KR100993274B1 - 전파 인식 태그에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한평면형 안테나 - Google Patents

전파 인식 태그에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한평면형 안테나 Download PDF

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Abstract

전파 인식 태그에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한 평면형 안테나가 개시된다. 절연층은 소정의 유전율을 갖는 유전체로 이루어지고 안테나의 형태를 결정한다. 상부급전패치는 절연층 상에 형성되고, 하부급전패치는 상부급전패치로부터 절연층의 내부 방향으로 소정의 간극만큼 이격되어 형성되어 급전부로 동작한다. 방사부는 상부급전패치와 일부가 중첩되도록 절연층 상에 도전성으로 인쇄되어 형성된다. 스터브는 방사부 상의 적어도 한 지점으로부터 소정 길이만큼 일직선으로 뻗은 형상을 가지며, 방사부에 의해 형성되는 원의 중심을 향하거나 외부를 향하도록 배치된다. 스터브의 배치 방법에 따라 빔 방향 및 빔 틸트 패턴이 조절된다. 접지판은 절연층의 하부에 위치하며 접지면으로 동작한다. 본 발명에 따르면, 방사부에 스터브를 결합시킴으로써, 안테나의 빔 진행 방향을 조절할 수 있다. 또한 방사부에 연결된 스터브의 개수 및 배치를 다양하게 조절할 수 있게 함으로써, 안테나의 원형편파 성능과 빔 틸트(beam tilt) 성능을 개선시킬 수 있다. 나아가 방사부의 임피던스 정합을 위해 하부급전패치와 상부급전패치 사이의 전자기 결합 방식을 사용함으로써, 안테나의 동작 주파수 대역폭을 증가시킬 수 있다.
원형편파, 원형링, 스터브, 빔 틸트, 전자기 결합

Description

전파 인식 태그에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한 평면형 안테나{Planar antenna with controllable beam direction applicable to RFID tag}
본 발명은 전파 인식 태그에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한 평면형 안테나에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 특정한 주파수를 가지는 전파를 이용하여 정보를 송, 수신할 수 있는 장치에 관한 것이다.
전파 인식(radio frequency identification : RFID) 시스템이란 무선 주파수(radio frequency : RF)를 이용하여 대상을 식별할 수 있는 기술로서 마이크로 칩을 내장한 태그, 라벨, 카드 등에 저장된 데이터를 무선 주파수를 이용하여 리더기에서 자동 인식하는 '비접촉 또는 무선 주파수 인식 기술'을 사용하는 시스템을 말한다. RFID는 최근 무선 인식 기술의 중요성이 부각되면서 전자화폐, 물류관리, 보안시스템 및 SCM 등의 핵심 기술로 발전하여 현재 사용중인 바코드와 2차원 바코드의 기능을 대체할 것으로 전망된다.
RFID 시스템은 판독 및 해독 기능을 하는 리더기(RF reader)와 정보를 저장하고 프로토콜로 데이터를 교환하는 전파 인식 태그(RFID tag), 운용 소프트웨어 및 네트워크로 구성된다. RFID 태그는 반도체로 된 트랜스폰더 칩과 안테나로 구성 되며, 태그 안테나는 RF 필드(field)에 구성된 RFID 리더기의 안테나에서 생성되어 전파되는 무선 신호를 수신한다. RFID 태그의 칩은 에너지를 공급받아 사전에 프로그램된 데이터를 전송하고, 이러한 데이터의 전송은 태그 안테나에서 수신된 무선 신호의 일부가 변조되어 리더기로 반향됨으로써 이루어진다. 리더기는 수신된 신호를 변향하고 데이터 수집 장치와 서버로 전달한다.
RFID 태그 안테나는 유도전류를 이용하는 패시브 태그(passive tag)용 안테나와 자가 전원 방식인 액티브 태그(active tag)용 안테나로 구분된다. 128kHz와 13.56MHz의 주파수 대역을 가지는 전파에 대한 안테나는 설계상 안테나의 크기가 한정되어 있어 주로 유도 전류를 이용한 통신에 사용되고, 근접거리 송수신 시스템에 사용된다. 이 주파수 대역에서는 루프 안테나가 사용된다. 433MHz 대역에서는 다이폴(dipole), 인버티드 F 타입 액티브 태그(inverted F type active tag)가 사용된다. 또한 900MHz에서 태그 안테나는 라벨 태그 용도로 다이폴 타입 안테나, 그리고 특수 태그 용도로 인버티드 F 및 패치 타입 안테나가 사용되며, 10m 전후의 인식거리를 가진다. 2.4GHz 대역에서는 저주파(128kHz, 13.56MHz)와 900MHz 대역의 중간 정도의 인식 거리를 가지고, 태그 안테나로 다이폴 및 루프 안테나가 주로 사용된다.
이와 같이 RFID 태그 안테나는 박형 필름재료나 인쇄회로 기판 재료에 인쇄되어 소형으로 만들어지며, 리더기와 통신을 수행하여 데이터를 전송하고 상대를 인식하는 데 사용된다. 일반적으로 RFID 태그 안테나는 박형 필름이나 인쇄회로 기판 재료면의 수직 방향으로 빔패턴이 지향하는 특성을 갖는다. 따라서 자동차 유리 에 부착된 RFID 태그의 경우에 리더기가 자동차 진행 방향의 좌측 또는 우측에 설치된 경우에는 리더기와 태그 간에 빔의 지향 방향이 서로 달라 송·수신 효율이 저하된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 빔의 진행 방향을 조절하여 전파의 송, 수신 효율을 높이고 데이터 전송 오류를 줄이며, 동작 대역폭을 증가시킬 수 있는 평면형 안테나를 제공하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한, 본 발명에 따른 RFID 시스템에 적용 가능하고 빔 방향 조절이 가능한 평면형 안테나는, 사전에 설정된 유전율을 갖는 유전체로 이루어진 절연층; 상기 절연층 상에 형성되는 상부급전패치; 상기 상부급전패치로부터 상기 절연층의 내부 방향으로 사전에 설정된 간극만큼 이격되어 형성되는 하부급전패치; 상기 상부급전패치와 일부가 중첩되도록 상기 절연층 상에 형성되는 원형 링 형태의 방사부; 상기 방사부 상의 적어도 한 지점으로부터 사전에 설정된 길이만큼 일직선으로 뻗은 형상을 가지며, 상기 방사부에 의해 형성되는 원의 중심을 향하거나 외부를 향하도록 배치되는 스터브; 및 상기 절연층의 하부에 위치하는 접지판;을 구비한다.
본 발명에 따른 평면형 안테나에 의하면, 방사부에 스터브를 결합시킴으로써, 안테나의 빔 진행 방향을 조절할 수 있다. 또한 방사부에 연결된 스터브의 개수 및 배치를 다양하게 조절할 수 있게 함으로써, 안테나의 원형편파 성능과 빔 틸트(beam tilt) 성능을 개선시킬 수 있다. 나아가 방사부의 임피던스 정합을 위해 하부급전패치와 상부급전패치 사이의 전자기 결합 방식을 사용함으로써, 안테나의 동작 주파수 대역폭을 증가시킬 수 있다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 평면형 안테나의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 우선 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부여함에 있어서, 동일한 구성요소들에 있어서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 동일한 번호를 가지도록 한다. 또한 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 평면형 안테나의 평면도이고, 도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 평면형 안테나를 A-A' 선을 기준으로 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 평면형 안테나(100)는 절연층(110), 상부급전패치(120), 하부급전패치(130), 방사부(140), 스터브(150) 및 접지판(160)으로 구성된다.
절연층(110)은 전도성이 없는 유전체로 이루어지는 박형의 필름 또는 인쇄회로 기판이며, 평면형 안테나(100)의 형태를 결정한다. 이러한 절연층(110)을 구성하는 유전체는 손실을 줄이기 위해 상대 유전율 εr의 값이 1.5 이하인 저손실 유전체로 하는 것이 바람직하며, 공기중의 유전율이 1이므로 절연층(110)을 공기로 구성하는 것도 가능하다. 또한 절연층(110)의 두께는 평면형 안테나(100)의 공진 주 파수(즉, 설계 주파수)에 대응하는 파장의 0.1~0.12배가 되도록 하는 것이 바람직하다.
상부급전패치(120)는 절연층(110) 상에 형성되고, 하부급전패치(130)는 상부급전패치(120)로부터 절연층(110)의 내부 방향으로 사전에 설정된 간극만큼 이격되어 형성된다. 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130)는 서로 전자기 결합되어 방사부(140)를 급전하고, 방사부(140)의 임피던스를 50Ω으로 정합시키는 역할을 한다.
안테나의 급전 방법으로는 접촉 급전방식인 마이크로스트립 라인(microstrip line) 급전방식과 동축 프로브(coaxial probe) 급전방식, 그리고 비접촉 급전방식인 전자파 결합(proximity coupled) 급전방식과 개구 결합(aperture coupled) 급전방식이 있다. 이 중에서 전자파 결합 급전방식은 상대적으로 두꺼운 적층 구조로 대역폭을 개선시킬 수 있고, 급전부의 기판을 얇게 함으로써 급전부의 방사를 줄일 수 있는 장점을 가진다. 또한 입력단의 설계가 쉽고 구조가 간단하며 매칭이 쉬우므로 최근 가장 많이 사용되고 있는 구조이다. 따라서 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130)의 전자기 결합에 의한 급전 방식으로 평면형 안테나(100)의 공진 주파수 대역폭을 보다 광대역으로 넓힐 수 있다.
임피던스 정합은 어떤 하나의 출력단과 입력단을 연결할 때 서로 다른 두 연결단의 임피던스차에 의한 반사를 줄이기 위한 방법이다. 마이크로파의 전달에 있어서 전자파 에너지의 전력 전송(power transfer) 특성이 가장 좋은 임피던스는 33Ω이고, 신호 파형의 왜곡(distortion)이 가장 적은 임피던스는 75Ω 정도이므로 그 중간 정도인 50Ω을 임피던스 정합의 기준값으로 사용하게 되었다. 따라서 평면 형 안테나(100)의 신호 반사를 줄이기 위해 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130)는 방사부(140)의 임피던스를 50Ω으로 정합시킨다.
상부급전패치(120)와 하부급전패치(130) 사이의 간극은 다음의 수학식에 의해 결정된다.
Figure 112008040827238-pat00001
여기서, G는 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130) 사이의 간극, ε은 절연층(110)의 유전율, A는 상부급전패치(120)의 면적과 하부급전패치(130)의 면적 중 작은 값, 그리고 C는 방사부(140)의 입력 임피던스를 50Ω으로 정합시키는 캐패시턴스 값을 나타낸다.
이때 손실을 줄이고 전자기 결합의 효율성을 높이기 위해 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130)의 면적을 동일하게 조절할 수 있으며, 반경이 동일한 원형 패치를 사용할 경우, 수학식 1에서의 면적 A는 상부급전패치(120) 또는 하부급전패치(130)의 반경을 S라 할 때 πS2으로 계산된다. 공진 주파수가 5.8GHz가 되도록 하는 경우, 반경 S는 4.5mm의 고정된 값을 가지도록 설계할 수 있다.
방사부(140)는 상부급전패치(120)와 일부가 중첩되도록 원형 링 형태로 절연층(110) 상에 도전성으로 인쇄되어 형성된다. 방사부(140)의 반경과 폭은 평면형 안테나(100)의 공진 주파수에 따라 조절되며, 다음의 수학식에 의해 방사부(140)의 반경이 결정된다.
Figure 112008040827238-pat00002
여기서, R은 방사부(140)의 반경이고, λ는 평면형 안테나(100)의 공진 주파수에 대응하는 파장이다.
방사부(140)의 폭은 방사부(140)의 반경의 0.1~0.8배가 될 경우에 평면형 안테나(100)의 성능에 영향을 미치지 않는다.
스터브(150)는 방사부(140) 상의 적어도 한 지점으로부터 사전에 설정된 길이만큼 일직선으로 뻗은 형상을 가지며, 방사부(140)에 의해 형성되는 원의 중심을 향하거나 원의 중심으로부터 외부를 향하도록 배치된다. 또한 접지판(160)은 절연층(110)의 하부에 위치하며 하부급전패치(130)와 연결되어 방사부(140)에 급전시에 접지면으로 동작한다.
편파(polarization)는 안테나로부터 방사된 전자파의 진행 방향에 대한 전기장의 극성 방향을 의미하며, 직선 편파(linear polarization)와 원형 편파(circular polarization)의 두 가지가 있다. 이 중 원형 편파는 전자파의 진행 방향에 대해 직각인 단면 내에서 주기적으로 회전하는 편파로서, 타이밍 조절에 의해 한 주파수에서 두 개 이상의 채널을 송수신할 수 있고, 장애물 잡음 및 다중반사간섭에 강하며 편파손실이 적은 장점을 가진다.
스터브(150)는 이러한 원형 편파를 형성하기 위해 사용되며, 상부급전패치(120)와 하부급전패치(130)에 의해 인가된 신호는 방사부(140)의 스터브(150)에 의해 크기가 같고 수직, 수평으로 편향된 두 개의 모드를 여기시킨다. 평면형 안테나(100)의 공진 주파수에서 이러한 두 개의 모드의 위상차가 90°가 될 때 원형 편파가 형성된다. 따라서 평면형 안테나(100)에서 방출되는 신호가 원형 편파의 형태를 가지도록 하기 위해 스터브(150)의 길이는 공진 주파수에서 여기되는 두 개의 모드의 신호의 위상차가 90°가 되는 범위 내에서 정해진다.
또한 스터브(150)가 배치되는 위치에 따라 원형 편파의 종류가 결정된다. 스터브(150)가 방사부(140)에 오른쪽 대각선 방향으로 배치되면 파가 오른쪽으로 회전하면서 진행하는 우수 원형 편파(right-hand circularly polarized wave : RHCP)가 형성되고, 왼쪽 대각선 방향으로 배치되면 파가 왼쪽으로 회전하면서 진행하는 좌수 원형 편파(left-hand circularly polarized wave : LHCP)가 형성된다.
도 3a 내지 도 3e는 각각 스터브(150)의 개수와 방향에 따른 여러 가지의 배치 방법을 도시한 도면, 도 4a 및 도 4b는 각각 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 서로 다른 배치 각도를 가지고 배치된 경우 수평면에서의 빔 방향 패턴을 도시한 도면, 그리고 도 5는 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 배치된 경우 수직면에서의 빔 방향 패턴을 도시한 도면이다.
도 4a를 참조하면, 스터브(150)가 40°와 220° 위치에 각각 배치되는 경우 오른쪽 대각선 방향이므로 우수 원형 편파가 형성되며, 수평면에서의 빔 방향은 약 290° 방향이다. 도 4b를 참조하면, 스터브(150)가 80°와 260° 위치에 각각 배치되는 경우에는 도 4a의 경우와 마찬가지로 오른쪽 대각선 방향이므로 우수 원형 편파가 형성되며, 수평면에서의 빔 방향은 약 270° 방향이다. 따라서 스터브(150)의 배치 각도에 의해 수평면에서의 빔 방향이 결정된다는 것을 확인할 수 있다. 또한 도 5를 참조하면, 스터브(150)가 80°와 260° 위치에 각각 배치되는 경우 우수 원형 편파가 형성되며, 수직면에서의 빔 틸트 각도는 약 20°가 된다.
수직면에서의 빔 틸트 각도는 스터브(150)의 배치 각도뿐만 아니라 스터브(150)의 길이에 의해 결정된다. 도 6a 내지 도 6e는 각각 스터브(150)가 도 3a 내지 도 3e의 방법으로 배치된 경우 스터브(150)의 배치 각도 및 길이에 따른 수직면에서의 빔 틸트 각도를 도시한 그래프이다.
도 6a 내지 도 6e를 참조하면, 수직면에서의 빔 틸트 각도는 도 3a의 방법으로 스터브(150)가 배치된 경우를 제외하고는 스터브(150)의 개수 및 방향에는 큰 영향을 받지 않고 대체적으로 비슷한 값을 보인다. 다만, 스터브(150)의 배치 각도에 따라 수직면에서의 빔 틸트 각도는 큰 변화를 보이며, 특히 스터브(150)가 오른쪽 대각선 방향(R)인지 왼쪽 대각선 방향(L)인지 여부에 따라 그래프의 형태가 크게 달라진다. 스터브(160)의 길이에 따른 빔 틸트 각도의 변화를 검토하면, 스터브(150)가 도 3a의 방법으로 배치된 경우에는 빔 틸트 각도에 큰 차이가 없으나 나머지 경우에는 스터브(150)의 길이에 따라 빔 틸트 각도가 달라진다. 도 6b 내지 도 6e의 그래프를 참조하면, 대체로 스터브(150)의 길이가 길어질수록 빔 틸트 각도가 커지는 것을 확인할 수 있다.
도 7a 및 도 7b는 각각 빔 틸트 각도가 최대일 때와 최소일 때의 빔 틸트 패턴을 도시한 도면이다. 도 7a를 참조하면, 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 배치되고 배치 각도는 60°이며, 스터브(150)의 길이는 6.0mm일 때 수직면에서의 빔 틸트 각도는 50°로서 최대가 된다. 또한 도 7b를 참조하면, 스터브(150)가 도 3d의 방법으로 배치되고 배치 각도가 60°이며, 스터브(150)의 길이가 5.5mm일 때 빔 틸트 각도는 10°로서 최소가 된다.
도 8a 내지 도 8e는 각각 스터브(150)가 도 3a 내지 도 3e의 방법으로 배치된 경우 스터브(150)의 배치 각도 및 길이에 따른 이득을 도시한 그래프이다. 도 8a 내지 도 8e를 참조하면, 이득은 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 배치된 경우에 가장 큰 값을 보이며, 스터브(150)가 도 3a의 방법으로 배치된 경우, 즉 스터브(150)의 개수가 한 개인 경우에 가장 작은 값을 보인다. 또한 스터브(150)의 방향이 오른쪽 대각선 방향(R)인 경우에는 배치 각도가 90° 이하일 때 이득값이 높고, 스터브(150)의 방향이 왼쪽 대각선 방향(L)인 경우에는 배치 각도가 90° 이상일 때 이득값이 높다. 스터브(150)의 길이가 달라지면 이득값이 달라지는 경우도 존재하지만, 대체로 이득값의 그래프는 스터브(150)의 길이에 무관하게 스터브(150)의 배치 각도와 방향에 따라 달라지는 형태를 보인다.
도 3a 내지 도 3e의 방법에 의한 스터브(150)의 배치에 따라 평면형 안테나(100)의 공진 주파수의 대역폭을 비교해 보면, 도 3b의 방법으로 스터브(150)가 배치된 경우에 공진 주파수의 변화율이 최대 6.90%로 나타났으며 도 3c 및 도 3d의 방법으로 스터브(150)가 배치된 경우에 공진 주파수의 변화율이 최대 12.93%로 나타났다. 이 결과를 통하여 스터브(150)의 방향이 방사부(140)의 외부를 향하는 경우에 공진 주파수의 대역폭이 넓은 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발 명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 평면형 안테나의 평면도,
도 2는 도 1에 도시된 본 발명에 따른 평면형 안테나를 A-A' 선을 기준으로 절단한 단면을 도시한 단면도,
도 3a 내지 도 3e는 각각 스터브(150)의 개수와 방향에 따른 여러 가지의 배치 방법을 도시한 도면,
도 4a 및 도 4b는 각각 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 서로 다른 위치에 배치된 경우 수평면에서의 빔 방향 패턴을 도시한 도면,
도 5는 스터브(150)가 도 3b의 방법으로 배치된 경우 수직면에서의 빔 방향 패턴을 도시한 도면,
도 6a 내지 도 6e는 각각 스터브(150)가 도 3a 내지 도 3e의 방법으로 배치된 경우 스터브(150)의 배치 각도 및 길이에 따른 수직면에서의 빔 틸트 각도를 도시한 그래프,
도 7a 및 도 7b는 각각 빔 틸트 각도가 최대일 때와 최소일 때의 빔 틸트 패턴을 도시한 도면, 그리고,
도 8a 내지 도 8e는 각각 스터브(150)가 도 3a 내지 도 3e의 방법으로 배치된 경우 스터브(150)의 배치 각도 및 길이에 따른 이득을 도시한 그래프이다.

Claims (9)

  1. 사전에 설정된 유전율을 갖는 유전체로 이루어진 절연층;
    상기 절연층 상에 형성되는 상부급전패치;
    상기 상부급전패치로부터 상기 절연층의 내부 방향으로 사전에 설정된 간극만큼 이격되어 형성되는 하부급전패치;
    상기 상부급전패치와 일부가 중첩되도록 상기 절연층 상에 형성되는 원형 링 형태의 방사부;
    상기 방사부 상의 적어도 한 지점으로부터 사전에 설정된 길이만큼 일직선으로 뻗은 형상을 가지며, 상기 방사부에 의해 형성되는 원의 중심을 향하거나 외부를 향하도록 배치되는 스터브; 및
    상기 절연층의 하부에 위치하는 접지판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 절연층을 구성하는 유전체는 상대 유전율이 1.5 이하인 저손실 유전체인 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 절연층의 두께는 공진 주파수에 대응하는 파장의 0.1배에서 0.12배 사 이의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 상부급전패치와 상기 하부급전패치는 원형이고, 반경이 동일한 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  5. 제 1항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 상부급전패치와 상기 하부급전패치 사이의 간극은 다음의 수학식 A에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나:
    [수학식 A]
    Figure 112008040827238-pat00003
    여기서, G는 상기 상부급전패치와 상기 하부급전패치 사이의 간극, ε은 상기 절연층의 유전율, A는 상기 상부급전패치의 면적과 상기 하부급전패치의 면적 중 작은 값, 그리고 C는 상기 방사부의 입력 임피던스를 50Ω으로 정합시키는 캐패시턴스 값을 나타낸다.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 방사부의 반경은 다음의 수학식 B에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나:
    [수학식 B]
    Figure 112008040827238-pat00004
    여기서, R은 상기 방사부의 반경이고, λ는 공진 주파수에 대응하는 파장이다.
  7. 제 1항 또는 제 6항에 있어서,
    상기 방사부의 폭은 공진 주파수에 대응하는 파장의 0.1배에서 0.8배 사이의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  8. 제 1항, 제 2항, 제 4항 또는 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스터브의 폭은 공진 주파수에 대응하는 파장의 0.02 배 이하의 값을 가지는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 스터브는 상기 방사부에 의해 형성되는 원의 중심을 지나는 일직선상에 복수 개가 형성되는 것을 특징으로 하는 평면형 안테나.
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