KR100974479B1 - Organic light-emitting apparatus - Google Patents
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Abstract
유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함한다. 또, 상기 수지층은 상기 배선들 사이에 뻗어 있는 간극을 가진다.The organic light emitting device includes a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and extending from the light emitting portion on the wiring. In addition, the resin layer has a gap extending between the wirings.
Description
본 발명은 복수의 유기 발광 소자를 포함하는 유기 발광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device including a plurality of organic light emitting elements.
현재, 개발이 진행되고 있는 유기 발광 소자는 각각 기판 위쪽에 배치된 제1전극; 상기 제1전극 위에 배치되어 전하 수송 기능 및 전하 재결합 기능 등의 상이한 기능을 가진 복수의 서브층(sub-layer)을 포함하는 유기 화합물층; 및 상기 유기 화합물 위에 배치된 제2전극을 주로 포함한다. 상기 유기 발광 소자는 기판 위쪽에 배치되어 발광부를 형성한다. 상기 유기 발광 장치는 상기 부재들을 포함한다. 상기 유기 발광 소자를 구동하는 회로부가 기판 위쪽에 배치되어, 상기 발광부를 따라 뻗어 있다. 상기 회로부 및 발광부는 배선에 의해서 서로 접속되어 있다.Currently, an organic light emitting device that is being developed includes: a first electrode disposed above a substrate; An organic compound layer disposed on the first electrode and including a plurality of sub-layers having different functions such as a charge transport function and a charge recombination function; And a second electrode disposed on the organic compound. The organic light emitting diode is disposed above the substrate to form a light emitting portion. The organic light emitting device includes the members. A circuit portion for driving the organic light emitting element is disposed above the substrate and extends along the light emitting portion. The circuit portion and the light emitting portion are connected to each other by wiring.
일본국 공개 특허 제2001-013893호 공보(이하, "특허 문헌 1"이라 칭함) 및 일본국 공개 특허 제2000-353594호 공보(이하, "특허 문헌 2"라 칭함)는 기판 위쪽에 배치된 복수의 유기 발광 소자를 포함하는 발광부, 상기 발광부의 바깥쪽에 위치된 회로부, 상기 발광부 바깥쪽으로 뻗어 있는 배선 및 수지층을 각각 포함하는 유기 발광 장치를 개시하고 있다. 상기 특허 문헌 1 및 2에 따르면, 수지층이 발광부로부터 회로부 및 배선 위에 뻗어 있다.Japanese Unexamined Patent Publication No. 2001-013893 (hereinafter referred to as "
특허 문헌 1에 개시된 유기 발광 장치는, 수지 재료로 이루어지고 또한 화소부에 배열된 화소 박막 트랜지스터와 화소 전극 사이에 뻗어 있는 동시에 소스측 구동 회로 위에 뻗어 있는 층간 절연막(평탄화막)을 추가로 포함한다(특허 문헌 1의 도 11 및 실시예 11). 상기 층간 절연막(평탄화막)은, 표면 요철부를 덮어, 유기 발광 소자 내에 적층된 층들이 파손되거나 단락되거나 혹은 불규칙하게 발광하는 것을 방지하는 데 효과적이다.The organic light emitting device disclosed in
또, 특허 문헌 2에 개시된 유기 발광 장치는, 유기 재료로 이루어지고, 표시부 내에 배열된 복수의 화소 사이 및 해당 화소 주위에 뻗는 동시에 또한 상기 표시부 외부에 배열된 데이터 쪽 구동 회로 및 주사 쪽 구동 회로에 뻗어 있는 뱅크(bank)를 추가로 포함한다(특허 문헌 2의 도 3). 상기 뱅크는 이웃하는 화소 내에 함유된 유기 화합물이 서로 혼합되는 것을 방지하는 데 효과적이다.Further, the organic light emitting device disclosed in Patent Document 2 is made of an organic material and extends between a plurality of pixels arranged in the display portion and around the pixel, and is also provided in the data side driving circuit and the scanning side driving circuit arranged outside the display portion. An extended bank is further included (FIG. 3 of patent document 2). The bank is effective to prevent the organic compounds contained in neighboring pixels from mixing with each other.
유기 발광 소자를 포함하는 발광 장치는, 유기 발광 소자가 매우 수분이나 산소에 극히 민감하기 때문에, 수분 및 산소가 유기 발광 소자에 침투하지 않도록 엄격하게 관리되는 방식으로 제작할 필요가 있다. 상기 발광 장치가 유기 발광 소자 내에 포함되어 기판 쪽에 위치된 하부 전극과 기판 사이에 배치된 수지층(평탄화막), 또는, 유기 발광 소자들 사이 및 이들 주위에 뻗어 있는 수지층(분리층)을 포함할 경우에는, 수지층이 다량의 수분을 함유하기 때문에, 발광 장치를 제작하는 방법은 탈수 공정을 포함한다.Since the organic light emitting element is extremely sensitive to moisture or oxygen, the light emitting device including the organic light emitting element needs to be manufactured in a strictly managed manner so that moisture and oxygen do not penetrate the organic light emitting element. The light emitting device includes a resin layer (planarization film) disposed between the lower electrode positioned in the organic light emitting element and disposed on the substrate side, or a resin layer (separation layer) extending between and around the organic light emitting elements. In this case, since the resin layer contains a large amount of water, the method of manufacturing the light emitting device includes a dehydration step.
그러나, 탈수 공정을 통해 수지층으로부터 수분을 충분히 제거하는 것은 어렵다. 따라서, 수지층에 함유된 수분이 유기 발광 소자에 침투해서 해당 유기 발광 소자를 손상시키는 점에서 문제가 있다. 이러한 수지층 내에 함유된 수분에 의해 초래되는 유기 발광 소자에 대한 손상은, 유기 발광 소자를 포함하는 발광부 주위의 영역에 대해 특히 심각하다. 특허 문헌 1 및 2에 따르면, 이들 수지층이 발광부 주위에 위치되어 있음에도 불구하고, 유기 발광 장치는, 수분에 기인한 문제에 대해서 무방비 상태이고, 따라서, 이들 수지층에 함유된 수분이 유기 발광 소자에 손상을 미치는 점에서 문제를 가진다.However, it is difficult to sufficiently remove moisture from the resin layer through the dehydration process. Therefore, there is a problem in that moisture contained in the resin layer penetrates into the organic light emitting element and damages the organic light emitting element. The damage to the organic light emitting element caused by the moisture contained in this resin layer is particularly serious for the area around the light emitting portion including the organic light emitting element. According to
또, 수지층은 발광부로부터 해당 발광부 주위에 뻗어 있는 배선 위에 뻗어 있고 또한 회로부 위에도 뻗어 있다. 상기 수지층은 배선 및 회로부를 유기 발광 소자의 전극으로부터 전기적으로 절연하기 위해서 배선 및 회로부를 외부 접촉으로부터 기계적으로 보호하고 있다. 따라서, 상기 수지층은, 유기 발광 소자에 수분이 침투하는 것을 방지하기 위해서, 발광부 주위에 위치되고 유기 발광 소자에 전기적으로 접속된 배선 및 회로부 위에 뻗어 있을 필요가 있다.The resin layer extends from the light emitting portion on the wiring extending around the light emitting portion and also extends over the circuit portion. The resin layer mechanically protects the wiring and the circuit portion from external contact so as to electrically insulate the wiring and the circuit portion from the electrodes of the organic light emitting element. Therefore, in order to prevent moisture from penetrating into the organic light emitting element, the resin layer needs to extend over the wiring and the circuit portion located around the light emitting portion and electrically connected to the organic light emitting element.
본 발명은 발광부로부터 해당 발광부의 주위에 배열된 배선 및 회로부 위에 뻗어 있는 수지층을 포함하는 유기 발광 장치를 제공한다. 상기 수지층 내에 함유된 수분이 발광부에 배열된 유기 발광 소자에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.The present invention provides an organic light emitting device comprising a resin layer extending from a light emitting portion to a wiring and a circuit portion arranged around the light emitting portion. Moisture contained in the resin layer can be prevented from affecting the organic light emitting element arranged in the light emitting portion.
본 발명의 제1측면에 따른 유기 발광 장치는 발광부의 주위에 뻗어 있는 배선을 포함하고, 또한 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층도 포함한다. 상기 수지층 내에 함유된 수분은 감소되어, 발광부 주위에 위치된 수지층의 부분이 최소의 수분 함량을 가지는 것을 제공한다. 즉, 상기 유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함하되, 상기 수지층은 상기 배선들 사이에 뻗어 있는 간극을 가지는 것을 특징으로 한다.The organic light emitting device according to the first aspect of the present invention includes a wiring extending around the light emitting portion, and also includes a resin layer extending on the wiring from the light emitting portion. The moisture contained in the resin layer is reduced to provide that the portion of the resin layer located around the light emitting portion has a minimum moisture content. That is, the organic light emitting device includes a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and simultaneously extending from the light emitting portion to the wiring, wherein the resin layer has a gap extending between the wirings.
본 발명의 제2측면에 따른 유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함하되, 상기 수지층은 상기 배선들 사이에 뻗는 동시에 상기 배선 위에 뻗는 해당 수지층의 부분보다 얇은 부분을 가지는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to a second aspect of the present invention includes a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and extending from the light emitting portion on the wiring, wherein the resin layer has a portion thinner than a portion of the resin layer extending between the wirings and simultaneously extending on the wiring. do.
본 발명의 제3측면에 따른 유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함하되, 상기 배선들 위에 뻗어 있는 상기 수지층의 부분은 상기 발광부 내로 뻗는 상기 수지층의 부분보다 얇은 부분을 가지는 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to a third aspect of the present invention comprises a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and simultaneously extending from the light emitting portion to the wiring, wherein a portion of the resin layer extending over the wirings has a portion thinner than a portion of the resin layer extending into the light emitting portion. It features.
본 발명의 제4측면에 따른 유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함하되, 상기 회로부 위에 놓인 상기 수지층의 부분은 상기 발광부 내로 뻗는 상기 수지층의 부분보다 얇은 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to a fourth aspect of the present invention includes a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and simultaneously extending from the light emitting portion to the wiring, wherein a portion of the resin layer overlying the circuit portion is thinner than a portion of the resin layer extending into the light emitting portion.
본 발명에 따르면, 공지된 수지층의 기능은 유지한 상태로, 유기 발광 장치 내에 함유되어 있는 산소, 수분 등의 양을 최소량으로 감소시킴으로써, 유기 발광 소자의 성능 저하를 방지하는 것이 가능해진다. 특히, 발광부에 배치된 유기 발광 소자의 성능 저하를 방지하여, 신뢰성의 높은 유기 발광 장치를 제공하는 것이 가능해진다.According to the present invention, it is possible to prevent the deterioration of the performance of the organic light emitting element by reducing the amount of oxygen, moisture, and the like contained in the organic light emitting device to a minimum amount while maintaining the function of the known resin layer. In particular, it becomes possible to prevent the performance deterioration of the organic light emitting element disposed in the light emitting portion and to provide a highly reliable organic light emitting device.
본 발명의 추가의 특징은 첨부 도면을 참조한 이하의 예시적인 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.Further features of the present invention will become apparent from the following description of exemplary embodiments with reference to the attached drawings.
본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 장치는 기판; 상기 기판 위쪽에 배 열되어 발광부를 형성하는 복수의 유기 발광 소자; 상기 발광부 주위에 배치되어 상기 복수의 유기 발광 소자의 동작을 제어하는 회로부; 상기 발광부와 상기 회로부 사이에 뻗어 있는 복수의 배선; 및 상기 발광부 내로 뻗는 동시에 상기 발광부로부터 상기 배선 위에 뻗어 있는 수지층을 포함한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention comprises a substrate; A plurality of organic light emitting elements arranged on the substrate to form a light emitting part; A circuit unit disposed around the light emitting unit to control an operation of the plurality of organic light emitting elements; A plurality of wirings extending between the light emitting portion and the circuit portion; And a resin layer extending into the light emitting portion and extending from the light emitting portion on the wiring.
상기 발광부는 상기 유기 발광 소자들을 포함하고, 해당 유기 발광 소자들의 동작 및/또는 그로부터 방출된 광의 강도를 제어함으로써 정보를 표시한다. 상기 유기 발광 소자는 각각 기판 위쪽에 제1전극, 유기 화합물층 및 제2전극의 일부가 이 순서대로 배열되어 있다. 상기 제1전극과 제2전극 사이에의 전류의 인가는 유기 화합물층 내에 함유된 발광 재료를 여기시킨다. 여기된 발광 재료가 기저 상태로 되돌아올 때에, 그로부터 광이 방출된다. 회로부는 유기 발광 소자들의 동작, 유기 발광 소자로부터 발광된 광의 강도, 유기 발광 소자들로부터의 발광 타이밍 등을 제어하고, 스위칭 소자나 용량 소자 등의 회로 소자를 포함한다. 유기 발광 소자는 배선을 통해서 회로 소자에 전기적으로 접속된다. 회로 소자 및 배선은 기판 위쪽에 패터닝에 의해 형성된다.The light emitting unit includes the organic light emitting elements, and displays information by controlling the operation of the organic light emitting elements and / or the intensity of light emitted therefrom. In the organic light emitting device, a part of the first electrode, the organic compound layer, and the second electrode are arranged in this order on the substrate. Application of a current between the first electrode and the second electrode excites the light emitting material contained in the organic compound layer. When the excited luminescent material returns to the ground state, light is emitted therefrom. The circuit unit controls the operation of the organic light emitting diodes, the intensity of light emitted from the organic light emitting diodes, the light emission timing from the organic light emitting diodes, and the like, and includes circuit elements such as switching elements and capacitors. The organic light emitting element is electrically connected to the circuit element through the wiring. Circuit elements and wirings are formed by patterning on the substrate.
수지층은 발광부로부터 배선 위에 뻗고, 수지를 함유한다. 수지층은 여러 가지 구성을 가질 수 있다. 수지층은, 예를 들면, 발광부에 있어서 기판과 제1전극 사이에 뻗어 있는 평탄화층이어도 되고, 또는 유기 발광 소자들 사이 및 해당 유기 발광 소자들 주위에 뻗어 있는 분리층이어도 된다. 수지층이 배선 위에 뻗어 있으므로, 배선은 외부 충격으로부터 보호될 수 있다. 또, 배선은 제조 공정 중의 기계적 혹은 화학적 손상으로부터 보호될 수 있다. 이것에 의해 수율이 증가된다. 또한, 배선과 제1 및 제2전극 사이의 기생 용량을 저감시킬 수 있고, 또, 동작 응답을 용이하게 하는 기능도 제공할 수 있다.The resin layer extends over the wiring from the light emitting portion and contains a resin. The resin layer can have various configurations. The resin layer may be, for example, a planarization layer extending between the substrate and the first electrode in the light emitting portion, or may be a separation layer extending between the organic light emitting elements and around the organic light emitting elements. Since the resin layer extends over the wiring, the wiring can be protected from external impact. In addition, the wiring can be protected from mechanical or chemical damage during the manufacturing process. This increases the yield. In addition, a parasitic capacitance between the wiring and the first and second electrodes can be reduced, and a function for facilitating an operation response can also be provided.
상기 유기 발광 장치에 있어서는, 수지층이 배선의 패턴을 따르고 있고; 즉, 수지층이 배선의 형상을 따르도록 해당 배선 위에 뻗어 있다. 특히, 수지층은 배선 사이에 뻗어 있는 간극을 가지며, 이 간극을 통해서 배선 밑에 있는 층이 노출된다. 대안적으로는, 수지층은 배선들 사이에 뻗는 동시에 배선 위에 뻗어 있는 수지층의 부분보다 얇은 부분을 가진다. 수지층은 배선의 형상을 전체적으로 혹은 부분적으로 따르도록 되어 있어도 된다. 이것에 의해 배선 위에 뻗는 수지층이 최소화되어, 수지층에 함유된 수분 및/또는 산소의 양을 줄일 수 있다. 또, 수지층은 배선을 넘어 회로부 위에 뻗어 있어도 된다. 이 경우, 수지층은 회로부의 형상을 따르는 것이 바람직하다. 특히, 수지층은 회로 소자들 사이에 뻗어 있는 간극을 가지는 것이 바람직하고, 이 간극을 통해서 회로 소자 밑에 있는 층이 노출된다. 대안적으로는, 수지층은 배선 위에 뻗은 수지층의 부분보다 얇고 회로 소자들 사이에 뻗는 부분을 갖는 것이 바람직하다. 또, 패턴의 단부는 이 패턴 위에 있는 층이 파손되는 것을 방지하기 위해 순방향 테이퍼 형상을 갖는 것이 바람직하다. 이 패턴은 제조공정수를 증가시키지 않기 위해서 패터닝에 의해 발광부의 개구 혹은 관통구멍을 형성하는 공정에서 형성되는 것이 바람직하지만, 별도의 공정에서 형성되는 것도 가능하다.In the organic light emitting device, the resin layer follows the pattern of the wiring; That is, the resin layer extends on the wiring so as to follow the shape of the wiring. In particular, the resin layer has a gap extending between the wirings, through which the layer under the wiring is exposed. Alternatively, the resin layer has a portion thinner than the portion of the resin layer extending between the wirings and simultaneously extending over the wirings. The resin layer may follow the shape of the wiring as a whole or in part. As a result, the resin layer extending over the wiring can be minimized, so that the amount of water and / or oxygen contained in the resin layer can be reduced. In addition, the resin layer may extend over the circuit portion beyond the wiring. In this case, it is preferable that the resin layer follows the shape of a circuit part. In particular, the resin layer preferably has a gap extending between the circuit elements, through which the layer underlying the circuit element is exposed. Alternatively, the resin layer is preferably thinner than the portion of the resin layer extending over the wiring and having a portion extending between the circuit elements. In addition, the end of the pattern preferably has a forward tapered shape in order to prevent the layer on the pattern from being broken. This pattern is preferably formed in a step of forming an opening or a through hole of the light emitting portion by patterning so as not to increase the number of manufacturing steps, but may be formed in a separate step.
대안적으로는, 배선 위에 뻗는 수지층 부분은 발광부 위에 뻗는 수지층의 부분보다 얇아도 된다. 즉, 수지층은 배선 위에 뻗어 있는 수지층 부분이 배선의 형 상과는 독립적으로 균일하고 발광부 위에 뻗어 있는 수지층 부분보다 얇은 구성을 가져도 된다. 이것에 의해, 발광부 주위에 위치된 수지층 부분을 최소로 하여, 수지층에 함유된 수분 및/또는 산소의 양을 저감시킬 수 있다. 수지층이 배선을 넘어 회로부에 뻗을 경우, 즉, 수지층이 회로부와 배선 의에 뻗을 경우, 회로부 위에 뻗는 수지층 부분이 발광부 위에 뻗어 있는 수지층 부분보다 얇아도 된다. 이것에 의해서도, 발광부 주위에 위치된 수지층 부분을 최소로 하여, 수지층에 함유된 수분 및/또는 산소의 양을 저감시킬 수 있다Alternatively, the resin layer portion extending over the wiring may be thinner than the portion of the resin layer extending over the light emitting portion. That is, the resin layer may have a structure in which the resin layer portion extending on the wiring is uniform independent of the shape of the wiring and thinner than the resin layer portion extending on the light emitting portion. Thereby, the part of the resin layer located around the light emitting portion can be minimized, and the amount of water and / or oxygen contained in the resin layer can be reduced. When the resin layer extends beyond the wiring to the circuit portion, that is, when the resin layer extends between the circuit portion and the wiring, the resin layer portion extending over the circuit portion may be thinner than the resin layer portion extending over the light emitting portion. Also by this, the part of the resin layer located around the light emitting portion can be minimized, and the amount of water and / or oxygen contained in the resin layer can be reduced.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 따른 유기 발광 장치에 대해서 첨부 도면을 참조해서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the organic light emitting device which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated with reference to attached drawing.
도 1A는 유기 발광 장치의 모식적 평면도이다. 도 1B는 유기 발광 장치의 단면을 나타낸 도면이다. 도 1A에 나타낸 부재들의 2차원적 위치는 도 1B에 나타낸 것에 대응한다.1A is a schematic plan view of an organic light emitting device. 1B is a cross-sectional view of an organic light emitting device. The two-dimensional position of the members shown in FIG. 1A corresponds to that shown in FIG. 1B.
도 1A 및 도 1B를 참조하면, 참조 번호 (110)은 기판, (120)은 발광부, (130)은 세로열 회로부, (140)은 가로열 회로부, (150)은 세로열 배선부, (160)은 가로열 배선부, (170)은 단자부이다. 발광부(120)는 유기 발광 소자(121), 접속부(122), 제2전극(123) 및 수지층(180)을 포함한다. 세로열 회로부(130)는 제1제어 회로(131) 및 제1제어 배선(132)을 포함한다. 가로열 회로부(140)는 제2제어 회로(141) 및 제2제어 배선(142)을 포함한다. 세로열 배선부(150)는 제1데이터 배선(151)을 포함한다. 가로열 배선부(160)는 제2데이터 배선(161)을 포함한다. 그리고, 수지층(180)은 발광부(120)로부터 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배 선(161) 위에 뻗어 있다. 도 1A를 참조하면, 수지층(180)은 세로열 배선(150) 및 가로열 배선(160)을 넘어 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)에 뻗어 있다. 단자부(170)는 접속 단자(171)를 포함한다.1A and 1B,
기판(110)은 모재(base material)로, 발광부(120), 세로열 회로부(130), 가로열 회로부(140), 세로열 배선부(150), 가로열 배선부(160) 및 단자부(170)가 위에 놓여 있다. 발광부(120)는 기판(110) 위쪽에 배치되고, 복수의 유기 발광 소자(121)를 포함한다. 각 유기 발광 소자(121)는 제1전극(도시 생략), 유기 화합물층(도시 생략) 및 제2전극(123)의 일부를 포함하며, 이들 구성 요소는 기판(110) 위쪽에 이 순서로 배열되어 있다. 유기 발광 소자(121)는 제2전극(123)과 제1전극 사이에 전류가 인가된 경우 발광한다.The
각 유기 발광 소자(121)의 동작은 제1제어회로(131)를 포함하는 세로열 제어부(130), 제2제어회로(141)를 포함하는 가로열 회로부(140) 및 유기 발광 소자(121)에 접속된 화소 회로부(도시 생략)에 의해 제어된다. 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)는 각각 아몰퍼스(amorphous) 실리콘이나 저온 다결정 실리콘으로 이루어진, 스위칭 소자로서 기능하는 박막 트랜지스터를 포함한다. 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)는 추가로 용량 소자를 포함하고 있어도 된다. 제1제어 회로들(131)은 제1제어 배선(132)에 의해 서로 접속되고, 또, 제1데이터 배선(151)에 의해 화소 회로부에 접속된다. 제2제어 회로들(141)은 제2제어 배선(141)에 의해 서로 접속되고, 또한, 제2데이터 배선(151)에 의해 화소 회로부에 접속된다. 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161)은 화소 회로부에 신호를 공급하는 데 이용된다. 이들 신호는 발광 휘도만을 결정하지 않는다. 본 실시형태에 있어서, 제1데이터 배선(151) 또는 제2데이터 배선(161)은 화소 회로부에 발광 휘도를 결정하는 신호를 공급하는 데 이용될 수도 있다.The operation of each organic
또, 단자부(170)에 배열된 접속 단자(171)는 외부 회로를 제1제어 회로(131), 제2제어 회로(141), 제1전극 및 제2전극(123)에 접속하는 데 이용된다. 접속 단자(171)는 외부 회로와 가요성 배선 등에 의해 접속된다.In addition, the
발광부(120)를 둘러싼 영역은 도 1B에서 확대해서 도시되어 있지만 실제로는 수 ㎜의 폭을 가진다. 또, 유기 발광 소자(121)의 배치는 도 1A에 모식적으로 도시되어 있다. 디스플레이로서 기능하는 유기 발광 장치가 발광부를 포함하고 2.5 인치의 대각 측정값을 가지며 320 ×240 어레이의 화소를 포함하되 각 화소(발광 유닛)가 적색(R) 발광소자, 녹색(G) 발광소자 및 청색(B) 발광소자를 포함할 경우, 화소의 크기는 약 160×50 ㎛이다. 화소의 서브 화소의 수의 증가는 화소의 크기를 감소시킨다.The area surrounding the
수지층(180)은 발광부(120)로부터 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161) 위에 뻗어있다. 또, 수지층(180)은 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161)의 패턴을 따른다. 수지층(180)은 또한 제1 및 제2 제어회로(131), (141) 그리고 제1 및 제2 제어 배선(132), (142) 위에 더욱 뻗어 있다. 도 1A를 참조하면, 수지층(180)은 발광부(120), 제1데이터 라인(151), 제2데이터 라인(161), 제1제어 회로(131), 제2제어 회로(141), 제1제어 배선(132) 및 제2제어 배선(142)을 포함하는 영역보다 약간 넓은 영역을 덮으며, 따라서, 이들 구성 요소의 어느 것도 덮지 않은 부분을 가진다.The
이하, 수지층(180)에 대해 더욱 상세히 설명한다. 도 2는 발광부(120)의 단부와, 발광부(120) 주위에 배열된 세로열 배선부(150) 및 세로열 회로부(130)를 확대해서 나타낸 모식적 평면도이다. 또, 도 3은 도 2의 선 III-III을 따라 취한 유기 발광 장치의 모식적 단면도이다. 도 4는 도 2의 선 IV-IV를 따라 취한 유기 발광 장치의 모식적 단면도이다. 도 2 내지 도 4를 참조하면, (124)는 제1전극, (125)는 유기 화합물층, (126)은 화소 회로를 형성하는 제1박막 트랜지스터(TFT), (133)은 가로열 회로부(140) 또는 세로열 회로부(150)에 포함된 제2박막 트랜지스터(TFT), (181)은 제1수지 서브층, (182)는 제2수지 서브층이다.Hereinafter, the
본 실시형태에서는, 수지층(181)은 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)을 포함한다. 제1수지 서브층(181)은 제1박막 트랜지스터(126)에 의해서 생긴 요철을 덮고; 따라서, 제1전극(124), 유기 화합물층(125) 및 제2전극(123)은 평탄하다. 이것은 유기 발광 소자(121)의 구성 요소가 파손되거나, 단락되거나 혹은 불규칙하게 발광하는 것을 방지한다. 제2수지 서브층(182)은 유기 발광 소자들(121) 사이 및 유기 발광 소자(121)의 주위에 뻗어 있고, 이웃하는 유기 발광 소자(121)를 서로 전기적으로 절연시키는 기능 및 이웃하는 유기 발광 소자(121)에 함유된 유기 화합물이 함께 혼합되는 것을 방지하는 기능을 가진다. 제1수지 서브층(181)과 제2수지 서브층(182)은 제1 및 제2데이터 배선(151), (161)과 제2전극(123) 사이에 뻗어 있다. 이것에 의해서, 제1 및 제2데이터 배선(151), (161)과 제2전극(123) 사이의 용량을 저감시킨다.In this embodiment, the
제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)이 발광부(120)로부터 세로열 배선부(150) 및 가로열 배선부(160) 위에 뻗어, 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161)의 패턴을 따른다. 상기 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)이 세로열 배선부(150) 및 가로열 배선부(160) 위에 뻗어 있으므로, 세로열 배선부(150) 및 가로열 배선부(160)는 외부 충격 등으로부터 확실하게 보호될 수 있다. 수지층(180)은 제1데이터 배선(151)과 제2데이터 배선(161) 사이에 뻗어 있는 간극을 가지고, 이 간극을 통해서 상기 제1 및 제2 데이터 배선(151), (161) 밑에 있는 층이 노출된다. 이것에 의해서, 유기 발광 장치 내에 함유된 산소나 수분 등의 양을 최소로 함으로써, 유기 발광 소자(121)의 성능 저하를 방지하는 것이 가능해진다. 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)은 발광부(120)로부터 세로열 배선부(150) 및 가로열 배선부(160)를 넘어 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140) 위에 뻗어있어, 전술한 바와 같은 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161)의 패턴을 따르므로, 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)는 외부 충격 등으로부터 확실하게 보호될 수 있다.The
도 4를 참조하면, 제1수지 서브층(181)과 제2수지 서브층(182)은 동일한 패턴을 가진다. 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)은 상이한 패턴을 가져도 된다. 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182) 중 한쪽은 좁은 패턴을 가질 수 있고, 다른 쪽은 넓은 패턴을 가질 수도 있다.Referring to FIG. 4, the
수지층(180)은 도 2 내지 도 4에 나타낸 것 대신에 다른 구성을 가질 수도 있다. 수지층(180)은 예를 들어 도 5 내지 도 8에 나타낸 구성 중 어느 것을 가질 수도 있다. 도 5 내지 도 8은 도 2의 선 IV-IV를 따라 취한 단면도이다. 도 5에 나타낸 바와 같이, 제1수지 서브층(181)만이 발광부(120)로부터 세로열 회로부(130) 위에 뻗을 수 있고, 세로열 회로부(130)의 패턴을 따를 수 있다. 이 구성에 따르면, 수지층(180)은 세로열 회로부(130)를 보호하고 감소된 체적을 가진다. 이것에 의해서, 유기 발광 장치는 산소, 수분 등에 견딜 수 있게 된다. 대안적으로는, 도 6에 나타낸 바와 같이, 제2수지 서브층(182)만이 발광부(120)로부터 세로열 회로부(130) 위에 뻗을 수 있고, 세로열 회로부(130)의 패턴을 따를 수 있다. 이 구성은 전술한 바와 동일한 이점을 제공한다.The
도 7 또는 도 8에 나타낸 바와 같이, 제1수지 서브층(181)과 제2수지 서브층(182)의 어느 한쪽만이 세로열 회로부(130)의 패턴을 따를 수 있는 한편, 다른 쪽은 세로열 회로부(130) 위에 균일하게 뻗을 수 있다. 이 구성에 있어서, 세로열 회로부(130) 위에 뻗어 있는 수지층(180) 부분은 이 부분 이외의 다른 부분보다 두껍다. 이 구성에 의하면, 도 4 내지 도 6에 나타낸 구성에 비해서 유기 발광 장치가 다량의 산소, 수분 등을 함유하지만, 이 구성은 제2전극(123)이 2단 단차를 가지며, 따라서 각 단차의 하위 단차 간의 거리가 작으므로 제2전극(123)이 파손되는 것을 방지하는 데 효과적이다. 도 7에 나타낸 구성은, 제2수지 서브층(182)이 제1데이터 배선(151) 사이에 존재하지 않기 때문에 제1수지 서브층(181)으로부터 수분이 용이하게 제거될 수 있는 이점을 가진다. 도 8에 나타낸 구성은, 제2수지 서브층(182)이 제1수지 서브층(181) 위에 놓이므로 세로열 회로부(130) 위에 뻗어 있는 제1수지 서브층(181)의 부분이 박리되는 것을 방지할 수 있는 이점을 가진다.As shown in FIG. 7 or 8, only one of the
도 9 및 도 10에 나타낸 바와 같이, 수지층(180)은, 제1데이터 배선(151) 위에 뻗어 있는 수지층(180)의 부분보다 얇은 동시에 제1데이터 배선(151) 사이에 뻗은 얇은 부분(183)을 추가로 포함할 수 있다. 즉, 세로열 회로부(130) 위에 뻗어 있는 제2수지 서브층(181)의 부분은 제1데이터 배선(151) 사이의 부분 위에 뻗은 제1수지 서브층(181)의 부분보다 두꺼울 수 있다. 이 구성에 있어서, 제1수지 서브층은 다층 구조를 가질 수 있다. 도 9 및 도 10에 나타낸 구성뿐만 아니라 도 7에 나타낸 구성도, 제2수지 서브층(182)이 제1데이터 배선(151) 사이에 존재하지 않으므로 수분이 제1수지 서브층(181)으로부터 용이하게 제거될 수 있는 이점을 가진다.9 and 10, the
또, 도 11에 나타낸 바와 같이, 수지층(180)은 세로열 회로부(130) 위에 뻗는 일 없이 세로열 배선부(150) 위에 뻗을 수도 있다. 이 경우, 수지층(180) 이외의 층은 세로열 배선부(150)를 보호하는 데 사용하는 것이 바람직하다. 도 12에 나타낸 바와 같이, 수지층(180)은 얇은 부분(183)을 가질 수 있다. 얇은 부분(183)은 제1데이터 배선(1510 위에 뻗어 있는 수지층(180)의 부분보다 얇다.As shown in FIG. 11, the
도 13에 나타낸 바와 같이, 세로열 배선부(150) 및 세로열 회로부(130) 위에 뻗어 있는 수지층(180)의 부분은 발광부(120) 내로 뻗은 수지층(180)의 부분보다 얇을 수 있고, 또한 세로열 배선부(150) 및 세로열 회로부(130)의 패턴을 따르는 일없이 세로열 배선부(150) 및 세로열 회로부(130) 위에 균일하게 뻗을 수 있다. 이 구성에 의하면, 발광부(120) 주위에 뻗어 있는 수지층(180)의 부분은 감소된 체적을 가진다. 이것에 의해서, 수지층(180)은 세로열 회로부(130)를 보호하는 것이 가능하고, 또한 유기 발광 장치가 감소된 양의 산소, 수분 등을 함유하는 것이 가능하다.As shown in FIG. 13, the portion of the
수지층(180)은 각종 구성을 가질 수 있다. 수지층(180)은 세로열 회로부(130) 혹은 가로열 회로부(140)에 포함된 배선부 및/또는 회로 소자의 형상에 완전히 대응하는 부분을 가질 필요는 없다. 도 14에 나타낸 바와 같이, 수지층(180)은 복수의 배선 패턴을 덮는 부분을 가질 수도 있다. 대안적으로, 도 15에 나타낸 바와 같이, 수지층(180)은 제1데이터 배선(151) 및 제2데이터 배선(161)이 큰 폭을 가지며 따라서 수지층(180)으로 전체적으로 덮이는 일 없이 보호될 수 있다면 접촉에 대해서 취약한 단차부(162) 위에 뻗는 부분을 가질 수도 있다.The
제1수지 서브층(181)과 제2수지 서브층(182) 중 어느 한쪽 또는 양쪽 모두가 각각 상이한 형상을 가진 복수의 층 부분을 포함할 수 있다. 수지층(180)은 광 및/또는 수분을 차단하기 위한 무기 재료층으로 덮여 있을 수 있다. 상기 설명에 있어서, 수지층(180)은 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)의 양쪽 모두를 포함한다. 수지층(180)은 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182)의 양쪽 모두를 반드시 포함할 필요는 없고, 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182) 중 한쪽 대신에 무기 재료 서브층을 포함할 수 있다. 수지층(180)은 예를 들어 금속 산화물, 이산화 규소 또는 질화 규소 등의 재료로 이루어진 서브층을 포함할 수 있다. 제1수지 서브층(181) 및 제2수지 서브층(182) 중 한쪽은 세로열 회로부(130) 및/또는 가로열 회로부(140) 위에 뻗을 수 있고, 이것은 수지층(180)이 무기재료 서브층을 포함할 경우 발광부(120) 바깥에 위치된다.Either one or both of the
수지층(180)은 발광부(120) 내에서 제1박막 트랜지스터(126)에 대응하는 동시에 상이한 두께를 가진 부분을 가질 수 있다. 수지층(180)은 원하는 위치에 원하는 두께를 가지고 위치된 부분을 가질 수 있다. 제1수지 서브층(181)은 다층 구조를 가질 수 있고, 상이한 두께를 가진 부분을 가질 수 있다.The
또, 또 2 내지 도 4를 참조하면, 표시 화소는 스트라이프 배열이라 불리는 매트릭스 배열로 배열된다. 본 발명은 매트릭스 배열로 제한되지 않고, 예를 들어, 표시 화소는 델타 배열이라 불리는 지그재그형상 배열로 배열되어 있어도 된다.2 to 4, display pixels are arranged in a matrix arrangement called a stripe arrangement. The present invention is not limited to the matrix array, for example, the display pixels may be arranged in a zigzag array called the delta array.
유기 발광 장치에 대해 상기에서 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 유기 발광 장치가 상이한 색의 광을 발광하는 복수의 유기발광소자, 예컨대, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 광을 발광하는 유기 발광 소자를 포함할 경우, 유기 발광 장치는 풀-컬러(full-color) 디스플레이로서 사용될 수 있다. 대안적으로는, 유기 발광 장치는 텔레비전, PC 모니터, 휴대전화 등의 표시부로서 사용될 수 있다. 유기 발광 장치 내의 산소나 수분의 양은 최소화될 수 있으므로, 유기 발광 장치는 장시간 동안 고품질 화상을 표시할 수 있다. 대안적으로는, 유기 발광 장치는 디지털 카메라 등의 촬상 장치의 표시부로서 사용될 수 있다. 상기 유기발광 장치를 포함하는 표시부를 장착한 촬상 장치는 장시간에 걸쳐 고품질의 화상을 표시할 수 있다.Although the organic light emitting device has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. When the organic light emitting device includes a plurality of organic light emitting devices that emit light of different colors, for example, organic light emitting devices that emit red (R), green (G), and blue (B) light, the organic light emitting device is full. Can be used as a full-color display. Alternatively, the organic light emitting device can be used as a display portion of a television, a PC monitor, a mobile phone and the like. Since the amount of oxygen or moisture in the organic light emitting device can be minimized, the organic light emitting device can display a high quality image for a long time. Alternatively, the organic light emitting device can be used as a display portion of an imaging device such as a digital camera. An imaging device equipped with a display unit including the organic light emitting device can display a high quality image for a long time.
다음에, 유기 발광 장치의 구성 요소를 형성하는 절차에 대해 도 2 내지 도 4를 참조해서 설명한다.Next, a procedure for forming the components of the organic light emitting device will be described with reference to FIGS. 2 to 4.
이하, 세로열 회로부, 가로열 회로부 및 발광부용의 화소 회로의 형성에 대해 설명한다. 기판(110)은 유리, 석영, 실리콘 등의 무기 재료로 제조된다. 대안적으로는, 기판(11)은 유기 발광 장치가 가요성인 경우 수지 필름으로 제조된다. 그리고, 기판(110) 위쪽에 이하의 구성 요소가 형성된다: 발광부(120)의 화소 회로에 포함되는 제1박막 트랜지스터(126) 및 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)에 각각 포함되는 제1제어회로(131) 및 제2제어회로(141). 특히, 기판(110) 위에 기초층을 형성한 후, 해당 기초층 위에 아몰퍼스 실리콘을 퇴적시키고, 통상의 수법에 따라 다결정화하고, 도핑, 이어서 패터닝을 실시한다. 얻어진 실리콘 층 위에 게이트 절연층이 형성된 후, 이 게이트 절연층 위에 게이트 전극층을 퇴적시키고, 이어서 패터닝한다. 게이트 전극층이 고농도로 도핑된 후, 게이트 전극층 위에 제1절연층을 퇴적시키고, 이어서, 게이트 전극층과 함께 패터닝한다. 제1절연층 위에 소스/드레인 전극층을 퇴적시키고 나서 패터닝한다. 소스/드레인 전극층 위에 제2절연층을 퇴적시킨 후, 패터닝함으로써, 제1박막 트랜지스터(126)를 형성한다. 제1데이터 배선(151), 제2데이터 배선(161), 제1제어 배선(132) 및 제2제어 배선(142)을 제1박막 트랜지스터(126)의 게이트 전극 또는 소스/드레인 전극과 함께 패터닝에 의해 형성한다.Hereinafter, formation of the pixel circuit for the vertical column circuit section, the horizontal column circuit section, and the light emitting section will be described. The
기초층, 제1절연층 및 제2절연층은 이산화 규소, 질화 규소, 산화 질화 규소 등으로 제작될 수 있다. 기초층, 제1절연층 및 제2절연층은 플라즈마 증강 화학적 기상 증착법(CVD) 등에 의해 형성될 수 있다. 제1박막 트랜지스터(126)의 게이트 전극 및 소스/드레인 전극, 그리고 배선들은 탄탈, 크롬, 텅스텐, 몰리브덴 또는 알루미늄 등의 금속 단체; 이들의 합금; 또는 이들의 규화물 등을 사용할 수 있다. 게이트 전극, 소스/드레인 전극 및 배선은 통상의 스퍼터링법 또는 기상 증착법에 의해 형성될 수 있다. 도 3을 참조하면, (127)은 제2전극(123)에 접속된 전력 공급용 배선을 나타낸다. 전력 공급용 배선(127)은 게이트 소스/드레인 전극과 함께 형성된다. 대안적으로는, 전력 공급용 배선(127)은 게이트 전극과 함께 형성될 수 있다. 제1박막 트랜지스터(126)는 기판(110) 쪽에 소스/드레인 전극이 배열된 탑(top) 게이트 구조 또는 기판(110) 쪽에 게이트 전극이 배열된 버텀(bottom) 게이트 구조를 가질 수 있다. 제1박막 트랜지스터(126)는 각각 복수의 게이트 전극을 포함하거나, 또는 n형 게이트 전극과 p형 게이트 전극의 양쪽 모두를 포함하는 것도 가능하다.The base layer, the first insulating layer, and the second insulating layer may be made of silicon dioxide, silicon nitride, silicon oxynitride, or the like. The base layer, the first insulating layer and the second insulating layer may be formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (CVD) or the like. The gate electrode and the source / drain electrode and the wirings of the first
제1수지 서브층의 형성은 다음과 같다. 제1박막 트랜지스터(126) 위에 제1수지 서브층(181)을 도포법에 의해 형성하고 나서, 패터닝함으로써, 접속부(개구 또는 관통 구멍)(122)는 제1전극(124)에 접속되도록 제1수지 서브층(181)에 형성된다. 제1수지 서브층(181)은 바람직하게는 발광부(120) 바깥쪽에 위치된 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)의 형상을 따르도록 접속부(122)의 형성과 동시에 패터닝된다. 제1수지 서브층(181)은 스핀 코팅법이나 롤 코팅법 등에 의해 형성될 수 있다. 제1수지 서브층(181) 뿐만 아니라 다른 패터닝된 층도 포토레지스트로 제조해도 된다. 대안적으로는, 제1수지 서브층(181)은 아크릴 수지나 폴리이미드 등의 감광성 수지로 제조해도 된다.The first resin sublayer is formed as follows. The
이하, 제1전극의 형성에 대해 설명한다. 제1전극(124)을 형성하기 위한 층 은 제1수지 서브층(181) 위에 스퍼터링법 등에 의해 퇴적되고 나서, 패터닝됨으로써, 제1전극(124)은 유기 발광 소자(121)와 동일한 형상을 가지도록 형성된다. 광이 제1전극(124)에 이어 기판(110)을 통해 추출되는 경우, 즉, 유기 발광 장치가 버텀 에미션형인 경우, ITO(산화 주석 인듐), IZO(산화 아연 인듐), 산화 주석, 산화 아연, 산화 인듐 등을 이용해서 제1전극(124)을 형성할 수 있다. 또, 제2전극(123)을 통해 광이 추출되는 경우, 즉, 유기 발광 장치가 탑 에미션형인 경우, 은, 알루미늄, 크롬, 마그네슘 등을 이용해서 제1전극(124)을 형성할 수 있다. 이들 재료는 조합해서 사용되어 제1전극(124)을 형성할 수 있고, 제1전극(124)은 다층 구조를 가질 수도 있다. 제1전극(124) 및 제2전극(123)은 각각 양극 및 음극이거나 또는 각각 음극 및 양극일 수 있다.Hereinafter, the formation of the first electrode will be described. The layer for forming the
다음에, 제2수지 서브층의 형성에 대해 설명한다. 제2수지 서브층(182)은 유기 발광 소자(121)에 대응하는 위치에 위치된 개구부를 가지도록 제1수지 서브층(181) 위에 도포법에 의해 형성되고 나서 패터닝된다. 이 단계에서, 제2수지 서브층(182)은 유기 발광 소자(121)의 바깥쪽에 위치된 세로열 회로부(130) 및 가로열 회로부(140)의 형상을 따르도록 개구부의 형성과 동시에 패터닝되는 것이 바람직하다. 제1수지 서브층(181) 뿐만 아니라 제2수지 서브층(182)도 스핀 코팅법이나 롤 코팅법 등에 의해 형성될 수 있고, 아크릴 수지나 폴리이미드 등으로 제작될 수 있다.Next, formation of the second resin sublayer will be described. The
다음에, 유기 화합물층의 형성에 대해 설명한다. 유기 화합물층(125)은 유기 발광 소자(121)에 대응하도록 금속 마스크를 이용해서 진공 증착법에 의해 제2 수지 서브층(182) 위에 퇴적된다. 유기 발광 소자(121)가 상이한 색의 광을 방출할 경우, 상이한 재료가 제2수지 서브층(182) 위에 여러 회분으로 퇴적될 수 있다. 또 유기 발광 소자(121)가 단색 광을 방출할 경우, 유기 화합물층(125)은 균일하게 형성될 수 있다. 또한, 전하 수송 서브층 및 전하 주입 서브 층은 균일하게 형성될 수도 있다. 유기 화합물층(125)은 각각 도시하지 않은 전자 수송층, 발광 서브층 및 정공 수송 서브층을 포함한다. 유기 화합물층(125)의 구성은 이러한 3층 구조로 한정되는 것은 아니다. 유기 화합물층(125)은 정공 수송 서브층과 전자 수송/발광 서브층으로 구성되거나 전자 수송 서브층 및 정공 수송/발광 서브층으로 구성된 2층 구조; 전자 수송 서브층, 발광 서브층, 정공 수송 서브층 및 정공 주입 서브층으로 구성된 4층 구조; 또는 전자 수송 서브층, 발광 서브층, 정공 수송 서브층, 정공 주입 서브층 및 전자 주입 서브층으로 구성된 5층 구조를 가질 수 있다.Next, formation of an organic compound layer is demonstrated. The
사용되는 정공 수송성 물질의 바람직한 예로는, N,N'-다이페닐-N,N'-다이(3-메틸페닐)-1,1'-다이페닐-4,4'-다이아민(TPD), N,N'-다이페닐-N,N'-다이나프틸-1,1'-다이페닐-4,4'-다이아민(NPD) 등의 트라이페닐아민류; N-아이소프로필카바졸, 비스카바졸 유도체, 피라졸린 유도체, 스틸벤 유도체, 하이드라존계 유도체, 옥사다이아졸 유도체 및 프탈로사이아닌 유도체 등의 복소환 화합물; 트라이페닐아민류 및 복소환 화합물 중 어느 한쪽으로부터 유래된 기를 가진 폴리카보네이트, 폴리스타이렌, 폴리비닐카바졸, 폴리실란, 폴리페닐렌 비닐렌 등의 폴리머를 들 수 있다.Preferred examples of the hole transporting material used are N, N'-diphenyl-N, N'-di (3-methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD), N Triphenylamines such as N'-diphenyl-N, N'-dynaphthyl-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (NPD); Heterocyclic compounds such as N-isopropylcarbazole, biscarbazole derivatives, pyrazoline derivatives, stilbene derivatives, hydrazone derivatives, oxadiazole derivatives and phthalocyanine derivatives; And polymers such as polycarbonate, polystyrene, polyvinylcarbazole, polysilane and polyphenylene vinylene having a group derived from either of triphenylamines and heterocyclic compounds.
발광 서브층을 형성하는 데 이용되는 재료로는 안트라센이나 피렌, 그리고 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄이 있다. 또, 발광 서브층을 형성하는 데는 이하의 물질 중 적어도 하나를 이용할 수 있다: 즉, 비스스티릴안트라센 유도체; 테트라페닐 뷰타다이엔 유도체; 쿠마린 유도체; 옥사다이아졸 유도체; 다이스티릴벤젠 유도체; 피롤로피리딘 유도체; 페리논 유도체; 사이클로펜타다이엔 유도체; 티아다이아졸로피리딘 유도체; 폴리페닐렌비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체 및 폴리티오펜 유도체 등의 폴리머계. 또, 발광 서브층에 첨가되는 도펀트의 예로는 루브렌, 퀴나크리돈 유도체, 페녹사존 660, DCM1, 페리논, 페릴렌, 쿠마린 540, 다이아자인다센 유도체 등을 들 수 있다.Materials used to form the light emitting sublayers include anthracene, pyrene, and 8-hydroxyquinoline aluminum. In addition, at least one of the following materials may be used to form the light emitting sublayer: bisstyrylanthracene derivative; Tetraphenyl butadiene derivatives; Coumarin derivatives; Oxadiazole derivatives; Distyrylbenzene derivatives; Pyrrolopyridine derivatives; Perinone derivatives; Cyclopentadiene derivatives; Thiadiazolopyridine derivatives; Polymer type, such as a polyphenylene vinylene derivative, a polyparaphenylene derivative, and a polythiophene derivative. In addition, examples of the dopant added to the light emitting sublayer include rubrene, quinacridone derivatives, phenoxazone 660, DCM1, perinone, perylene, coumarin 540, diazaindane derivatives, and the like.
전자 수송성 물질의 예로는 8-하이드록시퀴놀린 알루미늄; 하이드록시벤조퀴놀린베릴륨; 2-(4-비페닐)-5-(4-t-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(t-BuPBD) 등의 옥사다이아졸계 유도체; 1,3-비스(4-t-뷰틸페닐-1,3,4-옥사다이아졸릴)비페닐렌(OXD-1), 1,3-비스(4-t-뷰틸페닐-1,3,4-옥사다이아졸릴)페닐렌(OXD-7) 등의 옥사다이아졸 이량체 유도체; 트라이아졸계 유도체; 페난트롤린계 유도체 등을 들 수 있다.Examples of electron transporting materials include 8-hydroxyquinoline aluminum; Hydroxybenzoquinoline beryllium; Oxadiazole derivatives such as 2- (4-biphenyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (t-BuPBD); 1,3-bis (4-t-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) biphenylene (OXD-1), 1,3-bis (4-t-butylphenyl-1,3,4 Oxadiazole dimer derivatives such as -oxadiazolyl) phenylene (OXD-7); Triazole derivatives; And phenanthroline derivatives.
이상의 물질들은 정공 수송 서브층, 발광 서브층 또는 전자 수송 서브층의 형성에 단독으로 이용될 수 있거나, 또는 각 물질을 고분자 바인더로서 작용하는 경화성 수지 또는 용제 가용성 수지에 분산시키는 방식으로 이용될 수 있다. 용제 가용성 수지의 예로는 폴리염화비닐, 폴리카보네이트, 폴리스타이렌, 폴리(N-비닐카바졸), 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리뷰틸메타크릴레이트, 폴리에스터, 폴리설폰, 폴리페닐렌에터, 폴리뷰타다이엔, 탄화수소 수지, 케톤 수지, 페녹시 수지, 폴리우레탄 수지 등을 들 수 있다. 또, 경화성 수지의 예로는 페놀 수지, 자일렌 수 지, 석유 수지, 유레아 수지, 멜라민 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 알키드 수지, 에폭시 수지, 실리콘 수지 등을 들 수 있다.The above materials may be used alone in the formation of a hole transporting sublayer, a light emitting sublayer, or an electron transporting sublayer, or may be used by dispersing each material in a curable resin or a solvent soluble resin serving as a polymer binder. . Examples of solvent-soluble resins include polyvinyl chloride, polycarbonate, polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, polyester, polysulfone, polyphenylene ether, poly A reviewer, a hydrocarbon resin, a ketone resin, a phenoxy resin, a polyurethane resin, etc. are mentioned. Examples of the curable resins include phenol resins, xylene resins, petroleum resins, urea resins, melamine resins, unsaturated polyester resins, alkyd resins, epoxy resins, silicone resins, and the like.
이하, 제2전극의 형성에 대해서 설명한다. 제2전극(123)은 발광부(120) 위에 스퍼터링법 등에 의해 균일하게 퇴적된다. 이때, 제2전극(123)은 발광부(120)보다 약간 크게 형성되어, 전원 배선(127)에 접속되도록 하는 것이 바람직하다. 유기 발광 장치가 상기 버텀 에미션형인 경우, 제2전극(123)을 형성하기 위해 은, 알루미늄, 크롬, 마그네슘 등을 이용할 수 있다. 또, 유기 발광 장치가 탑 에미션형인 경우, 제2전극(123)을 형성하기 위해 ITO(산화 주석 인듐), IZO(산화 아연 인듐), 산화 주석, 산화 아연, 산화 인듐 등을 이용할 수 있다. 이들 물질은 제2전극(123)을 형성하기 위해 조합해서 사용될 수 있다. 또한, 제2전극(123)은 다층 구조를 가질 수도 있다.Hereinafter, the formation of the second electrode will be described. The
이하, 밀봉 부재의 형성에 대해 설명한다. 유기 발광 소자(121)를 형성한 후, 해당 유기 발광 소자(121)는 산소, 수분 등을 차단하기 위해 홈을 가진 유리 부재를 이들 사이에 배치된 접착제층에 의해 밀봉하는 것이 바람직하다. 유리 부재와 유기 발광 소자(121) 사이의 공간에는 흡습재를 배치하는 것이 바람직하다. 또, 제2전극(123) 위에 질화 규소, 질화 산화 규소 등으로 제조된 보호층을 플라스마 증강 CVD법 등에 의해 퇴적시켜도 된다.Hereinafter, formation of the sealing member is demonstrated. After the organic
[[ 실시예Example ]]
이하, 본 발명의 실시예를 비교예와 비교해서 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, although the Example of this invention is described compared with a comparative example, this invention is not limited to these Examples.
(( 실시예Example 1) One)
유기 발광 장치는 다음과 같이 제조하였다.The organic light emitting device was manufactured as follows.
상기 실시형태에서 기재된 것과 마찬가지 절차에 의해서, 박막 트랜지스터를 형성하기 위한 제2절연층을 형성하고 나서, 패터닝하였다. 제2절연층 위에 아크릴 수지(JSR사 제품: PC415)를 회전수 약 1200rpm으로 스핀 코팅법에 의해 형성하였다. 프리-베이킹(pre-baking) 후, 도 11에 도시한 제1데이터 배선(151) 및 접속용의 개구부(관통 구멍)에 대응하는 패턴을 가진 포토마스크를 이용해서 상기 층을 100mW/㎠의 강도의 광으로 노광하였다. 얻어진 층을, 현상액(토쿄오오카코교사 제품: NMD-3)으로 현상하고 나서, 약 200℃에서 포스트-베이킹(post-baking)을 실시함으로써, 제1수지 서브층을 형성하였다. 제1수지 서브층의 두께는 1.5㎛였다. 발광부에서부터 제1수지 서브층의 제1단부까지의 거리 L1 및 발광부에서부터 제1수지 서브층의 제2단부까지의 거리 L2는 각각 약 0.5㎜ 및 0.1㎜였다.By the same procedure as described in the above embodiment, the second insulating layer for forming the thin film transistor was formed and then patterned. An acrylic resin (manufactured by JSR, PC415) was formed on the second insulating layer by spin coating at a speed of about 1200 rpm. After pre-baking, the layer was subjected to an intensity of 100 mW / cm 2 using a photomask having a pattern corresponding to the
상기 제1수지 서브층 위에 두께 약 10 ㎚의 알루미늄층과 두께 약 40 ㎚의 ITO층을 스퍼터링법에 의해 퇴적시키고 나서 패터닝함으로써, 다층 구조를 가진 제1전극을 형성하였다.An aluminum layer having a thickness of about 10 nm and an ITO layer having a thickness of about 40 nm were deposited on the first resin sublayer by sputtering and then patterned to form a first electrode having a multilayer structure.
제1수지 서브층 위에 아크릴 수지(JSR사 제품: PC415)를 회전수 약 2000rpm에서 스핀 코팅법에 의해 형성하였다. 프리-베이킹 후, 도 10에 나타낸 개구부에 대응하는 패턴을 가진 포토마스크를 이용해서 이 층을 약 100mW/㎠의 강도의 광으로 노광하였다. 얻어진 층을 현상액(토쿄오오카코교사 제품: NMD-3)으로 현상하고 나서, 약 200℃에서 포스트-베이킹함으로써, 제2수지 서브층을 형성하였다. 제2수지 서브층의 두께는 약 0.5㎛였고, 회로부 위에 균일하게 뻗어 있는 부분을 가지고 있었다. 발광부로부터 제2수지 서브층의 길이방향 단부까지의 거리 및 발광부로부터 제2수지 서브층의 폭방향 단부까지의 거리는 각각 약 0.6㎜ 및 약 0.2㎜였다.An acrylic resin (PC415, manufactured by JSR) was formed on the first resin sublayer by spin coating at a rotation speed of about 2000 rpm. After pre-baking, this layer was exposed with light of intensity of about 100 mW / cm 2 using a photomask having a pattern corresponding to the opening shown in FIG. 10. The obtained layer was developed with a developing solution (NMD-3, manufactured by Tokyo Okagyo Co., Ltd.), and then post-baked at about 200 ° C. to form a second resin sublayer. The thickness of the second resin sublayer was about 0.5 mu m, and had a portion extending evenly over the circuit portion. The distance from the light emitting portion to the longitudinal end of the second resin sublayer and the distance from the light emitting portion to the widthwise end of the second resin sublayer were about 0.6 mm and about 0.2 mm, respectively.
마스크 위치맞춤 기구를 장착한 진공 장치의 챔버 내에서 제2수지 서브층을 포함하는 가공부품을 10-2㎩, 150℃에서 10분간 가열한 후, 마스크를 이용한 진공 증착에 의해 10-4㎩에서 상기 제2수지 서브층 위에 유기 화합물층을 형성하였다. 특히, 제2수지 서브층 위에 N'-α-다이나프틸벤지딘(α-NPD)을 증착함으로써, 두께 약 60 ㎚의 정공 수송 서브층을 형성하였다. 상기 정공 수송 서브층 위에 쿠마린(1.0 중량%)과 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄(Alq3)을 공증착시킴으로써, 두께 약 30㎚의 발광 서브층을 형성하였다. 이 발광 서브층 위에 페난트롤린 화합물을 증착시킴으로써, 두께 약 10 ㎚의 전자 수송 서브층을 형성하였다. 전자 수송 서브 층 위에 페난트롤린 화합물 및 알칼리 금속 도펀트로서 기능하는 탄산 세슘을 증착시킴으로써, 두께 약 40 ㎚의 전자 주입 서브층을 형성하였다.In the chamber of the vacuum apparatus equipped with the mask alignment mechanism, the machined part including the second resin sublayer is heated at 10 -2 Pa at 150 DEG C for 10 minutes, and then at 10 -4 Pa by vacuum deposition using a mask. An organic compound layer was formed on the second resin sublayer. In particular, by depositing N '-?-Dynaphthylbenzidine (? -NPD) on the second resin sublayer, a hole transport sublayer having a thickness of about 60 nm was formed. Coumarin (1.0 wt%) and tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum (Alq3) were co-deposited on the hole transport sublayer to form a light emitting sublayer having a thickness of about 30 nm. By depositing the phenanthroline compound on the light emitting sublayer, an electron transport sublayer having a thickness of about 10 nm was formed. By depositing cesium carbonate functioning as a phenanthroline compound and an alkali metal dopant on the electron transport sublayer, an electron injection sublayer having a thickness of about 40 nm was formed.
유기 화합물층 위에 스퍼터링법에 의해 ITO를 증착시킴으로써 두께 약 60 ㎚의 제2전극을 형성하였다.By depositing ITO on the organic compound layer by sputtering, a second electrode having a thickness of about 60 nm was formed.
제2전극을 포함하는 가공 부품을 -70℃ 이하의 이슬점에서 관리된 글러브 박스 내로 옮겼다. 홈을 가진 유리 부재에 시판의 흡습재를 부착시켰다. 상기 흡습재가 제2전극에 대향하도록 이 유리 부재를 상기 가공 부품에 자외선 경화성 수지 로 접착시켰다.The fabricated part comprising the second electrode was transferred into a controlled glove box at a dew point of -70 ° C. or less. A commercially available moisture absorbent was attached to the grooved glass member. This glass member was adhered to the processed component with an ultraviolet curable resin so that the moisture absorbent material was opposed to the second electrode.
상기와 같이 제조된 유기 발광 장치를 80℃에서 1000시간의 고온 보존 시험을 행하였다. 얻어진 유기 발광 장치의 주변부의 열화는 너무 근소하여, 육안 검사로는 검출될 수 없었다.The organic light-emitting device manufactured as described above was subjected to a high temperature storage test for 1000 hours at 80 ° C. The deterioration of the periphery of the obtained organic light emitting device was so small that it could not be detected by visual inspection.
(( 비교예Comparative example 1) One)
제1수지 서브층의 단부를 도 11에 도시한 제1데이터 배선(151)을 덮도록 하는 바와 같은 방식으로 제1수지 서브층의 단부를 균일하게 형성한 이외에는 실시예 1에 기재된 것과 실질적으로 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다. 이 유기 발광 장치에 있어서, 발광부로부터 수지층의 길이방향 단부까지의 거리 및 발광부로부터 그의 폭방향 단부까지의 거리는 양쪽 모두 0.5 ㎜였다. 상기 유기 발광 장치를 80℃, 1000시간의 고온 보존 시험을 행한 바, 얻어진 유기 발광 장치의 육안 검사 결과, 발광부의 주변부는 표시 성능의 저하를 인식할 수 있을 정도로 열화되어 있었다.Substantially the same as that described in Example 1 except that the end portion of the first resin sublayer was uniformly formed in such a manner that the end portion of the first resin sublayer covered the first data wiring 151 shown in FIG. An organic light emitting device was manufactured by the method. In this organic light emitting device, the distance from the light emitting portion to the longitudinal end of the resin layer and the distance from the light emitting portion to the widthwise end thereof were both 0.5 mm. When the organic light emitting device was subjected to a high-temperature storage test at 80 ° C. for 1000 hours, as a result of visual inspection of the obtained organic light emitting device, the periphery of the light emitting part was degraded to the extent that the degradation of display performance could be recognized.
(( 실시예Example 2) 2)
제2수지 서브층을 제1수지 서브층보다 0.05㎜ 넓게 한 이외에는 실시예 1에 기재된 것과 실질적으로 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다.An organic light emitting device was manufactured in substantially the same manner as described in Example 1 except that the second resin sublayer was made 0.05 mm wider than the first resin sublayer.
해당 유기 발광 장치를 80℃, 1000시간의 고온 보존 시험을 행한 바, 얻어진 유기 발광 장치의 주변부의 열화는 매우 근소하여 육안 검사에 의해 검출될 수 없었다.When the organic light emitting device was subjected to a high temperature storage test at 80 ° C. for 1000 hours, deterioration of the peripheral portion of the obtained organic light emitting device was very slight and could not be detected by visual inspection.
(( 실시예Example 3) 3)
이하에 기재된 것을 제외하고 실시예 1에 기재된 것과 실질적으로 동일한 방법으로 유기 발광 장치를 제작하였다. 약 0.8㎛의 두께를 가진, 즉, 실시예 1에 기재된 제1수지 서브층보다 얇은 2층 부분을 약 1,500rpm의 회전수로 스핀 코팅법에 의해 형성하는 방식으로 2층 구조를 가진 제1수지 서브층을 형성하였다. 첫번째 층은 발광부 위에는 형성하지 않고, 도 11에 도시한 제1데이터 배선(151)의 패턴에 대응하는 부분 위에만 형성하였다. 특히, 첫번째 층은 제1데이터 배선(151)의 패턴보다 0.02㎜ 넓도록 형성하였다. 두번째 층은, 실시예 1에 기재된 제1수지 서브층과 같이, 발광부로부터 회로부까지 뻗도록 또한 도 10에 도시한 제1데이터 배선(151)에 대응하는 패턴을 가지도록 형성하였다. 이것에 의해서, 제1데이터 배선(151)에 대응하는 패턴은 다른 부분의 것보다 큰 두께를 가지는 것이 가능하였다. 상기 데이터 배선은 유기 발광 소자 밑에 뻗어 있었으므로, 상기 데이터 배선 위에 배치된 유기층의 부분은 볼록하였다. 해당 유기층의 요철은 완만하였고, 따라서 문제로 되지 않았다. 볼록부는 경사 각도가 약 10도 정도였으므로, 아무런 문제가 없었다. 수지층은 경사각 10도 미만, 높이 약 1㎛의 볼록부를 가졌다. 이들 볼록부는 아무런 문제도 없었다.An organic light emitting device was manufactured in substantially the same manner as described in Example 1 except as described below. A first resin having a two-layer structure in a manner of forming by spin coating a two-layer portion having a thickness of about 0.8 μm, that is, thinner than the first resin sub-layer described in Example 1 at a rotational speed of about 1,500 rpm Sublayers were formed. The first layer is not formed on the light emitting portion, but is formed only on the portion corresponding to the pattern of the
상기 유기 발광 장치에 대해서는, 80℃, 1000시간의 고온 보존 시험을 행한 바, 얻어진 유기 발광 장치의 주변부의 열화는 매우 근소하여 육안 검사에 의해 검출될 수 없었다.When the organic light emitting device was subjected to a high temperature storage test at 80 ° C. for 1000 hours, deterioration of the peripheral portion of the obtained organic light emitting device was very small and could not be detected by visual inspection.
이상, 본 발명은 예시적인 실시형태를 참조해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 개시된 예시적인 실시형태로 제한되는 것이 아님을 이해할 필요가 있다. 이 하의 클레임의 범위는 이러한 모든 변형, 등가 구성 및 기능을 망라하도록 최광의의 해석에 따르는 것으로 간주된다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the present invention is not limited to these disclosed exemplary embodiments. The scope of the claims below is to be accorded the broadest interpretation so as to encompass all such modifications, equivalent constructions and functions.
도 1A는 유기 발광 장치의 일 실시형태에 따른 유기 발광 장치의 모식적 평면도이고, 도 1B는 상기 유기 발광 장치의 블록도;1A is a schematic plan view of an organic light emitting device according to an embodiment of the organic light emitting device, and FIG. 1B is a block diagram of the organic light emitting device;
도 2는 도 1에 나타낸 유기 발광 장치에 포함되어 있는 발광부의 단부와 해당 발광부의 주위에 위치된 회로부를 나타낸 모식적 확대 평면도;FIG. 2 is a schematic enlarged plan view showing an end portion of a light emitting portion included in the organic light emitting device shown in FIG. 1 and a circuit portion located around the light emitting portion; FIG.
도 3은 도 2의 선 III-III을 따라 취한 유기 발광 장치의 모식적 단면도;3 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device taken along line III-III of FIG. 2;
도 4는 도 2에 나타낸 IV-IV를 따라 취한 유기 발광 장치의 모식적 단면도;4 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device taken along IV-IV shown in FIG. 2;
도 5는 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 구성을 나타낸 모식적 단면도;FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of an end portion of the organic light emitting device shown in FIG. 2; FIG.
도 6은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;6 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 7은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 또 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;7 is a schematic cross-sectional view showing still another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 8은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;8 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of an end portion of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 9는 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 또 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;9 is a schematic cross-sectional view showing still another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 10은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;10 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 11은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 또 다른 구성을 나타낸 모 식적 단면도;FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing still another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 12는 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;12 is a schematic cross-sectional view showing another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 13은 도 2에 나타낸 유기 발광 장치의 단부의 또 다른 구성을 나타낸 모식적 단면도;13 is a schematic cross-sectional view showing still another configuration of an end of the organic light emitting device shown in FIG. 2;
도 14는 유기 발광 장치의 단부의 구성을 나타낸 모식적 평면도;14 is a schematic plan view showing the configuration of an end portion of an organic light emitting device;
도 15는 본 발명의 유기 발광 장치의 단부의 다른 구성을 나타낸 모식적 평면도.15 is a schematic plan view showing another configuration of an end of an organic light emitting device of the present invention.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
110: 기판 120: 발광부110:
121: 유기 발광 소자 122: 접속부121: organic light emitting element 122: connection portion
123: 제2전극 124: 제1전극123: second electrode 124: first electrode
125: 유기 화합물층 126: 제1박막 트랜지스터125: organic compound layer 126: first thin film transistor
130: 세로열 회로부 131: 제1제어 회로130: vertical circuit portion 131: first control circuit
132: 제1제어 배선 133: 제2박막 트랜지스터132: first control wiring 133: second thin film transistor
140: 가로열 회로부 141: 제2제어 회로140: row circuit section 141: second control circuit
142: 제2제어 배선 150: 세로열 배선부142: second control wiring 150: vertical wiring portion
151: 제1데이터 배선 160: 가로열 배선부151: First data wiring 160: Horizontal wiring portion
161: 제2데이터 배선 170: 단자부161: second data wiring 170: terminal portion
171: 접속 단자 180: 수지층171: connection terminal 180: resin layer
181: 제1수지 서브층 182: 제2수지 서브층181: first resin sublayer 182: second resin sublayer
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