KR100925159B1 - Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process - Google Patents
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Abstract
Description
도 1a 및 1b는 종래의 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이다.1A and 1B show a conventional rectangular gate valve.
도 2는 종래의 문제점을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a conventional problem.
도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a rectangular gate valve for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.
도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 나타내는 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)을 나타내는 도면이다.4A is a view showing the
도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 동작도를 나타내는 도면이다.5A and 5B are views showing an operation diagram of the present invention.
도 6은 밸브샤프트 홀의 주변확대도이다.6 is an enlarged view of the periphery of the valve shaft hole.
도 7a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 7b ,7c 및 7d 는 각각 도 7a 의 더스트 씰(150)의 평면도, 측단면도 및 확대도이다.7A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7B, 7C, and 7D are plan views, side cross-sectional views, and enlarged views of the
도 8a 은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이다.8A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention.
도 8b는 도 8a 의 변형된 실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 8B illustrates a modified embodiment of FIG. 8A.
본 발명은 반도체소자를 제조하는 공정에서 사용되는 사각형 게이트 밸브에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본넷에 함몰부가 설치되고 밸브샤프트에서 벨로우즈(bellows)가 형성된 부분이 공정공간에 노출되지 않게 함으로써 웨이퍼 크랙 박편에 의해 벨로우즈가 파손되는 것이 방지된 사각형 게이트 밸브에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE
반도체소자의 제조공정에서는 제조공정의 특성에 따라 특정 압력이 유지되거나 외부와 밀폐되는 공간이 제조에 필요하다. 보통 이러한 공간은 챔버라는 공간으로 특정되며, 외부와 밀폐되어 특정 압력 및 특정 공정가스에 의해 공간의 물리화학적 특성이 정의된다. 그러나 이러한 공정단계에서 웨이퍼는 서로 다른 공정단계사이를 이동하여야 하기 때문에 서로 다른 공정에서 사용되는 공간사이의 개폐 및 밀폐여부는 매우 중요하다. 또한 공정 공간이외의 외부공간과 공정공간사이의 개폐 및 밀폐여부도 매우 중요하다. 일반적으로 이러한 개폐 및 밀폐여부를 달성하는 수단으로서 사각형 게이트 밸브가 널리 사용된다.In the manufacturing process of the semiconductor device, a specific pressure is maintained or a space is sealed to the outside depending on the characteristics of the manufacturing process. Usually, this space is specified as a space called a chamber, which is enclosed with the outside to define the physicochemical characteristics of the space by a specific pressure and a specific process gas. However, in this process step, the wafer must move between different process steps, so opening and closing between the spaces used in different processes is very important. In addition, opening and closing between the outside space and the process space other than the process space is also very important. In general, a rectangular gate valve is widely used as a means of achieving such opening and closing.
도 1a 및 1b는 종래의 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이고, 도 2는 종래의 문제점을 나타내는 도면이다.1A and 1B show a conventional rectangular gate valve, and FIG. 2 shows a conventional problem.
도 1a 는 밸브샤프트가 하부로 이동하여 밸브가 열린 상태를 나타내는 도면이고, 도 1b 는 밸브샤프트가 상부로 이동하여 밸브가 닫힌 상태를 나타내는 도면이다. FIG. 1A is a view illustrating a state in which the valve shaft is moved downward and the valve is opened, and FIG. 1B is a view illustrating a state in which the valve shaft is moved upward and the valve is closed.
종래의 사각형 게이트 밸브(1)는 블레이드(10), 보넷(20), 밸브샤프트(30) 및 구동부(40)를 포함한다. 블레이드(10)는 밀폐부재(12)를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼 이동통로를 밀폐하는 기능을 한다. 보넷(20)은 블레이드의 하부에 위치하는 평판형상의 부재로서 공정공간 s1 과 외부공간 s2를 격리시키는 기능을 한다. 보넷(20)에는 관통홀(32)이 형성되어 있다. 밸브샤프트(30)는 일단이 블레이드에 연결되고 타단이 구동부(40)에 연결된 막대형상의 부재로서 밸브샤프트홀(32)를 관통하여 공정공간 s1 과 외부공간 s2 에 연장되어 위치한다. 밸브샤프트(30)의 외주면에는 얇은 금속박판형상의 벨로우즈(bellows,34)가 수많이 형성되어 있다. 구동부(40)는 구동수단에 의해 밸프샤프트를 상하이동시킨다. 구동부는 외부공간 s2에 위치한다. The conventional
밸브(1)의 개폐작동시에, 구동부가 밸프샤프트를 상하이동시켜 블레이드가 챔버의 입구(미도시)를 개폐함으로써 개폐동작을 수행한다. 이 때 벨로우즈(34)에 의해, 밸브샤프트(30)가 공정공간 s1 과 외부공간 s2 에 공히 연장되어 작동하더라도 공정공간과 외부공간사이는 항상 격리된 상태로 즉 물리화학적으로 분리된 상태로 유지된다. 벨로우즈의 기능은 널리 알려져 있다. In the opening and closing operation of the
그러나, 이러한 종래의 사각형 게이트 밸브에 의하면, 다음과 같은 문제점을 가진다.However, according to such a conventional rectangular gate valve, there are the following problems.
첫째, 도 2에 나타난 바와 같이, 벨로우즈가 항상 공정공간에 노출되어 있기 때문에 공정에서 발생하는 웨이퍼 크랙 박편(P, wafer crack particle)에 의해 벨로우즈가 파손되는 문제가 발생한다. 즉 종래의 밸브에 의하면, 밸브가 작동할 때 벨로우즈(34)가 항상 공정공간에 노출되어 있는데, 공정공간 s1 에는 공정가스 및 웨이퍼 크랙 박편등의 이물질이 많으므로, 이들이 벨로우즈의 얇은 금속박편사이에 삽입되거나 화학적으로 반응하여 벨로우즈의 물리적 파손 및 화학적 변형등의 문제가 발생하고, 이는 벨로우즈의 교환주기를 감소시키거는 문제를 발생시킨다. 특히 파손된 벨로우즈에 의해 밀폐성능이 감소되면 공정전체의 중단요인이 되어 제조상의 엄청난 경제적 손실을 야기한다.First, as shown in Figure 2, because the bellows is always exposed to the process space, there is a problem that the bellows is broken by the wafer crack flakes (P, wafer crack particles) generated in the process. That is, according to the conventional valve, the
둘째, 이러한 현상은 밸브가 열릴 때 즉 밸브가 하부로 이동할 때 더욱 증가되어 벨로우즈의 파손의 가능성이 더욱 증가된다. 밸브가 열릴 때 즉 밸브가 하부로 이동할 때는 블레이드(10)와 보넷(20)사이의 공간은 거의 존재하지 않는다. 즉 공정공간에서 블레이드(10)와 보넷(20)의 사이에 존재하던 웨이퍼 크랙 박편 P 은 블레이드의 하부이동에 대해 다른 곳으로 이동하기가 용이하지 않다. 결국 박편 P 는 벨로우즈사이의 공간으로 침입할 가능성이 더욱 커지며 이러한 벨로우즈의 파손의 가능성은 더욱 증가된다. Secondly, this phenomenon is further increased when the valve is opened, i.e., when the valve moves downward, further increasing the possibility of breakage of the bellows. There is little space between the
따라서 본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체소자 제조용 게이트밸브에 있어서 밸브의 개폐시에 밸브샤프트가 공정공간에 위치함으로 인해 벨로우즈의 금속박편이 파손되어 밀폐성이 감소되는 현상이 방지된 사각형 게이트 밸브를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to reduce the sealing by the metal foil of the bellows due to the valve shaft is located in the process space when opening and closing the valve in the gate valve for semiconductor device manufacturing It is an object of the present invention to provide a rectangular gate valve which is prevented from becoming.
또한 본 발명의 목적은 기존의 밸브몸체나 구동부등의 구조를 변형시키지 않고 그대로 사용하면서도 상기 벨로우즈 파손의 문제점이 방지된 사각형 게이트 밸브를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a rectangular gate valve that is prevented the problem of the bellows damage while using as it is without modifying the structure of the existing valve body or drive unit.
전술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 웨이퍼 이동 통로를 개폐하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브(100)에 있어서, 밀폐부재를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼 이동통로를 밀폐하는 블레이드(110); 상기 블레이드의 하부에 위치하며 상기 제조공정의 공정라인의 방향으로 연장된 부재로서, 상기 블레이드측의 공정공간 s1 과 외부공간 s2 를 격리시키는 보넷(120,bonnet); 막대형상의 부재로서 상기 블레이드의 하단에서 상기 보넷을 관통하여 상기 보넷의 하부방향으로 연장된 밸브샤프트(130); 및 상기 보넷의 하부에 위치하며, 상기 밸브샤프트의 일측에 연결되어 상기 밸브샤프트를 상하방향으로 구동하는 밸브샤프트 구동부(140)를 포함하고, 상기 보넷(120)은 상기 밸브샤프트(130)가 관통하는 위치의 주변에서 하부방향으로 함몰된 형상의 함몰부(122)를 포함하고, 상기 밸브샤프트(130)는, 막대형상의 상부샤프트(132); 및 상기 상부샤프트의 하부에 위치하고, 막대형상의 부재의 외주면에 박판형상으로 돌출된 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(134)를 포함하고, 상기 하부샤프트와 상기 상부샤프트의 경계 지점은, 상기 밸브샤프트구동부에 의해 상기 밸브샤프트가 상하운동할 때, 상기 상부샤프트가 상기 함몰부의 저면의 상부에서만 상하이동하고 상기 하부샤프트는 상기 함몰부의 저면아래에서만 상하이동하도록 하는 위치로 결정된 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the present invention, in the rectangular gate valve 100 for a semiconductor device manufacturing process for opening and closing the wafer movement passage, the
일 실시예에서, 상기 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸는 링 형상의 부재로서, 상기 함몰부의 저면의 상부에 장착되는 더스트 씰(150)을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, a ring-shaped member surrounding the outer circumferential surface of the
일 실시예에서, 상기 더스트씰(150)은 단면형상이 상기 더스트 씰이 상기 상부샤프트를 접하는 면으로부터 외부방향으로 진행할수록 하향경사진 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the
일 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 함몰부(122)의 상부면에서 상기 밸브샤프트의 방향으로 수평방향으로 돌출된 수평보넷돌출부(127)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the
일 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 보넷(120)의 상부면에서 상기 함몰부(122)의 주변에서 수직방향으로 상부로 돌출된 수직보넷돌출부(128)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이고, 도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 나타내는 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a rectangular gate valve for a semiconductor device manufacturing process according to the present invention, Figure 4a is a view showing the
본 발명에 따른 사각형 게이트 밸브(300)는 블레이드(110), 보넷(120), 밸브샤프트(130) 및 밸브샤프트 구동부(140)를 포함한다.
블레이드(110)는 밀폐부재(112)를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼의 이동통로를 밀폐한다. 블레이드(110)의 형상 및 기능은 도 1a 의 종래의 블레이드(10)와 동일하며 종래에 널리 알려져 있다. 밀폐부재(112)는 업계에서 소위 '파킹'이라고 불리우는 종래에 널리 알려진 것과 동일한 것이며, 따라서 고무 등의 탄성있는 부재로 형성된다.The
보넷(120)은 상기 블레이드(110)의 하부에 위치하며 상기 반도체소자의 제조 공정의 공정라인을 따라 연장된 평판형상의 부재로서, 상기 블레이드(110)가 위치하는 공간 즉 공정공간 s1 과 외부공간 s2를 분리시키는 역할을 한다. 보넷(120)에는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 을 연결하는 홀 형상의 밸브샤프트 홀(122)이 형성되어 있고 이는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이에 위치한다.The
밸브샤프트(130)는 일측이 블레이드에 연결되고 타측이 구동부(140)에 연결되는 막대형상의 부재로서, 밸브샤프트 홀(124)에 삽입되어 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이에 연장되어 위치한다. 밸브샤프트(130)는 외주면에 벨로우즈(135)가 형성되어 있으며, 벨로우즈(135)와 밸브샤프트 홀(124)은 밀착되도록 규격이 결정됨으로써, 결국 밸브샤프트(130)는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이를 수직형상으로 연장되어진 상태로 서로를 격리시킨다. The
벨로우즈(135)는 박판형상으로 반복되게 형성된 부재로서 외부공간과 내부공간을 밀폐시키는 역할을 한다. 주로 샤프트가 두 공간사이를 운동할 때 두 공간사이의 밀폐가 유지되도록 하는 부재이다. 이러한 벨로우즈의 구성 및 기능에 대해서는 종래에 널리 알려져 있다.The bellows 135 is a member formed repeatedly in a thin plate shape and serves to seal the outer space and the inner space. It is mainly a member that maintains the sealing between two spaces when the shaft moves between the two spaces. The construction and function of such bellows are well known in the art.
밸브샤프트 구동부(140)는 상기 보넷(120)의 하부에 위치하며 상기 밸브샤프트를 상하방향으로 구동한다. 밸브샤프트 구동부(140)는 다양한 구동방식으로 구현가능하며, 종래에 널리 알려져 있다. 예를 들면, 도 3에 나타난 바와 같이, 외부로부터 실린더(146)로 유입된 유량에 의해 피스톤(145)이 하부로 이동하면, 엑튜에이터 모듈(142,143,144)의 무빙기어(143)가 움직이게 되고, 무빙기어(143)에 연결된 링크(141)가 하단으로 움직임으로써 밸브샤프트(130)가 하단으로 움직이게 된다.The
이하 도 4a 및 4b를 참고하여 본 발명의 보넷(120)과 밸브샤프트(130)의 구성을 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the configuration of the
도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 종래의 보넷(20)과 비교하여 나타낸 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)을 종래의 밸브샤프트(30)과 비교하여 나타낸 도면이다.4A is a view showing the
본 발명에서, 도 4a 에 나타난 바와 같이, 보넷(120)에는 밸브샤프트(130)가 관통하는 위치 즉 밸브샤프트 홀(124)의 주변에서 상기 밸브샤프트홀의 상부면에서 하부방향으로 함몰된 형상의 함몰부(122)를 포함한다. In the present invention, as shown in FIG. 4A, the
또한 본 발명에서, 도 4b 에 나타난 바와 같이, 밸브샤프트(130)는 상부에 위치하는 막대형상의 상부샤프트(132)와 하부의 하부샤프트(134)를 포함하며, 하부샤프트(134)는 상기 상부샤프트(132)의 하부에 위치하고 막대형상의 부재의 외주면에 박판형상으로 돌출된 벨로우즈(135)가 형성되어 있다.In addition, in the present invention, as shown in Figure 4b, the
또한 본 발명에서, 상기 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)의 경계 L2 는 상기 밸브샤프트 구동부(140)에 의해 상기 밸브샤프트(130)가 상하운동할 때, 상기 상부샤프트(132)가 상기 함몰부(122)의 저면의 상부에서만 이동하고, 상기 하부샤프트는 상기 함몰부의 저면의 하부에서만 이동하도록 하는 위치로 결정된 것을 특징으로 한다. 즉 외주면에 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(134)는, 밸브샤프트가 이동하는 동안 상기 함몰부(122)의 저면의 상부로 돌출되지 않는다. In addition, in the present invention, the boundary L2 of the
또한, 도 4a에 나타난 바와 같이 종래의 보넷(20)의 두께 t1 보다 본 발명의 보넷(120)의 두께 t2 는 매우 크다. 이는 본 발명의 밸브샤프트 홀(124)의 길이 가 종래의 밸브샤프트 홀(32)의 길이보다 크기 때문인데, 이는 본 발명에서는 밸브샤프트(130)이 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)로 분리되어 이루어지고, 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(132)는 밸브샤프트 홀(124)의 상부로 돌출되지 않도록 하기 위해 보넷(120)의 밸브샤프트 홀(124)의 길이를 연장할 필요가 있기 때문이다. In addition, as shown in FIG. 4A, the thickness t2 of the
도 5a, 5b 및 6 은 본 발명의 효과를 나타내는 도면으로서, 본 도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 동작도를 나타내는 도면이고, 도 6은 밸브샤프트 홀의 주변확대도이다.5A, 5B and 6 are views showing the effect of the present invention. FIGS. 5A and 5B are views showing the operation of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged view of the periphery of the valve shaft hole.
도 5a 는 밸브샤프트가 상승하여 게이트밸브가 닫힌 상태를 나타내는 도면이고, 도 도 b 는 밸브샤프트가 하강하여 게이트 밸브가 열린 상태를 나타내는 도면이다. Figure 5a is a view showing a state in which the gate valve is closed by the valve shaft is raised, Figure b is a view showing a state in which the gate valve is opened by the valve shaft is lowered.
도 5a에서, 밸브샤프트가 상승하면 보넷(120)과 블레이드(110)사이의 공간에는 공정공간 s1 의 물리화학적 특징상 파티클 P 가 많이 존재한다. 도 5b에서 밸브샤프트가 하강하면, 파티클 P 는 보넷(120)과 블레이드(110)사이에서 압축되어 밸브샤프트의 벨로우즈사이로 끼워지기 쉬운 경향이 있다. 그러나 본 발명에서는 함몰부에 의해 발생된 공간 s3 에 의해 밸브샤프트의 하강시에도 보넷과 블레이드사이의 파티클들은 자연스럽게 함몰부(122)가 형성하는 공간 s3 로 유도된다. 즉 블레이드가 마지막까지 하강하더라도 파티클 P 가 존재할 수 있는 공간이 제공되어 파티클 P가 벨로우즈(135)사이로 침입하는 확률이 매우 감소된다. 따라서 벨로우즈의 파손확률이 매우 감소된다.In FIG. 5A, when the valve shaft is raised, there are many particles P in the space between the
또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 본 발명에서는 밸브샤프트가 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)로 분리되고 하부샤프트(134)에만 벨로우즈(135)가 형성되어 있으며, 벨로우즈(135)가 형성된 높이 L2 는 함몰부(122)의 저면 L1 보다 항상 낮다. 따라서 밸브샤프트(130)가 상승 및 하강하더라도 벨로우즈가 함몰부(122)의 저면 이상으로 노출되는 상황은 발생하지 않는다. 따라서, 벨로우즈(135)는 파티클 P 에 노출되지 않으며, 결국 벨로우즈(135)가 파티클에 의해 파손될 확률은 매우 감소된다. In addition, as shown in Figure 6, in the present invention, the valve shaft is separated into the
도 7a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 7b ,7c 및 7d 는 각각 도 7a 의 더스트 씰(150)의 평면도, 측단면도 및 확대도이다.7A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7B, 7C, and 7D are plan views, side cross-sectional views, and enlarged views of the
도 7a 내지 7d 의 실시예에서는 더스트 씰(150)이 추가된다.In the embodiment of FIGS. 7A-7D, a
더스트 씰(150)은 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸는 링 형상의 부재로서, 함몰부(122)의 저면의 상부에 장착된다. 즉 더스트 씰(150)은 중앙홀(513)에 밸브샤프트(130)가 삽입되고, 체결부재(512)에 의해 함몰부(122)의 저면에 체결된다.The
이 실시예에 의하면, 더스트 씰의 하부에만 하부샤프트가 위치하기 때문에 하부샤프트(134)는 공정공간 s1의 파티클 P로부터 더욱 격리된다. 더스트씰(150)은 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸서 공정공간 s1으로부터의 파티클 P 의 침입이 하부샤프트(134)까지 도달하지 않도록 한다. 즉 더스트 씰(150)에 의해 하부샤프트(134)의 벨로우즈(135)가 파손될 위험은 더욱 감소된다.According to this embodiment, the
바람직한 실시예에서, 더스트 씰(150)의 단면형상은 더스트 씰(150)이 상부 샤프트(132)를 접촉하는 면으로부터 외주방향으로 진행할수록 하향경사진 것을 특징으로 한다. 이러한 더스트 씰(150)의 경사면 S (도면부호 511) 에 의해 밸브샤프트(130)이 하강할 때 블레이드(110)의 압력에 의해 하강하는 파티클 P 은 밸브샤프트(130)의 하강시에 더스트 씰(150)과 상부샤프트(132)의 외주면이 접촉하는 면으로부터 바깥방향으로 자연스럽게 유도된다. 즉 더스트 씰(150)의 외부에는 밸브샤프트 홀(124)나 하부샤프트(134)와 연결된 공간이 없기 때문에, 파티클 P 가 하부샤프트(134)의 벨로우즈(135)를 파손시킬 확률은 더욱 감소된다.In a preferred embodiment, the cross-sectional shape of the
도 8a 은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 8b는 도 8a 의 변형된 실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 8A is a view showing a peripheral enlarged view of a depression of a bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a view showing a modified embodiment of FIG. 8A.
도 8a 의 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 함몰부(122)의 상부면에서 상기 밸브샤프트의 방향으로 수평방향으로 돌출된 수평보넷돌출부(127)를 더 포함한다. 수평보넷돌출부(127)가 돌출된 길이는 함몰부(122)를 완전히 폐쇄할정도로 돌출되어 있지는 않고, 일반적으로 함몰부(122)의 1/4 내지 1/3 정도면 충분하다.In the embodiment of FIG. 8A, the
이 실시예에 의하면, 수평보넷돌출부(127)에 의해 보넷(120)의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 가 함몰부(122)로 진입하는 것이 일부 방지된다. 함몰부(122)의 상부는 개방되어 있기 때문에 보넷의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 이 함몰부(122)로 진입하는 것을 완전히 막을 수는 없고 또한 도 3에서 설명한 바와 같은 벨로우즈의 파손위험을 고려하면 이것은 바람직하지도 않다. 그러나 보넷의 상부면에 쌓인 파티클의 양은 공정공간 s1 에 퍼져있는 파티클의 양보다 많기 때문에 이에 대한 대책은 어느정도 필요하다. 본 실시예에서는 수평보넷돌출부(127)를 이용하여 함몰부(122)의 입구를 일부 폐쇄함으로써 보넷의 상부면에 많이 쌓여있는 파티클 P 가 너무 쉽게 함몰부(122)로 떨어지는 것을 방지하였다. According to this embodiment, the particle P, which has been accumulated on the upper surface of the
도 8b에서, 보넷(120)은 보넷(120)의 상부면에서 함몰부(122)의 주변에서 수직방향으로 상부로 돌출된 수직보넷돌출부(128)를 더 포함한다. 본 실시예에 의하면, 수직보넷돌출부(128)에 의해 보넷(120)의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 가 수직보넷돌출부(128)에 의해 형성된 단턱에 의해 함몰부(122)로 진입하는 것이 일부 방지된다. 보넷(120)의 상부면의 파티클의 함몰부(122)로의 침입의 방지 필요성에 대해서는 수평보넷돌출부(127)에서 설명한 바와 동일하다.In FIG. 8B, the
실시예에 따라서, 수평보넷돌출부(127) 및 수직보넷돌출부(128)을 동시에 사용하는 것도 가능하다. According to the embodiment, it is also possible to use the
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.
전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 보넷(120)에 형성된 함몰부(122)에 의해 밸브샤프트(130)이 하강시에 블레이드(110)의 하부의 파티클 P 가 존재할 수 있 는 공간이 제공됨으로써, 밸브샤프트에 형성된 벨로우즈(135)의 파손위험이 감소된다. 벨로우즈(135)의 파손위험이 감소되기 때문에, 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이의 밀폐가 더욱 오래 유지되어 반도체소자 제조공정라인의 운용비용 및 유지보수비용이 매우 감소된다. As described above, according to the present invention, the
또한 본 발명에 의하면, 밸브샤프트(130)는 하부샤프트(134)에만 벨로우즈가 형성되고 벨로우즈(134)가 형성된 위치 L2 는 밸브샤프트가 이동시에 상기 함몰부(122)의 저면보다 높게 돌출되지 않도록 결정됨으로써, 벨로우즈가 공정공간에 노출되지 않기 때문에 벨로우즈의 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, the
또한 본 발명에 의하면, 더스트 씰(150)에 의해 벨로우즈는 더욱 파티클로부터 격리되기 때문에 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, since the bellows is further isolated from the particles by the
또한 본 발명에 의하면, 더스트 씰(150)의 경사면 s 에 의해 파티클이 외부방향으로 유도되기 때문에, 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, since the particles are guided outward by the inclined surface s of the
또한 본 발명에 의하면, 수평보넷돌출부(127) 및 수직보넷돌출부(128)에 의해 보넷의 상부면에 쌓인 파티클 P가 함몰부(122)로 침입할 가능성이 감소되어 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, the possibility that the particles P accumulated on the upper surface of the bonnet by the
Claims (5)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020090025230A KR100925159B1 (en) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process |
Applications Claiming Priority (1)
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KR100925159B1 true KR100925159B1 (en) | 2009-11-05 |
Family
ID=41561226
Family Applications (1)
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KR1020090025230A KR100925159B1 (en) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process |
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR100230936B1 (en) * | 1992-04-16 | 1999-11-15 | 우에자키 도시히코 | Vacuum gate valve |
JPH11325265A (en) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Eagle Ind Co Ltd | Gate valve |
KR100390030B1 (en) | 1999-06-14 | 2003-07-04 | 에스엠씨 가부시키 가이샤 | Gate Valve |
-
2009
- 2009-03-25 KR KR1020090025230A patent/KR100925159B1/en active IP Right Grant
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