KR100945926B1 - 헤이즈를 억제하는 포토마스크 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

석영 기판 상에 마스크 패턴을 형성하고, 세정을 수행한 후, 세정에서 잔류될 있는 잔류 이온들의 거동이 제한되게 석영 기판 표면 거칠기가 초기 상태보다 더 거칠어지게 표면 처리하는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법을 제시한다. 이때, 석영 표면 거칠기는 대략 6Å 내지 9Å 정도로 증가된다.
헤이즈, 거칠기, Ar 플라즈마

Description

헤이즈를 억제하는 포토마스크 형성 방법{Method for forming photomask to suppress haze}
본 발명은 리소그래피(lithography) 기술에 관한 것으로, 특히, 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 소자를 웨이퍼(wafer) 상에 집적시키기 위해 리소그래피 과정이 수행되고 있다. 리소그래피 과정은 웨이퍼 상에 형성하고자 하는 회로 패턴의 레이아웃(layout)을 설계하고, 설계된 회로 패턴의 레이아웃을 따르는 마스크 패턴(mask pattern)을 투명한 석영 기판 상에 구현하는 포토마스크 제조 과정을 포함하여 수행된다. 제조된 포토마스크를 이용한 노광 과정을 수행하여, 마스크 패턴을 웨이퍼 상의 포토레지스트(photoresist)층에 패턴 전사하고 있다.
이러한 노광 과정에서 보다 작은 선폭의 패턴을 전사하고자 보다 짧은 파장대의 노광 광원이 이용되고 있다. 보다 짧은 파장대의 노광 광원이 도입됨에 따라, 짧은 파장대의 광원이 가지는 상대적으로 높은 노광 에너지(energy)에 의해 포토마스크 표면에 성장성 이물 또는 헤이즈(haze)의 발생이 보다 빈번하게 유발되고 있다. 이러한 성장성 이물은 주로 포토마스크의 투명한 석영 부분에 주로 발생되며, 황화물 이온(SO4 2-)과 암모늄 이온(NH4 +)에 의해 발생되는 것으로 평가되고 있다.
황화물 이온이나 암모늄 이온은 석영 기판 상에 마스크 기판을 플라즈마(plasma) 식각한 후, 플라즈마 식각 시 유발되는 식각 잔류물 또는 부산물을 제거하는 세정 과정에 사용된 세정액 또는 화학액으로부터 포토마스크 표면에 잔류하게 된다. 이러한 잔류 이온들은 노광 과정 중에 인가되는 노광 광원에 의해 활성화(activation)되어 상호 반응함으로써 암모늄 황화물((NH4)2SO4)과 같은 성장성 이물로 성장되고 있다.
이와 같이 발생된 성장성 이물 또는 헤이즈는 주변의 투명한 석영 기판 부분의 투과도를 저하시켜, 실제 패턴이 존재하지 않는 부분에 패턴 부분이 형성되는 패턴 결함을 유도하게 된다. 이러한 패턴 결함이 웨이퍼 상에 유발될 경우, 회로 패턴들이 원하지 않게 연결되는 브리지(bridge) 결함이 발생될 수 있다. 이러한 성장성 이물에 의한 패턴 결함을 방지하기 위해서, 포토마스크에서 헤이즈 또는 성장성 이물의 생성을 억제하고자하는 노력들이 많이 수행되고 있다.
헤이즈 또는 성장성 이물의 주된 요인은 세정 과정에 사용된 세정액 또는 화학액의 잔류물로 평가되므로, 이러한 세정 잔류물을 포토마스크 상으로부터 최대한 제거하고자 하는 노력들이 수행되고 있다. 또는 헤이즈의 주된 발생 요인으로 평가되는 황화물 이온을 억제하기 위해, 황화물 이온을 제공하는 황산의 사용을 배제하고자하는 시도가 이루어지고 있다. 그럼에도 불구하고, 황산을 포함하는 황산 및 과산화수소 혼합물(SPM)의 강한 유기물 제거 능력을 대체하기는 어려워, 실질적으 로 황산을 배제하고 충분한 포토마스크 상의 세정이 구현되기는 어려운 상태이다. 이에 따라, 황화물 이온의 잔류를 보다 억제하기 위해서, 잔류 이온들은 분해 제거하기 위한 열처리 등이 제시되고 있으나, 잔류 이온의 분해에 한계를 가져 헤이즈 발생을 근원적으로 억제하는 데 제약이 있다.
이에 따라, 포토마스크에의 헤이즈 유발에 의해 반도체 소자의 제조 수율 저하 및 생산성 저하가 원하지 않게 발생되고 있다. 따라서, 반도체 소자의 제조 수율 개선이나 생산성의 제고를 위해서, 포토마스크에 헤이즈의 유발을 억제할 수 있는 방법의 개발이 요구되고 있다.
본 발명은 헤이즈 유발을 억제할 수 있는 포토마스크 형성 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 관점은, 석영 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 석영 기판 및 상기 마스크 패턴을 세정하는 단계; 및 상기 세정에서 잔류될 있는 잔류 이온들의 거동이 제한되게 상기 석영 기판 표면 거칠기가 초기 상태보다 더 거칠어지게 표면 처리하는 단계를 포함하는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법을 제시한다.
상기 표면 처리는 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 상기 석영 기판 표면에 제공하여 수행될 수 있다.
상기 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 이용한 표면 처리는 반응성이온식각(RIE) 장비를 사용하여 수행될 수 있다.
상기 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 이용한 표면 처리는 상기 석영 기판 표면의 거칠기를 대략 3Å 내지 10Å 정도로 증가시키게 수행될 수 있다.
상기 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 이용한 표면 처리는 상기 석영 기판 표면의 거칠기를 대략 6Å 내지 9Å 정도로 증가시키게 수행될 수 있다.
본 발명의 실시예는 포토마스크의 표면 거칠기를 증가시켜 포토마스크 표면 에서의 잔류 이온의 거동을 제한할 수 있다. 포토마스크 표면의 거칠기가 증가함에 따라, 거친 표면의 골 바닥은 상대적으로 낮은 에너지 준위(energy state)를 가지므로, 이러한 골 바닥에 잔류 이온들이 위치하게 된다. 잔류 이온들은 골 바닥에 갇힌 상태로 존재하게 되며, 노광 시 노광 에너지가 제공되더라도, 골 바닥을 이탈하기 위해서는 보다 높은 활성화 에너지가 요구된다. 즉, 잔류 이온들은 골 바닥에서 에너지 장벽 내에 갇힌 상태로 속박되므로, 노광 에너지의 제공에도 불구하고 거동이 제한되게 된다. 포토마스크 표면에서의 잔류 이온들의 거동이 속박 제한되므로, 노광 시 잔류 이온들 상호간에 접촉할 확률이 제한된다. 이에 따라, 잔류 이온들 상호간의 반응이 제한되고, 따라서, 잔류 이온들의 반응에 의한 성장성 결함 또는 헤이즈의 유발이 억제되게 될 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 포토마스크의 기판의 주로 이용되는 투명한 석영(quartz) 기판의 표면 거칠기를 증가시켜, 포토마스크 표면에서의 잔류 이온들의 거동을 제한하여 속박하는 방법을 제시한다. 잔류 이온들의 표면 거동 또는 이동이 제한되므로, 잔류 이온들이 노광 에너지에 의해 잔류 이온들 상호간에 반응할 수 있을 정도로 활성화되더라도 실질적으로 잔류 이온들끼리 접촉하기 어려워 성장성 이물 또는 헤이즈로 성장 반응하는 것이 억제될 수 있다.
노광 과정에서 노광 광이 투과하는 주된 지역은 포토마스크의 기판을 이루는 석영 부분이다. 포토 마스크는 이러한 석영 기판의 투명한 부분과 기판 상의 마스크 패턴을 포함하여 구성된다. 마스크 패턴은 크롬(Cr)과 같은 차광층을 포함하여 포토마스크가 바이너리 마스크(binary mask)로 구성되거나 또는 마스크 패턴이 몰리브데늄실리콘산질화물(MoSiON)과 같은 위상반전층층을 포함하여 하프톤 위상반전마스크(halftone Phase Shift Mask)로 구성될 수 있다.
이때, 포토마스크를 구성하는 석영 기판 부분과 마스크 패턴 부분의 표면 거칠기들은 서로 다른 것으로 평가되고 있다. 이러한 표면 거칠기는 원자력간 현미경(AFM: Atomic Force Microscope)을 이용하여 측정될 수 있다. AFM에 의한 표면 거칠기를 측정한 결과, 상대적으로 매끄러운 표면을 가지는 것으로 평가되는 석영 기판 부분의 표면의 경우, 마스크 패턴의 Cr층이나 MoSiON층 표면에 비해 상당히 낮은 표면 거칠기를 나타내고 있다. 마스크 패턴의 Cr층이나 MoSiON층 표면은 유사한 표면 거칠기를 나타내는 것으로 측정되고 있다.
이러한 포토마스크를 구성하는 층들의 표면 거칠기가 달리 측정되는 것은, 포토마스크 제조 과정 중의 세정 화학액(chemical)에 의한 화학 반응에 의한 식각 정도에 의존하는 것으로 고려될 수 있다. 즉, 세정 화학액에 의한 식각 영향이 층들마다 달리 나타날 수 있고, 또한, 이러한 식각 정도에 따른 결과적인 표면 거칠기는 층들마다 달라질 수 있다. 이러한 세정 과정에서 포토마스크 표면에 잔류될 수 있는 황화물 이온(SO4 2-)이나 암모늄 이온(NH4 +)은 표면 에너지 준위가 상태적으로 낮은 상태로 존재하게 된다.
표면 에너지를 고려할 때, 표면은 상대적으로 높은 에너지 준위 상태로 고려되는 산과 상대적으로 낮은 에너지 준위 상태인 골로 구성되는 것으로 고려될 수 있다. 이때, 역학 에너지를 고려할 때, 잔류 이온들은 에너지 준위 상태가 상대적으로 더 낮은 상태로 유지할 수 있는 골 부분에 부착되어 위치하게 된다. 실질적으로, 에너지 준위 상태가 상대적으로 높은 산 부분에 부착된 잔류 이온들은 세정 과정이나 후속되는 가열 과정 또는 자외선(UV) 조사 등에 의해 표면으로부터 이탈되어 제거될 수 있어, 실질적으로 포토마스크 표면에 잔존하기 어렵다.
이러한 황화물 이온이나 암모늄 이온과 같은 잔류 이온들은 실질적으로 포토마스크 표면 전체에 걸쳐 균일하게 분포될 수 있지만, 위치하는 표면의 거칠기에 의존하여 이온들의 거동성은 달라진다. 표면의 골구가 상대적으로 깊은 상태, 즉, 표면 거칠기가 상대적으로 높은 표면 부분에서는, 이러한 이온들이 상대적으로 깊은 골 내에 위치하여 이온들의 거동 또는 이동이 속박되어 제한되게 된다. 골 내에 위치한 잔류 이온들이 이동하기 위해서는 상대적으로 높은 산을 올라 이동해야하는 데, 이러한 경우 산의 높이가 상대적으로 높아 위치 에너지를 고려할 때, 이동에 필요한 활성화 에너지가 상당량 요구된다. 이에 따라, 표면 거칠기가 상대적으로 높은 부분에서의 잔류 이온들의 이동은 제한되게 된다. 이에 비해, 표면 거칠기가 상대적으로 낮은 매끈한 표면 부분에서는 잔류 이온들의 거동이 상대적으로 자유롭게 된다.
포토마스크를 제조한 직후 포토마스크를 구성하는 석영 기판 표면과 마스크 패턴의 표면의 거칠기를 고려하면, 석영 기판 표면 거칠기는 AFM 측정 결과 대략 1Å 정도의 거칠기를 나타내고 있다. 즉, 표면의 산과 골이 평균적으로 대략 1Å 정도의 차이를 보이고 있다. 이에 비해, 마스크 패턴을 이루는 Cr층이나 MoSiON층의 표면은 대략 5Å 내지 10Å 정도의 표면 거칠기를 나타내는 것으로 측정되고 있다.
이러한 포토마스크 표면에서의 헤이즈 발생 분포를 고려하면, 헤이즈는 실질적으로 석영 기판 표면에 주로 분포 발생되고 있음이 확인되고 있다. 이러한 특성들은 석영 표면 상에 분포되어 있는 황화물 이온이나 암모늄 이온들이 노광 과정에서 제공되는 광으로부터 거동에 요구되는 활성화 에너지를 충분히 얻고 있음을 보여주고 있다. 즉, 석영 표면 상에 분포되어 있는 황화물 이온이나 암모늄 이온들은 노광 광원으로부터 흡수한 에너지에 의해, 거동이 자유로워질 확률이 상대적으로 높아 황화물 이온 및 암모늄 이온들이 상호 이동하여 접촉할 확률이 높아질 수 있다. 이에 따라, 황화물 이온과 암모늄 이온들 사이에 반응이 이루어져 암모늄 황화물((NH4)2SO4)과 같은 성장성 이물이 성장될 확률이 상대적으로 높아질 수 있다.
이에 비해, Cr층이나 MoSiON층의 표면에서의 황화물 이온과 암모늄 이온들은 거친 표면의 골에 갇힌 상태로 있어, 노광 과정에서 제공되는 광으로부터 거동에 요구되는 활성화 에너지를 충분히 얻지 못하고 있음을 알 수 있다. 즉, 노광 광의 에너지를 흡수하더라도, 거친 표면의 골에 갇힌 잔류 이온들은 산을 넘어 이동할 에너지 장벽을 넘을 만큼 충분한 활성화 에너지를 얻지 못하고 있다. 이에 따라, Cr층이나 MoSiON층의 표면에서의 황화물 이온과 암모늄 이온들은 상대적으로 거동이 제한되어 있어, 이러한 부분에서의 성장성 이물 또는 헤이즈 발생이 상대적으로 제한되고 있다.
본 발명의 실시예에서는 이러한 헤이즈 또는 성장성 이물 발생이 이러한 표 면 거칠기에 의존하는 특성을 이용하여, 석영 기판 표면의 거칠기를 증가시켜 잔류 이온들의 거동을 억제하여 헤이즈 생성을 억제하는 방법을 제시한다. 석영 표면의 거칠기를 증가시키는 방법으로 아르곤 플라즈마(Ar-plasma) 처리를 도입한다. Ar 플라즈마에 의한 이온 피격(ion bombardment)에 의해 석영 표면의 거칠기는 Ar 플라즈마 처리 시간에 의존하여 증가하게 된다.
이러한 Ar 플라즈마 처리는 Ar 이온의 상대적으로 낮은 반응성에 의해 원하지 않는 부산물 발생이나 파티클(particle) 생성이 억제될 수 있는 이점이 있으며, 또한, 원자 단위의 크기의 거칠기를 구현할 수 있는 이점이 있다. 실질적으로, 산소(O2) 플라즈마를 더 포함시킬 경우 표면에 대한 거칠기를 증가시키는 경향 보다는 보다 거칠기를 완화하는 경향을 보이므로, 산소 플라즈마의 도입은 배제되는 것이 보다 바람직하다. Ar 플라즈마는 반응성이온식각(RIE: Reactive Ion Etch) 장비를 이용하여, 챔버 압력을 대략 10mTorr 정도로 유지하고, 플라즈마 발생 파워(power)를 대략 100 W 정도 인가하고, Ar 공급 유량을 대략 100sccm 정도로 제어하는 방식으로 수행될 수 있다. 이때, Ar 플라즈마 처리의 시간에 의존하여 석영 표면의 거칠기는 증가하는 경향을 보임이 확인된다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 1을 참조하면, 투명한 석영 기판(100) 상에 크롬(Cr)층이나 또는 몰리브데늄실리콘산질화물(MoSiON)층을 형성하여 마스크층을 형성한 후, 선택적 식각 과 정을 수행하여 마스크 패턴(200)을 형성한다. 이후에, 식각 과정 등에 수반될 부산물이나 잔류물을 제거하기 위해 세정 과정을 수행한다. 이때, SPM과 같은 유기물 제거에 강한 특성을 나타내는 세정 화학액을 이용할 수 있다.
도 2를 참조하면, 세정 과정에서 투명한 석영 기판(100) 부분 등에 잔류될 있는 잔류 이온들의 거동이 제한하기 위해, 석영 기판(100)의 표면 거칠기가 초기 상태보다 더 거칠어지게 표면 처리한다. 예컨대, 반응성이온식각(RIE: Reactive Ion Etch) 장비를 이용하여, 석영 기판(100) 표면을 Ar-플라즈마 처리한다. 이때, Ar-플라즈마에 의해 석영 기판(100)의 표면은 보다 거친 거칠기를 가지는 제1표면층(310)이 형성되고, 마스크 패턴(200) 표면의 제2표면층(320)의 거칠기 또한 증가될 수 있다. 이러한 표면층(300)은 초기의 표면 거칠기 보다 더 거칠어진 거칠기를 가지게 된다.
한편, 이러한 표면 처리는 자외선(UV)을 석영 기판(100) 표면에 제공하여 표면이 거칠어지게 유도할 수 있다. 또는, 표면에 레이저 빔(laser beam)을 조사하여 표면이 거칠어지게 유도할 수 있다. 또는, 표면 처리는 초음파를 석영 기판(100) 표면에 제공하여 초음파 충격에 의해 표면 거칠기가 증가되게 유도할 수 있다. 그럼에도 불구하고, Ar-플라즈마 처리는 오염의 발생 확률이 적고, 또한, 기판이나 웨이퍼 공정에 사용되는 식각 장비를 이용하여 수행할 수 있다는 이점이 있다. 또한, 아르곤 이온의 피격 효과에 의해서 표면 거칠기의 증가를 보다 유효하게 유도할 수 있다는 이점이 있다.
석영 기판(100)의 제1표면층(310)의 경우, 도 3에 제시된 바와 같이, 상당힌 거친 표면 상태를 가지게 된다. AFM 측정에서 확인되듯이 아르곤 플라즈마 처리하기 이전의 초기의 석영 기판(100)의 표면 거칠기는 대략 1Å 정도로 확인되고 있다. 이러한 매끈한 표면의 석영 기판(100)의 표면에 Ar-플라즈마 처리에 의해 대략 10Å 정도까지 거칠기가 증가된 제1표면층(310)이 형성된다. 제1표면층(310)은 실질적으로 산 부분(301)과 골 부분(303)들로 구성되는 것으로 고려될 수 있다. 표면 거칠기의 증가에 의해서 산 부분(301)과 골 부분(303)의 높이 차이(D)는 증가되어 평균적으로 대략 10Å 이상 증가되게 된다.
한편, 세정 과정에서 잔류되는 잔류 이온들(400)은 대표적으로 암모늄 이온(401)과 황화물 이온(403)으로 구분할 수 있다. 이러한 잔류 이온들(400)은 표면 에너지 준위 상태가 상대적으로 낮은 골 부분(303)에 분포되어 잔류하게 된다. 이와 같이 골 부분(303)에 잔류하는 잔류 이온들(400)이 상호 간에 반응하여 결합하기 위해서는 산 부분(301)을 넘어 이동해야 한다. 이때, 높이 차이(D)에 의존하는 위치 에너지 차이만큼의 활성화 에너지가 잔류 이온들(400)의 이동 또는 거동에 요구된다.
그런데, 제1표면층(310)의 거칠기가, 초기의 1Å 정도 수준에서 Ar-플라즈마 처리 후의 많게는 10Å까지 증가하였으므로, 잔류 이온들(400)들은 위치 에너지 차이의 에너지 장벽을 극복하지 못하고 골 부분(303) 내에 제한되게 된다. 즉, 잔류 이온들(400)의 거동 또는 이동이 제한되어 골 부분(303) 내에 잔류 이온들(400)이 속박되게 된다. 이에 따라, 잔류 이온들(400) 간의 접촉 확률이 낮아져 잔류 이온들(400)이 상호 반응하여 헤이즈 또는 성장성 이물로 성장할 확률이 낮게 억제된 다. 실질적으로, 노광 과정에서 사용되는 노광 광은 이러한 잔류 이온들(400)의 거동에 충분한 에너지를 공급하는 데 실패하는 것으로 실험적으로 입증된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법의 효과를 설명하기 위해서 제시한 측정 그래프(graph)이다. 도 4의 측정 그래프는, RIE 챔버 압력을 대략 10mTorr 정도로 유지하고, 플라즈마 발생 파워(power)를 대략 100 W 정도 인가하고, Ar 공급 유량을 대략 100sccm 정도로 제어하여, Ar 플라즈마 처리를 석영 기판(도 2의 100) 상에 수행한 후, 헤이즈 발생 여부를 확인한 결과를 보여주고 있다. 헤이즈 발생 여부는 헤이즈 가속기를 이용하여 헤이즈 내성을 측정한 결과로부터 판단할 수 있다. 또한, Ar 플라즈마 처리 시간(초)에 의존하여 석영 기판(100)의 제1표면층(310)의 거칠기 또한 증가되는 결과를 함께 보여준다. 표면 거칠기는 AFM을 이용하여 측정된 결과로 제시되고 있다.
도 4의 결과를 참조하면, 초기의 석영 기판(100)의 표면 거칠기는 대략 1Å로 측정되고, 헤이즈 내성 또한 상당히 낮은 수준으로 제시되고 있다. 이는 헤이즈 발생이 상당이 용이함을 의미한다. Ar-플라즈마 처리에 의해서 석영 기판(100)의 표면 거칠기는 대략 3Å 내지 9Å 정도로 증가함에 따라 헤이즈 내성 또한 증가됨을 도 4의 그래프는 제시하고 있다. 이때, 6Å 정도의 거칠기에서 헤이즈 내성이 최고치를 보이고, 9Å 정도 거칠기에서 헤이즈 내성의 증가가 제한되어 다시 감소되는 결과를 도 4의 그래프는 보여주고 있다. 따라서, 석영 기판(100)의 거칠기는 대략 3Å 내지 10Å 정도로 유지되는 것이 헤이즈 발생을 억제하는 데 유리하고, 실질적으로 석영 기판(100)의 거칠기는 대략 6Å 내지 9Å 정도로 유지되는 것 보 다 바람직하다.
이와 같은 도 4의 측정 결과는 본 발명의 실시예에 따른 석영 기판(100)의 표면 거칠기의 증가에 의해, 포토마스크의 헤이즈의 억제가 가능함을 입증하고 있다. 따라서, Ar-플라즈마 표면 처리를 이용하여 원하지 않는 부산물의 생성을 억제하며, 석영 기판(100) 표면의 거칠기를 증가시켜 헤이즈의 생성을 억제할 수 있다. 따라서, 헤이즈 생성에 의한 반도체 소자 제조 과정의 결함 발생을 억제하여 반도체 소자의 생산성 증대를 구현할 수 있다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면들이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법의 효과를 설명하기 위해서 제시한 측정 그래프(graph)이다.

Claims (9)

  1. 석영 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;
    상기 석영 기판 및 상기 마스크 패턴을 세정하는 단계; 및
    상기 세정에서 잔류될 있는 잔류 이온들의 거동이 제한되게 상기 석영 기판 표면 거칠기가 3Å 내지 10Å 정도로 증가되게 표면 처리하는 단계를 포함하는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 패턴은 크롬(Cr)층이나 또는 몰리브데늄실리콘산질화물(MoSiON)층을 포함하여 형성되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 표면 처리는 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 상기 석영 기판 표면에 제공하여 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 이용한 표면 처리는 반응성이온식각(RIE) 장비를 사용하여 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  5. 삭제
  6. 제3항에 있어서,
    상기 아르곤 플라즈마(Ar plasma)를 이용한 표면 처리는
    상기 석영 기판 표면의 거칠기를 6Å 내지 9Å 정도로 증가시키게 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 표면 처리는 자외선(UV)을 상기 석영 기판 표면에 제공하여 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 표면 처리는 레이저 빔을 상기 석영 기판 표면에 제공하여 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 표면 처리는 초음파를 상기 석영 기판 표면에 제공하여 상기 초음파 충격에 의해 수행되는 헤이즈(haze)를 억제하는 포토마스크 형성 방법.
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