KR100988192B1 - 발광 소자 - Google Patents

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KR100988192B1
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송재호
조인성
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(주)더리즈
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Abstract

본 발명은 정전압의 내성을 강화하고, 정전압을 효율적으로 분산시키며, 전류 집중 현상을 방지하는 전극 구조를 갖는 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 발광 소자는 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제1 도전형과는 반대되는 제2 도전형 반도체층과, 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제1 도전형 전극 패드와, 제2 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제2 도전형 전극 패드와, 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 제2 도전형 전극과 연결되고 타단은 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 반대 방향으로 형성되는 제1 보조전극을 구비한다. 그리고 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 제2 도전형 전극과 연결되고 타단은 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향으로 형성되는 제2 보조 주전극과, 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 복수의 제2 보조 부전극을 구비하는 제2 보조전극을 구비한다. 여기서, 제2 보조 부전극 각각의 끝단의 연장 방향이 제1 도전형 전극 패드를 향하지 않도록 형성된다.

Description

발광 소자{Light emitting device}
본 발명은 발광 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 정전압의 내성을 강화하고, 정전압을 효율적으로 분산시키며, 전류 집중 현상을 방지하는 전극 구조를 갖는 발광 소자에 관한 것이다.
LED(Light Emitting Diode) 및 LD(Laser Diode)와 같은 발광 소자는 전류를 광으로 변환시키는 소자 중 하나로서, 통상적으로 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에 삽입된 반도체 물질의 활성층을 포함한다. 반도체 발광 소자에서 p형 반도체층과 n형 반도체층 양단에 구동 전류를 인가하면, p형 반도체층과 n형 반도체층으로부터 반도체 물질의 활성층으로 전자(electron) 및 정공(hole)이 주입된다. 주입된 전자와 정공은 반도체 물질의 활성층에서 재결합하여 광을 생성한다.
일반적으로 반도체 발광 소자는 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 질화물계 Ⅲ-Ⅴ족 반도체 화합물로 제조가 되고 있는데, 이것은 단파장광(자외선 내지 녹색광), 특히 청색광을 낼 수 있는 소자가 된다. 그런데, 질화물계 반도체 화합물은 결정 성장을 위한 격자 정합 조건을 만족하는 사파이어 기판이나 실리콘 카바이드(silicon carbide, SiC) 기판 등의 절연성 기판을 이용하여 제조되므로, 구동 전류 인가를 위해 p형 반도체층 및 n형 반도체층 상에 2 개의 전극(p형 전극, n형 전극)이 발광 구조물의 상면에 거의 수평으로 배열되는 수평(planar) 구조를 가진다.
최근 이러한 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자를 조명 광원으로 이용하기 위해서 고휘도화가 요구되고 있으며, 이러한 고휘도화를 달성하기 위하여 전류를 균일하게 확산시켜 발광 효율을 증가시킬 수 있는 구조가 요구된다. 그러나, 수평 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자는, 2 개의 전극이 발광 구조물 상하면에 각각 배치된 수직(vertical) 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광 소자에 비해 전류의 흐름이 전체 발광 영역에 있어 균일하게 분포하지 못하여 발광 효율이 낮은 문제가 있다.
도 1은 종래 질화물계 반도체 발광 소자(1)의 단면 구조이다. 발광 소자(1)는 절연성인 사파이어 기판(2)에 n형 반도체층(3), 활성층(4), p형 반도체층(5) 및 투명 전극(6)이 적층되어 구성된다. 그리고 활성층(4), p형 반도체층(5) 및 투명 전극(6)의 일부가 메사(mesa) 식각되어 드러난 n형 반도체층(3) 위에는 n형 전극(11)이 형성된다. 그리고 투명 전극(6) 위에 p형 전극(15)을 형성한다.
도 2는 도 1에 도시한 종래 발광 소자(1)의 전극 구조를 보여주기 위한 평면도이다.
도 2를 참조하면, p형 전극(15)의 일부로서 와이어 본딩이 이루어질 p형 전극 패드(16)가 투명 전극(6) 상부의 일측 가장자리에 형성되어 있다. 그리고, n형 전극(11)의 일부로서 와이어 본딩이 이루어질 영역인 n형 전극 패드(12)는 p형 전극 패드(16)와 대향하는 타측 가장자리로 n형 반도체층(3) 상에 형성되어 있다.
p형 전극 패드(16)와 n형 전극 패드(12)를 통해 전류를 흘리면 활성층(4)으로 전류가 흐르면서 광이 생성된다. 그런데 일반적으로 p형 전극 패드(16)와 n형 전극 패드(12)는 멀리 떨어져 있기 때문에 발광 소자(1)의 영역에 따라서 전류 밀도가 크게 차이가 난다. 영역에 따른 전류 밀도가 균일해야 발광 효율이 우수하고 구동 전압도 낮출 수 있으므로, 영역에 따른 전류 밀도를 균일하게 하기 위해, p형 전극(15)은 2 개의 p형 보조 전극(17, 18)을 구비한다. 즉, 도 2에 도시된 바와 같이, p형 전극 패드(16)에는 p형 전극 패드(16) 양측에서 뻗어 나온 형태로 p형 보조 전극(17, 18)이 형성되어 있다.
그러나 발광 소자를 이루는 GaN계 화합물 반도체는 격자상수가 다른 사파이어 기판 상에 성장되므로, 격자 불일치에 따른 전위(dislocation)와 같은 결정결함이 108~1010 개 정도 존재한다. 이러한 결정결함은 발광 소자 제조 장비 및 작업자들로부터 발생되는 정전기에 의해 발광 소자에 악영향을 끼치게 된다. 특히, p형 전극과 n형 전극의 최단 경로로 전류가 집중되는 현상에 의해 발광 소자의 정전압 특성이 더욱 악화된다. 도 2와 같은 전극 구조를 갖는 경우, n형 전극 패드(12)를 향하고 있는 p형 보조전극(17)의 끝단에서 특히 정전압에 의한 소자의 손상이 많이 발생하게 된다. 그리고 p형 보조전극(17)의 끝단에 전류가 집중되므로, 이 부분에서 열이 집중적으로 발생하여, 소자의 신뢰성이 저하된다.
발광 소자의 크기를 크게 하면 전류의 흐름이 원활하지 못해 광효율이 저하되고, 전극의 크기를 증가시키면 전류의 흐름은 개선시킬 수 있으나 발광면적이 감소하여 광 효율이 저하된다. 따라서, 전류의 집중 현상을 방지하여 정전압이 효율적으로 분산될 수 있도록 전극 구조를 개선해야 할 필요성이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 정전압의 내성을 강화하고, 정전압을 효율적으로 분산시키며, 전류 집중 현상을 방지하는 전극 구조를 갖는 발광 소자를 제공하는 데에 있다.
상기의 기술적 과제를 해결하기 위한, 본 발명에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1 도전형과는 반대되는 제2 도전형 반도체층; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제1 도전형 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제2 도전형 전극 패드; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며, 일단은 상기 제2 도전형 전극과 연결되고, 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 반대 방향으로 형성되는 제1 보조전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 상기 제2 도전형 전극과 연결되고 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향으로 형성되는 제2 보조 주전극과, 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 복수의 제2 보조 부전극을 구비하는 제2 보조전극;을 포함하며, 상기 제2 보조 부전극 각각의 끝단의 연장 방향이 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하지 않는다.
상기 제2 보조 부전극은 상기 제2 보조 주전극의 형성방향을 기준으로 대칭되도록 형성될 수 있다.
상기 제2 보조전극은 상기 제2 보조 주전극의 형성방향을 기준으로 대칭 형성되는 2개의 제2 보조 부전극을 구비할 수 있다.
상기 제2 보조 부전극 각각은 호 형상을 이루도록 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다. 그리고 상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드를 향하도록 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다. 또한, 상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다.
상기 2개의 제2 보조 부전극이 함께 호 형상을 이루도록, 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드를 향하도록 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다.
상기 제2 보조 부전극 각각은 일 방향으로 길게 뻗은 형상이 되도록 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2 보조 부전극의 형성 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다. 그리고 상기 제2 보조 부전극의 형성 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록 상기 제2 보조 부전극이 형성될 수 있다.
본 발명과 같은 전극 구조를 갖게 되면, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있어, 정전압에 대한 내성이 강화된다. 정전압 내성을 평가한 결과, 본 발명과 같이 제2 보조전극을 형성하면 광효율은 거의 변화가 되지 않은 상태에서, 순방향 전압 인가시 ESD 수율을 57.9%에서 89.8%로 증가시킬 수 있게 되고(ESD 수율 증가율 : 55.1%), 역방향 전압 인가시 ESD 수율을 29.5%에서 34.5%로 증가시킬 수 있게 된다(ESD 수율 증가율 : 16.9%). 그리고 제2 보조전극과 제1 도전형 전극 패드 사이의 전류 집중 현상을 완화시킬 수 있어, 발광 소자 내에 전류가 고르게 퍼지게 된다. 이를 통해 발광 소자의 신뢰성과 수율이 향상된다. 또한, 역방향으로 흐르는 전류를 방지하기 위해 제너 다이오드를 추가적으로 연결할 필요가 없어져, 발광 소자의 제조시간을 단축시킬 수 있고, 제조비용을 절감시킬 수 있다.
도 1은 종래 반도체 발광 소자의 단면도이고, 도 2는 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
이하에서 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 발광 소자의 바람직한 실시예에 대해 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상"에 있다라고 기재되는 경우에, 상기 어떤 층은 상기 다른 층 또는 기판에 직접 접촉하여 존재할 수 있고, 또는, 그 사이에 제3의 층이 개재되어질 수 있다. 뿐만 아니라 아래의 실시예들에서는 제1 도전형이 n형이고 그와 반대되는 제2 도전형이 p형인 경우를 설명하지만 그 반대의 경우도 물론 가능하다.
도 3 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조에 대하여 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명에 따른 발광 소자의 단면도이고, 도 4 내지 도 9는 각각 본 발명의 제1 실시예 내지 제6 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 3 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 발광 소자는, 기판(100) 상에 n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)을 적어도 포함하는 에피층(142)을 포함하여 발광 구조물을 이루고 있다. 도시한 것처럼, 기판(100)과 n형 반도체층(120) 사이 및 p형 반도체층(140)과 p형 전극(160) 사이 중 적어도 어느 하나에 도전층을 더 포함할 수 있다. 본 실시예에서 기판(100)과 n형 반도체층(120) 사이의 도전층은 버퍼층(110), p형 반도체층(140)과 p형 전극(160) 사이의 도전층은 투명 전극(150)이다.
기판(100)은 질화물 반도체 단결정을 성장시키기에 적합한 기판으로서, 바람직하게, 사파이어를 포함하는 투명한 재료를 이용하여 형성되며. 사파이어 이외에 ZnO, GaN, SiC, AlN 등으로 형성될 수 있다.
버퍼층(110)은 기판(100) 상에 n형 반도체층(120)을 성장시키기 전에 기판(100)과의 격자 정합을 향상시키기 위한 층으로, AlN/GaN으로 형성될 수 있다. 버퍼층(110)은 본 실시예 발광 소자의 필수적인 구성 요소는 아니고 발광 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략될 수 있다.
에피층(142)의 n형 반도체층(120)과 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)은, InXAlYGa1-X-YN 조성식(여기서, 0≤X≤1, 0≤Y≤1, 0≤X+Y≤1)을 갖는 반도체 물질로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로, n형 반도체층(120)은, n형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, n형 불순물로는 예를 들어, Si, Ge, Sn 등을 사용하고, 바람직하게는 Si를 주로 사용한다. 또한, p형 반도체층(140)은, p형 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있으며, p형 불순물로는 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 사용하고, 바람직하게는 Mg를 주로 사용한다. 그리고, 활성층(130)은 광을 생성하여 방출하기 위한 층으로, 통상 InGaN층을 우물로 하고 GaN층을 벽층으로 하여 다중양자우물(Multi-Quantum Well)을 형성함으로써 이루어진다. 활성층(130)은 하나의 양자우물층 또는 더블헤테로 구조로 구성될 수도 있다. 버퍼층(110), n형 반도체층(120), 활성층(130) 및 p형 반도체층(140)은 MOCVD, MBE 또는 HVPE와 같은 증착공정을 통해 형성된다.
투명 전극(150)은 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 도전성 금속산화물만이 아니라, 발광 소자의 발광 파장에 대해 투과율이 높다면, 도전성이 높고 콘택 저항이 낮은 금속박막으로도 이루어질 수 있다. 투명 전극(150)도 본 실시예 발광 소자의 필수적인 구성 요소는 아니고 발광 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 생략될 수 있다.
에피층(142)의 일부, 예컨대 활성층(130)과 p형 반도체층(140), 그리고 투명 전극(150)의 일부는 메사 식각으로 제거되어, 저면에 형성된 n형 반도체층(120)의 일부 상면을 노출하고 있다. 이때, 활성층(130)의 가장자리는 n형 반도체층(120)의 사방 가장자리로부터 소정 간격 들여지도록 형성하기도 하는데, 이는 질화물계 반도체 발광 소자 구동시, 전류의 흐름을 활성층(130)의 전면 즉, 발광 면적 전체에 균일하게 확산시키기 위함이다. 그리고 투명 전극(150)도 p형 반도체층(140)의 사방 가장자리로부터 소정 간격 들여 형성될 수 있다.
투명 전극(150) 상에는 p형 전극 패드(160)가 형성된다. 그리고 활성층(130), p형 반도체층(140) 및 투명 전극(150)의 일부가 메사 식각되어 드러난 n형 반도체층(120) 상에는 n형 전극 패드(170)가 형성된다. p형 전극 패드(160)는 소자의 중심을 기준으로 일측에 형성되고, n형 전극 패드(170)는 소자의 중심을 기준으로 타측에 형성된다.
투명 전극(150) 상에는 p형 전극 패드(160)와 연결되는 제1 보조전극(180)과 제2 보조전극(190)이 형성된다.
제1 보조전극(180)은 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된다. 제1 보조전극(180)의 일단은 p형 전극 패드(160)와 연결되고, 제1 보조전극(180)의 타단은 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 반대 방향을 향하도록, 제1 보조전극(180)이 형성된다.
제2 보조전극(190)은 제2 보조 주전극(191)과 복수의 제2 보조 부전극(192, 193)을 구비한다. 제2 보조 주전극(191)은 투명 전극(150) 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성된다. 제2 보조 주전극(191)의 일단은 p형 전극 패드(160)와 연결되고, 제2 보조 주전극(191)의 타단은 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향을 향하도록, 제2 보조 주전극(191)이 형성된다. 제2 보조 부전극(192, 193)은 상기 제2 보조 주전극(191)의 타단으로부터 연장형성된다. 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향은 n형 전극 패드(170)를 향하지 않도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다.
도 4 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 제2 보조 전극(190)은 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)을 구비할 수 있으며, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 제2 보조 주전극(191)의 형성방향을 기준으로 대칭되도록 형성될 수 있다. 도 4 내지 도 9에서는 제2 보조 부전극이 2 개인 경우에 대해 도시하였으나, 이에 한정된 것은 아니고, 제2 보조 부전극의 개수는 더 많을 수 있다. 이때에도 제2 보조 부전극은 제2 보조 주전극(191)의 형성방향을 기준으로 대칭되도록 형성될 수 있다. 즉, 제2 보조 주전극(191)의 형성방향을 기준으로 대칭되도록 형성된 제2 보조 부전극 쌍이 하나 이상 형성될 수 있다. 그리고 제1 보조전극(180)과 제2 보조 주전극(191)은 도 4 내지 도 9에 도시된 바와 같이 동일한 직선 상에 형성될 수 있다.
이와 같은 전극 구조를 가지면, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있으므로, 정전압에 대한 내성이 강화된다. 이에 따라, 발광 소자의 고장 원인이 되는 정전압의 개선으로 소자의 신뢰성과 수율이 향상된다. 그리고 보조전극과 n형 전극 패드 사이의 전류 집중 현상을 완화시킬 수 있어, 발광 소자 내에 전류가 고르게 퍼지게 된다. 또한, 역방향으로 흐르는 전류를 방지하기 위한 제너 다이오드를 추가적으로 연결할 필요가 없어지게 되어, 제조 단가와 제조 시간이 감소하여 생산성이 향상된다.
도 4 내지 도 9에 도시된 6개의 실시예는 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있는 제2 보조 전극의 바람직한 실시예를 나타낸 것이다.
제1 실시예(도 4)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 호 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다.
제2 실시예(도 5)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 호 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)을 향하도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다. 제2 실시예의 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 낫 모양으로 90도 이상 휘어진 형상을 이루게 된다.
제3 실시예(도 6)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 호 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다. 제3 실시예의 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 새싹 모양의 형상을 이루게 된다.
제4 실시예(도 7)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)이 함께 호 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)을 향하도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다. 제4 실시예의 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 함께 반원 형상을 이루게 된다.
제5 실시예(도 8)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 일 방향으로 길게 뻗은 바(bar) 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다. 제5 실시예의 2 개의 보조 부전극(192, 193)은 일직선 형태를 이루게 된다.
제6 실시예(도 9)를 살펴보면, 2 개의 제2 보조 부전극(192, 193)은 일 방향으로 길게 뻗은 바 형상을 이루도록 제2 보조 주전극(191)의 끝단으로부터 연장 형성되되, 제2 보조 주전극(191)을 기준으로 대칭되도록 형성된다. 그리고 각각의 제2 보조 부전극(192, 193)의 끝단의 연장 방향이 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 p형 전극 패드(160)에서 n형 전극 패드(170)를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록, 제2 보조 부전극(192, 193)이 형성된다. 제6 실시예의 2 개의 보조 부전극(192, 193)은 V자 형상을 이루게 된다.
제2 보조 부전극(192, 193)이 어떠한 형상으로 형성되든지, 제2 보조전극(190)에 제2 보조 부전극(192, 193)을 도입함에 따라, 정전압을 효율적으로 분산시킬 수 있게 된다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

Claims (12)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1 도전형과는 반대되는 제2 도전형 반도체층;
    상기 제1 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제1 도전형 전극 패드;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 형성되어 있는 제2 도전형 전극 패드;
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며, 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고, 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 반대 방향으로 형성되는 제1 보조전극; 및
    상기 제2 도전형 반도체층 상에 일 방향으로 길게 뻗은 형상으로 형성되며 일단은 상기 제2 도전형 전극 패드와 연결되고 타단은 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향으로 형성되는 제2 보조 주전극과, 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 복수의 제2 보조 부전극을 구비하는 제2 보조전극;을 포함하며,
    상기 제2 보조 부전극 각각의 끝단의 연장 방향이 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하지 않는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극은 상기 제2 보조 주전극의 형성방향을 기준으로 대칭되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 보조전극은 상기 제2 보조 주전극의 형성방향을 기준으로 대칭 형성되는 2개의 제2 보조 부전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극 각각은 호 형상을 이루도록 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드를 향하도록 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 2개의 제2 보조 부전극이 함께 호 형상을 이루도록, 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 끝단의 연장 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드를 향하도록 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극 각각은 일 방향으로 길게 뻗은 형상이 되도록 상기 제2 보조 주전극의 타단으로부터 연장 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 형성 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향을 갖도록, 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제2 보조 부전극의 형성 방향이 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 상기 제2 도전형 전극 패드에서 상기 제1 도전형 전극 패드를 향하는 방향과 직교하는 방향의 사이 방향을 갖도록 상기 제2 보조 부전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
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