock tape for fixing a lead frame to an atmospheric pressure low temperature plasma treatment. 청구항 3에 있어서,The method according to claim 3, 상기 플라즈마 처리는 산소(Oxygen) 라디칼을 이용하여 상기 접착물질을 제거하는 리드프레임의 리드 고정용 리드 락 테이프 부착방법.The plasma treatment is a lead lock tape attaching method for a lead frame of the lead frame to remove the adhesive material using oxygen (Oxygen) radicals. 삭제delete
KR1020080076366A 2008-08-05 2008-08-05 Method for adhesion lead lock tape for fixing leads KR100994967B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080076366A KR100994967B1 (en) 2008-08-05 2008-08-05 Method for adhesion lead lock tape for fixing leads

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080076366A KR100994967B1 (en) 2008-08-05 2008-08-05 Method for adhesion lead lock tape for fixing leads

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100016755A KR20100016755A (en) 2010-02-16
KR100994967B1 true KR100994967B1 (en) 2010-11-18

Family

ID=42088585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080076366A KR100994967B1 (en) 2008-08-05 2008-08-05 Method for adhesion lead lock tape for fixing leads

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100994967B1 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100016755A (en) 2010-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8017442B2 (en) Method of fabricating a package structure
US20130083492A1 (en) Power module package and method of manufacturing the same
CN100418202C (en) Method for manufacturing circuit device
KR100994967B1 (en) Method for adhesion lead lock tape for fixing leads
TW201731037A (en) Semiconductor package and its manufacturing method
CN113571434B (en) Novel panel-level packaging method and structure
JP2010287844A (en) Power module
JP3617929B2 (en) Semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof
JP2000124363A (en) Semiconductor package
JPH06112363A (en) Semiconductor package
KR100651576B1 (en) Method for adhesion lead lock tape for fixing leads
CN113257766A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPH09116045A (en) Resin-sealed semiconductor device of bga type using lead frame and its manufacture
CN215527728U (en) Anti-static packaging structure
CN220569634U (en) High heat conduction embedded structure
JP2000082760A (en) Semiconductor device
EP4293715A1 (en) A method for manufacturing a semiconductor package assembly as well as such semiconductor package assembly
JP2000243870A (en) Semiconductor device
CN117594556A (en) System-in-package method and structure for power device
JP2006294825A (en) Semiconductor integrated circuit device
KR101148100B1 (en) Manufacture method for multi-row lead frame and semiconductor package
JP2003303863A (en) Wiring board and its manufacturing method, and manufacturing method of semiconductor device using wiring board
KR101250379B1 (en) Structure and manufacture method for multi-row lead frame of semiconductor package
JP2001267478A (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP3563846B2 (en) Method of manufacturing lead frame member for BGA type resin-sealed semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131007

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee