KR100991610B1 - Method of Manufacturing Thin Film for Black Matrix and Thin Film for Black Matrix Using The Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 블랙 매트릭스용 박막 제조방법에 관한 것으로, 특히 유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성하는 단계; 상기 알루미나(Al2O3)층 위에 크롬산화물(Cr2O3)층을 형성하는 단계; 및 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 위에 크롬(Cr)층을 형성하는 단계를 포함하는 블랙 매트릭스용 박막 제조방법에 대한 것이다. 본 발명에 따르면 블랙 매트릭스용 박막의 제조시 광차단 효과를 향상시킬 수 있는 알루미나(Al2O3)층을 증착하여 형성함으로써 광차단 효과가 높은 블랙 매트릭스용 박막을 제공할 수 있는 효과가 있다.The present invention relates to a method for manufacturing a thin film for a black matrix, in particular, forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer on a glass substrate; Forming a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer on the alumina (Al 2 O 3 ) layer; And a chromium (Cr) layer formed on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer. According to the present invention, there is an effect of providing a black matrix thin film having a high light blocking effect by depositing and forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer which can improve the light blocking effect when manufacturing the black matrix thin film.

블랙 매트릭스, 알루미나, 크롬, 크롬산화물 Black Matrix, Alumina, Chromium, Chromium Oxide

Description

블랙 매트릭스용 박막 제조방법 및 이에 따른 블랙 매트릭스용 박막{Method of Manufacturing Thin Film for Black Matrix and Thin Film for Black Matrix Using The Same}Method of Manufacturing Thin Film for Black Matrix and Thin Film for Black Matrix Using The Same}

본 발명은 평판 디스플레이와 같은 표시장치에 사용되는 차광막인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법에 관한 것으로, 특히 블랙 매트릭스용 박막을 제조하는 과정에서 알루미나층을 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스용 박막 제조방법 및 이에 따른 블랙 매트릭스용 박막에 대한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a thin film for a black matrix, which is a light shielding film used in a display device such as a flat panel display. In particular, a method for manufacturing a thin film for a black matrix, wherein an alumina layer is formed in the process of manufacturing the black matrix thin film. Accordingly, the present invention relates to a thin film for a black matrix.

평판 디스플레이의 상부 기판에 형성되어 있는 서브-픽셀(sub-pixel) 영역들은 일반적으로 "블랙 매트릭스"(Black Matrix)라고 하는 불투명 그물 구조로 분리되어 있다. 상기 블랙 매트릭스는 서브-픽셀 영역들을 분리함으로써, 전자에 의해 다른 서브-픽셀이 발광되는 것을 방지하고, 외부로부터 입사되는 광의 반사를 최소화시켜, 고해상도의 선명한 화질을 가지는 화상이 표시되게 한다. 일반적으로, 블랙매트릭스는 약 2 내지 3㎛의 두께로 서브-픽셀의 주위에 형성된다.Sub-pixel regions formed on the upper substrate of a flat panel display are separated into an opaque mesh structure commonly referred to as a "black matrix". The black matrix separates the sub-pixel regions, thereby preventing other sub-pixels from emitting light by the electrons and minimizing the reflection of light incident from the outside, so that an image having a high resolution and clear image quality is displayed. In general, black matrices are formed around the sub-pixels with a thickness of about 2 to 3 μm.

도 1은 일반적인 블랙매트릭스가 구비된 액정디스플레이의 단면도이다. 액정디스플레이는 크게 판넬부, 구동회로부, 백라이트 및 샤시부로 구성되며, 도 1에 나타낸 바와 같이, 상기 액정디스플레이의 판넬부는 편광판(Polarizer), 보상판, 블랙매트릭스, 칼라필터, 투명보호막(Overcoat), 투명유리(Bare Glass), 투명전극(ITO), 배향막, 액정, 실란트(Sealant)로 이루어진다. 1 is a cross-sectional view of a liquid crystal display equipped with a general black matrix. The liquid crystal display is largely comprised of a panel portion, a driving circuit portion, a backlight, and a chassis portion. As shown in FIG. 1, the panel portion of the liquid crystal display includes a polarizer, a compensation plate, a black matrix, a color filter, an overcoat, It consists of a bare glass, a transparent electrode (ITO), an alignment film, a liquid crystal, and a sealant.

이 중에서 블랙매트릭스는 컬러필터 기판에 설치되는 차광막으로서, ① 칼라필터의 픽셀 사이에 형성되어 R, G, B 각 픽셀에서 나온 빛들이 서로 간섭을 하지 않도록 구분하고 차단하는 광 간섭 방지 기능, ② 다크 상태에서 화소 전극 주변부의 광 누설을 차단하여 액정디스플레이의 대조비(contrast)를 향상시켜 주는 기능, ③ 단위 셀의 픽셀과 픽셀 사이로 백라이트의 투과를 차단하는 기능, ④ 외부에서 들어온 빛이 반사되지 않도록 흡수하는 기능, ⑤ 박막트랜지스터의 직접적인 광 조사를 차단하여 박막트랜지스터 누설전류의 증가를 방지하는 기능 등을 가진다.Among them, the black matrix is a light shielding film installed on the color filter substrate. ① It is formed between the pixels of the color filter, and the optical interference prevention function that distinguishes and blocks the light emitted from each of the R, G, and B pixels from interfering with each other. In this state, it blocks the light leakage around the pixel electrode to improve the contrast of the liquid crystal display. ③ It blocks the transmission of the backlight between the pixel of the unit cell and the pixel. ④ It absorbs the light from outside. ⑤ It has the function to prevent the increase of leakage current of thin film transistor by blocking direct light irradiation of thin film transistor.

상기 블랙매트릭스가 전도성 물질로 형성된 경우에는 블랙매트릭스에 입사된 전자에 의해 형성되는 과잉 전하가 평판 디스플레이의 상부 기판으로부터 용이하게 제거되어, 전자빔의 산란으로 인한 디스플레이의 불안정성을 방지할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스에 사용될 수 있는 전도성 물질로는 전도성 흑연 또는 광반사율이 적은 전도성 유기 고분자 수지 등이 있다. 그리고, 광반사율을 줄이고 콘트라스트를 더욱 향상시키기 위하여, 광학 밀도(optical density) 3.5 이상의 크롬(Cr)/ 크 롬산화물(CrOx)과 같은 금속 박막 또는 카본 계통의 유기 재료가 사용될 수도 있다. 특히, 상기 크롬/크롬산화물의 이층막을 포함하는 블랙매트릭스는 액정 스크린의 저반사화를 목적으로 사용되기도 한다.When the black matrix is formed of a conductive material, excess charge formed by electrons incident on the black matrix is easily removed from the upper substrate of the flat panel display, thereby preventing instability of the display due to scattering of the electron beam. Conductive materials that can be used for the black matrix include conductive graphite or conductive organic polymer resins having low light reflectance. In order to reduce light reflectance and further improve contrast, a metal thin film or a carbon-based organic material such as chromium (Cr) / chromium oxide (CrOx) having an optical density of 3.5 or more may be used. In particular, the black matrix including the two-layer film of chromium / chromium oxide may be used for the purpose of low reflection of the liquid crystal screen.

상기 크롬/크롬산화물의 이층막을 포함하는 블랙매트릭스는 유리 기판을 세정한 후, 블랙매트릭스의 재료로 사용되는 크롬 및 크롬산화물을 유리 기판 위에 도포하여 박막층을 형성한 다음, 박막트랜지스터 어레이 공정과 유사하게 패턴 형성함으로써 형성될 수 있다.The black matrix including the chromium / chromium oxide two-layer film is cleaned of the glass substrate, and then coated with chromium and chromium oxide, which is used as the material of the black matrix, on the glass substrate to form a thin film layer, and then similar to the thin film transistor array process. It can be formed by forming a pattern.

상기의 블랙매트릭스용 크롬/크롬산화물 박막층은 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법, 화학기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition) 등의 증착 방법에 의해 형성될 수 있으며, 증착 방법에 따라 박막의 질이 달라질 수 있다. 그리고, 상기 크롬산화물(CrOx)은 X로 표시되는 성분비에 따라 광투과율 및 광흡수도가 달라지고, 증착 과정에서 그 물성이 변할 수 있다. 크롬산화물(CrOx)은 X 값에 따라 Cr, CrO2, CrO3, Cr2O3, Cr3O4가 있으며, 상기 크롬산화물들의 알려진 성질은 다음과 같다.The chromium / chromium oxide thin film layer for the black matrix may be formed by a deposition method such as a sputtering deposition method, an electron beam deposition method, a chemical vapor deposition method (CVD), and the quality of the thin film may vary depending on the deposition method. In addition, the chromium oxide (CrOx) may have a light transmittance and a light absorbency different according to the component ratio represented by X, and its physical properties may change during the deposition process. The chromium oxide (CrOx) is Cr, CrO 2 , CrO 3 , Cr 2 O 3 , Cr 3 O 4 according to the X value, the known properties of the chromium oxides are as follows.

CrO2: 검정색의 결정체, 녹는점 400 ℃, 비중 4,900 kg/m3 CrO 2 : black crystal, melting point 400 ℃, specific gravity 4,900 kg / m 3

CrO3: 암적색의 결정체, 녹는점 190 ℃, 비중 2,700 kg/m3 CrO 3 : Dark red crystals, Melting point 190 ℃, Specific gravity 2,700 kg / m 3

Cr2O3: 녹색의 결정체, 녹는점 2,450 ℃, 비중 5,200 kg/m3 Cr 2 O 3 : Green crystals, Melting point 2,450 ℃, Specific gravity 5,200 kg / m 3

Cr3O4: 결정체, 비중 6,100 kg/m3 Cr 3 O 4 : Crystals, specific gravity 6,100 kg / m 3

상기의 크롬산화물(CrOx) 중에서, CrO2는 광차단 효과가 좋은 검정색이어서 블랙매트릭스용 박막의 재료로 가장 좋을 것으로 기대된다. 그러나, 상기 CrO2는 특정 기판에서만 선택적인 성장을 보이고, 대기 및 상온에서는 준안정성을 가져 시간이 지남에 따라 Cr2O3로 분해되는 문제가 있다. 그리고, 낮은 온도에서는 단일 성분의 박막으로 제조하기 어려운 단점도 있다.Among the chromium oxides (CrOx), CrO 2 is expected to be the best as a material of the thin film for black matrix because it is a good black light blocking effect. However, the CrO 2 shows a selective growth only in a specific substrate, has a metastable stability in the air and room temperature, there is a problem that decomposes into Cr 2 O 3 over time. In addition, there is a disadvantage in that it is difficult to produce a thin film of a single component at low temperatures.

이에 따라, 종래에는 상기 크롬산화물 중에서 가장 안정적인 Cr2O3를 이용하여 블랙매트릭스용 박막을 제조하는 방법이 이용되고 있다. Accordingly, in the related art, a method of manufacturing a black matrix thin film using the most stable Cr 2 O 3 among the chromium oxides is used.

그러나, 상기 Cr2O3는 안정적인 장점은 있으나 검정색의 산화물에 비해 광차단 효과가 다소 떨어지는 녹색을 띠고 있다. 따라서, 안정적이면서도 광차단 효과를 최대화한 블랙 매트릭스용 박막의 개발이 요구되는 실정이다. However, the Cr 2 O 3 has a stable advantage, but has a slightly lower light blocking effect compared to black oxide. Therefore, there is a need for the development of a thin film for black matrix that is stable and maximizes the light blocking effect.

이에, 본 발명자는 알루미나(Al2O3)층을 블랙 매트릭스용 박막에 적용하여 안정적이면서도 광차단 효과를 더욱 높인 블랙 매트릭스용 박막을 개발하고, 본 발 명을 완성하게 되었다.Accordingly, the present inventors have developed a thin film for black matrix having a stable and higher light blocking effect by applying an alumina (Al 2 O 3 ) layer to the black matrix thin film, and completed the present invention.

본 발명은 블랙 매트릭스용 박막의 제조시에 알루미나(Al2O3)층을 형성함으로써, 광차단 효과를 한층 향상시킨 블랙 매트릭스용 박막의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for producing a black matrix thin film, which further improves the light blocking effect by forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer during the manufacture of the thin film for black matrix.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명은 유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성하는 단계; 상기 알루미나(Al2O3)층 위에 크롬산화물(Cr2O3)층을 형성하는 단계; 및 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 위에 크롬(Cr)층을 형성하는 단계를 포함하는 블랙 매트릭스용 박막 제조방법을 제공한다.The present invention for achieving the above object is a step of forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer on the glass substrate; Forming a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer on the alumina (Al 2 O 3 ) layer; And forming a chromium (Cr) layer on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer.

또한, 상기 알루미나(Al2O3)층의 두께는 10nm 내지 30nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법을 제공한다.In addition, the thickness of the alumina (Al 2 O 3 ) layer provides a method for producing a thin film for a black matrix of 10nm to 30nm.

또한, 상기 크롬산화물(Cr2O3)층의 두께는 40nm 내지 80nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법을 제공한다.In addition, the thickness of the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer provides a thin film manufacturing method for a black matrix of 40nm to 80nm.

또한, 상기 크롬(Cr)층의 두께는 150nm 내지 200nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법을 제공한다.In addition, the thickness of the chromium (Cr) layer provides a thin film manufacturing method for a black matrix of 150nm to 200nm.

본 발명은 또한, 상기 제조방법에 따라 제조되어, 알루미나(Al2O3)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스용 박막을 제공한다.The present invention also provides a thin film for a black matrix, which is manufactured according to the above production method and comprises an alumina (Al 2 O 3 ) layer.

이하, 본 발명에 대해 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

상기한 본 발명에 따른 블랙 매트릭스용 박막 제조방법은 상기 박막의 제조시에 크롬산화물층의 광차단 효과를 향상시킬 수 있는 알루미나(Al2O3)층을 증착하여 형성함으로써, 안정적이면서도 광차단 효과가 한층 향상된 블랙 매트릭스용 박막을 제공할 수 있는 효과가 있다.The method for manufacturing a thin film for a black matrix according to the present invention is formed by depositing an alumina (Al 2 O 3 ) layer which can improve the light blocking effect of the chromium oxide layer in the manufacture of the thin film, thereby providing a stable and light blocking effect. There is an effect that can provide a further improved thin film for the black matrix.

본 발명은 블랙 매트릭스용 박막의 제조시 알루미나(Al2O3)층을 형성함으로써, 광차단 효과가 한층 향상된 블랙 매트릭스용 박막 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a thin film for black matrix by forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer when manufacturing the thin film for black matrix, further improved.

보다 상세하게는, 유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성하는 단계; 상기 알루미나(Al2O3)층 위에 크롬산화물(Cr2O3)층을 형성하는 단계; 및 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 위에 크롬(Cr)층을 형성하는 단계를 포함하는 블랙 매트릭스용 박막 제조방법에 대한 것이다.More specifically, the step of forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer on the glass substrate; Forming a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer on the alumina (Al 2 O 3 ) layer; And a chromium (Cr) layer formed on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer.

이하에서는, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명에 따른 블랙 매트릭스용 박막 제조방법을 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a thin film manufacturing method for a black matrix according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

먼저, 본 발명에 따른 블랙 매트릭스용 박막의 제조방법은 유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성한다. First, the method for manufacturing a black matrix thin film according to the present invention forms an alumina (Al 2 O 3 ) layer on a glass substrate.

상기 유리 기판은 평판 디스플레이를 구성하기에 적합하도록 평활성이 우수한 무알칼리 유리로 이루어진 것이 바람직하고, 공정 중에 발생할 수도 있는 오염을 방지하기 위해 유막제거 크리닝 공정으로 세정하여 준비한다. The glass substrate is preferably made of an alkali-free glass having excellent smoothness so as to be suitable for constructing a flat panel display. The glass substrate is cleaned and prepared by an oil film removal cleaning process to prevent contamination that may occur during the process.

그리고, 상기 준비된 유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성한다. 상기 알루미나(Al2O3)층은 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법, 화학기상 증착법 중에서 선택되는 하나의 증착법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하나, 상기 증착법들에 한정되는 것은 아니다.Then, an alumina (Al 2 O 3 ) layer is formed on the prepared glass substrate. The alumina (Al 2 O 3 ) layer is preferably formed by one deposition method selected from sputtering deposition method, electron beam deposition method, chemical vapor deposition method, but is not limited to the deposition methods.

상기 알루미나(Al2O3)층은 절연성 및 광확산 방지 특성을 가진다. 이에 따라, 상기 층은 크롬산화물 중에서 안정적이기는 하지만, 검정색 계열의 크롬산화물 에 비해 광차단 효과가 비교적 낮은 녹색 결정체의 크롬산화물층(Cr2O3)을 보완하여 크롬산화물(Cr2O3)층의 광차단 효과를 향상시키는 역할을 한다.The alumina (Al 2 O 3 ) layer has an insulating property and light diffusion prevention properties. Accordingly, although the layer is stable among the chromium oxides, the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer is complemented by complementing the chromium oxide layer (Cr 2 O 3 ) of the green crystal, which has a light blocking effect relatively lower than that of the black chromium oxide. It serves to improve the light blocking effect of the.

상기 유리 기판 위에 형성되는 알루미나(Al2O3)층의 두께는 10nm 내지 30nm인 것이 바람직하다. 알루미나(Al2O3)층이 상기 두께일 때 광차단 효과가 가장 좋기 때문이다.The thickness of the alumina (Al 2 O 3 ) layer formed on the glass substrate is preferably 10nm to 30nm. This is because the light blocking effect is best when the alumina (Al 2 O 3 ) layer is the thickness.

그리고, 상기 알루미나(Al2O3)층의 위에 크롬산화물(Cr2O3)층을 형성한다. 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 또한 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법, 화학기상 증착법 중에서 선택되는 하나의 증착법을 이용하여 형성하는 것이 바람직하나, 상기 증착법들에 한정되는 것은 아니다. 크롬산화물은 상기한 바와 같이 여러 종류가 있으나, 본 발명에서는 가장 안정적인 물질인 Cr2O3를 적용한다.In addition, a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer is formed on the alumina (Al 2 O 3 ) layer. The chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer is also preferably formed using one deposition method selected from sputtering deposition, electron beam deposition, and chemical vapor deposition, but is not limited to the deposition methods. There are several types of chromium oxides as described above, but in the present invention, Cr 2 O 3 , which is the most stable material, is applied.

상기 크롬산화물(Cr2O3)층은 경면 반사율을 감소시켜 콘트라스트를 향상시키는 역할을 하며, 상기 크롬산화물(Cr2O3)층의 두께는 40nm 내지 80nm인 것이 바람직하다. 크롬산화물층의 두께가 40nm 미만이면 상기 층의 콘트라스트 향상 효과가 미미하고, 80nm부터는 상기 층의 경면 반사율 감소 효과가 일정하므로 상기 층의 두께가 80nm를 초과하는 것은 비경제적이다.The chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer serves to improve the contrast by reducing the mirror reflectance, the thickness of the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer is preferably 40nm to 80nm. If the thickness of the chromium oxide layer is less than 40 nm, the effect of improving the contrast of the layer is insignificant, and from 80 nm, it is uneconomical that the thickness of the layer exceeds 80 nm since the effect of reducing the specular reflectivity of the layer is constant.

다음으로, 상기 크롬산화물(Cr2O3)층의 위에 크롬(Cr)층을 형성한다. 상기 크롬(Cr)층을 증착하는 방법으로는 스퍼터링 증착법, 전자빔 증착법, 화학기상 증착법 등이 이용될 수 있으며 이에 한정되는 것은 아니다.Next, a chromium (Cr) layer is formed on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer. Sputtering deposition, electron beam deposition, chemical vapor deposition, etc. may be used as a method of depositing the chromium (Cr) layer, but is not limited thereto.

상기 크롬층은 2차 전자와 전하 축적에 의한 전자빔의 산란으로 인한 디스플레이의 불안정성을 방지하여 디스플레이의 질과 해상도를 증가시킨다. The chromium layer prevents display instability due to scattering of electron beams due to secondary electrons and charge accumulation, thereby increasing display quality and resolution.

상기 형성되는 크롬(Cr)층의 두께는 150nm 내지 200nm인 것이 바람직하다. 크롬층의 두께가 150nm 미만이면 상기 층의 효과가 미미하고, 200nm부터는 상기 층의 콘트라스트 및 전도도 향상 효과가 일정하므로 상기 층의 두께가 200nm를 초과하는 것은 비경제적이다.The thickness of the formed chromium (Cr) layer is preferably 150nm to 200nm. If the thickness of the chromium layer is less than 150 nm, the effect of the layer is insignificant, and since the contrast and conductivity enhancement effects of the layer are constant from 200 nm, it is uneconomical for the thickness of the layer to exceed 200 nm.

상기 본 발명에 따른 블랙 매트릭스용 박막 제조방법은 크롬산화물 중 가장 안정적인 Cr2O3를 적용하고, 상기 Cr2O3의 광차단 효과를 보완하는 알루미나(Al2O3)층을 증착하여 형성함으로써, 블랙 매트릭스용 박막의 안정성, 광차단 효과와 같은 물성을 더욱 우수하게 할 수 있다.In the method for manufacturing a thin film for black matrix according to the present invention, by applying the most stable Cr 2 O 3 of the chromium oxide, and by forming alumina (Al 2 O 3 ) layer to compensate for the light blocking effect of the Cr 2 O 3 In addition, the physical properties such as stability of the thin film for black matrix and light blocking effect can be further improved.

도 2는 상기 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 블랙 매트릭스용 박막의 단면도이다. 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 블랙 매트릭스용 박막은 유리 기판(20) 위에 알루미나(Al2O3)층(21)이 형성되고, 상기 알루미나(Al2O3)층 위에 크롬산화물(Cr2O3)층(22)이 형성되며, 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 위 에 크롬(Cr)층(23)이 형성된다.2 is a cross-sectional view of a thin film for a black matrix manufactured according to the preferred embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, in the black matrix thin film according to the present invention, an alumina (Al 2 O 3 ) layer 21 is formed on a glass substrate 20, and chromium oxide (Al 2 O 3 ) is formed on the alumina (Al 2 O 3 ) layer. A Cr 2 O 3 ) layer 22 is formed, and a chromium (Cr) layer 23 is formed on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer.

상기와 같이 본 발명에 따라 제조된 블랙 매트릭스용 박막은 크롬과 가장 안정적인 크롬산화물의 이중층 및 상기 이중층의 광차단 효과를 향상시키는 알루미나층을 포함함으로써, 평판 디스플레이용 컬러필터 기판에 설치되는 차광막으로 사용되는 블랙 매트릭스용 박막의 광학 특성이 더욱 향상된다.As described above, the black matrix thin film prepared according to the present invention includes a double layer of chromium and the most stable chromium oxide and an alumina layer to improve the light blocking effect of the double layer, thereby being used as a light shielding film installed on a color filter substrate for a flat panel display. The optical characteristic of the thin film for black matrices further improved.

도 1은 종래의 블랙매트릭스가 구비된 액정디스플레이를 나타내는 단면도이고, 1 is a cross-sectional view showing a liquid crystal display equipped with a conventional black matrix,

도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따라 제조된 블랙 매트릭스용 박막을 나타내는 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing a thin film for a black matrix manufactured according to a preferred embodiment of the present invention.

*** 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ****** Explanation of symbols for the main parts of the drawing ***

20 : 유리 기판 21 : 알루미나(Al2O3)층20: glass substrate 21: alumina (Al 2 O 3 ) layer

22 : 크롬산화물(Cr2O3)층 23 : 크롬(Cr)층22: chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer 23: chromium (Cr) layer

Claims (5)

유리 기판 위에 알루미나(Al2O3)층을 형성하는 단계;Forming an alumina (Al 2 O 3 ) layer on the glass substrate; 상기 알루미나(Al2O3)층 위에 크롬산화물(Cr2O3)층을 형성하는 단계; 및Forming a chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer on the alumina (Al 2 O 3 ) layer; And 상기 크롬산화물(Cr2O3)층 위에 크롬(Cr)층을 형성하는 단계를 포함하는 블랙 매트릭스용 박막 제조방법.A method for manufacturing a thin film for a black matrix, comprising forming a chromium (Cr) layer on the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer. 제1항에 있어서, 상기 알루미나(Al2O3)층의 두께는 10nm 내지 30nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법.The method of claim 1, wherein the thickness of the alumina (Al 2 O 3 ) layer is 10 nm to 30 nm. 제1항에 있어서, 상기 크롬산화물(Cr2O3)층의 두께는 40nm 내지 80nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법.The method of claim 1, wherein the chromium oxide (Cr 2 O 3 ) layer has a thickness of 40 nm to 80 nm. 제1항에 있어서, 상기 크롬(Cr)층의 두께는 150nm 내지 200nm인 블랙 매트릭스용 박막 제조방법.The method of claim 1, wherein the chromium (Cr) layer has a thickness of 150 nm to 200 nm. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 형성된 상기 알루미나(Al2O3)층을 포함하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스용 박막.The black matrix thin film comprising the alumina (Al 2 O 3 ) layer formed by the manufacturing method of any one of claims 1 to 4.
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