KR100981733B1 - Method for Preparing Arranged Nano Structure by Near-field Electro-Spinning Technique - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전기방사법을 이용하여 나노 구조체를 원하는 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 방법은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계를 포함한다. 이런 방법으로 제조된 정렬된 유-무기 나노 복합체는 그 상태로 또는 유기물이 제거된 무기 나노 구조체로 유기 박막 트랜지스터의 활성층 및 생화학 센서의 검출 소재로 사용될 수 있다.The present invention relates to a method of arranging nanostructures in a desired shape using an electrospinning method at a desired location, and the method according to the present invention comprises the steps of preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent; Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle with a voltage applied thereto; And depositing the discharged discharged from the spray nozzle while aligning by the collector having the grounding characteristic. The ordered organic-inorganic nanocomposites prepared in this manner may be used as the detection material of the active layer of the organic thin film transistor and the biochemical sensor as it is or as an inorganic nanostructure in which organic matter is removed.

전기방사법, 유-무기 나노 복합체, 바이오 생화학센서, 활성층, 검출 Electrospinning, Organic-Inorganic Nanocomposites, Biobiochemical Sensors, Active Layers, Detection

Description

근접장 전기방사법을 이용한 정렬된 나노 구조체의 제조방법{Method for Preparing Arranged Nano Structure by Near-field Electro-Spinning Technique}Method for Preparing Arranged Nano Structure by Near-field Electro-Spinning Technique

본 발명은 근접장 전기방사법을 이용한 정렬된 나노 구조체의 제조방법에 관한 것이고, 보다 상세하게는 근접장 전기방사법을 이용하여 유-무기 나노 복합체 또는 무기 나노 구조체를 배열하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing an ordered nanostructure using near-field electrospinning, and more particularly, to a method of arranging organic-inorganic nanocomposites or inorganic nanostructures using near-field electrospinning.

유기 반도체를 IT 분야에 사용하고자 하는 연구는 90년대 이후 활발히 진행되고 있으며, 유기 반도체는 플렉시블 디스플레이 구동소자 및 RF-ID 소자 등의 분야에서 상용화를 위한 연구용으로 수요가 급증하고 있다. Research into the use of organic semiconductors in the IT field has been actively conducted since the 1990s, and the demand for organic semiconductors is rapidly increasing for commercialization in the fields of flexible display driving devices and RF-ID devices.

유기 반도체는 기존의 Si 반도체가 갖지 못하는 저가격, 저온공정 가능성, 가벼움, 치수 유연성(dimension flexibility), 롤투롤(roll-to-roll) 공정 가능 등의 많은 장점이 있고, 최근 차세대 디스플레이로 각광 받고 있는 OLED의 발광기술과 적합성도 높아 구동소자 개발에 많은 관심을 받고 있다. 유기 반도체의 이와 같은 장점은 센서 분야에도 적용되기 시작하였다. Organic semiconductors have many advantages such as low cost, low temperature processability, lightness, dimension flexibility, and roll-to-roll process that are not available with conventional Si semiconductors. OLED's light emitting technology and high suitability have attracted much attention in developing driving devices. This advantage of organic semiconductors is also beginning to be applied in the field of sensors.

유기 반도체는 이러한 장점에도 불구하고, 아직 전하 이동도가 낮아서 실용화하기에는 많은 제약 조건을 가지고 있으며, 현재 이러한 문제를 해결할 최적의 소재가 개발되고 있지 않다. In spite of these advantages, organic semiconductors still have a lot of constraints for practical use due to their low charge mobility, and there are currently no optimal materials for solving these problems.

이러한 문제점을 해결하기 위한 방법 중 하나로 무기물 나노 구조체가 대안으로 연구되고 있다. 일반적으로 무기물 나노 구조체는 탄소나노튜브 또는 나노와이어 등의 형태를 갖는다. 무기물 나노 구조체는 결정성으로 전하이동도가 높고 유기물에 비해 상대적으로 대기 중 안정성이 높으며, 물리적 길이가 수 μm를 넘지 않아 구부림이 가능한 플라스틱 기판 상에서도 소자를 제작할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 나노 구조체는 한 방향으로 정렬이 어렵고, 원하는 위치에만 정렬된 소재패턴을 형성하는 상용화된 공정 기술이 없는 상태이며, 마이크로미터급이나 서브마이크로미터급으로 패턴화하는 것이 용이하지 않으며, 원하는 위치에 원하는 방향으로 원하는 양만큼 배열하는 것도 어렵다.In order to solve this problem, inorganic nanostructures have been studied as an alternative. In general, the inorganic nanostructures have the form of carbon nanotubes or nanowires. Inorganic nanostructures are crystalline and have high charge mobility, and are relatively more stable in the air than organic materials, and their physical length does not exceed several μm, so that devices can be manufactured on flexible plastic substrates. However, nanostructures are difficult to align in one direction, and there is no commercialized process technology for forming a material pattern aligned only to a desired position, and it is not easy to pattern to a micrometer or submicrometer class, and to a desired position. It is also difficult to arrange the desired amount in the desired direction.

종래 나노 구조체를 정렬하는 방법으로는 나노 구조체를 기판 상에 한 방향으로 정렬한 다음 전이(transfer) 기술을 이용하여 원하는 위치에 옮기는 랑무어(Langmure "LB")법을 이용하여 왔다. 그러나, 기판 상에 정렬하는 시간도 너무 많이 소요될 뿐만 아니라 전이하는데 별도의 기술을 필요로 하기 때문에, 양산화하기 어려운 실정이다.Conventional methods for aligning nanostructures have been based on Langmure (LB), in which the nanostructures are aligned in one direction on a substrate and then transferred to a desired position using a transfer technique. However, it is difficult to mass-produce because it takes too much time to align on the substrate and requires a separate technique for transferring.

또한, 패터닝 공정을 별도로 하지 않고 μm 두께의 유기 또는 무기 와이어를 형성할 수 있는 기술로는 전기 방사법(electro-spinning)이 있다. 전기 방사법은 형성하고자 하는 물질의 용액을 액적 형태로 만들어 기판과 이 액적 사이에 전기장 을 걸면, 이 전기장의 세기가 액적의 표면 장력보다 커지는 순간 액적이 실처럼 끌려 내려와 기판 상에 붙게 된다. 이 때 끌려 내려오는 액적의 폭을 조절하여 μm 두께로 조절할 수 있다. 그러나, 기존의 전기스핀 방식은 도 1과 같이 꿈틀거리는 벌레처럼 유-무기 나노 구조물은 가공되자마자 임의적으로 엉키게 되어, 수직 및 수평 방향으로 정렬된 나노 구조를 얻는 것이 어렵고, 원하는 위치에 원하는 길이로 원하는 방향의 패턴 형성이 어렵다. Electro-spinning is a technique that can form μm-thick organic or inorganic wires without a separate patterning process. Electrospinning involves dropping a solution of the material to be formed into droplets and placing an electric field between the substrate and the droplets. As soon as the strength of the electric field becomes greater than the surface tension of the droplets, the droplets are dragged like a thread and adhere to the substrate. At this time, it can be adjusted to the thickness of μm by adjusting the width of the dragged drop. However, in the conventional electric spin method, organic-inorganic nanostructures are randomly tangled as soon as they are processed like worms as shown in FIG. 1, so that it is difficult to obtain nanostructures aligned in the vertical and horizontal directions, and the desired length at a desired position. It is difficult to form the pattern in the desired direction.

이에 본 발명자들은 나노 구조체를 용이하게 특정 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법에 관한 연구를 진행하면서, 근접장 전기방사법을 이용하여 고전압이 인가된 분사노즐로부터 나노 구조체를 토출시켜 이를 접지 특성을 갖는 콜렉터에 정렬시키는 경우, 토출물이 처음 수 mm까지는 직선으로 토출되다가 공기의 저항 등으로 그 궤적이 불규칙적으로 바뀌게 되는 것에서 착안하여 분사노즐과 콜렉터의 거리를 근접하게 하는 경우 원하는 위치에 액적 물질을 선형으로 형상화할 수 있음을 발견하고 본 발명을 제안하였다.Therefore, the present inventors proceed with a study on how to easily arrange the nanostructures in a desired shape in a specific place, while discharging the nanostructures from the injection nozzle is applied to the high voltage using a near-field electrospinning method to the collector having a grounding characteristics In the case of aligning, the discharge material is discharged in a straight line up to the first several mm, but the trajectory is changed irregularly by the resistance of air, and when the distance between the injection nozzle and the collector is approached, the droplet material is linearly shaped at a desired position. It has been found that the present invention has been proposed.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 근접장 전기방사법을 이용하여 유-무기 나노 복합체를 원하는 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법을 제공하는 것이다.Accordingly, the technical problem of the present invention is to provide a method of arranging an organic-inorganic nanocomposite in a desired shape using a near field electrospinning method.

또한, 본 발명의 또 다른 기술적 과제는 근접장 전기방사법을 이용하여 무기 나노 구조체를 원하는 장소에 원하는 형태로 배열하는 방법을 제공하는 것이다.In addition, another technical problem of the present invention is to provide a method of arranging an inorganic nanostructure in a desired shape using a near field electrospinning method.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계를 포함하는 유-무기 나노 복합체의 제조방법을 제공한다.In order to solve the above technical problem, the present invention comprises the steps of preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent; Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle with a voltage applied thereto; And depositing the discharged discharged from the injection nozzle while aligning by the collector having the grounding property.

또한, 본 발명은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계; 및 증착물로부터 유기물을 제거하는 단계를 포함하는 무기 나노 구조체의 제조방법을 제공한다.In addition, the present invention comprises the steps of mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent to prepare an organic-inorganic mixed solution; Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle with a voltage applied thereto; Depositing the charged discharge from the spray nozzle while aligning by a collector having grounding properties; And it provides a method for producing an inorganic nanostructure comprising the step of removing the organics from the deposit.

본 발명의 효과는 다음과 같다. The effects of the present invention are as follows.

첫째, 탄소 나노 튜브, 금속 산화물 또는 넓은 띠 간격 반도체 소재와 같은 무기 나노 소재를 기반으로 하여 근접장 전기방사법을 통하여 전하이동도 특성이 매우 높은 새로운 유-무기 나노 복합체를 제작할 수 있다.First, a new organic-inorganic nanocomposite having a very high charge mobility can be fabricated through near field electrospinning based on inorganic nanomaterials such as carbon nanotubes, metal oxides, or wide band gap semiconductor materials.

둘째, 전하이동도 특성이 매우 높은 유-무기 나노 복합체를 플렉시블 디스플레이 구동용 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin-Film Tannsistor) 소재의 활성층 및 생화학 센서의 검출 소재로 사용함으로써 고속 트랜지스터 및 고감도 센서의 제작이 가능하다. Second, high-speed transistors and high-sensitivity sensors can be fabricated by using organic-inorganic nanocomposites with very high charge mobility as active materials and biochemical sensors used in organic thin-film tannsistors for flexible display driving. Do.

세째, 유-무기 나노 복합체의 제작을 위하여 용액 형태의 원재료를 사용함으로써, 플라스틱과 같은 구부릴 수 있는 기판 위에 소자를 제작함으로써, 휴대가 간편하고 사용 후 바로 버릴 수 있는 휴대용 생화학 센서 및 플렉시블 디스플레이용 유기 박막 트랜지스터 소자를 제작할 수 있다. Third, by using a raw material in the form of a solution for the production of organic-inorganic nanocomposite, by fabricating the device on a bendable substrate such as plastic, portable biochemical sensor and organic for flexible display that can be discarded immediately after use A thin film transistor element can be manufactured.

이하, 도면을 참조하여, 본 발명을 더욱 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the drawings, the present invention will be described in more detail.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유-무기 나노 복합체의 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 3은 본 발명에 일실시예에 따른 무기 나노 구조체의 제조방법을 나타낸 공정도이고, 도 4는 본 발명에 따른 유-무기 나노 복합체의 제조시 사용되는 근접장 전기방사장치를 개략적으로 나타낸 개략도이다.2 is a process chart showing a manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite according to an embodiment of the present invention, Figure 3 is a process chart showing a manufacturing method of the inorganic nanostructures according to an embodiment of the present invention, Figure 4 It is a schematic diagram schematically showing a near-field electrospinning value used in the preparation of the organic-inorganic nanocomposite according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유-무기 나노 복합체의 제조방법은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계(S11); 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계(S12); 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계(S13)를 포함한다.2, the method for producing an organic-inorganic nanocomposite according to the present invention includes preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent (S11); Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle in a state where a voltage is applied (S12); And depositing the discharged discharged from the spray nozzle while aligning by the collector having the grounding characteristic (S13).

상기 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계(S11)에서, 무기 나노 소재로는 금속산화물, 넓은 띠 간격 반도체 또는 탄소 나노 튜브를 포함하며, 상기 금속 산화 물로는 ZnO, In2O3, V2O5 또는 SnO2가 사용될 수 있으며, 상기 넓은 띠 간격 반도체는 SiC, GaN 또는 다이아몬드가 사용될 수 있다. 이들의 형태는 일축 방향의 길이가 다른 방향보다 긴 나노 와이어, 나노 튜브 또는 나노 로드일 수 있다.In the preparing of the organic-inorganic mixed solution (S11), the inorganic nanomaterial includes a metal oxide, a wide band gap semiconductor, or a carbon nanotube, and the metal oxide includes ZnO, In 2 O 3 , V 2 O 5 or SnO 2 may be used, and the wide band gap semiconductor may be SiC, GaN or diamond. Their shape may be nanowires, nanotubes, or nanorods whose uniaxial length is longer than other directions.

상기 ZnO, In2O3, V2O5 또는 SnO2와 같은 금속 산화물은 열적 화학증착(thermal CVD), 졸-겔(Sol-Gel), PLD(Pulsed Laser Deposition), 스퍼터링을 통해 성장하며, SiC, GaN 또는 다이아몬드와 같은 넓은 띠 간격 반도체는 MOCVD(금속 유기 화학증착) 또는 MBE(molecular beam epitaxy)를 통해 성장될 수 있지만, 이것으로 제한되는 것은 아니다.The metal oxides such as ZnO, In 2 O 3 , V 2 O 5, or SnO 2 are grown through thermal CVD, Sol-Gel, Pulsed Laser Deposition (PLD), and sputtering. Wide bandgap semiconductors such as SiC, GaN or diamond can be grown through, but are not limited to, metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE).

또한, 유기 용제로는 상기 무기 나노 소재를 용해시킬 수 있는 것으로, 구체적으로 이것으로 제한되는 것은 아니지만, 이소프로필 알콜 등이 사용될 수 있다. In addition, the organic solvent may dissolve the inorganic nanomaterial, and is not particularly limited thereto, and isopropyl alcohol may be used.

상기 무기 나노 소재를 유기 용제에 용해시킨 유-무기 혼합 용액의 농도는 사용되는 분사노즐의 크기를 고려하여 분사노즐로부터 토출되기 적합한 농도로 선택될 수 있다.The concentration of the organic-inorganic mixed solution in which the inorganic nanomaterial is dissolved in an organic solvent may be selected to a suitable concentration to be discharged from the spray nozzle in consideration of the size of the spray nozzle used.

또한, 상기 무기 나노 소재는 유기 반도체 물질 또는 고분자 소재와 혼합될 수 있으며, 유기 반도체 물질로는 이것으로 제한되는 것은 아니지만, P3HT(poly(3-hexylthiophene)) 또는 PPE(polyphenylene ether) 등이 사용될 수 있으며, 상기 고분자 소재로는 PVA(Polyvinyl Acetate) 또는 PVP(Polyvinyl Pyrrolidone) 등이 있으며, 이들은 이것으로 제한되는 것은 아니지만 무기 나노 소재에 대하여 ~ 3 내지 ~ 9 중량 %의 범위 내에서 혼합될 수 있다.In addition, the inorganic nano material may be mixed with an organic semiconductor material or a polymer material, and the organic semiconductor material is not limited thereto, but P 3 HT (poly (3-hexylthiophene)) or PPE (polyphenylene ether) may be used. The polymer material may be used, such as polyvinyl acetate (PVA) or polyvinyl pyrrolidone (PVP), and the like, but they are not limited thereto, but may be mixed within a range of 3 to 9 wt% based on the inorganic nano material. have.

상기 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계(S12) 및 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계(S13)에서 도 4의 근접장 전기 방사 장치가 사용될 수 있다. 도 4에 따른 근접장 전기 방사 장치는 미세한 섬유가 나오는 분사 노즐(10), 분사하고자 하는 유-무기 혼합 용액을 분사 노즐(10)로부터 토출시키는 시린지 부분(20), 용액이 분출되는 노즐(10)에 전압을 인가하기 위한 고전압 전력 공급 장치(30), 및 노즐에 가해진 고전압에 대하여 상대적으로 접지(ground) 특성을 갖도록 하여 노즐로부터 분사된 섬유가 증착 및 정렬 구조를 이루는 접지 콜렉터(40)로 구성된다.In step S12 of discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle in the state that the voltage is applied and depositing the discharge discharged from the spray nozzle while aligning by the collector having a grounding characteristic (S13) of FIG. Near field electrospinning apparatus may be used. The near-field electrospinning apparatus according to FIG. 4 includes a spray nozzle 10 through which fine fibers emerge, a syringe portion 20 for discharging an organic-inorganic mixed solution to be sprayed from the spray nozzle 10, and a nozzle 10 through which the solution is ejected. A high voltage power supply device 30 for applying a voltage to the ground, and a ground collector 40 in which the fibers ejected from the nozzle form a deposition and alignment structure so as to have a ground characteristic relative to the high voltage applied to the nozzle. do.

즉, 무기 나노 소재가 유기 용제 중에 혼합된 용액은 시린지(20) 내부로부터 시린지 펌프(50)에 의하여 분사 노즐(10)로부터 토출시킬 수 있도록 분사 노즐의 주사바늘 부분으로 투입되어 주사바늘 끝단에서 조그만 형태의 액적을 형성한다. 이 주사바늘에 고전압 전력 공급 장치(30)에 의하여 DC 전압을 인가하면 (일반적으로 5 ~ 30 kV) 전하를 띤 용액형태로 분사되는데, 노즐 끝에서부터 분사된 액적은 표면 장력에 의하여 흩어지지 않고, 주사바늘에 가해진 전압에 대한 정전기 반발에 의하여 분사와 동시에 접지 콜렉터(40)에 달라붙는다. That is, the solution in which the inorganic nanomaterial is mixed in the organic solvent is introduced into the needle part of the injection nozzle so that the solution can be discharged from the injection nozzle 10 by the syringe pump 50 from the inside of the syringe 20 and is small at the end of the needle. To form droplets. When a DC voltage is applied to the needle by the high voltage power supply device 30 (typically 5 to 30 kV), it is sprayed in the form of a charged solution, and the droplets injected from the nozzle tip are not scattered by the surface tension. Due to the electrostatic repulsion with respect to the voltage applied to the needle, it is attached to the ground collector 40 at the same time as the injection.

여기서, 노즐(10)은 금속 또는 플라스틱 재질로 제작된 지름 1㎛ 내지 1㎜인 것이 사용될 수 있으며, 시린지는 분사 노즐로부터 홀(hole) 당 수 ㎖ 내지 수 ㎕/분의 속도로 토출시킬 수 있는 것이 사용될 수 있으며, 전력 공급 장치는 수십 내 지 수천 볼트의 고전압을 인가하는 것이 사용될 수 있지만, 이것으로 제한되는 것은 아니다.Herein, the nozzle 10 may be one having a diameter of 1 μm to 1 mm made of metal or plastic material, and the syringe may be discharged from the injection nozzle at a rate of several ml to several μl / minute per hole. It may be used, but the power supply may be used to apply a high voltage of tens to thousands of volts, but is not limited thereto.

따라서, 노즐(10)과 접지 콜렉터(40) 사이의 거리를 기존의 5 ~ 30 cm 보다도 아주 가깝게 수 mm 이내로 조절하고, 노즐의 XYZ 방향으로의 이동 속도, 인가전압 및 노즐의 크기를 조절하면서 직접 라이팅(direct writing) 방식으로 유-무기 나노 복합체를 섬유 형태로 제작함으로써, 원하는 위치에 원하는 방향으로 정렬된 유기-무기 하이브리드 패턴을 형성할 수 있다. 이 패턴의 폭은 형성 조건에 따라 마이크로미터 급이나 서브 마이크로미터급이 될 수 있다. 이렇게 형성된 액적 패턴 속에 존재하는 무기 나노 구조물은 그 길이가 수 마이크로미터급이므로 그 길이 방향이 액적 패턴이 형성된 방향으로 자동 정렬된다. 이를 도식화하여 나타낸 것이 도 5이다. 도 5에 따르면, 액적 패턴(201) 속에 존재하는 무기 나노 구조물(202)이 길이 방향으로 정렬된다.Therefore, the distance between the nozzle 10 and the ground collector 40 is adjusted within several mm, which is much closer than the existing 5 to 30 cm, and directly while adjusting the moving speed, the applied voltage, and the size of the nozzle in the XYZ direction. By fabricating the organic-inorganic nanocomposites in the form of fibers by a direct writing method, organic-inorganic hybrid patterns aligned in a desired direction at a desired position can be formed. The width of this pattern can be either micrometer or submicrometer depending on the formation conditions. Inorganic nanostructures present in the droplet pattern thus formed are several micrometers long, so their length direction is automatically aligned in the direction of the droplet pattern. 5 is a diagram illustrating this. According to FIG. 5, the inorganic nanostructures 202 present in the droplet pattern 201 are aligned in the longitudinal direction.

예를 들면, 전기방사 장치의 노즐과 콜렉터 사이의 거리를 500 ㎛이하로 근거리로 조절하고, 금속 팁(metal tip) 내부의 노즐 반경을 30㎛이하로 작게 조절한 상태에서 노즐과 콜렉터 사이의 인가전압을 3 내지 15kV로 조절하고, 노즐의 XYZ 방향으로의 이동속도를 5 내지 15㎝/sec로 조절함으로써 서브 마이크로미터(sub-㎛) 패턴 폭을 가지는 섬유 형태의 유-무기 나노 복합체를 제작할 수 있다.For example, the distance between the nozzle and the collector of the electrospinning apparatus is controlled at a distance of 500 μm or less, and the application between the nozzle and the collector is performed with the nozzle radius inside the metal tip smaller than 30 μm. Fiber-type organic-inorganic nanocomposites having a sub-micrometer (sub-μm) pattern width can be fabricated by adjusting the voltage to 3 to 15 kV and the moving speed of the nozzle to 5 to 15 cm / sec. have.

또한, 이런 전기 방사 장치를 이용하여 특정한 패턴과 패턴 사이를 연결하는 패터닝도 가능하다.In addition, using such an electrospinning device, patterning that connects a specific pattern between the patterns is also possible.

섬유 형태의 유-무기 나노 복합체는 정렬되는 방향으로 전극을 형성하여 센 서나 트랜지스터 등의 전기적 소자에 사용할 수 있다.Fiber-type organic-inorganic nanocomposites can be used in electrical devices such as sensors or transistors by forming electrodes in the aligned direction.

도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 무기 나노 구조체의 제조방법은 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계(S21); 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계(S22); 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계(S23); 및 증착물로부터 유기물을 제거하는 단계를 포함한다.Referring to FIG. 3, the method for preparing an inorganic nanostructure according to the present invention includes preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent (S21); Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle in a state where a voltage is applied (S22); Depositing the discharged charges from the injection nozzles while being aligned by a collector having a grounding characteristic (S23); And removing the organics from the deposit.

상기 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계(S21), 분사 노즐로부터 토출시키는 단계(S22) 및 접지 콜렉터에 정렬시키면서 증착시키는 단계(S23)은 상기 유-무기 나노 복합체의 제조방법에서 설명된 바와 같다.The preparing of the organic-inorganic mixed solution (S21), the discharging from the spray nozzle (S22), and the depositing step (S23) aligned with the ground collector are the same as those described in the method of manufacturing the organic-inorganic nanocomposite. .

다만 접지 콜렉터에 증착된 유-무기 나노 복합체로부터 유기물을 제거하는 단계(S24)를 통해 유기물을 제거함으로써 무기 나노 구조체 만을 얻을 수 있다. 이 때, 유기물의 제거방법은 이 분야의 일반적인 방법, 예를 들면, 열처리, 플라즈마 처리, 또는 UV O3 처리 등을 통하여 수행될 수 있다.However, only the inorganic nanostructure may be obtained by removing the organic material through the step of removing the organic material from the organic-inorganic nanocomposite deposited on the ground collector (S24). At this time, the organic material removal method may be carried out through a general method in the art, for example, heat treatment, plasma treatment, or UV O 3 treatment.

이러한 기술을 사용하여 나노입자, 나노섬유, 미세 다공성 박막 제조, 입자 코팅, 다공성 박막 코팅을 행할 수 있다.Using this technique, nanoparticles, nanofibers, microporous thin film production, particle coating, porous thin film coating can be performed.

이와 같은 유-무기 나노 복합체 및 무기 나노 구조체는 생화학 센서의 검출 소재 및 플렉시블 디스플레이 구동용 유기 박막 트랜지스터(Organic Thin-Film Tannsistor)의 활성층으로 사용함으로써, 검출 감도가 뛰어난 고 감도 센서 및 전하 이동속도가 매우 빠른 고속 트랜지스터 등을 제작할 수 있다.Such organic-inorganic nanocomposites and inorganic nanostructures are used as active materials for biomaterial sensors and organic thin-film tannsistors for flexible display driving. Very fast high speed transistors and the like can be manufactured.

도 1은 종래 전기방사법에 의한 유기물 나노구조의 정렬 패턴을 나타낸 도면이다.1 is a view showing the alignment pattern of the organic nanostructure by the conventional electrospinning method.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 유-무기 나노 복합체의 제조방법을 나타낸 공정도이다. 2 is a process chart showing a manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite according to an embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 일실시예에 따른 무기 나노 구조체의 제조방법을 나타낸 공정도이다. 3 is a process chart showing a method of manufacturing an inorganic nanostructure according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 나노 복합체의 제조시 사용되는 근접장 전기방사장치를 개략적으로 나타낸 개략도(a) 및 실제 장치 도면(b)이다.4 is a schematic diagram (a) and an actual device diagram (b) schematically showing the near-field electrospinning values used in the manufacture of the nanocomposite according to the present invention.

도 5는 본 발명의 나노 복합체의 제조시 이용되는 전기방사장치에서 방사된 선형 액체 속에 포함된 무기 나노 구조체의 모양을 나타낸 개략도이다.Figure 5 is a schematic diagram showing the shape of the inorganic nanostructures contained in the linear liquid radiated from the electrospinning apparatus used in the manufacture of the nanocomposite of the present invention.

Claims (10)

무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계;Preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; 및Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle with a voltage applied thereto; And 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계를 포함하되,Depositing the discharged charge from the spray nozzle in alignment by a collector having grounding properties, 여기서, 상기 분사 노즐과 콜렉터 사이의 거리는 10mm 미만으로 조절하고, 노즐 직경은 1㎛ 내지 1mm로 조절되는 것인 유-무기 나노복합체의 제조방법.Here, the distance between the injection nozzle and the collector is adjusted to less than 10mm, the nozzle diameter is adjusted to 1㎛ to 1mm manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기 나노 소재는 금속산화물, SiC, GaN, 다이아몬드 또는 탄소 나노 튜브을 포함하는 유-무기 나노복합체의 제조방법.The inorganic nano material is a method for producing an organic-inorganic nanocomposite comprising a metal oxide, SiC, GaN, diamond or carbon nanotubes. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유기 용제로는 이소프로필 알콜인 유-무기 나노복합체의 제조방법.The organic solvent is isopropyl alcohol method for producing an organic-inorganic nanocomposite. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기 나노 소재는 P3HT 또는 PPE의 유기 반도체 또는 PVA 또는 PVP의 고분자 소재와 혼합되어 사용되는 유-무기 나노복합체의 제조방법.The inorganic nano material is a method for producing an organic-inorganic nanocomposite used in combination with an organic semiconductor of P 3 HT or PPE or a polymer material of PVA or PVP. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 무기 나노 소재의 형태는 나노 와이어, 나노 로드 또는 나노 튜브인 유-무기 나노복합체의 제조방법.The form of the inorganic nanomaterial is a nanowire, nanorod or nanotube manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite. 제 2항에 있어서,3. The method of claim 2, 상기 금속 산화물로는 ZnO, In2O3, V2O5 또는 SnO2인 유-무기 나노복합체의 제조방법.The metal oxide may be ZnO, In 2 O 3 , V 2 O 5 or SnO 2 The manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite. 삭제delete 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 분사 노즐과 콜렉터 사이의 거리는 서브 마이크로미터 패턴 폭을 갖도록 500㎛ 이하의 근거리로 조절되고, 노즐 직경은 1㎛ 내지 60㎛로 조절되는 것인 유-무기 나노 복합체의 제조방법.The distance between the injection nozzle and the collector is adjusted to a near distance of 500㎛ or less to have a sub-micrometer pattern width, the nozzle diameter is adjusted to 1㎛ to 60㎛ manufacturing method of the organic-inorganic nanocomposite. 무기 나노 소재를 유기 용제 중에 혼합하여 유-무기 혼합 용액을 준비하는 단계;Preparing an organic-inorganic mixed solution by mixing an inorganic nanomaterial in an organic solvent; 유-무기 혼합 용액을 전압이 인가된 상태로 분사 노즐로부터 토출시키는 단계; Discharging the organic-inorganic mixed solution from the spray nozzle with a voltage applied thereto; 분사 노즐로부터 하전된 토출물을 접지 특성을 갖는 콜렉터에 의해 정렬시키면서 증착시키는 단계; 및Depositing the charged discharge from the spray nozzle while aligning by a collector having grounding properties; And 증착물로부터 유기물을 제거하는 단계를 포함하되,Removing organics from the deposit, 여기서, 상기 분사 노즐과 콜렉터 사이의 거리는 10mm 미만으로 조절하고, 노즐 직경은 1㎛ 내지 1mm로 조절되는 것인 무기 나노 구조체의 제조방법.Here, the distance between the injection nozzle and the collector is adjusted to less than 10mm, the nozzle diameter is adjusted to 1㎛ to 1mm manufacturing method of the inorganic nanostructures. 제 9항에 있어서,The method of claim 9, 상기 유기물은 열처리, 플라즈마 처리 또는 UV O3 처리를 통해 제거되는 무 기 나노 구조체의 제조방법.The organic material is a method of manufacturing an inorganic nanostructure is removed by heat treatment, plasma treatment or UV O 3 treatment.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013115497A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 전북대학교산학협력단 Nanofiber composite and preparation method thereof
KR101358067B1 (en) 2012-09-24 2014-02-05 포항공과대학교 산학협력단 Method of fabricating horizontally aligned single-crystalline inorganic nano wire pattern
KR101407209B1 (en) * 2010-10-07 2014-06-16 포항공과대학교 산학협력단 Method for formation of micro- and nano-scale patterns and method for producing micro- and nano-scale channel transistor, and micro- and nano-scale channel light emitting transistor using the same
WO2014126448A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 포항공과대학교 산학협력단 Method for forming aligned oxide semiconductor wire pattern and electronic device using same
KR101438029B1 (en) * 2013-04-05 2014-09-04 한국과학기술연구원 Method of aligning nanowire using electrospinning
KR101473693B1 (en) * 2013-02-18 2014-12-18 포항공과대학교 산학협력단 Field-effect transistor arrray including aligned copper oxide semiconductor nanowire and a method for fabricating the same
CN104261343A (en) * 2014-09-02 2015-01-07 西安交通大学 Low-cost micro/nano structure etching method based on electrostatic direct writing
KR101486956B1 (en) 2014-12-08 2015-01-27 포항공과대학교 산학협력단 Field-effect transistor arrray including aligned oxide semiconductor nanowire and a method for fabricating the same
KR101486955B1 (en) * 2013-02-18 2015-01-27 포항공과대학교 산학협력단 A method for fabricating aligned oxide semiconductor wire patterns and electronic devices with the same
KR101507240B1 (en) * 2013-02-18 2015-03-30 포항공과대학교 산학협력단 Method of gas sensor nano array including metal oxide nano wire pattern
KR101833135B1 (en) * 2016-07-08 2018-02-27 연세대학교 산학협력단 Method for producing field effect transistor based nanowire using direct aligning method of nanowire

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101275222B1 (en) * 2011-03-14 2013-06-17 엔젯 주식회사 High aspect ratio pattern printing apparatus using electrospinning
CN106930004B (en) * 2017-03-08 2018-11-09 西北工业大学 The method that electrostatic spinning prepares flexible silicon carbide/carbon nanotube composite cellulosic membrane
CN114920552B (en) * 2022-05-20 2023-08-01 湘潭大学 Preparation process of two-dimensional nanosheets

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050067732A1 (en) 2002-03-26 2005-03-31 Yong Min Kim Manufacturing device and the method of preparing for the nanofibers via electro-blown spinning process
KR100682103B1 (en) 2005-06-15 2007-02-12 (주)엔티시 nano fiber cataltst and method and apparatus for prepering a nano fiber cataltst
KR20070097936A (en) * 2006-03-30 2007-10-05 주식회사 아모메디 Anti-bacterial nanofiber filter media and manufacturing method therof containing silver nano particles

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050067732A1 (en) 2002-03-26 2005-03-31 Yong Min Kim Manufacturing device and the method of preparing for the nanofibers via electro-blown spinning process
KR100682103B1 (en) 2005-06-15 2007-02-12 (주)엔티시 nano fiber cataltst and method and apparatus for prepering a nano fiber cataltst
KR20070097936A (en) * 2006-03-30 2007-10-05 주식회사 아모메디 Anti-bacterial nanofiber filter media and manufacturing method therof containing silver nano particles

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8852979B2 (en) 2010-10-07 2014-10-07 Postech Academy-Industry Foundation Micro-pattern forming method, and micro-channel transistor and micro-channel light-emitting transistor forming method using same
KR101407209B1 (en) * 2010-10-07 2014-06-16 포항공과대학교 산학협력단 Method for formation of micro- and nano-scale patterns and method for producing micro- and nano-scale channel transistor, and micro- and nano-scale channel light emitting transistor using the same
KR101349293B1 (en) 2012-02-03 2014-01-16 전북대학교산학협력단 Nanofiber composite and method for fabricating same
WO2013115497A1 (en) * 2012-02-03 2013-08-08 전북대학교산학협력단 Nanofiber composite and preparation method thereof
KR101358067B1 (en) 2012-09-24 2014-02-05 포항공과대학교 산학협력단 Method of fabricating horizontally aligned single-crystalline inorganic nano wire pattern
WO2014046407A1 (en) * 2012-09-24 2014-03-27 Postech Academy-Industry Foundation Method of manufacturing horizontally aligned single crystalline inorganic nanowire patterns
US9099310B1 (en) 2012-09-24 2015-08-04 Postech Academy-Industry Foundation Method of manufacturing horizontally aligned single crystalline inorganic nanowire patterns
KR101473693B1 (en) * 2013-02-18 2014-12-18 포항공과대학교 산학협력단 Field-effect transistor arrray including aligned copper oxide semiconductor nanowire and a method for fabricating the same
KR101486955B1 (en) * 2013-02-18 2015-01-27 포항공과대학교 산학협력단 A method for fabricating aligned oxide semiconductor wire patterns and electronic devices with the same
KR101507240B1 (en) * 2013-02-18 2015-03-30 포항공과대학교 산학협력단 Method of gas sensor nano array including metal oxide nano wire pattern
WO2014126448A1 (en) * 2013-02-18 2014-08-21 포항공과대학교 산학협력단 Method for forming aligned oxide semiconductor wire pattern and electronic device using same
US20160005599A1 (en) * 2013-02-18 2016-01-07 Postech Academy-Industry Foundation Method for forming aligned oxide semiconductor wire pattern and electronic device using same
KR101438029B1 (en) * 2013-04-05 2014-09-04 한국과학기술연구원 Method of aligning nanowire using electrospinning
CN104261343A (en) * 2014-09-02 2015-01-07 西安交通大学 Low-cost micro/nano structure etching method based on electrostatic direct writing
KR101486956B1 (en) 2014-12-08 2015-01-27 포항공과대학교 산학협력단 Field-effect transistor arrray including aligned oxide semiconductor nanowire and a method for fabricating the same
KR101833135B1 (en) * 2016-07-08 2018-02-27 연세대학교 산학협력단 Method for producing field effect transistor based nanowire using direct aligning method of nanowire

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