KR100992119B1 - Cleaning System using the processing chamber - Google Patents

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Abstract

처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템이 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템은 회수된 탈 이온수와 브러쉬를 이용하여 면취된 기판을 세정하는 브러쉬 세정부, 상기 브러쉬 세정부를 통과한 상기 면취된 기판에 소정의 직수를 분사하는 직수세 세정부, 및 상기 직수세 서정부를 통과한 상기 면취된 기판을 에어 나이프를 이용하여 건조시키는 건조부를 포함하며, 상기 브러쉬 세정부 및 직수세 세정부는 각각 상기 회수된 탈 이온수 및 상기 직수를 사용 후에 수거하는 처리조를 포함한다.A cleaning system after chamfering using a treatment tank is provided. After the chamfering cleaning system using a treatment tank according to an embodiment of the present invention is a brush cleaning unit for cleaning the chamfered substrate using the recovered deionized water and the brush, a predetermined portion of the chamfered substrate passed through the brush cleaning unit A direct washing unit for spraying direct water, and a drying unit for drying the chamfered substrate that has passed through the direct washing unit, using an air knife, wherein the brush cleaning unit and the direct washing unit are each removed. And a treatment tank for collecting the ionized water and the direct water after use.

처리조, 면취 후 세정, 탈 이온수 Treatment tank, cleaning after chamfering, deionized water

Description

처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템{Cleaning System using the processing chamber}Cleaning system using the processing chamber

본 발명은 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템에 관한 것으로 더욱 상세하게는, 면취 후 세정 공정에서 처리조를 이용하여 탈이온수를 사용 후에 회수하는 세정 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a post-chamfering cleaning system using a treatment tank, and more particularly, to a cleaning system for recovering deionized water after use using a treatment tank in a post-chamfering cleaning process.

최근 들어 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하기 위해 디스플레이 장치를 가진다. 지금까지는 디스플레이 장치로 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 주로 사용되었으나, 최근에는 반도체 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 평판 디스플레이 장치의 사용이 급격히 증대하고 있다. Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display device for displaying the operated information. Until now, a cathode ray tube monitor has been mainly used as a display device, but recently, with the rapid development of semiconductor technology, the use of a flat display device that is light and occupies a small space is rapidly increasing.

디스플레이 장치로서, 현재 주목받고 있는 것은 액정 디스플레이 장치, 유기 EL 표시 장치, 플라즈마 디스플레이 장치 등과 같은 평판 디스플레이 장치이다. 평판 디스플레이로는 다양한 종류가 있으며, 이들 중 전력 소모와 부피가 작으며 저전압 구동형인 액정 디스플레이(Liquid Crystal Display)를 예로 들 수 있다. As a display device, what is currently attracting attention is a flat panel display device such as a liquid crystal display device, an organic EL display device, a plasma display device and the like. There are various types of flat panel displays, and among them, a liquid crystal display, which is a low power consumption and a small volume, and a low voltage driving type, is an example.

이러한 액정 디스플레이를 제조하기 위해 다양한 공정들이 수행된다. 이러한 공정으로는 식각, 수세, 건조 또는 열처리 공정 등이 있다. 이 같은 공정들은 기체를 이용하는 건식 공정과 액체를 이용하는 습식공정으로 구분될 수 있다.Various processes are performed to produce such a liquid crystal display. Such processes include etching, washing with water, drying or heat treatment. These processes can be divided into a dry process using a gas and a wet process using a liquid.

소정의 기판에 대하여 다양한 공정 이후에 최종적으로 복수의 패널을 획득할 수 있다. 예를 들어, 하나의 기판에 대하여 4개의 패널을 획득하는 경우에 4 면취라고 할 수 있다.Finally, a plurality of panels can be obtained after various processes for a given substrate. For example, in the case of obtaining four panels for one substrate, it can be said to be four chamfers.

면취 후에는 기판의 분할 과정을 수행하면서 발생되는 파티클이나 분진 등을 제거하는 세정 공정이 수행될 수 있다.After chamfering, a cleaning process may be performed to remove particles, dust, and the like, generated while the substrate is divided.

본 발명의 해결하고자 하는 과제는 면취 후 세정 공정에서 처리조를 이용하여 탈 이온수를 회수하는 세정 시스템을 제공하는 데 있다.An object of the present invention is to provide a cleaning system for recovering deionized water using a treatment tank in a post-chamfering cleaning process.

본 발명의 목적들은 이상에서 언급한 목적들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects that are not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템의 일 양태(Aspect)는 회수된 탈 이온수와 브러쉬를 이용하여 면취된 기판을 세정하는 브러쉬 세정부; 상기 브러쉬 세정부를 통과한 상기 면취된 기판에 소정의 직수를 분사하는 직수세 세정부; 및 상기 직수세 서정부를 통과한 상기 면취된 기판을 에어 나이프를 이용하여 건조시키는 건조부를 포함하며, 상기 브러쉬 세정부 및 직수세 세정부는 각각 상기 회수된 탈 이온수 및 상기 직수를 사용 후에 수거하는 처리조를 포함한다.One aspect of the chamfering cleaning system using the treatment tank of the present invention in order to achieve the above-described problem is a brush cleaning unit for cleaning the substrate chamfered using the recovered deionized water and the brush; A water washing unit for spraying predetermined water into the chamfered substrate passing through the brush unit; And a drying unit for drying the chamfered substrate having passed through the direct washing west part using an air knife, wherein the brush washing unit and the direct washing unit are each collected after using the recovered deionized water and the direct water. It includes a treatment tank.

본 발명의 일 실시예에 따를 경우, 세정 시스템의 처리조를 이용하여 탈 이온수를 용이하게 회수할 수 있다.According to one embodiment of the present invention, deionized water may be easily recovered by using a treatment tank of a cleaning system.

이와 함께, 탈 이온수 회수를 위하여 복잡한 배관 및 탱크를 사용하지 않아 세정 시스템의 비용을 절감할 수 있다.In addition, the cost of the cleaning system can be reduced by not using complicated piping and tanks for deionized water recovery.

본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and other effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the description of the claims.

기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다. 본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. Specific details of other embodiments are included in the detailed description and the drawings. Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but can be implemented in various different forms, and only the embodiments make the disclosure of the present invention complete, and the general knowledge in the art to which the present invention belongs. It is provided to fully inform the person having the scope of the invention, which is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해 서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In the present specification, the singular form includes plural forms unless otherwise specified in the specification. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 일반적인 평판 디스플레이 공정에서 액정표시장치의 제조 공정을 보여주는 흐름도이다. 1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display in a general flat panel display process.

도 1을 참조하면, 액정표시장치의 제조에 있어서는 먼저 상부 기판 및 하부 기판을 제조한다(S10, S20). 하부 기판 제조 단계는 박막 트랜지스터 기판을 제조하는 공정으로서, 하부 기판 상에 복수의 박막 트랜지스터, 화소전극 및 신호라인을 제조하여 TFT 기판을 제조하는 단계를 말한다(S10). 상부 기판 제조 단계는 상부 기판 상에 블랙 매트릭스, 컬러 필터 및 공통 전극을 형성하여 컬러필터 기판을 제조하는 단계를 말한다(S20).Referring to FIG. 1, in manufacturing a liquid crystal display, first, an upper substrate and a lower substrate are manufactured (S10 and S20). The lower substrate manufacturing step is a process of manufacturing a thin film transistor substrate, and refers to a step of manufacturing a TFT substrate by manufacturing a plurality of thin film transistors, pixel electrodes, and signal lines on the lower substrate (S10). The upper substrate manufacturing step refers to a step of manufacturing a color filter substrate by forming a black matrix, a color filter, and a common electrode on the upper substrate (S20).

상부 기판 및 하부 기판을 제조한 후에는, 상부 기판 및 하부 기판을 합착하고 그 사이에 액정을 주입할 수 있다(S30). 상부 기판 및 하부 기판의 가장 자리에 접착제인 실런트(Sealant)를 도포하여 경화시킴으로써 상부 기판 및 하부 기판이 밀봉 상태로 되는 디스플레이 패널이 형성될 수 있다.After the upper substrate and the lower substrate are manufactured, the upper substrate and the lower substrate may be bonded together and the liquid crystal may be injected therebetween (S30). By applying and curing a sealant, which is an adhesive, on the edges of the upper and lower substrates, a display panel in which the upper and lower substrates are sealed may be formed.

한편, 상기의 제조 단계를 거쳐 하나의 디스플레이 패널을 제조하는 것이 아니라 복수 개의 디스플레이 패널을 하나의 모 기판(Mother substrate)에 의하여 제조될 수 있다. 따라서, 상부 기판 및 하부 기판이 합착된 모 기판을 복수 개로 절단하여 복수 개의 디스플레이 패널을 1회의 제조 공정으로 제조할 수 있다.In the meantime, instead of manufacturing one display panel through the above manufacturing steps, a plurality of display panels may be manufactured by one mother substrate. Accordingly, the plurality of display panels may be manufactured by one manufacturing process by cutting the mother substrate to which the upper substrate and the lower substrate are bonded together.

복수 개의 디스플레이 패널로 절단 한 후에 각 패널의 단부를 다듬는 과정인 면취 단계를 거친다(S40). After cutting into a plurality of display panels go through a chamfering step of trimming the end of each panel (S40).

면취 단계 후에는 세정 공정을 하여 디스플레이 패널 상의 이물질을 제거할 수 있다(S50).After the chamfering step, a cleaning process may be performed to remove foreign substances on the display panel (S50).

한편, 면취 후 세정 시스템에서의 상기 디스플레이 패널을 본 발명의 일 실시예에서는 기판으로 칭하기로 한다. 따라서, 면취 후 세정 단계에서는 기판을 세정하여 이물질을 제거한다.On the other hand, the display panel in the chamfering cleaning system will be referred to as a substrate in one embodiment of the present invention. Therefore, in the cleaning step after chamfering, the substrate is cleaned to remove foreign substances.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템의 개략적인 단면도를 보여준다.Figure 2 shows a schematic cross-sectional view of the chamfering cleaning system using a treatment tank according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템은 아쿠아 린스부(100), 브러쉬 세정부(200), 이류체 세정부(300), 직수세 세정부(400) 및 건조부(500)를 포함할 수 있다.2, the chamfering cleaning system using a treatment tank according to an embodiment of the present invention is an aqua rinse unit 100, a brush cleaning unit 200, a two-fluid cleaning unit 300, a direct water washing unit ( 400 and the drying unit 500.

예를 들어, 면취 후 세정 단계에서는 상기 아쿠아 린스부(100), 브러쉬 세정부(200), 이류체 세정부(300), 직수세 세정부(400) 및 건조부(500)를 각각 통과하여 기판 상의 이물질을 제거할 수 있다. 따라서, 각각의 면취 후 세정 시스템은 각 구성(100, 200, 300), 400, 500)으로 기판을 이송시키기 위하여 기판 이송부(150)를 포함할 수 있다.For example, in the cleaning step after chamfering, the substrate passes through the aqua rinse unit 100, the brush cleaner 200, the air cleaner 300, the direct washing unit 400, and the drying unit 500, respectively. Foreign substances on the phase can be removed. Accordingly, each post-chamfering cleaning system may include a substrate transfer 150 to transfer substrates to respective configurations 100, 200, 300, 400, 500.

기판 이송부(150)는 이송 샤프트(미도시) 및 이송 샤프트에 설치된 이송 롤러(미도시)를 포함할 수 있다. 기판 이송부(150)는 이송 샤프트를 구동부(미도시)에 의해 회전시켜, 이송 롤러(미도시)를 회전시킴으로써 기판을 이송시킬 수 있다.The substrate transfer part 150 may include a transfer shaft (not shown) and a transfer roller (not shown) installed on the transfer shaft. The substrate transfer unit 150 may rotate the transfer shaft by a driving unit (not shown) to rotate the transfer roller (not shown) to transfer the substrate.

아쿠아 린스부(100)는 공정이 수행되는 제1 챔버(130), 기체를 분사하는 제1 에어나이프(110, 111) 및 탈 이온수를 분사하는 린스 분사부(120, 121)를 포함할 수 있다. 아쿠아 린스부(100)는 면취 공정이 종료된 기판을 받아 들여 면취 후 세정 공정의 첫 번째 단계로서 기판 상의 이물질 또는 파티클들을 기체 분사에 의하여 밀어 내면서 탈 이온수를 분사하여 기판을 적셔주는 역할을 한다. 아쿠아 린스부(100)는 기판에 대한 초벌적인 세정을 하여, 초벌 세정된 기판을 브러쉬 세정부(200)로 넘겨주는 역할을 한다.The aqua rinse unit 100 may include a first chamber 130 in which a process is performed, first air knives 110 and 111 for injecting gas, and rinse injectors 120 and 121 for injecting deionized water. . The aqua rinse unit 100 serves to wet the substrate by spraying deionized water while accepting the substrate from which the chamfering process is completed and pushing out foreign substances or particles on the substrate by gas injection as a first step of the cleaning process after chamfering. The aqua rinse unit 100 performs the initial cleaning on the substrate, and serves to pass the initial cleaned substrate to the brush cleaning unit 200.

브러쉬 세정부(200)는 탈 이온수 및 브러쉬를 이용하여 면취된 기판을 세정하는 역할을 한다. 브러쉬 세정부(200)는 탈 이온수 및 브러쉬를 이용하여 기판을 세정하는 공간을 제공하는 제2 챔버(230) 및 제2 챔버 하부에 형성되어 탈 이온수가 수집되는 제1 처리조(260)를 포함할 수 있다. 브러쉬 세정부(200)는 탈 이온수를 분사하는 이온수 분사부(210, 211, 220, 221, 240, 241) 및 브러쉬에 의하여 기판 상에 잔류하는 이물질을 쓸어 내는 롤 브러쉬(270)를 포함할 수 있다.The brush cleaner 200 serves to clean the chamfered substrate using deionized water and a brush. The brush cleaner 200 includes a second chamber 230 that provides a space for cleaning the substrate using deionized water and a brush, and a first treatment tank 260 formed under the second chamber to collect deionized water. can do. The brush cleaning unit 200 may include ion water spray units 210, 211, 220, 221, 240, and 241 for spraying deionized water and a roll brush 270 to sweep out foreign substances remaining on the substrate by a brush. have.

제2 챔버(230) 및 제1 처리조(260)는 일체로 구성될 수 있고, 또는 제1 처리조(260)는 제2 챔버(230)에 포함되는 구성으로 이루어질 수도 있다. 제1 처리조(260)는 제2 챔버(230)에 하단부에 위치하여, 기판 세정에 사용된 탈 이온수가 그대로 낙하하여 수집되는 공간을 제공한다. 여기서, 탈 이온수(De-Ionized Water)는 일반적인 물에 무기염류를 제거하여 순수한 물에 가까운 물을 말하며, 예를 들어 이온교환수지가 사용되어 천연수에 포함된 나트륨, 칼슘 등의 양이온과 염소이온, 황산이온 등의 음 이온을 제거할 수 있다.The second chamber 230 and the first processing tank 260 may be integrally formed, or the first processing tank 260 may be configured to be included in the second chamber 230. The first treatment tank 260 is positioned at the lower end of the second chamber 230 to provide a space in which deionized water used to clean the substrate falls as it is and is collected. Here, de-ionized water refers to water close to pure water by removing inorganic salts in general water. For example, ion-exchange resin is used to cation and chlorine ions such as sodium and calcium in natural water. And negative ions such as sulfate ions can be removed.

따라서, 제2 챔버(230) 상에서의 세정 공정이 이루어 진 후의 탈 이온수를 별도의 수집 배관 또는 수집 탱크를 이용하지 않고, 공정 챔버 하부에 남겨진 공간을 처리조로 활용함으로써 탈 이온수를 효율적으로 수집하여 비용을 절감할 수 있다.Therefore, the deionized water after the cleaning process on the second chamber 230 is not used in a separate collection pipe or a collection tank, and the deionized water is efficiently collected by utilizing the space left below the process chamber as a treatment tank. Can reduce the cost.

이와 함께, 면취 후 세정 공정에서는 주로 이용되는 세정액이 탈 이온수로서, 일반적인 에칭, 현상, 포토 공정 등에서의 세정에 사용되는 화학 세정액을 사용할 필요가 없다. 따라서, 공정 챔버 내에 약액에 의한 부유 파티클 또는 흄(Fume) 등이 발생하지 않기에, 면취 후 세정 공정에서는 사용된 탈 이온수를 공정 챔버 하부에 위치하는 처리조에서 수집함으로써 간편한 구성에 의하여 탈 이온수를 수거할 수 있다.In addition, in the post-chamfering cleaning process, the cleaning liquid mainly used is deionized water, and it is not necessary to use a chemical cleaning liquid used for cleaning in general etching, developing, photo processes, and the like. Therefore, no floating particles or fumes due to chemicals are generated in the process chamber, and thus, in the post-chamfering cleaning process, deionized water is collected by a simple configuration by collecting used deionized water in a treatment tank located below the process chamber. Can be collected.

이류체 세정부(300)는 기체와 탈 이온수가 뒤섞인 이류체를 분사하여 면취 된 기판을 세정하는 역할을 한다. 이류체 세정부(300)는 세정 공정의 공간을 제공하는 제3 챔버(330), 및 기체와 탈 이온수를 혼합한 이류체를 분사하는 이류체 분사부(310, 311)를 포함할 수 있다. 이류체 분사부(310, 311)는 면취된 기판에 수직 또는 소정의 각도로 기울어져 기판 상의 이물질을 제거할 수 있다. 이류체 분사부(310, 311)는 에어 나이프를 통한 기체 분사에 의한 빠른 속도의 효과 및 탈 이온수의 액체 분사에 따른 세정력 증대 효과를 일으켜 기판 상에 잔류하는 이물질을 충분히 제거할 수 있다.The air cleaning unit 300 serves to clean the chamfered substrate by spraying a gas mixture of gas and deionized water. The two-fluid cleaning unit 300 may include a third chamber 330 that provides a space for a cleaning process, and two-fluid injection parts 310 and 311 which spray the two-fluid mixed with gas and deionized water. The two-fluid jet parts 310 and 311 may be inclined at a predetermined angle or perpendicular to the chamfered substrate to remove foreign substances on the substrate. The two-fluid jet parts 310 and 311 may sufficiently remove foreign substances remaining on the substrate by causing a high speed effect by gas injection through an air knife and an effect of increasing cleaning power due to liquid injection of deionized water.

직수 세정부(400)는 면취 된 기판에 최종적으로 유틸리티(미도시)로부터 연결된 직수를 도입하여 분사하는 역할을 한다. 여기서, 직수는 재활용 또는 재사용되지 않고, 공장 또는 설비 등에서 공급해 주는 탈 이온수를 말한다. 일정한 시간 이상으로 지체되거나 머무르는 탈 이온수는 미생물 증식 또는 미세 파티클 오염의 염려가 있어, 이를 방지하는 직수를 이용하여 최종적인 기판의 세정에 사용할 수 있다.Direct water cleaning unit 400 serves to inject and spray the water directly connected from the utility (not shown) to the chamfered substrate. Here, direct water refers to deionized water supplied from a factory or facility without being recycled or reused. De-ionized water that is delayed or stayed for a certain time or more may cause microbial growth or fine particle contamination, and may be used to clean the final substrate by using direct water to prevent it.

직수 세정부(400)는 직수를 분사하는 직수 분사부(410, 411, 420, 421, 440, 441)를 포함하여, 직수 분사부(410, 411, 420, 421, 440, 441)를 통하여 기판 상에 직수를 균일하게 분사시킬 수 있다. 직수 세정부(400)는 사용된 직수를 제4 챔 버(430)에서 곧바로 회수하는 제2 처리조(460)를 포함할 수 있다. 따라서, 사용된 직수를 수거하기 위한 별도의 배관 라인 또는 수거 탱크를 이용하지 않고서도, 제4 챔버(430) 하부에 위치하는 제2 처리조(460)에 의하여 간편하게 직수를 회수할 수 있다. 회수된 직수는 제1 챔버(130), 제2 챔버(230) 및/또는 제3 챔버(330)에서 탈 이온수로서 재사용할 수 있다.The direct cleaning unit 400 includes direct injection units 410, 411, 420, 421, 440, and 441 for injecting direct water, and the substrates through the direct injection units 410, 411, 420, 421, 440, and 441. Water can be sprayed uniformly onto the bed. The direct water cleaner 400 may include a second treatment tank 460 for directly recovering the used direct water from the fourth chamber 430. Therefore, direct water can be recovered easily by the second processing tank 460 located below the fourth chamber 430 without using a separate pipe line or a collection tank for collecting used water. The recovered direct water may be reused as deionized water in the first chamber 130, the second chamber 230, and / or the third chamber 330.

건조부(500)는 기판 상에 탈 이온수를 건조시키는 역할을 한다. 건조부(500)는 기체를 슬릿을 통하여 분사하는 제2 에어나이프(510, 511, 520, 521)을 포함할 수 있다. 제2 에어나이프(510, 511, 520, 521)는 기판 건조의 효율을 높이기 위하여 일정한 각도로 기울여 분사하여 분사할 수 있다. 이와 함께, 제2 에어나이프(510, 511, 520, 521)는 건조 효율을 높이기 위하여 타원형 또는 'V' 자형으로 형성되어, 기판 상으로 기체를 분사할 수 있다.The drying unit 500 serves to dry the deionized water on the substrate. The drying unit 500 may include second air knives 510, 511, 520, and 521 injecting gas through the slits. The second air knifes 510, 511, 520, and 521 may be inclined and sprayed at a predetermined angle to increase the efficiency of drying the substrate. In addition, the second air knives 510, 511, 520, and 521 may be formed in an elliptical or 'V' shape in order to increase drying efficiency, and may inject gas onto the substrate.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 탈 이온수 또는 직수를 공정 챔버의 하단에 처리조에 의하여 곧바로 회수함으로써 별다른 비용 또는 구성에 의하지 않고, 간편하게 탈 이온수 또는 직수를 회수할 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, by directly recovering the deionized water or the direct water by the treatment tank at the lower end of the process chamber, the deionized water or the direct water can be recovered easily without any cost or configuration.

도 3은 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템에서 브러쉬 세정부 및 직수세 세정부의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.3 is a view schematically illustrating the configuration of a brush cleaning unit and a direct washing unit in a cleaning system after chamfering using a treatment tank according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 브러쉬 세정부(200)는 공정을 수행하는 제2 챔버(230), 이온수 분사부(210, 211), 롤 브러쉬(270), 기판 이송부(150) 및 제1 처리조(260)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 3, the brush cleaning unit 200 may include a second chamber 230, ionized water injection units 210 and 211, a roll brush 270, a substrate transfer unit 150, and a first treatment tank (2). 260).

제2 챔버(230)는 브러쉬 세정이 수행되는 공간을 제공하며, 이온수 분사 부(210, 211)는 노즐 지지대(204, 208) 및 복수 개의 분사 노즐(206, 209)를 포함할 수 있다. 이온수 분사부(210, 211)은 노즐 지지대(204, 208) 상의 통로를 통하여 탈 이온수를 공급하며, 소정의 압력 및 온도를 가지는 탈 이온수를 복수개의 분사 노즐(206, 209)을 통하여 면취 된 기판 상에 분사할 수 있다. The second chamber 230 may provide a space in which brush cleaning is performed, and the ionized water injection units 210 and 211 may include nozzle supports 204 and 208 and a plurality of injection nozzles 206 and 209. The ionized water injection units 210 and 211 supply deionized water through the passages on the nozzle supports 204 and 208, and the substrate chamfered through the plurality of injection nozzles 206 and 209 having deionized water having a predetermined pressure and temperature. Spray on the bed.

롤 브러쉬(270)는 로드 상에 브러쉬를 부착하여 기판 상의 파티클 또는 이물질을 제거할 수 있다. 롤 브러쉬(270)는 기판 상부 및/또는 기판 하부에 배치되어, 이동하는 기판에 대하여 회전에 의하여 브러쉬로 기판 상부 및 하부의 파티클 또는 이물질을 털어낼 수 있다.The roll brush 270 may remove the particles or foreign matter on the substrate by attaching the brush on the rod. The roll brush 270 may be disposed above and / or below the substrate, and may shake off particles or foreign substances on the upper and lower substrates with the brush by rotation with respect to the moving substrate.

기판 이송부(150)는 이송 샤프트(144) 및 샤프트에 설치된 이송 롤러(146)를 포함할 수 있다. 기판 이송부(150)는 이송 샤프트(144)를 회전시켜, 이송 롤러(146)를 회전시킴으로써 기판을 이송시킬 수 있다.The substrate transfer unit 150 may include a transfer shaft 144 and a transfer roller 146 installed on the shaft. The substrate transfer unit 150 may rotate the transfer shaft 144 to transfer the substrate by rotating the transfer roller 146.

제1 처리조(260)는 제2 챔버에서 사용된 탈 이온수를 수거하는 역할을 한다. 제1 처리조(260)는 후술할 제2 세정조(460)와 수위를 서로 보상해 줄 수 있는 수위 조절 배관(320), 제1 처리조(260)의 상태를 점검할 수 있는 점검창(263), 및 제1 처리조의 수위를 감지하는 수위 센서(266)를 포함할 수 있다.The first treatment tank 260 collects deionized water used in the second chamber. The first treatment tank 260 is a second cleaning tank 460 to be described later and the water level control pipe 320 that can compensate for each other the water level, the inspection window for checking the state of the first treatment tank 260 ( 263, and a water level sensor 266 for sensing the water level of the first treatment tank.

수위 조절 배관(320)은 제1 처리조(260) 및 제2 처리조(460) 사이의 수위를 조절하여, 회수하는 탈 이온수의 회수량을 적절히 조절할 수 있다.The water level control pipe 320 may adjust the water level between the first treatment tank 260 and the second treatment tank 460 to appropriately adjust the recovery amount of deionized water to be recovered.

이와 함께, 수위 조절 배관(320)을 복수로 하면서, 상기 수위 조절 배관(320) 중 하나에 순환 펌프(미도시)를 설치하여, 회수된 탈 이온수를 서로 혼합할 수도 있다. 또한, 회수된 탈 이온수의 이물질을 제거하기 위하여 파티클 필터 등을 더 포함할 수 있다.In addition, a plurality of water level control pipes 320 may be provided, and a circulation pump (not shown) may be installed in one of the water level control pipes 320 to mix the recovered deionized water with each other. In addition, a particle filter or the like may be further included to remove foreign matters of the recovered deionized water.

점검창(263)은 외부로부터 제1 처리조(260)의 상태를 볼 수 있도록 투명하게 제작되며, 제1 처리조(260)의 탈 이온수를 전부 배수 후에 개폐할 수 있게 함으로써 제1 처리조(260) 내부의 설비 청소, 보수 작업 등을 할 수 있도록 한다.The inspection window 263 is manufactured to be transparent so that the state of the first treatment tank 260 can be seen from the outside, and the first treatment tank can be opened and closed after draining all of the deionized water of the first treatment tank 260. 260) To clean and repair the facilities inside.

수위 센서(266)는 제1 처리조(260)의 수위를 감지하는 역할을 한다. 수위 센서(266)는 제1 처리조(260)의 수위가 일정 수위 이상으로 되는 경우, 배수구(미도시)를 개폐하여 제1 처리조(260)의 수위를 조정할 수 있다.The water level sensor 266 detects the water level of the first treatment tank 260. The water level sensor 266 may adjust the water level of the first treatment tank 260 by opening and closing a drain port (not shown) when the water level of the first treatment tank 260 becomes a predetermined level or more.

한편, 직수 세정부(400)는 유틸리티로부터 직수를 공급받아 최종적인 세정을 하는 공간을 제공하는 제4 챔버(430), 직수 분사부(410, 411), 기판 이송부(150) 및 제2 처리조(460)를 포함할 수 있다.On the other hand, the direct cleaning unit 400 receives the direct water from the utility, the fourth chamber 430, the direct injection unit 410, 411, the substrate transfer unit 150 and the second processing tank providing a space for the final cleaning 460 may include.

제4 챔버(430)는 직수에 의한 최종적인 세정을 수행하는 공간을 제공하며, 직수 분사부(410, 411)는 각각 노즐 지지대(404, 408) 및 복수 개의 분사 노즐(406, 409)를 이용하여 소정의 압력 및 온도를 가지는 탈 이온수를 복수개의 분사 노즐(406, 409)을 통하여 면취 된 기판 상에 분사할 수 있다. The fourth chamber 430 provides a space for performing final cleaning by direct water, and the direct jet parts 410 and 411 use nozzle supports 404 and 408 and a plurality of jet nozzles 406 and 409, respectively. Deionized water having a predetermined pressure and temperature can be sprayed onto the chamfered substrate through the plurality of spray nozzles (406, 409).

기판 이송부(150)는 이송 샤프트 및 이송 롤러에 의하여 기판(W)을 이송시키는 역할을 한다.The substrate transfer unit 150 serves to transfer the substrate W by a transfer shaft and a transfer roller.

제2 처리조(460)는 면취 된 기판의 세정에 사용된 직수를 수집하여 임시로 저장하는 역할을 한다. 제2 처리조(460)는 제1 세정조(260)와 수위를 서로 보상해 줄 수 있는 수위 조절 배관(320), 제2 처리조(460)의 상태를 점검할 수 있는 점검창(463), 및 제2 처리조의 수위를 감지하는 수위 센서(466)를 포함할 수 있다.The second treatment tank 460 collects water used for cleaning the chamfered substrate and temporarily stores the water. The second treatment tank 460 checks the state of the water level control pipe 320 and the second treatment tank 460 that can compensate each other for the first washing tank 260 and the water level. And a water level sensor 466 for detecting the water level of the second treatment tank.

상기와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 기판의 세정에 사용되는 탈 이온수를 별도의 배관이나 수집 탱크에 의하지 아니하고, 공정이 수행된 후에 공정 챔버 하부에 있는 처리조에 곧바로 수집될 수 있다. 따라서, 별도의 비용을 추가할 필요 없이, 처리조에 의하여 탈 이온수 수집 후에 재사용을 함으로써, 비용을 절감할 수 있고, 탈 이온수의 수집 효율을 높일 수 있다.As described above, according to an embodiment of the present invention, deionized water used for cleaning the substrate may be collected immediately in a treatment tank under the process chamber after the process is performed, without using a separate pipe or a collection tank. Therefore, the cost can be reduced and the collection efficiency of deionized water can be improved by reusing after deionized water collection by a treatment tank, without adding additional cost.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지로 치환, 변형 및 변경이 가능하므로 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains have various permutations, modifications, and modifications without departing from the spirit or essential features of the present invention. It is to be understood that modifications may be made and other embodiments may be embodied. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

도 1은 일반적인 평판 디스플레이 공정에서 액정표시장치의 제조 공정을 보여주는 흐름도이다.1 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a liquid crystal display in a general flat panel display process.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템의 개략적인 단면도이다.2 is a schematic cross-sectional view of a chamfering cleaning system using a treatment tank according to an embodiment of the present invention.

도 3은 발명의 일 실시예에 따른 처리조를 이용한 면취 후 세정 시스템에서 브러쉬 세정부 및 직수세 세정부의 구성을 개략적으로 보여주는 도면이다.3 is a view schematically illustrating the configuration of a brush cleaning unit and a direct washing unit in a cleaning system after chamfering using a treatment tank according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

100: 제1 챔버 200: 제2 챔버100: first chamber 200: second chamber

300: 제3 챔버 400: 제4 챔버300: third chamber 400: fourth chamber

500: 제5 챔버500: fifth chamber

110, 111: 제1 에어나이프110, 111: first air knife

210, 211, 220, 221, 240, 241: 이온수 분사부210, 211, 220, 221, 240, 241: ionized water injection unit

270: 롤 브러쉬270: roll brush

310, 311: 이류체 분사부310, 311: air atomizing part

410, 411, 420, 421, 440, 441: 직수 분사부410, 411, 420, 421, 440, 441: direct jet

510, 511, 520, 521: 제2 에어나이프510, 511, 520, 521: second air knife

260: 제1 저수조 460: 제2 저수조260: first reservoir 460: second reservoir

263, 463: 점검창263, 463: inspection window

266, 466: 수위 조절 밸브266, 466: level control valve

Claims (6)

회수된 탈 이온수와 브러쉬를 이용하여 면취된 기판을 세정하는 브러쉬 세정부;A brush cleaning unit for cleaning the chamfered substrate using the recovered deionized water and a brush; 상기 브러쉬 세정부를 통과한 상기 면취된 기판에 소정의 직수를 분사하는 직수 세정부; 및Direct water cleaning unit for spraying a predetermined number of direct water to the chamfered substrate passing through the brush cleaning unit; And 상기 직수 세정부를 통과한 상기 면취된 기판을 에어 나이프를 이용하여 건조시키는 건조부를 포함하며,It includes a drying unit for drying the chamfered substrate passing through the direct water cleaning unit using an air knife, 상기 브러쉬 세정부 및 상기 직수 세정부는 각각 상기 회수된 탈 이온수 및 상기 직수를 사용 후에 수거하는 처리조를 포함하며,The brush cleaning unit and the direct water cleaning unit each include a treatment tank for collecting the recovered deionized water and the direct water after use, 상기 브러쉬 세정부는The brush cleaning unit 상기 면취된 기판이 세정되는 공간을 제공하는 제1 세정 챔버; 및A first cleaning chamber providing a space in which the chamfered substrate is cleaned; And 상기 제1 세정 챔버 하부에 상기 세정에 사용된 탈 이온수가 수집되는 제1 처리조를 더 포함하는, 면취 후 세정 시스템.And a first treatment tank in which deionized water used for cleaning is collected under the first cleaning chamber. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 직수 세정부는According to claim 1, wherein the direct cleaning unit 상기 직수가 분사되는 공간을 제공하는 제2 세정 챔버; 및A second cleaning chamber providing a space in which the direct water is injected; And 상기 제2 세정 챔버 하부에 상기 직수가 수집되는 제2 처리조를 더 포함하는, 면취 후 세정 시스템.And a second treatment tank in which the direct water is collected below the second cleaning chamber. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 브러쉬 세정부 및 상기 직수 세정부 사이에 위치하며, 상기 회수된 탈 이온수 및 기체를 포함하는 이류체를 이용하여 상기 면취된 기판을 세정하는 이류체 세정부를 더 포함하는, 면취 후 세정 시스템.And a distillate cleaner disposed between the brush cleaner and the direct water cleaner, for cleaning the chamfered substrate using the recovered liquid containing deionized water and gas. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 처리조는 상기 제2 처리조의 수위를 조절하는 수위 조절 배관을 포함하는, 면취 후 세정 시스템.The first treatment tank includes a level control pipe for adjusting the water level of the second treatment tank, chamfering cleaning system. 제 3항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 처리조 및 상기 제2 처리조는 상기 각 처리조를 점검할 수 있는 점검창 및 상기 각 처리조의 수위를 감지하는 수위 센서를 포함하는, 면취 후 세정 시스템.The first treatment tank and the second treatment tank includes an inspection window capable of inspecting the respective treatment tanks and a water level sensor for detecting the level of each treatment tank.
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JPH10150008A (en) * 1996-11-15 1998-06-02 Ebara Corp Method and equipment for polishing substrate

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JPH10150008A (en) * 1996-11-15 1998-06-02 Ebara Corp Method and equipment for polishing substrate

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