KR100939139B1

KR100939139B1 - Ashing method of photoresist layer with ion implantation

Info

Publication number: KR100939139B1
Application number: KR1020070127894A
Authority: KR
Inventors: 이기민
Original assignee: 주식회사 동부하이텍
Priority date: 2007-12-10
Filing date: 2007-12-10
Publication date: 2010-01-28
Also published as: KR20090060904A

Abstract

본 발명은 이온주입된 포토레지스트막의 애싱방법에 관한 것으로, 프로세스챔버 내부에 설치된 히팅 플레이트 상부의 리프트핀에 웨이퍼를 안착시켜 그 표면에 이온주입된 포토레지스트막을 애싱하는 방법에 있어서; 대기 상태로 웨이퍼를 가열하는 예열단계와; 상기 예열단계후 상기 프로세스챔버를 진공시키고, 리프트핀을 상승시켜 상기 웨이퍼를 가열함과 동시에 산소/질소의 혼합가스로 애싱하는 핀업 애싱단계와; 상기 핀업 애싱단계후 진공상태를 유지하면서 리프트핀을 하강시켜 상기 웨이퍼를 가열함과 동시에 산소/질소의 혼합가스로 애싱하는 핀다운 애싱단계를 포함하여 구성되는 이온주입된 포토레지스트막의 애싱방법을 제공한다.The present invention relates to an ashing method of an ion implanted photoresist film, comprising: a method of ashing a photoresist film implanted on a surface thereof by mounting a wafer on a lift pin on a heating plate provided inside a process chamber; A preheating step of heating the wafer in an atmospheric state; A pinup ashing step of vacuuming the process chamber after the preheating step, raising the lift pin to heat the wafer, and ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen; After the pin-up ashing step while maintaining a vacuum state, the lift pin is lowered to heat the wafer and at the same time as the ashing method of the ion implanted photoresist film comprising a pin down ashing step of ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen. do.

본 발명에 따르면, 대기 상태에서 예열을 통해 포토레지스트막의 급가열을 막음으로써 탄화정도를 억제하여 포토레지스트막의 표면 탄화가 그 내부와 유사하게 유지되어 팝핑현상을 방지하며, 빠른 쓰루풋을 실현할 수 있으며, 또한 그로 인해 보다 고품위의 반도체 제품을 생산할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.According to the present invention, by preventing the rapid heating of the photoresist film through preheating in the atmospheric state, the degree of carbonization is suppressed so that the surface carbonization of the photoresist film is maintained similar to the inside thereof, thereby preventing popping phenomenon and realizing fast throughput. In addition, it is possible to obtain the effect of producing a higher quality semiconductor products.

이온주입, 포토레지스트, 애싱, 팝업, 히팅 플레이트 Ion Implantation, Photoresist, Ashing, Pop-Up, Heating Plate

Description

Ashing method of ion implanted photoresist film {ASHING METHOD OF PHOTORESIST LAYER WITH ION IMPLANTATION}

본 발명은 이온주입된 포토레지스트막의 애싱방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대기 상태에서 예열을 통해 고온/진공상태일 때 보다 탄화 정도를 억제시켜 산소 애싱에 의해 포토레지스트 제거시 포토레지스트막에서의 팝핑 현상을 방지할 수 있도록 한 이온주입된 포토레지스트막의 애싱방법에 관한 것이다.The present invention relates to an ashing method of an ion implanted photoresist film, and more particularly, to suppressing the degree of carbonization when the photoresist film is removed by oxygen ashing by suppressing the degree of carbonization at high temperature / vacuum state through preheating in the atmospheric state. The present invention relates to an ashing method of an ion implanted photoresist film capable of preventing popping.

일반적으로, 반도체 소자를 제조하기 위한 공정들, 예컨대 사진 식각 공정, 이온 주입(Ion Implantation) 공정 또는 증착 공정 등을 수행한 후에는 마스크(Mask)로 이용된 포토레지스트막을 제거해야 하는데, 후속 공정의 청결성과 안정성을 보장하기 위해 완전히 제거해야 한다.In general, after performing processes for manufacturing a semiconductor device, such as a photolithography process, an ion implantation process, or a deposition process, a photoresist film used as a mask should be removed. It must be removed completely to ensure cleanliness and stability.

이와 같은 포토레지스트막 제거방법으로는 애싱과 같은 건식 스트립(Strip) 공정후에 소정의 유기산(Organic Acid), 즉 유기 스트리퍼(Stripper)를 사용하는 습식 스트립 공정을 진행하는 방법이 널리 사용되고 있다.As such a method of removing the photoresist film, a method of performing a wet strip process using a predetermined organic acid, that is, an organic stripper, after a dry strip process such as ashing is widely used.

그 중에서 애싱 공정(Ashing Process)은 고온의 분위기에서 포토레지스트막을 태워 제거하는 공정을 말하는 것으로, 이때 애싱은 주로 플라즈마에 의한 이온 효과를 배제하고, 순수 라디칼(Radical) 반응을 추구하는 화학반응의 형태로 이루어진다.The ashing process refers to a process of burning and removing a photoresist film in a high temperature atmosphere, where ashing mainly excludes ionic effects by plasma and pursues a pure radical reaction. Is made of.

이를 테면, 산소 라디칼을 포토레지스트막의 탄소결합과 반응시켜 이산화탄소를 형성함으로써 포토레지스트막을 분해시키는 형태를 들 수 있으며, 이러한 애싱 공정의 특성상, 포토레지스트막이 도포된 웨이퍼를 200℃ 이상의 온도로 가열할 필요가 있는데, 통상 가열수단으로는 웨이퍼의 하부에서 웨이퍼를 가열하는 히팅 플레이트(Heating Plate)가 사용된다.For example, the photoresist film may be decomposed by reacting oxygen radicals with a carbon bond of the photoresist film to form carbon dioxide. Due to the nature of the ashing process, it is necessary to heat the wafer coated with the photoresist film to a temperature of 200 ° C. or higher. As a heating means, a heating plate for heating the wafer at the bottom of the wafer is used.

그런데, 갑작스런 열 공급에 의해 상기 웨이퍼에 도포된 포토레지스트막이 팝핑(Popping)하는 문제가 유발된다.However, a problem of popping of the photoresist film applied to the wafer is caused by sudden heat supply.

이는 상기 웨이퍼가 너무 급격하게 가열되면 포토레지스트막 내의 용매가 급격하게 휘발하게 되고 이에 따라 상기 포토레지스트막이 경화되면서 발생하게 된다.This occurs when the wafer is heated too rapidly, and the solvent in the photoresist film is rapidly volatilized, thereby curing the photoresist film.

이와 같은 팝핑 현상은 다량의 포토레지스트 잔재물을 상기 웨이퍼 위에 남겨 불량의 원인을 제공하게 되고, 또한 이러한 잔재물은 후속 습식 에칭 공정에서도 잘 제거되지 않는 문제가 있다.This popping phenomenon leaves a large amount of photoresist residue on the wafer to provide a cause of failure, and this residue is also difficult to remove even in the subsequent wet etching process.

특히, 이러한 현상은 이온 주입 공정에 사용된 포토레지스트막의 경우에 빈번하게 발생되는데, 그 이유는 이온 주입 공정에서 경화된 포토레지스트막의 표면이 내부의 물성과 차이(탄화정도)를 보이기 때문이다.In particular, this phenomenon occurs frequently in the case of the photoresist film used in the ion implantation process, because the surface of the photoresist film cured in the ion implantation process is different from the physical properties (degree of carbonization) inside.

이를 개선하기 위해, 저온에서 애싱하는 시도가 있기는 하였으나 이 경우에는 애싱 효율이 낮아짐으로 인해 쓰루풋(Through-Put)이 저하되는 문제를 초래하므로 효용성이 없었다.In order to improve this, there have been attempts to ash at low temperatures, but in this case, the throughput is not effective because the ashing efficiency is lowered, resulting in a decrease in through-put.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술상의 제반 문제점들을 감안하여 이를 해결하고자 창출된 것으로, 이온 주입된 포토레지스트막을 히팅 플레이트로 가열하기 전에 미리 대기 상태에서 예열함으로써 포토레지스트막의 급가열을 막아 산소 애싱시 팝핑현상이 유발되지 않도록 하고 그로 인해 잔재물의 발생을 막아 보다 고품위의 제품 생산이 가능하도록 한 이온주입된 포토레지스트막의 애싱방법의 제공을 그 주된 해결 과제로 한다.The present invention has been made in view of the above-mentioned problems in the prior art, and has been created to solve this problem. The main problem is to provide an ashing method of the ion-implanted photoresist film which prevents the popping phenomenon from occurring and thereby prevents the generation of remnants, thereby producing a higher quality product.

본 발명은 상기한 해결 과제를 달성하기 위한 수단으로, 프로세스챔버 내부에 설치된 히팅 플레이트 상부의 리프트핀에 웨이퍼를 안착시켜 그 표면에 이온주입된 포토레지스트막을 애싱하는 방법에 있어서; 프로세스챔버 내부에 설치된 히팅 플레이트 상부의 리프트핀에 웨이퍼를 안착시켜 그 표면에 이온주입된 포토레지스트막을 애싱하는 방법에 있어서; 대기 상태에서 상기 웨이퍼가 히팅 플레이트에 접촉된 상태로 웨이퍼를 가열하는 예열단계와; 상기 예열단계후 상기 프로세스챔버를 진공시키고, 리프트핀을 상승시켜 상기 웨이퍼를 가열함과 동시에 산소/질소의 혼합가스로 애싱하는 핀업 애싱단계와; 상기 핀업 애싱단계후 진공상태를 유지하면서 리프트핀을 하강시켜 상기 웨이퍼가 상기 히팅 플레이트로부터 0.5~2 mm 이격된 상태에서 상기 웨이퍼를 가열함과 동시에 산소/질소의 혼합가스로 애싱하는 핀다운 애싱단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method for achieving the above object, the method comprising: a method of ashing a photoresist film implanted on a surface thereof by mounting a wafer on a lift pin on a heating plate provided inside a process chamber; A method of ashing a photoresist film implanted on a surface thereof by mounting a wafer on a lift pin on a heating plate provided inside a process chamber; A preheating step of heating the wafer while the wafer is in contact with the heating plate in the standby state; A pinup ashing step of vacuuming the process chamber after the preheating step, raising the lift pin to heat the wafer, and ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen; The pin-down ashing step of ashing the wafer while heating the wafer while the wafer is 0.5 to 2 mm away from the heating plate while maintaining the vacuum state after the pin-up ashing step, and ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen. Characterized in that comprises a.

이때, 상기 예열단계는 5~10초, 상기 핀업 애싱단계는 10~15초, 상기 핀다운 애싱단계는 포토레지스트막 두께의 150~200%의 시간 범위내에서 이루어지는 것에도 그 특징이 있다.In this case, the preheating step is 5 to 10 seconds, the pin-up ashing step is 10 to 15 seconds, the pin-down ashing step is characterized in that the time is made in the time range of 150 to 200% of the thickness of the photoresist film.

또한, 상기 핀업 애싱단계에서 리프트핀이 히팅 플레이트로부터 이격되는 상승 간격은 2~10mm인 것에도 그 특징이 있다.In addition, in the pin up ashing step, the lift pin is separated from the heating plate by a rising interval of 2 to 10 mm.

뿐만 아니라, 상기 예열단계와 핀업 애싱단계와 핀다운 애싱단계에서 사용되는 전원은 1500~2500W이고, 상기 핀업 애싱단계와 핀다운 애싱단계에서 사용되는 산소/질소 혼합가스는 2000~5000sccm/200~500sccm인 것에도 그 특징이 있다. In addition, the power used in the preheating step, the pinup ashing step and the pindown ashing step is 1500-2500W, and the oxygen / nitrogen mixed gas used in the pinup ashing step and the pindown ashing step is 2000-5000sccm / 200-500sccm There is the characteristic in being, too.

이하에서는, 첨부도면을 참고하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 보다 구체적으로 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment according to the present invention.

도 1은 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 설명하기 위한 장치 구성의 예시도이고, 도 2는 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 설명하기 위한 그래프이며, 도 3은 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 보인 플로우챠트이다.1 is an exemplary view showing the configuration of an apparatus for explaining a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention, Figure 2 is a graph for explaining a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention, Figure 3 A flowchart showing a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention.

먼저, 본 발명에 따른 애싱공정은 도 1에 예시된 바와 같은 장치 구성을 통해 구현될 수 있다.First, the ashing process according to the present invention can be implemented through the device configuration as illustrated in FIG.

즉, 예시된 바에 따르면 본 발명에 따른 애싱을 위해 히팅 플레이트(100)가 구비되 며, 상기 히팅 플레이트(100)의 하방에는 구동부(200)가 설치되고, 상기 구동부(200)에는 리프트핀(300)이 연결되는데, 이때 상기 리프트핀(300)은 상기 히팅 플레이트(100)와 간섭되지 않으면서 그 상부에서 상기 구동부(200)에 의해 승하강 가능하게 설치된다.That is, according to the illustrated heating plate 100 is provided for ashing according to the present invention, the driving unit 200 is installed below the heating plate 100, the driving unit 200, the lift pin 300 In this case, the lift pin 300 is installed to be lifted up and down by the driving unit 200 thereon without interfering with the heating plate 100.

이 경우, 상기 구동부(200)는 다양한 형태가 될 수 있으며, 바람직하기로는 리프팅실린더와 같은 것이 될 수 있다.In this case, the driving unit 200 may be in various forms, and preferably, such as a lifting cylinder.

그리고, 상기 리프트핀(300)의 상단에는 웨이퍼(400)가 안착된다.In addition, the wafer 400 is seated on an upper end of the lift pin 300.

아울러, 필요한 경우 플라즈마 처리를 위해 상기 히팅 플레이트(100)를 포함한 구동부(200), 리프트핀(300) 및 웨이퍼(400)는 프로세스챔버(500) 내부에 설치됨이 바람직하며, 상기 프로세스챔버(500)는 펌프(미도시)에 의해 진공처리 가능하며, 반응가스를 공급할 수 있고, 진공 해제 및 내부 처리가스를 배출시킬 수 있는 공지의 구조로 이루어짐이 바람직하다.In addition, if necessary, the driving unit 200, the lift pin 300, and the wafer 400 including the heating plate 100 may be installed in the process chamber 500, and the process chamber 500 may be used for plasma processing. It is preferable that the pump is vacuum-processed by a pump (not shown), the reaction gas can be supplied, and the vacuum structure is made of a known structure that can discharge the internal processing gas.

이러한 공지의 히팅 플레이트(100)를 이용하여 본 발명에 따른 애싱방법은 도 2 및 도 3과 같은 단계로 이루어진다.Ashing method according to the present invention using such a known heating plate 100 is made of the same steps as in FIG.

예컨대, 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명 실시예에 따른 바람직한 애싱방법은 예열단계(S110)와, 핀업(Pin Up) 애싱단계(S130)와, 핀다운(Pin Down) 애싱단계(S140)로 이루어진다.For example, as shown in Figures 2 to 3, the preferred ashing method according to an embodiment of the present invention is a preheating step (S110), a pin up ashing step (S130), a pin down (Pin Down) ashing step (S140).

먼저, 예열단계(S110)가 수행되기 전에 도 1에 도시된 형태로 웨이퍼(400)가 리프트핀(300)에 안착되어 장착되게 된다(S100).First, before the preheating step S110 is performed, the wafer 400 is mounted on the lift pin 300 in the form shown in FIG. 1 (S100).

이때, 상기 리프트핀(300)은 핀업(리프트)된 상태가 아니라 하강되어 있는 상태로 서 상기 웨이퍼(400)는 히팅 플레이트(100)에 접촉된 상태를 유지하게 된다.At this time, the lift pin 300 is not pin-up (lifted), but in a lowered state in which the wafer 400 is maintained in contact with the heating plate 100.

여기에서, 상기 웨이퍼(400)를 포함한 히팅 플레이트(100) 및 리프트핀(300) 등은 프로세스챔버(500)에 내장된 상태이다.Here, the heating plate 100 and the lift pin 300 and the like including the wafer 400 is embedded in the process chamber 500.

이어, 이 상태에서 히팅 플레이트(100)에 전원이 공급되어 상기 웨이퍼(400)를 가열하는 예열단계(S100)가 수행된다.Subsequently, power is supplied to the heating plate 100 in this state, and a preheating step S100 of heating the wafer 400 is performed.

상기 예열단계(S100)는 진공되기 전, 다시 말해 대기상태에서 이루어진다.The preheating step (S100) is performed in a standby state, that is, before being vacuumed.

이는 대기 상태에서의 예열이 고온이나 진공상태일 때 보다 탄화 정도를 더 억제하는 효과가 있기 때문이다.This is because the preheating in the atmospheric state is more effective in suppressing the degree of carbonization than in the high temperature or vacuum state.

또한, 공급되는 전원은 1500~2500W가 바람직하며, 예열시간은 5~10초가 바람직하다.Moreover, as for the power supply supplied, 1500-2500W is preferable, and the preheating time is 5-10 second is preferable.

이때, 공급 전원을 상기와 같이 유지하는 이유는 본 발명에서 필요로 하는 가열온도인 250~300°를 적절한 시간내에 달성하기 위한 것이며, 예열시간을 5~10초 동안 유지하는 이유는 5초보다 작게 유지할 경우 예열이 되지 않고, 10초를 넘게 되면 과열되어 오히려 불량을 초래하므로 상기 범위로 한정함이 타당하다.At this time, the reason for maintaining the power supply as described above is to achieve the heating temperature required in the present invention 250 ~ 300 ° within a suitable time, the reason for maintaining the preheating time for 5 to 10 seconds is less than 5 seconds If it is maintained, it is not preheated, and if it is over 10 seconds, it is reasonable to limit the above range because it overheats and causes a defect.

상기 조건으로 예열단계(S110)가 완료되면, 프로세스챔버(500) 내부가 대략 10^-2토르 이하로 진공되도록 진공을 실시하게 된다(S120).When the preheating step (S110) is completed under the above conditions, the process chamber 500 may be evacuated so as to vacuum the inside of the process chamber 500 to about 10 ⁻² Torr or less (S120).

동시에, 도 1에 예시된 구동부(200)를 동작시켜 리프트핀(300)을 상승시키고 산소로 애싱하는 핀업 애싱단계(S130)가 수행된다.At the same time, the pin-up ashing step S130 of operating the driving unit 200 illustrated in FIG. 1 to lift the lift pin 300 and ashing with oxygen is performed.

이때, 상기 리프트핀(300)이 상승되는 핀업 간격은 2-10mm가 바람직한데, 이는 히 팅 플레이트(100)로부터 발열된 250~300℃의 온도가 전도되어 웨이퍼(400)에 전달될 때 웨이퍼(400) 표면에서는 대략 100~150℃를 유지할 수 있는 간격이기 때문이며, 또한 상기 웨이퍼(400)의 표면이 대략 100~150℃로 유지되어야만 표면 탄화 정도가 그 내부의 탄화 정도와 유사해져 팝핑현상이 발생되지 않기 때문이다.At this time, the lift pin 300 is preferably a pin-up interval of 2-10mm, which is a temperature of 250 ~ 300 ℃ heat generated from the heating plate 100 is transferred to the wafer 400 when the wafer ( This is because the surface of the wafer 400 has to be maintained at about 100 to 150 ° C., and the surface carbonization degree is similar to the degree of carbonization therein, resulting in popping. Because it is not.

또한, 상기 온도 유지를 위한 적정한 핀업 시간은 10~15초이며, 이때에도 가해지는 전원는 예열단계(S110)와 동일하다.In addition, the appropriate pinup time for maintaining the temperature is 10 ~ 15 seconds, and the power applied even at this time is the same as the preheating step (S110).

뿐만 아니라, 상기 리프트핀(300)이 상승됨과 동시에 애싱작업도 병행되게 되는데, 이때 사용되는 애싱용 가스는 산소 가스가 바람직하며, 더욱 바람직하기로는 산소와 질소가 혼합된 가스가 사용될 수 있다.In addition, while the lift pin 300 is raised at the same time, the ashing work is also performed in parallel. At this time, the ashing gas used is preferably an oxygen gas, and more preferably, a gas in which oxygen and nitrogen are mixed.

이때, 상기 산소와 질소는 산소 2000~5000sccm/질소 200~500sccm의 비율이 특히 바람직하다.At this time, the oxygen and nitrogen is particularly preferably a ratio of oxygen 2000 ~ 5000sccm / nitrogen 200 ~ 500sccm.

이렇게 하여, 핀업 애싱단계(S130)가 완료되면, 곧바로 리프트핀(300)을 하강시켜 애싱하는 핀다운 애싱단계(S140)가 수행된다.In this way, when the pin-up ashing step (S130) is completed, the pin-down ashing step (S140) for lowering and ashing the lift pin 300 is performed.

상기 핀다운 애싱단계(S140)는 상기 예열단계(S110), 핀업 애싱단계(S130)를 통해 팝핑현상없이 이온주입된 포토레지스트막이 적절하게 애싱된 상태에 있으므로 이를 완전히 제거하는 최종 처리를 위해 수행된다.The pin down ashing step (S140) is performed for the final processing of completely removing the photoresist film implanted without popping through the preheating step (S110) and the pinup ashing step (S130). .

여기에서, 상기 핀다운 애싱단계(S140) 수행을 위해 리프트핀(300)을 하강시킬 때에 상기 리프트핀(300)은 완전히 하강되는 것이 아니라 히팅 플레이트(100)로부터 0.5~2mm 이격된 상태를 유지한 채 하강되도록 함이 바람직한 바, 이는 히팅 플레이트(100)의 표면 고열이 직접 웨이퍼(400)로 전달되어 불균일한 온도분포를 나타내 지 않도록 하기 위함이다.Here, when the lift pin 300 is lowered to perform the pin down ashing step (S140), the lift pin 300 is not completely lowered, but is kept 0.5 to 2 mm away from the heating plate 100. It is preferable to lower the bar, so that the surface high heat of the heating plate 100 is transferred directly to the wafer 400 so as not to exhibit non-uniform temperature distribution.

그리고, 상기 핀다운 애싱단계(S140)에서의 애싱 조건은 대략 250~300℃의 온도범위에서 이루어지고, 전원은 상기 예열, 핀업 애싱 때와 같이 1500~2500W, 산소와 질소의 혼합비율은 상기 핀업 애싱단계(S130)와 동일 조건으로 수행된다.And, the ashing condition in the pin down ashing step (S140) is made in a temperature range of approximately 250 ~ 300 ℃, the power is 1500 ~ 2500W, the mixing ratio of oxygen and nitrogen as the pre-heating, pin-up ashing is the pinup It is carried out under the same conditions as the ashing step (S130).

다만, 처리 시간에 있어 다른 단계들과 달리 포토레지스트막 두께의 150~200%가 되는 시점까지 처리하도록 하여 완전히 막 제거가 가능토록 함이 바람직하다.However, unlike the other steps in the treatment time, it is preferable to allow the film to be completely removed by treating it to a point of 150 to 200% of the thickness of the photoresist film.

이렇게 하여, 핀다운 애싱단계(S140)가 완료되면 프로세스챔버(500)의 진공을 해제하고 내부에서 처리된 가스를 배출하는 배기과정이 수행되게 된다(S150).In this way, when the pin-down ashing step (S140) is completed, the exhaust process of releasing the vacuum of the process chamber 500 and to discharge the processed gas therein is performed (S150).

물론, 상술한 바는 실시예에 불과하며, 이러한 기술사상이 변경되지 않는 범위내에서 앞서 설명하였듯이 플라즈마처리를 병행할 수도 있을 것이다.Of course, the above description is only an embodiment, and as described above, the plasma treatment may be performed in a range in which the technical spirit is not changed.

도 1은 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 설명하기 위한 장치 구성의 예시도,1 is an exemplary diagram of an apparatus configuration for explaining a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention,

도 2는 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 설명하기 위한 그래프,2 is a graph for explaining a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention,

도 3은 본 발명에 따른 애싱방법의 바람직한 실시예를 보인 플로우챠트.3 is a flow chart showing a preferred embodiment of the ashing method according to the present invention.

♧ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♧♧ description of the symbols for the main parts of the drawing ♧

100....히팅 플레이트 200....구동부100..Heating plate 200 .... Driver

300....리프트핀 400....웨이퍼300 ... lift pin 400 ... wafer

500....프로세스챔버500 .... Process Chamber

Claims

A method of ashing a photoresist film implanted on a surface thereof by mounting a wafer on a lift pin on a heating plate provided inside a process chamber;

A preheating step of heating the wafer while the wafer is in contact with the heating plate in the standby state;

A pinup ashing step of vacuuming the process chamber after the preheating step, raising the lift pin to heat the wafer, and ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen;

The pin-down ashing step of ashing the wafer while heating the wafer while the wafer is 0.5 to 2 mm away from the heating plate while maintaining the vacuum state after the pin-up ashing step, and ashing with a mixed gas of oxygen / nitrogen. The ashing method of the ion-implanted photoresist film, characterized in that comprises a.

The method according to claim 1;

The preheating step is 5 to 10 seconds, the pin-up ashing step is 10 to 15 seconds, the pin-down ashing step of the ion-implanted photoresist film, characterized in that made in the time range of 150 to 200% of the thickness of the photoresist film Ashing method.

The method according to claim 1;

Ashing method of the ion-implanted photoresist film, characterized in that in the pin-up ashing step the lift pin is spaced apart from the heating plate 2 ~ 10mm.

The method according to any one of claims 1 to 3;

The ashing method of the ion-implanted photoresist film, characterized in that the power used in the preheating step, pin-up ashing step and pin-down ashing step is 1500 ~ 2500W.

The method according to any one of claims 1 to 3;

The ashing method of the ion-implanted photoresist film, characterized in that the oxygen / nitrogen mixed gas used in the pin up ashing step and the pin down ashing step is 2000 ~ 5000sccm / 200 ~ 500sccm.