KR100952814B1 - Pixel and Organic Light Emitting Display Device Using the Same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 불량을 완화시키는 화소에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel that mitigates defects.
본 발명의 화소는, 복수의 유기 발광 다이오드들과, 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각과 접속되며 서로 다른 시간에 턴-온되어 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각으로 서로 다른 시간에 전류를 공급하는 복수의 발광제어 트랜지스터들을 포함한다. The pixel of the present invention is connected to each of the plurality of organic light emitting diodes and each of the plurality of organic light emitting diodes and is turned on at different times to supply current to each of the plurality of organic light emitting diodes at different times. A plurality of light emission control transistors.
Description
본 발명은 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 화소불량을 완화시키는 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pixel and an organic light emitting display device using the same, and more particularly, to a pixel for alleviating pixel defects and an organic light emitting display device using the same.
유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)를 이용하여 영상을 표시하는 것으로, 경량 박형으로 제조가 가능하여 차세대 평판 표시장치로 주목받고 있다. Organic light emitting display devices (OLEDs) display images using organic light emitting diodes (OLEDs), and are attracting attention as next-generation flat panel displays because they can be manufactured in a light weight and thin form.
유기 발광 다이오드는 애노드 전극 및 캐소드 전극과, 이들 사이에 개재된 유기 발광층을 포함하는 자발광 소자로, 휘도 및 색순도가 뛰어나다.An organic light emitting diode is a self-luminous device including an anode electrode and a cathode electrode, and an organic light emitting layer interposed therebetween, and is excellent in brightness and color purity.
단, 일반적으로 유기 발광층은 박막으로 이루어지므로, 수천 옹스트롬(Å) 크기의 미세한 파티클에 의해서도 유기 발광 다이오드의 애노드 전극과 캐소드 전극 사이에 쇼트결함이 발생하기 쉽다.However, in general, since the organic light emitting layer is formed of a thin film, short defects are likely to occur between the anode electrode and the cathode electrode of the organic light emitting diode even by the fine particles having the size of thousands of angstroms.
이와 같이 유기 발광 다이오드에 쇼트결함이 발생하면, 이를 포함하는 화소 가 발광하지 못하면서 화소불량이 발생하여 사용자에게 암점으로 인식되는 문제점이 발생한다.As described above, when a short defect occurs in the organic light emitting diode, a pixel defect occurs while the pixel including the same does not emit light, thereby causing a problem that the user is recognized as a dark spot.
따라서, 본 발명의 목적은 화소불량을 완화시키는 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다. Accordingly, an object of the present invention is to provide a pixel for alleviating pixel defects and an organic light emitting display device using the same.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은 복수의 유기 발광 다이오드들과, 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각과 접속되며 서로 다른 시간에 턴-온되어 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각으로 서로 다른 시간에 전류를 공급하는 복수의 발광제어 트랜지스터들을 포함하는 화소를 제공한다. In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention provides a plurality of organic light emitting diodes and a plurality of organic light emitting diodes, each of which is connected to each of the plurality of organic light emitting diodes and is turned on at different times to each of the plurality of organic light emitting diodes. A pixel including a plurality of light emitting control transistors for supplying current at different times is provided.
여기서, 상기 복수의 발광제어 트랜지스터들은, 제1 전압(로우레벨 전압) 및 제2 전압(하이레벨 전압)이 교번적으로 공급되는 하나의 발광 제어선에 게이트 전극이 공통으로 접속된 서로 다른 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. Here, the plurality of light emission control transistors may include different types of gate electrodes connected to one light emission control line to which a first voltage (low level voltage) and a second voltage (high level voltage) are alternately supplied. It can be set as a transistor.
또는, 상기 복수의 발광제어 트랜지스터들은, 서로 다른 시간에 발광 제어신호가 공급되는 서로 다른 발광 제어선에 게이트 전극이 접속된 동일한 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. Alternatively, the plurality of light emission control transistors may be set to transistors of the same type in which gate electrodes are connected to different light emission control lines to which light emission control signals are supplied at different times.
또한, 상기 화소는 주사선으로부터 주사신호가 공급될 때 데이터선으로부터 공급되는 데이터 신호를 화소 내부로 전달하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터로부터 공급되는 상기 데이터 신호를 저장하는 커패시터와, 상기 데이터 신호에 대응하는 크기의 전류를 상기 복수의 발광제어 트랜지스터들로 공급하는 구 동 트랜지스터를 더 포함할 수 있다. The pixel may correspond to a switching transistor that transfers a data signal supplied from a data line into a pixel when a scan signal is supplied from a scanning line, a capacitor storing the data signal supplied from the switching transistor, and a data signal corresponding to the data signal. The driving transistor may further include a driving transistor configured to supply a current having a magnitude of the magnitude to the plurality of light emitting control transistors.
본 발명의 제2 측면은, 주사선들, 발광 제어선들 및 데이터선들에 접속된 다수의 화소들을 포함하는 화소부와, 상기 주사선들 및 발광 제어선들로 각각 주사신호 및 발광 제어신호를 출력하는 주사 구동부를 포함하며, 상기 화소들 각각은, 복수의 유기 발광 다이오드들과, 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각과 접속되며 서로 다른 시간에 턴-온되어 상기 복수의 유기 발광 다이오드들 각각으로 서로 다른 시간에 전류를 공급하는 복수의 발광제어 트랜지스터들을 포함하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a pixel unit including a plurality of pixels connected to scan lines, emission control lines, and data lines, and a scan driver for outputting a scan signal and emission control signals to the scan lines and emission control lines, respectively. Each of the pixels is connected to each of the plurality of organic light emitting diodes and each of the plurality of organic light emitting diodes and is turned on at a different time so that each of the plurality of organic light emitting diodes has a different time. An organic light emitting display device including a plurality of light emitting control transistors for supplying a current is provided.
여기서, 하나의 화소 내에 포함된 상기 복수의 발광제어 트랜지스터들은, 동일한 하나의 발광 제어선에 게이트 전극이 공통으로 접속된 서로 다른 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. 그리고, 상기 주사 구동부는 한 수평기간 동안 하나의 발광 제어선에 교번적으로 제1 전압(로우레벨 전압) 및 제2 전압(하이레벨 전압)으로 설정되는 상기 발광 제어신호를 출력할 수 있다.Here, the plurality of light emission control transistors included in one pixel may be set to different types of transistors in which gate electrodes are commonly connected to the same one light emission control line. The scan driver may output the light emission control signal that is alternately set to a first voltage (low level voltage) and a second voltage (high level voltage) to one light emission control line during one horizontal period.
또한, 하나의 화소 내에 포함된 상기 복수의 발광제어 트랜지스터들은, 서로 다른 시간에 발광 제어신호가 공급되는 서로 다른 발광 제어선에 게이트 전극이 접속된 동일한 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. 그리고, 상기 주사 구동부는 한 수평기간 동안 상기 서로 다른 발광 제어선에 교번적으로 상기 발광 제어신호를 출력할 수 있다. The plurality of light emission control transistors included in one pixel may be set to the same type of transistors in which gate electrodes are connected to different light emission control lines to which light emission control signals are supplied at different times. The scan driver may alternately output the emission control signal to the different emission control lines during one horizontal period.
이와 같은 본 발명에 의하면, 하나의 화소는 서로 다른 시간에 전류를 공급하는 복수의 발광제어 트랜지스터에 각각 접속된 복수의 유기 발광 다이오드를 구비한다. 이에 따라, 화소 내에 포함된 일부 유기 발광 다이오드에 쇼트결함 등이 발생하더라도 나머지 유기 발광 다이오드의 발광에 의해 화소불량이 완화되어 화소 전체가 암점으로 인식되는 것을 방지할 수 있다.According to the present invention as described above, one pixel includes a plurality of organic light emitting diodes each connected to a plurality of light emitting control transistors which supply current at different times. Accordingly, even if a short defect or the like occurs in some organic light emitting diodes included in the pixel, pixel defects may be alleviated by light emission of the remaining organic light emitting diodes, thereby preventing the entire pixel from being recognized as a dark spot.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention in more detail.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 구조도이다.1 is a structural diagram illustrating an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치는 화소부(100), 주사 구동부(200) 및 데이터 구동부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting display device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a
화소부(100)는 주사선들(S1 내지 Sn), 발광 제어선들(E1 내지 En) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치된 다수의 화소들(110)을 포함한다.The
각각의 화소들(110)은 자신이 위치된 행에 배열된 주사선(S) 및 발광 제어선(E)과 자신이 위치된 열에 배열된 데이터선(D)에 접속된다. 이와 같은 화소들(110)은 자신과 접속된 주사선(S), 발광 제어선(E) 및 데이터선(D)으로부터 각각 공급되는 주사신호, 발광 제어신호 및 데이터 신호에 대응하여 발광한다. 이와 같 은 화소들(110)의 발광에 의하여, 화소부(100)에는 영상이 표시된다. Each of the
한편, 화소부(100)는 외부(예컨대, 전원 공급부)로부터 제1 및 제2 화소전원(ELVDD, ELVSS)을 공급받는다. 이와 같은 제1 및 제2 화소전원(ELVDD, ELVSS)은 각각의 화소들(110)로 전달되어, 화소들(110)의 구동전원으로 이용된다.Meanwhile, the
주사 구동부(200)는 외부로부터 공급되는 주사 제어신호에 대응하여 순차적으로 주사신호 및 발광 제어신호를 생성한다. 주사 구동부(200)에서 생성된 주사신호 및 발광 제어신호는 각각 주사선들(S1 내지 Sn) 및 발광 제어선들(E1 내지 En)로 출력되어 화소들(110)로 전달된다.The
단, 본 발명에서 주사 구동부(200)는 한 수평기간 동안 화소들에 포함된 복수의 발광제어 트랜지스터(미도시)를 교번적으로 턴-온시킬 수 있는 발광 제어신호를 공급하며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다. However, in the present invention, the
데이터 구동부(300)는 외부로부터 공급되는 데이터 및 데이터 제어신호에 대응하여 데이터 신호를 생성한다. 데이터 구동부(300)에서 생성된 데이터 신호는 데이터선들(D1 내지 Dm)로 출력되어 화소들(110)로 전달된다.The
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다. 여기서, 도 2에 도시된 화소는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치 등에 적용될 수 있다.2 is a circuit diagram illustrating a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention. The pixel illustrated in FIG. 2 may be applied to the organic light emitting display device illustrated in FIG. 1.
도 2를 참조하면, 화소(110)는 스위칭 트랜지스터(ST), 커패시터(C), 구동 트랜지스터(DT), 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2), 및 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2) 각각에 접속된 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2) 을 포함한다.Referring to FIG. 2, the
스위칭 트랜지스터(ST)는 데이터선(Dl)과 제1 노드(N1) 사이에 접속되고, 스위칭 트랜지스터(ST)의 게이트 전극은 주사선(Sk)에 접속된다. 여기서, 제1 노드(N1)는 스위칭 트랜지스터(ST)의 일 전극(예컨대, 드레인 전극), 커패시터(C)의 일 전극 및 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극이 공통으로 접속되는 노드이다. 이와 같은 스위칭 트랜지스터(ST)는 주사선(Sk)으로부터 로우레벨의 주사신호가 공급될 때 턴-온되어, 데이터선(Dl)으로부터 공급되는 데이터 신호를 화소(110) 내부(제1 노드(N1))로 전달한다. The switching transistor ST is connected between the data line D1 and the first node N1, and the gate electrode of the switching transistor ST is connected to the scanning line Sk. Here, the first node N1 is a node in which one electrode (eg, a drain electrode) of the switching transistor ST, one electrode of the capacitor C, and the gate electrode of the driving transistor DT are connected in common. The switching transistor ST is turned on when a low-level scan signal is supplied from the scan line Sk, and the data transistor supplied from the data line Dl is transferred inside the pixel 110 (the first node N1). To pass).
커패시터(C)는 제1 노드(N1)와 제1 화소전원(ELVDD) 사이에 접속된다. 이와 같은 커패시터(C)는 주사신호가 공급되는 동안 스위칭 트랜지스터(ST)를 경유하여 제1 노드(N1)로 공급되는 데이터 신호를 저장하고, 이를 한 프레임 동안 유지한다. The capacitor C is connected between the first node N1 and the first pixel power source ELVDD. The capacitor C stores the data signal supplied to the first node N1 via the switching transistor ST while the scan signal is supplied and maintains it for one frame.
구동 트랜지스터(DT)는 제1 화소전원(ELVDD)과 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2) 사이에 접속되며, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 구동 트랜지스터(DT)는 데이터 신호에 대응하는 크기의 전류를 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2)로 공급한다. The driving transistor DT is connected between the first pixel power source ELVDD and the light emission control transistors ET1 and ET2, and the gate electrode of the driving transistor DT is connected to the first node N1. The driving transistor DT supplies a current having a magnitude corresponding to the data signal to the plurality of light emitting control transistors ET1 and ET2.
복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2)은 구동 트랜지스터(DT)와 제2 화소전원(ELVSS) 사이에 병렬로 접속된다. 그리고, 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2) 각각과 제2 화소전원(ELVSS) 사이에는 각각 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2)이 접속된다. The plurality of light emission control transistors ET1 and ET2 are connected in parallel between the driving transistor DT and the second pixel power source ELVSS. The organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 are connected between the plurality of light emitting control transistors ET1 and ET2 and the second pixel power source ELVSS, respectively.
즉, 본 발명에서는 하나의 화소(110)에 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2)과, 복수의 유기 발광 다이오들(OLED1, OLED2) 각각에 접속된 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2)이 구비된다. 그리고, 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2)과 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2) 각각에 접속된 복수의 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2)은 구동 트랜지스터(DT)와 제2 화소전원(ELVSS) 사이에 병렬로 접속된다. That is, in the present invention, a plurality of organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 and a plurality of light emitting control transistors ET1 and ET2 connected to each of the plurality of organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 are connected to one pixel 110. ) Is provided. The organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 connected to each of the plurality of light emitting control transistors ET1 and ET2 and the plurality of light emitting control transistors ET1 and ET2 are driven by the driving transistor DT and the second pixel. It is connected in parallel between the power supply ELVSS.
편의상, 도 1에서는 화소(110) 내에 두 개의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2) 및 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2)이 접속되는 경우를 도시하기로 하고, 이를 각각 제1 및 제2 발광제어 트랜지스터(ET1, ET2)와, 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)라 하기로 한다. For convenience, FIG. 1 illustrates a case in which two light emission control transistors ET1 and ET2 and organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 are connected to the
이 경우, 제1 발광제어 트랜지스터(ET1) 및 이에 직렬 접속되는 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)와, 제2 발광제어 트랜지스터(ET2) 및 이에 직렬 접속되는 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)는 서로 병렬 연결된 형태로 접속된다. In this case, the first light emitting control transistor ET1 and the first organic light emitting diode OLED1 connected in series thereto, the second light emitting control transistor ET2 and the second organic light emitting diode OLED2 connected in series with each other, are parallel to each other. Connected form.
단, 제1 발광제어 트랜지스터(ET1)와 제2 발광제어 트랜지스터(ET2)는 서로 다른 타입의 트랜지스터로 설정된다. 예를 들어, 제1 발광제어 트랜지스터(ET1)가 P 타입의 트랜지스터로 설정되면, 제2 발광제어 트랜지스터(ET2)는 N 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. However, the first light emission control transistor ET1 and the second light emission control transistor ET2 are set to different types of transistors. For example, when the first emission control transistor ET1 is set to a P type transistor, the second emission control transistor ET2 may be set to an N type transistor.
그리고, 이들의 게이트 전극은 한 수평기간의 발광기간 동안 제1 전압(로우레벨 전압) 및 제2 전압(하이레벨 전압)이 교번적으로 공급되는 하나의 동일한 발광 제어선(Ek)에 공통으로 접속된다. 여기서, 제1 전압은 제1 발광제어 트랜지스터(ET1)를 턴-온시킬 수 있는 전압으로 설정되고, 제2 전압은 제2 발광제어 트랜지 스터(ET2)를 턴-온시킬 수 있는 전압으로 설정된다. These gate electrodes are commonly connected to the same light emission control line Ek to which the first voltage (low level voltage) and the second voltage (high level voltage) are alternately supplied during the light emission period of one horizontal period. do. Here, the first voltage is set to a voltage capable of turning on the first emission control transistor ET1, and the second voltage is set to a voltage capable of turning on the second emission control transistor ET2. do.
즉, 제1 및 제2 발광제어 트랜지스터(ET1, ET2)는 한 수평기간의 발광기간 동안 제1 전압 및 제2 전압이 교번적으로 공급되는 발광 제어신호에 의해 서로 다른 시간에 턴-온된다.That is, the first and second light emission control transistors ET1 and ET2 are turned on at different times by light emission control signals in which the first voltage and the second voltage are alternately supplied during the light emission period of one horizontal period.
따라서, 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)는 각각 제1 및 제2 발광제어 트랜지스터(ET1, ET2)로부터 서로 다른 시간에 전류를 공급받아 발광하게 된다. 여기서, 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)는 하나의 화소(110)에 구비되는 것이므로 동일한 색의 빛을 방출하는 유기 발광층을 포함하는 것이 바람직하다. 예컨대, 적색 화소에 포함된 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)는 적색 빛을 방출하는 유기 발광층을 포함한다. Accordingly, the first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 receive light from the first and second light emitting control transistors ET1 and ET2 at different times, respectively, to emit light. Here, since the first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 are provided in one
이하에서는 도 2에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도를 참조하여 도 2에 도시된 화소(110)의 구동방법을 상술하기로 한다. Hereinafter, the driving method of the
도 3을 참조하면, 우선, 한 수평기간(1H)의 주사기간(ta) 동안 주사선(Sk)으로 로우레벨의 주사신호(SS)가 공급된다. 이에 따라, 스위칭 트랜지스터(ST)가 턴-온되어 데이터선(Dl)으로부터 공급되는 데이터 신호가 제1 노드(N1)로 전달된다. 그리고, 제1 노드(N1)에 전달된 데이터 신호는 커패시터(C)에 저장된다. Referring to FIG. 3, first, the low level scan signal SS is supplied to the scan line Sk during the syringe interval ta of one
이후, 주사기간(ta)에 후속되는 발광기간(tb) 동안 교번적으로 제1 전압 및 제2 전압으로 설정되는 발광 제어신호(EMI)가 발광 제어선(Ek)으로 공급된다. 이 경우, 도 1에 도시된 주사 구동부(200)는 한 수평기간(1H) 내의 발광기간(tb) 동안 교번적으로 제1 전압 및 제2 전압으로 설정되는 발광 제어신호(EMI)를 출력한다.Thereafter, the light emission control signal EMI, which is alternately set to the first voltage and the second voltage, is supplied to the light emission control line Ek during the light emission period tb following the interval between the syringes. In this case, the
발광기간(tb)의 제1 기간(tb1) 동안 발광 제어선(Ek)으로 로우레벨의 발광 제어신호(EMI)가 공급되면, 제1 발광제어 트랜지스터(ET1)가 턴-온된다. 이에 따라, 제1 화소전원(ELVDD)으로부터 구동 트랜지스터(DT), 제1 발광제어 트랜지스터(ET1) 및 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)를 경유하여 제2 화소전원(ELVSS)으로 향하는 전류패스가 형성된다. 그리고, 이와 같은 전류패스를 통해 흐르는 전류량은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극에 공급되는 전압, 즉, 커패시터(C)에 저장된 데이터 신호의 크기에 의해 결정된다. 이와 같은 발광기간(tb)의 제1 기간(tb1) 동안 제1 유기 발광 다이오드(OLED1)는 자신에게 공급되는 전류량에 대응하는 휘도로 발광한다.(단, 블랙계조에 해당하는 데이터신호가 공급될 경우에는 비발광할 수 있음)When the low level emission control signal EMI is supplied to the emission control line Ek during the first period tb1 of the emission period tb, the first emission control transistor ET1 is turned on. Accordingly, a current path is formed from the first pixel power supply ELVDD to the second pixel power supply ELVSS via the driving transistor DT, the first emission control transistor ET1, and the first organic light emitting diode OLED1. do. The amount of current flowing through the current path is determined by the voltage supplied to the gate electrode of the driving transistor DT, that is, the magnitude of the data signal stored in the capacitor C. During the first period tb1 of the light emitting period tb, the first organic light emitting diode OLED1 emits light with a luminance corresponding to the amount of current supplied to the first organic light emitting diode OLED. May not emit light)
이후, 발광기간(tb)의 제2 기간(tb2) 동안 발광 제어선(Ek)으로 하이레벨의 발광 제어신호(EMI)가 공급되면, 제2 발광제어 트랜지스터(ET2)가 턴-온된다. 이에 따라, 제1 화소전원(ELVDD)으로부터 구동 트랜지스터(DT), 제2 발광제어 트랜지스터(ET2) 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)를 경유하여 제2 화소전원(ELVSS)으로 향하는 전류패스가 형성된다. 그러면, 제2 유기 발광 다이오드(OLED2)는 자신에게 공급되는 전류량에 대응하는 휘도로 발광한다. Thereafter, when the high level emission control signal EMI is supplied to the emission control line Ek during the second period tb2 of the emission period tb, the second emission control transistor ET2 is turned on. Accordingly, a current path is formed from the first pixel power supply ELVDD to the second pixel power supply ELVSS via the driving transistor DT, the second emission control transistor ET2, and the second organic light emitting diode OLED2. do. Then, the second organic light emitting diode OLED2 emits light with luminance corresponding to the amount of current supplied thereto.
한편, 도 2에서는 상반된 타입으로 설정되는 두 개의 발광제어 트랜지스터들(ET1, ET2)만을 개시하였지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 화소(110) 내에는 각각 두 개씩의 P 타입 및 N 타입의 발광제어 트랜지스터들이 구비될 수 있음은 물론이다. 또한, 도 3에서는 한 수평기간(1H)의 발광기간(tb) 동안 각각 한 타임씩만 제1 전압 및 제2 전압으로 설정된 발광 제어신호(EMI)를 도시하였지만, 이들이 교번적으로 공급되는 횟수는 변경될 수 있다. Meanwhile, although only two light emission control transistors ET1 and ET2 set to opposite types are disclosed in FIG. 2, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, two P-type and N-type light emission control transistors may be provided in one
전술한 바와 같이, 본 발명에서는 서로 다른 시간에 턴-온되는 제1 및 제2 발광제어 트랜지스터(ET1, ET2)에 의해 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)가 서로 다른 시간에 발광하게 된다. 즉, 한 수평기간(1H)의 발광기간(tb)을 분할하여 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)가 교번적으로 발광하게 된다. As described above, in the present invention, the first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 emit light at different times by the first and second light emission control transistors ET1 and ET2 that are turned on at different times. Done. That is, the first and second organic light emitting diodes OLED1 and OLED2 alternately emit light by dividing the light emission period tb of one
따라서, 한 화소(110) 내에 포함된 일부 유기 발광 다이오드(즉, 제1 또는 제2 유기 발광 다이오드(OLED1 또는 OLED2))가 쇼트결함 등에 의해 해당 발광기간 동안 발광하지 못하더라도 나머지 발광기간 동안 다른 유기 발광 다이오드가 발광하게 된다. 이에 따라, 제1 또는 제2 유기 발광 다이오드(OLED1 또는 OLED2)의 결함으로 인한 화소불량이 발생되더라도, 이러한 화소불량이 완화되어 화소 전체가 사용자에게 암점으로 인식되는 것을 방지할 수 있다. Therefore, even if some organic light emitting diodes (ie, the first or second organic light emitting diode OLED1 or OLED2) included in one
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도이다. 그리고, 도 5는 도 4에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도이다. 도 4 내지 도 5에서, 도 2 내지 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. 4 is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention. 5 is a waveform diagram illustrating a method of driving the pixel illustrated in FIG. 4. In FIGS. 4 to 5, the same parts as in FIGS. 2 to 3 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
도 4 내지 도 5를 참조하면, 제1 및 제2 발광제어 트랜지스터(ET1', ET2')는 모두 P 타입 트랜지스터로 설정된다. 단, 이들의 게이트 전극은 각각 서로 다른 시 간에 발광 제어신호가 공급되는 제1 및 제2 발광 제어선(Ek_1, Ek_2)에 접속된다. 4 to 5, the first and second light emission control transistors ET1 ′ and ET2 ′ are both set as P-type transistors. However, these gate electrodes are connected to the first and second emission control lines Ek_1 and Ek_2 to which the emission control signals are supplied at different times, respectively.
예를 들어, 제1 발광제어 트랜지스터(ET1')는 발광기간(tb')의 제1 기간(tb1') 동안 로우레벨의 제1 발광 제어신호(EMI1)가 공급되는 제1 발광 제어선(Ek_1)에 접속될 수 있다. 그리고, 제2 발광제어 트랜지스터(ET2')는 발광기간(tb')의 제2 기간(tb2') 동안 로우레벨의 제2 발광 제어신호(EMI2)가 공급되는 제2 발광 제어선(Ek_2)에 접속될 수 있다. For example, the first emission control transistor ET1 ′ may include the first emission control line Ek_1 to which the low emission first emission control signal EMI1 is supplied during the first period tb1 ′ of the emission period tb '. ) Can be connected. The second light emission control transistor ET2 ′ is applied to the second light emission control line Ek_2 to which the low level second light emission control signal EMI2 is supplied during the second period tb2 ′ of the light emission period tb '. Can be connected.
이 경우, 도 4에 도시된 화소(110')는 도 2에 도시된 화소(110)와 동일하게 발광기간(tb') 동안 제1 및 제2 유기 발광 다이오드(OLED1, OLED2)가 교번적으로 발광하는 방식으로 구동될 수 있다. 따라서, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다. In this case, in the
한편, 도 4에서는 두 개의 발광제어 트랜지스터들(ET1', ET2')만을 개시하였지만, 본 발명이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 하나의 화소(110') 내에는 각각 서로 다른 시간에 발광 제어신호가 공급되는 발광 제어선(Ek)에 게이트 전극이 접속되는 세 개 이상의 P 타입 발광제어 트랜지스터들이 구비될 수 있음은 물론이다. Meanwhile, although only two light emission control transistors ET1 ′ and ET2 ′ are disclosed in FIG. 4, the present invention is not necessarily limited thereto. For example, in one
또한, 도 4에서, 발광제어 트랜지스터들(ET1', ET2')은 모두 P 타입으로 설정되었지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 발광제어 트랜지스터들(ET1', ET2')은 모두 N 타입 트랜지스터로 설정될 수도 있다. 그리고, 이 경우 발광기간(tb') 동안 하이레벨의 발광 제어신호들(EMI1, EMI2)이 교번적(또는 순차적)으로 공급될 수 있다. In addition, in FIG. 4, the light emission control transistors ET1 ′ and ET2 ′ are all set to a P type, but the present invention is not limited thereto. For example, the light emission control transistors ET1 ′ and ET2 ′ may all be set as N type transistors. In this case, high-level emission control signals EMI1 and EMI2 may be alternately supplied (or sequentially) during the emission period tb '.
즉, 본 실시예에서 복수의 발광제어 트랜지스터들(ET1', ET2')은 서로 다른 시간에 발광 제어신호(EMI1, EMI2)가 공급되는 서로 다른 발광 제어선(Ek_1, Ek_2)에 게이트 전극이 접속되는 동일한 타입의 트랜지스터로 설정된다. That is, in the present embodiment, the plurality of light emission control transistors ET1 ′ and ET2 ′ are connected with gate electrodes connected to different light emission control lines Ek_1 and Ek_2 to which the light emission control signals EMI1 and EMI2 are supplied at different times. Is set to the same type of transistor.
전술한 바와 같이 도 4에 도시된 화소(110')도 도 1에 도시된 화소(110)와 마찬가지로, 서로 다른 시간에 턴-온되는 발광제어 트랜지스터들(ET1', ET2')에 의해 유기 발광 다이오드들(OLED1, OLED2)을 교번적으로 발광시킴으로써, 화소불량을 완화시킬 수 있다. As described above, the
한편, 도 4에 도시된 화소(110')는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치 등에 적용될 수 있다. 이 경우, 도 1의 발광 제어선들(E) 각각은 두 개의 발광 제어선(Ek_1, Ek_2)으로 구성될 수 있다. 그리고, 도 1의 주사 구동부(200)는 한 수평기간(1H) 동안 두 개의 발광 제어선(Ek_1, Ek_2)에 교번적(또는, 순차적)으로 제1 및 제2 발광 제어신호(EMI1, EMI2)를 출력할 수 있다. The
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.Although the technical idea of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications may be made without departing from the scope of the present invention.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치를 나타내는 구조도.1 is a structural diagram showing an organic light emitting display device according to an embodiment of the present invention.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도.2 is a circuit diagram illustrating a pixel according to an exemplary embodiment of the present invention.
도 3은 도 2에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도.3 is a waveform diagram illustrating a method of driving the pixel illustrated in FIG. 2;
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 나타내는 회로도.4 is a circuit diagram illustrating a pixel according to another exemplary embodiment of the present invention.
도 5는 도 4에 도시된 화소의 구동방법을 나타내는 파형도.FIG. 5 is a waveform diagram illustrating a method of driving the pixel illustrated in FIG. 4.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
100: 화소부 110, 110': 화소100:
200: 주사 구동부 300: 데이터 구동부200: scan driver 300: data driver
ST: 스위칭 트랜지스터 DT: 구동 트랜지스터ST: switching transistor DT: driving transistor
C: 커패시터 ET, ET': 발광제어 트랜지스터C: capacitor ET, ET ': light emission control transistor
OLED: 유기 발광 다이오드OLED: organic light emitting diode
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9460650B2 (en) | 2013-04-24 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display |
US10019936B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-07-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
WO2020075934A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel, display device having same and driving method thereof |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102036247B1 (en) * | 2013-05-31 | 2019-10-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel and organic light emitting display device using the same |
CN103383834B (en) * | 2013-07-02 | 2015-08-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of image element circuit, display panel and display device |
CN103413519B (en) * | 2013-07-18 | 2016-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | A kind of image element circuit and driving method, array base palte and display unit |
KR20150042914A (en) | 2013-10-14 | 2015-04-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel and organic light emitting display device including the same |
GB2549315B (en) * | 2016-04-14 | 2019-06-12 | Facebook Tech Llc | A display |
CN106991967A (en) * | 2017-05-27 | 2017-07-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Pixel-driving circuit and its restorative procedure and display device |
KR102568713B1 (en) * | 2018-10-12 | 2023-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel and display device including the same |
CN110459169A (en) * | 2019-08-23 | 2019-11-15 | 云谷(固安)科技有限公司 | A kind of digital drive pixel circuit and its driving method and display panel |
WO2023044680A1 (en) * | 2021-09-23 | 2023-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Display substrate and display apparatus |
KR20230103648A (en) * | 2021-12-31 | 2023-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | Display Device |
KR20230114810A (en) * | 2022-01-24 | 2023-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060032830A (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display |
KR20060056791A (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pixel circuit and light emitting display |
KR100685844B1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Both-sides emitting organic electroluminescence display device and driving method of the same |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4822590B2 (en) * | 2001-02-08 | 2011-11-24 | 三洋電機株式会社 | Organic EL circuit |
JP4273809B2 (en) * | 2003-03-31 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | Electro-optical device and electronic apparatus |
US8013809B2 (en) * | 2004-06-29 | 2011-09-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method of the same, and electronic apparatus |
KR100673760B1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-01-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display |
JP4364849B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-11-18 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Luminescent display device |
KR100688801B1 (en) * | 2004-11-22 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | Delta pixel circuit and light emitting display |
KR100747491B1 (en) * | 2006-02-20 | 2007-08-08 | 삼성전자주식회사 | Display device |
JP4887203B2 (en) * | 2006-11-14 | 2012-02-29 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | Pixel, organic electroluminescent display device, and driving method of organic electroluminescent display device |
-
2008
- 2008-06-18 KR KR1020080057253A patent/KR100952814B1/en active IP Right Grant
-
2009
- 2009-06-10 US US12/457,439 patent/US20090315874A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060032830A (en) * | 2004-10-13 | 2006-04-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | Light emitting display |
KR20060056791A (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | Pixel circuit and light emitting display |
KR100685844B1 (en) * | 2005-08-26 | 2007-02-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | Both-sides emitting organic electroluminescence display device and driving method of the same |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10019936B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-07-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display |
US9460650B2 (en) | 2013-04-24 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display |
WO2020075934A1 (en) * | 2018-10-08 | 2020-04-16 | 삼성디스플레이 주식회사 | Pixel, display device having same and driving method thereof |
US11488520B2 (en) | 2018-10-08 | 2022-11-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Pixel, display device having same and driving method thereof |
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