KR100992569B1 - An electroconductive ultra thin tape for shielding electromagnetic wave, and a method for production of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척 처리된 후에, 스퍼터 에칭되고 상하 통전을 위해 천공기에 의해 타공된 다음 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의해 물리적으로 계면 처리되고, 전기전도성이 우수한 금속이 전해 및/또는 무전해 도금된 후, 단면 또는 양면에 도전성 점착제가 도포됨으로써 제조된 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention is a vacuum and washing treatment using a low temperature plasma apparatus, and then sputter etched, perforated by a perforator for up and down energization, and then physically interfacially treated by plasma etching or corona discharge etching, and electrically conductive. After an excellent metal is electrolytically and / or electroless plated, the present invention relates to an ultra-thin conductive tape for shielding electromagnetic waves produced by applying a conductive adhesive on one or both surfaces thereof, and a method of manufacturing the same.

본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프는 전자파 차폐율, 표면 저항, 상하(수직) 저항, 접착력, 균일한 두께 특성 등이 현저히 우수하여, 초박막 도전 테이프를 휴대폰과 같은 컴팩트한 제품에 적용하기에 매우 유용하며, 버 (Burr)가 전혀 발생하지 않아 버에 의한 전기적 단락(electrical short) 문제가 발생하지 않으며, 종래의 도전 테이프용 기재들보다 소재 단가 경쟁력이 우수하고 표면 평활도 및 두께 균일도가 우수하다는 장점을 가지고 있다. The ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding according to the present invention is remarkably excellent in electromagnetic shielding rate, surface resistance, vertical (vertical) resistance, adhesive strength, uniform thickness characteristics, etc., to apply the ultra-thin conductive tape to a compact product such as a mobile phone It is very useful, it does not generate any burr, so there is no electrical short problem due to the burr, and it has superior material cost competitiveness and excellent surface smoothness and thickness uniformity compared to substrates for conventional conductive tapes. It has advantages

전자파 차폐, 초박막 절연 필름 기재, 초박막 도전성 필름 기재, 도전성 점착제, 니켈 도금, 구리 도금, 홀(hole), 타공, 저온 플라즈마, 코로나 방전 에칭, 진공, 세척, 스퍼터 에칭(sputter etching), 플라즈마 에칭(plasma ethcing), 계면 처리, 무전해/전해 도금. Electromagnetic shielding, ultra thin insulating film substrate, ultra thin conductive film substrate, conductive adhesive, nickel plating, copper plating, hole, perforation, low temperature plasma, corona discharge etching, vacuum, cleaning, sputter etching, plasma etching ( plasma ethcing), interfacial treatment, electroless / electrolytic plating.

Description

전자파 차폐용 초박막 도전 테이프 및 그 제조 방법{AN ELECTROCONDUCTIVE ULTRA THIN TAPE FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC WAVE, AND A METHOD FOR PRODUCTION OF THE SAME}Ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield and manufacturing method thereof {AN ELECTROCONDUCTIVE ULTRA THIN TAPE FOR SHIELDING ELECTROMAGNETIC WAVE, AND A METHOD FOR PRODUCTION OF THE SAME}

본 발명은 전자파 차폐용 초박막 도전성 테이프 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척 처리된 후에 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의해 물리적으로 계면 처리되고, 상하 통전을 위해 타공기에 의해 타공된 다음 전기전도성이 우수한 금속이 전해 및/또는 무전해 도금된 후에 단면 또는 양면에 도전성 점착제가 도포되어 상하 통전 및 전자파 차폐 성능이 현저히 향상된 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프, 및 그 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding and a method of manufacturing the same. More specifically, the present invention is physically interfacially treated by sputter etching and plasma etching or corona discharge etching after vacuuming and washing using a low temperature plasma apparatus, and perforated by perforators for up and down conduction, and then the electrical conductivity is The present invention relates to an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding, in which a conductive adhesive is applied to one or both surfaces after an excellent metal is electrolytically and / or electroless plated, thereby improving the vertical conduction and electromagnetic shielding performance.

종래의 박막 도전 원단들은 부직포 또는 직조된 섬유를 압착하여 박막으로 만든 후 전해 또는 무전해 도금을 하여 박막 전도성 원단을 제조하여 사용되고 있으나 이러한 원단은 두께를 얇게 하는데 한계가 있으며 또한 직조된 섬유의 올 풀림이나 버(Burr)로 인한 문제가 상존하고 있다. 따라서 본 발명을 통하여 초박막화를 실현하고 버(Burr)발생과 표면 평활도 및 두께 편차의 문제들을 개선하고자 하 였다. Conventional thin film conductive fabrics are used to produce a thin film conductive fabric by pressing a nonwoven fabric or woven fiber into a thin film and then electrolytic or electroless plating, but these fabrics have a limitation in thinning the thickness and also loosening the woven fiber. There is a problem with Burr. Therefore, through the present invention, to achieve ultra-thin film and to improve the problems of burr generation, surface smoothness and thickness variation.

한편, 가성소다 약품조에서 초음파 세척을 실시하여 친수성을 부여함으로써 도금 면적을 넓히고, 절연 고분자 필름과 금속 도금 계면의 부착력의 향상과 금속 박리 현상의 방지를 도모하고자 절연 고분자 필름에 대한 화학적 계면 처리를 할 수 있으나 화학적 계면 처리만으로는 부착력이 약해 금속 박리 현상을 방지하는데 한계가 있으며, 이로 인해 균일한 전기적 특성을 갖춘 제품의 실현이 어렵고, 전자 및 통신 기기 내부의 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성된 도전 패턴이나 전자 부품의 전기적 단락을 발생시키는 문제점이 있다. Meanwhile, ultrasonic cleaning is performed in a caustic soda chemical bath to impart hydrophilicity to increase the plating area, and to improve the adhesion between the insulating polymer film and the metal plating interface and to prevent the metal peeling phenomenon. However, the chemical interface treatment alone has a weak adhesion to prevent the metal peeling phenomenon, which makes it difficult to realize products with uniform electrical characteristics, and conductive patterns formed on printed circuit boards (PCB) inside electronic and communication devices. However, there is a problem of generating an electrical short of the electronic component.

이에 본 발명자들은 예의 연구한 끝에, 절연 고분자 필름을 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척 처리한 후에 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의해 물리적 계면 처리를 수행하거나, 이와 같은 물리적 계면 처리 후에 화학적 계면 처리를 수행함으로써, 전술한 종래 기술의 문제점을 해소시킬 수 있다는 것을 밝혀 내었다. Accordingly, the present inventors have diligently studied, and then performing the physical interface treatment by sputter etching and plasma etching or corona discharge etching after vacuum and cleaning the insulating polymer film using a low temperature plasma apparatus, or after chemical physical treatment By performing the interfacial treatment, it has been found that the above-mentioned problems of the prior art can be solved.

본 발명은 전자파 차폐율, 표면 저항, 상하(수직) 저항, 접착력, 두께 편차, 표면평활도, 버(Burr) 문제 등이 현저히 우수한 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide an ultra-thin conductive tape for shielding electromagnetic waves, which is remarkably excellent in electromagnetic shielding rate, surface resistance, top and bottom (vertical) resistance, adhesive force, thickness variation, surface smoothness, and burr problems.

또한, 본 발명은 근본적으로 버(Burr) 및 올풀림 현상이 없는 필름을 사용하여 균일한 전기적 특성을 갖춘 제품을 실현시켜 전자 및 통신 기기 내부의 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성된 도전 패턴이나 전자 부품의 전기적 단락의 발생을 방지할 수 있는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. In addition, the present invention fundamentally realizes a product having uniform electrical characteristics by using a film free of burrs and unfolding phenomenon, and thus, a conductive pattern or electronic component formed on a printed circuit board (PCB) inside an electronic and communication device. It is an object of the present invention to provide a method for producing an ultra-thin conductive tape for shielding electromagnetic waves that can prevent the occurrence of an electrical short.

본 발명은 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척 처리된 후에 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의해 물리적 계면 처리되고, 전기전도성이 우수한 금속이 도금된 후에 단면 또는 양면에 도전성 점착제가 도포된 도전성 기재가 합지되어 있는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프로서, 일정한 간격으로 타공된 홀(hole)(30)을 갖는 초박막 절연 필름 기재 층(10) ; 타공된 홀(30)을 경계로 하여 상기 초박막 절연 필름 기재 층(10)을 둘러싸고 있으며, 전기전도성이 우수한 금속이 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금된 하나 이상의 도금 층(20); 및 일면 또는 양면에 부착된 도전성 점착제 층(40)을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제공한다. According to the present invention, after the vacuum and cleaning process using a low temperature plasma apparatus, the physical interface treatment is performed by sputter etching and plasma etching or corona discharge etching, and the conductive adhesive is coated on one or both sides after the metal having excellent electrical conductivity is plated. An ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield on which a substrate is laminated, comprising: an ultra-thin insulating film substrate layer 10 having holes 30 perforated at regular intervals; One or more plating layers 20 surrounded by the perforated holes 30 and surrounding the ultra-thin insulating film base layer 10, wherein a metal having excellent electrical conductivity is plated by electrolytic, electroless, substitution, vacuum deposition, or sputtering. ); And it provides an electromagnetic shielding ultra-thin conductive tape comprising a conductive adhesive layer 40 attached to one or both sides.

계면 처리는 메탈 드롭(metal drop) 현상, 도금이 벗겨지거나 기포가 생기는 현상, 얼룩, 구름낌 등과 같은 광택의 불균일 현상, 도금의 요철이나 피트 또는 도금 피막의 부서짐(취성) 등을 방지하고, Pd 이온 등의 결합력을 강화시키기 위한 목적으로 수행된다. 그러나, 종래의 화학적 계면 처리만으로는 절연 고분자필름과 금속 도금 계면의 부착력 향상에 의한 금속 박리 현상의 방지에 한계가 있을 뿐만 아니라, 균일한 전기적 특성을 갖춘 제품의 실현이 어렵고, 전자 및 통신 기기 내부의 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성된 도전 패턴이나 전자 부품의 전기적 단락의 발생을 야기시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 필름 기재는 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척 처리된 후에 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의해 물리적으로 계면 처리되어 있는 것을 특징으로 한다.Interfacial treatment prevents metal drop phenomenon, plating peeling or bubble formation, unevenness of glossiness such as stain, cloudiness, unevenness of plating or pit or crack of plating film (brittle), and the like. It is performed for the purpose of strengthening the binding force of ions and the like. However, the conventional chemical interface treatment alone has a limitation in preventing the metal peeling phenomenon by improving the adhesion between the insulating polymer film and the metal plating interface, and it is difficult to realize a product having uniform electrical characteristics. It may cause the generation of a conductive pattern formed on a printed circuit board (PCB) or an electrical short of an electronic component. Therefore, the ultra-thin conductive film substrate for electromagnetic wave shield according to the present invention is characterized by physically interfacial treatment by sputter etching and plasma etching or corona discharge etching after vacuum and cleaning treatment using a low temperature plasma apparatus.

한편, 본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 필름 기재는 물리적 계면 처리 이후에 화학적 계면 처리된 것일 수도 있다. 화학적 계면 처리는 가성소다 에칭/초음파 세척(친수성 부여), 수세, 산처리(중화), 수세, 팔라듐 촉매화 처리(팔라듐 이온 흡착), 수세, 황산 활성화, 수세 등의 과정을 거침으로써 행하여진다. Meanwhile, the ultra-thin conductive film substrate for electromagnetic wave shielding according to the present invention may be chemically interfaced after physical interface treatment. The chemical interfacial treatment is performed by performing a process of caustic soda etching / ultrasound washing (improve hydrophilicity), washing with water, acid treatment (neutralization), washing with water, palladium catalysis (with palladium ion adsorption), washing with water, activation of sulfuric acid, washing with water and the like.

절연성 고분자 필름 기재는 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌이미드 필름 또는 폴리이미드인 것이 바람직하다. It is preferable that an insulating polymer film base material is a polyester film, a polyethyleneimide film, or a polyimide.

도전성 점착제의 예로는 아크릴계, 우레탄계, 초산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리비닐계, 폴리비닐아세테이트계, 폴리아미드계 또는 폴리에틸렌계 점착제 등을 들 수 있지만, 당업계에 공지된 것이라면 어느 것이든 무방하다. Examples of the conductive adhesive include acrylic, urethane, vinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl, polyvinylacetate, polyamide, or polyethylene pressure sensitive adhesives, but any of those known in the art may be used. Do.

초박막 도전성 필름은 일정한 간격으로 타공된 홀 (hole)을 갖는데, 타공된 홀의 크기는 특별이 한정되는 것은 아니지만 최종 제품의 용도와 전기적 특성을 고려할 때 0.1∼1.5 mm인 것이 바람직하다. The ultra-thin conductive film has perforated holes at regular intervals, but the size of the perforated holes is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1.5 mm in consideration of the use and electrical properties of the final product.

하나 이상의 도금층은 니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기전도성이 우수한 금속이 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금되어 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the at least one plating layer is plated by electrolytic, electroless, substitutional, vacuum deposition or sputtering with a metal having excellent electrical conductivity selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, tin and cobalt.

본 발명의 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프는 ASTM D4935 방법에 따라 측정된 전자파 차폐율이 70 dB를 초과하고, ASTM D991 방법에 따라 측정된 표면 저항이 50 mΩ 미만이며, ASTM D991 방법에 따라 측정된 상하(수직) 저항이 10 mΩ 미만이다. The ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding of the present invention has an electromagnetic shielding rate of more than 70 dB measured according to the ASTM D4935 method, a surface resistance of less than 50 mPa measured according to the ASTM D991 method, and an upper and lower measured according to the ASTM D991 method. (Vertical) resistance is less than 10 mPa.

또한, 본 발명은 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법으로서, 폴리에스테르, 폴리에틸렌이미드, 폴리이미드 등으로 이루어진 군으로부터 선택되는 초박막 절연 필름 재료로 초박막 절연 필름을 저온 플라즈마 장치를 이용하여 진공 및 세척하는 단계; 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭 또는 코로나 방전 에칭에 의한 물리적 계면 처리 단계; 일정한 간격으로 타공하는 단계; 니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기전도성이 우수한 금속을 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금하는 단계; 및 일면 또는 양면에 도전성 점착제층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법을 제공한다. In addition, the present invention is a method of manufacturing an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding, the ultra-thin insulating film material is selected from the group consisting of polyester, polyethyleneimide, polyimide, etc. Washing; Physical interface treatment by sputter etching and plasma etching or corona discharge etching; Perforating at regular intervals; Plating an electroconductive metal selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, tin and cobalt by electrolytic, electroless, substitutional, vacuum deposition or sputtering; And it provides a method comprising the step of forming a conductive adhesive layer on one or both sides.

저온 플라즈마 장치를 이용한 진공 및 세척 단계에서는 저온 플라즈마 장치 에 타공된 초박막 절연 필름을 배치하고, 150∼600 mTorr의 진공도를 유지하면서 40∼200 sccm의 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 세척을 반복한다.In the vacuum and washing step using a low temperature plasma apparatus, the ultrathin insulation film perforated in the low temperature plasma apparatus is disposed, and the washing is repeated by injecting argon (Ar) gas of 40 to 200 sccm while maintaining a vacuum degree of 150 to 600 mTorr.

스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭에 의한 물리적 계면 처리 단계에서는 저온 플라즈마 장치 내에 산소(O2) 가스:아르곤(Ar) 가스의 조성비를 30∼60 sccm:30 sccm으로 유지하면서 20∼40초 동안 스퍼터 에칭한 후, 20∼100 sccm의 산소(O2) 가스만을 사용하여 30초∼5분 동안 플라즈마 에칭하고 아르곤(Ar) 가스로 세척하여 에칭을 행하거나 고전압의 코로나 방전 장치에 의한 일반적인 방법으로도 물리적인 에칭을 할 수도 있다. In the physical interface treatment step by sputter etching and plasma etching, sputter etching for 20 to 40 seconds while maintaining the composition ratio of oxygen (O 2 ) gas: argon (Ar) gas in the low temperature plasma apparatus at 30 to 60 sccm: 30 sccm , Plasma etching for 30 seconds to 5 minutes using only 20-100 sccm of oxygen (O 2 ) gas, and washing with argon (Ar) gas for etching or physical etching by a general method using a high voltage corona discharge device. You can also do

초박막 절연 필름에 타공된 홀(hole)의 크기와 간격은 최종 제품의 용도에 따라 달라질 수 있다. 타공된 홀의 직경이 너무 크면 타공된 공간이 차지하는 면적 비율이 높아지거나 타공된 홀간의 간격이 조밀해지면 다이스 커팅 가공시 도전 기재로서의 인장 강도가 떨어질 수 있다. 초박막 절연 필름을 타공하는 것이 바람직하지만 니들 펀칭(needle punching) 가공도 가능하다. 홀(hole)의 크기는 제품의 용도와 전기적 특성 및 작업의 편의성을 고려할 때 0.1∼1.5 mm인 것이 바람직하다 . The size and spacing of the holes perforated in the ultrathin insulating film may vary depending on the intended use of the final product. If the diameter of the perforated hole is too large, the ratio of the area occupied by the perforated space becomes high, or if the spacing between the perforated holes becomes dense, the tensile strength as a conductive substrate during die cutting may drop. It is preferable to perforate the ultra-thin insulating film, but needle punching processing is also possible. The size of the hole is preferably 0.1 to 1.5 mm in consideration of the use of the product, the electrical characteristics and the ease of operation.

한편, 물리적 계면 처리 단계 이후에 화학적 계면 처리를 행할 수도 있는데, 화학적 계면 처리는 가성소다 에칭/초음파 세척(친수성 부여), 수세, 산처리(중화 ), 수세, 팔라듐 촉매화 처리(팔라듐 이온 흡착), 수세, 황산 활성화, 수세 등의 과정을 거침으로써 행하여진다. 예컨대, 물리적으로 계면 처리된 초박막 절연 필름 을 80℃ 가성소다 10∼15 중량% 농도의 에칭조에 통과시키고, 수세조를 거친 후, 50∼70℃ 염산 15∼25 중량% 농도의 수용액 하에서 중화시키고 수세한다. 이어서, 염화팔라듐과 염화주석의 혼합액으로 구성된 팔라듐 촉매조를 통과시켜 초박막 절연 필름에 팔라듐 이온을 흡착시키고 수세한 후, 팔라듐 이온과 함께 흡착되어 있는 주석 이온을 제거하기 위하여 15∼20 중량% 황산 활성화조에 침적하고 수세하여 초박막 절연 필름에 팔라듐 이온만을 형성시킨다. On the other hand, chemical interfacial treatment may be performed after the physical interfacial treatment step, which includes caustic soda etching / ultrasound washing (hydrophilicity), water washing, acid treatment (neutralization), water washing, palladium catalysis (palladium ion adsorption). , Water washing, sulfuric acid activation, washing with water and the like. For example, the physically interfacial ultrathin insulating film is passed through an etching bath at a concentration of 10 to 15% by weight of 80 ° C caustic soda, passed through a water bath, and neutralized under an aqueous solution of 15 to 25% by weight of hydrochloric acid at 50 to 70 ° C. do. Subsequently, a palladium catalyst bath composed of a mixture of palladium chloride and tin chloride was passed through to adsorb palladium ions onto the ultra-thin insulating film, followed by washing with water. It is deposited in a bath and washed with water to form only palladium ions in the ultra-thin insulating film.

니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기전도성이 우수한 금속의 도금은 바람직하게는 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로, 보다 바람직하게는 무전해 방식으로 수행할 수 있다. 예컨대, 황산니켈 25∼35 g/ℓ, 차아인산소다 15∼25 g/ℓ 및 구연산소다 35∼45 g/ℓ를 혼합한 무전해 니켈 도금조에 침적하여 니켈 금속을 석출시켜 초박막 절연 필름 표면 및 홀 (hole)에 니켈 도금층을 1차로 형성시키고 수세한 후, 구리 도금을 위해 황산구리 3.5∼4.5 g/ℓ, 가성소다 8∼12 g/ℓ 및 포르말린 5.5∼6.0 g/ℓ를 혼합한 무전해 구리 도금조에 침적하여 구리 금속을 석출시켜 구리 도금층을 2차로 형성시킨 후 수세한다. 구리는 산화가 빨리 진행되기 때문에 산화 방지를 위해 황산니켈 25∼35 g/ℓ, 차아인산소다 15∼25 g/ℓ 및 구연산소다 35∼45 g/ℓ를 혼합한 무전해 니켈 도금조에 침적하여 니켈 도금층을 3차로 형성시키고 수세한다. Plating of a metal with excellent electrical conductivity selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, tin and cobalt is preferably in an electrolytic, electroless, substitutional, vacuum deposition or sputtering manner, more preferably in an electroless manner. Can be done. For example, nickel-sulphate is deposited in an electroless nickel plating bath containing 25 to 35 g / l of nickel sulfate, 15 to 25 g / l of sodium hypophosphite and 35 to 45 g / l of sodium citrate to deposit nickel metal to deposit the surface of the ultra-thin insulating film surface and holes. A nickel plating layer was first formed in the hole and washed with water, followed by electroless copper plating in which copper sulfate was mixed with 3.5 to 4.5 g / l, caustic soda 8 to 12 g / l and formalin 5.5 to 6.0 g / l. It deposits in a bath, precipitates a copper metal, forms a copper plating layer secondaryly, and washes with water. Since copper is rapidly oxidized, nickel is deposited in an electroless nickel plating bath containing 25 to 35 g / l nickel sulfate, 15 to 25 g / l sodium hypophosphite, and 35 to 45 g / l sodium citrate to prevent oxidation. The plating layer is formed third and washed with water.

이렇게 제작된 초박막 도전성 기재의 일면 또는 양면에 형성되는 도전성 점착제의 예로는 아크릴계, 우레탄계, 초산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리비닐계, 폴리비닐아세테이트계, 폴리아미드계 또는 폴리에틸렌계 점착제 등을 들 수 있지만, 당업계에 공지된 것이라면 어느 것이든 무방하다. Examples of the conductive adhesive formed on one or both surfaces of the ultra-thin conductive substrate thus produced include acrylic, urethane, vinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl, polyvinylacetate, polyamide, or polyethylene pressure sensitive adhesives. However, any of those known in the art may be used.

본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프는 전자파 차폐율, 표면 저항, 상하(수직) 저항, 접착력, 균일한 두께 특성 등이 현저히 우수하다. The ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield according to the present invention is remarkably excellent in electromagnetic wave shielding rate, surface resistance, vertical and vertical (vertical) resistance, adhesive force, uniform thickness characteristics and the like.

또한, 본 발명에 따른 초박막 도전 테이프의 제조 방법에 따르면, 금속 박리 현상을 방지하고, 균일한 전기적 특성을 갖춘 제품을 실현시켜 전자 및 통신 기기 내부의 인쇄 회로 기판(PCB)에 형성된 도전 패턴이나 전자 부품의 전기적 단락의 발생을 근본적으로 방지할 수 있다. In addition, according to the manufacturing method of the ultra-thin conductive tape according to the present invention, a conductive pattern or an electron formed on a printed circuit board (PCB) inside an electronic and communication device by preventing a metal peeling phenomenon and realizing a product having uniform electrical characteristics It is possible to fundamentally prevent the occurrence of electrical shorts in the parts.

하기 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명하고자 한다. 그러나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐이므로, 본 발명의 범주가 하기 실시예에 국한되는 것으로 해석되어서는 아니된다. 따라서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 첨부된 특허청구범위에 기재된 사항으로부터 도출되는 기술적 사상의 범위 내에서 하기 실시예의 다양한 변형, 수정 및 응용이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. Through the following examples will be described in more detail the present invention. However, the following examples are only for illustrating the present invention, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following examples. Therefore, it will be understood by those skilled in the art that various modifications, modifications and applications of the following embodiments are possible within the scope of the technical idea derived from the matters described in the appended claims.

실시예Example

저온 플라즈마 장치에 타공된 초박막 절연 필름을 배치하고, 약 500 mTorr의 진공도를 유지하면서 약 100 sccm의 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 세척을 반복하였다. 이어서, 저온 플라즈마 장치 내에 산소(O2) 가스:아르곤(Ar) 가스의 조성비를 45 sccm:30 sccm으로 유지하면서 약 30초 동안 스퍼터 에칭한 후, 60 sccm의 산소(O2) 가스만을 사용하여 약 2분 동안 플라즈마 에칭하고 아르곤(Ar) 가스로 세척하여 에칭하거나 일반적인 에칭 방법의 하나로 코로나 방전 에칭 장치에 의한 에칭을 시행하였다. 이어서, 에칭된 초박막 절연 필름 기재에 일정한 간격으로 타공하여 약 0.7mm 크기의 홀(hole)을 형성시켰다. 이와 같이 물리적 계면 처리된 초박막 절연 필름 기재를 80℃ 가성소다 12 중량% 농도의 에칭조에 통과시키고, 수세조를 거친 후, 60℃ 염산 20 중량% 농도의 수용액 하에서 중화시키고 수세하였다. 그 후, 염화팔라듐과 염화주석의 혼합액으로 구성된 팔라듐 촉매조를 통과시켜 초박막 절연 필름 기재에 팔라듐 이온을 흡착시키고 수세한 후, 팔라듐 이온과 함께 흡착되어 있는 주석 이온을 제거하기 위하여 18 중량% 황산 활성화조에 침적하고 수세하여 초박막 절연 필름 기재에 팔라듐 이온만을 형성시켰다. 이어서, 황산니켈 30 g/ℓ, 차아인산소다 20 g/ℓ 및 구연산소다 40 g/ℓ를 혼합한 무전해 니켈 도금조에 침적하여 니켈 금속을 석출시켜 초박막 절연 필름 기재 표면 및 홀(hole)에 니켈 도금층을 1차로 형성시키고 수세한 후, 구리 도금을 위해 황산구리 4.0 g/ℓ, 가성소다 10 g/ℓ 및 포르말린 5.8 g/ℓ를 혼합한 무전해 구리 도금조에 침적하여 구리 금속을 석출시켜 구리 도금층을 2차로 형성시킨 후 수세하였다. 그 후, 황산니켈 30 g/ℓ, 차아인산소다 20 g/ℓ 및 구연산소다 40 g/ℓ를 혼합한 무전해 니켈 도금조에 침적하여 니켈 도금층을 3차로 형성시키고 수세하였다. 이어서, 양면 또는 단면에 아크릴계 도전성 점착제 층을 형성시킴으로써, 전자파 차폐용 도전 테이 프를 생성시켰다. The perforated ultra-thin insulating film was placed in a low temperature plasma apparatus, and washing was repeated by injecting about 100 sccm of argon (Ar) gas while maintaining a vacuum degree of about 500 mTorr. Subsequently, after sputter etching for about 30 seconds while maintaining the composition ratio of oxygen (O 2 ) gas: argon (Ar) gas at 45 sccm: 30 sccm in the low temperature plasma apparatus, only 60 sccm of oxygen (O 2 ) gas was used. Plasma etching was performed for about 2 minutes, washed with argon (Ar) gas, and etched, or by a corona discharge etching apparatus as one of general etching methods. Subsequently, holes were formed in the etched ultra-thin insulating film substrate at regular intervals to form holes of about 0.7 mm in size. The physical interface treated ultrathin insulating film substrate was passed through an etching bath at a concentration of 12% by weight of 80 ° C caustic soda, passed through a water bath, and neutralized and washed with water at a concentration of 20% by weight of 60 ° C hydrochloric acid. Thereafter, a palladium catalyst bath composed of a mixture of palladium chloride and tin chloride was passed through to adsorb palladium ions onto the ultra-thin insulating film substrate, followed by washing with water, followed by activation of 18 wt% sulfuric acid to remove tin ions adsorbed with palladium ions. It was deposited in a bath and washed with water to form only palladium ions in the ultra-thin insulating film substrate. Subsequently, nickel was deposited on an electroless nickel plating bath mixed with 30 g / l of nickel sulfate, 20 g / l of sodium hypophosphite and 40 g / l of sodium citrate to precipitate nickel metal to deposit nickel on the surface and hole of the ultra-thin insulating film substrate. After the plating layer was first formed and washed with water, the copper plating layer was deposited by depositing copper metal in an electroless copper plating bath mixed with copper sulfate 4.0 g / l, caustic soda 10 g / l and formalin 5.8 g / l for copper plating. It was formed secondarily and washed with water. Thereafter, a nickel plating layer was formed into a third layer and washed with water by dipping in an electroless nickel plating bath mixed with 30 g / l nickel sulfate, 20 g / l sodium hypophosphite and 40 g / l sodium citrate. Subsequently, the conductive tape for electromagnetic wave shielding was produced by forming an acrylic conductive adhesive layer on both surfaces or a cross section.

상기 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프는 ASTM D4935 방법에 따라 측정된 전자파 차폐율이 84 dB이고, ASTM D991 방법에 따라 측정된 표면 저항이 32 mΩ이며, ASTM D991 방법에 따라 측정된 상하(수직) 저항이 7.4 mΩ이었다. The ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding has an electromagnetic shielding rate of 84 dB measured according to the ASTM D4935 method, a surface resistance of 32 m ASTM measured according to the ASTM D991 method, and a vertical resistance (vertical) resistance measured according to the ASTM D991 method. It was 7.4 mPa.

도 1은 본 발명의 바람직한 실시태양에 따른 전자파 차폐용 초박막 양면 도전 테이프의 단면도이다. 1 is a cross-sectional view of an ultra-thin double-sided conductive tape for shielding electromagnetic waves according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시태양에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프의 타공된 표면을 도시한 것이다. Figure 2 shows the perforated surface of the ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield according to a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프의 제조 방법의 주요 공정을 나타낸 공정도이다. Figure 3 is a process chart showing the main process of the manufacturing method of the ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프의 제조 방법에 있어서의 계면 처리 공정을 구체화한 공정도이다. Fig. 4 is a process chart incorporating an interfacial treatment step in the method for manufacturing an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 초박막 절연 필름 기재 층10: ultra thin insulation film base layer

20: 금속 도금 층20: metal plating layer

30: 타공된 홀(hole)30: perforated hole

40: 도전성 점착제 층40: conductive adhesive layer

Claims (12)

일정한 간격으로 타공된 홀(hole)(30)을 갖고, 물리적 계면 처리된 초박막 절연 필름 기재 층(10); 타공된 홀(30)을 경계로 하여 상기 초박막 절연 필름 기재 층(10)을 둘러싸고 있으며, 전기전도성 금속이 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금된 하나 이상의 도금 층(20); 및 상기 초박막 절연 필름 기재 층의 상부 도금 층 또는 상기 초박막 절연 필름 기재 층의 상부 도금 층 및 하부 도금 층에 부착된 도전성 점착제 층(40);을 포함하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프로서,An ultra-thin insulating film base layer 10 having a hole 30 perforated at regular intervals and having a physical interface treatment; At least one plating layer 20 surrounded by the perforated hole 30 and surrounding the ultra-thin insulating film base layer 10, wherein the conductive metal is plated by electrolytic, electroless, substitution, vacuum deposition or sputtering; And a conductive adhesive layer 40 attached to an upper plating layer of the ultra-thin insulating film substrate layer or an upper plating layer and a lower plating layer of the ultra-thin insulating film substrate layer. 상기 초박막 절연 필름 기재 층의 물리적 계면 처리는 초박막 절연 필름 기재를 진공 상태에서 가스로 세척한 후 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭을 일련적으로 수행하는 것에 의해 이루어지거나, 초박막 절연 필름 기재를 진공 상태에서 가스로 세척한 후 코로나 방전 에칭을 수행하는 것에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프. The physical interfacial treatment of the ultra-thin insulating film substrate layer is performed by sequentially washing the ultra-thin insulating film substrate with a gas in a vacuum state and then performing sputter etching and plasma etching, or the ultra-thin insulating film substrate with a gas in a vacuum state. An ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding, which is formed by performing corona discharge etching after washing. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 초박막 절연 필름 기재는 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌이미드 필름 또는 폴리이미드 필름인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프. Said ultra-thin insulating film base material is a polyester film, a polyethyleneimide film, or a polyimide film, The ultra-thin film conductive tape for electromagnetic wave shielding characterized by the above-mentioned. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 도전성 점착제는 아크릴계, 우레탄계, 초산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리비닐계, 폴리비닐아세테이트계, 폴리아미드계 또는 폴리에틸렌계 점착제인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프. The conductive adhesive is an acrylic, urethane, vinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl, polyvinylacetate, polyamide or polyethylene-based pressure-sensitive adhesive ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 초박막 절연 필름 기재 층에 일정한 간격으로 타공된 홀(hole)의 크기는 0.1∼1.5 mm인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프. The size of the holes perforated at regular intervals in the ultra-thin insulating film substrate layer is characterized in that the ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 하나 이상의 도금 층은 니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기전도성 금속이 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프.The at least one plating layer is electromagnetic shielding, characterized in that the electroconductive metal selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, tin and cobalt is plated by electrolytic, electroless, substitution, vacuum deposition or sputtering method. Ultra Thin Conductive Tape. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 상기 초박막 절연 필름 기재 층은 그 두께가 8∼20㎛인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프.The said ultra-thin insulating film base material layer is 8-20 micrometers in thickness, The ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding characterized by the above-mentioned. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서, The method according to any one of claims 1 to 6, 상기 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프는 ASTM D4935 방법에 따라 측정된 전자파 차폐율이 70 dB를 초과하고, ASTM D991 방법에 따라 측정된 표면 저항이 50 mΩ 미만이며, ASTM D991 방법에 따라 측정된 상하(수직) 저항이 10 mΩ 미만인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프. The ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding has an electromagnetic shielding rate of more than 70 dB measured according to the ASTM D4935 method, a surface resistance of less than 50 mPa measured according to the ASTM D991 method, and a vertical and vertical (vertical) measured according to the ASTM D991 method. ) Ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shield, characterized in that the resistance is less than 10 mPa. (a) 폴리에스테르 필름, 폴리에틸렌이미드 필름 및 폴리이미드 필름으로 이루어진 군으로부터 선택되는 초박막 절연 필름 기재를 진공 상태에서 가스로 세척하는 단계;  (a) washing the ultra-thin insulating film substrate selected from the group consisting of a polyester film, polyethyleneimide film and polyimide film with a gas in a vacuum state; (b) 상기 세척된 초박막 절연 필를 기재에 스퍼터 에칭 및 플라즈마 에칭을 일련적으로 수행하거나, 상기 세척된 초박막 절연 필름에 코로나 방전 에칭을 수행하여 초박막 절연 필름 기재의 계면을 물리적으로 처리하는 단계; (b) physically treating the interface of the ultra-thin insulating film substrate by sequentially performing sputter etching and plasma etching on the cleaned ultra-thin insulating film on the substrate, or performing corona discharge etching on the cleaned ultra-thin insulating film; (c) 상기 물리적 계면 처리된 초박막 절연 필름 기재를 일정한 간격으로 타공하는 단계;(c) perforating the physical interfacial treated ultra-thin insulating film substrate at regular intervals; (d) 상기 타공된 초박막 절연 필름 기재상에 니켈, 구리, 금, 은, 주석 및 코발트로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기전도성 금속을 전해, 무전해, 치환, 진공 증착 또는 스퍼터링 방식으로 도금하여 도금 층을 형성하는 단계; 및 (d) Plating layer on the perforated ultra-thin insulating film substrate by electrolytic, electroless, substitution, vacuum deposition or sputtering electroconductive metal selected from the group consisting of nickel, copper, gold, silver, tin and cobalt Forming a; And (e) 상기 초박막 절연 필름 기재의 상부에 형성된 도금 층 또는 상기 초박막 절연 필름 기재의 상부에 형성된 도금 층 및 상기 초박막 절연 필름 기재의 하부에 형성된 도금 층에 도전성 점착제를 도포하여 도전성 점착제 층을 형성시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법.(e) forming a conductive adhesive layer by applying a conductive adhesive to a plating layer formed on the ultra thin insulating film substrate or a plating layer formed on the ultra thin insulating film substrate and a plating layer formed on the bottom of the ultra thin insulating film substrate Method of producing an ultra-thin conductive tape for shielding electromagnetic waves comprising a ;. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 단계 (a)에서는 저온 플라즈마 장치에 초박막 절연 필름 기재를 배치하고, 150∼600 mTorr의 진공도를 유지하면서 40∼200 sccm의 아르곤(Ar) 가스를 주입하여 세척을 반복하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법.In the step (a), the ultra-thin insulating film substrate is placed in a low temperature plasma apparatus, and the cleaning is repeated by injecting 40-200 sccm of argon (Ar) gas while maintaining a vacuum degree of 150-600 mTorr. Method for producing ultra thin conductive tape for use. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 단계 (b)에서는 저온 플라즈마 장치 내에 산소(O2) 가스:아르곤(Ar) 가스의 조성비를 30∼60 sccm:30 sccm으로 유지하면서 20∼40초 동안 스퍼터 에칭한 후, 20∼100 sccm의 산소(O2) 가스만을 사용하여 30초∼5분 동안 플라즈마 에칭하고 아르곤(Ar) 가스로 세척하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법.In step (b), sputter etching for 20 to 40 seconds while maintaining the composition ratio of oxygen (O 2 ) gas: argon (Ar) gas at 30 to 60 sccm: 30 sccm in the low-temperature plasma apparatus, and then 20 to 100 sccm Plasma etching for 30 seconds to 5 minutes using only oxygen (O 2 ) gas and washing with argon (Ar) gas for producing an ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding. 제 8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 도전성 점착제는 아크릴계, 우레탄계, 초산비닐계, 폴리비닐알콜계, 폴리비닐계, 폴리비닐아세테이트계, 폴리아미드계 또는 폴리에틸렌계 점착제인 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법.The conductive adhesive is an acrylic, urethane, vinyl acetate, polyvinyl alcohol, polyvinyl, polyvinylacetate, polyamide or polyethylene-based pressure-sensitive adhesive manufacturing method for producing an ultra-thin conductive tape for electromagnetic shielding. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 하나의 항에 있어서, The method according to any one of claims 8 to 11, 상기 단계 (b)와 상기 단계 (c) 사이에,Between step (b) and step (c), 상기 물리적 계면 처리된 초박막 절연 필름 기재를 온도가 80℃이고 가성소다 농도가 10∼15 중량%인 가성소다 수용액을 함유한 에칭조에 통과시켜 에칭하고, 수세하고, 온도가 50∼70℃이고 염산 농도가 15∼25 중량%인 염산 수용액 하에서 중화시키고, 수세하고, 염화팔라듐과 염화주석의 혼합 수용액으로 구성된 팔라듐 촉매조에 통과시켜 초박막 절연 필름 기재에 팔라듐 이온을 흡착시키고, 수세하고, 황산 농도가 15∼20 중량%인 황산 수용액을 함유한 황산 활성화조에 침적하고 수세하여 초박막 절연 필름 기재에 팔라듐 이온과 함께 흡착되어 있는 주석 이온을 제거하고 팔라듐 이온만을 형성시키는 것으로 구성된 화학적 계면 처리 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자파 차폐용 초박막 도전 테이프를 제조하는 방법.The physical interface treated ultra-thin insulating film substrate was etched by passing through an etching bath containing a caustic soda solution having a temperature of 80 ° C. and a caustic soda concentration of 10 to 15 wt%, washing with water, and a temperature of 50 to 70 ° C. with hydrochloric acid concentration. Is neutralized under an aqueous hydrochloric acid solution having a weight of 15 to 25 wt%, washed with water, and passed through a palladium catalyst bath composed of a mixed aqueous solution of palladium chloride and tin chloride to adsorb palladium ions to the ultra-thin insulating film substrate, and washed with sulfuric acid. Chemical interface treatment step consisting of removing the tin ions adsorbed together with the palladium ions on the ultra-thin insulation film substrate and forming only the palladium ions by immersing in a sulfuric acid activation tank containing 20 wt% sulfuric acid aqueous solution and washed with water; A method of manufacturing an ultra-thin conductive tape for electromagnetic wave shielding, characterized by the above-mentioned.
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