KR100958513B1 - Electrode pad and light emitting diode package including the same - Google Patents

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Abstract

순차적으로 적층된 구리합금층, 니켈층, 및 반사율저하방지층을 포함하고, 반사율저하방지층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성되는 전극 패드 및 그 전극 패드를 포함하는 발광 다이오드 패키지가 개시된다.It includes a copper alloy layer, a nickel layer, and an antireflection prevention layer laminated sequentially, the antireflection prevention layer is ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum ( Disclosed is an electrode pad formed of at least one selected from the group consisting of Pt), and an alloy thereof, and a light emitting diode package including the electrode pad.

구리합금층, 니켈층, 은층, 반사율저하방지층, 백금족 원소, 발광 다이오드 패키지, 전극 패드 Copper alloy layer, nickel layer, silver layer, antireflective layer, platinum group element, light emitting diode package, electrode pad

Description

전극 패드 및 그 전극 패드를 포함하는 발광 다이오드 패키지{ELECTRODE PAD AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE INCLUDING THE SAME}ELECTRODE PAD AND LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE INCLUDING THE SAME}

본 발명은 전극 패드 및 그 전극 패드를 포함하는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to an electrode pad and a light emitting diode package including the electrode pad.

LED로 약칭되는 발광 다이오드는 P-N접합의 순방향 전기가 바이어스될때 비동조 협대역 광을 방출하는 반도체이다. 이러한 효과는 전광의 한 형태이다.Light emitting diodes, abbreviated as LEDs, are semiconductors that emit untuned narrowband light when the forward electricity of the P-N junction is biased. This effect is a form of lightning.

발광 다이오드는 보통 전자장치의 소형 표시기로 사용되고 있지만 플래시나 지역 조명등의 고출력 응용분야에도 사용되는 추세이다.Light emitting diodes are commonly used as small indicators in electronic devices, but they are also used in high power applications such as flash and local lighting.

이러한 발광 다이오드는 대개 몇몇 다른 구성요소와 함께 패키지 형태로 사용된다. 발광 다이오드 패키지는 그 용도에 따라 탑 뷰 방식과 사이드 뷰 방식으로 분류될 수 있다. 후자의 경우 보통 휴대폰이나 노트북등 소형 휴대용 기기의 백라이트로 일반적으로 사용된다.Such light emitting diodes are usually used in package form with several other components. The LED package may be classified into a top view method and a side view method according to its use. The latter is commonly used as the backlight for small portable devices such as mobile phones and laptops.

발광 다이오드 패키지는 보통 하우징과 리드 프레임으로 구성된다. 하우징 은 전면부와 후면부를 포함할 수 있고 리드 프레임은 이러한 전면부와 후면부 사이에 위치된다. 리드 프레임의 전극 패드상에는 발광 다이오드 칩이 장착되고 발광 다이오드 칩은 외부 전원으로부터 전기를 공급받아 광을 발생시킨다. 하우징의 전면부 중심에는 캐비티가 형성되어 있고 발광 다이오드 칩에서 생성된 광은 캐비티를 통하여 외부로 방출될 수 있다.The light emitting diode package usually consists of a housing and a lead frame. The housing may comprise a front part and a rear part and a lead frame is located between this front part and the rear part. A light emitting diode chip is mounted on an electrode pad of the lead frame, and the light emitting diode chip receives light from an external power source to generate light. A cavity is formed in the center of the front portion of the housing, and light generated by the LED chip may be emitted to the outside through the cavity.

도 1에는 종래 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면을 도시하고 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 종래의 전극 패드는 구리 합금으로 된 베이스층상에 니켈층과 은층이 순차적으로 적층되는 구조로 형성되어 있다.1 is a cross-sectional view of an electrode pad in which a conventional LED chip is mounted. As shown in FIG. 1, the conventional electrode pad is formed in a structure in which a nickel layer and a silver layer are sequentially stacked on a base layer made of a copper alloy.

이러한 적층은 화학증착, 금속 스퍼터링, 전기도금, 및 무전해 금속도금등 다양한 방법에 의해 수행된다.This lamination is performed by various methods such as chemical vapor deposition, metal sputtering, electroplating, and electroless metal plating.

여기서 니켈층은 그 아래에 위치하는 도전층인 베이스층의 부식이나 산화를 방지하고 베이스층과 그 위에 위치하는 은층과의 결합력을 강화시키고 또한 은층의 광반사율을 증가시키는 역할을 한다.In this case, the nickel layer serves to prevent corrosion or oxidation of the base layer, which is a conductive layer located below, to strengthen the bonding force between the base layer and the silver layer disposed thereon, and to increase the light reflectance of the silver layer.

니켈층상에 적층되는 은층은 상기 니켈층상에 은입자를 도금하여 형성된 것으로서 발광 다이오드 칩으로부터 발생되어 은층을 향하는 광을 외부로 반사시키는 역할을 한다.The silver layer laminated on the nickel layer is formed by plating silver particles on the nickel layer and serves to reflect light generated from the light emitting diode chip toward the silver layer to the outside.

이러한 은층은 공기에 접촉하여도 쉽게 산화가 일어나지 않는다는 장점이 있으나 공기중의 유황이나 유화 수소와 접촉하면 쉽게 변색된다는 단점이 있다. 결과적으로 은층의 광반사율이 현저히 줄어들고 발광 다이오드 패키지의 광효율은 따라서 상당히 감소한다.The silver layer has an advantage that oxidation does not occur easily even when it is in contact with air, but has a disadvantage that it is easily discolored when contacted with sulfur or hydrogen sulfide in the air. As a result, the light reflectance of the silver layer is significantly reduced and the light efficiency of the light emitting diode package is thus significantly reduced.

따라서 은층의 변색에 따른 발광 다이오드 패키지의 광효율의 저하를 방지할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공할 필요가 있다.Accordingly, there is a need to provide a light emitting diode package capable of preventing a decrease in light efficiency of the light emitting diode package due to discoloration of the silver layer.

본 발명의 일 실시예에 따라 순차적으로 적층된 구리합금층, 니켈층, 및 반사율저하방지층을 포함하고, 상기 반사율저하방지층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성되는 전극 패드가 제공된다.In accordance with an embodiment of the present invention comprises a copper alloy layer, a nickel layer, and an antireflection prevention layer sequentially stacked, the antireflection prevention layer is ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os) ), An electrode pad formed of at least one selected from the group consisting of iridium (Ir), platinum (Pt), and alloys thereof.

상기 니켈층과 상기 반사율저하방지층 사이에 은층을 더 포함할 수 있다.A silver layer may be further included between the nickel layer and the antireflection prevention layer.

본 발명의 일 실시예에 따라 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드를 포함하는 리드 프레임, 및 상기 리드 프레임을 감싸는 하우징을 포함하는 발광 다이오드 패키지로서, 상기 전극 패드는 순차적으로 적층된 구리합금층, 니켈층, 및 반사율저하방지층을 포함하고, 상기 반사율저하방지층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성되는 발광 다이오드 패키지가 제공된다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting diode package including a lead frame including an electrode pad on which a light emitting diode chip is mounted, and a housing surrounding the lead frame, wherein the electrode pad is sequentially formed of a copper alloy layer and nickel. Layer, and an anti-reflective layer, wherein the anti-reflective layer includes ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), and alloys thereof Provided is a light emitting diode package formed of at least one selected from the group to be described.

상기한 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 의하면 전극 패드상에 Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, 및 그 합금으로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 금속으로 이루어지는 금속층이 적층되어 발광 다이오드 패키지의 광반사율 저하를 방지할 수 있다.As described above, according to the LED package according to the embodiment of the present invention, a metal layer made of at least one metal selected from the group consisting of Ru, Rh, Pd, Os, Ir, Pt, and alloys thereof on an electrode pad The stack may be prevented from lowering the light reflectance of the LED package.

이하 동일한 부재번호는 동일한 구성요소를 참조로 하는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적 의미로 한정되어 해석되지 아니하며, 본 발명의 기술적 사항에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Hereinafter, the same reference numerals will be described in detail with reference to the accompanying drawings, with reference to the same components preferred embodiments of the present invention. The terms and words used in the present specification and claims should not be construed as limited to ordinary or dictionary meanings and should be construed in accordance with the technical meanings and concepts of the present invention.

본 명세서에 기재된 실시 예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시 예이며, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것이 아니므로, 본 출원 시점에서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예들이 있을 수 있다. The embodiments described in the specification and the configuration shown in the drawings are preferred embodiments of the present invention, and do not represent all of the technical idea of the present invention, various equivalents and modifications that can be substituted for them at the time of the present application are There may be.

도 2는 사이드 뷰 타입으로 구성된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도이다.2 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention configured as a side view type.

도 2를 참조하면, 발광 다이오드 패키지는 하우징(1) 및 리드 프레임(2)을 포함한다. 상기한 하우징(1)은 전면부(11)와 후면부(12)가 일체로 형성된다. 상기 전면부(11)에는 캐비티(13)가 형성되고 캐비티(13)에는 투명한 수지가 채워져 발광 다이오드 칩으로부터 발생되는 광이 방출되는 광출부를 형성한다.Referring to FIG. 2, the LED package includes a housing 1 and a lead frame 2. The housing 1 has a front portion 11 and a rear portion 12 are integrally formed. The front portion 11 is formed with a cavity 13 and the cavity 13 is filled with a transparent resin to form a light emitting portion for emitting light generated from the light emitting diode chip.

리드 프레임(2)은 상기 전면부(11)와 후면부(12)사이에 배치된다. 리드 프 레임(2)은 캐비티(13)를 통해 외부로 노출되고 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드(21)와 전극 패드(21)로부터 하우징(1)외부로 연장되는 전극 리드(14)를 포함한다.The lead frame 2 is disposed between the front portion 11 and the rear portion 12. The lead frame 2 includes an electrode pad 21 exposed to the outside through the cavity 13 and mounted with a light emitting diode chip, and an electrode lead 14 extending from the electrode pad 21 to the outside of the housing 1. do.

상기 전면부(11) 및 후면부(12)로 이루어진 하우징(1)은 발광 다이오드 패키지의 보디를 이루고 하우징(1)의 하부면은 (도시안된) 기판상에 장착되어 그 기판에 지지된다.The housing 1 consisting of the front part 11 and the rear part 12 forms a body of a light emitting diode package and a lower surface of the housing 1 is mounted on a (not shown) substrate and supported by the substrate.

전극 패드(21)는 (도시 안된) 외부 회로로부터 전기 신호를 발광 다이오드 칩으로 공급하여 발광을 일으키도록 할 수 있다. 또한 전극 패드(21)는 발광 다이오드 칩으로부터 발생되어 광출부 방향이 아닌 전극 패드(21)방향으로 직사하는 광을 광출부 방향으로 반사시킬 수 있다.The electrode pad 21 may supply an electric signal from an external circuit (not shown) to the light emitting diode chip to cause light emission. In addition, the electrode pad 21 may reflect light, which is generated from the light emitting diode chip and is directed in the direction of the electrode pad 21, not in the light emitting direction.

상기 전극 패드(21)의 내부 구조에 대해서는 도 3을 참조하여 상세히 설명한다.An internal structure of the electrode pad 21 will be described in detail with reference to FIG. 3.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면도를 나타낸다.3 is a cross-sectional view of an electrode pad on which a light emitting diode chip according to an embodiment of the present invention is mounted.

도 3을 참조하면, 전극 패드(21)는 베이스 층으로서의 구리합금층(10), 상기 구리합금층(10)상에 적층되는 니켈층(20), 상기 니켈층상에 적층되는 은층(30), 그리고 상기 은층상에 적층되는 반사율저하방지층(40)을 포함한다.Referring to FIG. 3, the electrode pad 21 includes a copper alloy layer 10 as a base layer, a nickel layer 20 stacked on the copper alloy layer 10, a silver layer 30 stacked on the nickel layer, And an antireflection prevention layer 40 stacked on the silver layer.

이러한 적층은 화학증착, 금속 스퍼터링, 전기도금, 및 무전해 금속도금등 다양한 방법에 의해 수행될 수 있다.Such lamination may be performed by various methods such as chemical vapor deposition, metal sputtering, electroplating, and electroless metal plating.

상기 구리합금층(10)은 전극 패드의 베이스층을 이루고 발광 다이오드 패키지의 하우징 외부로 연장되어 (도시 안된) 외부 회로와 연결되어 전기 또는 전기적 신호를 공급받을 수 있다.The copper alloy layer 10 forms a base layer of an electrode pad and extends outside the housing of the LED package to be connected to an external circuit (not shown) to receive an electrical or electrical signal.

상기 니켈층(20)은 그 아래에 위치하는 구리합금층(10)의 부식이나 산화를 방지하고 구리합금층(10)과 그 위에 위치하는 은층(30)과의 결합력을 강화시키고 또한 은층(30)의 광반사율을 향상을 보조할 수 있다.The nickel layer 20 prevents corrosion or oxidation of the copper alloy layer 10 positioned below and enhances the bonding force between the copper alloy layer 10 and the silver layer 30 disposed thereon, and further, the silver layer 30. ) Can help improve the light reflectivity of the light.

상기 은층(30)은 상기 니켈층(20)상에 은입자를 도금하여 형성된 것으로서 발광 다이오드 칩으로부터 발생되어 은층을 향하는 광을 외부로 반사시키는 역할을 한다.The silver layer 30 is formed by plating silver particles on the nickel layer 20 and serves to reflect light generated from the light emitting diode chip toward the silver layer to the outside.

상기 반사율저하방지층(40)은 상기 은층(30)의 변색을 방지하여 상기 은층(30)의 광반사율이 저하되는 것을 방지하고 자체적으로 높은 광반사율을 가지고 발광 다이오드 칩으로부터 오는 광을 외부로 효율적으로 반사시킬 수 있다.The anti-reflection prevention layer 40 prevents discoloration of the silver layer 30 to prevent the light reflectivity of the silver layer 30 from being lowered, and efficiently has light from the light emitting diode chip having high light reflectivity to the outside. Can be reflected.

구체적으로 반사율저하방지층(40)은 공기에 의한 산화 및 기타 외부의 영향에 따른 변색에 강한 금속으로 형성된다. 이러한 반사율저하방지층(40)을 이루는 금속으로는, 백금족 원소, 즉 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 적어도 하나가 선택될 수 있다.In detail, the anti-reflection prevention layer 40 is formed of a metal resistant to discoloration due to oxidation by air and other external influences. As the metal constituting the anti-reflection prevention layer 40, platinum group elements, that is, ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt), and alloys thereof At least one may be selected from the group including.

상기한 백금족 원소들은 고열이나 부식성 환경에서 잘 견디며, 공기나 물에서 산화하지 않고 산에 녹지 않는 성질을 갖고 있다. 또한 대체로 백색을 띄고 있어 반사율이 우수하다.The platinum group elements are well tolerated in high temperature or corrosive environments, and do not oxidize in air or water and are insoluble in acids. In addition, it is generally white and has excellent reflectance.

반사율저하방지층(40)은 은층(30)위에 적층되어 은층(30)이 공기중의 유황이나 유화수소등 황화합물과 접촉하여 변색이 되는 것을 방지할 수 있다. 따라서 발광 다이오드 칩에서 방출되는 광이 외부로 효율적으로 반사될 수 있다.The antireflection prevention layer 40 may be stacked on the silver layer 30 to prevent the silver layer 30 from being discolored by contact with sulfur compounds such as sulfur or hydrogen sulfide in the air. Therefore, the light emitted from the light emitting diode chip can be efficiently reflected to the outside.

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면도를 나타낸다.4 is a cross-sectional view of an electrode pad on which a light emitting diode chip according to another embodiment of the present invention is mounted.

도 4를 참조하면 전극 패드(21)는 도 2를 참조로하여 설명한 상기 실시예와 달리 은층이 빠져있다. 상기한 바와 같이 백금족 원소 또한 백색의 높은 광반사율을 가지고 있고 또한 그 밑에 광반사율의 향상을 보조하는 니켈층(20)이 형성되어 있으므로 은층(30)이 생략되더라도 발광 다이오드 칩으로부터 발생된 광의 반사율을 어느정도 유지할 수 있다.Referring to FIG. 4, the electrode pad 21 is missing a silver layer unlike the above-described embodiment described with reference to FIG. 2. As described above, the platinum group element also has a high light reflectance of white and a nickel layer 20 is formed thereunder to assist the improvement of the light reflectivity. Therefore, even if the silver layer 30 is omitted, the reflectance of light generated from the light emitting diode chip is reduced. You can keep it to some extent.

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 시간 경과에 따른 발광 다이오드 패키지의 광효율 테스트의 결과를 나타낸 그래프이고 도 5b는 상기 광효율 테스트 결과를 수치로 나타낸 표를 나타낸다.Figure 5a is a graph showing the results of the light efficiency test of the LED package over time according to an embodiment of the present invention and Figure 5b is a table showing the numerical results of the light efficiency test.

도 5a를 참조하면, 시간의 경과에 따른 발광 다이오드 패키지에서 나오는 광의 광효율을 테스트한 결과가 나타나 있다. 여기서 x축은 시간을 y축은 발광 다이오드 패키지의 광효율을 나타낸다.Referring to FIG. 5A, a test result of light efficiency of light emitted from a LED package over time is shown. Here, the x axis represents time and the y axis represents light efficiency of the LED package.

또한 a는 종래의 전극 패드를 이용하여 테스트한 결과이고 b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 패드를 이용하여 테스트한 결과이다.In addition, a is a test result using a conventional electrode pad and b is a test result using an electrode pad according to an embodiment of the present invention.

본 테스트에는 사이드 뷰 발광 다이오드 패키지를 이용하였고, 전극 패 드(21)를 상기한 제 1 실시예에 따른 전극 패드(21), 즉 구리합금층(10)에 니켈층(20), 은층(30), 및 반사율저하방지층(40)이 순차적으로 형성되어 있는 전극 패드(21)를 사용하였으며, 반사율저하방지층(40)의 재료로써 팔라듐(Pd)을 이용하였다. In this test, a side view light emitting diode package was used, and the electrode pad 21 was formed on the electrode pad 21 according to the first embodiment, that is, the nickel layer 20 and the silver layer 30 on the copper alloy layer 10. ) And an electrode pad 21 in which the antireflection prevention layer 40 is sequentially formed, and palladium (Pd) was used as a material of the antireflection prevention layer 40.

또한 상기 테스트 결과는 60℃, 90%의 습도, 및 25mA의 전류를 1200시간 동안 연속해서 공급하여 얻어진 것이다.The test results were obtained by continuously supplying 60 ° C., 90% humidity, and 25 mA of current for 1200 hours.

도 5a에 도시된 a와 같이, 구리합금층(10), 니켈층(20), 및 은층(30)만을 포함하는 종래의 전극 패드는 시간의 경과에 따라 테스트 시작시 부터 약 500시간까지는 패키지의 광효율의 저하가 나타나지 않지만, 그 이후부터는 시간 경과에 따라 광효율의 저하가 현저하게 나타난다. As shown in FIG. 5A, a conventional electrode pad including only a copper alloy layer 10, a nickel layer 20, and a silver layer 30 may be applied to the package from the start of the test to about 500 hours as time passes. Although there is no decrease in light efficiency, thereafter, a decrease in light efficiency is remarkable with time.

이것은 상기한 바와 같이 은층(30)이 시간의 경과에 따라 공기중의 유황 또는 황화합물과 노출되는 시간이 증가하여 은색에서 점점 더 어두운 색으로 변색하여 광반사율이 줄어들기 때문이다.This is because the silver layer 30 is exposed to sulfur or sulfur compounds in the air as time passes and the color of the silver layer 30 is gradually changed from silver to darker color, thereby reducing light reflectance.

이에 반하여, 도 4A에 도시된 b에서와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 패드를 채용한 발광 다이오드 패키지는 시간의 경과에 따른 광효율의 저하가 거의 일어나지 않음을 알 수 있다.On the contrary, as shown in b of FIG. 4A, it can be seen that the LED package employing the electrode pad according to the exemplary embodiment of the present invention hardly exhibits a decrease in light efficiency over time.

도 5b를 참조하면, 상기 조건에 따른 종래의 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지와 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 광효율을 발광 다이오드 칩에 25mA의 전류를 공급하기 시작하여 각각 480시간 경과 후 및 1000시간 경과 후에 측정한 결과가 나타나있다.Referring to FIG. 5B, the light efficiency of the light emitting diode package using the conventional electrode pad and the light emitting diode package according to the embodiment of the present invention is started to supply 25 mA of current to the light emitting diode chip for 480 hours. After and after 1000 hours have elapsed the results are shown.

480시간이 지난 후에 측정한 결과를 보면, 종래의 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 경우 평균 광효율, 최대 광효율, 및 최소 광효율이 각각 0.51%, 5.01%, 및 -0.93%로 측정되었고, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 경우 평균 광효율, 최대 광효율, 및 최소 광효율이 각각 0.79%, 1.52%, 및 0.14%로 측정되었다. 두 결과를 비교해보면 480시간까지는 둘 다 광효율 저하가 크게 일어나지 않았음을 알 수 있다.After 480 hours, the average light efficiency, the maximum light efficiency, and the minimum light efficiency of the LED package using the conventional electrode pad were measured to be 0.51%, 5.01%, and -0.93%, respectively. In the case of the LED package using the electrode pad according to an embodiment, the average light efficiency, the maximum light efficiency, and the minimum light efficiency were respectively measured to 0.79%, 1.52%, and 0.14%. Comparing the two results, it can be seen that the light efficiency was not significantly reduced until both 480 hours.

그러나, 1000시간이 경과한 후의 측정 결과를 보면, 종래의 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 경우 평균 광효율, 최대 광효율, 및 최소 광효율이 각각 -9.75%, -4.54%, 및 -13.07%로 측정되었고, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 경우 평균 광효율, 최대 광효율, 및 최소 광효율이 각각 -0.48%, 1.25%, 및 -2.45%로 측정되어 종래의 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 광효율이 현저하게 저하되었음에 반해 본 발명의 일 실시예에 따른 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지의 광효율은 480시간이 지난 후에 측정하였던 결과와 거의 차이가 없음을 알 수 있다.However, in the measurement result after 1000 hours, the average light efficiency, the maximum light efficiency, and the minimum light efficiency of the LED package using the conventional electrode pad were measured to be -9.75%, -4.54%, and -13.07%, respectively. In the case of a light emitting diode package using an electrode pad according to an embodiment of the present invention, the average light efficiency, the maximum light efficiency, and the minimum light efficiency are measured to be -0.48%, 1.25%, and -2.45%, respectively. While the light efficiency of the diode package is significantly reduced, it can be seen that the light efficiency of the light emitting diode package using the electrode pad according to the embodiment of the present invention is almost the same as the result measured after 480 hours.

이와같이 본 발명의 상기 실시예에 따른 전극 패드를 사용한 발광 다이오드 패키지에 의하면 은층(30)의 변색을 방지하여 패키지의 발광 효율 저하를 효과적으로 방지할 수 있다.As described above, according to the LED package using the electrode pad according to the embodiment of the present invention, the discoloration of the silver layer 30 may be prevented, thereby effectively preventing the luminous efficiency of the package from being lowered.

이상에서 본 발명에 대한 기술사상을 첨부도면과 함께 서술하였지만 이는 본 발명의 바람직한 실시예를 예시적으로 설명한 것이고 본 발명을 한정하는 것은 아 니다. 또한, 이 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 본 발명의 기술사상의 범주를 이탈하지 않는 범위 내에서 다양한 변형 및 모방이 가능함은 명백한 사실이다.The technical spirit of the present invention has been described above with reference to the accompanying drawings, but this is only illustrative of the preferred embodiments of the present invention and is not intended to limit the present invention. In addition, it is a matter of course that various modifications and variations are possible without departing from the scope of the technical idea of the present invention by anyone having ordinary skill in the art.

도 1은 종래 기술에 따른 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면도,1 is a cross-sectional view of an electrode pad on which a light emitting diode chip according to the prior art is mounted;

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 사시도,2 is a perspective view of a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention;

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면도,3 is a cross-sectional view of an electrode pad on which a light emitting diode chip is mounted according to an embodiment of the present invention;

도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드의 단면도, 및 4 is a cross-sectional view of an electrode pad mounted with a light emitting diode chip according to another embodiment of the present invention; and

도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 시간 경과에 따른 발광 다이오드 패키지의 광효율 테스트의 결과를 나타낸 그래프이고 도 5b는 상기 광효율 테스트 결과를 수치로 나타낸 표.Figure 5a is a graph showing the results of the light efficiency test of the LED package over time according to an embodiment of the present invention and Figure 5b is a table showing the light efficiency test results numerically.

Claims (4)

순차적으로 적층된 구리합금층, 니켈층, 및 반사율저하방지층을 포함하고, 상기 반사율저하방지층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 패드.A copper alloy layer, a nickel layer, and an antireflection prevention layer laminated sequentially, the antireflection prevention layer is ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), iridium (Ir), platinum (Pt) and at least one selected from the group consisting of alloys thereof. 제 1 항에 있어서, 상기 니켈층과 상기 반사율저하방지층 사이에 은층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 패드.The electrode pad of claim 1, further comprising a silver layer between the nickel layer and the antireflective layer. 발광 다이오드 칩이 실장되는 전극 패드를 포함하는 리드 프레임, 및 상기 리드 프레임을 감싸는 하우징을 포함하는 발광 다이오드 패키지로서,A light emitting diode package comprising a lead frame including an electrode pad on which a light emitting diode chip is mounted, and a housing surrounding the lead frame. 상기 전극 패드는 순차적으로 적층된 구리합금층, 니켈층, 및 반사율저하방지층을 포함하고, 상기 반사율저하방지층은 루테늄(Ru), 로듐(Rh), 팔라듐(Pd), 오스뮴(Os), 이리듐(Ir), 백금(Pt), 및 그 합금을 포함하는 군으로부터 선택된 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지. The electrode pad includes a copper alloy layer, a nickel layer, and an antireflection prevention layer sequentially stacked, and the antireflection prevention layers include ruthenium (Ru), rhodium (Rh), palladium (Pd), osmium (Os), and iridium ( Ir), platinum (Pt), and a light emitting diode package, characterized in that formed at least one selected from the group consisting of alloys thereof. 제 3 항에 있어서, 상기 니켈층과 상기 반사율저하방지층 사이에 은층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.The light emitting diode package of claim 3, further comprising a silver layer between the nickel layer and the antireflective layer.
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