KR100925159B1 - Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process - Google Patents

Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process Download PDF

Info

Publication number
KR100925159B1
KR100925159B1 KR1020090025230A KR20090025230A KR100925159B1 KR 100925159 B1 KR100925159 B1 KR 100925159B1 KR 1020090025230 A KR1020090025230 A KR 1020090025230A KR 20090025230 A KR20090025230 A KR 20090025230A KR 100925159 B1 KR100925159 B1 KR 100925159B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
bonnet
shaft
valve shaft
valve
blade
Prior art date
Application number
KR1020090025230A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김용대
Original Assignee
주식회사 에이케이테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이케이테크 filed Critical 주식회사 에이케이테크
Priority to KR1020090025230A priority Critical patent/KR100925159B1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100925159B1 publication Critical patent/KR100925159B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16KVALVES; TAPS; COCKS; ACTUATING-FLOATS; DEVICES FOR VENTING OR AERATING
    • F16K3/00Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing
    • F16K3/02Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor
    • F16K3/16Gate valves or sliding valves, i.e. cut-off apparatus with closing members having a sliding movement along the seat for opening and closing with flat sealing faces; Packings therefor with special arrangements for separating the sealing faces or for pressing them together

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Details Of Valves (AREA)
  • Sliding Valves (AREA)

Abstract

PURPOSE: A rectangular gate valve for a semiconductor producing process is provided to reduce a risk of damage of bellows formed on a valve shaft by forming a space for particle P at the lower part of a blade. CONSTITUTION: In a rectangular gate valve for a semiconductor producing process, a blade(110) shuts tightly a wafer channel by using a sealing member(112). A bonnet(120) isolates a process space(S1) and an outer space(S2) of a blade. A valve shaft(130) is extended from the bottom of the blade to the top of bonnet through the bonnet. The valve shaft driving unit(140) operates the valve shaft upward/ downward. The bonnet includes a depression part which is sunk downward from neighboring a location through which the valve shaft is passed. In a bottom shaft(134), the bellows(135) protruded as a thin plate space from the outer circumference of the member of a rod shape is formed.

Description

반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브{Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process}Rectangular gate valve for semiconductor manufacturing process

도 1a 및 1b는 종래의 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이다.1A and 1B show a conventional rectangular gate valve.

도 2는 종래의 문제점을 나타내는 도면이다.2 is a view showing a conventional problem.

도 3은 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a rectangular gate valve for a semiconductor manufacturing process according to the present invention.

도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 나타내는 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)을 나타내는 도면이다.4A is a view showing the bonnet 120 of the present invention, Figure 4B is a view showing the valve shaft 130 of the present invention.

도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 동작도를 나타내는 도면이다.5A and 5B are views showing an operation diagram of the present invention.

도 6은 밸브샤프트 홀의 주변확대도이다.6 is an enlarged view of the periphery of the valve shaft hole.

도 7a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 7b ,7c 및 7d 는 각각 도 7a 의 더스트 씰(150)의 평면도, 측단면도 및 확대도이다.7A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7B, 7C, and 7D are plan views, side cross-sectional views, and enlarged views of the dust seal 150 of FIG. 7A, respectively.

도 8a 은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이다.8A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention.

도 8b는 도 8a 의 변형된 실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 8B illustrates a modified embodiment of FIG. 8A.

본 발명은 반도체소자를 제조하는 공정에서 사용되는 사각형 게이트 밸브에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 본넷에 함몰부가 설치되고 밸브샤프트에서 벨로우즈(bellows)가 형성된 부분이 공정공간에 노출되지 않게 함으로써 웨이퍼 크랙 박편에 의해 벨로우즈가 파손되는 것이 방지된 사각형 게이트 밸브에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a rectangular gate valve used in a process of manufacturing a semiconductor device, and more particularly, to a wafer crack flake by preventing recesses in the bonnet and bellows formed in the valve shaft not being exposed to the process space. The present invention relates to a rectangular gate valve in which the bellows is prevented from being broken by.

반도체소자의 제조공정에서는 제조공정의 특성에 따라 특정 압력이 유지되거나 외부와 밀폐되는 공간이 제조에 필요하다. 보통 이러한 공간은 챔버라는 공간으로 특정되며, 외부와 밀폐되어 특정 압력 및 특정 공정가스에 의해 공간의 물리화학적 특성이 정의된다. 그러나 이러한 공정단계에서 웨이퍼는 서로 다른 공정단계사이를 이동하여야 하기 때문에 서로 다른 공정에서 사용되는 공간사이의 개폐 및 밀폐여부는 매우 중요하다. 또한 공정 공간이외의 외부공간과 공정공간사이의 개폐 및 밀폐여부도 매우 중요하다. 일반적으로 이러한 개폐 및 밀폐여부를 달성하는 수단으로서 사각형 게이트 밸브가 널리 사용된다.In the manufacturing process of the semiconductor device, a specific pressure is maintained or a space is sealed to the outside depending on the characteristics of the manufacturing process. Usually, this space is specified as a space called a chamber, which is enclosed with the outside to define the physicochemical characteristics of the space by a specific pressure and a specific process gas. However, in this process step, the wafer must move between different process steps, so opening and closing between the spaces used in different processes is very important. In addition, opening and closing between the outside space and the process space other than the process space is also very important. In general, a rectangular gate valve is widely used as a means of achieving such opening and closing.

도 1a 및 1b는 종래의 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이고, 도 2는 종래의 문제점을 나타내는 도면이다.1A and 1B show a conventional rectangular gate valve, and FIG. 2 shows a conventional problem.

도 1a 는 밸브샤프트가 하부로 이동하여 밸브가 열린 상태를 나타내는 도면이고, 도 1b 는 밸브샤프트가 상부로 이동하여 밸브가 닫힌 상태를 나타내는 도면이다. FIG. 1A is a view illustrating a state in which the valve shaft is moved downward and the valve is opened, and FIG. 1B is a view illustrating a state in which the valve shaft is moved upward and the valve is closed.

종래의 사각형 게이트 밸브(1)는 블레이드(10), 보넷(20), 밸브샤프트(30) 및 구동부(40)를 포함한다. 블레이드(10)는 밀폐부재(12)를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼 이동통로를 밀폐하는 기능을 한다. 보넷(20)은 블레이드의 하부에 위치하는 평판형상의 부재로서 공정공간 s1 과 외부공간 s2를 격리시키는 기능을 한다. 보넷(20)에는 관통홀(32)이 형성되어 있다. 밸브샤프트(30)는 일단이 블레이드에 연결되고 타단이 구동부(40)에 연결된 막대형상의 부재로서 밸브샤프트홀(32)를 관통하여 공정공간 s1 과 외부공간 s2 에 연장되어 위치한다. 밸브샤프트(30)의 외주면에는 얇은 금속박판형상의 벨로우즈(bellows,34)가 수많이 형성되어 있다. 구동부(40)는 구동수단에 의해 밸프샤프트를 상하이동시킨다. 구동부는 외부공간 s2에 위치한다. The conventional rectangular gate valve 1 includes a blade 10, a bonnet 20, a valve shaft 30 and a drive unit 40. The blade 10 functions to seal the wafer movement path of the semiconductor device manufacturing process by using the sealing member 12. The bonnet 20 serves to isolate the process space s1 and the outer space s2 as a flat member located under the blade. The through-hole 32 is formed in the bonnet 20. The valve shaft 30 is a rod-shaped member whose one end is connected to the blade and the other end is connected to the driving unit 40 and extends through the valve shaft hole 32 and extends in the process space s1 and the external space s2. On the outer circumferential surface of the valve shaft 30, many thin metal bellows bellows 34 are formed. The drive unit 40 swings the valve shaft by the drive means. The drive unit is located in the outer space s2.

밸브(1)의 개폐작동시에, 구동부가 밸프샤프트를 상하이동시켜 블레이드가 챔버의 입구(미도시)를 개폐함으로써 개폐동작을 수행한다. 이 때 벨로우즈(34)에 의해, 밸브샤프트(30)가 공정공간 s1 과 외부공간 s2 에 공히 연장되어 작동하더라도 공정공간과 외부공간사이는 항상 격리된 상태로 즉 물리화학적으로 분리된 상태로 유지된다. 벨로우즈의 기능은 널리 알려져 있다. In the opening and closing operation of the valve 1, the driving unit swings the valve shaft so that the blade opens and closes the inlet (not shown) of the chamber. At this time, even though the valve shaft 30 is extended and operated in the process space s1 and the external space s2 by the bellows 34, the process space and the external space are always kept in an isolated state, that is, in a physicochemically separated state. . The function of bellows is well known.

그러나, 이러한 종래의 사각형 게이트 밸브에 의하면, 다음과 같은 문제점을 가진다.However, according to such a conventional rectangular gate valve, there are the following problems.

첫째, 도 2에 나타난 바와 같이, 벨로우즈가 항상 공정공간에 노출되어 있기 때문에 공정에서 발생하는 웨이퍼 크랙 박편(P, wafer crack particle)에 의해 벨로우즈가 파손되는 문제가 발생한다. 즉 종래의 밸브에 의하면, 밸브가 작동할 때 벨로우즈(34)가 항상 공정공간에 노출되어 있는데, 공정공간 s1 에는 공정가스 및 웨이퍼 크랙 박편등의 이물질이 많으므로, 이들이 벨로우즈의 얇은 금속박편사이에 삽입되거나 화학적으로 반응하여 벨로우즈의 물리적 파손 및 화학적 변형등의 문제가 발생하고, 이는 벨로우즈의 교환주기를 감소시키거는 문제를 발생시킨다. 특히 파손된 벨로우즈에 의해 밀폐성능이 감소되면 공정전체의 중단요인이 되어 제조상의 엄청난 경제적 손실을 야기한다.First, as shown in Figure 2, because the bellows is always exposed to the process space, there is a problem that the bellows is broken by the wafer crack flakes (P, wafer crack particles) generated in the process. That is, according to the conventional valve, the bellows 34 is always exposed to the process space when the valve is operating, the process space s1 has a lot of foreign matters such as process gas and wafer crack flakes, so that they are between the thin metal flakes of the bellows Insertions or chemical reactions cause problems such as physical breakage and chemical deformation of the bellows, which reduces the replacement cycle of the bellows. In particular, reduced sealing performance due to a broken bellows is an interruption of the entire process, leading to enormous economic losses in manufacturing.

둘째, 이러한 현상은 밸브가 열릴 때 즉 밸브가 하부로 이동할 때 더욱 증가되어 벨로우즈의 파손의 가능성이 더욱 증가된다. 밸브가 열릴 때 즉 밸브가 하부로 이동할 때는 블레이드(10)와 보넷(20)사이의 공간은 거의 존재하지 않는다. 즉 공정공간에서 블레이드(10)와 보넷(20)의 사이에 존재하던 웨이퍼 크랙 박편 P 은 블레이드의 하부이동에 대해 다른 곳으로 이동하기가 용이하지 않다. 결국 박편 P 는 벨로우즈사이의 공간으로 침입할 가능성이 더욱 커지며 이러한 벨로우즈의 파손의 가능성은 더욱 증가된다. Secondly, this phenomenon is further increased when the valve is opened, i.e., when the valve moves downward, further increasing the possibility of breakage of the bellows. There is little space between the blade 10 and the bonnet 20 when the valve is opened, i.e. when the valve is moved downward. That is, the wafer crack flakes P existing between the blade 10 and the bonnet 20 in the process space are not easily moved to other places with respect to the lower movement of the blade. As a result, the flakes P are more likely to enter the space between the bellows and the likelihood of breakage of the bellows is further increased.

따라서 본 발명은 전술한 과제를 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 반도체소자 제조용 게이트밸브에 있어서 밸브의 개폐시에 밸브샤프트가 공정공간에 위치함으로 인해 벨로우즈의 금속박편이 파손되어 밀폐성이 감소되는 현상이 방지된 사각형 게이트 밸브를 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, an object of the present invention is to reduce the sealing by the metal foil of the bellows due to the valve shaft is located in the process space when opening and closing the valve in the gate valve for semiconductor device manufacturing It is an object of the present invention to provide a rectangular gate valve which is prevented from becoming.

또한 본 발명의 목적은 기존의 밸브몸체나 구동부등의 구조를 변형시키지 않고 그대로 사용하면서도 상기 벨로우즈 파손의 문제점이 방지된 사각형 게이트 밸브를 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a rectangular gate valve that is prevented the problem of the bellows damage while using as it is without modifying the structure of the existing valve body or drive unit.

전술한 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 웨이퍼 이동 통로를 개폐하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브(100)에 있어서, 밀폐부재를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼 이동통로를 밀폐하는 블레이드(110); 상기 블레이드의 하부에 위치하며 상기 제조공정의 공정라인의 방향으로 연장된 부재로서, 상기 블레이드측의 공정공간 s1 과 외부공간 s2 를 격리시키는 보넷(120,bonnet); 막대형상의 부재로서 상기 블레이드의 하단에서 상기 보넷을 관통하여 상기 보넷의 하부방향으로 연장된 밸브샤프트(130); 및 상기 보넷의 하부에 위치하며, 상기 밸브샤프트의 일측에 연결되어 상기 밸브샤프트를 상하방향으로 구동하는 밸브샤프트 구동부(140)를 포함하고, 상기 보넷(120)은 상기 밸브샤프트(130)가 관통하는 위치의 주변에서 하부방향으로 함몰된 형상의 함몰부(122)를 포함하고, 상기 밸브샤프트(130)는, 막대형상의 상부샤프트(132); 및 상기 상부샤프트의 하부에 위치하고, 막대형상의 부재의 외주면에 박판형상으로 돌출된 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(134)를 포함하고, 상기 하부샤프트와 상기 상부샤프트의 경계 지점은, 상기 밸브샤프트구동부에 의해 상기 밸브샤프트가 상하운동할 때, 상기 상부샤프트가 상기 함몰부의 저면의 상부에서만 상하이동하고 상기 하부샤프트는 상기 함몰부의 저면아래에서만 상하이동하도록 하는 위치로 결정된 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the present invention, in the rectangular gate valve 100 for a semiconductor device manufacturing process for opening and closing the wafer movement passage, the blade 110 for sealing the wafer movement passage of the semiconductor device manufacturing process using a sealing member. ); A bonnet positioned below the blade and extending in the direction of the process line of the manufacturing process, the bonnet separating the process space s1 and the external space s2 on the blade side; A valve shaft 130 extending through the bonnet at a lower end of the blade and extending downward in the bonnet; And a valve shaft driving unit 140 positioned below the bonnet and connected to one side of the valve shaft to drive the valve shaft in an up and down direction. The bonnet 120 has the valve shaft 130 penetrated therethrough. And a depression 122 having a shape recessed downward in the periphery of the position, wherein the valve shaft 130 includes a rod-shaped upper shaft 132; And a lower shaft 134 disposed below the upper shaft and having a bellows 135 protruding in a thin plate shape on an outer circumferential surface of the rod-shaped member, wherein a boundary point between the lower shaft and the upper shaft is the valve. When the valve shaft is moved up and down by the shaft driving unit, the upper shaft is moved to move only in the upper portion of the bottom of the depression and the lower shaft is characterized in that it is determined to be moved to move only below the bottom of the depression.

일 실시예에서, 상기 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸는 링 형상의 부재로서, 상기 함몰부의 저면의 상부에 장착되는 더스트 씰(150)을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, a ring-shaped member surrounding the outer circumferential surface of the upper shaft 132, characterized in that it further comprises a dust seal 150 mounted on the upper portion of the bottom of the depression.

일 실시예에서, 상기 더스트씰(150)은 단면형상이 상기 더스트 씰이 상기 상부샤프트를 접하는 면으로부터 외부방향으로 진행할수록 하향경사진 것을 특징으로 한다. In one embodiment, the dust seal 150 is characterized in that the cross-sectional inclination downward as the dust seal proceeds outward from the surface in contact with the upper shaft.

일 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 함몰부(122)의 상부면에서 상기 밸브샤프트의 방향으로 수평방향으로 돌출된 수평보넷돌출부(127)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the bonnet 120 is characterized in that it further comprises a horizontal bonnet projection 127 protruding in the horizontal direction in the direction of the valve shaft from the upper surface of the depression (122).

일 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 보넷(120)의 상부면에서 상기 함몰부(122)의 주변에서 수직방향으로 상부로 돌출된 수직보넷돌출부(128)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.In one embodiment, the bonnet 120 is characterized in that it further comprises a vertical bonnet projection 128 protruding upward in the vertical direction in the periphery of the recess 122 in the upper surface of the bonnet 120 .

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 상세하게 설명하기로 한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브를 나타내는 도면이고, 도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 나타내는 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)를 나타내는 도면이다.3 is a view showing a rectangular gate valve for a semiconductor device manufacturing process according to the present invention, Figure 4a is a view showing the bonnet 120 of the present invention, Figure 4b is a view showing the valve shaft 130 of the present invention. .

본 발명에 따른 사각형 게이트 밸브(300)는 블레이드(110), 보넷(120), 밸브샤프트(130) 및 밸브샤프트 구동부(140)를 포함한다.Square gate valve 300 according to the present invention includes a blade 110, the bonnet 120, the valve shaft 130 and the valve shaft driver 140.

블레이드(110)는 밀폐부재(112)를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼의 이동통로를 밀폐한다. 블레이드(110)의 형상 및 기능은 도 1a 의 종래의 블레이드(10)와 동일하며 종래에 널리 알려져 있다. 밀폐부재(112)는 업계에서 소위 '파킹'이라고 불리우는 종래에 널리 알려진 것과 동일한 것이며, 따라서 고무 등의 탄성있는 부재로 형성된다.The blade 110 seals the movement path of the wafer in the semiconductor device manufacturing process by using the sealing member 112. The shape and function of the blade 110 is the same as the conventional blade 10 of FIG. 1A and is well known in the art. The sealing member 112 is the same as that widely known in the art, so-called 'parking' in the art, and is thus formed of an elastic member such as rubber.

보넷(120)은 상기 블레이드(110)의 하부에 위치하며 상기 반도체소자의 제조 공정의 공정라인을 따라 연장된 평판형상의 부재로서, 상기 블레이드(110)가 위치하는 공간 즉 공정공간 s1 과 외부공간 s2를 분리시키는 역할을 한다. 보넷(120)에는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 을 연결하는 홀 형상의 밸브샤프트 홀(122)이 형성되어 있고 이는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이에 위치한다.The bonnet 120 is a plate-shaped member which is located below the blade 110 and extends along the process line of the manufacturing process of the semiconductor device. It is responsible for separating s2. The bonnet 120 has a valve shaft hole 122 having a hole shape connecting the process space s1 and the external space s2, which is located between the process space s1 and the external space s2.

밸브샤프트(130)는 일측이 블레이드에 연결되고 타측이 구동부(140)에 연결되는 막대형상의 부재로서, 밸브샤프트 홀(124)에 삽입되어 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이에 연장되어 위치한다. 밸브샤프트(130)는 외주면에 벨로우즈(135)가 형성되어 있으며, 벨로우즈(135)와 밸브샤프트 홀(124)은 밀착되도록 규격이 결정됨으로써, 결국 밸브샤프트(130)는 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이를 수직형상으로 연장되어진 상태로 서로를 격리시킨다. The valve shaft 130 is a rod-shaped member having one side connected to the blade and the other side connected to the driving unit 140. The valve shaft 130 is inserted into the valve shaft hole 124 and extends between the process space s1 and the external space s2. The valve shaft 130 has a bellows 135 formed on an outer circumferential surface thereof, and the bellows 135 and the valve shaft hole 124 are closely contacted with each other. Thus, the valve shaft 130 has a process space s1 and an outer space s2. Isolate each other while extending them vertically.

벨로우즈(135)는 박판형상으로 반복되게 형성된 부재로서 외부공간과 내부공간을 밀폐시키는 역할을 한다. 주로 샤프트가 두 공간사이를 운동할 때 두 공간사이의 밀폐가 유지되도록 하는 부재이다. 이러한 벨로우즈의 구성 및 기능에 대해서는 종래에 널리 알려져 있다.The bellows 135 is a member formed repeatedly in a thin plate shape and serves to seal the outer space and the inner space. It is mainly a member that maintains the sealing between two spaces when the shaft moves between the two spaces. The construction and function of such bellows are well known in the art.

밸브샤프트 구동부(140)는 상기 보넷(120)의 하부에 위치하며 상기 밸브샤프트를 상하방향으로 구동한다. 밸브샤프트 구동부(140)는 다양한 구동방식으로 구현가능하며, 종래에 널리 알려져 있다. 예를 들면, 도 3에 나타난 바와 같이, 외부로부터 실린더(146)로 유입된 유량에 의해 피스톤(145)이 하부로 이동하면, 엑튜에이터 모듈(142,143,144)의 무빙기어(143)가 움직이게 되고, 무빙기어(143)에 연결된 링크(141)가 하단으로 움직임으로써 밸브샤프트(130)가 하단으로 움직이게 된다.The valve shaft driver 140 is positioned below the bonnet 120 to drive the valve shaft in the vertical direction. The valve shaft driver 140 may be implemented in various driving methods, and is widely known in the art. For example, as shown in FIG. 3, when the piston 145 moves downward due to the flow rate introduced into the cylinder 146 from the outside, the moving gear 143 of the actuator modules 142, 143, and 144 is moved, and moving. As the link 141 connected to the gear 143 moves downward, the valve shaft 130 moves downward.

이하 도 4a 및 4b를 참고하여 본 발명의 보넷(120)과 밸브샤프트(130)의 구성을 더 상세히 설명한다. Hereinafter, the configuration of the bonnet 120 and the valve shaft 130 of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 4A and 4B.

도 4a 는 본 발명의 보넷(120)을 종래의 보넷(20)과 비교하여 나타낸 도면이고, 도 4b 는 본 발명의 밸브샤프트(130)을 종래의 밸브샤프트(30)과 비교하여 나타낸 도면이다.4A is a view showing the bonnet 120 of the present invention in comparison with the conventional bonnet 20, and FIG. 4B is a view showing the valve shaft 130 of the present invention in comparison with the conventional valve shaft 30. As shown in FIG.

본 발명에서, 도 4a 에 나타난 바와 같이, 보넷(120)에는 밸브샤프트(130)가 관통하는 위치 즉 밸브샤프트 홀(124)의 주변에서 상기 밸브샤프트홀의 상부면에서 하부방향으로 함몰된 형상의 함몰부(122)를 포함한다. In the present invention, as shown in FIG. 4A, the bonnet 120 has a recessed shape in which the valve shaft 130 penetrates, that is, recessed downward from the upper surface of the valve shaft hole at the periphery of the valve shaft hole 124. Part 122 is included.

또한 본 발명에서, 도 4b 에 나타난 바와 같이, 밸브샤프트(130)는 상부에 위치하는 막대형상의 상부샤프트(132)와 하부의 하부샤프트(134)를 포함하며, 하부샤프트(134)는 상기 상부샤프트(132)의 하부에 위치하고 막대형상의 부재의 외주면에 박판형상으로 돌출된 벨로우즈(135)가 형성되어 있다.In addition, in the present invention, as shown in Figure 4b, the valve shaft 130 includes a rod-shaped upper shaft 132 and the lower lower shaft 134 located in the upper, the lower shaft 134 is the upper A bellows 135 is formed below the shaft 132 and protrudes in a thin plate shape on the outer circumferential surface of the rod-shaped member.

또한 본 발명에서, 상기 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)의 경계 L2 는 상기 밸브샤프트 구동부(140)에 의해 상기 밸브샤프트(130)가 상하운동할 때, 상기 상부샤프트(132)가 상기 함몰부(122)의 저면의 상부에서만 이동하고, 상기 하부샤프트는 상기 함몰부의 저면의 하부에서만 이동하도록 하는 위치로 결정된 것을 특징으로 한다. 즉 외주면에 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(134)는, 밸브샤프트가 이동하는 동안 상기 함몰부(122)의 저면의 상부로 돌출되지 않는다. In addition, in the present invention, the boundary L2 of the upper shaft 132 and the lower shaft 134 is the upper shaft 132 when the valve shaft 130 moves up and down by the valve shaft drive unit 140, Only the upper portion of the bottom of the depression 122, the lower shaft is characterized in that it is determined to move only in the lower portion of the bottom of the depression. That is, the lower shaft 134 having the bellows 135 formed on the outer circumferential surface thereof does not protrude to the upper portion of the bottom surface of the depression 122 while the valve shaft moves.

또한, 도 4a에 나타난 바와 같이 종래의 보넷(20)의 두께 t1 보다 본 발명의 보넷(120)의 두께 t2 는 매우 크다. 이는 본 발명의 밸브샤프트 홀(124)의 길이 가 종래의 밸브샤프트 홀(32)의 길이보다 크기 때문인데, 이는 본 발명에서는 밸브샤프트(130)이 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)로 분리되어 이루어지고, 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(132)는 밸브샤프트 홀(124)의 상부로 돌출되지 않도록 하기 위해 보넷(120)의 밸브샤프트 홀(124)의 길이를 연장할 필요가 있기 때문이다.  In addition, as shown in FIG. 4A, the thickness t2 of the bonnet 120 of the present invention is much larger than the thickness t1 of the conventional bonnet 20. This is because the length of the valve shaft hole 124 of the present invention is larger than the length of the conventional valve shaft hole 32, which means that the valve shaft 130 is the upper shaft 132 and the lower shaft 134 in the present invention. The lower shaft 132, which is formed separately and has a bellows 135, needs to extend the length of the valve shaft hole 124 of the bonnet 120 so as not to protrude upward of the valve shaft hole 124. Because.

도 5a, 5b 및 6 은 본 발명의 효과를 나타내는 도면으로서, 본 도 5a 및 도 5b 는 본 발명의 동작도를 나타내는 도면이고, 도 6은 밸브샤프트 홀의 주변확대도이다.5A, 5B and 6 are views showing the effect of the present invention. FIGS. 5A and 5B are views showing the operation of the present invention, and FIG. 6 is an enlarged view of the periphery of the valve shaft hole.

도 5a 는 밸브샤프트가 상승하여 게이트밸브가 닫힌 상태를 나타내는 도면이고, 도 도 b 는 밸브샤프트가 하강하여 게이트 밸브가 열린 상태를 나타내는 도면이다. Figure 5a is a view showing a state in which the gate valve is closed by the valve shaft is raised, Figure b is a view showing a state in which the gate valve is opened by the valve shaft is lowered.

도 5a에서, 밸브샤프트가 상승하면 보넷(120)과 블레이드(110)사이의 공간에는 공정공간 s1 의 물리화학적 특징상 파티클 P 가 많이 존재한다. 도 5b에서 밸브샤프트가 하강하면, 파티클 P 는 보넷(120)과 블레이드(110)사이에서 압축되어 밸브샤프트의 벨로우즈사이로 끼워지기 쉬운 경향이 있다. 그러나 본 발명에서는 함몰부에 의해 발생된 공간 s3 에 의해 밸브샤프트의 하강시에도 보넷과 블레이드사이의 파티클들은 자연스럽게 함몰부(122)가 형성하는 공간 s3 로 유도된다. 즉 블레이드가 마지막까지 하강하더라도 파티클 P 가 존재할 수 있는 공간이 제공되어 파티클 P가 벨로우즈(135)사이로 침입하는 확률이 매우 감소된다. 따라서 벨로우즈의 파손확률이 매우 감소된다.In FIG. 5A, when the valve shaft is raised, there are many particles P in the space between the bonnet 120 and the blade 110 due to the physicochemical characteristics of the process space s1. When the valve shaft is lowered in FIG. 5B, the particle P tends to be compressed between the bonnet 120 and the blade 110 to fit between the bellows of the valve shaft. However, in the present invention, even when the valve shaft is lowered by the space s3 generated by the depression, particles between the bonnet and the blade are naturally induced into the space s3 formed by the depression 122. That is, even if the blade descends to the end, a space in which particle P can be provided is greatly reduced, so that the probability of particle P invading between bellows 135 is greatly reduced. Therefore, the probability of breakage of the bellows is greatly reduced.

또한, 도 6에 나타난 바와 같이, 본 발명에서는 밸브샤프트가 상부샤프트(132)와 하부샤프트(134)로 분리되고 하부샤프트(134)에만 벨로우즈(135)가 형성되어 있으며, 벨로우즈(135)가 형성된 높이 L2 는 함몰부(122)의 저면 L1 보다 항상 낮다. 따라서 밸브샤프트(130)가 상승 및 하강하더라도 벨로우즈가 함몰부(122)의 저면 이상으로 노출되는 상황은 발생하지 않는다. 따라서, 벨로우즈(135)는 파티클 P 에 노출되지 않으며, 결국 벨로우즈(135)가 파티클에 의해 파손될 확률은 매우 감소된다. In addition, as shown in Figure 6, in the present invention, the valve shaft is separated into the upper shaft 132 and the lower shaft 134, the bellows 135 is formed only in the lower shaft 134, the bellows 135 is formed The height L2 is always lower than the bottom surface L1 of the depression 122. Therefore, even if the valve shaft 130 is raised and lowered, the situation in which the bellows is exposed beyond the bottom of the depression 122 does not occur. Therefore, the bellows 135 is not exposed to the particle P, so the probability that the bellows 135 is broken by the particles is greatly reduced.

도 7a 는 본 발명의 다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 7b ,7c 및 7d 는 각각 도 7a 의 더스트 씰(150)의 평면도, 측단면도 및 확대도이다.7A is a view showing a peripheral enlarged view of the depression of the bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIGS. 7B, 7C, and 7D are plan views, side cross-sectional views, and enlarged views of the dust seal 150 of FIG. 7A, respectively.

도 7a 내지 7d 의 실시예에서는 더스트 씰(150)이 추가된다.In the embodiment of FIGS. 7A-7D, a dust seal 150 is added.

더스트 씰(150)은 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸는 링 형상의 부재로서, 함몰부(122)의 저면의 상부에 장착된다. 즉 더스트 씰(150)은 중앙홀(513)에 밸브샤프트(130)가 삽입되고, 체결부재(512)에 의해 함몰부(122)의 저면에 체결된다.The dust seal 150 is a ring-shaped member surrounding the outer circumferential surface of the upper shaft 132 and is mounted on an upper portion of the bottom surface of the recess 122. That is, the dust seal 150 has a valve shaft 130 inserted into the central hole 513, and is fastened to the bottom surface of the recess 122 by the fastening member 512.

이 실시예에 의하면, 더스트 씰의 하부에만 하부샤프트가 위치하기 때문에 하부샤프트(134)는 공정공간 s1의 파티클 P로부터 더욱 격리된다. 더스트씰(150)은 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸서 공정공간 s1으로부터의 파티클 P 의 침입이 하부샤프트(134)까지 도달하지 않도록 한다. 즉 더스트 씰(150)에 의해 하부샤프트(134)의 벨로우즈(135)가 파손될 위험은 더욱 감소된다.According to this embodiment, the lower shaft 134 is further isolated from the particle P of the process space s1 because the lower shaft is located only under the dust seal. The dust seal 150 surrounds the outer circumferential surface of the upper shaft 132 so that the intrusion of the particle P from the process space s1 does not reach the lower shaft 134. That is, the risk of breaking the bellows 135 of the lower shaft 134 by the dust seal 150 is further reduced.

바람직한 실시예에서, 더스트 씰(150)의 단면형상은 더스트 씰(150)이 상부 샤프트(132)를 접촉하는 면으로부터 외주방향으로 진행할수록 하향경사진 것을 특징으로 한다. 이러한 더스트 씰(150)의 경사면 S (도면부호 511) 에 의해 밸브샤프트(130)이 하강할 때 블레이드(110)의 압력에 의해 하강하는 파티클 P 은 밸브샤프트(130)의 하강시에 더스트 씰(150)과 상부샤프트(132)의 외주면이 접촉하는 면으로부터 바깥방향으로 자연스럽게 유도된다. 즉 더스트 씰(150)의 외부에는 밸브샤프트 홀(124)나 하부샤프트(134)와 연결된 공간이 없기 때문에, 파티클 P 가 하부샤프트(134)의 벨로우즈(135)를 파손시킬 확률은 더욱 감소된다.In a preferred embodiment, the cross-sectional shape of the dust seal 150 is characterized in that the inclined downward toward the outer circumferential direction from the surface in which the dust seal 150 contacts the upper shaft 132. When the valve shaft 130 is lowered by the inclined surface S (reference numeral 511) of the dust seal 150, the particles P which are lowered by the pressure of the blade 110 are lowered when the valve shaft 130 is lowered. 150 and the outer circumferential surface of the upper shaft 132 is naturally guided outward from the contact surface. That is, since there is no space connected to the valve shaft hole 124 or the lower shaft 134 outside the dust seal 150, the probability that the particle P breaks the bellows 135 of the lower shaft 134 is further reduced.

도 8a 은 본 발명의 또다른 실시예에 따른 보넷의 함몰부의 주변확대도를 나타내는 도면이고, 도 8b는 도 8a 의 변형된 실시예를 나타내는 도면이다.FIG. 8A is a view showing a peripheral enlarged view of a depression of a bonnet according to another embodiment of the present invention, and FIG. 8B is a view showing a modified embodiment of FIG. 8A.

도 8a 의 실시예에서, 상기 보넷(120)은 상기 함몰부(122)의 상부면에서 상기 밸브샤프트의 방향으로 수평방향으로 돌출된 수평보넷돌출부(127)를 더 포함한다. 수평보넷돌출부(127)가 돌출된 길이는 함몰부(122)를 완전히 폐쇄할정도로 돌출되어 있지는 않고, 일반적으로 함몰부(122)의 1/4 내지 1/3 정도면 충분하다.In the embodiment of FIG. 8A, the bonnet 120 further includes a horizontal bonnet protrusion 127 protruding horizontally in the direction of the valve shaft from the upper surface of the depression 122. The protruding length of the horizontal bonnet protrusion 127 does not protrude enough to completely close the depression 122, and generally is about 1/4 to 1/3 of the depression 122.

이 실시예에 의하면, 수평보넷돌출부(127)에 의해 보넷(120)의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 가 함몰부(122)로 진입하는 것이 일부 방지된다. 함몰부(122)의 상부는 개방되어 있기 때문에 보넷의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 이 함몰부(122)로 진입하는 것을 완전히 막을 수는 없고 또한 도 3에서 설명한 바와 같은 벨로우즈의 파손위험을 고려하면 이것은 바람직하지도 않다. 그러나 보넷의 상부면에 쌓인 파티클의 양은 공정공간 s1 에 퍼져있는 파티클의 양보다 많기 때문에 이에 대한 대책은 어느정도 필요하다. 본 실시예에서는 수평보넷돌출부(127)를 이용하여 함몰부(122)의 입구를 일부 폐쇄함으로써 보넷의 상부면에 많이 쌓여있는 파티클 P 가 너무 쉽게 함몰부(122)로 떨어지는 것을 방지하였다. According to this embodiment, the particle P, which has been accumulated on the upper surface of the bonnet 120, is partially prevented from entering the depression 122 by the horizontal bonnet protrusion 127. Since the upper portion of the recess 122 is open, particle P, which has accumulated on the upper surface of the bonnet, cannot be completely prevented from entering the recess 122, and considering the risk of damage to the bellows as described with reference to FIG. 3. This is not desirable. However, because the amount of particles accumulated on the upper surface of the bonnet is larger than the amount of particles spread in the process space s1, some countermeasures are necessary. In this embodiment, the inlet of the recess 122 is partially closed by using the horizontal bonnet protrusion 127 to prevent particles P, which are accumulated on the upper surface of the bonnet, from falling too easily into the recess 122.

도 8b에서, 보넷(120)은 보넷(120)의 상부면에서 함몰부(122)의 주변에서 수직방향으로 상부로 돌출된 수직보넷돌출부(128)를 더 포함한다. 본 실시예에 의하면, 수직보넷돌출부(128)에 의해 보넷(120)의 상부면에 쌓여있던 파티클 P 가 수직보넷돌출부(128)에 의해 형성된 단턱에 의해 함몰부(122)로 진입하는 것이 일부 방지된다. 보넷(120)의 상부면의 파티클의 함몰부(122)로의 침입의 방지 필요성에 대해서는 수평보넷돌출부(127)에서 설명한 바와 동일하다.In FIG. 8B, the bonnet 120 further includes a vertical bonnet protrusion 128 projecting upwardly in the vertical direction around the recess 122 at the upper surface of the bonnet 120. According to the present exemplary embodiment, the particles P, which are accumulated on the upper surface of the bonnet 120 by the vertical bonnet protrusion 128, partially prevent the entry of the recess 122 by the step formed by the vertical bonnet protrusion 128. do. The necessity of preventing the intrusion of the particles into the depression 122 of the upper surface of the bonnet 120 is the same as described in the horizontal bonnet protrusion 127.

실시예에 따라서, 수평보넷돌출부(127) 및 수직보넷돌출부(128)을 동시에 사용하는 것도 가능하다. According to the embodiment, it is also possible to use the horizontal bonnet protrusion 127 and the vertical bonnet protrusion 128 simultaneously.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

전술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 보넷(120)에 형성된 함몰부(122)에 의해 밸브샤프트(130)이 하강시에 블레이드(110)의 하부의 파티클 P 가 존재할 수 있 는 공간이 제공됨으로써, 밸브샤프트에 형성된 벨로우즈(135)의 파손위험이 감소된다. 벨로우즈(135)의 파손위험이 감소되기 때문에, 공정공간 s1 과 외부공간 s2 사이의 밀폐가 더욱 오래 유지되어 반도체소자 제조공정라인의 운용비용 및 유지보수비용이 매우 감소된다. As described above, according to the present invention, the depression 122 formed in the bonnet 120 provides a space in which the particle P of the lower portion of the blade 110 may exist when the valve shaft 130 descends. The risk of breakage of the bellows 135 formed in the valve shaft is reduced. Since the risk of breakage of the bellows 135 is reduced, the sealing between the process space s1 and the external space s2 is maintained for a longer time, thereby greatly reducing the operating and maintenance costs of the semiconductor device manufacturing process line.

또한 본 발명에 의하면, 밸브샤프트(130)는 하부샤프트(134)에만 벨로우즈가 형성되고 벨로우즈(134)가 형성된 위치 L2 는 밸브샤프트가 이동시에 상기 함몰부(122)의 저면보다 높게 돌출되지 않도록 결정됨으로써, 벨로우즈가 공정공간에 노출되지 않기 때문에 벨로우즈의 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, the valve shaft 130, the bellows is formed only in the lower shaft 134, the position L2 is formed with the bellows 134 is determined so that the valve shaft does not protrude higher than the bottom surface of the depression 122 when moving This further reduces the risk of bellows breakage since the bellows are not exposed to the process space.

또한 본 발명에 의하면, 더스트 씰(150)에 의해 벨로우즈는 더욱 파티클로부터 격리되기 때문에 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, since the bellows is further isolated from the particles by the dust seal 150, the risk of bellows breakage is further reduced.

또한 본 발명에 의하면, 더스트 씰(150)의 경사면 s 에 의해 파티클이 외부방향으로 유도되기 때문에, 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, since the particles are guided outward by the inclined surface s of the dust seal 150, the risk of bellows breakage is further reduced.

또한 본 발명에 의하면, 수평보넷돌출부(127) 및 수직보넷돌출부(128)에 의해 보넷의 상부면에 쌓인 파티클 P가 함몰부(122)로 침입할 가능성이 감소되어 벨로우즈 파손위험이 더욱 감소된다.In addition, according to the present invention, the possibility that the particles P accumulated on the upper surface of the bonnet by the horizontal bonnet protrusion 127 and the vertical bonnet protrusion 128 is invaded into the depression 122, further reducing the risk of bellows breakage.

Claims (5)

웨이퍼 이동 통로를 개폐하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브(100)에 있어서,In the rectangular gate valve 100 for a semiconductor device manufacturing process of opening and closing the wafer movement passage, 탄성있는 재료로 형성된 밀폐부재(112)를 이용하여 반도체소자 제조공정의 웨이퍼 이동통로를 밀폐하는 블레이드(110);A blade 110 for sealing a wafer movement path of a semiconductor device manufacturing process by using a sealing member 112 formed of an elastic material; 상기 블레이드의 하부에 위치하며 상기 제조공정의 공정라인의 방향으로 연장된 부재로서, 상기 블레이드측의 공정공간 s1 과 외부공간 s2 를 격리시키는 보넷(120,bonnet);A bonnet positioned below the blade and extending in the direction of the process line of the manufacturing process, the bonnet separating the process space s1 and the external space s2 on the blade side; 막대형상의 부재로서 상기 블레이드의 하단에서 상기 보넷을 관통하여 상기 보넷의 하부방향으로 연장된 밸브샤프트(130); 및 A valve shaft 130 extending through the bonnet at a lower end of the blade and extending downward in the bonnet; And 상기 보넷의 하부에 위치하며, 상기 밸브샤프트의 일측에 연결되어 상기 밸브샤프트를 상하방향으로 구동하는 밸브샤프트 구동부(140)를 포함하고,Located in the lower portion of the bonnet, connected to one side of the valve shaft includes a valve shaft drive unit 140 for driving the valve shaft in the vertical direction, 상기 보넷(120)은 상기 밸브샤프트(130)가 관통하는 위치의 주변에서 하부방향으로 함몰된 형상의 함몰부(122)를 포함하고,The bonnet 120 includes a depression 122 having a shape recessed downward in the vicinity of a position where the valve shaft 130 penetrates, 상기 밸브샤프트(130)는, 막대형상의 상부샤프트(132); 및 상기 상부샤프트의 하부에 위치하고, 막대형상의 부재의 외주면에 박판형상으로 돌출된 벨로우즈(135)가 형성된 하부샤프트(134)를 포함하고, The valve shaft 130, the rod-shaped upper shaft 132; And a lower shaft 134 disposed below the upper shaft and having a bellows 135 protruding in a thin plate shape on an outer circumferential surface of the rod-shaped member. 상기 하부샤프트와 상기 상부샤프트의 경계 지점은, 상기 밸브샤프트구동부에 의해 상기 밸브샤프트가 상하운동할 때, 상기 상부샤프트가 상기 함몰부의 저면의 상부에서만 상하이동하고 상기 하부샤프트는 상기 함몰부의 저면아래에서만 상하이동하도록 하는 위치로 결정된 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브.The boundary point between the lower shaft and the upper shaft, when the valve shaft is moved up and down by the valve shaft driving portion, the upper shaft is moved only at the top of the bottom of the depression and the lower shaft is below the bottom of the depression Square gate valve for a semiconductor device manufacturing process, characterized in that determined to be located only to move. 제 1 항에 있어서, 상기 상부샤프트(132)의 외주면을 감싸는 링 형상의 부재로서, 상기 함몰부의 저면의 상부에 장착되는 더스트 씰(150)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브.The method of claim 1, wherein the ring-shaped member surrounding the outer circumferential surface of the upper shaft 132, the semiconductor device manufacturing process characterized in that it further comprises a dust seal 150 mounted on the upper portion of the bottom of the depression Gate valve. 제 2 항에 있어서, 상기 더스트씰(150)은 단면형상이 상기 더스트 씰이 상기 상부샤프트를 접하는 면으로부터 외부방향으로 진행할수록 하향경사진 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브.3. The rectangular gate valve of claim 2, wherein the dust seal 150 is inclined downward as the cross-sectional shape moves outward from the surface in which the dust seal contacts the upper shaft. 제 2 항에 있어서, 상기 보넷(120)은 상기 함몰부(122)의 상부면에서 상기 밸브샤프트의 방향으로 수평방향으로 돌출된 수평보넷돌출부(127)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 사각형 게이트 밸브.The semiconductor manufacturing process of claim 2, wherein the bonnet 120 further includes a horizontal bonnet protrusion 127 protruding horizontally in the direction of the valve shaft from an upper surface of the recess 122. Square gate valve for 제 2 항에 있어서, 상기 보넷(120)은 상기 보넷(120)의 상부면에서 상기 함몰부(122)의 주변에서 수직방향으로 상부로 돌출된 수직보넷돌출부(128)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체소자 제조공정용 사각형 게이트 밸브.The bonnet 120 further comprises a vertical bonnet protrusion 128 protruding upwardly in a vertical direction from the periphery of the recess 122 on the upper surface of the bonnet 120. Rectangular gate valve for semiconductor device manufacturing process.
KR1020090025230A 2009-03-25 2009-03-25 Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process KR100925159B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025230A KR100925159B1 (en) 2009-03-25 2009-03-25 Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090025230A KR100925159B1 (en) 2009-03-25 2009-03-25 Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100925159B1 true KR100925159B1 (en) 2009-11-05

Family

ID=41561226

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090025230A KR100925159B1 (en) 2009-03-25 2009-03-25 Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100925159B1 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230936B1 (en) * 1992-04-16 1999-11-15 우에자키 도시히코 Vacuum gate valve
JPH11325265A (en) * 1998-05-14 1999-11-26 Eagle Ind Co Ltd Gate valve
KR100390030B1 (en) 1999-06-14 2003-07-04 에스엠씨 가부시키 가이샤 Gate Valve

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230936B1 (en) * 1992-04-16 1999-11-15 우에자키 도시히코 Vacuum gate valve
JPH11325265A (en) * 1998-05-14 1999-11-26 Eagle Ind Co Ltd Gate valve
KR100390030B1 (en) 1999-06-14 2003-07-04 에스엠씨 가부시키 가이샤 Gate Valve

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6612546B2 (en) Gate valve with delayed retraction of counter plate
JP6115627B2 (en) Gate valve
US20060101719A1 (en) Magnetic door sweep and magnetic threshold assembly
KR20150018794A (en) Diaphragm and Diaphragm Valve
KR100925159B1 (en) Rectangular Gate Valve for Semiconductor producing process
KR101069544B1 (en) Gate valve
US20070252103A1 (en) Diaphragm valve
CN102668022A (en) Door valve
CN105972249B (en) A kind of normally open solenoid valve
KR20220148661A (en) Gate valve for semiconductor and flat panel display apparatus
KR100724280B1 (en) Vacuum gate valve
KR20080109255A (en) Solenoid valve for vehicle
US11940058B2 (en) Solenoid valve
KR100574686B1 (en) Vacuum gate valve having anti-suck back function
KR101570477B1 (en) Vacuum Gate Valve
KR102548525B1 (en) Check valve for air compressor
US11920693B1 (en) U motion gate valve
KR101945222B1 (en) Anti-rotating type Pilot trim for control valve with Multi-guide
CN211259627U (en) Sealing ring, vacuum valve for semiconductor manufacturing and semiconductor equipment
KR20190115808A (en) Chamber sealing device
KR102460690B1 (en) Vacuum valve
KR102469302B1 (en) Reaction chamber and plasma device
KR101216604B1 (en) Gate Valve
KR200395230Y1 (en) Valve for Preventing Overflow and Adjusting Pressure
KR20060036689A (en) Gate valve of semiconductor process equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120830

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131022

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141024

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151016

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161019

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171023

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181010

Year of fee payment: 10