KR100980503B1 - LED Package and LED Package Array Having the Same - Google Patents

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Abstract

발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이가 개시된다. 캐비티가 형성되는 절연재, 절연재의 양측에 형성되며, 그라파이트 분말을 포함하는 접속부, 접속부 상에 형성되는 도전성 패드 및 캐비티에 내장되며 도전성 패드와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드 패키지는, 전기적 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있으면서도, 발광다이오드 패키지의 박형화를 구현할 수 있다.A light emitting diode package and a light emitting diode package array including the same are disclosed. A light emitting diode package including an insulating material having a cavity formed on both sides of the insulating material, a connection part including graphite powder, a conductive pad formed on the connection part, and a light emitting diode chip embedded in the cavity and electrically connected to the conductive pad, While the reliability of the electrical connection can be improved, the thickness of the light emitting diode package can be realized.

LED, cavity, PCB, graphite LED, cavity, PCB, graphite

Description

발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이 {LED Package and LED Package Array Having the Same}Light emitting diode package and light emitting diode package array comprising same {LED Package and LED Package Array Having the Same}

본 발명은 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package and a light emitting diode package array including the same.

일반적으로, 발광다이오드 칩을 구비한 발광장치는 리드프레임에 백색 수지를 사출 성형한 케이스를 갖는 패키지 구조가 널리 사용되고 있다. 이러한 발광장치는 케이스의 홈부에 리드프레임과 연결되도록 LED 칩을 실장한 후에, 그 홈부를 수지로 충전시킨다. 특히, 백색 발광장치를 제조하기 위해서, 홈부에 충전된 수지에 형광체 분말을 함유시키는 방법이 사용될 수 있다.In general, a package structure having a case in which a white resin is injection molded into a lead frame is widely used in a light emitting device having a light emitting diode chip. Such a light emitting device mounts an LED chip to be connected to a lead frame in a groove of a case, and then fills the groove with resin. In particular, in order to manufacture a white light emitting device, a method of containing the phosphor powder in the resin filled in the groove portion can be used.

하지만, 종래의 발광장치 구조는 소형화와 수율측면에서 몇 가지 단점을 갖고 있다. 예를 들어, 휴대전화의 디스플레이부의 백라이트용 광원으로서 주로 사용되는 표면실장이 가능한 측면 방출(side view)형 발광장치의 경우에, 휴대전화의 박형화에 따라서 측면방출 형 발광장치의 박형화도 크게 요구되고 있는 실정이다. However, the conventional light emitting device structure has some disadvantages in terms of miniaturization and yield. For example, in the case of a side view light emitting device that can be surface mounted mainly used as a light source for a backlight of a display portion of a mobile phone, the thinning of a side light emitting device is also required in accordance with the thinning of a mobile phone. There is a situation.

그러나, 종래 의 발광장치구조에서는 LED 칩의 실장을 위해 홈부가 마련되어야 하므로, 이를 구비한 케이스를 충분히 소형화하여 제조하는데 어려움이 있다. However, in the conventional light emitting device structure, since the groove portion must be provided for mounting the LED chip, there is a difficulty in manufacturing the case having it sufficiently miniaturized.

또한, 리드프레임과 함께 케이스를 사출 성형한 후에, LED 칩을 실장하고 홈부에 수지 포장부를 제공하는 복잡한 공정이 진행되므로, 수율이 저하되고 공정비용이 증가되는 문제가 있다.In addition, after the injection molding of the case together with the lead frame, the complicated process of mounting the LED chip and providing the resin packaging to the groove portion, there is a problem that the yield is lowered and the process cost is increased.

본 발명은 보다 박형으로 구현 가능하며, 전기적 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이를 제공하는 것이다.The present invention provides a light emitting diode package and a light emitting diode package array including the same, which can be implemented to be thinner and improve reliability of electrical connection.

본 발명의 일 측면에 따르면, 캐비티가 형성되는 절연재, 절연재의 양측에 형성되며, 그라파이트 분말을 포함하는 접속부, 접속부 상에 형성되는 도전성 패드 및 캐비티에 내장되며 도전성 패드와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드 패키지가 제공된다.According to an aspect of the present invention, a light emitting diode chip is formed on both sides of the insulating material, the cavity is formed, the connecting portion containing graphite powder, the conductive pad formed on the connecting portion and the cavity and electrically connected to the conductive pad A light emitting diode package comprising a is provided.

여기서, 그라파이트 분말은 접속부의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량%일 수 있으며, 절연재는 유기 기판으로 이루어질 수 있다. Here, the graphite powder may be 60 to 95% by weight with respect to the total weight of the connecting portion, the insulating material may be made of an organic substrate.

그리고, 발광다이오드 패키지는 도전성 패드와 결합되도록 절연재와 접속부 사이에 개재되는 도전층을 더 포함할 수 있으며, 접속부는 부채꼴 형상의 단면을 가지는 원주형으로 이루어지며, 접속부의 길이 방향으로 연장되는 모서리는 절연재의 일측의 모서리를 이룰 수 있다.The light emitting diode package may further include a conductive layer interposed between the insulating material and the connecting portion so as to be coupled to the conductive pad. The connecting portion may be formed in a cylindrical shape having a flat cross section, and an edge extending in the length direction of the connecting portion may be formed. The edge of one side of the insulating material can be made.

또한, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 캐비티가 형성되는 절연재, 캐비티와 인접하여 절연재에 형성되는 관통홀, 관통홀에 충전되며 그라파이트(graphite)분말을 포함하는 도전성 페이스트, 도전성 페이스트 상에 형성되는 도전성 패드 및 캐비티에 내장되며 도전성 패드와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이가 제공된다.In addition, according to another aspect of the present invention, the insulating material is formed in the cavity, the through-hole formed in the insulating material adjacent to the cavity, the conductive paste filled in the through-hole and containing graphite (graphite), the conductive formed on the conductive paste A light emitting diode package array is provided that includes a light emitting diode chip embedded in a pad and a cavity and electrically connected to a conductive pad.

여기서, 그라파이트 분말은 도전성 페이스트의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량%일 수 있으며, 절연재는 유기 기판으로 이루어질 수 있다. Here, the graphite powder may be 60 to 95% by weight relative to the total weight of the conductive paste, and the insulating material may be formed of an organic substrate.

이 때, 캐비티는 길이 방향으로 연장될 수 있으며, 관통홀은 인접하는 캐비티 사이에 형성될 수 있다. In this case, the cavity may extend in the longitudinal direction, and the through hole may be formed between adjacent cavities.

한편, 발광다이오드 패키지 어레이는 관통홀의 내벽에 형성되는 도전층을 더 포함할 수 있다. The LED package array may further include a conductive layer formed on an inner wall of the through hole.

상술한 바와 같이 본 발명의 실시예에 따르면, 전기적 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있으면서도, 발광다이오드 패키지의 박형화를 구현할 수 있다.As described above, according to the embodiment of the present invention, the reliability of the electrical connection can be improved, and the thickness of the light emitting diode package can be realized.

본 발명의 특징, 이점이 이하의 도면과 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.The features and advantages of the present invention will become apparent from the following drawings and detailed description of the invention.

이하, 본 발명에 따른 발광다이오드 패키지 및 이를 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이의 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, an embodiment of a light emitting diode package and a light emitting diode package array including the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description with reference to the accompanying drawings, the same or corresponding components are the same drawings. The numbering and duplicate description thereof will be omitted.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 어레이(100)를 나타낸 평면도이다. 도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 어레이(100)는, 캐비티(112)가 형성되는 절연재(110), 캐비티(112)와 인접하여 절연재(110)에 형성되는 관통홀(114), 관통홀(114)에 충전되며 그라파이트(graphite)분말을 포함하는 도전성 페이스트(130), 도전성 페이스트(130) 상에 형성되는 도전성 패드(116) 및 캐비티(112)에 내장되며 도전성 패드(116)와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩(120)을 포함함으로써, 전기적 연결의 신뢰성을 향상시킬 수 있으면서도, 발광다이오드 패키지(101)의 박형화를 구현할 수 있다.1 is a plan view illustrating a light emitting diode package array 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the LED package array 100 according to an exemplary embodiment of the present invention is formed on the insulating material 110 adjacent to the cavity 112 and the insulating material 110 on which the cavity 112 is formed. The conductive paste 130 is filled in the through hole 114, the through hole 114, and includes graphite powder, and is embedded in the conductive pad 116 and the cavity 112 formed on the conductive paste 130. In addition, by including a light emitting diode chip 120 electrically connected to the conductive pad 116, it is possible to improve the reliability of the electrical connection, while realizing a thinning of the light emitting diode package 101.

발광다이오드 패키지 어레이(100)(LED package array)는 복수의 발광다이오드 패키지(LED package, 101)가 배열된 하나의 집합체일 수 있으며, 발광다이오드 패키지(101)를 생산하는데 있어서 중간생산물일 수 있다. 따라서, 발광다이오드 패키지 어레이(100)를 각각의 발광다이오드 패키지(101)로 절단하여 사용할 수 있음은 물론이다. The LED package array 100 may be an aggregate in which a plurality of LED packages 101 are arranged, and may be an intermediate product in producing the LED package 101. Therefore, the light emitting diode package array 100 may be cut into each light emitting diode package 101 and used.

절연재(110)는 발광다이오드 패키지 어레이(100)의 몸체를 이루는 부분으로, 전체적으로 판형의 형태를 가진다. 그 재질은 예를 들어, 유기 기판일 수 있다. 유기 기판은 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)을 이루는 폴리머 수지를 포함하여 이루어질 수 있다. The insulating material 110 is a part constituting the body of the LED package array 100 and has a plate shape as a whole. The material may be, for example, an organic substrate. The organic substrate may include a polymer resin constituting a printed circuit board (PCB).

절연재(110)를 유기 기판을 이용함으로써, 제조 단가를 감소시키고 가공이 용이하여 발광다이오드 패키지(101)의 박형화를 보다 용이하게 구현할 수 있다. By using the insulating material 110 as the organic substrate, the manufacturing cost can be reduced and the processing is easy, so that the thickness of the light emitting diode package 101 can be more easily implemented.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 어레이(100)를 나타낸 단면도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 절연재(110)에는 캐비티(112)가 형성될 수 있다. 캐비티(112)는 후술할 발광다이오드칩(120)이 수용될 수 있는 공간을 제공한다. 2 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode package array 100 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, a cavity 112 may be formed in the insulating material 110. The cavity 112 provides a space in which the light emitting diode chip 120 to be described later is accommodated.

캐비티(112)는 발광다이오드칩(120)의 너비 보다 넓게 형성될 수 있으며, 복수의 발광다이오드칩(120)이 수용될 수 있도록 길이 방향으로 연장되는 형태를 가진다. 캐비티(112)는 절연재(110)의 상하를 관통하여 형성될 수 있다. The cavity 112 may be formed to be wider than the width of the light emitting diode chip 120, and may have a shape extending in the longitudinal direction to accommodate the plurality of light emitting diode chips 120. The cavity 112 may be formed to penetrate the upper and lower sides of the insulating material 110.

도 1에는 2 개의 캐비티(112)가 형성되어 있으나, 제조 상의 필요에 따라 보다 많은 수의 캐비티(112)를 형성할 수 있음은 물론이다. Although two cavities 112 are formed in FIG. 1, a larger number of cavities 112 can be formed according to manufacturing needs.

캐비티(112)의 내부에는 발광다이오드칩(120)이 수용된다. 발광다이오드칩(120)은 캐비티(112)의 바닥면에 안착되며, 캐비티(112)의 내부를 충전하는 몰딩수지(140)에 의해, 캐비티(112) 내부에 고정될 수 있다. The light emitting diode chip 120 is accommodated in the cavity 112. The light emitting diode chip 120 may be seated on the bottom surface of the cavity 112 and may be fixed to the inside of the cavity 112 by the molding resin 140 filling the inside of the cavity 112.

발광다이오드칩(120)이 몰딩수지(140)에 의해 고정되기 전에, 발광다이오드칩(120)은 절연재(110)의 바닥을 지지하는 지그(jig) 등에 의해 임시로 지지될 수 있다. Before the light emitting diode chip 120 is fixed by the molding resin 140, the light emitting diode chip 120 may be temporarily supported by a jig or the like supporting the bottom of the insulating material 110.

캐비티(112)의 양측에는 관통홀(114)이 형성된다. 관통홀(114)의 내벽에는 도전층(118)이 형성될 수 있다. 도전층(118)은 관통홀(114)의 내벽을 도금하여 형성될 수 있으며, 도전층(118)의 내부에 도전성 페이스트(130)가 충전되어, 도전층(118)과 전기적 연결을 형성할 수 있다. Through holes 114 are formed at both sides of the cavity 112. A conductive layer 118 may be formed on the inner wall of the through hole 114. The conductive layer 118 may be formed by plating an inner wall of the through hole 114, and the conductive paste 130 may be filled in the conductive layer 118 to form an electrical connection with the conductive layer 118. have.

도전성 페이스트(130)는 에폭시 또는 페놀/멜라닌과 같은 열경화성 수지와 그라파이트(graphite) 분말을 포함하여 이루어질 수 있다. 그라파이트 분말은 도전성 페이스트(130)가 도전성을 가지도록 할 수 있으며, 도전성 페이스트(130)의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량%를 차지할 수 있다. The conductive paste 130 may include a thermosetting resin such as epoxy or phenol / melanin and graphite powder. The graphite powder may allow the conductive paste 130 to have conductivity, and may account for 60 to 95 wt% with respect to the total weight of the conductive paste 130.

[표 1] 그라파이트 함량에 따른 수축률 변화[Table 1] Shrinkage Variation According to Graphite Content

그라파이트 함량(w%)Graphite Content (w%) 수축률(%)Shrinkage (%) 6060 2.3152.315 6565 1.8421.842 7070 1.4231.423 8080 0.0210.021 9090 -1.193-1.193

표 1은 그라파이트 함량에 따른 수축률의 변화를 나타낸 것이다. 표 1의 데이터는 지름 2.5㎝, 두께 1㎝의 관통홀(114)의 내부에 열경화성 고분자 수지와 그라파이트 분말을 혼합한 도전성 페이스트(130)를 충전하고, 이를 경화시킨 후에 측정한 것이다. Table 1 shows the change in shrinkage according to the graphite content. The data in Table 1 is measured after filling the conductive paste 130 mixed with a thermosetting polymer resin and graphite powder in the through hole 114 having a diameter of 2.5 cm and a thickness of 1 cm, and curing the same.

도 3는 그라파이트 함량에 따른 수축률을 나타낸 그래프이다. 표 1 및 도 3에 도시된 바와 같이, 그라파이트 분말이 도전성 페이스트(130)의 총 중량에 대하 여 60 내지 95 중량%를 이루는 경우, 도전성 페이스트(130)의 경화 수축률은 약 2.315 내지 -1.193% 범위에 있게 된다.  Figure 3 is a graph showing the shrinkage according to the graphite content. As shown in Table 1 and FIG. 3, when the graphite powder forms 60 to 95% by weight relative to the total weight of the conductive paste 130, the curing shrinkage of the conductive paste 130 ranges from about 2.315 to -1.193% Will be in.

관통홀(114)에 도전성 페이스트(130)를 충전하고 경화시키는 경우, ±약 2%이내의 범위에서 도전성 페이스트(130)가 수축하는 경우, 도전성 페이스트(130)가 경화되어 형성되는 접속부(130')가 관통홀(114) 내부의 도전층(118)으로부터 들뜨는 현상(delamination)이 발생하는 것을 방지할 수 있었다. When the conductive paste 130 is filled and cured in the through-hole 114, when the conductive paste 130 shrinks within a range of about 2% or less, the connection portion 130 ′ formed by curing the conductive paste 130. Delamination from the conductive layer 118 inside the through hole 114 can be prevented.

따라서, 도전성 페이스트(130)가 경화되어 형성되는 접속부(130')는 도전층(118)과 안정적인 결합을 형성할 수 있어, 발광다이오드 패키지(101)의 안정적인 전기적 연결을 확보할 수 있다. Therefore, the connection portion 130 ′ formed by curing the conductive paste 130 may form a stable bond with the conductive layer 118, thereby ensuring a stable electrical connection of the LED package 101.

관통홀(114)에 충전된 도전성 페이스트(130) 상에는 도전성 패드(116)가 형성된다. 도전성 패드(116)는 도금을 통해 형성될 수 있으며, 원형의 도전성 페이스트(130) 상에 예를 들어 4개가 결합될 수 있다. 도전성 패드(116)는 도전성 페이스트(130) 및 도전층(118)과 전기적 연결을 형성할 수 있다. The conductive pad 116 is formed on the conductive paste 130 filled in the through hole 114. The conductive pads 116 may be formed through plating, and for example, four conductive pads 116 may be coupled to the circular conductive paste 130. The conductive pad 116 may form an electrical connection with the conductive paste 130 and the conductive layer 118.

발광다이오드칩(120)은 캐비티(112)의 내부에 수용되며, 발광다이오드칩(120)의 상측에 형성된 단자(122) 및 단자(122)와 연결되는 와이어(124)를 통해, 도전성 패드(116)에 연결됨으로써, 도전성 패드(116)와 전기적 연결을 형성할 수 있다. The light emitting diode chip 120 is accommodated in the cavity 112, and the conductive pad 116 is connected to the terminal 122 and the wire 124 connected to the terminal 122 formed on the upper side of the light emitting diode chip 120. ) To form an electrical connection with the conductive pad 116.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(101)를 나타낸 사시도이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(101)는, 캐비티(112)가 형성되는 절연재(110), 절연재(110)의 양측에 형성되 며, 그라파이트 분말을 포함하는 접속부(130'), 접속부(130')상에 형성되는 도전성 패드(116) 및 캐비티(112)에 내장되며 도전성 패드(116)와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩(120)을 포함할 수 있다. 4 is a perspective view showing a light emitting diode package 101 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 4, the light emitting diode package 101 according to the exemplary embodiment of the present invention is formed on both sides of the insulating material 110 and the insulating material 110 on which the cavity 112 is formed, and includes graphite powder. And a light emitting diode chip 120 embedded in the connection pad 130 ', the conductive pad 116 formed on the connection 130', and the cavity 112 and electrically connected to the conductive pad 116. .

도 4의 도시된 발광다이오드 패키지(101)는 캐비티(112) 내의 발광다이오드칩(120)과 그 양측에 인접하는 한 쌍의 도전성 패드(116)를 포함하는 영역까지 절단하여, 개별 패키지(101)로 분리되어 형성될 수 있다. The illustrated light emitting diode package 101 of FIG. 4 is cut to an area including a light emitting diode chip 120 and a pair of conductive pads 116 adjacent to both sides of the cavity 112, so as to separate the package 101. It can be formed separately.

이 때, 유기 기판으로 이루어지는 절연재(110)를 이용함으로써, 가공이 용이하고, 제조 단가를 낮출 수 있다. 또한, 상술한 구조를 가지는 발광다이오드 패키지 어레이(100)를 절단하여, 각각의 발광다이오드 패키지를 형성하여 보다 박형화 된 발광다이오드 패키지(101)를 형성할 수 있다.At this time, by using the insulating material 110 which consists of an organic substrate, processing is easy and manufacturing cost can be reduced. In addition, the light emitting diode package array 100 having the above-described structure may be cut to form respective light emitting diode packages to form a thinner LED package 101.

유기 기판으로 이루어지는 절연재(110)는 전체적으로 직육면체의 형상을 가질 수 있다. 절연재(110)의 내부에는 캐비티(112)가 형성된다. 캐비티(112)는 길이 방향으로 연장되는 형태의 캐비티(112)를 절단하여 형성되어, 절연재(110)를 양측으로 분리하고 있다. The insulating material 110 made of an organic substrate may have a rectangular parallelepiped shape as a whole. The cavity 112 is formed inside the insulating material 110. The cavity 112 is formed by cutting the cavity 112 extending in the longitudinal direction, thereby separating the insulating material 110 on both sides.

캐비티(112)의 내부에는 발광다이오드칩(120)이 내장되며, 몰딩 수지(140)가 캐비티(112)에 충전되어 발광다이오드칩(120)을 고정하고 있다.The light emitting diode chip 120 is embedded in the cavity 112, and the molding resin 140 is filled in the cavity 112 to fix the light emitting diode chip 120.

절연재(110)의 양측에는 접속부(130')가 형성될 수 있다. 접속부(130')는 발광다이오드 패키지(101)가 외부와 전기적 연결을 형성하기 위한 부분으로, 상술한 도전성 페이스트(130)가 경화되어 형성될 수 있다. Connection portions 130 ′ may be formed at both sides of the insulating material 110. The connection portion 130 ′ is a portion for the light emitting diode package 101 to form an electrical connection with the outside, and may be formed by curing the above-described conductive paste 130.

접속부(130')는 상술한 원주형 관통홀(114)을 4등분하여 형성될 수 있는 것 으로, 전체적으로 1/4 등분된 원주의 형태를 가진다. 접속부(130')의 단면은 중심각이 90도인 부채꼴의 형상을 가지며, 이 단면이 길이 방향으로 연장되어 원주의 형태를 이룰 수 있다. The connecting portion 130 ′ may be formed by dividing the above-described cylindrical through hole 114 into four equal parts, and has a circumferential shape divided into quarters. The cross section of the connection portion 130 ′ has a fan shape having a central angle of 90 degrees, and the cross section extends in the longitudinal direction to form a circumference.

접속부(130')의 일측면은 원주의 일부와 같이 호의 형태를 가지며, 그 타측은 직사각형의 일부와 같이 길이 방향으로 연장되는 형태의 모서리를 가질 수 있다. 접속부(130')의 원주 부분은 절연재(110)의 내부로 만입되며, 접속부(130')의 길이 방향으로 연장되는 모서리는 직육면체의 형태를 가지는 절연재(110)의 일측의 모서리를 이룰 수 있다. One side of the connecting portion 130 ′ may have an arc shape like a portion of a circumference, and the other side may have a corner extending in a length direction like a portion of a rectangle. The circumferential portion of the connecting portion 130 ′ is indented into the insulating material 110, and the edge extending in the longitudinal direction of the connecting portion 130 ′ may form an edge of one side of the insulating material 110 having a rectangular parallelepiped shape.

도전층(118)은 관통홀(114)의 내벽에 형성됨으로, 접속부(130')와 절연재(110) 사이에 개재될 수 있으며, 도전성 패드(116)와 접속부(130')간에 전기적 연결을 보다 안정적으로 형성할 수 있다. 결국 발광다이오드칩(120)이 발광다이오드 패키지(101)의 외부와 안정적인 전기적 연결을 형성할 수 있게 된다. Since the conductive layer 118 is formed on the inner wall of the through hole 114, the conductive layer 118 may be interposed between the connecting portion 130 ′ and the insulating material 110, and may provide electrical connection between the conductive pad 116 and the connecting portion 130 ′. It can form stably. As a result, the light emitting diode chip 120 may form a stable electrical connection with the outside of the light emitting diode package 101.

한편, 접속부(130')는 그라파이트 분말을 접속부(130')의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량% 포함함으로써, 상술한 바와 같이, 도전층(118)으로부터 접속부(130')가 들뜨는 것을 방지할 수 있다. On the other hand, the connecting portion 130 'includes 60 to 95% by weight of graphite powder based on the total weight of the connecting portion 130', thereby preventing the connecting portion 130 'from being lifted from the conductive layer 118. Can be.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the invention as defined in the appended claims. It will be understood that the invention may be varied and varied without departing from the scope of the invention.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 어레이를 나타낸 평면도.1 is a plan view showing a light emitting diode package array according to an embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 어레이를 나타낸 단면도.2 is a cross-sectional view showing a light emitting diode package array according to an embodiment of the present invention.

도 3은 그라파이트 함량에 따른 수축률을 나타낸 그래프.Figure 3 is a graph showing the shrinkage according to the graphite content.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 나타낸 사시도.Figure 4 is a perspective view showing a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 발광다이오드 패키지 101: 발광다이오드 패키지 어레이100: light emitting diode package 101: light emitting diode package array

110: 기판 114: 관통홀110: substrate 114: through hole

120: 발광다이오드칩 130: 도전성 페이스트120: light emitting diode chip 130: conductive paste

130': 접속부 140: 몰딩수지130 ': connection portion 140: molding resin

Claims (11)

캐비티가 형성되는 절연재;Insulation material in which the cavity is formed; 상기 절연재의 양측에 형성되며, 그라파이트 분말을 포함하는 접속부;Connecting portions formed on both sides of the insulating material and including graphite powder; 상기 접속부 상에 형성되는 도전성 패드; 및 A conductive pad formed on the connection portion; And 상기 캐비티에 내장되며, 상기 도전성 패드와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드 패키지.A light emitting diode package embedded in the cavity, the light emitting diode package including a light emitting diode chip electrically connected to the conductive pad. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 그라파이트 분말은 상기 접속부의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량%인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The graphite powder is a light emitting diode package, characterized in that 60 to 95% by weight relative to the total weight of the connecting portion. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 절연재는 유기 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The insulating material is a light emitting diode package, characterized in that consisting of an organic substrate. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 도전성 패드와 결합되도록 상기 절연재와 상기 접속부 사이에 개재되는 도전층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지.The LED package further comprises a conductive layer interposed between the insulating material and the connection portion to be coupled to the conductive pad. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 접속부는 부채꼴 형상의 단면을 가지는 원주형으로 이루어지며,The connecting portion is made of a columnar shape having a cross section of a fan shape, 상기 접속부의 길이 방향으로 연장되는 모서리는 상기 절연재의 일측의 모서리를 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The edge portion extending in the longitudinal direction of the connection portion is a light emitting diode package, characterized in that forming an edge of one side of the insulating material. 캐비티가 형성되는 절연재;An insulation material in which a cavity is formed; 상기 캐비티와 인접하여 상기 절연재에 형성되는 관통홀;A through hole formed in the insulating material adjacent to the cavity; 상기 관통홀에 충전되며, 그라파이트(graphite)분말을 포함하는 도전성 페이스트;A conductive paste filled in the through hole and including graphite powder; 상기 도전성 페이스트 상에 형성되는 도전성 패드; 및A conductive pad formed on the conductive paste; And 상기 캐비티에 내장되며, 상기 도전성 패드와 전기적으로 연결되는 발광다이오드칩을 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이.A light emitting diode package array embedded in the cavity and including a light emitting diode chip electrically connected to the conductive pad. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 그라파이트 분말은 상기 도전성 페이스트의 총 중량에 대하여 60 내지 95 중량%인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 어레이.The graphite powder is a light emitting diode package array, characterized in that 60 to 95% by weight relative to the total weight of the conductive paste. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 절연재는 유기 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 어레이.The insulating material is a light emitting diode package array, characterized in that consisting of an organic substrate. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 캐비티는 길이 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 어레이.And the cavity extends in the longitudinal direction. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9, 상기 관통홀은 인접하는 상기 캐비티 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지 어레이.The through-hole is formed between the adjacent cavity, LED package array, characterized in that. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 관통홀의 내벽에 형성되는 도전층을 더 포함하는 발광다이오드 패키지 어레이.The light emitting diode package array further comprising a conductive layer formed on the inner wall of the through hole.
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