KR100978544B1 - Manufacturing method of chip on glass using direct image process - Google Patents

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박중철
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Abstract

PURPOSE: A method for manufacturing a chip on glass using a direction image realizing technology is provided to reduce reduction and loss of a used amount of materials. CONSTITUTION: An AOI(Automatic Optical Inspection) device recognizes the shape of a circular glass substrate square. The AOI device inspects quality of a conductive pattern(S106). Short or open on the conductive pattern is detected of the circular glass substrate by the quality inspection. A short part of the conductive pattern is removed by laser in case on short(S107). Liquefied conductive metal is applied and hardened on an open part of the conductive pattern in case of open. The defect is removed.

Description

다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(ＣＯＧ) 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF CHIP ON GLASS USING DIRECT IMAGE PROCESS}Manufacturing method of chip on glass using direct image technology {MANUFACTURING METHOD OF CHIP ON GLASS USING DIRECT IMAGE PROCESS}

본 발명은 유리기판 위에 도전성패턴을 형성시켜 드라이버 집적회로를 구성하기 위한 칩온글라스(COG; 유리회로기판) 제조공정기술에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도전성패턴의 패턴이미지를 원자재인 원형의 유리기판 위에 직접 묘화 및 패턴이미지를 용이하게 수정할 수 있도록 개선함으로써 정밀하면서도 미세한 패턴형성을 가능하게 하며 수율 및 품질을 향상시킬 수 있도록 한 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스 제조방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a chip on glass (COG; glass circuit board) manufacturing process technology for forming a driver integrated circuit by forming a conductive pattern on a glass substrate, and more specifically, a circular glass substrate using a pattern image of a conductive pattern as a raw material. The present invention relates to a method for manufacturing a chip-on-glass using a direct image implementation technology that enables precise and fine pattern formation by improving direct drawing and pattern images to be easily modified, and improves yield and quality.

일반적으로 칩온글라스(Chip On Glass; 이하 "COG"라 한다.)는 유리기판 위에 드라이버 집적회로(IC)를 접착하는 실장방식을 갖는 유리회로기판으로서, 반도체나 LCD 검사장비 등에 사용되며 도전성패턴의 회로설계를 갖는 회로기판의 종류 중 하나라 할 수 있다.Generally, chip on glass (hereinafter referred to as "COG") is a glass circuit board having a mounting method for bonding driver integrated circuits (ICs) onto glass substrates. It can be said to be one kind of circuit board having a circuit design.

특히, COG(칩온글라스)는 LCD 검사장비인 프로브 유니트(probe unit) 제조에 필수부품으로 사용되고 있는 등 그 응용범위가 점차 확대되고 있다.In particular, the application range of the COG (Chip-on-Glass) is being used as an essential component for manufacturing a probe unit, which is an LCD inspection equipment, and is gradually expanding.

도 1은 종래 COG 제조공정기술을 설명하기 위해 나타낸 블록 흐름도이고, 도 2는 종래 COG 제조공정을 나타낸 요부 공정도로서, 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 COG 제조방법을 설명하면, 감광재인 포토레지스트(PR)(2)를 원자재인 유리기판(1) 위에 코팅 처리하는 제1단계(S1)와, 패턴을 형성시킨 기 제작된 마스터 마스크(Master Mask)를 포토레지스트(2) 위에 적층한 후 노광 처리하여 포토레지스트에 감광패턴을 형성시키는 제2단계(S2)와, 포토레지스트(2)를 갖는 유리기판(1)을 현상하여 감광패턴 형성부분을 제외한 나머지 포토레지스트 부분을 제거하는 제3단계(S3)와, 유리기판(1) 및 남겨진 포토레지스트(2) 위에 스퍼터링(sputtering)을 통하여 베이스금속 및 전도성금속을 순차 증착시킴으로써 금속증착층(3)을 형성시키는 제4단계(S4)와, 유리기판(1)에 남아있는 포토레지스트(2) 제거를 위한 약품처리를 행하여 포토레지스트를 제거함과 아울러 포토레지스트 부분에 증착되어있는 금속증착층(3) 부분을 함께 제거하는 제5단계(S5)와, 현미경을 이용하여 유리기판 상에 형성된 패턴회로 상에서 쇼트나 오픈 불량이 있는지 육안으로 검사하는 제6단계(S6)를 포함하여 이루어진다.1 is a block flow diagram illustrating a conventional COG manufacturing process technology, and FIG. 2 is a main process diagram showing a conventional COG manufacturing process. Referring to FIGS. 1 and 2, a conventional COG manufacturing method will be described. The first step (S1) of coating (PR) (2) on the glass substrate 1, which is a raw material, and a pre-fabricated master mask on which the pattern is formed are laminated on the photoresist 2 and then exposed. A second step S2 of forming a photoresist pattern on the photoresist and a third step of removing the photoresist portions except for the photoresist pattern formation by developing the glass substrate 1 having the photoresist 2 ( S4), a fourth step S4 of forming a metal deposition layer 3 by sequentially depositing a base metal and a conductive metal through sputtering on the glass substrate 1 and the remaining photoresist 2, and glass Photos remaining on the substrate 1 Chemical treatment for removing the jits (2) removes the photoresist, and the fifth step (S5) of removing the metal deposition layer (3) deposited on the photoresist portion together, and using a microscope on the glass substrate And a sixth step S6 of visually inspecting whether there is a short or an open defect on the pattern circuit formed in FIG.

그리고, 산화층(oxide layer) 코팅공정과 포토마스크(photo mask)를 사용한 노광공정 등의 후공정들을 수행하여 COG 생산을 완료하게 된다.In addition, COG production is completed by performing post-processes such as an oxide layer coating process and an exposure process using a photo mask.

그런데, 상술한 공정으로 이루어지는 종래 COG 제조방법에 있어서는, 마스터 마스크의 구비를 위해 공 마스크(blank mask)를 전량 수입하여 제조하고 있으므로 원자재비나 제조단가의 상승요인 및 외화낭비의 요인으로 지적되고 있고 또한 마스크 제작업체로부터 마스터 마스크를 입고하여야 하는 불편함 및 마스크 제작에만 1~2일의 기간이 더 소요되므로 납기단축에 어려움이 발생되는 문제점이 있었음은 물론 유리기판의 원자재 이외에 공 마스크(blank mask) 1장이 더 소요되는 문제점이 있었으며, 기존 제조공정에서는 미리 마스크(마스터 마스크와 포토마스크)를 2매 제작하여 금속증착층(3)이 형성된 유리기판(1) 위에 올려놓고 패턴형성 및 절연층 형성을 위해 2회에 걸쳐 노광을 처리하는 방식으로 패턴이미지를 구현하는 기술로 처리공정이 많을 뿐 아니라 공정시간이 많이 소요되는 문제점 및 이로 인해 공정처리비용이 올라가고 정밀도는 떨어지며 약품처리공정이 많아 환경친화적이지 못한 문제점이 있었다.By the way, in the conventional COG manufacturing method which consists of the above-mentioned process, since all the blank masks are imported and manufactured for provision of a master mask, it is pointed out as a factor of raw material cost, an increase in manufacturing cost, and a waste of foreign currency. Inconvenience to wear a master mask from the mask manufacturer and only one to two days to produce a mask, so there was a problem in shortening the delivery time, as well as a blank mask in addition to the raw material of the glass substrate (blank mask) 1 In the existing manufacturing process, two masks (master mask and photomask) were prepared in advance and placed on the glass substrate 1 on which the metal deposition layer 3 was formed. It is a technology that realizes the pattern image by processing the exposure twice. D. The process takes a lot of time, and due to this, the process cost increases, the precision is lowered, and there are many problems with the chemical treatment, which are not environmentally friendly.

또한, 포토레지스트(2) 위에 금속증착층(3)의 형성을 위한 스퍼터(sputter) 작업을 진행하므로 수율이 떨어지고 불량률 발생이 높은 문제점이 있었으며, 마스크를 이용한 노광작업 진행시 10㎛ 이하의 패턴을 구현하는 경우 패턴 공차가 커지고 불량률이 높은 문제점 및 품질 안정성이 떨어지는 문제점이 있었다.In addition, the sputtering process for forming the metal deposition layer 3 on the photoresist 2 has a problem that the yield is low and the defect rate is high. When implemented, there were problems of large pattern tolerance, high defect rate, and poor quality stability.

나아가, 기존 제조공정에서는 포토레지스트 및 금속증착층을 제거하여 패턴을 형성하는 공정(Lift-Off) 진행시 현상 상태에서 발생한 문제뿐만 아니라 스퍼터에 의해 증착된 금속증착층의 금속간에 쇼트현상이 발생될 수 있어 패턴 구현시 쇼트(Short) 및 오픈(Open) 발생이 높은 문제점이 있었으며, 전체공정을 진행 후 양품여부를 확인할 수 있게 되므로 패턴 구현시 발생된 쇼트나 오픈의 불량 및 결점을 전혀 수정할 수 없는 문제점이 있었으며, 유리기판 위에 금속증착층을 형성한 후에는 재사용(rework)이 불가능하므로 원자재 손실이 큰 문제점이 있었다.Furthermore, in the existing manufacturing process, a short phenomenon may occur between the metal of the metal deposition layer deposited by the sputter as well as the problem occurring in the development state during the process of removing the photoresist and the metal deposition layer (Lift-Off). There was a problem of high short and open occurrence when implementing the pattern, and after confirming the quality of the product after the whole process, it was impossible to correct the defects and defects of the short or open occurred during the implementation of the pattern. There was a problem, and since the metal deposition layer was formed on the glass substrate, reworking was impossible, so there was a big problem of loss of raw materials.

더구나, 종래에는 원자재를 미리 준비할 수 없음으로 인해 원자재 재고확보에 따른 제약 및 어려움이 있었고 COG의 패턴형성을 위한 데이터 접수 후에야 모든 공정을 진행할 수 있게 되므로 작업공정의 진행에 따른 불편함이 있었다.
In addition, conventionally, there were limitations and difficulties in securing raw material inventory due to the inability to prepare raw materials in advance, and since all processes could be carried out only after receiving data for pattern formation of COG, there was inconvenience due to the progress of the working process.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 제조방법의 개선을 통해 원자재 소요량의 감소와 손실을 줄일 수 있도록 하면서 수율 및 품질 향상을 도모할 수 있도록 하며, 전체적인 소요공정을 단축할 수 있도록 함은 물론 패턴 구현시 발생된 쇼트나 오픈의 불량 및 결점을 용이하게 수정할 수 있도록 한 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(COG) 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made in order to solve the above-mentioned conventional problems, it is possible to improve the yield and quality while reducing the raw material requirements and reduction through the improvement of the manufacturing method, and to shorten the overall required process The purpose of the present invention is to provide a method of manufacturing a chip on glass (COG) using a direct image implementation technology that can easily correct shorts and open defects and defects generated during pattern implementation.

즉, 본 발명은 사각형태를 인식하는 기존 마스크 제조용 레이저 묘화장비를 지그 사용과 함께 원형인식이 가능한 COG 생산장비로 활용할 수 있도록 함으로써 도전성패턴의 패턴이미지를 원자재인 원형(웨이퍼모양) 유리기판 위에 직접 묘화 처리할 수 있도록 할 뿐만 아니라 5㎛ 이하의 미세 패턴 형성을 가능하게 하는 등 정밀성을 향상시킬 수 있도록 하며, 역시 사각형태를 인식하는 기존 마스크 검사용 자동광학검사장비(AOI)를 지그 사용과 함께 원형인식이 가능한 COG 생산장비로 활용함으로써 검사의 효율성을 높이면서도 이미지패턴의 구현시 발생된 쇼트나 오픈의 결점을 용이하게 수정할 수 있도록 하여 양질의 칩온글라스(COG)를 제조할 수 있도록 한 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(COG) 제조방법을 제공하는데 있다.In other words, the present invention can be used as a COG production equipment capable of circular recognition with the use of the jig laser drawing equipment for manufacturing a mask that recognizes the rectangular shape directly on the circular (wafer-shaped) glass substrate of the raw material pattern pattern It not only enables the drawing process but also improves the precision by enabling the formation of fine patterns of 5 μm or less, and also uses the automatic optical inspection equipment (AOI) for inspection of masks, which recognizes the rectangular shape, with the jig. Direct image that can be used to produce high quality chip-on-glass by using circular COG production equipment to improve inspection efficiency and to easily correct shorts and open defects caused by image patterns. It provides a method of manufacturing a chip on glass (COG) using the implementation technology.

본 발명은 COG의 패턴형성을 위한 데이터 접수 전에도 원자재를 미리 준비할 수 있는 등 원자재의 재고 확보는 물론 납기를 단축시키는데 기여할 수 있도록 하며, 공정처리시 환경오염의 최소화 및 작업환경을 개선할 수 있도록 하며, 공정비용 및 제조단가를 절감할 수 있도록 한 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(COG) 제조방법을 제공하는데 있다.
The present invention can contribute to secure the inventory of the raw materials and shorten the delivery time, such as to prepare the raw materials in advance even before receiving data for the pattern formation of COG, and to minimize the environmental pollution and improve the working environment during processing In addition, the present invention provides a method for manufacturing a chip on glass (COG) using a direct image realization technology which can reduce the process cost and manufacturing cost.

본 발명은 원형 유리기판 위에 베이스 및 전도성 금속을 순차적으로 스퍼터 증착시켜 금속증착층을 형성시키는 제1단계와; 상기 금속증착층이 형성된 원형 유리기판 상에 패턴의 직접 묘화에 사용하기 위한 포토레지스트를 코팅 처리하여 PR코팅층을 형성시키는 제2단계와; 상기 제2단계를 거친 원형 유리기판을 마스크 제조용 레이저 묘화장비에 셋팅하되 사각지그에 장착한 상태로 셋팅하여 상기 레이저 묘화장비가 원형 유리기판에 대해 사각으로 인식하도록 장착한 후, 원형 유리기판 상에 코팅된 PR코팅층에 레이저 패터닝을 직접 행하여 다이렉트 패턴형성부를 형성시키는 제3단계와; 상기 제3단계 가공 후, 원형 유리기판에 대해 현상 및 에칭을 행하여 다이렉트 패턴형성부를 제외한 부분의 금속증착층을 제거하는 제4단계와; 상기 원형 유리기판 상에 남아있는 PR코팅층을 제거하여 남아있는 금속증착층에 의한 도전성패턴을 최종 형성시키는 제5단계와; 상기 도전성패턴을 갖는 원형 유리기판을 마스크 검사용 자동광학검사장비(AOI)에 셋팅하되 사각지그에 장착한 상태로 셋팅하여 상기 자동광학검사장비가 원형 유리기판에 대해 사각으로 인식하도록 장착한 후, 도전성패턴에 대한 품질검사를 수행하게 하는 제6단계와; 상기 품질검사에 의해 원형 유리기판의 도전성패턴 상에 쇼트나 오픈의 결점이 발생되면, 쇼트의 경우 레이저를 사용하여 도전성패턴의 쇼트부위를 제거하고, 오픈의 경우 도전성패턴의 오픈부위에 액상의 전도성금속을 도포 후 경화시켜 결점을 수정 처리하는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
The present invention includes a first step of forming a metal deposition layer by sputter deposition of a base and a conductive metal on a circular glass substrate sequentially; A second step of forming a PR coating layer by coating a photoresist for use in direct drawing of a pattern on the circular glass substrate on which the metal deposition layer is formed; After setting the circular glass substrate passed through the second step on the laser drawing equipment for mask manufacturing, while being mounted on the rectangular jig, the laser drawing equipment is mounted to recognize the circular glass substrate as a square and then placed on the circular glass substrate. A third step of directly forming a patterned portion by performing laser patterning on the coated PR coating layer; A fourth step of removing the metal deposition layer of the portion except the direct pattern forming part by developing and etching the circular glass substrate after the third step processing; A fifth step of finally forming a conductive pattern by the remaining metal deposition layer by removing the PR coating layer remaining on the circular glass substrate; After setting the circular glass substrate having the conductive pattern in the automatic optical inspection equipment (AOI) for mask inspection, and setting the circular glass substrate to be mounted on the square jig, the automatic optical inspection equipment is mounted to recognize the circular glass substrate as square. A sixth step of performing quality inspection on the conductive pattern; If short or open defects are generated on the conductive pattern of the circular glass substrate by the quality inspection, the short portion of the conductive pattern is removed using a laser in the case of a short, and the liquid phase is conductive to the open portion of the conductive pattern in the case of an open. It is characterized in that it comprises a seventh step of correcting the defects by applying and curing the metal.

본 발명은 원자재 자체가 웨이퍼모양을 갖는 원형 유리기판을 그대로 사용하여 COG를 제조할 수 있으며, 도전성패턴을 원자재인 원형 유리기판 위에 직접 묘화(다이렉트 이미지 처리)하는 방식을 이용하므로 3㎛ 패턴까지 미세 패턴을 구현할 수 있을 뿐만 아니라 기존에 비해 패턴 공차를 줄일 수 있어 양질의 COG를 제조할 수 있다.According to the present invention, COG can be manufactured by using a circular glass substrate having the shape of a wafer as it is, and using a method of directly drawing (direct image processing) a conductive pattern on a circular glass substrate, which is a raw material, to fine patterns up to 3 μm. Not only can the pattern be implemented, but also the pattern tolerance can be reduced compared to the existing ones, thereby producing a good COG.

본 발명은 기존에 비해 마스터 마스크를 사용하지 않으므로 제작 자체가 필요하지 않게 되어 COG 1장 생산당 공 마스크(blank mask) 1장을 줄일 수 있어 원가절감은 물론 전량 수입에 의존하는 공 마스크의 비사용에 의한 수입대체효과로 외화까지 절감할 수 있고 마스터 마스크의 입고에 따른 불편함을 없앨 수 있으며 기존방식 대비 3일 이상의 납기를 단축시킬 수 있다.Since the present invention does not use a master mask since it does not require a master mask, it is possible to reduce one blank mask per COG production, thus reducing the cost and of not using a blank mask depending on the total amount of imports. It can reduce foreign currency by import substitution effect, eliminate inconvenience of wearing master mask, and can shorten delivery time more than 3 days compared to existing method.

또한, 기존에 비해 전체 공정 및 시간을 단축 및 절감할 수 있을 뿐만 아니라 약품 사용량을 현격히 줄일 수 있어 환경오염을 최소화할 수 있음은 물론 작업환경까지 개선할 수 있으며, 공정비용 및 제조단가를 절감할 수 있다.In addition, it can not only shorten and reduce the overall process and time, but also significantly reduce the amount of chemicals used, thereby minimizing environmental pollution, improving the working environment, and reducing process costs and manufacturing costs. Can be.

본 발명은 다이렉트 패턴 형성이후 현상하고 에칭을 수행하므로 형성되는 도전성패턴에 있어 쇼트(Short) 및 오픈(Open) 등의 불량발생을 최소화할 수 있고, 도전성패턴에 대한 안정적인 검사 수행과 함께 정확성 및 정밀성을 높일 수 있어 품질안정성을 도모할 수 있을 뿐만 아니라 불량발생시 결점을 수정할 수 있으므로 기존 70% 이하이던 수율을 95% 이상으로 크게 향상시킬 수 있으며, 특히 본 발명의 제조기술은 재사용(rework)이 가능하므로 원자재 손실을 크게 줄일 수 있을 뿐만 아니라 생산성을 높일 수 있다.In the present invention, since development and etching are performed after the formation of the direct pattern, defects such as short and open can be minimized in the conductive pattern to be formed, and accuracy and precision with stable inspection of the conductive pattern are performed. It can increase the quality stability as well as to correct the defects in the event of defects can greatly improve the yield of less than the existing 70% to 95% or more, in particular, the manufacturing technology of the present invention can be reused (rework) This not only significantly reduces raw material loss but also increases productivity.

본 발명은 COG의 패턴형성을 위한 데이터 접수 전에도 원자재인 유리기판에 미리 스퍼터 증착 및 PR 코팅하여 보관할 수 있는 장점을 지니게 되므로 원자재 재고의 확보가 용이해지고, 데이터 접수 후에 바로 패턴형성작업 진행 및 COG를 제조할 수 있어 빠른 작업을 가능하게 한다.The present invention has the advantage that the sputter deposition and PR coating on the glass substrate, which is a raw material, can be stored in advance even before the data reception for the pattern formation of the COG. It can be manufactured to enable fast operation.

나아가, 본 발명은 지그의 활용 및 셋팅값 조정만으로 기존 마스크 제조용 레이저 묘화장비 및 마스크 검사용 자동광학검사장비를 원형인식이 가능한 COG 생산장비로 간단히 활용할 수 있게 되므로 경제성을 도모할 수 있다.
Furthermore, the present invention can be economically improved simply by utilizing the jig and adjusting the setting value, so that the existing laser drawing equipment for mask manufacturing and automatic optical inspection equipment for mask inspection can be easily utilized as COG production equipment capable of circular recognition.

도 1은 종래 COG 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
도 2는 종래 COG 제조공정을 나타낸 요부 공정도.
도 3은 본 발명에 의한 COG 제조방법을 설명하기 위해 나타낸 흐름도.
도 4는 본 발명에 의한 COG 제조공정을 나타낸 요부 공정도.
도 5는 본 발명에 있어 사각지그에 원형 유리기판을 장착한 상태를 보인 예시도.
도 6은 본 발명에 있어 도전성패턴의 쇼트 결점에 대한 수정의 예시를 보인 도면으로서, (a)는 결점이 발생된 상태이고, (b)는 결점 수정이 완료된 상태를 보인 도면.
도 7은 본 발명에 있어 도전성패턴의 오픈 결점에 대한 수정의 예시를 보인 도면으로서, (a)는 결점이 발생된 상태이고, (b)는 결점 수정이 완료된 상태를 보인 도면.1 is a flow diagram illustrating a conventional method for producing COG.
Figure 2 is a main process diagram showing a conventional COG manufacturing process.
Figure 3 is a flow chart showing for explaining the COG production method according to the present invention.
Figure 4 is a main process diagram showing a COG manufacturing process according to the present invention.
Figure 5 is an exemplary view showing a state in which a circular glass substrate mounted on a square jig in the present invention.
6 is a view showing an example of the correction for the short defect of the conductive pattern in the present invention, (a) is a state in which a defect has occurred, (b) is a view showing a state in which the defect correction is completed.
7 is a view showing an example of the correction for the open defect of the conductive pattern in the present invention, (a) is a state in which a defect has occurred, (b) is a view showing a state in which the defect correction is completed.

본 발명을 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3 및 도 4를 참조하여, 본 발명의 실시예에 의한 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 COG(칩온글라스) 제조방법은 원자재 자체가 웨이퍼모양을 갖는 원형의 유리기판(101)이 사용되며, 이 원형 유리기판(101) 위에 베이스 및 전도성 금속을 각각 스퍼터(sputter) 증착시킴으로써 도 4(a)에서와 같이 원형 유리기판(101) 위에 회로설계(도전성패턴 형성)에 사용할 금속증착층(102)을 직접 형성시킨다(S101).3 and 4, in the COG (chip-on-glass) manufacturing method using a direct image implementation technology according to an embodiment of the present invention, a circular glass substrate 101 having a wafer shape of a raw material itself is used. By sputter depositing the base and the conductive metal on the glass substrate 101, the metal deposition layer 102 to be used for the circuit design (conductive pattern formation) is formed directly on the circular glass substrate 101 as shown in FIG. To form (S101).

이때, 상기 금속증착층(102)은 유리기판 접착력이 좋은 크롬(Cr), 티탄(Ti), ITO(Indium Tin Oxide) 중에서 어느 하나를 선택하여 스퍼터(sputter)시킨 베이스금속층과, 상기 베이스금속층 위에 형성되며 도전성이 우수한 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al), 금(Au) 중에서 어느 하나를 선택하여 스퍼터시킨 전도성금속층으로 이루어지게 함이 바람직하다.At this time, the metal deposition layer 102 is a base metal layer sputtered by selecting any one of chromium (Cr), titanium (Ti), ITO (Indium Tin Oxide) having good adhesion to the glass substrate, and on the base metal layer It is preferable to form a conductive metal layer formed by sputtering any one of copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al), and gold (Au) having excellent conductivity.

상기 금속증착층(102)이 형성된 원형 유리기판(101) 위에 포토레지스트(PR)를 코팅 처리하여 도 4(b)에서와 같이 PR코팅층(103)을 형성시킨다(S102).The photoresist PR is coated on the circular glass substrate 101 on which the metal deposition layer 102 is formed to form a PR coating layer 103 as shown in FIG. 4 (b) (S102).

이때, 본 발명에서 적용하는 상기 PR코팅층(103)은 종래 COG 제조기술에서와 같이 전사방식의 감광패턴 형성에 사용하기 위한 것이 아니며, 다음에 기술되는 레이저를 이용하여 패턴이미지를 원형 유리기판(101)측에 직접 묘화하는 작업을 진행하기 위한 수단으로 사용하기 위한 차별성을 갖는 것이다.At this time, the PR coating layer 103 applied in the present invention is not intended to be used for forming a transfer type photosensitive pattern as in the conventional COG manufacturing technology, and circular patterned glass substrate 101 using a laser image described below. Differentiation to use as a means for proceeding to draw directly on the side.

상기 원형 유리기판(101) 상에 코팅된 PR코팅층(103)에 레이저장비를 이용하여 직접적으로 레이저 패터닝(patterning)을 행함으로써 도 4(c)에서와 같이 PR코팅층(103)을 통해 다이렉트 패턴형성부(104)가 형성되게 가공한다(S103).Direct pattern formation through the PR coating layer 103 as shown in Fig. 4 (c) by performing laser patterning directly on the PR coating layer 103 coated on the circular glass substrate 101 using laser equipment. The part 104 is processed to be formed (S103).

이는 종래 PR코팅층을 통해 노광을 행하여 패턴을 전사하는 방식이 아니고 레이저로 PR코팅층(103)에 직접 패턴을 묘화하는 기계적 가공방식으로서 양각 또는 음각으로 선택적인 패턴을 형성시킬 수 있으며, 노광에 의한 패턴전사방식에 비해 패턴 공차를 없앨 수 있으면서 정밀하고도 미세한 패턴의 형성을 가능하게 하므로 고품질의 제품생산을 가능하게 하는 유용함을 제공한다.This is not a method of transferring a pattern by exposing through a conventional PR coating layer, but a mechanical processing method of drawing a pattern directly on the PR coating layer 103 with a laser, thereby forming a selective pattern by embossing or engraving. Compared to the transfer method, it is possible to eliminate the pattern tolerance while enabling the formation of precise and fine patterns, thereby providing the usefulness of enabling the production of high quality products.

이때, PR코팅층(103)에 다이렉트 패턴형성부(104)를 형성시키기 위한 레이저장비로는 사각형태의 마스크 제작에 사용되고 있는 기존 마스크 제조용 레이저 묘화장비(레이저 포토 플로터; 사각인식용)를 사용하되 사각지그의 활용과 플로터(plotter) 조정을 통해 COG 생산장비로 활용할 수 있도록 함으로써 COG 제조에 따른 경제성을 구비할 수 있도록 한 것인데, 본 발명에서는 도 5에서와 같이 원형 유리기판(101)을 사각지그(201)에 장착하여 레이저 묘화장비 상에 셋팅함으로써 마스크 제조용 레이저 묘화장비가 원형 유리기판에 대해 사각으로 인식할 수 있도록 하고 이 마스크 제조용 레이저 묘화장비의 셋팅값을 COG 생산에 맞게 조정한 후 레이저 가공을 통해 원형 유리기판에 다이렉트 패턴이미지를 직접 묘화 처리할 수 있도록 한 것이다.In this case, as a laser equipment for forming the direct pattern forming unit 104 on the PR coating layer 103, a conventional laser drawing equipment (laser photo plotter; square recognition) used for manufacturing a mask having a rectangular shape may be used. By utilizing the jig and plotter (plotter) adjustment to be used as a COG production equipment to be equipped with economics according to the production of COG, in the present invention, the circular glass substrate 101 as shown in FIG. 201) and set it on the laser drawing equipment so that the laser drawing equipment for mask manufacturing can recognize the circular glass substrate as a square and adjust the setting value of the laser drawing equipment for mask manufacturing for COG production and then perform laser processing. The direct pattern image can be directly drawn on the circular glass substrate.

여기서, 다이렉트 패턴이미지의 직접 묘화에 사용되는 레이저는 패턴가공효율을 위해 405nm 파장을 사용함이 바람직하며, 이를 통해 레이저 가공에 의한 패턴이미지의 선폭 정도는 ±1㎛ 이내로 공차관리를 행할 수 있게 된다.Here, the laser used for the direct drawing of the direct pattern image is preferably to use the 405nm wavelength for the pattern processing efficiency, through which the tolerance of the line width of the pattern image by the laser processing can be managed within ± 1㎛.

사각지그(201)의 사용을 통해 기존 마스크 제조용 레이저 묘화장비를 COG 생산장비로 활용하여 원형 유리기판(101) 상의 PR코팅층(103)에 직접적으로 다이렉트 패턴형성부(104)를 형성시킨 이후에는 현상 및 에칭을 순차적으로 행하여 도 4(d)에서와 같이 다이렉트 패턴형성부(104)를 제외한 부분에 위치한 금속증착층(102)을 제거(S104)할 수 있도록 하고, 약품처리를 통해 유리기판(101) 상에 남아있는 PR코팅층(103) 즉 다이렉트 패턴형성부(104)를 형성하고 있는 PR코팅층을 제거함으로써 도 4(e)에서와 같이 초기 형성시켜 남겨진 금속증착층을 통해 다이렉트 패턴형성부를 이용한 도전성패턴(105)이 최종 형성되게 한다(S105).After the direct pattern forming unit 104 is formed directly on the PR coating layer 103 on the circular glass substrate 101 by using the laser masking equipment for manufacturing a mask as a COG production equipment through the use of the square jig 201. And sequentially performing etching to remove (S104) the metal deposition layer 102 located at the portion except the direct pattern forming unit 104 as shown in FIG. 4 (d), and through the chemical treatment, the glass substrate 101. By removing the PR coating layer 103 forming the PR coating layer 103, ie, the direct pattern forming unit 104, remaining on the substrate, the conductive pattern using the direct pattern forming unit is formed through the metal deposition layer that is initially formed as shown in FIG. The pattern 105 is finally formed (S105).

이때, 현상 및 에칭되는 원형 유리기판(101)에 있어서는 PR코팅층(103)이 현상되고 다이렉트 패턴형성부(104)를 제외한 부분에 위치한 금속증착층(102)이 에칭에 의해 제거되며, 본 발명에서는 금속증착층을(102)을 형성하고 다이렉트 패턴형성부(104)를 형성한 이후에 현상 및 에칭을 수행하므로 기존의 공정방식에 비해 패턴 구현성 및 정밀성을 높일 수 있어 불량률을 개선할 수 있게 된다.At this time, in the circular glass substrate 101 to be developed and etched, the PR coating layer 103 is developed and the metal deposition layer 102 located at the portion except the direct pattern forming unit 104 is removed by etching. Since the development and etching are performed after the metal deposition layer 102 is formed and the direct pattern forming unit 104 is formed, the pattern realization and precision can be improved as compared to the conventional process method, thereby improving the defect rate. .

상기 원형 유리기판(101) 상에 최종적인 도전성패턴(105)의 형성이 완료되면, 자동광학검사장비(AOI)를 활용하여 도전성패턴(105)에 대해 품질검사를 수행한다(S106).When the final formation of the conductive pattern 105 on the circular glass substrate 101 is completed, quality inspection is performed on the conductive pattern 105 using the automatic optical inspection equipment AOI (S106).

이때에는 보다 정확한 품질검사를 위해 데이터 비교방식의 자동광학검사장비(AOI; Automatic Optical Inspection)를 사용함이 바람직한데, 이 자동광학검사장비 또한 사각형태의 마스크 검사에 사용되는 검사장비로서 원형 유리기판을 적용하는 본 발명에서는 다이렉트 패턴형성부를 형성시킬 때와 같은 사각지그(201)를 활용하여 검사장비 상에 셋팅함으로써 기존 마스크 검사용 자동광학검사장비가 원형 유리기판을 사각으로 인식할 수 있도록 하고 자동광학검사장비의 셋팅값을 COG 생산에 맞게 조정한 후에 원형 유리기판 상에 형성된 최종 도전성패턴의 양품여부를 검사할 수 있도록 한 것이다.At this time, it is preferable to use Automatic Optical Inspection (AOI) of data comparison method for more accurate quality inspection. This automatic optical inspection equipment is also used for the inspection of rectangular masks. According to the present invention, the automatic optical inspection equipment for inspection of a mask can recognize a circular glass substrate as a square by setting on the inspection equipment by using the square jig 201 as when forming the direct pattern forming portion, and the automatic optics. After adjusting the setting value of the inspection equipment to the production of COG, it is possible to inspect the quality of the final conductive pattern formed on the circular glass substrate.

상기 자동광학검사장비 및 사각지그를 활용한 도전성패턴(105)의 품질검사에 의해 원형 유리기판(101)에 형성된 도전성패턴(105)의 패턴회로 상에 쇼트(short)나 오픈(open)의 결점이 발생되면, 쇼트의 경우에는 도 6의 예시에서와 같이 레이저를 사용하여 도전성패턴의 쇼트부위를 제거함으로써 결점을 수정하는 작업을 행하고, 오픈의 경우에는 도 7의 예시에서와 같이 도전성패턴의 오픈부위에 도전성이 우수한 금(Au), 구리(Cu), 은(Ag), 알루미늄(Al) 등의 액상 전도성금속을 도포 후 경화시켜 결점을 수정하는 작업을 행하게 한다(S107).Short or open defects on the pattern circuit of the conductive pattern 105 formed on the circular glass substrate 101 by the quality inspection of the conductive pattern 105 utilizing the automatic optical inspection equipment and the square jig. If this occurs, the short-circuit is corrected by removing a short portion of the conductive pattern using a laser as in the example of FIG. 6 in the case of a short, and the opening of the conductive pattern as in the example of FIG. A conductive conductive metal such as gold (Au), copper (Cu), silver (Ag), aluminum (Al) and the like having excellent conductivity is applied to the site and then cured so as to correct defects (S107).

이때, 상기한 결점의 수정작업시에는 자동처리를 위해 레이저발생 수정자동화장비를 사용함이 바람직한데, 자동광학검사장비에서 발견된 결점의 좌표데이터를 그대로 전달받아 수정할 수 있게 되므로 결점부분을 누락시키지 않고 수리할 수 있는 유용함을 제공하게 되며, 쇼트부위의 결점 제거 또는 불필요하게 도포된 부분의 제거시에는 제거효율을 위해 레이저 파장을 532nm의 것을 사용함이 바람직하다 할 것이다.In this case, it is preferable to use laser generation correction automation equipment for automatic processing when correcting the above defects, and it is possible to receive and correct the coordinate data of the defects found in the automatic optical inspection equipment without modifying the defects. It will be useful to repair, and it would be desirable to use a laser wavelength of 532 nm for removal efficiency when removing defects or removing unnecessary portions of the shot portion.

여기서, 도전성패턴의 오픈부위에 액상의 전도성금속을 도포하여 결점을 수정 처리하는 작업에 있어서는 도전성패턴의 미세 패턴 등 그 정밀성에 따라 결점 발생부분이 아닌 불필요한 부분에 액상의 전도성금속이 도포될 수도 있는데, 이렇게 불필요하게 도포된 부분은 레이저를 사용하여 제거하면 된다.Here, in the process of correcting defects by applying a liquid conductive metal to the open portion of the conductive pattern, depending on the precision of the fine pattern of the conductive pattern, the liquid conductive metal may be applied to an unnecessary portion instead of the defect occurrence portion. This unnecessary coating may be removed by using a laser.

그리고, 유리기판(101) 상에 산화층(oxide layer) 코팅공정과 포토마스크(photo mask)를 사용한 노광공정 등의 후공정들을 더 수행하면 양질의 COG(칩온글라스) 제조를 완성할 수 있게 된다.
상술한 바와 같은 본원발명은 경기도 기술개발사업의 사업비지원(D090905) 과제에 의해 수행된 것입니다.
Further, by further performing post-processes such as an oxide layer coating process and an exposure process using a photo mask on the glass substrate 101, it is possible to complete a high quality COG (chip on glass) manufacturing.
The present invention as described above was carried out by the project cost support (D090905) project of Gyeonggi-do technology development project.

101: 유리기판 102: 금속증착층
103: PR코팅층 104: 다이렉트 패턴형성부
105: 도전성패턴101: glass substrate 102: metal deposition layer
103: PR coating layer 104: direct pattern forming portion
105: conductive pattern

Claims (2)

원형 유리기판 위에 베이스 및 전도성 금속을 순차적으로 스퍼터 증착시켜 도전성패턴의 형성을 위한 금속증착층을 형성시키는 제1단계와;
상기 금속증착층이 형성된 원형 유리기판 상에 패턴의 직접 묘화에 사용하기 위한 포토레지스트를 코팅 처리하여 PR코팅층을 형성시키는 제2단계와;
상기 제2단계를 거친 원형 유리기판을 마스크 제조용 레이저 묘화장비에 셋팅하되 사각지그에 장착한 상태로 셋팅하여 상기 레이저 묘화장비가 원형 유리기판에 대해 사각으로 인식하도록 장착한 후, 원형 유리기판 상에 코팅된 PR코팅층에 레이저 패터닝을 직접 행하여 다이렉트 패턴형성부를 형성시키는 제3단계와;
상기 제3단계 가공 후, 원형 유리기판에 대해 현상 및 에칭을 행하여 다이렉트 패턴형성부를 제외한 부분의 금속증착층을 제거하는 제4단계와;
상기 원형 유리기판 상에 남아있는 PR코팅층을 제거하여 남아있는 금속증착층에 의한 도전성패턴을 최종 형성시키는 제5단계와;
상기 도전성패턴을 갖는 원형 유리기판을 마스크 검사용 자동광학검사장비(AOI)에 셋팅하되 사각지그에 장착한 상태로 셋팅하여 상기 자동광학검사장비가 원형 유리기판에 대해 사각으로 인식하도록 장착한 후, 도전성패턴에 대한 품질검사를 수행하게 하는 제6단계와;
상기 품질검사에 의해 원형 유리기판의 도전성패턴 상에 쇼트나 오픈의 결점이 발견되면, 쇼트의 경우 레이저 사용을 통해 도전성패턴의 쇼트부위를 제거하고, 오픈의 경우 도전성패턴의 오픈부위에 액상의 전도성금속을 도포 후 경화시켜 결점을 수정 처리하는 제7단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(COG) 제조방법.A first step of sequentially sputter depositing a base and a conductive metal on the circular glass substrate to form a metal deposition layer for forming a conductive pattern;
A second step of forming a PR coating layer by coating a photoresist for use in direct drawing of a pattern on the circular glass substrate on which the metal deposition layer is formed;
After setting the circular glass substrate passed through the second step on the laser drawing equipment for mask manufacturing, while being mounted on the rectangular jig, the laser drawing equipment is mounted to recognize the circular glass substrate as a square and then placed on the circular glass substrate. A third step of directly forming a patterned portion by performing laser patterning on the coated PR coating layer;
A fourth step of removing the metal deposition layer of the portion except the direct pattern forming part by developing and etching the circular glass substrate after the third step processing;
A fifth step of finally forming a conductive pattern by the remaining metal deposition layer by removing the PR coating layer remaining on the circular glass substrate;
After setting the circular glass substrate having the conductive pattern in the automatic optical inspection equipment (AOI) for mask inspection, and setting the circular glass substrate to be mounted on the square jig, the automatic optical inspection equipment is mounted to recognize the circular glass substrate as square. A sixth step of performing quality inspection on the conductive pattern;
If a short or open defect is found on the conductive pattern of the circular glass substrate by the quality inspection, the short part of the conductive pattern is removed through the use of a laser in the case of a short, and the liquid phase is conductive to the open part of the conductive pattern in the case of an open. The method of manufacturing a chip on glass (COG) using a direct image implementation technology comprising a seventh step of correcting the defects by applying a metal after curing. 제 1항에 있어서,
상기 제3단계에서는 405nm 파장의 레이저를 사용하여 다이렉트 레이저 패터닝을 행하도록 하고, 상기 제7단계에서는 532nm 파장의 레이저를 사용하여 쇼트 결점의 수정작업을 행하도록 하는 것을 특징으로 하는 다이렉트 이미지 구현기술을 이용한 칩온글라스(COG) 제조방법.The method of claim 1,
In the third step, direct laser patterning is performed using a laser having a wavelength of 405 nm, and in the seventh step, a direct defect is corrected by using a laser having a wavelength of 532 nm. Chip on glass (COG) manufacturing method using.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000061800A (en) * 1999-03-31 2000-10-25 구자홍 A manufacturing method of photo-resist's pattern using of laser
KR20080007379A (en) * 2005-05-20 2008-01-18 후지필름 가부시키가이샤 Graft pattern forming method and conductive pattern forming method
KR20080092844A (en) * 2007-04-12 2008-10-16 소니 가부시끼가이샤 Method of manufacturing substrate, substrate manufacturing system, and method of manufacturing display
KR20090042155A (en) * 2007-10-24 2009-04-29 아주하이텍(주) Method for manufacturing flexible printed circuit board with ultra-fine pattern and method for inspecting thereof

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000061800A (en) * 1999-03-31 2000-10-25 구자홍 A manufacturing method of photo-resist's pattern using of laser
KR20080007379A (en) * 2005-05-20 2008-01-18 후지필름 가부시키가이샤 Graft pattern forming method and conductive pattern forming method
KR20080092844A (en) * 2007-04-12 2008-10-16 소니 가부시끼가이샤 Method of manufacturing substrate, substrate manufacturing system, and method of manufacturing display
KR20090042155A (en) * 2007-10-24 2009-04-29 아주하이텍(주) Method for manufacturing flexible printed circuit board with ultra-fine pattern and method for inspecting thereof

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