KR100968886B1 - Organic Light Emitting Diodes Display - Google Patents

Organic Light Emitting Diodes Display Download PDF

Info

Publication number
KR100968886B1
KR100968886B1 KR1020080100439A KR20080100439A KR100968886B1 KR 100968886 B1 KR100968886 B1 KR 100968886B1 KR 1020080100439 A KR1020080100439 A KR 1020080100439A KR 20080100439 A KR20080100439 A KR 20080100439A KR 100968886 B1 KR100968886 B1 KR 100968886B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
electrode
color
light emitting
organic light
Prior art date
Application number
KR1020080100439A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100041314A (en
Inventor
추혜용
이정익
이종희
황치선
Original Assignee
한국전자통신연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국전자통신연구원 filed Critical 한국전자통신연구원
Priority to KR1020080100439A priority Critical patent/KR100968886B1/en
Publication of KR20100041314A publication Critical patent/KR20100041314A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100968886B1 publication Critical patent/KR100968886B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321After treatment
    • H01L21/32115Planarisation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/468Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
    • H10K10/474Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
    • H10K10/476Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 백색 유기발광 다이오드(OLED)와 컬러 필터로 구현하는 색재현율이 개선된 풀 컬러 OLED 디스플레이에 관한 것이다. 본 발명에 따른 풀 컬러 OLED 디스플레이는 백색 유기발광 다이오드와 컬러 필터를 포함하되, 컬러 필터 하부에 해당 화소 컬러의 방출을 최대로 만들 수 있는 광학적 공진 두께 또는 굴절률을 갖도록 형성된 공진 제어층을 포함한다.The present invention relates to a full color OLED display with improved color gamut realized by a white organic light emitting diode (OLED) and a color filter. The full color OLED display according to the present invention includes a white organic light emitting diode and a color filter, but includes a resonance control layer formed under the color filter to have an optical resonance thickness or refractive index that can maximize the emission of the pixel color.

본 발명은 컬러 필터에 공진 제어층을 형성함으로써, 높은 색재현율을 확보할 수 있으면서, 동시에 OLED 공정에 영향을 미치지 않으면서, 컬러를 제어할 수 있어, 대면적 제조 및 양산성이 우수하다는 장점을 갖는다.According to the present invention, by forming a resonance control layer on the color filter, it is possible to secure a high color reproducibility and at the same time control the color without affecting the OLED process. Have

백색 OLED, 컬러 필터, 색재현율 White OLED, color filter, color gamut

Description

유기발광 다이오드 디스플레이{Organic Light Emitting Diodes Display}Organic Light Emitting Diodes Display

본 발명은 백색 유기발광 다이오드(OLED)와 컬러 필터로 구현하는 색재현율이 개선된 풀 컬러 OLED 디스플레이에 관한 것이다.The present invention relates to a full color OLED display with improved color gamut realized by a white organic light emitting diode (OLED) and a color filter.

본 발명은 지식경제부 및 정보통신연구진흥원의 IT 원천 사업의 일환으로 수행한 과제로부터 도출된 것이다[과제번호: 2006-S-079-03, 과제명: 투명전자소자를 이용한 스마트창].The present invention is derived from a task performed as a part of the IT source project of the Ministry of Knowledge Economy and ICT Research Project [Task No .: 2006-S-079-03, Task name: Smart window using a transparent electronic device].

차세대 디스플레이의 하나로 능동형-유기발광 다이오드(Active Matrix - Organic Light Emitting Diodes, AM-OLED) 디스플레이에 대한 관심이 고조되면서 기술개발을 위한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 특히 AM-OLED 디스플레이의 빠른 응답속도와 박막형의 장점을 이용한 대면적 디스플레이 개발을 위한 노력이 이루어지고 있다. 대면적 OLED 디스플레이의 풀컬러화를 위한 방법으로 백색 OLED와 컬러 필터를 이용한 방법이 생산 기술의 하나로 연구되고 있다.As one of the next-generation displays, interest in Active Matrix-Organic Light Emitting Diodes (AM-OLED) displays is increasing, and research for technology development is being actively conducted. In particular, efforts are being made to develop large-area displays using the fast response speed of AM-OLED displays and the advantages of thin films. As a method for full colorization of large-area OLED displays, a method using white OLED and color filters is being studied as one of production technologies.

백색 OLED와 컬러 필터를 이용한 AM-OLED 디스플레이는 도 1a에 나타낸 바와 같은 기판의 하부로 빛을 방출(Bottom emission) 하는 구조 및 도 1b에 나타낸 바와 같은 기판의 상부로 빛을 방출(Top emission) 하는 구조로 제작된다.The AM-OLED display using a white OLED and a color filter has a structure that emits light to the bottom of the substrate as shown in FIG. 1A and a top emission to the top of the substrate as shown in FIG. 1B. Made of structure.

도 1a에 나타낸 하부 방출 구조는 TFT 백-플랜 상부에 컬러 필터를 형성하고 그 상부에 (+) 전극과 (-) 전극 사이에 백색 광을 방출하는 유기 소재를 적층하여 형성하고 봉지하는 순으로 이루어진다. 도 1b에 나타낸 상부 방출 구조는 TFT 백-플랜 상부에 (+) 전극과 (-) 전극 사이에 백색 광을 방출하는 유기 소재를 적층하여 형성하고, 그 상부에 컬러 필터를 형성하여 패널이 제작된다. The bottom emission structure shown in FIG. 1A is formed by forming a color filter on the TFT back-plan and stacking and encapsulating an organic material emitting white light between the (+) and (-) electrodes on the top. . The upper emitting structure shown in FIG. 1B is formed by stacking an organic material emitting white light between a (+) electrode and a (-) electrode on a TFT back-plan, and forming a color filter on the top of the panel. .

그러나, 이상의 방법으로 제작되는 AM-OLED 디스플레이의 색재현율이 60~70%를 넘지 못하여 천연색 구현이 가능해야 하는 TV 등의 다양한 응용이 어려우며 LCD 디스플레이와의 경쟁에서 약점으로 작용한다.However, the color reproducibility of AM-OLED displays manufactured by the above method does not exceed 60 ~ 70%, which makes it difficult to apply various applications such as TVs that should be able to realize natural colors, and it is a weak point in competition with LCD displays.

이러한 문제점을 해소하기 위한 한 방법으로 M. Kashivabara는 SID 04 Digest 29, 5L 1017, 2005.5에서 "Advanced AM-OLED Display Based on White Emitter with Microcavity Sturcture"의 제목으로 논문을 실었으며, 이 문헌에는 백색 OLED 기반 OLED 디스플레이의 색재현율을 향상시킬 목적으로 도 2a에 제시된 바와 같이 반사형 애노드의 상부에 투명 전극을 형성하고 각 컬러별 투명전극의 두께를 조절하여 OLED의 광학적 공진을 도출하는 것을 제안하고 있다. 본 문헌에 제시된 OLED 디스플레이의 색재현율은 도 2b에 보여지는 바와 같이 우수하다. 그러나, 이 경우, 투명전극의 두께를 조절하는 과정에서 OLED 공정에 영향을 미칠 수 있어 양산하는 경우 공정 재현성이 떨어진다는 문제점을 갖는다.As a way to solve this problem, M. Kashivabara published a paper titled "Advanced AM-OLED Display Based on White Emitter with Microcavity Sturcture" at SID 04 Digest 29, 5L 1017, 2005.5. For the purpose of improving the color reproducibility of the base OLED display, as shown in FIG. 2A, a transparent electrode is formed on the reflective anode and a thickness of each transparent electrode is controlled to derive the optical resonance of the OLED. The color gamut of the OLED displays presented in this document is excellent as shown in FIG. 2B. However, in this case, the OLED process may be affected in the process of adjusting the thickness of the transparent electrode, and thus, when mass produced, the process reproducibility is deteriorated.

또 다른 방법으로, 백색 OLED의 발광특성을 적색, 녹색, 청색의 특성을 갖는 삼파장 백색 특성을 도출할 수 있도록 제작하는 방법이 제시되었으나, 이 방법은 유기소재 및 소자 구조상의 한계가 있다.As another method, a method of fabricating a light emission characteristic of a white OLED to derive three wavelength white characteristics having red, green, and blue characteristics has been proposed, but this method has limitations in organic materials and device structure.

이에 본 발명자들은 OLED 공정에 영향을 미치지 않으면서 색재현율을 향상시킬 수 있는 방법을 연구하면서, OLED 공정이 아닌 컬러필터 공정상에서 해당 화소 컬러의 방출을 최대화하는 광학적 공진 두께를 제공할 수 있는 공진 제어층을 도입하는 경우, OLED 공정에 영향을 미치지 않으면서 색재현율을 높일 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다. Accordingly, the present inventors study a method of improving color reproduction without affecting the OLED process, and provide resonance control that can provide an optical resonance thickness that maximizes emission of the pixel color in a color filter process rather than an OLED process. When the layer is introduced, the present inventors have found that color reproducibility can be increased without affecting the OLED process and the present invention has been completed.

본 발명의 첫 번째 기술적 과제는 컬러필터 제조공정시 광학적 공진을 제어할 수 있는 공진 제어층을 포함하는 하부 방출형 유기발광 다이오드 디스플레이를 제공하는 것이다.The first technical problem of the present invention is to provide a bottom emission organic light emitting diode display including a resonance control layer capable of controlling optical resonance in a color filter manufacturing process.

본 발명의 두 번째 기술적 과제는 컬러필터 제조공정시 광학적 공진을 제어할 수 있는 공진 제어층을 포함하는 상부 방출형 유기발광 다이오드 디스플레이를 제공하는 것이다.A second technical problem of the present invention is to provide a top emission organic light emitting diode display including a resonance control layer capable of controlling optical resonance in a color filter manufacturing process.

상기 첫 번째 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 In order to solve the first technical problem, the present invention

투명 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed on the transparent substrate;

상기 박막 트랜지스터의 화소 영역에 형성된 컬러별 광학적 공진을 도출하는 공진 제어층;A resonance control layer for deriving optical resonance for each color formed in the pixel region of the thin film transistor;

상기 공진 제어층 상에 형성된 컬러 필터층;A color filter layer formed on the resonance control layer;

상기 컬러 필터층을 포함한 전면에 형성된 평탄층;A flat layer formed on the entire surface including the color filter layer;

상기 평탄층의 화소 영역 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;A first electrode formed on the pixel area of the flat layer and electrically connected to the thin film transistor;

상기 제 1 전극 위에 형성된 백색 발광을 하는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer emitting white light on the first electrode; And

상기 유기 발광층 위에 형성되고, 상기 화소 영역에 공통 전압을 인가하는 제 2 전극을 포함하는 하부 방출형 유기발광 다이오드 디스플레이를 제공한다.A bottom emission type organic light emitting diode display is formed on the organic light emitting layer and includes a second electrode applying a common voltage to the pixel area.

상기 두 번째 기술적 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은In order to solve the second technical problem, the present invention

기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed on the substrate;

상기 박막 트랜지스터의 화소 영역에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;A first electrode formed in the pixel region of the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor;

상기 제 1 전극 위에 형성된 백색 발광을 하는 유기 발광층;An organic light emitting layer emitting white light on the first electrode;

상기 유기 발광층 위에 형성되고, 상기 화소 영역에 공통 전압을 인가하는 제 2 전극;A second electrode formed on the organic emission layer and applying a common voltage to the pixel area;

상기 제 2 전극 상에 형성된 패시베이션층;A passivation layer formed on the second electrode;

상기 패시베이션층 상의 화소 영역에 형성된 컬러별 광학적 공진을 도출하는 공진 제어층; 및A resonance control layer for deriving optical resonance for each color formed in the pixel area on the passivation layer; And

상기 공진 제어층 상에 형성된 컬러 필터층을 포함하는 상부 방출형 유기발광 다이오드 디스플레이를 제공한다.A top emission organic light emitting diode display including a color filter layer formed on the resonance control layer is provided.

본 발명에 따른 유기발광 다이오드 디스플레이에서, 컬러 필터층과 그와 이웃하는 컬러 필터층 사이에 블랙 매트릭스층이 포함된다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, a black matrix layer is included between the color filter layer and a neighboring color filter layer.

본 발명에 따른 유기발광 다이오드 디스플레이에서, 공진 제어층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성된 무기층; 폴리이미드계 또는 폴리아크릴계 물질로 형성된 유기층; 또는 유기층/무기층의 다층일 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, the resonance control layer includes an inorganic layer formed of silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide or titanium oxide; An organic layer formed of a polyimide-based or polyacrylic-based material; Or a multilayer of an organic layer / inorganic layer.

본 발명에 따른 유기발광 다이오드 디스플레이에서, 상기 공진 제어층은 각 각 컬러별 발광이 최대가 되는 광학적 공진 거리가 되는 두께를 갖는다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, the resonance control layer has a thickness that is an optical resonance distance at which light emission of each color is maximized.

본 발명에 따른 유기발광 다이오드 디스플레이에서, 제 1 전극은 상부 방출형 또는 하부 방출형에 따라 투명 전극 또는 금속 전극일 수 있으며, 제 2 전극은 상부 방출형 또는 하부 방출형에 따라 금속 전극 또는 투명 전극일 수 있다.In the organic light emitting diode display according to the present invention, the first electrode may be a transparent electrode or a metal electrode according to the top emission type or a bottom emission type, and the second electrode may be a metal electrode or a transparent electrode according to the top emission type or the bottom emission type Can be.

본 발명의 첫 번째 효과로는 백색 OLED 기반의 AM-OLED 디스플레이의 문제점인 낮은 색재현율을 개선함으로써 높은 색재현율을 확보하여 천연색 구현이 가능한 능동형 OLED 디스플레이를 제공한다.The first effect of the present invention is to improve the low color gamut, which is a problem of the AM-OLED display based on white OLED, to provide an active OLED display capable of realizing high color gamut by implementing natural colors.

본 발명의 두 번째 효과로는 전극의 하부 또는 상부에 공진 제어층을 도입함으로써 두께의 민감도를 낮출 수 있어 양산성이 우수한 이점이 있다.As a second effect of the present invention, the sensitivity of the thickness can be lowered by introducing a resonance control layer on the lower or upper portion of the electrode, thereby providing excellent mass productivity.

본 발명의 세 번째 효과로는 컬러 필터 공정에서 공진 제어층이 도입되므로 OLED 공정에 영향을 미치지 않으므로 대화면 제조 및 양산성이 우수한 이점이 있다. As a third effect of the present invention, since the resonance control layer is introduced in the color filter process, it does not affect the OLED process, and thus, there is an advantage in that large screen manufacturing and mass production are excellent.

이하, 본 발명은 도면을 참조하여 보다 상세히 설명된다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 하부 방출형 AM-OLED 디스플레이의 단면도를 나타낸 것이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 상부 방출형 AM-OLED 디스플레이의 단면도를 나타낸 것이다.3 is a cross-sectional view of a bottom emission AM-OLED display according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a top emission AM-OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 3에 따르면, 본 발명의 하부 방출형 AM-OLED 디스플레이는 투명 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터(100); 박막 트랜지스터 상의 제 1 전극이 형성될 화소 영역 이외의 영역에 형성된 블랙 매트릭스층(101), 화소 영역에 각각 대응하여 형성된 공진 제어층(102), 및 상기 각각의 공진 제어층(102) 상에 형성된 컬러 필터층(103); 전면에 형성된 평탄층(110); 상기 박막 트랜지스터의 화소 영역에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제 1 전극(120); 상기 제 1 전극 위에 형성된 백색 발광을 하는 유기 발광층(130); 및 상기 유기 발광층에 형성되고, 상기 화소 영역에 공통 전압을 인가하는 제 2 전극(140)을 포함한다.According to Fig. 3, the bottom emission AM-OLED display of the present invention comprises a thin film transistor 100 formed on a transparent substrate; The black matrix layer 101 formed in a region other than the pixel region where the first electrode on the thin film transistor is to be formed, the resonance control layer 102 formed corresponding to each pixel region, and the respective resonance control layer 102 are formed. Color filter layer 103; A flat layer 110 formed on the front surface; A first electrode 120 formed in the pixel region of the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor; An organic light emitting layer 130 emitting white light on the first electrode; And a second electrode 140 formed in the organic emission layer and applying a common voltage to the pixel area.

도 3에 제시된 본 발명의 일실시예에 따른 하부 방출형 AM-OLED 디스플레이의 제작과정을 설명한다.A manufacturing process of a bottom emission AM-OLED display according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 3 will be described.

먼저, 투명 기판 상에 이 분야의 일반적인 방법을 통해 박막 트랜지스터(100)를 형성한다. 여기서, 투명 기판으로는 유리 또는 플라스틱이 사용될 수 있으며, 상기 박막 트랜지스터(100)는 투명인 것이 바람직하다.First, the thin film transistor 100 is formed on a transparent substrate through a general method of the art. Here, glass or plastic may be used as the transparent substrate, and the thin film transistor 100 is preferably transparent.

이어, 박막 트랜지스터(100) 상의 제 1 전극이 형성될 화소 영역 이외의 영역에는 블랙 매트릭스층(101)을 형성하고, 청색, 녹색 및 적색 컬러에 해당하는 화소 영역에는 각각 대응하여 공진 제어층(102)을 형성한다. 여기서, 각각의 화소 영역에 형성되는 공진 제어층(102)은 해당 화소 영역의 컬러의 방출을 최대로 만드는 광학적 공진 두께 또는 굴절률을 갖도록 형성된다. 경우에 따라서, 특정 컬러의 경우 공진 제어층(102)이 요구되지 않을 수 있다. 상기 공진거리는 OLED 소자 구조내의 EML 두께 및 재결합 영역의 위치 등에 의하여 영향을 받을 수 있다.Subsequently, the black matrix layer 101 is formed in regions other than the pixel region in which the first electrode on the thin film transistor 100 is to be formed, and the resonance control layer 102 corresponds to the pixel regions corresponding to the blue, green, and red colors, respectively. ). Here, the resonance control layer 102 formed in each pixel region is formed to have an optical resonance thickness or refractive index that maximizes the emission of the color of the pixel region. In some cases, the resonance control layer 102 may not be required for a specific color. The resonance distance may be influenced by the EML thickness and the position of the recombination region in the OLED device structure.

여기서, 공진 제어층(102)은 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산화물(SiO), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx) 또는 티타늄 산화물(TiOx)로 형성된 무기층; 폴리이미드계 또는 폴리아크릴계 물질로 형성된 유기층; 또는 유기층/무기층의 다층으로 형성될 수 있다.The resonance control layer 102 may include an inorganic layer formed of silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlO x ), magnesium oxide (MgO x ), or titanium oxide (TiO x ); An organic layer formed of a polyimide-based or polyacrylic-based material; Or a multilayer of an organic layer / inorganic layer.

다음, 공진 제어층(102) 상에 해당 컬러 필터층(103)을 형성한다. 여기서, 공진 제어층(102)이 요구되지 않는 경우, 박막 트랜지스터(100) 상에 직접 해당 컬러 필터층(103)을 형성할 수 있다. Next, the color filter layer 103 is formed on the resonance control layer 102. If the resonance control layer 102 is not required, the color filter layer 103 may be formed directly on the thin film transistor 100.

이어서, 전면에 평탄층(110)을 형성한다. 여기서, 평탄층(110)은 절연막이다. 따라서, 상기 박막 트랜지스터에 연결된 전극 라인이 노출되도록 평탄층(110)을 선택적으로 제거한다. Subsequently, the flat layer 110 is formed on the entire surface. Here, the flat layer 110 is an insulating film. Therefore, the planarization layer 110 is selectively removed to expose the electrode line connected to the thin film transistor.

이어서, 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되도록 제 1 전극(120)을 형성한다. 여기서, 제 1 전극(120)은 투명하면서 일함수가 높은 전도성 물질, 예를 들면, ITO, IZO 등을 사용하여 형성되며, 투명 전극인 것이 바람직하다. 여기서, 제 1 전극은 화소 영역에 형성되고, 이웃하는 제 1 전극 사이에는 절연막이 형성되어진다.Subsequently, the first electrode 120 is formed to be electrically connected to the thin film transistor. Here, the first electrode 120 is formed using a transparent material having a high work function, for example, ITO, IZO, or the like, and is preferably a transparent electrode. Here, the first electrode is formed in the pixel region, and an insulating film is formed between the neighboring first electrodes.

그리고, 전면에 삼파장 백색 발광특성을 갖는 유기 발광층(130)을 형성한다. 유기 발광층은 정공 주입층, 정공 전달층, 발광층, 전자 전달층 및/또는 전자 주입층이 차례로 형성될 수 있다.Then, the organic light emitting layer 130 having a three wavelength white light emission characteristic is formed on the entire surface. In the organic light emitting layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer may be sequentially formed.

이어서, 제 2 전극(140)을 형성한다. 여기서 제 2 전극(140)은 알루미늄과 같은 일함수가 낮은 전도성 물질을 사용하여 형성되며, 금속 전극인 것이 바람직하다.Subsequently, the second electrode 140 is formed. Here, the second electrode 140 is formed using a conductive material having a low work function such as aluminum, and is preferably a metal electrode.

최종적으로, 엔캡슐레이션 한다.Finally, encapsulate.

도 4에 따르면, 본 발명의 상부 방출형 AM-OLED 디스플레이는 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터(200); 상기 박막 트랜지스터의 화소 영역에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제 1 전극(210); 상기 제 1 전극 위에 형성된 백색 발광을 하는 유기 발광층(220); 상기 유기 발광층에 형성되고, 상기 화소 영역에 공통 전압을 인가하는 제 2 전극(230); 제 2 전극(230) 상에 형성된 패시베이션층(240); 및 패시베이션층 상의 화소 영역 이외의 영역에 형성된 블랙 매트릭스층(201), 화소 영역에 각각 대응하여 형성된 공진 제어층(202) 및 상기 각각의 공진 제어층(202) 상에 형성된 컬러 필터층(203)을 포함한다.According to Fig. 4, the top emission AM-OLED display of the present invention comprises a thin film transistor 200 formed on a substrate; A first electrode 210 formed in the pixel region of the thin film transistor and electrically connected to the thin film transistor; An organic light emitting layer 220 emitting white light on the first electrode; A second electrode 230 formed in the organic emission layer and applying a common voltage to the pixel region; A passivation layer 240 formed on the second electrode 230; And a black matrix layer 201 formed in a region other than the pixel region on the passivation layer, a resonance control layer 202 formed corresponding to each pixel region, and a color filter layer 203 formed on each of the resonance control layer 202. Include.

도 4에 제시된 본 발명의 일실시예에 따른 상부 방출형 AM-OLED 디스플레이의 제작과정은 다음과 같다.The fabrication process of the top emission AM-OLED display according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4 is as follows.

먼저, 기판 상에 이 분야의 일반적인 방법을 통해 박막 트랜지스터(200)를 형성한다.First, the thin film transistor 200 is formed on a substrate by a general method of the art.

이어, 박막 트랜지스터(200) 상에 전기적으로 연결되도록 제 1 전극(210)을 형성한다. 여기서, 제 1 전극(210)은 금속 전극인 것이 바람직하다. 여기서, 제 1 전극(210)은 화소 영역에 형성되고, 이웃하는 제 1 전극 사이에는 절연막이 형성되어진다.Subsequently, the first electrode 210 is formed to be electrically connected to the thin film transistor 200. Here, the first electrode 210 is preferably a metal electrode. Here, the first electrode 210 is formed in the pixel region, and an insulating film is formed between the neighboring first electrodes.

그리고, 전면에 삼파장 백색 발광특성을 갖는 유기 발광층(220)을 형성한다. 유기 발광층(220)은 정공 주입층, 정공 전달층, 발광층, 전자 전달층 및/또는 전자 주입층으로 차례로 형성될 수 있다.Then, the organic light emitting layer 220 having a three wavelength white light emitting property is formed on the entire surface. The organic emission layer 220 may be sequentially formed of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and / or an electron injection layer.

이어서, 제 2 전극(230)을 형성한다. 여기서 제 2 전극(230)은 투명 전극인 것이 바람직하다.Subsequently, the second electrode 230 is formed. Here, the second electrode 230 is preferably a transparent electrode.

제 2 전극(230) 상에 패시베이션층(240)을 형성한다. 여기서, 패시베이션층(240)은 유기 발광층에서 방출된 삼파장의 백색이 변형없이 방출될 수 있으면서, 청색 발광이 공진을 이루도록 소정의 두께로 형성될 수 있다. 패시배이션층(240)은 실리콘산화물, 실리콘질화물, 알루미늄산화물, 알루미늄질화물 등의 무기물질로 형성된 무기층, 폴리아미드계, 폴리아크리계 등의 유기물질로 형성된 유기층, 유기층과 무기층의 다층으로 구성될 수 있다.The passivation layer 240 is formed on the second electrode 230. Here, the passivation layer 240 may be formed to a predetermined thickness so that the white light emitted from the organic light emitting layer can be emitted without deformation, while the blue light emission resonates. The passivation layer 240 is a multilayer of an inorganic layer formed of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, aluminum oxide, aluminum nitride, an organic layer formed of an organic material such as polyamide or polyacrylic, an organic layer and an inorganic layer. Can be configured.

상기 패시베이션층(240) 상의 화소 영역 이외의 영역에는 블랙 매트릭스층(201)을 형성하고, 청색, 녹색 및 적색의 컬러에 해당하는 화소 영역에는 각각 대응하여 공진 제어층(202)을 형성한다. 여기서, 각각의 화소 영역에 형성되는 공진 제어층(202)의 두께는 해당 화소 컬러의 방출을 최대로 만드는 광학적 공진 두께 또는 굴절률을 갖도록 형성된다. 마찬가지로, 특정 컬러의 경우, 공진 제어층(202)이 요구되지 않을 수 있다.The black matrix layer 201 is formed in regions other than the pixel region on the passivation layer 240, and the resonance control layer 202 is formed in the pixel regions corresponding to the colors of blue, green, and red, respectively. Here, the thickness of the resonance control layer 202 formed in each pixel region is formed to have an optical resonance thickness or refractive index that maximizes the emission of the pixel color. Similarly, for certain colors, the resonance control layer 202 may not be required.

또한, 공진 제어층(202)은 실리콘 질화물(SiN), 실리콘 산화물(SiO), 알루미늄 산화물(AlOx), 마그네슘 산화물(MgOx) 또는 티타늄 산화물(TiOx)로 형성된 무기층; 폴리이미드계 또는 폴리아크릴계 물질로 형성된 유기층; 또는 유기층/무기층의 다층으로 형성될 수 있다.In addition, the resonance control layer 202 may include an inorganic layer formed of silicon nitride (SiN), silicon oxide (SiO), aluminum oxide (AlOx), magnesium oxide (MgO x ), or titanium oxide (TiO x ); An organic layer formed of a polyimide-based or polyacrylic-based material; Or a multilayer of an organic layer / inorganic layer.

다음, 공진 제어층(202) 상에 해당 컬러 필터층(203)을 형성한다. 여기서, 공진 제어층(202)이 요구되지 않는 경우, 패시베이션층(240) 상에 직접 해당 컬러 필터층(203)을 형성한다.Next, the color filter layer 203 is formed on the resonance control layer 202. Here, when the resonance control layer 202 is not required, the color filter layer 203 is formed directly on the passivation layer 240.

최종적으로 엔캡슐레이션한다. Finally encapsulate.

도 4에 제시된 본 발명의 일실시예에 따른 상부 방출형 능동형 OLED 디스플레이의 또 다른 제작과정은 다음과 같다.Another manufacturing process of the top emitting active OLED display according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 4 is as follows.

기판 상에 박막 트랜지스터(200)를 형성하는 것부터 패시베이션층(240)을 형성하는 것은 상기 설명된 것과 동일하다.From forming the thin film transistor 200 on the substrate to forming the passivation layer 240 is the same as described above.

이어서, 별도의 공정으로 기판 상에 화소 영역 이외에는 블랙 매트릭스층(201)을 형성하고, 화소 영역에는 각각 공진 제어층(202)을 형성하고, 이어서 공진 제어층(202) 상에 각각 컬러 필터층(203)을 형성하여 컬러 필터 기판을 제조한다.Subsequently, the black matrix layer 201 is formed on the substrate in a separate process except for the pixel region, and the resonance control layer 202 is formed in the pixel region, and the color filter layers 203 are respectively formed on the resonance control layer 202. ) To form a color filter substrate.

이어서, 상기 패시베이션층(240)까지 형성된 패널을 상기 컬러 필터 기판과 합체하고, 최종적으로 엔캡슐레이션 한다. Subsequently, the panel formed up to the passivation layer 240 is coalesced with the color filter substrate and finally encapsulated.

상기와 같이 제작된 본 발명에 따른 백색 유기발광 다이오드(OLED)와 컬러 필터로 구현하는 풀 컬러 OLED 디스플레이는 색재현율이 우수하며, OLED 소자의 제조공정에 영향을 미치지 않으며 컬러를 제어할 수 있다. 또한, 전극의 하부 또는 상부에 공진 제어층이 형성되므로 두께의 편차에 민감하지 않아 양산성이 우수한 장점이 있다.The full color OLED display implemented with the white organic light emitting diode (OLED) and the color filter according to the present invention manufactured as described above has excellent color reproducibility and does not affect the manufacturing process of the OLED device and can control color. In addition, since the resonance control layer is formed on the lower or upper portion of the electrode, there is an advantage in mass productivity that is not sensitive to variations in thickness.

이상 설명된 내용을 통해 당업자는 본 발명의 기술사상을 이탈함 없이 다양한 변경 및 수정이 가능함을 명백히 알 수 있다.It will be apparent to those skilled in the art from the above description that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

도 1a는 종래 백색 OLED와 컬러 필터로 구성된 하부 방출형 AM-OLED 디스플레이를 나타낸 단면도이다.1A is a cross-sectional view of a bottom emission AM-OLED display composed of a conventional white OLED and a color filter.

도 1b는 종래 백색 OLED와 컬러 필터로 구성된 상부 방출형 AM-OLED 디스플레이를 나타낸 단면도이다.1B is a cross-sectional view showing a top emission AM-OLED display composed of a conventional white OLED and color filters.

도 2a는 종래 높은 색재현율을 갖는 백색 OLED 기반 AM-OLED 디스플레이를 나타낸 단면도이다.Figure 2a is a cross-sectional view showing a conventional white OLED-based AM-OLED display having a high color gamut.

도 2b는 도 2a에서 제시된 OLED 디스플레이의 색재현율을 나타낸 그래프이다.FIG. 2B is a graph showing color gamut of the OLED display shown in FIG. 2A.

도 3은 본 발명의 일실시예에 따라 하부 방출형 AM-OLED 디스플레이를 나타낸 단면도이다.3 is a cross-sectional view illustrating a bottom emission AM-OLED display according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일실시예에 따라 상부 방출형 AM-OLED 디스플레이를 나타낸 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating a top emission AM-OLED display according to an embodiment of the present invention.

Claims (7)

투명 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터;A thin film transistor formed on the transparent substrate; 상기 박막 트랜지스터 상의 화소 영역에 컬러별 발광이 최대가 되는 광학적 공진 거리가 되도록 컬러별 두께가 다르게 형성된 공진 제어층;A resonance control layer having a different thickness for each color so as to have an optical resonance distance that maximizes light emission for each color in the pixel area on the thin film transistor; 상기 공진 제어층 상에 형성된 컬러 필터층;A color filter layer formed on the resonance control layer; 상기 컬러 필터층을 포함한 전면에 형성된 평탄층;A flat layer formed on the entire surface including the color filter layer; 상기 평탄층의 화소 영역 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터에 전기적으로 연결되는 제 1 전극;A first electrode formed on the pixel area of the flat layer and electrically connected to the thin film transistor; 상기 제 1 전극 위에 형성된 백색 발광을 하는 유기 발광층; 및An organic light emitting layer emitting white light on the first electrode; And 상기 유기 발광층 위에 형성되고, 상기 화소 영역에 공통 전압을 인가하는 제 2 전극을 포함하는 하부 방출형 유기발광 다이오드 디스플레이.And a second electrode formed on the organic light emitting layer and applying a common voltage to the pixel area. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 컬러 필터층과 그와 이웃하는 컬러 필터층 사이에 블랙 매트릭스층이 포함되는 유기발광 다이오드 디스플레이.The organic light emitting diode display of claim 1, wherein a black matrix layer is included between the color filter layer and a neighboring color filter layer. 제 1항에 있어서, 상기 공진 제어층은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 마그네슘 산화물 또는 티타늄 산화물로 형성된 무기층; 폴리이미드계 또는 폴리아크릴계 물질로 형성된 유기층; 또는 유기층/무기층의 다층인 유기발광 다이오드 디스플레이.The method of claim 1, wherein the resonance control layer comprises: an inorganic layer formed of silicon nitride, silicon oxide, aluminum oxide, magnesium oxide, or titanium oxide; An organic layer formed of a polyimide-based or polyacrylic-based material; Or an organic light emitting diode display that is a multilayer of an organic layer / inorganic layer. 삭제delete 제 1항에 있어서, 상기 제 1 전극은 투명 전극이고, 상기 제 2 전극은 금속 전극인 유기발광 다이오드 디스플레이.The organic light emitting diode display of claim 1, wherein the first electrode is a transparent electrode and the second electrode is a metal electrode. 삭제delete
KR1020080100439A 2008-10-14 2008-10-14 Organic Light Emitting Diodes Display KR100968886B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080100439A KR100968886B1 (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic Light Emitting Diodes Display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080100439A KR100968886B1 (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic Light Emitting Diodes Display

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100041314A KR20100041314A (en) 2010-04-22
KR100968886B1 true KR100968886B1 (en) 2010-07-09

Family

ID=42217074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080100439A KR100968886B1 (en) 2008-10-14 2008-10-14 Organic Light Emitting Diodes Display

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100968886B1 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102019063B1 (en) * 2012-11-12 2019-09-06 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Device
KR101995729B1 (en) 2012-11-29 2019-07-04 삼성디스플레이 주식회사 Organic Electroluminescence Device
KR101995920B1 (en) 2013-04-17 2019-10-02 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR20150005379A (en) 2013-07-05 2015-01-14 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting diode display
KR20150012520A (en) 2013-07-25 2015-02-04 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display and manufacturing method thereof
KR102233943B1 (en) 2014-06-09 2021-04-01 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting display
KR102389345B1 (en) * 2017-11-30 2022-04-20 엘지디스플레이 주식회사 Organic emitting light display device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030013700A (en) * 2001-08-09 2003-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 The organic electroluminescence device
KR20080003079A (en) * 2006-06-30 2008-01-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic light emitting display device and and method for fabricating the same
KR20080050899A (en) * 2006-12-04 2008-06-10 삼성에스디아이 주식회사 High efficiency organic light emitting device
KR20090072782A (en) * 2007-12-28 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030013700A (en) * 2001-08-09 2003-02-15 엘지.필립스 엘시디 주식회사 The organic electroluminescence device
KR20080003079A (en) * 2006-06-30 2008-01-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic light emitting display device and and method for fabricating the same
KR20080050899A (en) * 2006-12-04 2008-06-10 삼성에스디아이 주식회사 High efficiency organic light emitting device
KR20090072782A (en) * 2007-12-28 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100041314A (en) 2010-04-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100613322B1 (en) Color display apparatus
US11362148B2 (en) Quantum dot display panel and manufacturing method thereof
KR101990312B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method for Manufacturing The Same
KR100968886B1 (en) Organic Light Emitting Diodes Display
US20150249120A1 (en) Oled array substrate, manufacturing method and display device thereof
KR102096887B1 (en) Organic light emitting display device and method manufacturing the same
KR20170080445A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device
US7909671B2 (en) System and method for differentiating pictures and texts
KR20160031652A (en) Organic light-emitting display apparatus and method for manufacturing the same
KR20190063963A (en) Electroluminescent Display Device
US9343510B2 (en) Organic light emitting display device
KR20030086164A (en) The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
US20140118415A1 (en) Organic light-emitting diode (oled) display, method of authenticating the display, and identification card comprising the display
US10872948B2 (en) Electroluminescent display device
KR102402173B1 (en) Two-way organic light emitting diodes
KR20170036160A (en) Organic Light Emitting Diode Display Device
KR100489591B1 (en) The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
KR20030086165A (en) The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same
KR20210070667A (en) Display Device And Method Of Fabricating The Same
KR20180077834A (en) Electroluminescent Display Device
US20190157358A1 (en) Organic electroluminescence display device
KR102184939B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display And Method For Manufacturing The Same
KR20180077856A (en) Electroluminescent Display Device
WO2021035549A1 (en) Display substrate and preparation method thereof, and electronic device
KR20040004783A (en) The organic electro-luminescence device and method for fabricating of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130624

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150629

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170627

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180627

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190625

Year of fee payment: 10