KR100972135B1 - 나노패턴이 형성된 ｌｅｄ용 확산렌즈의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, LED를 감싸도록 조명등기판에 설치되어 상기 LED에서 방출되는 빛을 확산시키는 LED용 확산렌즈에 있어서, LED에서 방출되는 빛이 입사되는 내측면에 제1 나노패턴이 형성되어지고, 상기 입사된 빛을 확산시켜 방출하는 외측면에 제2 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈와, a) 확산렌즈의 내측면에 대응하는 사출면에 나노크기의 사출패턴홀이 형성된 스템퍼(Stamper)를 이용하여 상기 사출패턴홀에 대응하는 제1 나노패턴이 내측면에 형성된 확산렌즈를 사출성형하는 단계와, b) 확산렌즈의 외측면에 대응하는 나노패턴홀이 형성된 마스터패널을 이용하여 상기 사출성형된 확산렌즈의 외측면에 상기 나노패턴홀에 대응하는 제2 나노패턴을 형성하는 단계를 포함하는 LED용 확산렌즈의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 확산렌즈를 이용하여 LED의 개수를 최소화하여 발열량을 최소화하면서도, 원하는 휘도를 얻을 수 있는 LED조명등의 제작이 가능하도록 한 것이다.

LED, 확산렌즈, 나노패턴, 나노패턴홀, 사출패턴홀, 스템퍼, 마스터패널

Description

나노패턴이 형성된 ＬＥＤ용 확산렌즈의 제조방법{Method for manufacturing diffusion lens forming a nano pattern for LED lamp}

본 발명은 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 LED 조명등에 사용되는 LED용 확산렌즈의 내측면 및 외측면에 나노패턴을 형성하여, 확산렌즈의 투과율을 향상시킴으로써, LED 및 조명등에서 방출되는 빛의 휘도를 향상시킬 수 있도록 하고, 그에 따라 LED의 개수를 최소화하여 발열량을 최소화하면서도, 원하는 휘도를 얻을 수 있는 LED조명등의 제작이 가능하도록 한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 조명등은 실내공간이나 도로, 건물 등에 설치하여 원하는 곳을 조명하기 위해 사용되는 것으로, 주로 형광등, 백열등, 네온등 등이 있으며, 이러한 조명등은 대부분이 유리관 안에 특정 색의 빛을 방출하는 가스를 주입하여 사용하는 가스방전방식으로 제작된다.

그러나, 이러한 가스방전방식의 조명등은 수명이 짧으며, 특히 네온등의 경우 소비전력이 매우 크기 때문에 별도의 전력선을 설치해야 하고, 소손 등으로 인하여 내부의 가스가 유출될 경우 대기 오염 등을 유발하는 문제점이 있다.

최근에는, 상기한 가스방전방식의 조명등의 문제점을 해결하고자, 제품의 수명이 길고 전기 소모량이 적은 장점을 갖는 LED(Light Emitting Diode)를 이용한 조명등이 개발되고 있다.

LED는 P형과 N형 반도체의 접합구조를 가지고, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭(Banddgap)에 해당하는 에너지의 빛을 방출하는 광전자 소자이며, 반응시간이 일반전구에 비하여 빠르고, 소비전력이 20%수준으로 낮아 고효율의 조명수단을 포함하여 다방면에 활용되고 있다.

상기와 같은 장점에도 불구하고, LED조명등은 가스방전방식의 조명등에 비하여 휘도가 낮기 때문에, 다양한 조명조건에 대하여 충분히 활용되지 못하는 한계가 있다.

이를 보완하기 위하여, 다수의 고휘도 LED 또는 파워 LED를 기판에 조립한 모듈을 광원으로 활용하고 있다.

그러나, LED의 개수가 증가되면 조명등의 내부온도가 상승하게 되며, 이로 인하여, 반도체 소자의 특성을 갖는 LED의 수명이 저하되는 문제점이 있다. 예를 들어, 조명등의 내부온도가 30도 이상으로 상승하면 수명이 약 1/10로 감소한다.

이를 위하여, LED 자체에서 발생하는 열을 냉각하기 위한 냉각수단을 별도로 구비하는 방법이 제시되고 있으나, 이러한 냉각수단으로 인해 조명등의 구성이 복잡해짐은 물론, 냉각수단의 고장에 의해 조명등이 파손되는 등의 문제점을 가지고 있다.

따라서, LED의 개수를 최소화하면서도, 원하는 휘도를 얻을 수 있는 조명등 의 개발이 요구되고 있다.

본 발명은 상기와 같은 요구에 의해 안출된 것으로, LED에서 방출되는 빛을 확산시키는 확산렌즈의 투과율을 향상시킴으로써, LED에서 방출되는 빛이 확산렌즈에 반사 및 흡수되지 않고 외부로 방출되도록 하여 휘도를 향상시킬 수 있도록 한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

따라서, 본 발명은 LED 조명등에 대하여, 사용되는 LED의 개수를 최소화하여 발열량을 최소화하면서도, 원하는 휘도를 얻을 수 있는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법을 제공하는데 목적이 있다.

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상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법은, a) 확산렌즈의 내측면에 대응하는 사출면에 나노크기의 사출패턴홀이 형성된 스템퍼(Stamper)를 이용하여 상기 사출패턴홀에 대응하는 제1 나노패턴이 내측면에 형성된 확산렌즈를 사출성형하는 단계와, b) 확산렌즈의 외측면에 대응하는 나노패턴홀이 형성된 마스터패널을 이용하여 상기 사출성형된 확산렌즈의 외측면에 상기 나노패턴홀에 대응하는 제2 나노패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

특히, 상기 단계 b)는, b-1) 상기 확산렌즈의 외측면에 상기 마스터패널의 나노패턴홀이 가압되도록 하여, 상기 마스터패널의 나노패턴홀에 대응하는 제2 나노패턴을 상기 확산렌즈의 외측면에 형성하는 과정과, b-2) 상기 제2 나노패턴이 형성된 보호패널층으로부터 마스터패널을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는, 상기 마스터패널은 실리콘의 기재층과, 상기 기재층에 증착되어 상기 나노패턴홀이 형성되는 알루미늄의 패턴홀형성층으로 이루어지며, 상기 과정 b-2)는, TMAH(Tetra Methyl Ammonia Hydroxide) 또는 HNA(HF+HN03+Acetic Acid)로 에칭(Etching)하여 마스터패널을 제거하는 것을 특징으로 한다.

그리고, 상기 마스터패널은, 기재층에 알루미늄층을 증착한 후, 자연적산화로 인해 발생된 산화알루미늄층을 에칭으로 제거하여 패턴홀형성층을 형성하는 것을 특징으로 한다.

특히, 상기 마스터패널은, 상기 패턴홀형성층을 강제적으로 산화시켜 산화알루미늄층을 형성하고, 상기 강제적으로 형성된 산화알루미늄층을 제거하여 나노패턴홀을 형성하는 것을 특징으로 한다.

바람직하게는 상기 마스터패널은, AAO(Anodic Aluminum Oxide) 공정으로 상기 패턴홀형성층을 강제적으로 산화시키는 것을 특징으로 한다.

상기와 같은 해결수단에 의해, 본 발명은 LED 조명등에 사용되는 LED용 확산렌즈의 내측면 및 외측면에 나노패턴을 형성하여, LED에서 방출되는 빛에 대한 확산렌즈의 반사율 및 흡수율을 낮추고, 투과율을 향상시킴으로써, 확산렌즈에서 손실되는 광량을 최소화할 수 있는 것이다.

따라서, LED 조명등에 사용되는 LED의 개수를 증가시키지 않으면서도, LED 조명등의 휘도를 향상시킬 수 있어, 동일한 휘도를 갖는 LED 조명등에서는 전력소모를 최소화 할 수 있고, 동일한 개수의 LED를 갖는 조명등에서는 휘도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

더욱이, LED 자체를 조명수단으로 사용하거나, LED가 내장된 조명등을 사용하는 경우 등에 대하여, 동일한 휘도 향상의 효과를 얻을 수 있도록 하는 등, 다양한 목적에 부합할 수 있도록 적용범위에 대한 확장성을 향상시킴으로써, LED 조명등 분야에서의 제품경쟁력을 향상시키는 장점이 있다.

본 발명에 따른 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈 및 그 제조방법에 대한 예는 다양하게 적용할 수 있으며, 이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 가장 바람직한 실시 예에 대해 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈가 설치된 조명등의 예를 나타낸 구성도로서, 일측으로 개방된 케이스(10)의 내측면에 다수의 LED(30)가 구비된 기판(20)이 설치되고, 상기 케이스(10)의 개방부에 투명재질의 보호패널(50)이 설치된다.

여기서, 상기 기판(20)에 외부전원이 공급되는 방법 및 구성은 당업자의 요구에 따라 다양한 변형이 가능하므로, 특정한 것에 한정하지 않음은 당연하다. 또한, 기판(20)에 설치된 LED(30)의 발광색상 및 발광제어방법 등에 대해서도 다양한 변형이 가능함은 물론이다.

그리고, LED(30)에 전원이 공급되어 빛을 방출하게 되면, 열이 발생되는 바, 상기와 같이 발생되는 열은 케이스(10)의 외부에 형성된 방열판(11)을 통해 방출된다.

한편, LED(30)는 전기에너지를 빛으로 전환하여 방출하는 전자소자이며, 방출되는 빛의 대부분은 직진성을 가지게 된다.

조명등(A)을 설치하는 목적은, 조명등(A)이 설치된 지역의 일정범위를 비추기 위한 것인 바, 상기와 같이 LED(30)에서 방출되는 빛이 직진성을 가지게 되면, 비추는 지역이 협소해지게 된다.

따라서, 본 발명에 의한 LED(30)를 이용한 조명등(A)에서는, 도 1에 나타난 바와 같이 LED(30)에서 방출된 빛이 일정한 각도로 확산될 수 있도록 확산렌즈(40) 를 구비하게 된다.

한편, 도 4의 (a)에 나타난 바와 같이, 양측면이 매끄러운 확산렌즈(4)의 경우, LED(30)에서 발생되는 빛의 일부가 확산렌즈(4)의 내측면(4a) 및 외측면(4b)에서 반사되기 때문에, 확산렌즈(4)를 통과하여 방출되는 빛은 LED(30)에서 발생되는 빛보다 휘도가 낮아지게 된다.

따라서, 본 발명에서는 상기와 같은 휘도의 저하를 방지하기 위하여, 도 1에 나타난 바와 같이, 확산렌즈(40)의 내측면 및 외측면에 각각 제1 나노패턴(41) 및 제2 나노패턴(42)을 형성한다.

상기와 같이, 확산렌즈(40)에 제1 나노패턴(41) 및 제2 나노패턴(42)이 형성되면, 도 4의 (b)에 나타난 바와 같이, LED(30)에서 발생되는 빛이 확산렌즈(40)의 양측면에서 난반사가 이루어지도록 함으로써, LED(30)에서 발생되는 빛에 대한, 확산렌즈(40)를 통과하여 방출되는 빛의 휘도저하를 최소화할 수 있게 된다.

이상에서 설명된 제1 나노패턴(41) 및 제2 나노패턴(42)은, 나노크기의 패턴을 총칭하는 것으로써, 패턴을 이루는 각각의 홀 또는 돌기는 각 패턴이 형성되는 면에 대하여 법선방향으로 형성되며, 그 지름 및 크기는 50~100nm, 깊이 및 높이는 100~400nm로 형성되며, 단면은 원형 또는 다각형 등으로 형성될 수 있다.

한편, 상기와 같은 확산렌즈(40)의 양측면에 나노패턴을 형성함에 있어, 양측면의 나노패턴을 모두 사출성형으로 형성할 경우, 외측면의 나노패턴 형성이 어려워 불량률이 높아지게 되며, 양측면을 모두 임프린팅하게 될 경우, 내측면의 곡면에 인프링팅하는 것에 어려움이 있어 생산성이 저하되는 문제점이 있다.

따라서, 본 발명에 의한 확산렌즈(40)의 제조에 대한 신뢰성 및 생산성을 향상시키기 위하여, 본 발명에 의한 확산렌즈(40)의 내측면에 형성되는 제1 나노패턴(41)은 도 2에 나타난 바와 같이 사출성형으로 형성하고, 확산렌즈(40)의 외측면에 형성되는 제2 나노패턴(42)은 도 3에 나타난 바와 같이 임프린팅(Imprinting)으로 형성함이 바람직하다.

이하에서는, 도 2 및 도3을 참조하여, 상기와 같은 제1 나노패턴(41) 및 제2 나노패턴(42)이 형성된 확산렌즈(40)의 제조방법을 살펴보기로 한다.

먼저, 확산렌즈(40)의 내측면에 대응하는 사출면(도 2에서는 반구형 면)에 도 7에 나타난 바와 같은 나노크기의 사출패턴홀(61a)이 형성된 스템퍼(Stamper, 61)와, 확산렌즈(40)의 외측면에 대응하는 사출면을 갖는 커버(62)를 결합하여, 확산렌즈(40)를 사출성형하기 위한 금형(60)을 제작한다.

상기와 같이 금형(60)의 제작이 완료되면, 상기 금형(60)내의 공간에 확산렌즈(40)의 재료가 되는 투명수지재를 주입하여 경화시킨 후, 상기 스템퍼(61) 및 커버(62)를 제거함으로써, 내측면에 도 8에 나타난 바와 같은 제1 나노패턴(41)이 형성된 확산렌즈(40)를 제작한다.

이후, 상기와 같이 제작된 확산렌즈(40)의 외측면에 대응하는 대응면에 도 7에 나타난 바와 같은 나노패턴홀(71)이 형성된 마스터패널(70)을 이용하여 상기 사출성형된 확산렌즈(40)의 외측면에 상기 나노패턴홀(71)에 대응하여 도 8에 나타난 바와 같은 제2 나노패턴(42)을 형성한다.

한편, 상기와 같이 제2 나노패턴(42)을 형성하기 위한 마스터패널(70)의 제 작과정을 살펴보면, 도 5에 나타난 바와 같다.

먼저, 실리콘 웨이퍼(Wafer)인 기재층을 형성한 후(S110), 상기 기재층의 상부면에 스퍼터링(Sputtering) 공정으로 알루미늄의 패턴층(120)을 형성한다(S120).

이와 같이 실리콘소재의 기재층 상부로 알루미늄이 스퍼터링되도록 하는 스퍼터링 공정을 이용하는 것은, 스퍼터링 공정으로 고른 알루미늄층을 형성하여 고른 밀집도에 의하여 양호한 상태의 나노패턴홀이 형성되도록 함으로써, 보호패널의 광학적특성이 저하되는 것을 방지하기 위한 것이다.

또한, 상기와 같이 스퍼터링 공정으로 기재층에 패턴층을 형성하는 경우, 패턴을 형성하기 위하여 상부면을 고르게 할 필요가 있다.

이를 위하여, 상기 알루미늄의 패턴층의 상부면이 전해연마 작업을 통하여 연마되도록 한다.

이러한 전해 연마 과정, 그리고 이후의 에칭 과정에서 사용되는 시스템 및 방법은 일반적으로 알려진 것을 사용할 수 있으며, 약품 및 전압 등 조건을 아래와 같이 구비될 수 있다.

상기와 같은 전해연마작업에 이용되는 전해액은, 과염소산(HClO4) : 에탄올(C2H5OH) = 1 : 4의 비율로 구성되며, 전해연마작업에서 사용되는 전압은 5 ~ 10 V, 음극과 양극의 거리는 5 ~ 10cm, 반응온도는 7 ~ 10℃로 하여 수행한다.

그리고, 전해연마작업이 이루어지는 수조내의 반응 온도를 유지하기 위하여 마그네틱 바를 이용하여 교반 작업을 수행할 수도 있다.

한편, 상기 전해연마작업에 의하여 상기 알루미늄층의 상부에 형성된 산화된 산화알루미늄층이 생성되기 때문에, 알루미늄의 패턴층을 형성하고(S121), 전해연마작업이 완료되면 패턴층 상부에 형성된 산화알루미늄층을 에칭(Etching)하여 제거한다(S122).

이때의 전해액은 크롬산이 약 1.8 중량부, 인산이 약 6 중량부로 포함되도록 하여 구비되며, 에칭작업의 온도는 60 ~ 70℃로 하여 50 ~ 70분간 진행한다.

이후, 기재층에 산화알루미늄이 제거된 알루미늄의 패턴층이 남게 되면, AAO(Anodic Aluminum Oxide, 양극산화)공정을 수행하여(S131), 패턴층의 상부를 산화시키면서 중심부분에 나노패턴홀을 형성한다.

여기서, 양극산화과정은 일반적인 양극산화시스템을 이용하여 진행할 수도 있다.

이러한 양극산화과정의 좀더 구체적으로 살펴보면, 수산(Oxalic acid), 황산, 인산 등이 포함되어 구비될 수 있는 전해질을 이용할 수 있다.

예를 들어, 전해질이 수산(옥살산)인 경우, 그 농도는 0.04 ~ 0.3 M, 반응온도는 4 ~ 7 ℃, 반응 전압은 55 ~ 100 V, 반응 시간은 2 ~ 20 분으로 함이 바람직하다.

상기와 같은 방법에 의해, 알루미늄의 패턴층에 대략 500 ~ 600 nm 정도의 두께가 되도록 산화알루미늄층을 형성하며, 이러한 과정으로 생성되는 나노패턴홀의 크기는 50 ~ 100 nm가 되고, 깊이는 100 ~ 400 nm가 된다.

특히, 상기 양극산화단계(S131)는, 옥살산(C2H2O4)으로 되는 전해질 내에 백금의 음극이 구비될 수 있고, 상기 알루미늄의 패턴층을 양극으로 하여, 음극과 양 극 사이가 5 ~ 10 cm가 되고 4 ~ 7 ℃로 되도록 음극이 구비되면, 55 ~ 100V의 전압을 1 ~ 5분 동안 인가하여 나노패턴홀을 형성한다.

상기한 양극산화과정에 의해 형성된 양극산화알루미늄층(123)을 에칭에 의하여 제거하면(S132), 도 3에 나타난 바와 같이 나노패턴홀(71)이 형성되어(S130) 마스터패널(70)의 제작이 완료된다.

여기서, 상기 나노에칭에 사용되는 용액으로는, 크롬산이 약 1.8 중량부, 인산이 약 6중량부가 포함되도록 구비되며, 나노에칭과정은 60 ~ 70℃의 온도에서 50 ~ 70분간 수행된다.

한편, 상기와 같은 과정으로 제작된 마스터패널(70)을 이용하여 임프린팅을 수행하는 과정(S200)은 다음과 같다.

도 3에 나타난 바와, 상기 과정에 의해 제작된 마스터패널(70)을 투명재질의 확산렌즈(40)의 일측(도 3에서는 상부측)에 위치시키고, 열과 압력을 가하는 핫엠보싱(Hot embossing) 공정을 수행한다(S210).

여기서, 상기 확산렌즈(40)는 PMMA(Poly Methyl Meta Acrylate), PC(Poly Carbonate), COC(Cyclic Olefin Polymer) 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.

이때, 핫엠보싱공정(S210)은 유리전이온도가 110 ~ 170℃이므로, 가압력은 3 ~ 7kN이 되도록 한다.

예를 들어, PMMA로 이루어진 확산렌즈(40)의 경우, 전이온도가 약 106℃이므로, 핫엠보싱 공정에서의 가열온도는 약 110℃, 가압력은 약 3kN로 한다.

또한, PC로 이루어진 확산렌즈(40)의 경우에는 전이온도가 약 155℃이므로, 핫엠보싱 공정에서의 가열온도는 약 160℃, 가압력은 약 5kN로 한다.

또한, COC로 이루어진 확산렌즈(40)의 경우에는 전이온도가 약 160℃이므로, 핫엠보싱 공정에서의 가열온도는 약 170℃, 가압력은 약 7kN로 한다.

이와 같은 상기 핫엠보싱공정(S210)에 의하여, 상기 확산렌즈(40)의 외측면에, 마스터패널(70)의 나노패턴홀(71)에 대응하는 제2 나노패턴(42)을 형성한다(S220).

한편, 제2 나노패턴(42)이 형성되는 과정에서는 마스터패널(70)과 확산렌즈(40)가 일체화된 상태이므로, 상기 마스터패널(70)을 제거해야 할 필요가 있다.

이를 위하여, 실리콘으로 이루어진 기재층과 알루미늄의 패턴층으로 구성된 마스터패널(70)을 제거하기 위한 에칭공정을 수행한다(S230).

여기서 사용되는 에칭용액은 80℃의 TMAH(Tetra Methyl Ammonia Hydroxide) 또는 상온의 HNA(HF+FNO3+Acetic Acid)를 사용함이 바람직하다.

상기와 같은 에칭공정을 완료함으로써(S230), 도 3에 나타난 바와 같이 본 발명에 의한 내측면에 제1 나노패턴(41)이 형성되고 외측면에 제2 나노패턴(42)이 형성된 LED용 확산렌즈(40)를 제작할 수 있는 것이다.

또한, 상기와 같은 본 발명에 의한 확산렌즈(40)는, LED(30)와 별도로 제작되어 조명등 제작시 설치될 수 있으며, LED(30)와 일체로 구성되어 사용될 수도 있음은 당연하다.

이상에서 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈 및 그 제조방법 에 대하여 설명하였다. 이러한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며, 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 전술한 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지는 것이므로, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

도 1은 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈가 설치된 조명등의 예를 나타낸 구성도이다.

도 2 및 도 3은 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조과정의 예를 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 투과율 향상을 설명하기 위한 도면이다.

도 5는 도 3에 나타난 마스터패널을 제작하는 방법의 예를 설명하기 위한 도면이다.

도 6은 도 3에 나타난 마스터패널을 이용하여 본 발명에 의한 확산렌즈의 외측면에 나노패턴을 형성하는 방법의 예를 설명하기 위한 도면이다.

도 7은 도 2에 나타난 스템퍼 및 도 3에 나타난 마스터패널의 표면을 확대한 사진이다.

도 8은 본 발명에 의한 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 표면을 확대한 사진이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

10 : 케이스 11 : 방열판

20 : 기판 30 : LED

40 : 확산렌즈 41 : 제1 나노패턴

42 : 제2 나노패턴 50 : 보호패널

60 : 금형 61 : 스템퍼

70 : 마스터패널

Claims (10)

1. 삭제
2. 삭제
3. 삭제
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5. a) 확산렌즈의 내측면에 대응하는 사출면에 나노크기의 사출패턴홀이 형성된 스템퍼(Stamper)를 이용하여 상기 사출패턴홀에 대응하는 제1 나노패턴이 내측면에 형성된 확산렌즈를 사출성형하는 단계와,

   b) 확산렌즈의 외측면에 대응하는 대응면에 나노패턴홀이 형성된 마스터패널을 이용하여 상기 사출성형된 확산렌즈의 외측면에 상기 나노패턴홀에 대응하는 제2 나노패턴을 형성하는 단계를 포함하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 단계 b)는,

   b-1) 상기 확산렌즈의 외측면에 상기 마스터패널의 나노패턴홀이 가압되도록 하여, 상기 마스터패널의 나노패턴홀에 대응하는 제2 나노패턴을 상기 확산렌즈의 외측면에 형성하는 과정과,

   b-2) 상기 제2 나노패턴이 형성된 보호패널층으로부터 마스터패널을 제거하는 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.
7. 제 6항에 있어서,

   상기 마스터패널은 실리콘의 기재층과, 상기 기재층에 증착되어 상기 나노패턴홀이 형성되는 알루미늄의 패턴홀형성층으로 이루어지며,

   상기 과정 b-2)는,

   TMAH(Tetra Methyl Ammonia Hydroxide) 또는 HNA(HF+HN03+Acetic Acid)로 에칭(Etching)하여 마스터패널을 제거하는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.
8. 제 7항에 있어서,

   상기 마스터패널은,

   기재층에 알루미늄층을 증착한 후, 자연적산화로 인해 발생된 산화알루미늄층을 에칭으로 제거하여 패턴홀형성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.
9. 제 8항에 있어서,

   상기 마스터패널은,

   상기 패턴홀형성층을 강제적으로 산화시켜 산화알루미늄층을 형성하고, 상기 강제적으로 형성된 산화알루미늄층을 제거하여 나노패턴홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.
10. 제 9항에 있어서,

    상기 마스터패널은,

    AAO(Anodic Aluminum Oxide) 공정으로 상기 패턴홀형성층을 강제적으로 산화시키는 것을 특징으로 하는 나노패턴이 형성된 LED용 확산렌즈의 제조방법.

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