KR100988187B1 - Electrophotographic photoreceptor - Google Patents
Electrophotographic photoreceptor Download PDFInfo
- Publication number
- KR100988187B1 KR100988187B1 KR1020057017097A KR20057017097A KR100988187B1 KR 100988187 B1 KR100988187 B1 KR 100988187B1 KR 1020057017097 A KR1020057017097 A KR 1020057017097A KR 20057017097 A KR20057017097 A KR 20057017097A KR 100988187 B1 KR100988187 B1 KR 100988187B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- group
- substituent
- general formula
- hydrogen atom
- photosensitive member
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0521—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more heterocyclic groups
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/05—Organic bonding materials; Methods for coating a substrate with a photoconductive layer; Inert supplements for use in photoconductive layers
- G03G5/0503—Inert supplements
- G03G5/051—Organic non-macromolecular compounds
- G03G5/0517—Organic non-macromolecular compounds comprising one or more cyclic groups consisting of carbon-atoms only
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06144—Amines arylamine diamine
- G03G5/061443—Amines arylamine diamine benzidine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
- G03G5/06147—Amines arylamine alkenylarylamine
- G03G5/061473—Amines arylamine alkenylarylamine plural alkenyl groups linked directly to the same aryl group
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0616—Hydrazines; Hydrazones
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0618—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen and nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/062—Acyclic or carbocyclic compounds containing non-metal elements other than hydrogen, halogen, oxygen or nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0629—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing one hetero atom
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0627—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered
- G03G5/0631—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being five-membered containing two hetero atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0635—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered
- G03G5/0637—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered containing one hetero atom
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0624—Heterocyclic compounds containing one hetero ring
- G03G5/0635—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered
- G03G5/0638—Heterocyclic compounds containing one hetero ring being six-membered containing two hetero atoms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
- G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
- G03G5/065—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing three relevant rings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0622—Heterocyclic compounds
- G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
- G03G5/0661—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in different ring systems, each system containing at least one hetero ring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
- G03G5/0668—Dyes containing a methine or polymethine group containing only one methine or polymethine group
Abstract
하기 일반식 (1) 로 표시되는 화합물로 이루어지는 전자 이동 재료와, 하기 일반식 (25)∼(27) 로 표시되는 화합물을 갖는 정공 이동 재료와, 전하 발생 재료를 사용하면, 감도가 높은 감광체가 얻어진다.When the electron transfer material which consists of a compound represented by following General formula (1), the hole transfer material which has a compound represented by following General formula (25)-(27), and a charge generating material are used, Obtained.
전자 사진 감광체 Electrophotographic photosensitive member
Description
본 발명은, 전자 사진 감광체의 기술분야에 관한 것으로, 특히, 전자 이동 재료와 정공 이동재와 전하 발생 물질을 함유하는 전자 사진 감광체에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the technical field of an electrophotographic photosensitive member. Specifically, It is related with the electrophotographic photosensitive member containing an electron transfer material, a hole transfer material, and a charge generating substance.
전자 사진 감광체 중, 1개의 감광층에 전하 발생 재료와 전하 이동제가 분산되어, 하나의 감광층이 전하 발생과 전하 이동의 양쪽의 기능을 갖는 단층 분산형 감광체는, 전하 발생층과 전하 이동층으로 기능 분리된 적층형 감광체에 비하여 층 구성이 적기 때문에, 제조가 용이하고 저비용이다.In the electrophotographic photosensitive member, a single-layer dispersed photosensitive member in which a charge generating material and a charge transfer agent are dispersed in one photosensitive layer, and one photosensitive layer has a function of both charge generation and charge transfer is used as the charge generation layer and the charge transfer layer. Compared with the laminated photosensitive member that is functionally separated, there is less layer structure, so that the production is easy and low cost.
그러나 전자이동도가 빠른 전자 이동 재료가 없기 때문에 여전히 실용화되어 있지 않다. 디페노퀴논은 뛰어난 전자이동도를 나타내지만, 정공 이동 재료 및 전하 발생 재료와 상성(相性)이 나빠 충분한 감도를 얻을 수 없다. 그래서 본 발명자들은 퀴논에 활성 메틸렌을 갖는 화합물이 축합된 화합물이 매우 뛰어난 전자이동능을 나타내는 것을 발견하고, 이것들을 사용하여 단층 분산형 감광체를 실현하였다. 그러나, 특히 프린터용 감광체에서는 고속 인자(印字)가 요구되기 때문에, 보다 고감도인 감광체를 얻는 연구가 요망되고 있었다. However, since there is no electron transfer material with high electron mobility, it is still not put to practical use. Although diphenoquinone exhibits excellent electron mobility, sufficient sensitivity with the hole transfer material and the charge generating material cannot be obtained. Therefore, the present inventors have found that a compound in which a compound having an active methylene in quinone is condensed shows an excellent electron transport ability, thereby realizing a monolayer dispersed photosensitive member. However, in particular, since a high speed printing is required in a photosensitive member for a printer, a study for obtaining a more sensitive photosensitive member has been desired.
발명의 개시 Disclosure of Invention
본 발명은, 이러한 종래 기술의 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 고감도인 단층 분산형의 전자 사진 감광체를 제공하는 것을 목적으로 하는 것이다. This invention is made | formed in order to solve such a subject of the prior art, and an object of this invention is to provide the highly sensitive single-layer dispersion type electrophotographic photosensitive member.
본 발명자들은 단층 분산형 감광체의 특성을 개량하는 과정에서, 감광층에 특정한 정공 이동 재료와, 퀴논에 활성 메틸렌을 갖는 화합물이 축합된 전자 이동 재료를 함유시킴으로써 높은 감도를 나타내는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.The present inventors have found that in the course of improving the properties of a single-layer dispersed photoconductor, the present invention exhibits high sensitivity by containing a hole-transfer material specific to the photosensitive layer and an electron-transfer material condensed with a compound having an active methylene in the quinone, and the present invention. Came to complete.
상기 지견에 근거하여 이루어진 본 발명은, 지지체와, 상기 지지체 상에 형성된 감광층을 갖고, 상기 감광층은 전하 발생 재료와, 전자 이동 재료와, 정공 이동 재료를 함유하는 전자 사진 감광체로서, 상기 전자 이동 재료는 하기 일반식 (1) 로 표시되는 화합물이고, 상기 정공 이동 재료는 하기 일반식 (25)로 표시되는 화합물과, 일반식 (26) 으로 표시되는 화합물과, 일반식 (27) 로 표시되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체이다. The present invention made on the basis of the above-mentioned knowledge is an electrophotographic photosensitive member having a support and a photosensitive layer formed on the support, wherein the photosensitive layer contains a charge generating material, an electron transfer material, and a hole transfer material. A transfer material is a compound represented by following General formula (1), The said hole transfer material is represented by the compound represented by following General formula (25), the compound represented by General formula (26), and General formula (27) It is an electrophotographic photosensitive member characterized by at least 1 sort (s) of compound chosen from the group which consists of compounds which become.
(상기 일반식 (1) 에 있어서, 치환기 R1∼R4 는, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 W는 4원자 고리 이상 8원자 고리 이하의 고리로, 상기 일반식 (1) 을 하기 일반식 (1') 로 변경했을 때에,(Wherein in the formula (1), the substituent R 1 ~R 4 Is a hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and C (CN) 2 . Substituent W is a ring having 4 or more rings and 8 or less rings, and when General Formula (1) is changed to the following General Formula (1 ′),
치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소이고, 구조 Z는 고리를 구성하는 2 이상의 원자로 이루어진다.)The substituent Y is an element of either oxygen or sulfur, and the structure Z is composed of two or more atoms constituting the ring.)
(상기 일반식 (25) 중, R7∼R9 는 각각 수소 원자와, 할로겐 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 알콕시기와, 아릴기와, 디알킬아미노기와, 디페닐아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 식중의 l, m, n은 0 이상 2 이하의 정수를 나타낸다.)(In General Formula (25), R 7 to R 9. Are each one of the substituents selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group, an aryl group, a dialkylamino group, and a diphenylamino group, wherein l, m and n in the formula Represents an integer of 0 or more and 2 or less.)
(상기 일반식 (26) 중, R10∼R13 은 각각 수소 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 알콕시기와, 아릴기와, 디알킬아미노기와, 디페닐아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기를 나타내고,(In the general formula (26), R 10 to R 13 Represents a hydrogen atom, an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group, an aryl group, a dialkylamino group, and any one kind of substituents selected from the group consisting of diphenylamino groups, respectively,
(상기 일반식 (27) 중, R14∼R17 은 수소 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기를 나타낸다.)(In General Formula (27), R 14 to R 17. Represents any one kind of substituent selected from the group consisting of a hydrogen atom, an alkyl group, an allyl group, and an aryl group.)
본 발명은 전자 사진 감광체로서, 상기 전자 이동 재료는, 하기 일반식 (2) 로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 청구항 1 기재의 전자 사진 감광체이다. This invention is an electrophotographic photosensitive member, The said electrophoretic material is a compound represented by following General formula (2), It is the electrophotographic photosensitive member of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
(상기 일반식 (2) 에 있어서, 치환기 R1∼R5 는, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, =C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소로 이루어진다.)(Wherein in the formula (2), the substituents R 1 ~R 5 Is a hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and = C (CN) 2 , and the substituent Y is composed of any one element of oxygen or sulfur.)
본 발명은 전자 사진 감광체로서, 상기 전자 이동 재료는, 하기 일반식 (3) 으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 전자 사진 감광체이다.The present invention is an electrophotographic photosensitive member, wherein the electrophoretic material is a compound represented by the following general formula (3).
(상기 일반식 (3) 에 있어서, 치환기 R1∼R6 은, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, =C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소로 이루어진다.)(Wherein in the formula (3), the substituent R 1 ~R 6 Silver, hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and = C (CN) 2 , and the substituent Y is composed of any one element of oxygen or sulfur.)
또한, 상기 식 (25) 중 R7∼R8 로 표시되는 치환기와, 상기 식 (26) 중 R10∼R13 으로 표시되는 치환기와, 상기 식 (27) 중 R14∼R17 로 표시되는 치환기에는, 각각 별도의 치환기가 결합되는 경우가 있다. 또한, 식 (25) 중의 l, m, n 으로 표시되는 정수가 2 인 경우에는, 동일 페닐기에 결합하는 2개의 치환기 (R7)2∼(R8)2 가 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우가 있다.In addition, the substituent represented by R <7> -R <8> in said Formula (25), the substituent represented by R <10> -R <13> in said Formula (26), and are represented by R <14> -R 17 in said Formula (27) Another substituent may couple | bond with the substituent each. In addition, when the integer represented by l, m, n in Formula (25) is 2, when the two substituents (R <7> ) 2- (R <8> ) 2 couple | bonded with the same phenyl group mutually bond and form a ring. There is.
또한, 상기 일반식 (1), (1'), (2), (3) 중의 R1∼R6 으로 표시되는 치환기가 알킬기, 아릴기, 복소환기, 에스테르기, 알콕시기, 아르알킬기, 알릴기, 아미드기, 아미노기, 아실기, 알케닐기, 알키닐기, 카르복실기, 카르보닐기, 카르복실산기인 경우, 그들의 기에 치환기가 결합한 것도 본 발명에는 포함된다. 또한, 그것들의 치환기 R1∼R6 중, R1 과 R2, R3 과 R4 는 서로 결합하여 고리를 형성해도 된다. In addition, the substituent represented by R <1> -R <6> in the said General formula (1), (1 '), (2), (3) is an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl In the case of a group, an amide group, an amino group, an acyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a carboxyl group, a carbonyl group, or a carboxylic acid group, the present invention also includes a substituent bonded to these groups. Moreover, those substituents R 1 to R 6 Medium, R 1 And R 2 , R 3 And R 4 May combine with each other to form a ring.
치환기 R1∼R6 은 각각이 다른 종류의 치환기이어도 되고, 또한, 그것들의 치환기 R1∼R6 중, 2개 이상의 치환기가 같은 종류의 치환기이어도 된다. 또한, 상기 일반식 (1)∼(3) 에 있어서, 4원자 고리 이상 8원자 고리 이하의 고리식 화합물인 치환기 W와 다른 고리형 화합물이 축합되어, 축합고리를 형성한 경우도 본 발명에는 포함된다. 또한, 구조 Z 가 헤테로 원자를 1개 이상 함유하는 경우, 구조 Z가 탄소만으로 이루어지는 경우, 및 구조 Z에 치환기가 결합하는 경우도 본 발명에는 포함된다.The substituents R 1 ~R 6 is R 1 ~R 6 may be a different type of each of the substituents, and, those of the substituents Of these, two or more substituents may be the same kind of substituents. In the above general formulas (1) to (3), the present invention also includes a case where a substituent W and a cyclic compound, which is a cyclic compound having a 4-membered ring or more and 8-membered rings, are condensed to form a condensed ring. do. In addition, when structure Z contains one or more hetero atoms, the case where structure Z consists only of carbon, and the case where a substituent couple | bonds with structure Z are also included in this invention.
도 1 은 단층 분산형 감광체의 일례를 도시하는 단면도로서, 도 1중 부호10 은 전자 사진 감광체 (단층 분산형 감광체) 를 나타내고, 부호 11 은 도전성 지지체를 나타내고, 부호 12 는 감광층을 나타낸다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is sectional drawing which shows an example of a monolayer dispersion type | mold photosensitive member. In FIG.
발명을 실시하기To practice the invention 위한 최선의 형태 Best form for
본 발명의 단층분산형의 전자 사진 감광체 (단층 분산형 감광체) 는, 일반식 (25), 일반식 (26), 일반식 (27) 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 정공 이동 재료와, 전하 발생 재료와, 전자 이동 재료인 일반식 (1) 의 화합물을 조합함으로써, 감광체 감도를 향상시킬 수 있는 것이다.The monolayer dispersion type electrophotographic photosensitive member (monolayer dispersion type photosensitive member) of the present invention includes at least one hole transport material selected from the group consisting of General Formula (25), General Formula (26), and General Formula (27), By combining a charge generating material and a compound of the general formula (1) which is an electron transfer material, the photosensitive member sensitivity can be improved.
본 발명의 단층 분산형 감광체는, 일례로서 도 1 에 나타내는 층구성을 이룬다. 도 1 의 부호 10 은 단층 분산형 감광체를 나타내고 있고, 단층 분산형 감광체 (10) 은 도전성 지지체 (11) 와, 그 도전성 지지체 (11) 상에 배치된 감광층 (12) 을 갖고 있다. 감광층 (12) 은 전하 발생 재료와 전자 이동 재료와 정공 이동 재료가 바인더 수지 중에 함께 분산되어 이루어진다.The single layer dispersed photoconductor of the present invention has a layer structure shown in FIG. 1 as an example.
또한, 본 발명의 단층 분산형 감광체의 다른 예로서, 도전성 지지체 (11) 와 감광층 (12) 사이에 하인층(下引層)을 형성할 수 있고, 또한, 감광층 (12) 상에 보호층을 형성할 수도 있다. 또한, 상기 하인층과 상기 보호층의 양쪽을 형성할 수도 있다. In addition, as another example of the single-layer dispersion type photosensitive member of the present invention, a lower layer may be formed between the
감광층 (12) 의 형성방법으로서는, 각종 방법을 사용할 수 있는데, 통상의 경우, 전하 발생 재료와 전자 이동 재료와 정공 이동 재료를 바인더 수지와 함께 적당한 용매에 의해 분산 또는 용해하여 도포액을 제작하고, 그 도포액을 도전성 지지체 (11) 상에 도포하여, 건조시키는 방법을 이용할 수 있다.As the method for forming the
감광층 (12) 의 막두께는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상 50㎛ 이하가 좋고, 특히 바람직하게는 10㎛ 이상 35㎛ 이하이다. 감광층 (12) 의 막두께는, 얇게 하면 감광체 감도가 향상되지만 막 감소 등에 대한 내구성이 저하되고, 두꺼워지면 내구성은 향상되지만 감도가 저하되는 경향이 있다.Although the film thickness of the
본 발명에서 사용하는 전자 이동 재료는 일반식 (1) 로 표시되고, 이 전자 이동 재료는 전자이동도가 높아 단층 분산형 감광체에 적합하다.The electron transfer material used in the present invention is represented by the general formula (1), and the electron transfer material has a high electron mobility and is suitable for a single layer dispersed photosensitive member.
(상기 일반식 (1) 에 있어서, 치환기 R1∼R4 는, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, =C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 W는 4원자 고리 이상 8원자 고리 이하의 고리로서, 상기 일반식 (1) 을 하기 일반식 (1') 로 변경했을 때에,(Wherein in the formula (1), the substituent R 1 ~R 4 Is a hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and = C (CN) 2 . The substituent W is a ring having 4 or more rings and 8 or less rings, when the general formula (1) is changed to the following general formula (1 '),
치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소이고, 구조 Z는 고리를 구성하는 2 이상의 원자로 이루어진다.)The substituent Y is an element of either oxygen or sulfur, and the structure Z is composed of two or more atoms constituting the ring.)
또한, 상기 일반식 (1) 에 있어서, 하기 일반식 (2) 및 일반식 (3) 으로 표시되는 전자 이동 재료는 더욱 이동도가 높아 바람직하다.In addition, in the said General formula (1), the electron transfer material represented by following General formula (2) and General formula (3) is more preferable because of high mobility.
(상기 일반식 (2) 에 있어서, 치환기 R1∼R5 는, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, =C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소로 이루어진다.) (Wherein in the formula (2), the substituents R 1 ~R 5 Is a hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and = C (CN) 2 , and the substituent Y is composed of any one element of oxygen or sulfur.)
(상기 일반식 (3) 에 있어서, 치환기 R1∼R6 은, 수소 원자와, 시아노기와, 니트로기와, 할로겐 원자와, 히드록시기와, 알킬기와, 아릴기와, 복소환기와, 에스테르기와, 알콕시기와, 아르알킬기와, 알릴기와, 아미드기와, 아미노기와, 아실기와, 알케닐기와, 알키닐기와, 카르복실기와, 카르보닐기와, 카르복실산기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 치환기 X는 산소와, 황과, =C(CN)2 로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 치환기 Y는 산소 또는 황의 어느 일방의 원소로 이루어진다.)(Wherein in the formula (3), the substituent R 1 ~R 6 Silver, hydrogen atom, cyano group, nitro group, halogen atom, hydroxy group, alkyl group, aryl group, heterocyclic group, ester group, alkoxy group, aralkyl group, allyl group, amide group, amino group, acyl group , Alkenyl group, alkynyl group, carboxyl group, carbonyl group and any one kind of substituent selected from the group consisting of carboxylic acid groups. The substituent X is any one kind of substituent selected from the group consisting of oxygen, sulfur and = C (CN) 2 , and the substituent Y is composed of any one element of oxygen or sulfur.)
또한, 일반식 (2) 및 일반식 (3) 에 있어서, 치환기 X 및 Y가 산소이고, R1 및 R3 이 t-Bu기, R2 및 R4 가 수소인 화합물은, 제조가 용이하고 이동도가 높아 보다 바람직하다. In the general formulas (2) and (3), the substituents X and Y are oxygen, and R 1 and R 3 This t-Bu group, R 2 And R 4 The compound whose hydrogen is easy is manufacture, and its mobility is high, and it is more preferable.
일반식 (1) 로 표시되는 화합물은, 상기 일반식 (2) 및 일반식 (3) 외에, 표 A(1)∼표 A(26) 으로 표시되는 일반식으로 할 수도 있다.The compound represented by General formula (1) can also be made into the general formula shown by Table A (1) -Table A (26) other than the said General formula (2) and General formula (3).
일반식 (1) 로 표시되는 화합물의 구체예를 하기 표 B(1)∼표 B(4) 에 나타내는데, 이것에 한정되지 않는다.Although the specific example of a compound represented by General formula (1) is shown to following Table B (1) -Table B (4), it is not limited to this.
일반식 (1) 로 표시되는 화합물은, 감광층 (12) 중에 1종류 함유시켜도 되고, 2 종류 이상 함유시켜도 된다. One type of compound represented by General formula (1) may be contained in the
감광층 (12) 중의 일반식 (1) 로 표시되는 화합물의 농도는 요구되는 감광체 성능이나 대전 극성에 의해 다르기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 0.1중량% 이상 70중량% 이하가 바람직하다. 농도가 낮으면 전자이동이 불충분해져 감광체 특성에 영향을 주는 경우가 있고, 농도가 높으면 감광층 (12) 에 사용되는 바인더 수지와의 상용성이 나빠져, 감광층 (12) 이 불균일한 막으로 되거나 바인더 수지 농도가 낮아지기 때문에 감광층 (12) 의 막 강도가 저하될 가능성이 있다.The concentration of the compound represented by the general formula (1) in the
본 발명의 단층 분산형 감광체에 사용할 수 있는 정공 이동 재료는 하기 일반식 (25), 일반식 (26), 일반식 (27) 로 표시되는 화합물이다.The hole transport material which can be used for the monolayer dispersed photoconductor of the present invention is a compound represented by the following general formulas (25), (26) and (27).
일반식 (25) 의 화합물로서는, 하기 일반식 (28), 일반식 (29), 일반식 (30) 으로 표시되는 화합물이 바람직하다.As a compound of General formula (25), the compound represented by following General formula (28), General formula (29), and General formula (30) is preferable.
(상기 일반식 (28) 의, R7, R8, R18, R19 는 수소 원자와, 할로겐 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 알콕시기와, 아릴기와, 디알킬아미노기와, 디페닐아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 이들 치환기에 별도의 치환기가 각각 결합되는 경우도 있다. 식 (28) 중의 a, b, m, n 은 각각 0 이상 2 이하의 정수이고, a, b, m, n 으로 표시되는 정수가 2 인 경우에는, 동일 페닐기에 결합하는 2개의 치환기 (R7)2, (R8)2, (R18)2, (R19)2 가 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우가 있다.(R 7 , R 8 , R 18 , R 19 in the above formula (28). Is any one kind of substituent selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group, an aryl group, a dialkylamino group and a diphenylamino group, and each of these substituents Sometimes combined. A, b, m, n in the formula (28) are each an integer of 0 or more and 2 or less, and when the integer represented by a, b, m, n is 2, two substituents bonded to the same phenyl group (R 7) ) 2 , (R 8 ) 2 , (R 18 ) 2 , and (R 19 ) 2 may combine with each other to form a ring.
(상기 일반식 (29) 의, R7, R8 은 수소 원자와, 할로겐 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 알콕시기와, 아릴기와, 디알킬아미노기와, 디페닐아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종의 치환기이고, 이들 치환기에 별도의 치환기가 각각 결합하는 경우도 있다. 식 (29) 중 m, n 은 0 이상 2 이하의 정수이고, m, n 이 2 인 경우에는, 동일 페닐기에 결합하는 2개의 치환기 (R7)2, (R8)2 가 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우가 있다. 또한, 식 (29) 중 R20, R21 은 수소 원자와, 알킬기와, 아릴기와, 알릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기를 나타내고, 이들 치환기에 별도의 치환기가 각각 결합하는 경우가 있다.)(R 7 , R 8 of the above formula (29) Is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group, an aryl group, a dialkylamino group, or any one type of substituents selected from the group consisting of diphenylamino groups, and each of these substituents has a different substituent Sometimes combined. In Formula (29), m and n are integers of 0 or more and 2 or less, and when m and n are 2, two substituents (R 7 ) 2 and (R 8 ) 2 bonded to the same phenyl group are bonded to each other to form a ring. May be formed. In addition, in Formula (29), R <20> , R <21> represents any 1 type of substituent chosen from the group which consists of a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, and an allyl group, and when a separate substituent couple | bonds these substituents, respectively have.)
(상기 일반식 (30) 의, R7, R8, R22, R23 은 수소 원자와, 할로겐 원자와, 알킬기와, 알릴기와, 알콕시기와, 아릴기와, 디알킬아미노기와, 디페닐아미노기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 이들 치환기에 별도의 치환기가 각각 결합하는 경우도 있다. 식 (30) 중의 c, d, m, n 은 0 이상 2 이하의 정수이고, c, d, m, n 으로 표시되는 정수가 2 인 경우에는, 동일 페닐기에 결합하는 2개의 치환기 (R7)2, (R8)2, (R22)2, (R23)2 가 서로 결합하여 고리를 형성하는 경우가 있다.)(In formula (30), R 7 , R 8 , R 22 , and R 23 represent a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an allyl group, an alkoxy group, an aryl group, a dialkylamino group, and a diphenylamino group. It may be any one kind of substituent selected from the group which consists of, and another substituent may couple | bond each with these substituents c, d, m, n in Formula (30) is an integer of 0 or more and 2 or less, c, d When the integer represented by, m, n is 2, two substituents (R 7 ) 2 , (R 8 ) 2 , (R 22 ) 2 , and (R 23 ) 2 bonded to the same phenyl group are bonded to each other to form a ring. May be formed.)
또한, 일반식 (26) 으로 표시되는 화합물은 하기 일반식 (31), 일반식 (32) 로 표시되는 화합물이 바람직하다.Moreover, as for the compound represented by General formula (26), the compound represented by following General formula (31) and General formula (32) is preferable.
(상기 일반식 (31) 중, R24, R25 는 수소 원자 또는 알킬기의 어느 일방의 치환기이고, R26 은, 수소 원자 또는 디알킬아미노기의 어느 일방의 치환기이다.)(In said general formula (31), R <24> , R <25> is either substituent of a hydrogen atom or an alkyl group, and R <26> is either substituent of a hydrogen atom or a dialkylamino group.)
(상기 일반식 (32) 의 R27∼R30 은, 수소 원자와, 할로겐 원자와, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기와, 탄소수 1 이상 6 이하의 알콕시기와, 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. R31 은 수소 원자와, 할로겐 원자와, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기와, 탄소수 1 이상 6 이하의 알콕시기와, 아릴기와, 알케닐기와, 알카디에닐기와, 하기 일반식 (33) 에 표시되는 치환기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이다. 또한, R27∼R31 이 아릴기나 알케닐기로 이루어지는 경우에는, 이들 치환기에 다른 치환기가 결합하는 경우도 있다. 식 (32) 중 e 는 0 또는 1 의 정수를 나타낸다.)(R 27 to R 30 of the general formula (32) Is any one type of substituent chosen from the group which consists of a hydrogen atom, a halogen atom, a C1-C6 alkyl group, a C1-C6 alkoxy group, and an aryl group. R 31 is a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms, an aryl group, an alkenyl group, an alkadienyl group, and the following general formula (33) It is any 1 type of substituent chosen from the group which consists of a substituent. In addition, R 27- R 31 When it consists of this aryl group or alkenyl group, another substituent may couple | bond with these substituents. In formula (32), e represents the integer of 0 or 1.)
(상기 일반식 (33) 중의 R32, R33 은, 수소 원자와, 할로겐 원자와, 탄소수 1 이상 6 이하의 알킬기와, 알콕시기와, 아릴기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 1종류의 치환기이고, 치환기 R32, R33 이 아릴기인 경우에는 그것들의 치환기 R32, R33 에 다른 치환기가 결합하는 경우가 있다. 식 (33) 중의 f 는 0 또는 1 의 정수를 나타낸다.)(R 32 in the general formula (33), R 33 Is any one type of substituent selected from the group consisting of a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group and an aryl group, and the substituents R 32 , R 33 In the case of this aryl group, those substituents R 32 and R 33 Another substituent may bond to. F in Formula (33) represents the integer of 0 or 1.)
일반식 (25), 일반식 (26), 일반식 (27) 로 표시되는 화합물은, 감광층 중에 1종류 함유되어도 되고, 2 종류 이상이어도 된다.One type of compound represented by General formula (25), General formula (26), and General formula (27) may be contained in the photosensitive layer, and may be two or more types.
감광층 (12) 중의 정공 이동 재료의 농도는 요구되는 감광체 성능이나 대전 극성에 따라 다르기 때문에 특별히 한정되지 않지만, 0.1중량% 이상 70중량% 이하가 바람직하다. 농도가 낮으면 정공 이동이 불충분해져 감광체 특성에 영향을 주는 경우가 있고, 농도가 높으면 감광층 (12) 에 사용되는 바인더 수지와의 상용성이 나빠져, 감광층 (12) 이 불균일한 막으로 되거나, 바인더 수지 농도가 낮아지기 때문에 감광층 (12) 의 막 강도가 저하될 가능성이 있다.The concentration of the hole transporting material in the
본 발명에 사용하는 전하 발생 재료로서는, Cu-Kα 선에 대한 X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 7.6°, 28.6°로 특징적인 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌, 27.3°로 특징적인 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌, 특징적인 피크를 나타내지 않은 옥시티타늄프탈로시아닌, 디클로로주석프탈로시아닌 및 무금속 프탈로시아닌, 디스아조화합물, 트리스아조안료, 페릴렌 화합물을 사용할 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.As the charge generating material used in the present invention, oxytitanium phthalocyanine having a peak characteristic at 7.6 ° and 28.6 ° at an X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) with respect to a Cu-Kα ray, having a peak characteristic at 27.3 ° Oxytitanium phthalocyanine, oxytitanium phthalocyanine, dichlorotin phthalocyanine and metal-free phthalocyanine, disazo compound, tris azo pigment, perylene compound which did not show characteristic peaks can be used, but it is not limited to these.
Cu-Kα 선에 대한 X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 7.6°, 28.6°로 특징적인 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌은, 일반적으로 7.6°가 최대 피크이지만, 28.6°가 최대 피크로 되어도 된다. 또한, 이들 피크 이외에서는, 12.5°, 13.3°, 22.5°, 25.4°로도 명료한 피크를 나타내지만, 결정 상태나 측정 조건 등에 따라 브로드로 되거나 스프리트되거나 시프트되는 경우도 있을 수 있다.Oxytitanium phthalocyanine having a characteristic peak at 7.6 ° and 28.6 ° at the X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) with respect to the Cu-Kα ray is generally the maximum peak at 7.6 °, but may be the maximum peak at 28.6 °. . In addition to these peaks, clear peaks are also shown at 12.5 °, 13.3 °, 22.5 °, and 25.4 °, but may be broad, split, or shifted depending on the crystal state, measurement conditions, and the like.
Cu-Kα 선에 대한 X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 27.3°로 특징적인 피크를 갖는 옥시티타늄프탈로시아닌은, 27.3°이외에서는, 9.5, 14.2, 24.1°로도 피크를 나타내지만, 결정 상태나 측정 조건 등에 의해 브로드로 되거나 스플릿되거나 시프트되는 경우도 있을 수 있다.Oxytitanium phthalocyanine having a characteristic peak at 27.3 ° at an X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) with respect to a Cu-Kα ray shows peaks at 9.5, 14.2, and 24.1 °, except 27.3 °. There may be cases where it is broadened, split or shifted by measurement conditions or the like.
특징적인 피크를 나타내지 않는 옥시티타늄프탈로시아닌이란, 무정형의 옥시티타늄프탈로시아닌으로서, 명료한 피크를 나타내지 않지만, 브로드한 피크가 보이는 경우도 있다.Oxytitanium phthalocyanine which does not exhibit characteristic peaks is an amorphous oxytitanium phthalocyanine, which does not show a clear peak, but may show a broad peak.
디클로로주석프탈로시아닌은, 프탈로시아닌의 중심에 SnCl2 를 배치하는 것이다. 디클로로주석프탈로시아닌의 결정형으로서는, 일본 공개특허공보 평11-286618호에 기재되는, X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 10.5°로 최대 피크를 갖고, 5°∼9°의 범위의 피크 강도가 10.5°의 피크 강도의 10% 이하인 것, 일본 공개특허공보 평5-140472호에 기재되는, X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 8.7°, 9.9°, 10.9°, 13.1°, 15.2°, 16.3°, 17.4°, 21.9°, 25.5° 또는, 9.2°, 12.2°, 13.4°, 14.6°, 17.0°, 25.3°로 강한 회절 피크를 나타내는 것, 또는 일본 공개특허공보 평6-228453호에 기재되는, X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 8.4°, 10.6°, 12.2°, 13.8°, 16.0°, 16.5°, 17.4°, 19.1°, 22.4°, 28.2°, 30.0°, 또는, 8.4°, 11.2°, 14.6°, 15.6°, 16.9°, 18.6°, 19.6°, 25.7°, 27.2°, 28.5°로 강한 회절 피크를 나타내는 것을 사용할 수 있다. 그 중에서도, X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 10.5°로 최대 피크를 갖고, 5°∼9°의 범위의 피크 강도가 10.5°의 피크 강도의 10% 이하인 것이 특히 바람직하다.Tin dichloro phthalocyanine is to place the SnCl 2 in the center of the phthalocyanine. As a crystalline form of dichlorotin phthalocyanine, it has a maximum peak at 10.5 ° at the X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) described in JP-A-11-286618, and has a peak intensity in the range of 5 ° to 9 °. 8.7 °, 9.9 °, 10.9 °, 13.1 °, 15.2 °, at an X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) described in JP-A-5-140472, which is 10% or less of the peak intensity of 10.5 °. Strong diffraction peaks at 16.3 °, 17.4 °, 21.9 °, 25.5 ° or 9.2 °, 12.2 °, 13.4 °, 14.6 °, 17.0 °, 25.3 °, or described in JP-A-6-228453 X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °), 8.4 °, 10.6 °, 12.2 °, 13.8 °, 16.0 °, 16.5 °, 17.4 °, 19.1 °, 22.4 °, 28.2 °, 30.0 °, or 8.4 ° , 11.2 °, 14.6 °, 15.6 °, 16.9 °, 18.6 °, 19.6 °, 25.7 °, 27.2 °, and 28.5 ° may be used that exhibit strong diffraction peaks. Especially, it is especially preferable that it has a maximum peak at 10.5 degrees at X-ray-diffraction angle (2 (theta) ± 0.2 degrees), and the peak intensity of the range of 5 degrees-9 degrees is 10% or less of the peak intensity of 10.5 degrees.
무금속 프탈로시아닌은 중심 금속을 배치하지 않은 프탈로시아닌이다. 무금속 프탈로시아닌으로는 다수의 결정형이 보고되어 있지만, 어떠한 형태이어도 된다. 특히, X선 회절각 (2θ±0.2°) 에서 7.5°, 9.1°, 15.1°, 16.6°, 17.3°, 18.5°, 22.2°, 23.8°, 25.9°, 27.29°, 28.6°에 강한 회절 피크를 나타내는 것이 바람직하다.Metal-free phthalocyanines are phthalocyanines that do not have a central metal disposed. Many crystalline forms have been reported as the metal-free phthalocyanine, but may be in any form. In particular, strong diffraction peaks at 7.5 °, 9.1 °, 15.1 °, 16.6 °, 17.3 °, 18.5 °, 22.2 °, 23.8 °, 25.9 °, 27.29 °, and 28.6 ° at the X-ray diffraction angle (2θ ± 0.2 °) It is preferable to indicate.
이들 전하 발생 재료는 단체로 사용해도 되고, 적절한 광감도 파장이나 증감작용을 얻기 위해 2종류 이상을 혼합하여 사용해도 된다. 감광층 (12) 중의 전하 발생 재료의 농도는 0.005중량% 이상 70중량% 이하가 일반적으로 사용되고, 바람직하게는 1중량% 이상 10중량% 이하이다. 전하 발생 재료의 농도가 낮으면 감광체 감도가 저하되는 경향이 있고, 농도가 높아지면 전위유지율이나 막 강도가 저하되는 경향이 있다. 본 발명의 감광체 (10) 에 있어서의 도전성 지지체 (11) 로서는, 알루미늄, 진유(眞鍮), 스테인리스강, 니켈, 크롬, 티탄, 금, 은, 구리, 주석, 백금, 몰리브덴, 인듐 등의 금속 단체나 그 합금의 가공체를 사용할 수 있다.These charge generating materials may be used singly or in combination of two or more kinds in order to obtain appropriate light sensitivity wavelengths and sensitization effects. As for the density | concentration of the charge generation material in the
상기 금속이나 합금 등의 표면에, 추가로 증착, 도금 등에 의해 도전성 물질의 박막을 형성해도 된다. 도전성 지지체 (11) 자체를 도전성 물질로 구성해도 되지만, 비도전성의 플라스틱판 및 필름 표면에, 상기 금속이나 탄소 등의 박막을 증착, 도금 등의 방법에 의해 형성하여, 도전성을 갖게 해도 된다.A thin film of a conductive material may be further formed on the surface of the metal, alloy or the like by vapor deposition, plating or the like. The
또한, 도전성 지지체 (11) 의 구성 재료로 수지를 사용하는 경우, 수지 중에, 금속가루나 도전성 카본 등의 도전제를 함유시키거나, 기체 형성용 수지로서 도전성 수지를 사용할 수도 있다. 또한, 도전성 지지체 (11) 에 유리를 사용하는 경우, 그 표면에 산화주석, 산화인듐, 요오드화알루미늄으로 피복하여, 도전성을 갖게 하여도 된다. 그 종류나 형상은, 특별히 제한되지 않고, 도전성을 갖는 여러 가지의 재료를 사용하여 도전성 지지체 (11) 를 구성할 수 있다.In addition, when resin is used as a constituent material of the
일반적으로 도전성 지지체 (11) 로서는, 원통상의 알루미늄관 단체나 그 표면을 알마이트 처리한 것, 또는 알루미늄관 상에 하인층을 형성한 것이 자주 사용된다. 이 하인층은 접착 향상 기능, 도전성 지지체 (11) 로부터의 유입 전류를 방지하는 배리어 기능, 도전성 지지체 (11) 표면의 결함 피복 기능 등을 갖는다. 이 하인층에는, 폴리에틸렌 수지, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리우레탄 수지, 염화비닐 수지, 아세트산비닐 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 나일론 수지, 알키드 수지, 멜라민 수지 등의 각종 수지를 사용할 수 있다. Generally, as an
이들 하인층은, 단독 수지로 구성해도 되고, 2종류 이상의 수지를 혼합하여 구성해도 된다. 또, 층 중에 금속화합물, 카본, 실리카, 수지 분말 등을 분산시킬 수도 있다. 또한, 특성 개선을 위해 각종 안료, 전자수용성 물질이나 전자공급성 물질 등을 함유시킬 수도 있다.These servant layers may be comprised by independent resin, and may be comprised by mixing two or more types of resin. Moreover, a metal compound, carbon, silica, resin powder, etc. can also be disperse | distributed in a layer. In addition, various pigments, electron-accepting substances, electron-supply substances and the like may be included for improving the properties.
감광층 (12) 중에는, 적절한 광감도 파장이나 증감작용을 얻기 위해서, 그 밖의 프탈로시아닌 안료나 아조안료 등을 혼합시킬 수도 있다. 이들은, 감도의 상성이 좋은 점에서 바람직하다. 기타, 예를 들어, 모노아조 안료, 비스아조 안료, 트리스아조 안료, 폴리아조 안료, 인디고 안료, 스렌 안료, 톨루이딘 안료, 피라졸린 안료, 페릴렌 안료, 퀴나크리돈 안료, 피릴륨염 등을 사용할 수 있다.In the
감광층 (12) 을 형성하기 위한 바인더 수지로서는, 폴리카보네이트 수지, 스티렌 수지, 아크릴 수지, 스티렌-아크릴 수지, 에틸렌-아세트산비닐 수지, 폴리프로필렌 수지, 염화비닐 수지, 염소화폴리에테르 수지, 염화비닐-아세트산비닐 수지, 폴리에스테르 수지, 푸란 수지, 니트릴 수지, 알키드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리메틸펜텐 수지, 폴리아미드 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리알릴레이트 수지, 디알릴레이트 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리알릴술폰 수지, 실리콘 수지, 케톤 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리에테르 수지, 페놀 수지, EVA (에틸렌·아세트산비닐) 수지, ACS (아크릴로니트릴·염소화폴리에틸렌·스티렌) 수지, ABS (아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌) 수지 및 에폭시알릴레이트 등의 수지가 있다. 이들은 단체로 사용해도 되지만, 2종 이상 혼합하여 사용하는 것도 가능하다. 분자량이 다른 수지를 혼합하여 사용한 경우에는, 경도나 내마모성을 개선할 수 있어 바람직하다. Examples of the binder resin for forming the
도포액에 사용하는 용제에는, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, i-프로판올, 부탄올 등의 알코올류, 펜탄, 헥산, 헵탄, 옥탄, 시클로헥산, 시클로헵탄 등의 포화지방족 탄화수소, 톨루엔, 자일렌 등의 방향족 탄화수소, 디클로로메탄, 디클로로에탄, 클로로포름, 클로로벤젠 등의 염소계 탄화수소, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류, 포름산에틸, 포름산프로필, 아세트산메틸, 아세트산에틸, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 프로피온산메틸 등의 에스테르류, 디메틸에테르, 디에틸에테르, 디메톡시에탄, 테트라히드로푸란, 디옥소란(THF), 메톡시에탄올, 디옥산, 또는 아니솔 등의 에테르계 용매, N,N-디메틸포름아미드, 디메틸술폭사이드 등이 있다.Examples of the solvent used for the coating liquid include alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol and butanol, saturated aliphatic hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, cyclohexane and cycloheptane, toluene and xylene Chlorinated hydrocarbons such as aromatic hydrocarbons, dichloromethane, dichloroethane, chloroform and chlorobenzene, ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and cyclohexanone, ethyl formate, propyl formate, methyl acetate, ethyl acetate and acetic acid Ether solvents such as propyl, butyl acetate, esters such as methyl propionate, dimethyl ether, diethyl ether, dimethoxyethane, tetrahydrofuran, dioxolane (THF), methoxyethanol, dioxane, or anisole; N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and the like.
특히 그 중에서도, 케톤계 용매, 에스테르계 용매, 에테르계 용매, 또는 할로겐화탄화수소계 용매가 바람직하고, 이들은 단독, 또는 2종 이상의 혼합용매로서 사용할 수 있다.In particular, a ketone solvent, an ester solvent, an ether solvent, or a halogenated hydrocarbon solvent is preferable, and these can be used alone or as two or more kinds of mixed solvents.
본 발명의 감광체에는, 다른 전하 이동 물질을 첨가할 수도 있다. 그 경우에는, 감도를 높이거나, 잔류 전위를 저하시킬 수 있기 때문에, 본 발명의 전자 사진 감광체의 특성을 개량할 수 있다. Another charge transfer material may be added to the photoconductor of the present invention. In that case, since a sensitivity can be improved or a residual electric potential can be reduced, the characteristic of the electrophotographic photosensitive member of this invention can be improved.
그와 같은 특성 개량을 위해 첨가할 수 있는 전하 이동 물질로서는, 폴리비닐카르바졸, 할로겐화폴리비닐카르바졸, 폴리비닐피렌, 폴리비닐인드로퀴녹살린, 폴리비닐벤조티오펜, 폴리비닐안트라센, 폴리비닐아크리딘, 폴리비닐피라졸린, 폴리아세틸렌, 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리이소티아나프텐, 폴리아닐린, 폴리디아세틸렌, 폴리헵타디엔, 폴리피리딘디일, 폴리퀴놀린, 폴리페닐렌술피드, 폴리페로세닐렌, 폴리페리나프틸렌, 폴리프탈로시아닌 등의 도전성 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 또, 저분자 화합물로서, 트리니트로플루오레논, 테트라시아노에틸렌, 테트라시아노퀴노디메탄, 퀴논, 디페노퀴논, 나프토퀴논, 안트라퀴논 및 이들 유도체 등, 안트라센, 피렌, 페난트렌 등의 다환방향족 화합물, 인돌, 카르바졸, 이미다졸 등의 질소 함유 복소환 화합물, 플루오레논, 플루오렌, 옥사디아졸, 옥사졸, 피라졸린, 히드라존, 트리페닐메탄, 트리페닐아민, 에나민, 스틸벤, 부타디엔 화합물 등을 사용할 수 있다.Examples of charge transfer materials that can be added for such characteristics improvement include polyvinylcarbazole, halogenated polyvinylcarbazole, polyvinylpyrene, polyvinylinroquinoxaline, polyvinylbenzothiophene, polyvinylanthracene and polyvinyl. Acridine, polyvinylpyrazoline, polyacetylene, polythiophene, polypyrrole, polyphenylene, polyphenylenevinylene, polyisothianaphthene, polyaniline, polydiacetylene, polyheptaene, polypyridinediyl, polyquinoline Conductive polymer compounds such as polyphenylene sulfide, polyferrocenylene, polyperinaphthylene, and polyphthalocyanine can be used. Moreover, as a low molecular weight compound, polycyclic aromatic compounds, such as anthracene, pyrene, and phenanthrene, such as trinitrofluorenone, tetracyanoethylene, tetracyanoquinomethane, quinone, diphenoquinone, naphthoquinone, anthraquinone, and these derivatives, etc. Nitrogen-containing heterocyclic compounds such as indole, carbazole and imidazole, fluorenone, fluorene, oxadiazole, oxazole, pyrazoline, hydrazone, triphenylmethane, triphenylamine, enamine, stilbene, butadiene Compounds and the like can be used.
또한, 폴리에틸렌옥시드, 폴리프로필렌옥시드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리메타크릴산 등의 고분자 화합물에 Li (리튬) 이온 등의 금속이온을 도핑한 고분자 고체 전해질 등도 사용할 수 있다.Moreover, the polymer solid electrolyte etc. which doped metal ion, such as Li (lithium) ion, in high molecular compounds, such as polyethylene oxide, a polypropylene oxide, polyacrylonitrile, and polymethacrylic acid, can also be used.
또한, 테트라티아플루바렌-테트라시아노퀴노디메탄으로 대표되는 전자공여성 화합물과 전자수용성 화합물로 형성된 유기 전하 이동 착물 등도 사용할 수 있고, 이들을 1종만 첨가하여도, 2종 이상의 화합물을 혼합하여 첨가하여도 원하는 감광체 특성을 얻을 수 있다. In addition, an electron donating compound typified by tetrathiaflubarene-tetracyanoquinomimethane and an organic charge transfer complex formed of an electron-accepting compound may be used, and even if only one of them is added, two or more compounds may be mixed and added. Also desired photoreceptor characteristics can be obtained.
또, 본 발명의 감광체를 제조하기 위한 도공액에는, 전자 사진 감광체의 특성을 손상하지 않는 범위에서, 산화방지제, 자외선 흡수제, 라디칼 포착제, 연화제, 경화제, 가교제 등을 첨가하여, 감광체의 특성, 내구성, 기계특성의 향상을 꾀할 수 있다. 추가로, 분산안정제, 침강방지제, 색분리방지제, 레벨링제, 거품제거제, 증점제, 광택제거제 등을 첨가하면, 감광체의 마무리 외관이나, 도공액의 수명을 개선할 수 있다. The coating liquid for producing the photoconductor of the present invention may be added with an antioxidant, a ultraviolet absorber, a radical scavenger, a softener, a curing agent, a crosslinking agent and the like in a range that does not impair the characteristics of the electrophotographic photoconductor. Durability and mechanical properties can be improved. In addition, addition of a dispersion stabilizer, a sedimentation inhibitor, a color separation inhibitor, a leveling agent, a defoamer, a thickener, a gloss remover, and the like can improve the finish appearance of the photoconductor and the life of the coating solution.
또한, 감광층 (12) 의 위에, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 폴리비닐포르말 수지, 폴리카보네이트 수지, 불소 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지 등의 유기박막이나, 실란커플링제의 가수분해물로 형성되는 실록산 구조체로 이루어지는 박막을 막형성하여 보호층을 형성해도 된다. 그 경우에는, 감광체의 내구성이 향상되기 때문에 바람직하다. 이 보호층은, 내구성 향상 이외의 다른 기능을 향상시키기 위해 형성해도 된다. Furthermore, on the
〔실시예] EXAMPLE
이하, 본 발명에 관련되는 전자 사진 감광체의 실시예를 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the Example of the electrophotographic photosensitive member which concerns on this invention is described in detail.
<단층 분산형 부 대전 감광체의 구체예> <Specific example of single layer dispersed negative charging photosensitive member>
<실시예 1∼21><Examples 1 to 21>
전하 발생 재료인 옥시티타늄프탈로시아닌 1중량부와, 바인더 수지인 폴리카보네이트 10중량부를 THF 80중량부를 용매로 하여 혼련 분산하고, 전자 이동 재료로서 식 (4) 로 표시되는 화합물 9중량부와, 정공 이동 재료로서 하기 화학식 (34) 로 표시되는 트리페닐아민 화합물 2중량부를 용해하여 도공액을 조제하였다.1 part by weight of oxytitanium phthalocyanine as a charge generating material and 10 parts by weight of polycarbonate as a binder resin are kneaded and dispersed with 80 parts by weight of THF as a solvent, 9 parts by weight of a compound represented by the formula (4) as an electron transfer material, and hole transport As a material, 2 weight part of triphenylamine compounds represented by following General formula (34) were melt | dissolved, and the coating liquid was prepared.
그리고, 이 도공액을 사용하여 도전성 지지체 (11) 인 알루미늄제 드럼 상에 침지 도포하여, 80℃ 에서 1시간 건조시켜 막두께 20㎛ 의 전하 발생과 전하 이동을 겸한 감광층 (12) 을 형성하여, 실시예 1 의 부 대전형의 전자 사진 감광체 (단층 분산형 부 대전 감광체 ; 10) 를 제작하였다.Subsequently, the coating solution was immersed and coated on an aluminum drum as the
또한, 상기 실시예 1 에서 사용한 전자 이동 재료를, 각각 식 (5)∼(24) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일한 조건으로 20종류의 도공액을 조정하여, 이들 도공액을 사용하여 실시예 1 과 동일한 조건으로 실시예 2∼21 의 단층분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다.In addition, 20 types of coating liquids were adjusted on the same conditions as Example 1 except having changed the electron transfer material used in the said Example 1 into the compound represented by Formula (5)-(24), respectively, These coating liquids The single-layer dispersion type negative charging
<실시예 22∼42><Examples 22 to 42>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (35a) 로 표시되는 화합물과, 하기 화학식 (35b) 로 표시되는 화합물의 혼합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 22∼42 로 하였다.In Examples 1 to 21, the monolayer dispersion was carried out in the same manner as in Examples 1 to 21, except that the hole transport material was changed to a mixture of the compound represented by the following formula (35a) and the compound represented by the following formula (35b): The type negative charging
<실시예 43∼63> <Examples 43 to 63>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (36) 으로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 43∼63 로 하였다.In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<실시예 64∼84><Examples 64 to 84>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (37) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 64∼84 로 하였다. In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<실시예 85∼105> <Examples 85 to 105>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (38) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 85∼105 로 하였다.In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<실시예 106∼126> <Examples 106 to 126>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (39) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 106∼126 로 하였다.In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<실시예 127∼147><Examples 127 to 147>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (40) 으로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 127∼147 로 하였다.In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<실시예 148∼168><Examples 148 to 168>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (41) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 148∼168 로 하였다. In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging
<비교예 1∼21><Comparative Examples 1 to 21>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 하기 화학식 (42) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 1∼21 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체를 제작하였다. 각각 비교예 1∼21 로 하였다. In Examples 1-21, the monolayer dispersed negative charging photosensitive member was produced like Example 1-21 except having changed the hole transport material into the compound represented by following General formula (42). It was set as the comparative examples 1-21, respectively.
<비교예 22∼29><Comparative Examples 22-29>
실시예 1 에 있어서, 전자 이동 재료를 하기 화학식 (43) 으로 표시되는 화합물로 변경하고, 정공 이동 재료를 식 (34)∼식 (41) 로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 단층 분산형 부 대전 감광체를 제작하였다. 각각 비교예 22∼29 로 하였다. In Example 1, monolayer dispersion | distribution was carried out similarly to Example 1 except having changed the electron transfer material into the compound represented by following General formula (43), and changing the hole transfer material to Formula (34)-Formula (41). A negative charging photosensitive member was produced. It was set as the comparative examples 22-29, respectively.
<단층 분산형 정 대전 감광체의 구체예><Specific example of single layer dispersion type static charging photosensitive member>
<실시예 169∼189> <Examples 169-189>
전하 발생 재료인 옥시티타늄프탈로시아닌 1중량부와, 바인더 수지로서 폴리카보네이트 10중량부를, 용매인 THF 80중량부에 혼련 분산시켜, 전자 이동 재료인 식 (4) 로 표시되는 화합물 2중량부와, 정공 이동 재료인 화학식 (34) 로 표시되는 트리페닐아민화합물 8중량부를 용해하여 실시예 1 과는 다른 배합비율의 도공액을 조제하였다. 1 part by weight of oxytitanium phthalocyanine as a charge generating material, 10 parts by weight of polycarbonate as a binder resin, and kneaded and dispersed in 80 parts by weight of THF as a solvent, 2 parts by weight of a compound represented by formula (4) as an electron transfer material, and a hole 8 weight part of triphenylamine compounds represented by General formula (34) which are transfer materials were melt | dissolved, and the coating liquid of the compounding ratio different from Example 1 was prepared.
그리고, 이 도공액을 사용하여 도전성 지지체 (11) 인 알루미늄제 드럼 상에 침지도포하고, 80℃ 에서 1시간 건조시켜 막두께 20㎛ 의 전하 발생과 전하 이동을 겸한 감광층 (12) 을 형성하고, 실시예 169 의 정 대전형의 전자 사진 감광체 (단층 분산형 정 대전 감광체 ; 10) 를 제작하였다. Subsequently, the coating solution was used to immerse on an aluminum drum, which is the
또한, 상기 실시예 169 에서 사용한 전자 이동 재료 대신에, 식 (5)∼(24) 로 표시되는 화합물을 각각 사용한 것 이외에는 실시예 169 와 동일한 배합비율로 20종류의 도공액을 제작하고, 이들 도공액을 사용하여 실시예 169와 동일한 조건으로 실시예 170∼189 의 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. Instead of using the compounds represented by the formulas (5) to (24), respectively, in place of the electron transfer material used in Example 169, 20 kinds of coating solutions were prepared at the same compounding ratio as in Example 169, and these coatings were prepared. Using the liquid, the single-layer dispersion type positive electrostatic
<실시예 190∼210> <Examples 190 to 210>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (35a) 로 표시되는 화합물과, 상기 화학식 (35b) 로 표시되는 화합물의 혼합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 190∼210 으로 하였다.In Examples 169 to 189, the monolayer dispersion was carried out in the same manner as in Examples 169 to 189 except that the hole transport material was changed to a mixture of the compound represented by the formula (35a) and the compound represented by the formula (35b). A type charged
<실시예 211∼231><Examples 211 to 231>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (36) 으로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 211∼231 로 하였다. In Examples 169-189, the monolayer dispersion | distribution type positive charging
<실시예 232∼252><Examples 232 to 252>
실시예 1∼21 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (37) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 232∼252 로 하였다.In Examples 1-21, the monolayer dispersion | distribution type positive charging
<실시예 253∼273><Examples 253 to 273>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (38) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 253∼273 으로 하였다. In Examples 169 to 189, a single-layer dispersion type positive charging
<실시예 274∼294><Examples 274 to 294>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (39) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 274∼294 로 하였다. In Examples 169-189, the monolayer dispersion | distribution type positive charging
<실시예 295∼315><Examples 295-315>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (40) 으로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 295∼315 로 하였다. In Examples 169-189, the monolayer dispersion | distribution type positive charging
<실시예 316∼336><Examples 316 to 336>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (41) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체 (10) 를 제작하였다. 각각 실시예 316∼336 으로 하였다. In Examples 169-189, the monolayer dispersion | distribution type positive charging
<비교예 30∼50> <Comparative Example 30-50>
실시예 169∼189 에 있어서, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (42) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169∼189 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체를 제작하였다. 각각 비교예 28∼48 로 하였다.In Examples 169-189, the monolayer dispersion | distribution type positive charging photosensitive member was produced like Example 169-189 except having changed the hole-transporting material into the compound represented by the said General formula (42). It was set as the comparative examples 28-48, respectively.
<비교예 51∼58> <Comparative Examples 51-58>
실시예 169 에 있어서, 전자 이동 재료를 상기 화학식 (43) 으로 표시되는 화합물 대신에, 정공 이동 재료를 상기 화학식 (34)∼식 (41) 로 표시되는 화합물로 변경한 것 이외에는 실시예 169 와 동일하게 하여 단층 분산형 정 대전 감광체를 제작하였다. 각각 비교예 51∼58 로 하였다.In Example 169, it replaces the electron transport material with the compound represented by the said General formula (43), and is the same as Example 169 except having changed the hole transport material into the compound represented by the said General formula (34)-(41). A monolayer distributed type positive electrode photosensitive member was produced. It was set as the comparative examples 51-58, respectively.
<단층 분산형 부 대전 감광체 측정 조건> <Single-layer distributed negative charging photosensitive member measuring condition>
코로나 방전 전류가 17㎂ 가 되도록 코로나 방전기를 설정하여, 상기 실시예 1∼168, 비교예 1∼27 에 있어서 제조한 단층 분산형 감광체 (10) 를 어두운 곳에서 코로나 방전에 의해 부 대전시켜 초기 대전 전위를 측정하였다. 이 때의 표면 전위를 대전성 (V) 로 한다.By setting the corona discharger so that the corona discharge current is 17 mA, the single-layer dispersed
그 후, 감광체 (10) 의 표면 전위가 -700V 가 되도록 방전 전류를 조절하여, 780㎚ 의 광으로 노광하여, 각 감광체 (10) 의 표면 전위를 -700V 로부터 -350 으로 반감시키는 노광량을 측정하였다. 이 때의 노광량을 반감 노광량 (μJ/㎠) 으로 한다. 이 반감 노광량은, 감광체 (10) 의 감도를 나타내는 값으로, 값이 작을수록 감도가 높은 것을 나타내고 있다. Thereafter, the discharge current was adjusted so that the surface potential of the
또한, 각 감광체 (10) 의 표면 전위 -700V 에서 780㎚ 의 광 (노광 에너지 10μJ/㎠) 을 조사하였을 때의 표면 전위를 측정하였다. 이 때의 표면 전위를 잔류 전위 (V) 로 한다.Moreover, the surface potential at the time of irradiating 780 nm light (
그 후, 다시 감광체 (10) 의 표면 전위가 -700V 가 되도록 대전하고, 어두운 곳에 10초간 방치하였을 때의 표면 전위 V10 를 측정하여, 전위유지율 (%)=V10/-700×100 을 구한다. 이 전위유지율은 감광체 (10) 의 절연성을 나타내는 지표가 된다.Thereafter, the surface potential of the
상기 측정은 LL 환경 (온도 15℃, 습도 15%), NN 환경 (온도 25℃, 습도 40%), HH 환경 (온도 35℃, 습도 80%) 의 3 환경 하에서 측정한다. 각 감광체 (10) 의 3 환경 하에서의 반감 노광량의 평균을 구하고, 각 감광체 (10) 에 있어서의 각 환경 하의 반감 노광량과의 차를 2승하여 합계한 값을, 감도 환경 안정성 지수로서 구한다. 감도 환경 안정 지수는 하기 수학식 (1) 로 표시된다. The measurement is carried out under three environments of LL environment (temperature 15 ° C., humidity 15%), NN environment (temperature 25 ° C., humidity 40%), and HH environment (temperature 35 ° C., humidity 80%). The average of the half-sensitive exposure amounts in three environments of each photoconductor 10 is calculated, and the value obtained by multiplying the difference with the half-sensitive exposure amounts under each environment in each photoconductor 10 is obtained as a sensitivity environmental stability index. The sensitivity environmental stability index is represented by the following equation (1).
수학식 (1) : 감도 환경 안정성 지수=(LL 환경의 반감 노광량-3 환경 하의 반감 노광량의 평균)2+(NN 환경의 반감 노광량-3 환경 하의 반감 노광량의 평균)2+(HH 환경의 반감 노광량-3 환경 하의 반감 노광량의 평균)2 Equation (1): sensitivity environmental stability index = (average of half-exposure exposure amount under LL environment -3 environment) 2 + (half-life exposure amount under NN environment-average of half-life exposure amount under NN environment) 2 + (half-life of HH environment Exposure dose-average of half exposure dose under environment) 2
이 값은 환경에 대한 감광체 감도의 변동 크기를 나타내고, 작을수록 환경이 변화하여도 감광체 감도가 변화하지 않는 것을 나타낸다. This value represents the magnitude of variation in the sensitivity of the photoconductor to the environment, and the smaller the value, the less the change in the photoconductor sensitivity even if the environment changes.
<단층 분산형 정 대전 감광체 측정 조건> <Measurement Conditions of Single Layer Dispersion Type Static Electrostatic Photosensitive Body>
코로나 방전 전류가 17㎂ 가 되도록 코로나 방전기를 설정하여, 상기 실시예 169∼336, 비교예 28∼54 에 있어서 제조한 단층 분산형 감광체를 어두운 곳에서 코로나 방전에 의해 정 대전시켜 초기 대전 전위를 측정하였다. 이 때의 표면 전위를 대전성 (V) 로 한다.The corona discharger was set so that the corona discharge current was 17 mA, and the single-layer dispersed photoconductor prepared in Examples 169 to 336 and Comparative Examples 28 to 54 was charged in the dark by corona discharge to measure the initial charging potential. It was. Surface potential at this time is made into charging property (V).
그 후, 감광체의 표면 전위가 700V 가 되도록 방전 전류를 조절하여, 780㎚ 의 광으로 노광하여, 각 감광체의 표면 전위를 700V 로부터 350 으로 반감시키는 노광량을 측정하였다. 이 때의 노광량을 반감 노광량 (μJ/㎠) 으로 한다. 이 반감 노광량은, 감광체의 감도를 나타내는 값으로, 값이 작을수록 감도가 높은 것을 나타낸다.Then, the discharge current was adjusted so that the surface potential of the photosensitive member might be set to 700V, it was exposed by 780 nm light, and the exposure amount which cuts the surface potential of each photosensitive member from 700V to 350 was measured. The exposure amount at this time is made into half exposure exposure amount (microJ / cm <2>). This half exposure exposure value is a value which shows the sensitivity of a photosensitive member, and it shows that a sensitivity is so high that a value is small.
또한, 각 감광체의 표면 전위 700V 에서 780㎚ 의 광 (노광 에너지 10μJ/㎠) 을 조사하였을 때의 표면 전위를 측정하였다. 이 때의 표면 전위를 잔류 전위(V) 로 한다. Moreover, the surface potential at the time of irradiating 780 nm light (
그 후, 다시 감광체의 표면 전위가 700V 가 되도록 대전하고, 어두운 곳에 10초간 방치하였을 때의 표면 전위 V10 를 측정하고, 전위유지율(%)=V10/700×100 을 구한다. 이 전위유지율은 감광체의 절연성을 나타내는 지표가 된다.Thereafter, the surface potential of the photoconductor is charged again to 700 V, the surface potential V10 when left for 10 seconds in a dark place is measured, and the potential holding ratio (%) = V10 / 700 x 100 is obtained. This potential holding ratio is an index indicating the insulation of the photosensitive member.
상기 측정은 LL 환경 (온도 15℃, 습도 15%), NN 환경 (온도 25℃, 습도 40%), HH 환경 (온도 35℃, 습도 80%) 의 3 환경 하에서 측정한다. 각 감광체의 3 환경 하에서의 반감 노광량의 평균을 구하고, 각 감광체에 있어서의 각 환경 하의 반감 노광량과의 차를 2승하여 합계한 값을, 감도 환경 안정성 지수로서 구한다. The measurement is carried out under three environments of LL environment (temperature 15 ° C., humidity 15%), NN environment (temperature 25 ° C., humidity 40%), and HH environment (temperature 35 ° C., humidity 80%). The average of the half-sensitive exposure amounts in three environments of each photosensitive member is calculated | required, and the value which multiplied the difference with the half-sensitive exposure amount in each environment in each photosensitive body is calculated | required as a sensitivity environmental stability index.
<측정 결과><Measurement result>
실시예 1∼168 및 비교예 1∼27 의 측정 결과는, 표 C(1)∼표 C(9) 와 같다.The measurement result of Examples 1-168 and Comparative Examples 1-27 is the same as Table C (1) -Table C (9).
실시예 169∼336 및 비교예 28∼54 의 측정 결과는 표 D(1)∼표 D(9) 와 같다.The measurement result of Examples 169-336 and Comparative Examples 28-54 is the same as Table D (1) -Table D (9).
상기 실시예와 비교예를 비교하면, 실시예는 반감 노광량이 작고 고감도인 감광체가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 본 발명의 단층 분산형 감광체에 일반식 (25) 에 표시되는 정공 이동 재료와 일반식 (1) 에 표시되는 전자 이동 재료를 사용한 실시예 1∼63 및 실시예 169∼231 은, 대전성, 전위유지율이 다른 정공 이동 재료를 사용한 감광체의 값보다 높아 안정된 특성을 나타내는 것을 알 수 있다.Comparing the said Example with a comparative example, it turns out that an Example has obtained the photosensitive member which has a small half-sensitivity exposure amount, and is highly sensitive. Examples 1 to 63 and Examples 169 to 231 using the hole transporting material represented by the general formula (25) and the electron transporting material represented by the general formula (1) in the monolayer dispersed photosensitive member of the present invention are charged and displaceable. It can be seen that the retention rate is higher than the value of the photoconductor using another hole transfer material and exhibits stable characteristics.
일반식 (26) 으로 표시되는 정공 이동 재료를 사용한 실시예 64∼105 및 실시예 232∼273 은 환경 안정 지수가 다른 정공 이동 재료를 사용한 감광체보다 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 일반식 (27) 로 표시되는 정공 이동 재료를 사용한 실시예 106∼168 및 실시예 274∼336 은, 대전성이 높은 것을 알 수 있다.It can be seen that Examples 64 to 105 and Examples 232 to 273 using hole transfer materials represented by the general formula (26) are superior to photoconductors using other hole transfer materials with different environmental stability indices. In addition, it turns out that Examples 106-168 and Examples 274-336 using the hole transport material represented by General formula (27) are high in chargeability.
이상 서술한 바와 같이 본 발명의 단층 분산형 감광체는 고감도이다.As described above, the single-layer dispersed photoconductor of the present invention is highly sensitive.
Claims (3)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2003/003072 WO2004081668A1 (en) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | Electrophotographic photoreceptor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060002816A KR20060002816A (en) | 2006-01-09 |
KR100988187B1 true KR100988187B1 (en) | 2010-10-18 |
Family
ID=32983469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020057017097A KR100988187B1 (en) | 2003-03-14 | 2003-03-14 | Electrophotographic photoreceptor |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100988187B1 (en) |
CN (1) | CN1759349A (en) |
AU (1) | AU2003221386A1 (en) |
WO (1) | WO2004081668A1 (en) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008015275A (en) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, image forming apparatus and process cartridge |
JP2008262050A (en) | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Fuji Xerox Co Ltd | Electrophotographic photoreceptor, process cartridge, and image forming apparatus |
JP5288835B2 (en) * | 2008-02-29 | 2013-09-11 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | Single layer type electrophotographic photosensitive member and image forming apparatus |
JP6040596B2 (en) * | 2011-07-19 | 2016-12-07 | 株式会社リコー | Electrophotographic photoreceptor, image forming method, image forming apparatus, and process cartridge |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010107588A (en) * | 2000-05-23 | 2001-12-07 | 추후제출 | Electrophotography photosensitive body and a electrophotography device equipped with the same |
JP2002081452A (en) * | 2000-09-04 | 2002-03-22 | Ntn Corp | Bearing device for driven wheel |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001242655A (en) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Kyocera Mita Corp | Electrophotographic photoreceptor |
JP2001255678A (en) * | 2000-03-10 | 2001-09-21 | Kyocera Mita Corp | Image forming device using positive electrification type monolayer electrophotographic photoreceptor |
JP2003005396A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-08 | Fuji Denki Gazo Device Kk | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic apparatus having the same |
JP4570300B2 (en) * | 2001-09-21 | 2010-10-27 | 山梨電子工業株式会社 | Electrophotographic photoreceptor |
-
2003
- 2003-03-14 KR KR1020057017097A patent/KR100988187B1/en active IP Right Grant
- 2003-03-14 CN CNA038261499A patent/CN1759349A/en active Pending
- 2003-03-14 AU AU2003221386A patent/AU2003221386A1/en not_active Abandoned
- 2003-03-14 WO PCT/JP2003/003072 patent/WO2004081668A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010107588A (en) * | 2000-05-23 | 2001-12-07 | 추후제출 | Electrophotography photosensitive body and a electrophotography device equipped with the same |
JP2002081452A (en) * | 2000-09-04 | 2002-03-22 | Ntn Corp | Bearing device for driven wheel |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPWO2002081452 A1* |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2004081668A1 (en) | 2004-09-23 |
KR20060002816A (en) | 2006-01-09 |
CN1759349A (en) | 2006-04-12 |
AU2003221386A1 (en) | 2004-09-30 |
AU2003221386A8 (en) | 2004-09-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4823124B2 (en) | Single-layer dispersion type photoreceptor, electrophotographic apparatus | |
US8278016B2 (en) | Electrophotographic photoconductor | |
JP2007271962A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2007233351A (en) | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic device | |
JP4570300B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2007206168A (en) | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic apparatus | |
KR100988187B1 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2004294589A (en) | Electron transfer material, photosensitive material, electrophotographic photoreceptor, and image forming apparatus | |
JP2010286762A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2000284511A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH11282179A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP4447187B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
US7629096B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor with an undercoat layer containing a polyimide resin and electrophotographic apparatus with the photoreceptor | |
JP3778595B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor and method for synthesizing diphenoquinone compound | |
JP4445687B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2003098704A (en) | Negative electrification monolayer dispersion type photoreceptor | |
JP3787164B2 (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2001109173A (en) | Method for producing electrophotographic photoreceptor and electrophotographic photoreceptor | |
JP2008256851A (en) | Electrophotographic photoreceptor and electrophotographic apparatus | |
JP2002196519A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2001175011A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JP2005121926A (en) | Electrophotographic photoreceptor | |
JPH0435756B2 (en) | ||
JP4048539B2 (en) | Electrophotographic photosensitive member and electrophotographic apparatus | |
JP2002169309A (en) | Electrophotographic photoreceptor |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130821 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140904 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150916 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160902 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170808 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180813 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190821 Year of fee payment: 10 |