KR100984346B1 - Liquid crystal display having multi domain and panel for the same - Google Patents

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Abstract

절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하고 있는 데이터선, 게이트선과 데이터선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 형성되어 있는 제1 화소 전극, 게이트선, 데이터선 및 제1 화소 전극에 3단자가 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 화소 영역마다 형성되어 있으며 제1 화소 전극에 연결되어 있는 결합 전극과 중첩되어 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극을 포함하는 액정 표시 장치를 마련한다. 이때, 제1 또는 제2 화소 전극은 액정 분자를 분할 배향하는 절개부를 가지는데, 절개부는 결합 전극과 중첩되지 않아 결합 전극은 제1 또는 제2 화소 전극으로 완전히 덮여 있다.A gate line formed on an insulating substrate, a data line insulated from and intersecting the gate line, a first pixel electrode, a gate line, a data line, and a first pixel electrode formed in each pixel region defined by the intersection of the gate line and the data line A liquid crystal display including thin film transistors each having three terminals connected to each other, and a second pixel electrode formed in each pixel region and overlapping a coupling electrode connected to the first pixel electrode and capacitively coupled to the first pixel electrode Arrange the device. In this case, the first or second pixel electrode has a cutout that divides and aligns the liquid crystal molecules. The cutout does not overlap with the coupling electrode, so that the coupling electrode is completely covered with the first or second pixel electrode.

이렇게 하면, 측면 시인성을 향상된 광시야각 액정 표시 장치를 얻을 수 있는 동시에 절개부의 끝 부분에서 테스쳐가 발생하는 것을 방지할 수 있어 표시 특성을 확보할 수 있다.  In this way, a wide viewing angle liquid crystal display device having improved side visibility can be obtained, and a test can be prevented from occurring at the end of the cutout portion, thereby ensuring display characteristics.

액정표시장치, 수직배향, 절개부, 결합전극LCD, vertical alignment, cutout, coupling electrode

Description

다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판{LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING MULTI DOMAIN AND PANEL FOR THE SAME}Multi-domain liquid crystal display and display panel used therefor {LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING MULTI DOMAIN AND PANEL FOR THE SAME}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,1 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 색필터 표시판의 배치도이고,2 is a layout view of a color filter display panel for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고,3 is a layout view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention;

도 4는 도 3의 IV-IV'선에 대한 단면도이고,4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV ′ of FIG. 3,

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 회로도이고,5 is a circuit diagram of a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고,6 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이고,FIG. 7 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 6 taken along the line VII-VII ′. FIG.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고,8 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention.

도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 회로도이다. 9 is a circuit diagram of a liquid crystal display device including the thin film transistor array panel according to the third exemplary embodiment of the present invention.                 

121 게이트선, 123 게이트 전극,121 gate line, 123 gate electrode,

133a, 133b, 133c 유지 전극, 176 결합 전극,133a, 133b, 133c sustain electrode, 176 bond electrode,

171 데이터선, 173 소스 전극,171 data lines, 173 source electrodes,

175 드레인 전극, 190 화소 전극,175 drain electrodes, 190 pixel electrodes,

191, 192, 193 절개부, 151, 154 비정질 규소층,191, 192, 193 incisions, 151, 154 amorphous silicon layer,

270 기준 전극, 271, 272, 273 절개부270 reference electrode, 271, 272, 273 incision

본 발명은 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판에 관한 것이다.The present invention relates to a liquid crystal display device and a display panel used therefor.

액정 표시 장치는 일반적으로 공통 전극과 색필터(color filter) 등이 형성되어 있는 상부 표시판과 박막 트랜지스터와 화소 전극 등이 형성되어 있는 하부 표시판 사이에 액정 물질을 주입해 놓고 화소 전극과 공통 전극에 서로 다른 전압을 인가함으로써 전계를 형성하여 액정 분자들의 배열을 변경시키고, 이를 통해 빛의 투과율을 조절함으로써 화상을 표현하는 장치이다.In general, a liquid crystal display device injects a liquid crystal material between an upper display panel on which a common electrode and a color filter are formed, and a lower display panel on which a thin film transistor and a pixel electrode are formed. By applying a different voltage to form an electric field to change the arrangement of the liquid crystal molecules, and through this to adjust the transmittance of light to represent the image.

그런데 액정 표시 장치는 시야각이 좁은 것이 중요한 단점이다. 이러한 단점을 극복하고자 시야각을 넓히기 위한 다양한 방안이 개발되고 있는데, 그 중에서도 액정 분자를 상하 표시판에 대하여 수직으로 배향하고 화소 전극과 그 대향 전극인 공통 전극에 일정한 절개 패턴을 형성하거나 돌기를 형성하는 방법이 유력시되고 있다. However, it is an important disadvantage that the liquid crystal display device has a narrow viewing angle. In order to overcome these disadvantages, various methods for widening the viewing angle have been developed. Among them, liquid crystal molecules are oriented vertically with respect to the upper and lower display panels, and a method of forming a constant incision pattern or forming protrusions on the pixel electrode and the common electrode that is opposite thereto. This is becoming potent.                         

절개 패턴을 형성하는 방법으로는 화소 전극과 공통 전극에 각각 절개 패턴을 형성하여 이들 절개 패턴으로 인하여 형성되는 프린지 필드(fringe field)를 이용하여 액정 분자들이 눕는 방향을 조절함으로써 시야각을 넓히는 방법이 있다. As a method of forming an incision pattern, an incision pattern is formed on each of the pixel electrode and the common electrode, and the viewing angle is widened by adjusting the direction in which the liquid crystal molecules lie down using a fringe field formed by the incision patterns. .

돌기를 형성하는 방법은 상하 표시판에 형성되어 있는 화소 전극과 공통 전극 위에 각각 돌기를 형성해 둠으로써 돌기에 의하여 왜곡되는 전기장을 이용하여 액정 분자의 눕는 방향을 조절하는 방식이다.The protrusions are formed by forming protrusions on the pixel electrode and the common electrode formed on the upper and lower display panels, respectively, to adjust the lying direction of the liquid crystal molecules using an electric field distorted by the protrusions.

또 다른 방법으로는, 하부 표시판 위에 형성되어 있는 화소 전극에는 절개 패턴을 형성하고 상부 표시판에 형성되어 있는 공통 전극 위에는 돌기를 형성하여 절개 패턴과 돌기에 의하여 형성되는 프린지 필드를 이용하여 액정의 눕는 방향을 조절함으로써 도메인을 형성하는 방식이 있다.In another method, an incision pattern is formed on the pixel electrode formed on the lower panel, and protrusions are formed on the common electrode formed on the upper panel, so that the liquid crystal lies down using a fringe field formed by the incision pattern and the protrusion. There is a way to form a domain by controlling.

이러한 다중 도메인 액정 표시 장치는 1:10의 대비비를 기준으로 하는 대비비 기준 시야각이나 계조간의 휘도 반전의 한계 각도로 정의되는 계조 반전 기준 시야각은 전 방향 80°이상으로 매우 우수하다. 그러나 정면의 감마(gamma)곡선과 측면의 감마 곡선이 일치하지 않는 측면 감마 곡선 왜곡 현상이 발생하여 TN(twisted nematic) 모드 액정 표시 장치에 비하여도 좌우측면에서 열등한 시인성을 나타낸다. 예를 들어, 도메인 분할 수단으로 절개부를 형성하는 PVA(patterned vertically aligned) 모드의 경우에는 측면으로 갈수록 전체적으로 화면이 밝게 보이고 색은 흰색 쪽으로 이동하는 경향이 있으며, 심한 경우에는 밝은 계조 사이의 간격 차이가 없어져서 그림이 뭉그러져 보이는 경우도 발생한다. 그런데 최근 액정 표시 장치가 멀티 미디어용으로 사용되면서 그림을 보거나 동영상을 보는 일이 증가하면서 시인성이 점점 더 중요시되고 있다.In such a multi-domain liquid crystal display, the gray scale inversion reference viewing angle defined as a contrast ratio reference viewing angle based on a contrast ratio of 1:10 or a limit angle of luminance inversion between gray scales is excellent, more than 80 ° in all directions. However, a side gamma curve distortion phenomenon occurs in which the front gamma curve and the side gamma curve do not coincide with each other, thereby inferior visibility in the left and right sides compared to the TN (twisted nematic) mode liquid crystal display. For example, in the patterned vertically aligned (PVA) mode, which makes an incision by domain dividing means, the screen looks brighter and the color tends to shift toward white as the side faces. Occasionally, the picture appears clumped and disappears. However, as liquid crystal display devices are used for multimedia in recent years, visibility has become increasingly important as pictures and moving pictures are viewed.

한편, 돌기 패턴이나 절개부를 이용하여 액정 분자의 눕는 방향을 조절하여 도메인을 형성할 때, 화소의 가장자리에 위치하는 액정 분자들이 왜곡된 전기장에 영향을 받아 배향이 흐트러지게 된다. 이로 인하여 텍스쳐나 빛샘 현상을 발생시켜 표시 특성을 저하시키는 원인으로 작용한다. On the other hand, when the domain is formed by adjusting the lying direction of the liquid crystal molecules using the projection pattern or the cutout, the liquid crystal molecules positioned at the edge of the pixel are affected by the distorted electric field, thereby disorienting the orientation. As a result, a texture or a light leakage phenomenon may be caused to deteriorate display characteristics.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 시인성이 우수한 다중 도메인 액정 표시 장치를 구현하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to implement a multi-domain liquid crystal display device having excellent visibility.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 텍스쳐나 빛샘 현상을 최소화할 수 있는 박막 트랜지스터 표시판을 제공하는 것이다. Another object of the present invention is to provide a thin film transistor array panel capable of minimizing texture or light leakage.

이러한 과제를 해결하기 위하여 본 발명에서는 화소 전극을 둘로 나누고 두 서브 화소 전극에 서로 다른 전위가 인가되도록 한다. In order to solve this problem, in the present invention, the pixel electrode is divided into two and different potentials are applied to the two sub pixel electrodes.

이때, 두 서브 화소 전극은 결합 전극을 통하여 용량성으로 결합되어 있는데, 결합 전극은 적어도 하나의 서브 화소 전극으로 완전히 덮이거나, 두 서브 화소 전극 사이에서 형성되는 전기장 방향과 액정의 배열 방향과 일치하도록 두 서브 화소 전극이 배치되어 있다. In this case, the two sub pixel electrodes are capacitively coupled through the coupling electrode, and the coupling electrode is completely covered with at least one sub pixel electrode, or coincides with the arrangement direction of the liquid crystal and the electric field direction formed between the two sub pixel electrodes. Two sub pixel electrodes are arranged.

더욱 상세하게, 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판에는 절연 기판 위에 제1 신호선이 형성되어 있고, 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선이 형성되어 있다. 제1 신호선과 제2 신호선이 교차하여 정의하는 각 화소 영역마다 제1 화소 전극이 형성되어 있으며, 제1 신호선, 제2 신호선 및 제1 화소 전극에 3단자가 각각 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터가 형성되어 있다. 또한, 화소 영역 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극이 형성되어 있으며, 제1 화소 전극과 연결되어 있고, 제2 화소 전극과 절연 상태로 중첩하고 있는 결합 전극이 형성되어 있다. 이때, 제1 화소 전극과 제2 화소 전극 중의 적어도 하나는 액정 분자를 분할 배향하는 제1 도메인 분할 수단을 가지며, 결합 전극과 제1 도메인 분할 수단은 중첩하지 않는다. More specifically, in the thin film transistor array panel according to the exemplary embodiment of the present invention, a first signal line is formed on an insulating substrate, and a second signal line insulated from and intersecting the first signal line is formed. A first pixel electrode is formed in each pixel region defined by the intersection of the first signal line and the second signal line, and the first thin film transistor having three terminals connected to the first signal line, the second signal line, and the first pixel electrode, respectively. Formed. In addition, a second pixel electrode capacitively coupled to the pixel region first pixel electrode is formed, and a coupling electrode connected to the first pixel electrode and overlapping the second pixel electrode in an insulated state is formed. . In this case, at least one of the first pixel electrode and the second pixel electrode has first domain dividing means for dividing and aligning the liquid crystal molecules, and the coupling electrode and the first domain dividing means do not overlap.

제1 도메인 분할 수단은 절개부이며, 결합 전극은 제1 또는 제2 화소 전극으로 완전히 덮여 있다.The first domain dividing means is an incision, and the coupling electrode is completely covered with the first or second pixel electrode.

결합 전극은 제1 박막 트랜지스터의 3단자 중 드레인 전극으로부터 연장되어 있다.The coupling electrode extends from the drain electrode among the three terminals of the first thin film transistor.

제1 신호선과 제2 신호선 사이에 형성되어 있는 게이트 절연막과 제2 신호선과 제1 및 제2 화소 전극 사이에 형성되어 있는 보호막을 더 포함하며, 결합 전극은 보호막에 형성되어 있는 접촉구를 통하여 제1 화소 전극과 연결되어 있는 것이 바람직하다.A gate insulating layer formed between the first signal line and the second signal line, and a passivation layer formed between the second signal line and the first and second pixel electrodes, wherein the coupling electrode is formed through a contact hole formed in the passivation layer; It is preferable to be connected to one pixel electrode.

제1 화소 전극과 제2 화소 전극의 서로 인접한 경계선 중 긴 변 2개는 제1 신호선과 45°를 이루는 것이 바람직하다. It is preferable that two long sides of the boundary lines adjacent to each other between the first pixel electrode and the second pixel electrode form 45 ° with the first signal line.

제2 신호선과 절연되어 교차하고 있으며 기준 전위가 인가되는 제3 신호선, 제1 신호선, 제2 화소 전극 및 제3 신호선에 3단자가 각각 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. 이때, 동일한 화소 영역 내의 제1 박막 트랜지 스터와 제2 박막 트랜지스터는 인접하는 서로 다른 제1 신호선에 각각 연결되어 있다.The display device may further include a second thin film transistor insulated from and intersecting the second signal line, and having three terminals connected to the third signal line, the first signal line, the second pixel electrode, and the third signal line to which the reference potential is applied. In this case, the first thin film transistor and the second thin film transistor in the same pixel area are respectively connected to adjacent first signal lines.

제1 화소 전극과 제2 화소 전극 사이에서 형성되는 전기장의 방향은 제1 화소 전극과 제2 화소 전극을 분리하는 절개부에 의해 배향되는 액정 분자의 배열 방향과 서로 같은 방향을 향하도록 제1 및 제2 화소 전극이 배치되어 있다.The direction of the electric field formed between the first pixel electrode and the second pixel electrode is oriented in the same direction as the alignment direction of the liquid crystal molecules oriented by the cutout separating the first pixel electrode and the second pixel electrode. The second pixel electrode is arranged.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 이러한 박막 트랜지스터 표시판과 제1 및 제2 화소 전극과 마주하여 액정 분자를 구동하기 위한 전기장을 형성하는 공통 전극을 포함하는 공통 전극 표시판을 포함한다.In addition, the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention includes a common electrode display panel including the thin film transistor array panel and a common electrode facing the first and second pixel electrodes to form an electric field for driving the liquid crystal molecules.

공통 전극은 제1 도메인 분할 수단과 함께 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할하는 제2 도메인 분할 수단을 가지는 것이 바람직하다.The common electrode preferably has second domain dividing means for dividing the pixel region into a plurality of small domains together with the first domain dividing means.

첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.DETAILED DESCRIPTION Embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the present invention. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as limited to the embodiments set forth herein.

도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. In the drawings, the thickness of layers, films, panels, regions, etc., are exaggerated for clarity. Like parts are designated by like reference numerals throughout the specification. When a part of a layer, film, region, plate, etc. is said to be "on" another part, this includes not only the other part being "right over" but also another part in the middle. On the contrary, when a part is "just above" another part, there is no other part in the middle.                     

그러면 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 구조에 대하여 설명한다.Next, a structure of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 배치도이고, 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 색필터 기판의 배치도이고, 도 3은 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치의 배치도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV'선에 대한 단면도이다.1 is a layout view of a thin film transistor substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a layout view of a color filter substrate for a liquid crystal display according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a layout view of a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV 'of FIG. 3.

본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치는 하부 표시판(100)과 이와 마주보고 있는 상부 표시판(200) 및 하부 표시판(100)과 상부 표시판(200) 사이에 주입되어 표시판에 수직으로 배향되어 있는 액정 분자(310)를 포함하는 액정층(310)으로 이루어진다.The liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention is a liquid crystal which is injected between the lower display panel 100 and the upper display panel 200 facing the lower display panel 100 and the lower display panel 100 and the upper display panel 200 and oriented perpendicular to the display panel. The liquid crystal layer 310 includes molecules 310.

먼저, 하부 표시판(100)인 박막 트랜지스터 표시판은 다음과 같은 구성을 가진다.First, the thin film transistor array panel, which is the lower panel 100, has the following configuration.

유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 절연 기판(110) 위에 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)이 형성되어 있다. 이중 제1 화소 전극(190a)은 박막 트랜지스터에 연결되어 화상 신호 전압을 인가 받고, 제2 화소 전극(190b)은 제1 화소 전극(190a)과 연결되어 있는 결합 전극(176b)과 중첩함으로써 제1 화소 전극(190a)과 전자기적으로 결합(용량성 결합)되어 있다. 이 때, 박막 트랜지스터는 주사 신호를 전달하는 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 제1 화소 전극(190a)에 인가되는 화상 신호를 온(on)오프(off)한다. 이때, 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)은 절개부(191, 192, 193, 194, 195)를 가지며, 결합 전극(176b)은 제2 화소 전극(190b)의 절개부(192, 193, 194) 사이로 이들과 평행하게 뻗은 분지를 가진다. 또, 절연 기판(110)의 아래 면에는 하부 편광판(12)이 부착되어 있다. 여기서, 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)은 반사형 액정 표시 장치인 경우 투명한 물질로 이루어지지 않을 수도 있고, 이 경우에는 하부 편광판(12)도 불필요하게 된다.First and second pixel electrodes 190a and 190b made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are formed on the insulating substrate 110 made of a transparent insulating material such as glass. have. The first pixel electrode 190a is connected to the thin film transistor to receive an image signal voltage, and the second pixel electrode 190b overlaps the coupling electrode 176b connected to the first pixel electrode 190a so that the first pixel electrode 190a is connected to the thin film transistor. It is electromagnetically coupled (capacitively coupled) with the pixel electrode 190a. In this case, the thin film transistor is connected to the gate line 121 transmitting the scan signal and the data line 171 transmitting the image signal, respectively, to turn on the image signal applied to the first pixel electrode 190a according to the scan signal. on) off. In this case, the first and second pixel electrodes 190a and 190b have cutouts 191, 192, 193, 194, and 195, and the coupling electrode 176b has a cutout 192 of the second pixel electrode 190b. 193, 194 with branches extending parallel to them. In addition, the lower polarizing plate 12 is attached to the lower surface of the insulating substrate 110. Here, the first and second pixel electrodes 190a and 190b may not be made of a transparent material in the case of a reflective liquid crystal display device, and in this case, the lower polarizer 12 is also unnecessary.

다음, 상부 표시판(200)의 구성은 다음과 같다.Next, the configuration of the upper panel 200 is as follows.

역시 유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 절연 기판(210)의 아래 면에 빛샘을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)와 적, 녹, 청의 색필터(230) 및 ITO 또는 IZO 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 여기서, 공통 전극(270)에는 절개부(271, 272, 273)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 화소 영역의 둘레 부분뿐만 아니라 공통 전극(270)의 절개부(271, 272, 273)와 중첩하는 부분에도 형성할 수 있다. 이는 절개부(271, 272, 273)로 인해 발생하는 빛샘을 방지하기 위함이다.It is also made of a black matrix 220 to prevent light leakage on the lower surface of the insulating substrate 210 made of a transparent insulating material such as glass, a color filter 230 of red, green, and blue and a transparent conductive material such as ITO or IZO. The common electrode 270 is formed. Here, the cutouts 271, 272, and 273 are formed in the common electrode 270. The black matrix 220 may be formed not only in the peripheral portion of the pixel region but also in the portion overlapping the cutouts 271, 272, and 273 of the common electrode 270. This is to prevent light leakage caused by the cutouts 271, 272, and 273.

제1 실시예에 따른 액정 표시 장치용 하부 표시판 즉 박막 트랜지스터 표시판(100)에 대하여 좀 더 상세히 한다.The lower panel for the liquid crystal display device, that is, the thin film transistor array panel 100 according to the first embodiment, will be described in more detail.

하부의 절연 기판(110) 위에 주로 가로 방향으로 뻗어 있는 복수의 게이트선(121)과 유지 전극선(131)이 형성되어 있다. A plurality of gate lines 121 and storage electrode lines 131 extending mainly in the horizontal direction are formed on the lower insulating substrate 110.

게이트선(121)은 복수의 부분이 아래 위로 확장되어 게이트 전극(123)을 이루고, 한쪽 끝부분(125)은 외부 회로와의 연결을 위하여 넓게 확장되어 있다. The gate line 121 has a plurality of portions extending up and down to form a gate electrode 123, and one end portion 125 is widely extended for connection with an external circuit.                     

각 유지 전극선(131)은 그로부터 뻗어 나와 화소의 가장자리에 배치되어 있는 여러 벌의 유지 전극(storage electrode)(133a, 133b, 133c, 133d)을 포함한다. 한 벌의 유지 전극(133a, 133b, 133c, 133d) 중 세 개의 유지 전극(133a, 133b, 133c)은 세로 방향으로 뻗어 있으며, 가로 방향으로 뻗은 다른 하나의 유지 전극(133d)은 화소의 하부에 위치하여 두 유지 전극(133a, 133c)을 연결한다. 이 때, 각 유지 전극선(131)은 2개 이상의 가로선으로 이루어질 수도 있다.Each of the storage electrode lines 131 includes a plurality of storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d that extend out therefrom and are disposed at edges of the pixel. Three of the storage electrodes 133a, 133b, and 133c of the pair of storage electrodes 133a, 133b, 133c, and 133d extend in the vertical direction, and the other storage electrode 133d that extends in the horizontal direction is located at the bottom of the pixel. Position and connects the two sustain electrodes 133a and 133c. In this case, each of the storage electrode lines 131 may be formed of two or more horizontal lines.

게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 Al, Al 합금, Ag, Ag 합금, Cr, Ti, Ta, Mo 등의 금속 따위로 만들어진다. 도 4에 나타난 바와 같이, 본 실시예의 게이트선(121) 및 유지 전극선(131)은 단일층으로 이루어지지만, 물리 화학적 특성이 우수한 Cr, Mo, Ti, Ta 등의 금속층과 비저항이 작은 Al 계열 또는 Ag 계열의 금속층을 포함하는 이중층으로 이루어질 수도 있다. 이외에도 여러 다양한 금속 또는 도전체로 게이트선(121)과 유지 전극선(131)을 만들 수 있다.The gate line 121 and the storage electrode line 131 are made of metal such as Al, Al alloy, Ag, Ag alloy, Cr, Ti, Ta, Mo, or the like. As shown in FIG. 4, the gate line 121 and the storage electrode line 131 of the present embodiment are formed of a single layer, but have a high physical and chemical properties such as Cr, Mo, Ti, Ta, and the like and an Al series having a small specific resistance or It may be made of a double layer including an Ag-based metal layer. In addition, the gate line 121 and the storage electrode line 131 may be made of various metals or conductors.

게이트선(121)과 유지 전극선(131)이 측면은 경사져 있으며 수평면에 대한 경사각은 30-80°인 것이 바람직하다.The sidewalls of the gate line 121 and the storage electrode line 131 are inclined, and the inclination angle with respect to the horizontal plane is 30 to 80 °.

게이트선(121)과 유지 전극선(131)의 위에는 질화규소(SiNx) 등으로 이루어진 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. A gate insulating layer 140 made of silicon nitride (SiNx) or the like is formed on the gate line 121 and the storage electrode line 131.

게이트 절연막(140) 위에는 복수의 데이터선(171)을 비롯하여 복수의 박막 트랜지스터 드레인 전극(drain electrode)(175) 및 복수의 결합 전극(176b)이 형성되어 있다. 각 데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 각 드레인 전극(175)을 향하여 복수의 분지를 내어 박막 트랜지스터의 소스 전극(source electrode)(173)을 이룬다. 결합 전극(176)은 드레인 전극(175)과 연결되어 있고, 절개부(192, 193, 194) 사이로 이들과 평행하게 뻗은 분지의 V자 모양으로 굴절된 부분과 유지 전극(133b, 133c)과 중첩된 부분을 포함한다.A plurality of thin film transistor drain electrodes 175 and a plurality of coupling electrodes 176b are formed on the gate insulating layer 140, as well as a plurality of data lines 171. Each data line 171 extends mainly in a vertical direction, and forms a plurality of branches toward each drain electrode 175 to form a source electrode 173 of the thin film transistor. The coupling electrode 176 is connected to the drain electrode 175 and overlaps the V-shaped refracted portion of the branch extending in parallel between the cutouts 192, 193, and 194 and the storage electrodes 133b and 133c. To include the part.

데이터선(171), 드레인 전극(175) 및 결합 전극(176)도 게이트선(121)과 마찬가지로 크롬과 알루미늄 등의 물질로 만들어지며, 단일층 또는 다중층으로 이루어질 수 있다.Like the gate line 121, the data line 171, the drain electrode 175, and the coupling electrode 176 may be made of a material such as chromium and aluminum, and may be formed of a single layer or multiple layers.

데이터선(171) 및 드레인 전극(175)의 아래에는 데이터선(171)을 따라 주로 세로로 길게 뻗은 복수의 선형 반도체(151)가 형성되어 있다. 비정질 규소 따위로 이루어진 각 선형 반도체(151)는 각 게이트 전극(123), 소스 전극(173) 및 드레인 전극(175)을 향하여 가지를 내어 박막 트랜지스터의 채널부(154)를 이룬다.Under the data line 171 and the drain electrode 175, a plurality of linear semiconductors 151 extending mainly vertically along the data line 171 are formed. Each linear semiconductor 151 made of amorphous silicon branches to the gate electrode 123, the source electrode 173, and the drain electrode 175 to form a channel portion 154 of the thin film transistor.

반도체(151)와 데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 사이에는 둘 사이의 접촉 저항을 감소시키기 위한 복수의 선형 저항성 접촉 부재(ohmic contact)(161) 및 섬형 드레인부 저항성 접촉 부재(165)가 형성되어 있다. 저항성 접촉 부재(161)는 소스 전극(173) 하부에 위치하는 소스부 저항성 접촉 부재(163)를 포함하며, 이들(161, 165)은 실리사이드나 n형 불순물이 고농도로 도핑된 비정질 규소 따위로 만들어진다. Between the semiconductor 151 and the data line 171 and the drain electrode 175, a plurality of linear ohmic contacts 161 and an island type drain resistive contact member 165 to reduce contact resistance between the two. Is formed. The ohmic contact 161 may include a source ohmic contact 163 positioned under the source electrode 173, and these 161 and 165 may be made of amorphous silicon doped with silicide or n-type impurities at a high concentration. .

데이터선(171) 및 드레인 전극(175) 위에는 질화규소 등의 무기 절연물이나 수지 등의 유기 절연물로 이루어진 보호막(180)이 형성되어 있다.A passivation layer 180 made of an inorganic insulator such as silicon nitride or an organic insulator such as resin is formed on the data line 171 and the drain electrode 175.

보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 적어도 일부와 데이터선(171)의 끝부분(179)을 각각 노출시키는 복수의 접촉 구멍(181, 183)이 구비되어 있으며, 게이트선(121)의 끝부분(125)과 유지 전극선(131)의 일부를 각각 드러내는 복수의 접촉 구멍(182, 184, 185)이 게이트 절연막(140)과 보호막(180)을 관통하고 있다. The passivation layer 180 is provided with a plurality of contact holes 181 and 183 exposing at least a portion of the drain electrode 175 and the end portion 179 of the data line 171, respectively, and the end of the gate line 121. A plurality of contact holes 182, 184, and 185 exposing portions 125 and portions of the storage electrode lines 131 penetrate the gate insulating layer 140 and the passivation layer 180, respectively.

보호막(180) 위에는 복수의 화소 전극(190a, 190b)을 비롯하여 복수의 접촉 보조 부재(contact assistant)(95, 97) 및 복수의 유지 전극선 연결 다리(storage bridge)(91)가 형성되어 있다. 화소 전극(190a, 190b), 접촉 보조 부재(95, 97) 및 연결 다리(91)는 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등과 같은 투명 도전체나 알루미늄(Al)과 같은 광 반사 특성이 우수한 불투명 도전체 따위로 만들어진다. A plurality of contact assistants 95 and 97 and a plurality of storage bridge 91 are formed on the passivation layer 180, as well as a plurality of pixel electrodes 190a and 190b. The pixel electrodes 190a and 190b, the contact auxiliary members 95 and 97, and the connection legs 91 may be formed of a transparent conductor such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO), or a light reflection characteristic such as aluminum (Al). This excellent opaque conductor is made.

화소 전극(190a, 190b)은 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b)으로 분류되며, 제1 화소 전극(190a)은 접촉 구멍(181a)을 통하여 드레인 전극(175)과 연결되어 있고, 제2 화소 전극(190b)은 드레인 전극(175)과 연결되어 있는 결합 전극(176)과 중첩하고 있다. 따라서, 제2 화소 전극(190b)은 제1 화소 전극(190a)에 전자기적으로 결합(용량성 결합)되어 있다.The pixel electrodes 190a and 190b are classified into the first pixel electrode 190a and the second pixel electrode 190b, and the first pixel electrode 190a is connected to the drain electrode 175 through the contact hole 181a. The second pixel electrode 190b overlaps the coupling electrode 176 connected to the drain electrode 175. Therefore, the second pixel electrode 190b is electromagnetically coupled (capacitively coupled) to the first pixel electrode 190a.

제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b)을 나누는 절개부(192)는 게이트선(121)에 대하여 45°를 이루는 부분과 수직을 이루는 부분으로 구분되고, 이중 45°를 이루는 두 부분은 수직을 이루는 부분에 비하여 길이가 길다. 또, 수직을 이루는 부분은 유지 전극(133a)과 중첩되어 있으며, 45°를 이루는 두 부분은 수직을 이루는 부분으로 연결되어 있으며, 서로 수직을 이루고 있다. The cutout 192 dividing the first pixel electrode 190a and the second pixel electrode 190b is divided into a portion perpendicular to a portion that forms a 45 ° angle with respect to the gate line 121, and two portions that form a 45 ° portion. The part is longer in length than the vertical part. In addition, the vertical portions are overlapped with the storage electrode 133a, and two portions constituting 45 ° are connected to the vertical portions, and are perpendicular to each other.

제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)은 각각 절개부(191, 193)를 가지는데, 게이트선(121)에 대하여 45°를 이루고 있으며, 각각은 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)의 내부에 형성되어 있다. 또한, 제2 화소 전극(190b)은 절개부(194)를 가지는데, 제2 화소 전극(190b)의 오른쪽 변에서 왼쪽 변을 향하여 파고 들어간 형태이고, 입구는 넓게 확장된 형태이다. 제2 화소 전극(190b)의 절개부(193)는 게이트선(121)에 대하여 45°를 이루는 부분과 오른쪽 변에서 왼쪽 변을 향하여 파고 들어간 부분을 포함한다.The first and second pixel electrodes 190a and 190b have cutouts 191 and 193, respectively, which are 45 ° with respect to the gate line 121, and each of the first and second pixel electrodes 190a and 190b respectively includes the first and second pixel electrodes 190a and 190b. It is formed inside 190b). In addition, the second pixel electrode 190b has a cutout 194. The second pixel electrode 190b penetrates from the right side to the left side of the second pixel electrode 190b, and the inlet is widened. The cutout 193 of the second pixel electrode 190b includes a portion that forms 45 ° with respect to the gate line 121 and a portion that is dug toward the left side from the right side.

제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b) 및 이들(190a, 190b)의 모양을 정의하는 절개부(191, 192, 193, 194, 195)들은 각각 게이트선(121)과 데이터선(171)이 교차하여 정의하는 화소 영역을 상하로 이등분하는 선(게이트선과 나란한 선)에 대하여 실질적으로 거울상 대칭을 이루고 있다.The cutouts 191, 192, 193, 194, and 195 defining the shapes of the first pixel electrode 190a, the second pixel electrode 190b, and the shapes of the first and second pixel electrodes 190a and 190b are respectively the gate line 121 and the data line. Substantially mirror image symmetry is achieved with respect to a line (a line parallel to the gate line) that bisects the pixel region defined by intersection 171.

또, 보호막(180)의 위에는 게이트선(121)을 건너 그 양쪽에 위치하는 두 유지 전극선(131)을 연결하는 유지 배선 연결 다리(91)가 형성되어 있다. 유지 배선 연결 다리(91)는 보호막(180)과 게이트 절연막(140)을 관통하는 접촉구(183, 184)를 통하여 유지 전극(133a) 및 유지 전극선(131)에 접촉하고 있다. 유지 배선 연결 다리(91)는 하부 기판(110) 위의 유지 전극선(131) 전체를 전기적으로 연결하는 역할을 하고 있다. 이러한 유지 전극선(131)은 필요할 경우 게이트선(121)이나 데이터선(171)의 결함을 수리하는데 이용할 수 있고, 이러한 수리를 위하여 레이저를 조사할 때, 게이트선(121)과 유지 배선 연결 다리(91)의 전기적 연결을 보조하기 위하여 이들 사이에는 데이터선(171)과 동일한 층으로 다리부 금속편이 배치될 수 있다.On the passivation layer 180, a storage wiring connecting leg 91 is formed to connect the two storage electrode lines 131 across the gate line 121 and positioned at both sides thereof. The storage wiring connection leg 91 is in contact with the storage electrode 133a and the storage electrode line 131 through the contact holes 183 and 184 penetrating through the passivation layer 180 and the gate insulating layer 140. The storage wiring connection leg 91 serves to electrically connect the entire storage electrode line 131 on the lower substrate 110. The storage electrode line 131 may be used to repair a defect of the gate line 121 or the data line 171 if necessary, and when the laser is irradiated for such repair, the gate line 121 and the sustain wiring connection bridge ( In order to assist the electrical connection of the 91, a leg metal piece may be disposed between the two in the same layer as the data line 171.

접촉 보조 부재(95, 97)는 각각 접촉 구멍(182, 183)을 통하여 게이트선의 끝부분(125)과 데이터선의 끝부분(179)에 연결되어 있다.The contact auxiliary members 95 and 97 are connected to the end portion 125 of the gate line and the end portion 179 of the data line through the contact holes 182 and 183, respectively.

한편, 박막 트랜지스터 표시판과 마주하는 상부 표시판(200)은 다음과 같은 구성을 가진다.Meanwhile, the upper panel 200 facing the thin film transistor array panel has the following configuration.

하부 절연 기판(110)과 마주하는 상부 절연 기판(210)에는 빛이 새는 것을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220) 위에는 화소 영역에 순차적으로 배치되어 있는 적, 녹, 청색 색필터(230)가 형성되어 있다. 색필터(230)의 위에는 복수 벌의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276)를 가지는 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 공통 전극(270)은 ITO 또는 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전체로 형성한다.A black matrix 220 is formed on the upper insulating substrate 210 facing the lower insulating substrate 110 to prevent light leakage. The red, green, and blue color filters 230 which are sequentially disposed in the pixel area are formed on the black matrix 220. A common electrode 270 having a plurality of cutouts 271, 272, 273, 274, 275, and 276 is formed on the color filter 230. The common electrode 270 is formed of a transparent conductor such as ITO or indium zinc oxide (IZO).

공통 전극(270)의 한 벌의 절개부(271, 272, 273, 274, 275, 276)는 두 화소 전극(190a, 190b)의 경계인 절개부(192), 이들(191a, 191b)의 절개부(191, 193, 194) 중 게이트선(121)에 대하여 45°를 이루는 부분을 가운데에 끼고 배치되어 있으며 이들과 나란한 사선부와 화소 전극(190a, 190b)의 변과 중첩되어 있는 단부를 포함하고 있다. 이 때, 단부는 세로 방향 단부와 가로 방향 단부로 분류된다. A pair of cutouts 271, 272, 273, 274, 275, and 276 of the common electrode 270 are cutouts 192 that are boundaries between two pixel electrodes 190a and 190b and cutouts of these 191a and 191b. A portion of 191, 193, and 194, which is positioned at 45 ° with respect to the gate line 121, is disposed at the center thereof, and includes an oblique portion parallel to them and an end portion overlapping the sides of the pixel electrodes 190a and 190b. have. At this time, the end is classified into a longitudinal end part and a horizontal end part.

이상과 같은 구조의 박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판을 정렬하여 결합하고 그 사이에 액정 물질을 주입하여 수직 배향하면 본 발명에 한 실시예에 따른 액정 표시 장치의 기본 구조가 마련된다. When the thin film transistor array panel and the color filter display panel having the above structure are aligned and combined, and a liquid crystal material is injected and vertically aligned therebetween, the basic structure of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention is provided.

박막 트랜지스터 표시판과 색필터 표시판을 정렬했을 때 공통 전극(270)의 한 벌의 절개부(271, 272, 273)는 두 화소 전극(190a, 190b)을 각각 복수의 부영역(subarea)으로 구분하는데, 본 실시예에서는 도 3에 도시한 바와 같이 두 화 소 전극(190a, 190b)을 각각 8개의 부영역으로 나눈다. 도 3에서 알 수 있는 바와 같이, 각 부영역은 길쭉하게 형성되어 있어서 폭 방향과 길이 방향이 구별된다.When the thin film transistor array panel and the color filter panel are aligned, the cutouts 271, 272, and 273 of the common electrode 270 divide the two pixel electrodes 190a and 190b into a plurality of sub-areas, respectively. In the present embodiment, as illustrated in FIG. 3, the two pixel electrodes 190a and 190b are divided into eight sub-regions. As can be seen in FIG. 3, each subregion is elongated to distinguish the width direction from the length direction.

화소 전극(190a, 190b)의 각 부영역과 이에 대응하는 기준 전극(270)의 각 부영역 사이에 있는 액정층(300) 부분을 앞으로는 소영역(subregion)이라고 하며, 이들 소영역은 전계 인가시 그 내부에 위치하는 액정 분자의 평균 장축 방향에 따라 8개의 종류로 분류되며 앞으로는 이를 도메인(domain)이라고 한다. The portion of the liquid crystal layer 300 between each subregion of the pixel electrodes 190a and 190b and the corresponding subregion of the reference electrode 270 is referred to as a subregion in the future, and these small regions are applied when an electric field is applied. It is classified into eight types according to the average major axis direction of the liquid crystal molecules located therein, which is called domain in the future.

이러한 구조의 액정 표시 장치에서 제1 화소 전극(190a)은 박막 트랜지스터를 통하여 화상 신호 전압을 인가받음에 반하여 제2 화소 전극(190b)은 결합 전극(176)과의 용량성 결합에 의하여 전압이 변동하게 되므로 제2 화소 전극(190b)의 전압은 제1 화소 전극(190a)의 전압에 비하여 절대값이 항상 낮게 된다. 이와 같이, 하나의 화소 영역 내에서 전압이 다른 두 화소 전극을 배치하면 두 화소 전극이 서로 보상하여 감마 곡선의 왜곡을 줄일 수 있다. In the liquid crystal display having the structure, the first pixel electrode 190a receives an image signal voltage through the thin film transistor, whereas the voltage of the second pixel electrode 190b varies due to capacitive coupling with the coupling electrode 176. As a result, the voltage of the second pixel electrode 190b is always lower than the voltage of the first pixel electrode 190a. As such, when two pixel electrodes having different voltages are disposed in one pixel area, the two pixel electrodes compensate for each other to reduce distortion of the gamma curve.

그러면 제1 화소 전극(190a)의 전압이 제2 화소 전극(190b)의 전압보다 낮게 유지되는 이유를 도 5를 참고로 하여 설명한다.Next, the reason why the voltage of the first pixel electrode 190a is lower than the voltage of the second pixel electrode 190b will be described with reference to FIG. 5.

도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 액정 표시 장치를 회로도로써 표현한 것이다.5 is a circuit diagram illustrating a liquid crystal display according to a first exemplary embodiment of the present invention.

도 5에서 Clca는 제1 화소 전극(190a)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 액정 용량을 나타내고, Cst는 제1 화소 전극(190a)과 유지 전극선(131) 사이에서 형성되는 유지 용량을 나타낸다. Clcb는 제2 화소 전극(190b)과 공통 전극(270) 사이에서 형성되는 액정 용량을 나타내고, Ccp는 제1 화소 전극(190a)과 제2 화소 전극(190b) 사이에서 형성되는 결합 용량을 나타낸다.In FIG. 5, Clca represents a liquid crystal capacitor formed between the first pixel electrode 190a and the common electrode 270, and Cst represents a storage capacitor formed between the first pixel electrode 190a and the storage electrode line 131. . Clcb represents a liquid crystal capacitor formed between the second pixel electrode 190b and the common electrode 270, and Ccp represents a coupling capacitor formed between the first pixel electrode 190a and the second pixel electrode 190b.

공통 전극(270) 전압에 대한 제1 화소 전극(190a)의 전압을 Va라 하고, 제2 화소 전극(190b)의 전압을 Vb라 하면, 전압 분배 법칙에 의하여,When the voltage of the first pixel electrode 190a with respect to the voltage of the common electrode 270 is called Va, and the voltage of the second pixel electrode 190b is called Vb, according to the voltage division law,

Va=Vb×[Ccp/(Ccp+Clcb)]Va = Vb × [Ccp / (Ccp + Clcb)]

이고, Ccp/(Ccp+Clcb)는 항상 1보다 작으므로 Vb는 Va에 비하여 항상 작다. Since Ccp / (Ccp + Clcb) is always less than 1, Vb is always smaller than Va.

한편, Ccp를 조절함으로써 Va에 대한 Vb의 비율을 조정할 수 있다. Ccp의 조절은 결합 전극(176)과 제2 화소 전극(190b)의 중첩 면적과 거리를 조정함으로써 가능하다. 중첩 면적은 결합 전극(176)의 폭을 변화시킴으로써 용이하게 조정할 수 있고, 거리는 결합 전극(176)의 형성 위치를 변화시킴으로써 조정할 수 있다. 즉, 본 발명의 실시예에서는 결합 전극(176)을 데이터선(171)과 같은 층에 형성하였으나, 게이트선(121)과 같은 층에 형성함으로써 결합 전극(176)과 제2 화소 전극(190b) 사이의 거리를 증가시킬 수 있다. On the other hand, by adjusting Ccp, the ratio of Vb to Va can be adjusted. The adjustment of Ccp is possible by adjusting the overlapping area and distance of the coupling electrode 176 and the second pixel electrode 190b. The overlapping area can be easily adjusted by changing the width of the coupling electrode 176, and the distance can be adjusted by changing the formation position of the coupling electrode 176. That is, in the exemplary embodiment of the present invention, the coupling electrode 176 is formed on the same layer as the data line 171, but the coupling electrode 176 and the second pixel electrode 190b are formed on the same layer as the gate line 121. You can increase the distance between them.

이때, 낮은 전압이 전달되는 제2 화소 전극(190b)이 높은 전압이 인가되는 제1 화소 전극(190a)보다 아래에 위치하고 있어 A 영역에서는 제2 화소 전극(190b)에서 제1 화소 전극(190a) 방향으로 전기장이 형성되며, 이 방향은 A 영역에서 절개부(192)에 의해 형성되는 프린지 필드에 의해 분할 배향되는 액정 분자가 눕는 방향과 유사하다. 따라서, A 영역에서는 액정 분자의 배열이 흐트러지는 것이 방생하지 않으며, 이를 통하여 텍스쳐나 빛샘 현상을 발생하는 것을 방지할 수 있어 표시 특성을 확보할 수 있다. In this case, since the second pixel electrode 190b to which the low voltage is transmitted is located below the first pixel electrode 190a to which the high voltage is applied, in the area A, the second pixel electrode 190b to the first pixel electrode 190a. The electric field is formed in the direction, which is similar to the direction in which the liquid crystal molecules divided by the fringe field formed by the cutout 192 in the region A lay down. Therefore, the arrangement of the liquid crystal molecules is not disturbed in the region A, thereby preventing the occurrence of a texture or light leakage, thereby securing display characteristics.

또한, 이러한 본 발명의 실시예에 따른 액정 표시 장치의 구조에서는 결합 전극(176b)이 제2 화소 전극(190b)에 의해 완전히 덮여 있으며, 화소 전극(190a, 190b)의 절개부(191, 192, 193, 194, 195)에서 결합 전극(176b)이 드러나지 않아 절개부(191, 192, 193, 194, 195)의 가장자리 끝부분에서 테스쳐가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 특히, 도 1 및 도 3에서 보는 바와 같이, 제2 화소 전극(190b)의 절개부(193)의 경계선은 결합 전극(176b)의 경계선 안쪽에 위치한다. 그러므로 B 영역에서 절개부(193)의 가장자리 부근에 형성되는 프린지 필드는 결합 전극(176b)에 의해 영향을 받지 않아, B 영역에서는 왜곡된 전기장이 발생하지 않고 절개부(193)에 의한 프린지 필드에 의해서만 액정 분자의 눕는 방향을 결정된다. 따라서, B 영역에서 왜곡된 전기장에 영향으로 액정 분자의 배향이 흐트러지는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통하여 텍스쳐나 빛샘 현상을 발생하는 것을 방지할 수 있어 표시 특성을 확보할 수 있다.In addition, in the structure of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, the coupling electrode 176b is completely covered by the second pixel electrode 190b and the cutouts 191, 192, of the pixel electrodes 190a and 190b are formed. Since the coupling electrode 176b is not exposed at 193, 194, and 195, a test may be prevented from occurring at the edges of the cutouts 191, 192, 193, 194, and 195. In particular, as shown in FIGS. 1 and 3, the boundary line of the cutout 193 of the second pixel electrode 190b is positioned inside the boundary line of the coupling electrode 176b. Therefore, the fringe field formed near the edge of the cutout 193 in the region B is not affected by the coupling electrode 176b, so that a distorted electric field does not occur in the region B and the fringe field is formed by the cutout 193. Only by lying down the liquid crystal molecules are determined. Accordingly, the alignment of the liquid crystal molecules may be prevented from being disturbed due to the electric field distorted in the region B, thereby preventing the occurrence of texture or light leakage, thereby securing display characteristics.

결합 전극(176b)의 배치 및 구조는 화소 불할 수단인 절개부의 모양을 따라 또는 드레인 전극(175)과 제1 또는 제2 화소 전극(190a, 190b) 중 어디에 연결되는지에 따라 다양하게 변형될 수 있다. 이에 대한 하나의 예는 제2 실시예로써 설명한다.The arrangement and structure of the coupling electrode 176b may be modified in various ways depending on the shape of the cutout, which is a pixel indispensable means, or depending on whether the drain electrode 175 is connected to the first or second pixel electrodes 190a and 190b. . One example of this is described as the second embodiment.

도 6은 본 발명의 제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 배치도이고, 도 7은 도 6의 박막 트랜지스터 표시판을 VII-VII'선을 따라 잘라 도시한 단면도이다.6 is a layout view of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to a second exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a cross-sectional view of the thin film transistor array panel of FIG. 6 taken along the line VII-VII ′.

제2 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판에서는 드레인 전극(175)이 제2 화소 전극(190b) 하부까지 연장되고 접촉 구멍(181b)을 통하여 제2 화소 전극(190b)에 연결되어 있다. 결합 전극(176a)은 제1 화소 전극(190a)에 중첩되어 있으며, 제1 화소 전극(190a)의 절개부(191) 양쪽에 위치하고 공통 전극표시판과 정렬할 때 공통 전극(270, 도 2 참조)의 절개부(271, 272, 275, 276)와 중첩하는 가지부와 이들을 연결하며 화소의 가장자리 둘레에 배치되어 있는 연결부를 포함한다. 이때, 결합 전극(176a) 중에서 일부, C 영역에서 제1 화소 전극(190a)의 절개부(191, 195)에 인접한 부분은 다른 부분보다 얇은 폭을 가진다. 이는 제1 실시예에서와 같이 제1 화소 전극(190a)의 절개부(191, 195)에서 결합 전극(176a)이 노출되는 것을 방지하기 위함이다. 이를 통하여 제1 실시예에서와 같이 화소의 가장자리 C 영역에서 텍스쳐가 발생하는 것을 방지할 수 있다.In the thin film transistor array panel for the liquid crystal display according to the second embodiment, the drain electrode 175 extends below the second pixel electrode 190b and is connected to the second pixel electrode 190b through the contact hole 181b. The coupling electrode 176a overlaps the first pixel electrode 190a and is disposed on both sides of the cutout 191 of the first pixel electrode 190a and is aligned with the common electrode display panel. Branch portions overlapping the cutouts 271, 272, 275, and 276 of the plurality of cutouts 271, 272, 275, and 276. At this time, a portion of the coupling electrode 176a and a portion adjacent to the cutouts 191 and 195 of the first pixel electrode 190a in the region C have a width smaller than that of the other portion. This is to prevent the coupling electrode 176a from being exposed at the cutouts 191 and 195 of the first pixel electrode 190a as in the first exemplary embodiment. As a result, the texture may be prevented from occurring in the edge C region of the pixel as in the first exemplary embodiment.

한편, 본 발명의 제2 실시예에 따른 박막 트랜지스터 표시판(100)은 복수의 선형 반도체(151, 154) 및 복수의 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)가 구비되어 있다.Meanwhile, the thin film transistor array panel 100 according to the second exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of linear semiconductors 151 and 154 and a plurality of ohmic contacts 161, 163 and 165.

이때, 선형 반도체(151, 154)는 소스 전극(173)과 드레인 전극(175) 사이인 박막 트랜지스터의 채널부(154)를 제외하면 복수의 데이터선(171) 및 복수의 드레인 전극(175)과 거의 동일한 평면 모양이다. 즉, 채널부(154)에서 데이터선(171)과 드레인 전극(175)은 서로 분리되어 있으나, 선형 반도체(154)는 이곳에서 끊어지지 않고 연결되어 박막 트랜지스터의 채널을 이룬다. 저항성 접촉 부재(161, 163, 165)는 각각 데이터선(171) 및 드레인 전극(175)과 동일한 모양이다.In this case, the linear semiconductors 151 and 154 may include the plurality of data lines 171 and the plurality of drain electrodes 175 except for the channel portion 154 of the thin film transistor between the source electrode 173 and the drain electrode 175. It is almost the same flat shape. That is, although the data line 171 and the drain electrode 175 are separated from each other in the channel unit 154, the linear semiconductor 154 is connected without being disconnected to form a channel of the thin film transistor. The ohmic contacts 161, 163, and 165 have the same shape as the data line 171 and the drain electrode 175, respectively.

도 8은 본 발명의 제3 실시예에 따른 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 표시판의 구조를 도시한 배치도이고, 도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 박막 트랜 지스터 표시판을 포함하는 액정 표시 장치의 회로도이다.8 is a layout view illustrating a structure of a thin film transistor array panel for a liquid crystal display according to a third exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a view of a liquid crystal display including the thin film transistor array panel according to the third exemplary embodiment of the present invention. It is a circuit diagram.

유리 등의 투명한 절연 물질로 이루어진 절연 기판(110) 위에 ITO(indium tin oxide)나 IZO(indium zinc oxide) 등의 투명한 도전 물질로 이루어져 있는 제1 및 제2 화소 전극(190a, 190b)이 형성되어 있다. 제1 화소 전극(190a)은 제2 화소 전극(190b)과 연결되어 있는 결합 전극(176b)과 중첩함으로써 제1 화소 전극(190a)과 전자기적으로 결합(용량성 결합)되어 있고, 제2 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175a)에 연결되어 기준 전위를 인가받는다. First and second pixel electrodes 190a and 190b made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) are formed on the insulating substrate 110 made of a transparent insulating material such as glass. have. The first pixel electrode 190a is electromagnetically coupled (capacitively coupled) to the first pixel electrode 190a by overlapping the coupling electrode 176b connected to the second pixel electrode 190b, and the second thin film. It is connected to the drain electrode 175a of the transistor to receive a reference potential.

이 때, 제1 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123)과 소스 전극(173)은 주사 신호를 전달하는 본단 게이트선(121)과 화상 신호를 전달하는 데이터선(171)에 각각 연결되어 주사 신호에 따라 제2 화소 전극(190b)에 인가되는 화상 신호를 온(on)오프(off)한다. In this case, the gate electrode 123 and the source electrode 173 of the first thin film transistor are connected to the main gate line 121 for transmitting the scan signal and the data line 171 for transmitting the image signal, respectively, according to the scan signal. The image signal applied to the second pixel electrode 190b is turned on.

제2 박막 트랜지스터의 게이트 전극(123a)과 소스 전극(173a)은 전단 게이트선(121)과 유지 전극 연결 다리(91)에 각각 연결되어 전단 게이트선(121)에 인가되는 주사 신호에 따라 제1 화소 전극(190a)을 기준 전위로 리프레시한다. The gate electrode 123a and the source electrode 173a of the second thin film transistor are connected to the front gate line 121 and the sustain electrode connection bridge 91, respectively, and according to a scan signal applied to the front gate line 121. The pixel electrode 190a is refreshed at the reference potential.

제2 박막 트랜지스터는 전단 게이트선(121)과 중첩하는 비정질 규소층(155)과 그 위의 저항성 접촉층(도시하지 않음)을 포함하며, 제2 박막 트랜지스터의 소스 전극(173a)은 보호막(180)을 관통하는 접촉구(186)를 통하여 유지 전극 연결부(91)와 연결되어 있고, 제1 박막 트랜지스터의 드레인 전극(175b)은 보호막(180)을 관통하는 접촉구(181b)를 통하여 제2 화소 전극(190b)과 연결되어 있다. The second thin film transistor includes an amorphous silicon layer 155 overlapping the front gate line 121 and an ohmic contact layer (not shown) thereon, and the source electrode 173a of the second thin film transistor includes a passivation layer 180. ) Is connected to the sustain electrode connector 91 through a contact hole 186 penetrating through the contact hole, and the drain electrode 175b of the first thin film transistor is connected to the second pixel through a contact hole 181b penetrating through the passivation layer 180. It is connected to the electrode 190b.                     

도 9를 보면, 제1 화소 전극을 기준 전위와 연결하는 박막 트랜지스터(T2)를 형성하고, 그 게이트 전극을 전단 게이트선에 연결한다. 따라서, 본단 게이트선에 온 신호가 인가되어 화상 신호가 제2 화소 전극에 충전되기 이전에 제1 화소 전극은 기준 전극 전위로 리프레시(refresh)된다.  Referring to FIG. 9, a thin film transistor T2 connecting the first pixel electrode to the reference potential is formed, and the gate electrode thereof is connected to the front gate line. Therefore, before the on signal is applied to the main gate line and the image signal is charged to the second pixel electrode, the first pixel electrode is refreshed to the reference electrode potential.

이렇게 되면 비정상적인 전하가 제1 화소 전극에 유입되더라도 제1 화소 전극이 매 프레임마다 기준 전위로 리프레시되기 때문에 화상 신호를 왜곡하는 일이 없게 된다.In this case, even if abnormal charge flows into the first pixel electrode, since the first pixel electrode is refreshed at the reference potential every frame, the image signal is not distorted.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다. 특히, 화소 전극과 공통 전극에 형성하는 절개부의 배치는 여러 다양한 변형이 있을 수 있으며, 절개부 대신 돌출부를 액정 분자를 분할 배향하는 화소 분할 수단으로 이용할 수 있다.Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the scope of the present invention is not limited thereto, and various modifications and improvements of those skilled in the art using the basic concepts of the present invention defined in the following claims are also provided. It belongs to the scope of rights. In particular, the arrangement of the cutouts formed on the pixel electrode and the common electrode may have various variations, and the protrusions may be used as the pixel dividing means for dividing and aligning the liquid crystal molecules instead of the cutouts.

이상과 같은 구성을 통하여 액정 표시 장치의 측면 시인성을 향상시켜 시야각을 확장할 수 있다. 또한, 두 화소 전극을 용량성으로 결합하는 결합 전극을 절개부 밖으로 드러나지 않도록 하거나, 두 화소 전극 사이에서 형성되는 전기장 방향이 액정 분자의 배향 방향으로 따라 형성되도록 두 화소 전극을 배치함으로써 화소의 가장자리 절개부 끝부분에서 텍스쳐가 발생하는 것을 방지할 수 있으며, 이를 통하여 표시 특성을 향상시킬 수 있다.Through the above configuration, the side angle of the liquid crystal display device can be improved, and the viewing angle can be extended. In addition, the edge of the pixel is cut by arranging two pixel electrodes such that the coupling electrode for capacitively coupling the two pixel electrodes is not exposed out of the cutout, or the electric field direction formed between the two pixel electrodes is formed along the alignment direction of the liquid crystal molecules. It is possible to prevent the texture from occurring at the lower end, thereby improving display characteristics.

Claims (13)

절연 기판,Insulation board, 상기 절연 기판 위에 형성되어 있는 제1 신호선,A first signal line formed on the insulating substrate, 상기 제1 신호선과 절연되어 교차하고 있는 제2 신호선,A second signal line insulated from and intersecting the first signal line, 상기 제1 신호선 및 상기 제2 신호선과 연결되어 있는 제1 박막 트랜지스터,A first thin film transistor connected to the first signal line and the second signal line, 상기 제1 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 제1 화소 전극,상기 제1 화소 전극에 용량성으로 결합되어 있는 제2 화소 전극, 그리고A first pixel electrode connected to the first thin film transistor, a second pixel electrode capacitively coupled to the first pixel electrode, and 상기 제1 화소 전극과 연결되어 있고, 상기 제2 화소 전극과 절연 상태로 중첩하고 있는 결합 전극A coupling electrode connected to the first pixel electrode and overlapping the second pixel electrode in an insulated state 을 포함하며, Including; 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극 중의 적어도 하나는 액정 분자를 분할 배향하는 제1 도메인 분할 수단을 가지며, 상기 결합 전극과 상기 제1 도메인 분할 수단은 중첩하지 않고,At least one of the first pixel electrode and the second pixel electrode has first domain dividing means for dividing and aligning liquid crystal molecules, and the coupling electrode and the first domain dividing means do not overlap, 상기 결합 전극은 상기 제1 화소 전극 또는 제2 화소 전극으로 완전히 덮여 있는 박막 트랜지스터 표시판.The coupling electrode is completely covered with the first pixel electrode or the second pixel electrode. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 도메인 분할 수단은 절개부인 박막 트랜지스터 표시판.And the first domain dividing means is a cutout. 제1항에서,In claim 1, 상기 결합 전극은 상기 제1 박막 트랜지스터의 3단자 중 드레인 전극으로부터 연장되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The coupling electrode extends from the drain electrode among the three terminals of the first thin film transistor. 제2항에서,In claim 2, 상기 제1 신호선과 상기 제2 신호선 사이에 형성되어 있는 게이트 절연막과 상기 제2 신호선과 상기 제1 및 제2 화소 전극 사이에 형성되어 있는 보호막을 더 포함하고,A gate insulating film formed between the first signal line and the second signal line, and a passivation film formed between the second signal line and the first and second pixel electrodes; 상기 결합 전극은 상기 보호막에 형성되어 있는 접촉구를 통하여 상기 제1 화소 전극과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The coupling electrode is connected to the first pixel electrode through a contact hole formed in the passivation layer. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 서로 인접한 경계선 중 긴변 2개는 제1 신호선과 45°를 이루는 박막 트랜지스터 표시판.2. The thin film transistor array panel of claim 1, wherein two long sides of adjacent boundary lines between the first pixel electrode and the second pixel electrode form a 45 ° angle with the first signal line. 제1항에서,In claim 1, 상기 제2 신호선과 절연되어 교차하고 있으며 기준 전위가 인가되는 제3 신호선,A third signal line insulated from and intersecting the second signal line and to which a reference potential is applied; 상기 제1 신호선, 상기 제2 화소 전극 및 상기 제3 신호선에 3단자가 각각 연결되어 있는 제2 박막 트랜지스터A second thin film transistor having three terminals connected to the first signal line, the second pixel electrode, and the third signal line, respectively; 를 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판.Thin film transistor display panel further comprising. 제6항에서,In claim 6, 동일한 화소 영역 내의 상기 제1 박막 트랜지스터와 상기 제2 박막 트랜지스터는 인접하는 서로 다른 제1 신호선에 각각 연결되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.And the first thin film transistor and the second thin film transistor in the same pixel region are respectively connected to adjacent first signal lines. 제1항에서,In claim 1, 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극 사이에서 형성되는 전기장의 방향은 상기 제1 및 제2 화소 전극을 나누는 절개부를 통하여 배향되는 액정 분자의 배열 방향과 서로 같은 방향을 향하도록 상기 제1 및 제2 화소 전극이 배치되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The direction of the electric field formed between the first pixel electrode and the second pixel electrode is directed toward the same direction as the alignment direction of the liquid crystal molecules oriented through the cut-off portion dividing the first and second pixel electrodes. The thin film transistor array panel on which the second pixel electrode is disposed. 상기 제1항의 박막 트랜지스터 표시판,The thin film transistor array panel of claim 1, 상기 제1 및 제2 화소 전극과 마주하여 액정 분자를 구동하기 위한 전기장을 형성하는 공통 전극을 포함하는 공통 전극 표시판A common electrode panel including a common electrode facing the first and second pixel electrodes to form an electric field for driving liquid crystal molecules 을 포함하는 액정 표시 장치.Liquid crystal display comprising a. 제9항에서,The method of claim 9, 상기 공통 전극은 상기 제1 도메인 분할 수단과 함께 화소 영역을 다수의 소도메인으로 분할하는 제2 도메인 분할 수단을 가지는 액정 표시 장치.And the common electrode has second domain dividing means for dividing the pixel region into a plurality of small domains together with the first domain dividing means. 제5항에서,In claim 5, 상기 제1 화소 전극은 상기 제2 화소 전극의 상부 및 하부와 상기 제2 화소 전극의 좌측 또는 우측에 위치하여 상기 제2 화소 전극을 둘러싸고 있으며,The first pixel electrode is positioned above and below the second pixel electrode and on the left or right side of the second pixel electrode to surround the second pixel electrode. 상기 제1 화소 전극에 인가되는 전압은 상기 제2 화소 전극에 인가되는 전압보다 높은 전압인 박막 트랜지스터 표시판.The voltage applied to the first pixel electrode is higher than the voltage applied to the second pixel electrode. 제11항에서,In claim 11, 상기 결합전극은 상기 제1 신호선과 45°를 이루는 상기 제1 화소 전극과 상기 제2 화소 전극의 경계선 사이에 노출되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.The coupling electrode is exposed between the boundary lines between the first pixel electrode and the second pixel electrode which are 45 ° with the first signal line. 제11항에서,In claim 11, 상기 제1 도메인 분할 수단의 일단의 연장선상에 위치하는 상기 결합 전극의 폭은 상기 연장선상에 위치하지 않는 결합전극의 폭보다 좁게 형성되어 있는 박막 트랜지스터 표시판.And a width of the coupling electrode positioned on an extension line of one end of the first domain dividing means is smaller than a width of the coupling electrode not located on the extension line.
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