KR100973963B1 - Untouchable type etching apparatus of wafer - Google Patents

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KR100973963B1
KR100973963B1 KR1020100005635A KR20100005635A KR100973963B1 KR 100973963 B1 KR100973963 B1 KR 100973963B1 KR 1020100005635 A KR1020100005635 A KR 1020100005635A KR 20100005635 A KR20100005635 A KR 20100005635A KR 100973963 B1 KR100973963 B1 KR 100973963B1
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송양섭
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Abstract

PURPOSE: A contactless rear etching device of a flat board is provided to prevent the side of a wafer from being contaminated in a rear cleaning process of the wafer by spraying air downward through an air spraying unit on a transfer robot. CONSTITUTION: A body(100) includes a cleaning unit(110) which sprays cleaning solutions to a wafer and an etchant injecting unit(120) which injects the etchant into a process chamber(300) in which the wafer is etched. A support frame(130) supporting the process chamber is formed in the center of the body in a horizontal direction. An etch bath(200) is positioned on the upper side of the support frame inside the body. The process chamber is fixed to the bottom inside the etch bath and receives the etchant to etch the wafer to perform a wafer etching process. A dry unit(400) includes a rotation spraying unit(420) to dry the wafer outside the etch bath. A chuck(500) is located in the process chamber and receives the laid wafer. A driving unit(600) vertically moves and rotates the chuck.

Description

평판의 비접촉식 이면식각장치{Untouchable type etching Apparatus of wafer}Non-contact backside etching device of flat plate {Untouchable type etching Apparatus of wafer}

본 발명은 평판의 비접촉식 이면식각장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 프로세스챔버의 측면에 식각액 및 세정액이 배출되는 배출부를 형성하여, 식각 및 세정에 사용된 식각액 및 세정액이 프로세스챔버내로 유입시 이를 외부로 배출함으로써, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 평판의 비접촉식 이면식각장치에 관한 것이다.The present invention relates to a non-contact backside etching apparatus of a flat plate, and more particularly, to form an outlet portion for discharging the etching liquid and the cleaning liquid on the side of the process chamber, when the etching liquid and the cleaning liquid used for etching and cleaning flow into the process chamber, The present invention relates to a non-contact backside etching apparatus of a flat plate capable of preventing contamination of a wafer.

일반적으로 웨이퍼란 반도체 장치와 같은 직접회로를 만들 때 사용되는 실리콘 단결정의 얇은 판을 말하는 것으로서, 최근 들어 상기 반도체 장치는 처리 능력, 기억 용량 등의 향상을 위하여 다수의 반도체 장치를 적재하여 사용하고 있다.In general, a wafer refers to a thin plate of a silicon single crystal used when making an integrated circuit such as a semiconductor device. In recent years, the semiconductor device has been loaded with a plurality of semiconductor devices for improving processing capacity, memory capacity, and the like. .

상기와 같이, 다수의 반도체 장치를 적재하기 위해서는 웨이퍼의 두께를 최대한 얇게 하여 박판화시키는 것이 상당히 중요하며, 이로 인하여 상기 웨이퍼를 식각하여 박형화시키기 위한 다양한 개발이 이루어지고 있는 실정이다.As described above, in order to load a plurality of semiconductor devices, it is very important to thin the wafer to have a thin thickness as much as possible, and thus, various developments have been made to etch and thin the wafer.

본 발명에서 웨이퍼라 함은 반도체 장치에 사용되는 것 뿐만 아니라 식각이 요구되는 얇은 판을 통칭한다.
In the present invention, the wafer refers to a thin plate not only used for a semiconductor device but also for etching.

이하에서는 본 출원인이 2008년 04월 07일에 출원하여 등록받은 등록특허 제10-0869472호 "평판의 비접촉식 이면식각장치"를 참조하여 종래의 평판의 비접촉식 이면식각장치를 설명하기로 한다.Hereinafter, a non-contact backside etching apparatus of a conventional flat plate will be described with reference to the registered patent application No. 10-0869472, filed on April 07, 2008, by the present applicant.

도 1을 참조하면, 종래의 평판의 비접촉식 이면식각장치는 메인챔버(70)의 내부에 위치하되, 양측 상단부에 웨이퍼(a)에 세정액을 분사하는 세정부(12)와 상기 세정부(12)에서 웨이퍼(a)의 세정이 완료된 후, 상기 웨이퍼(a)를 건조시키는 건조부(13)가 구비되는 식각배스(10); 상기 식각배스(10) 내부의 바닥면에 고정되며, 웨이퍼(a)를 식각시키는 식각액이 수용되어 웨이퍼 식각공정이 진행되되, 내측벽면을 둘러싸며 결합되어 식각액 및 세정액의 유입을 방지하는 제1패킹부재를 포함하는 프로세스챔버(20); 상기 프로세스챔버(20)내에 위치하며 웨이퍼(a)가 뉘어져 안착되는 척(30); 상기 척(30)을 상하로 이동시키는 제1구동부(40); 상기 척(30)의 하단에 위치하여 척을 지지하며, 상기 제1구동부의 구동에 따라 상하로 이동되되, 내측벽면을 둘러싸며 결합되어 식각액 및 세정액의 유입을 방지하는 제2패킹부재가 결합되는 척지지부(50); 상기 식각배스(10)의 일측에 위치하여 상기 프로세스챔버(20)로 식각액을 주입하는 식각액 주입부(11);를 포함하는 것이 특징이다.
Referring to FIG. 1, a conventional non-contact backside etching apparatus of a flat plate is located inside the main chamber 70, and the cleaning unit 12 and the cleaning unit 12 spraying the cleaning liquid onto the wafer a at both upper ends thereof. An etching bath 10 having a drying unit 13 for drying the wafer a after the cleaning of the wafer a is completed; The first packing is fixed to the bottom surface of the inside of the etching bath 10, the etching solution for etching the wafer (a) is accommodated and the wafer etching process is performed, and is coupled around the inner wall to prevent the inflow of the etching solution and the cleaning solution. A process chamber 20 comprising a member; A chuck 30 positioned in the process chamber 20 in which the wafer a is laid down and seated therein; A first driving part 40 for moving the chuck 30 up and down; Located at the bottom of the chuck 30 to support the chuck, and moved up and down in accordance with the drive of the first driving unit, the second packing member is coupled to surround the inner wall surface to prevent the inflow of the etchant and cleaning liquid Chuck support 50; It is characterized in that it comprises; an etching solution injecting portion 11 which is located on one side of the etching bath 10 to inject the etching solution into the process chamber 20.

그러나, 상기와 같은 종래의 웨이퍼 식각 장치는 웨이퍼의 식각 및 세정시에 식각 및 세정에 사용된 식각액 및 세정액이 프로세스챔버와 척지지부가 형성하는 공간으로 유입되어 척지지부가 상하로 구동시에 유입된 식각액 및 세정액이 웨이퍼로 침투되어 웨이퍼의 오염을 초래하는 문제점이 있었다.However, in the conventional wafer etching apparatus as described above, the etching liquid and the cleaning liquid used for the etching and cleaning during the etching and cleaning of the wafer flow into the space formed by the process chamber and the chuck support, and the etching liquid introduced when the chuck support is driven up and down. And cleaning liquid penetrates into the wafer, causing contamination of the wafer.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서 본 발명의 목적은 프로세스챔버의 측면에 식각액 및 세정액이 배출되는 배출부를 형성하여, 식각 및 세정에 사용된 식각액 및 세정액이 프로세스챔버내로 유입시 이를 외부로 배출함으로써, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 평판의 비접촉식 이면식각장치를 제공하는 것이다.The present invention has been made to solve the above-described problems, an object of the present invention is to form an outlet for discharging the etching liquid and the cleaning liquid on the side of the process chamber, when the etching liquid and the cleaning liquid used for etching and cleaning flow into the process chamber, It is to provide a non-contact backside etching apparatus of a plate that can prevent the contamination of the wafer by discharging.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 본 발명에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치는 내측벽면에 웨이퍼로 세정액을 분사하는 세정부 및 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 프로세스챔버로 식각액을 주입하는 식각액 주입부가 구비되며, 중앙부에는 수평방향으로 프로세스챔버를 지지하는 지지프레임이 구비되는 몸체; 상기 몸체의 내부에서 상기 지지프레임의 상부에 위치하는 식각배스; 상기 식각배스 내부의 바닥면에 고정되고, 웨이퍼를 식각시키는 식각액이 수용되어 웨이퍼 식각공정이 진행되되, 식각액 및 세정액의 유입을 방지하도록 내측벽면을 둘러싸며 상하로 제1패킹부재 및 제2패킹부재가 형성되며, 상기 제1패킹부재와 제2패킹부재 사이에 유입된 식각액 및 세정액을 외부로 배출시키는 배출부가 형성되는 프로세스챔버; 상기 식각배스의 외측에서 상기 지지프레임의 바닥면으로부터 상방향으로 돌출되는 지지봉과, 상기 지지봉의 끝단으로부터 상기 프로세스챔버의 중앙부까지 수평 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 건조시키는 회전분사부를 포함하는 건조부; 상기 프로세스챔버내에 위치하며 웨이퍼가 뉘어져 안착되는 척; 상기 척을 상하로 이동시키는 구동부; 상기 척의 하단에 위치하여 척을 지지하며, 상기 구동부의 구동에 따라 상하로 이동되되, 상기 제1패킹부재와 맞닿는 외주면에 내측방향으로 함몰부가 형성되어 상기 배출부로 식각액 및 세정액의 이동을 안내하는 척지지부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to solve the above problems, the non-contact backside etching apparatus of the flat plate according to the present invention is provided with a cleaning unit for injecting the cleaning liquid to the wafer on the inner wall and the etching liquid injection unit for injecting the etching liquid into the process chamber in which the etching process of the wafer is performed. The center portion is provided with a support frame for supporting the process chamber in the horizontal direction; An etching bath positioned above the support frame in the body; It is fixed to the bottom surface of the inside of the etching bath, the etching liquid for etching the wafer is accommodated in the wafer etching process, the first packing member and the second packing member up and down surrounding the inner wall to prevent the inflow of the etching liquid and the cleaning liquid A process chamber having a discharge part for discharging the etching liquid and the cleaning liquid introduced between the first packing member and the second packing member to the outside; A drying part including a supporting rod protruding upward from a bottom surface of the supporting frame at an outer side of the etching bath, and a rotary spraying portion extending in a horizontal direction from an end of the supporting rod to a central portion of the process chamber; A chuck positioned within the process chamber and into which the wafer is laid down; A drive unit for moving the chuck up and down; Located in the lower end of the chuck to support the chuck, and moved up and down in accordance with the drive of the drive unit, the chuck to guide the movement of the etching liquid and the cleaning liquid to the discharge portion formed in the inward direction on the outer peripheral surface contacting the first packing member Branch; characterized in that it comprises a.

또한, 상기 프로세스챔버의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착하는 흡착부와, 상기 흡착부의 외주면을 둘러싸며 형성되어 상기 웨이퍼의 측면으로 에어를 분출하는 에어분출부로 구성되는 이송로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The apparatus may further include a transfer robot including an adsorption unit for adsorbing the wafer at an upper portion of the process chamber, and an air ejection unit formed around the outer circumferential surface of the adsorption unit to eject air to the side of the wafer. .

또한, 상기 척에는 에어 또는 세정액이 분출되는 다수의 분출홀이 형성되는 것을 특징으로 한다.In addition, the chuck is characterized in that a plurality of ejection holes for ejecting air or cleaning liquid is formed.

또한, 상기 회전분사부는 상기 프로세스챔버의 중앙으로부터 외주면까지 왕복 회전운동하는 것을 특징으로 한다.In addition, the rotational injection portion is characterized in that the reciprocating rotational movement from the center of the process chamber to the outer peripheral surface.

이상 상술한 바와 같이 본 발명에 따르면 프로세스챔버의 측면에 식각액 및 세정액이 배출되는 배출부를 형성하여, 식각 및 세정에 사용된 식각액 및 세정액이 프로세스챔버내로 유입시 이를 외부로 배출함으로써, 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있는 장점이 있다.As described above, according to the present invention, the side of the process chamber is formed with a discharge portion for discharging the etching liquid and the cleaning liquid, and when the etching liquid and the cleaning liquid used for etching and cleaning into the process chamber is discharged to the outside, thereby preventing contamination of the wafer There is an advantage that can be prevented.

또한, 이송로봇에 에어분출부를 형성하여 하방향으로 에어를 분출함으로써, 웨이퍼의 후면 세정시 웨이퍼의 측면 오염을 방지할 수 있는 장점이 있다.In addition, by forming an air ejection portion in the transfer robot to eject the air in the downward direction, there is an advantage that can prevent the side contamination of the wafer during the rear cleaning of the wafer.

도 1은 종래기술의 웨이퍼 식각장치의 분해사시도,
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 구성도,
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치를 이용한 웨이퍼의 식각,세정 및 건조되는 상태를 보인 상태도,
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 건조부의 구동상태를 보인 설명도,
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 이송로봇을 이용한 웨이퍼의 후면 세정과정을 보인 설명도이다.1 is an exploded perspective view of a wafer etching apparatus of the prior art,
2 is a block diagram of a non-contact backside etching apparatus of a flat plate according to an embodiment of the present invention,
3 is a state diagram showing a state of etching, washing and drying a wafer using a non-contact backside etching apparatus of a plate according to an embodiment of the present invention,
4 is an explanatory view showing a driving state of a drying unit of a non-contact backside etching apparatus of a plate according to a preferred embodiment of the present invention;
5 is an explanatory view showing a back surface cleaning process of a wafer using a transfer robot of a non-contact backside etching apparatus of a flat plate according to an exemplary embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. 각 도면에 제시된 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements.

도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 구성도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치를 이용한 웨이퍼의 식각,세정 및 건조되는 상태를 보인 상태도이며, 도 4는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 건조부의 구동상태를 보인 설명도이다.
2 is a block diagram of a non-contact backside etching apparatus of a flat plate according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 3 is a state of etching, washing and drying the wafer using a non-contact backside etching apparatus of a plate according to a preferred embodiment of the present invention 4 is an explanatory view showing a driving state of a drying unit of a non-contact backside etching apparatus of a flat plate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2 내지 4를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치는 몸체(100), 식각배스(200), 프로세스챔버(300), 건조부(400)가 포함된다.2 to 4, a non-contact backside etching apparatus of a flat plate according to an exemplary embodiment of the present invention includes a body 100, an etching bath 200, a process chamber 300, and a drying unit 400.

상기 몸체(100)는 내부에 식각배스(200), 프로세스챔버(300) 등을 수용하는 것으로서, 상기 식각배스(200) 및 프로세스챔버(300)의 수용이 가능하도록 중앙부에 수평방향으로 식각배스(200) 및 프로세스챔버(300)를 지지하는 지지프레임(130)이 구비된다.The body 100 accommodates an etch bath 200, a process chamber 300, and the like, and includes an etch bath in a horizontal direction at a central portion thereof to accommodate the etch bath 200 and the process chamber 300. 200 and a support frame 130 for supporting the process chamber 300 is provided.

본 발명에 있어서, 상기 몸체(100)에는 내측벽면에 웨이퍼(a)로 세정액을 분사하는 세정부(110) 및 웨이퍼(a)의 식각공정이 진행되는 프로세스챔버(300)로 식각액을 주입하는 식각액 주입부(120)가 구비되는 것이 특징이다. In the present invention, the etching solution for injecting the etchant into the body 100, the cleaning unit 110 for injecting the cleaning solution to the wafer (a) on the inner wall surface and the process chamber 300 where the etching process of the wafer (a) is performed. Characterized in that the injection portion 120 is provided.

상기 식각액 주입부(120)는 프로세스챔버(300)에 뉘어진 상태로 위치하는 웨이퍼(a)의 상단에 외부로부터 유입되는 식각액을 주입하게 되는대, 이때, 상기 식각액 주입부(120)는 식각액의 원활한 흐름을 위하여 끝단부로 갈수록 하방향으로 경사지며 형성되는 것이 바람직하다.The etchant injection unit 120 injects the etchant introduced from the outside to the upper end of the wafer (a) located in the process chamber 300, wherein the etchant injection unit 120 is It is preferable to be inclined downward toward the end for smooth flow.

또한, 상기 식각액 주입부(120)는 프로세스챔버(300)의 내부에만 식각액이 주입되는 것이 가능하도록 그 길이를 길게 형성하여, 식각액의 주입시에 식각액이 프로세스챔버(300)의 외부로 유출되는 것을 방지하도록 하는 것이 좋다.
In addition, the etching liquid injection unit 120 is formed to have a long length so that the etching liquid can be injected only inside the process chamber 300, the etching liquid is discharged to the outside of the process chamber 300 when the etching liquid is injected It is good to prevent it.

상기 식각배스(200)는 상기 몸체(100)의 내부에서 상기 지지프레임(130)의 상부에 위치하는 것으로서, 웨이퍼(a)의 식각, 세정 및 건조의 공정이 진행되는 프로세스챔버(300)를 수용한다.The etching bath 200 is located above the support frame 130 inside the body 100 and accommodates the process chamber 300 in which the etching, cleaning and drying processes of the wafer a are performed. do.

상기 식각배스(200)의 상부에는 웨이퍼(a)의 식각 및 세정이 진행될 때, 웨이퍼(a)의 회전에 의하여 식각액 및 세정액이 외부로 유출되는 것을 방지하도록 내측방향으로 경사면을 이루는 방지턱(210)이 형성되는 것이 바람직하다.
When the etching and cleaning of the wafer (a) is performed on the upper portion of the etching bath 200, the prevention jaw 210 forming an inclined surface inward to prevent the etching liquid and the cleaning liquid from flowing out by the rotation of the wafer a. It is preferable that this be formed.

상기 프로세스챔버(300)는 상기 식각배스(200) 내부의 바닥면에 고정되며, 웨이퍼(a)를 식각시키는 식각액이 수용되어 웨이퍼(a)의 식각공정이 진행되는 것으로서, 웨이퍼(a)의 식각공정이 진행되도록 그 내부에 웨이퍼(a)가 안착되는 척(500) 및 척(500)을 지지하며 구동부(600)의 구동에 따라 척(500)을 상하운동시키는 척지지부(700)가 수용된다.
The process chamber 300 is fixed to the bottom surface of the inside of the etching bath 200, the etching solution for etching the wafer (a) is accommodated to the etching process of the wafer (a), the etching of the wafer (a) A chuck support 700 for supporting the chuck 500 and the chuck 500 on which the wafer a is seated and the vertical movement of the chuck 500 according to the driving of the driving unit 600 is accommodated therein so that the process proceeds. .

본 발명에 있어서, 상기 프로세스챔버(300)에는 식각액 및 세정액의 유입을 방지하도록 내측벽면을 둘러싸며 상하로 제1패킹부재(310) 및 제2패킹부재(320)가 형성되는 것이 특징이다.In the present invention, the process chamber 300 is characterized in that the first packing member 310 and the second packing member 320 is formed to surround the inner wall surface to prevent the inflow of the etching liquid and the cleaning liquid.

상기 프로세스챔버(300)에는 상기 제1패킹부재(310) 및 제2패킹부재(320)가 구비됨으로써, 웨이퍼(a)의 식각이 이루어지거나, 식각이 완료된 후 척지지부(700)의 상승시에 프로세스챔버(300)의 내측면과 척지지부(700)의 외측면 사이로 식각액이 유입되는 것을 방지할 수 있게 된다.The process chamber 300 is provided with the first packing member 310 and the second packing member 320, so that the etching of the wafer a is performed or the process of raising the chuck support 700 after the etching is completed. It is possible to prevent the etchant from flowing between the inner surface of the chamber 300 and the outer surface of the chuck support 700.

또한, 상기 프로세스챔버(300)에는 상기 제1패킹부재(310) 및 제2패킹부재(320)가 구비됨으로써, 척지지부(700)의 상하구동시에 척지지부(700)와 프로세스챔버(300)의 마찰을 최소화함으로써, 장치의 구동수명을 증가할 수 있게 된다.
In addition, the process chamber 300 is provided with the first packing member 310 and the second packing member 320, so that the chuck support 700 and the process chamber 300 when the chuck support 700 is driven up and down By minimizing friction, it is possible to increase the driving life of the device.

한편, 본 발명에 있어서, 상기 프로세스챔버(300)에는 프로세스챔버(300)의 내측면과 척지지부(700)의 외측면 사이로 유입된 식각액 및 세정액을 외부로 배출시키도록 상기 제1패킹부재(310)와 제2패킹부재(320) 사이에 배출부(330)가 형성되는 것이 특징으로서, 이 때, 척지지부(700)에는 상기 제1패킹부재(310)와 맞닿는 부분에 내측방향으로 함몰되는 함몰부(710)가 형성되어 유입된 식각액 및 세정액을 상기 배출부(330)로 안내하게 된다.Meanwhile, in the present invention, the process chamber 300 includes the first packing member 310 to discharge the etching liquid and the cleaning liquid introduced between the inner surface of the process chamber 300 and the outer surface of the chuck support part 700 to the outside. ) And a discharge part 330 is formed between the second packing member 320 and the chuck support part 700 is recessed inwardly in a portion in contact with the first packing member 310. The portion 710 is formed to guide the introduced etching solution and the cleaning solution to the discharge unit 330.

상기 척지지부(700)는 상기 척(500)의 하단에 위치하여 척(500)을 지지하며, 구동부(600)의 구동에 따라 상하로 이동하는 것으로서, 구동부(600)로부터 동력을 전달받아 상하로 이동하며 웨이퍼(a)의 식각, 세정 및 건조를 가능하게 하는대, 각 공정 과정에서 척지지부(700)가 상방향으로 이동하여 상기 함몰부(710)와 상기 제1패킹부재(310)가 평행하게 위치할 경우, 상기 함몰부(710)와 제1패킹부재(310)가 형성하는 공간을 통하여 식각액 및 세정액이 이동함으로써, 배출부(330)를 통한 식각액 및 세정액의 배출이 이루어지게 된다.The chuck support part 700 is positioned at the lower end of the chuck 500 to support the chuck 500, and moves up and down according to the driving of the driving part 600, and receives power from the driving part 600 and moves up and down. While moving to enable etching, cleaning, and drying of the wafer a, the chuck support 700 moves upward in each process so that the depression 710 and the first packing member 310 are parallel to each other. When located, the etching liquid and the cleaning liquid is moved through the space formed by the recess 710 and the first packing member 310, the discharge of the etching liquid and the cleaning liquid through the discharge unit 330.

한편, 상기 구동부(600)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 공지기술이므로, 상세한 설명은 생략하기로 한다.
On the other hand, the driving unit 600 is well known in the art, the detailed description thereof will be omitted.

상기 건조부(400)는 상기 세정부(110)에서 웨이퍼(a)의 세정이 완료된 후, 상기 웨이퍼(a)를 건조시키는 것으로서, 상기 식각배스(200)의 외측에서 상기 지지프레임(130)의 바닥면으로부터 상방향으로 돌출되는 지지봉(410)과, 상기 지지봉(410)의 끝단으로부터 상기 프로세스챔버(300)의 중앙부까지 수평 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼(a)를 건조시키는 회전분사부(420)로 구성된다.The drying unit 400 is to dry the wafer a after the cleaning of the wafer a in the cleaning unit 110 is completed. The drying unit 400 of the support frame 130 is located outside the etching bath 200. A support rod 410 protruding upward from the bottom surface, and a rotary spraying portion 420 extending in a horizontal direction from the end of the support rod 410 to the center of the process chamber 300 to dry the wafer a. It consists of.

본 발명에 있어서, 상기 회전분사부(400)는 상기 프로세스챔버(300)의 중앙으로부터 외주면까지 왕복 회전운동하는 것이 특징으로서, 이로 인하여, 척지지부(700)의 회전에 따라 웨이퍼(a)가 회전시에 웨이퍼(a)의 전면을 균일하게 건조시키는 것이 가능하게 된다.
In the present invention, the rotary injection unit 400 is characterized in that the reciprocating rotational movement from the center of the process chamber 300 to the outer peripheral surface, thereby, the wafer (a) is rotated in accordance with the rotation of the chuck support 700 It is possible to dry the entire surface of the wafer a uniformly at the time.

상기 척(500)은 상기 프로세스쳄버(300)내에 위치하여 웨이퍼(a)가 안착되는 것으로서, 그 하단에 척(500)과 웨이퍼(a)를 상하로 이동시키는 척지지부(700)가 위치한다. 상기 척(500)에는 상기 프로세스챔버(300)에 식각액이 주입되어 웨이퍼(a)의 식각이 진행될 경우, 웨이퍼(a)의 식각면이 균일하게 효율적으로 식각되도록 상기 척(500)을 회전시키는 회전축이 결합된다.The chuck 500 is located in the process chamber 300 to which the wafer a is seated. The chuck 500 and the chuck support 700 for moving the chuck 500 and the wafer a up and down are located at the lower end thereof. When the etching liquid is injected into the process chamber 300 into the chuck 500 and the etching of the wafer a proceeds, the rotary shaft rotates the chuck 500 so that the etching surface of the wafer a is uniformly and efficiently etched. Is combined.

본 발명에 있어서, 상기 웨이퍼(a)는 상기 척(500)의 상단에 뉘어져 안착된 상태로 그 상단에 식각액을 주입하여 웨이퍼(a)의 식각공정이 진행되는 것이 특징으로서, 식각하려는 웨이퍼(a)의 일측면 상단에 식각액을 주입하여 웨이퍼(a)를 잠기게 함으로써, 적은 양의 식각액으로도 웨이퍼(a)의 식각이 가능하게 된다. 상기와 같은 구조로 인하여, 한 번 사용되면 폐수처리되는 식각액의 사용량을 현저히 줄일 수 있게 되는 것이다.In the present invention, the wafer (a) is lying on the upper end of the chuck 500, the etching liquid is injected to the upper end of the wafer (a) by the etching process is characterized in that the wafer to be etched ( By injecting the etchant into the upper end of one side of a) to immerse the wafer a, the wafer a can be etched even with a small amount of the etchant. Due to the structure as described above, once used, it is possible to significantly reduce the amount of the etchant to be treated wastewater.

한편, 상기 척(500)에는 에어 또는 세정액이 분출되는 다수의 분출홀(510)이 형성된다.
On the other hand, the chuck 500 has a plurality of ejection holes 510 through which air or cleaning liquid is ejected.

이하에서는 도 2 내지 4를 참조하여 본 발명의 평판의 비접촉식 이면식각장치를 이용한 웨이퍼 식각, 세정 및 건조과정을 설명하기로 한다.Hereinafter, a wafer etching, cleaning, and drying process using a non-contact backside etching apparatus of a flat plate of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 4.

도 2 내지 4를 참조하면, 본 발명의 평판의 비접촉식 이면식각장치를 이용한 웨이퍼 식각과정은 먼저, 식각하고자 하는 웨이퍼(a)를 프로세스챔버(300)내에 위치하는 척(500)의 상단에 안착시킨다. 이때, 상기 웨이퍼(a)는 식각공정시에 이동되지 않도록 벤츄리(venturi)형 펌프를 이용한 진공흡입에 의해 고정되는 것이 바람직하다.2 to 4, the wafer etching process using the non-contact backside etching apparatus of the flat plate of the present invention, first, the wafer (a) to be etched is seated on the upper end of the chuck 500 located in the process chamber 300 . At this time, the wafer (a) is preferably fixed by vacuum suction using a venturi (venturi) pump so as not to move during the etching process.

다음으로, 구동부(600)를 구동하여 상기 척지지부(700)를 하방향으로 이동시킨다. 상기 척지지부(700)의 이동이 완료되면 상기 프로세스챔버(300)에 식각액 주입부(120)를 통하여 식각액을 주입시킨다. 이로 인하여, 상기 웨이퍼(a)의 식각면이 상기 식각액에 잠기게 되며, 척(500)의 회전과 함께 웨이퍼(a)가 회전하며 식각공정이 진행된다.Next, the chuck support part 700 is moved downward by driving the driving part 600. When the movement of the chuck support 700 is completed, the etchant is injected into the process chamber 300 through the etchant injector 120. Thus, the etching surface of the wafer a is immersed in the etching liquid, the wafer a rotates with the rotation of the chuck 500, and the etching process is performed.

다음으로, 웨이퍼(a)의 식각이 완료되면, 상기 구동부(600)를 구동하여 상기 척지지부(700)를 상방향으로 이동시킨다. 상기 척지지부(700)가 상방향으로 이동하게 되면, 상기 프로세스챔버(300)에 수용되어 있던 식각액이 외부로 배출되는대, 이때, 세정부(110)를 통하여 상기 웨이퍼(a)의 세정을 위한 세정액을 분사하여 웨이퍼(a)를 세정하게 된다. 다음으로, 상기 세정부(110)를 통한 웨이퍼(a)의 세정이 완료되면, 건조부(400)를 통하여 에어를 분사하여 상기 웨이퍼(a)를 건조시킨다.Next, when the etching of the wafer (a) is completed, the driving unit 600 is driven to move the chuck support 700 upward. When the chuck support part 700 moves upward, the etchant contained in the process chamber 300 is discharged to the outside. At this time, the cleaning part 110 may be used to clean the wafer a. The cleaning liquid is sprayed to clean the wafer a. Next, when the cleaning of the wafer (a) through the cleaning unit 110 is completed, air is injected through the drying unit 400 to dry the wafer (a).

상기와 같이 웨이퍼(a)의 세정 및 건조 진행시에는 구동부(600)의 회전운동을 통하여 척이(500)이 회전하게 되며, 이때, 웨이퍼(a)가 함께 회전하게 된다.
As described above, during the cleaning and drying process of the wafer a, the chuck 500 is rotated through the rotational movement of the driving unit 600. In this case, the wafer a is rotated together.

상기와 같은 공정을 통하여 웨이퍼(a)의 식각, 세정 및 건조작업이 완료되면, 이송로봇(800)을 통하여 상기 웨이퍼(a)를 흡착하여 웨이퍼(a)의 후면 세정과정을 진행하게 되는대, 이하에서는 도 5를 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 이송로봇을 이용한 웨이퍼의 후면 세정과정을 설명하기로 한다.When the etching, cleaning and drying of the wafer (a) is completed through the above process, the wafer (a) is adsorbed through the transfer robot 800 to perform the rear cleaning process of the wafer (a), Hereinafter, referring to FIG. 5, the back cleaning process of the wafer using the transfer robot of the non-contact backside etching apparatus of the flat plate according to the preferred embodiment of the present invention will be described.

도 5를 참조하면, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 평판의 비접촉식 이면식각장치의 이송로봇을 이용한 웨이퍼의 후면 세정과정은 이송로봇(800)이 상기 프로세스챔버(300)의 상부에 위치하게 되면, 척(500)에 형성되는 다수의 분출홀(510)을 통하여 에어를 분사한다. 에어 분사가 이루어지면, 척(500)의 상부에 위치하는 웨이퍼(a)가 상방향으로 이동하게 되며, 이때, 이송로봇(800)의 흡착부(810)에서 웨이퍼(a)를 흡착하여 고정시킨다.Referring to Figure 5, the back cleaning process of the wafer using the transfer robot of the non-contact backside etching apparatus of the flat plate according to an embodiment of the present invention, if the transfer robot 800 is located above the process chamber 300, Air is injected through a plurality of blow holes 510 formed in the chuck 500. When the air injection is made, the wafer a positioned above the chuck 500 moves upward. At this time, the suction part 810 of the transfer robot 800 adsorbs and fixes the wafer a. .

상기와 같이, 흡착부(810)를 통한 웨이퍼(a)의 흡착이 완료되면, 웨이퍼(a)의 후면 세정을 위하여 상기 분출홀(510)에서 세정액이 분사되는대, 이때, 웨이퍼(a)의 후면을 세정한 세정액이 웨이퍼(a)의 측면으로 타고 올라와 웨이퍼(a)의 측면이 오염되는 현상이 발생하게 된다. As described above, when the adsorption of the wafer a through the adsorption unit 810 is completed, the cleaning liquid is injected from the jet hole 510 to clean the rear surface of the wafer a. The cleaning liquid having cleaned the rear surface rises to the side surface of the wafer a and contaminates the side surface of the wafer a.

본 발명에 있어서, 상기 이송로봇(800)에는 상기 웨이퍼(a)의 측면 오염을 방지하기 위하여 웨이퍼(a)의 측면으로 에어를 분출하는 에어분출부(820)가 구비되는 것이 특징이다. 상기 에어분출부(820)는 상기 흡착부(810)의 외주면을 둘러싸며 형성되어 상기 웨이퍼(a)의 측면 상부에서 하방향으로 에어를 분출함으로써, 웨이퍼(a)의 후면세정에 사용된 세정액이 웨이퍼(a)의 측면으로 올라오는 것을 차단하여 웨이퍼(a)의 측면오염을 방지하게 된다.In the present invention, the transfer robot 800 is characterized in that the air ejecting portion 820 for ejecting air to the side of the wafer (a) in order to prevent side contamination of the wafer (a). The air ejecting part 820 is formed surrounding the outer circumferential surface of the adsorption part 810 and ejects air downward from the upper side of the side of the wafer a so that the cleaning liquid used for rear cleaning of the wafer a is obtained. Blocking the rise of the side of the wafer (a) to prevent side contamination of the wafer (a).

도면과 명세서에서 최적 실시 예들이 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.Optimal embodiments have been disclosed in the drawings and specification. Although specific terms have been used herein, they are used only for the purpose of describing the present invention and are not intended to limit the scope of the invention as defined in the claims or the claims. Therefore, those skilled in the art will understand that various modifications and equivalent other embodiments are possible. Therefore, the true technical protection scope of the present invention will be defined by the technical spirit of the appended claims.

100: 몸체 110: 세정부
120: 식각액 주입부 130: 지지프레임
200: 식각배스 210: 방지턱
300: 프로세스챔버 310: 제1패킹부재
320: 제2패킹부재 330: 배출부
400: 건조부 410: 지지봉
420: 회전분사부 500: 척
510: 분출홀 600: 구동부
700: 척지지부 710: 함몰부
800: 이송로봇 810: 흡착부
820: 에어분출부 (a): 웨이퍼100: body 110: cleaning part
120: etching liquid injection unit 130: support frame
200: etching bath 210: bump
300: process chamber 310: first packing member
320: second packing member 330: discharge part
400: drying unit 410: support rod
420: rotary injection unit 500: chuck
510: blowout hole 600: drive unit
700: chuck support 710: depression
800: transfer robot 810: adsorption unit
820: air blowing part (a): wafer

Claims (4)

내측벽면에 웨이퍼로 세정액을 분사하는 세정부 및 웨이퍼의 식각공정이 진행되는 프로세스챔버로 식각액을 주입하는 식각액 주입부가 구비되며, 중앙부에는 수평방향으로 프로세스챔버를 지지하는 지지프레임이 구비되는 몸체;
상기 몸체의 내부에서 상기 지지프레임의 상부에 위치하는 식각배스;
상기 식각배스 내부의 바닥면에 고정되고, 웨이퍼를 식각시키는 식각액이 수용되어 웨이퍼 식각공정이 진행되되, 식각액 및 세정액의 유입을 방지하도록 내측벽면을 둘러싸며 상하로 제1패킹부재 및 제2패킹부재가 형성되며, 상기 제1패킹부재와 제2패킹부재 사이에 유입된 식각액 및 세정액을 외부로 배출시키는 배출부가 형성되는 프로세스챔버;
상기 식각배스의 외측에서 상기 지지프레임의 바닥면으로부터 상방향으로 돌출되는 지지봉과, 상기 지지봉의 끝단으로부터 상기 프로세스챔버의 중앙부까지 수평 방향으로 연장되어 상기 웨이퍼를 건조시키는 회전분사부를 포함하는 건조부;
상기 프로세스챔버내에 위치하며 웨이퍼가 뉘어져 안착되는 척;
상기 척을 상하이동 및 회전시키는 구동부;
상기 척의 하단에 위치하여 척을 지지하며, 상기 구동부의 구동에 따라 상하로 이동되되, 상기 제1패킹부재와 맞닿는 외주면에 내측방향으로 함몰부가 형성되어 상기 배출부로 식각액 및 세정액의 이동을 안내하는 척지지부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 평판의 비접촉식 이면식각장치.A cleaning part for injecting the cleaning solution into the wafer on the inner wall surface and an etching liquid injecting part for injecting the etching liquid into the process chamber in which the etching process of the wafer is performed, and a body having a support frame supporting the process chamber in a horizontal direction;
An etching bath positioned above the support frame in the body;
It is fixed to the bottom surface of the inside of the etching bath, the etching liquid for etching the wafer is accommodated in the wafer etching process, the first packing member and the second packing member up and down surrounding the inner wall to prevent the inflow of the etching liquid and the cleaning liquid A process chamber having a discharge part for discharging the etching liquid and the cleaning liquid introduced between the first packing member and the second packing member to the outside;
A drying part including a supporting rod protruding upward from a bottom surface of the supporting frame at an outer side of the etching bath, and a rotary spraying portion extending in a horizontal direction from an end of the supporting rod to a central portion of the process chamber;
A chuck positioned within the process chamber and into which the wafer is laid down;
A drive unit for moving and rotating the chuck;
Located in the lower end of the chuck to support the chuck, and moved up and down in accordance with the drive of the drive unit, the chuck to guide the movement of the etching liquid and the cleaning liquid to the discharge portion formed in the inward direction on the outer peripheral surface contacting the first packing member Non-contact backside etching apparatus of the flat plate comprising a. 청구항 1에 있어서,
상기 프로세스챔버의 상부에서 상기 웨이퍼를 흡착하는 흡착부와, 상기 흡착부의 외주면을 둘러싸며 형성되어 상기 웨이퍼의 측면으로 에어를 분출하는 에어분출부로 구성되는 이송로봇을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판의 비접촉식 이면식각장치.
The method according to claim 1,
And a transfer robot including an adsorption part for adsorbing the wafer at the upper portion of the process chamber, and an air ejection part for enclosing an outer circumferential surface of the adsorption part for ejecting air to the side of the wafer. Non-contact backside etching device.
청구항 1에 있어서,
상기 척에는 에어 또는 세정액이 분출되는 다수의 분출홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 평판의 비접촉식 이면식각장치.
The method according to claim 1,
The non-contact backside etching apparatus of the flat plate, characterized in that the chuck is formed with a plurality of ejection holes for ejecting air or cleaning liquid.
청구항 1에 있어서,
상기 회전분사부는 상기 프로세스챔버의 중앙으로부터 외주면까지 왕복 회전운동하는 것을 특징으로 하는 평판의 비접촉식 이면식각장치.The method according to claim 1,
And said rotational injection portion reciprocates from the center of said process chamber to an outer circumferential surface thereof.
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