KR100972982B1 - Lead frame for light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반사율, 전기전도도 및 열방출 특성이 우수한 LED 패키지용 리드프레임에 관한 것으로, 상기 LED 패키지용 리드프레임은 구리(Cu) 또는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금으로 된 베이스 기재; 상기 베이스 기재의 적어도 일측면에 형성된 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층; 및 상기 니켈(Ni)층 또는 구리(Cu)층 상면에 형성된 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층을 포함하여 구성됨으로써, 열이 발생함에 따라 전기저항이 감소하여 전기전도도 및 열방출 특성이 향상되며, 고온에서도 순수 은과 동일한 반사율을 유지하거나 더욱 개선되는 효과를 가진다.The present invention relates to a lead frame for an LED package having excellent reflectance, electrical conductivity and heat dissipation characteristics, wherein the lead frame for an LED package includes a base substrate made of copper (Cu) or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy; A nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer formed on at least one side of the base substrate; And a silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer formed on an upper surface of the nickel (Ni) layer or a copper (Cu) layer, thereby reducing electrical resistance as heat is generated, thereby improving electrical conductivity and heat dissipation characteristics. It is improved, and has the effect of maintaining or further improving the same reflectance as pure silver even at high temperatures.

리드프레임, 은-알루미늄 합금 Leadframe, Silver-Aluminum Alloy

Description

ＬＥＤ 패키지용 리드프레임{LEAD FRAME FOR LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}Leadframe for LED Packages {LEAD FRAME FOR LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}

본 발명은 LED(Light Emitting Diode) 패키지용 리드프레임에 관한 것으로, 특히, 반사율, 전기전도도 및 열방출 특성이 우수한 LED 패키지용 리드프레임에 관한 것이다.The present invention relates to a lead frame for LED (Light Emitting Diode) package, and more particularly, to a lead frame for LED package excellent in reflectance, electrical conductivity and heat dissipation characteristics.

기존 LED 패키지용 리드프레임은 구리(Cu) 합금의 베이스 기재에 구리(Cu) 스트라이크(strike) 공정 후에 은(Ag) 스트라이크 공정을 거쳐 은 도금층을 순차적으로 형성하고, 은 도금층의 표면과 LED 칩(chip)이 접착되어 LED 패키지가 구성된다. The lead frame for a conventional LED package is formed on a base substrate of a copper (Cu) alloy and then sequentially formed a silver plating layer through a silver strike process after a copper strike process, and the surface of the silver plating layer and the LED chip ( chip) is bonded to form an LED package.

지금까지 LED는 휴대폰의 액정이나 키패드에 사용되어 소자의 사이즈가 작고, 열에 대하여 크게 민감하지 않아 구리 합금의 베이스 기재에 은 도금층을 형성한 리드프레임을 사용하는 것에 문제가 없었다.Until now, LEDs have been used in liquid crystals and keypads of mobile phones, so that the size of the device is small and not sensitive to heat, so there is no problem in using a lead frame in which a silver plating layer is formed on a base material of a copper alloy.

하지만, 최근에는 화합물 반도체 LED가 차세대 조명용 소자로써 그 영역을 확대해 감에 따라 소자의 사이즈가 증가하는 경향을 보이고 있으며, 이에 따라 소자의 사이즈가 커짐에 따라 열 방출에 대한 이슈(issue)가 확대되고 있다.Recently, however, the size of the device tends to increase as the compound semiconductor LED expands its area as a next-generation lighting device. As a result, the issue of heat dissipation increases as the size of the device increases. It is becoming.

즉, LED 패키지의 리드프레임위에 LED 칩이 장착되어 LED 칩에서 방출되는 빛이 리드프레임에 의해 흡수되지 않고 되도록 많은 양의 빛이 반사되는 동시에 LED 칩에서 발생되는 열을 리드프레임을 통해 외부로 전달되어야 한다. That is, the LED chip is mounted on the lead frame of the LED package so that the light emitted from the LED chip is not absorbed by the lead frame so that a large amount of light is reflected and heat generated from the LED chip is transmitted to the outside through the lead frame. Should be.

그러나, 기존의 구리 합금의 베이스 기재에 은 도금층을 형성한 리드프레임의 경우, LED에서 발생되는 빛과 열에 의하여 시간이 지남에 따라 은 도금층이 열화되어 LED 휘도가 저하되는 문제점이 있다.However, in the case of a lead frame in which a silver plating layer is formed on a base substrate of a conventional copper alloy, the silver plating layer deteriorates with time due to light and heat generated from the LED, thereby deteriorating the LED brightness.

따라서, 본 발명은 LED 동작시 발생되는 열이 효과적으로 방출되도록 하여 LED 수명을 연장시킬 수 있고, 또한, 반사율, 전기전도도 및 열방출 특성을 개선할 수 있는 LED 패키지용 리드프레임을 제공하고자 한다.Accordingly, the present invention is to provide a lead frame for the LED package that can extend the life of the LED by effectively dissipating heat generated during the operation of the LED, and also improve the reflectance, electrical conductivity and heat dissipation characteristics.

상술한 기술적 과제를 달성하기 위해, 본 발명의 일실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임은, 구리(Cu) 또는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금으로 된 베이스 기재; 상기 베이스 기재의 적어도 일측면에 형성된 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층; 및 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층 상면에 형성된 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층;을 갖는다. In order to achieve the above technical problem, an LED package lead frame according to an embodiment of the present invention, a base substrate made of copper (Cu) or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy; A nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer formed on at least one side of the base substrate; And a silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer formed on an upper surface of the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer.

특히, 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층의 두께는 100nm 이상 500nm 이하이일 수 있으며, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층의 두께는 5um 이하일 수 있으며, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 95.0 ~ 99.9 wt%의 Ag와 0.1 ~ 5.0 wt%의 Al로 구성된 합금으로 이루어질 수 있다.In particular, the thickness of the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer may be 100nm or more and 500nm or less, the thickness of the silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer may be 5um or less, and the silver (Ag)- The aluminum (Al) alloy plating layer may be formed of an alloy composed of 95.0 to 99.9 wt% Ag and 0.1 to 5.0 wt% Al.

바람직하게는, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 LED 패키지용 리드프레임의 전면에 형성되거나, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 LED 패키지의 내부에 위치하는 영역에 형성될 수 있다.Preferably, the silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer is formed on the front surface of the lead frame for the LED package, or the silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer is located in an area located inside the LED package. Can be formed.

바람직하게는, 상기 리드프레임은 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층과 상 기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층 사이에 은(Ag) 스트라이크층을 더 형성할 수 있다.Preferably, the lead frame may further form a silver strike layer between the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer and the silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer.

본 발명에 따르면, LED 패키지용 리드프레임의 적어도 일측면에 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층을 형성하고, 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층 상면에 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층을 형성함으로써, LED 패키지용 리드프레임은 열이 발생함에 따라 전기저항이 감소하여 전기전도도 및 방열특성이 향상되며, 고온에서도 순수 은과 동일한 반사율을 유지하거나 더욱 개선되는 효과를 가진다. According to the present invention, a nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer is formed on at least one side of a lead frame for an LED package, and silver (Ag) -aluminum (Al) is formed on an upper surface of the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer. ) By forming the alloy plating layer, the lead frame for the LED package is reduced in electrical resistance as heat is generated to improve the electrical conductivity and heat dissipation characteristics, and has the effect of maintaining the same reflectivity as pure silver or further improved even at high temperatures.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described embodiments of the present invention; However, embodiments of the present invention may be modified in various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. In addition, the embodiments of the present invention are provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape and size of elements in the drawings may be exaggerated for clarity.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임을 이용한 LED 패키지(100)의 단면도이다.1 is a cross-sectional view of an LED package 100 using a lead frame for an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, LED 패키지(100)는 LED 패키지 몸체(110)와 홈부를 갖는 컵(cup)부 사이에 삽입된 LED 패키지용 리드프레임(120)위의 홈부안에 실장된 반도체 발광소자(140)와, 반도체 발광소자(140)를 LED 패키지용 리드프레임(120)과 전기적으로 연결시킨 본딩 와이어(150)와, 반도체 발광소자(140)가 실장된 홈부에 채워진 투명수지(160)로 구성된다. As shown in FIG. 1, the LED package 100 is a semiconductor light emitting device mounted in a groove portion on an LED package lead frame 120 inserted between the LED package body 110 and a cup portion having a groove portion. The device 140, the bonding wire 150 electrically connecting the semiconductor light emitting device 140 to the lead frame 120 for the LED package, and the transparent resin 160 filled in the groove in which the semiconductor light emitting device 140 is mounted. It consists of.

반도체 발광소자(140)로부터 방출되는 빛은 직접 위쪽으로 방출되거나, 일부 다른 빛은 홈부에 형성된 반사면 및 LED 패키지용 리드프레임(120)에서 반사되어 방출된다.Light emitted from the semiconductor light emitting device 140 is directly emitted upward, or some other light is reflected by the reflective surface formed in the groove portion and the lead frame 120 for the LED package is emitted.

LED 패키지용 리드프레임(120)은 제1 및 제2 리드프레임(120a, 120b)이 이격되어 대향되도록 형성되며, 제1 리드프레임(120a)상에 반도체 발광소자(140)가 실장된다. 그리고, 제1 및 제2 리드프레임(120a, 120b)은 반도체 발광소자(140)의 양극 단자 및 음극 단자에 접속하기 위한 전극을 구성한다. 이러한 LED 패키지용 리드프레임(120a, 120b)에 각각 제1 및 제2 본딩 와이어(150a, 150b)가 본딩된다.The LED package leadframe 120 is formed so that the first and second leadframes 120a and 120b are spaced apart from each other and the semiconductor light emitting device 140 is mounted on the first leadframe 120a. The first and second lead frames 120a and 120b form electrodes for connecting to the positive terminal and the negative terminal of the semiconductor light emitting device 140. First and second bonding wires 150a and 150b are bonded to the lead frames 120a and 120b for the LED package, respectively.

도 2는 본 발명의 일실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임의 단면도이다.2 is a cross-sectional view of a lead frame for an LED package according to an embodiment of the present invention.

도 2에 도시된 바와 같이, LED 패키지용 리드프레임(120)은 베이스 기재(121)에 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층(122)을 형성하고, 니켈 또는 구리 도금층(122)상에 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층(123)을 형성한다. 여기서, 리드프레임을 형성하기 위한 베이스 기재로 구리 또는 철(Fe)-니켈 합금의 박판을 사용한 다.As shown in FIG. 2, the lead frame 120 for the LED package forms a nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer 122 on the base substrate 121, and the silver on the nickel or copper plating layer 122. An (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer 123 is formed. Here, a thin plate of copper or iron (Fe) -nickel alloy is used as the base substrate for forming the lead frame.

니켈 또는 구리 도금층(122)은 구리 또는 철-니켈 합금으로 된 베이스 기재(121)를 구성하는 금속이 외부 도금층으로 확산되는 것을 방지하며, 납땜시 용해되어 땜납과 혼합되고, 응고하여 납땜 지지부로서의 역할을 하며, 니켈 또는 구리 도금층(122) 상에 형성되는 은-알루미늄 합금 도금층(123)과의 접착성을 높이는 역할을 한다.The nickel or copper plating layer 122 prevents the metal constituting the base substrate 121 made of copper or iron-nickel alloy from diffusing into the outer plating layer, and is dissolved in the solder, mixed with the solder, and solidified to serve as a solder support. And to improve the adhesion to the silver-aluminum alloy plating layer 123 formed on the nickel or copper plating layer 122.

여기서, 니켈 또는 구리 도금층(122)의 두께는 100nm ~ 500nm 이하가 바람직하며, 100nm이하이면 베이스 기재(121)를 구성하는 금속이 은-알루미늄 합금 도금층(123)으로 확산되는 것을 방지하기 어려우며, 접착력이 약해지는 문제가 발생한다. Herein, the thickness of the nickel or copper plating layer 122 is preferably 100 nm to 500 nm or less, and when it is 100 nm or less, it is difficult to prevent the metal constituting the base substrate 121 from being diffused into the silver-aluminum alloy plating layer 123, and the adhesive strength. This weakening problem occurs.

은-알루미늄 합금 도금층(123)은 니켈 또는 구리 도금층(122)상에 전체 표면 또는 적어도 LED 패키지의 홈부 내부의 리드프레임 표면에 형성된다. 여기서, 은-알루미늄 합금 도금층(123)의 두께는 두꺼워질수록 제조 비용이 올라가기 때문에 얇을수록 좋다. 하지만, 1um 이하이면 열에 의하여 은-알루미늄층 내 형성되는 기공이 표면까지 올라오는 것을 방지하기 어려우며, 5um이상이면 초박형 패키지를 구현하는데 어려워진다. 따라서, 은-알루미늄 합금 도금층(123)의 두께는 1um ~ 5um이하로 형성되는 것이 바람직하다. 그리고, 은-알루미늄 합금 도금층의 조성비는 95.0 ~ 99.9 wt%의 Ag와 0.1 ~ 5.0 wt%의 Al로 구성된다.The silver-aluminum alloy plating layer 123 is formed on the nickel or copper plating layer 122 on the entire surface or at least the lead frame surface inside the groove of the LED package. Here, since the thickness of the silver-aluminum alloy plating layer 123 increases as the manufacturing cost increases, the thinner the better. However, if it is 1um or less, it is difficult to prevent the pores formed in the silver-aluminum layer from rising to the surface, and if it is 5um or more, it becomes difficult to implement an ultra-thin package. Therefore, the thickness of the silver-aluminum alloy plating layer 123 is preferably formed to be less than 1um ~ 5um. In addition, the composition ratio of the silver-aluminum alloy plating layer is composed of 95.0 to 99.9 wt% Ag and 0.1 to 5.0 wt% Al.

그리고, 은-알루미늄 합금 도금층(123)은 도금(plating), 스퍼터(sputter), 증발관(evaporator), CVD, 레이저 어블레이션 등의 일반적인 증착 방법에 따라 형 성된다.The silver-aluminum alloy plating layer 123 is formed according to a general deposition method such as plating, sputtering, evaporator, CVD, laser ablation, and the like.

이러한 은-알루미늄 합금 도금층(123)은 우수한 광 반사율을 이룰 뿐만 아니라, 그 위에 실장된 반도체 발광소자와 우수한 결합성을 가지며 높은 와이어 본딩 효율을 갖는다. The silver-aluminum alloy plating layer 123 not only achieves excellent light reflectance, but also has excellent bondability with the semiconductor light emitting device mounted thereon and has high wire bonding efficiency.

이하, 본 발명의 LED 패키지용 리드프레임(120)의 최외곽층으로 적용된 은-알루미늄 합금 도금층(123)의 특성에 대해 설명한다.Hereinafter, the characteristics of the silver-aluminum alloy plating layer 123 applied as the outermost layer of the lead frame 120 for LED package of the present invention will be described.

은-알루미늄 합금 도금층(123)은 기존 순수 은으로 도금층을 형성할 경우, 은이 열적으로 취약해 열처리시 덩어리지게 되어 광학적 및 전기적으로 취약하다는 열적 안정성 문제를 해결한다. 즉, 은-알루미늄 합금을 이용함으로써 기존 은을 이용한 경우보다, 열적, 전기적, 광학적으로 개선된다.When the silver-aluminum alloy plating layer 123 is formed of a conventional pure silver, the silver is thermally vulnerable to agglomerate during heat treatment, thereby solving the thermal stability problem of optical and electrical weakness. In other words, by using a silver-aluminum alloy, thermal, electrical, and optical improvements are achieved compared to using silver.

구체적으로 설명하면, 은-알루미늄 합금 도금층(123)을 리드프레임의 최외곽층으로 사용할 경우, 열이 발생함에 따라 전기저항이 감소하여 전기전도도가 향상된다. 또한, 고온의 열이 가해지는 경우에도, 은-알루미늄 합금 도금층(123)은 순수 은의 반사율과 같거나 그 이상의 반사율을 가진다. 즉, 순수 은은 열적으로 매우 취약하기 때문에, 고온의 열이 가해지면 심하게 덩어리져 반사층으로써의 역할을 수행하지 못하여 반사율이 떨어지게 된다. 하지만, 은-알루미늄 합금 도금층(123)은 고온의 열이 가해지면 하부 도금층과 접착력이 좋아지고, 열적으로 안정하기 때문에 반사율 또한 좋아진다. Specifically, when the silver-aluminum alloy plating layer 123 is used as the outermost layer of the lead frame, the electrical resistance decreases as heat is generated, thereby improving electrical conductivity. In addition, even when high temperature heat is applied, the silver-aluminum alloy plating layer 123 has a reflectance equal to or higher than that of pure silver. That is, since pure silver is very fragile thermally, when high temperature heat is applied, the pure silver is severely agglomerated and thus does not function as a reflective layer, thereby decreasing the reflectance. However, the silver-aluminum alloy plating layer 123 has good adhesion with the lower plating layer when high temperature heat is applied thereto, and thus the reflectance is also improved.

따라서, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임(120)은 최 외곽층으로 은-알루미늄 합금 도금층(123)을 형성함으로써, 열이 증가함에 따라 열방출 특성, 반사율 및 전기전도도가 더욱 향상된다. Therefore, the lead frame 120 for an LED package according to an embodiment of the present invention forms the silver-aluminum alloy plating layer 123 as the outermost layer, and thus heat dissipation characteristics, reflectance and electrical conductivity are further increased as heat is increased. Is improved.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 LED 패키지용 리드프레임의 단면도를 나타낸 것이다. 여기서, 도2의 베이스 기재(121), 니켈 또는 구리 도금층(122) 및 은-알루미늄 합금 도금층(123)과 도 3에서 설명된 베이스 기재(210), 니켈 또는 구리 도금층(220) 및 은-알루미늄 합금 도금층(240)은 동일한 구성이며, 중복되는 설명은 생략한다.Figure 3 shows a cross-sectional view of a lead frame for an LED package according to another embodiment of the present invention. Here, the base substrate 121, nickel or copper plating layer 122 and the silver-aluminum alloy plating layer 123 of FIG. 2, and the base substrate 210, nickel or copper plating layer 220 and silver-aluminum described in FIG. The alloy plating layer 240 has the same configuration, and overlapping description is omitted.

도 3에 도시된 바와 같이, LED 패키지용 리드프레임(200)은 베이스 기재(210)에 니켈 또는 구리 도금층(220)을 형성하고, 니켈 또는 구리 도금층(220)상에 은 스트라이크(strike)층(230)을 형성하고, 은 스트라이크층(230) 상에 은-알루미늄 합금 도금층(123)을 형성한다. As shown in FIG. 3, the lead frame 200 for the LED package forms a nickel or copper plating layer 220 on the base substrate 210, and a silver strike layer on the nickel or copper plating layer 220. 230, and a silver-aluminum alloy plating layer 123 is formed on the silver strike layer 230.

본 발명은 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.It is intended that the invention not be limited by the foregoing embodiments and the accompanying drawings, but rather by the claims appended hereto. It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임을 이용한 LED 패키지의 단면도,1 is a cross-sectional view of an LED package using a lead frame for an LED package according to an embodiment of the present invention,

도 2는 본 발명의 일실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임의 단면도, 그리고,2 is a cross-sectional view of a lead frame for an LED package according to an embodiment of the present invention, and

도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 LED 패키지용 리드프레임의 단면도이다.3 is a cross-sectional view of a lead frame for an LED package according to another embodiment of the present invention.

Claims (7)

구리(Cu) 또는 철(Fe)-니켈(Ni) 합금으로 된 베이스 기재;A base substrate made of copper (Cu) or iron (Fe) -nickel (Ni) alloy; 상기 베이스 기재의 적어도 일측면에 형성된 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층; 및 A nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer formed on at least one side of the base substrate; And 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층 상면에 형성된 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층;을 갖는 LED 패키지용 리드프레임.And a silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer formed on an upper surface of the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층의 두께는 100nm 이상 500nm 이하인 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer has a thickness of the LED package lead frame, characterized in that less than 100nm. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층의 두께는 1um 이상 5um 이하인 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer has a thickness of 1um or more, 5um or less lead package for the LED package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 95.0 ~ 99.9 wt%의 Ag와 0.1 ~ 5.0 wt%의 Al로 구성된 합금인 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer is a lead frame for an LED package, characterized in that the alloy consisting of 95.0 to 99.9 wt% Ag and 0.1 to 5.0 wt% Al. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 LED 패키지용 리드프레임의 전면에 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer is formed on the front of the lead frame for the LED package lead frame for the LED package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층은 LED 패키지의 내부에 위치하는 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The silver (Ag) -aluminum (Al) alloy plating layer is a lead frame for an LED package, characterized in that formed in the region located inside the LED package. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드프레임은 상기 니켈(Ni) 또는 구리(Cu) 도금층과 상기 은(Ag)-알루미늄(Al) 합금 도금층 사이에 은(Ag) 스트라이크층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 LED 패키지용 리드프레임.The lead frame is a lead frame for a LED package, characterized in that a silver (Ag) strike layer is further formed between the nickel (Ni) or copper (Cu) plating layer and the silver (Ag)-aluminum (Al) alloy plating layer.
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