KR100924330B1 - Method for fabricating photomask - Google Patents

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Abstract

투과율조절층을 구비하는 보호막을 형성하여 포토마스크에 대한 직접적인 식각 또는 손상 없이도 빛의 투과율을 조절할 수 있는 포토마스크의 제조방법은, 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 포함하는 포토마스크를 마련하는 단계와, 기 포토마스크에 보호막을 배치하는 단계, 및 보호막의 소정 영역에, 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층을 형성하는 단계를 포함한다.A method of manufacturing a photomask in which a passivation layer including a transmittance control layer is formed to control light transmittance without direct etching or damage to a photomask may include preparing a photomask including a pattern to be transferred onto a wafer; Disposing a protective film on the photomask, and forming a transmittance control layer for controlling transmittance in a predetermined region of the protective film.

포토마스크, 보호막, 투과율 조절 Photo mask, protective film, transmittance control

Description

포토마스크의 제조방법{Method for fabricating photomask}Method for fabricating photomask

도 1은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 일반적인 포토마스크와 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 도시한 것이다.1 illustrates a general photomask used to form a pattern on a wafer and the intensity of light transmitted through the photomask.

도 2는 본 발명에 따른 투과율이 조절된 마스크와 이를 투과한 빛의 세기를 나타내 보인 도면이다.2 is a view showing a mask in which the transmittance is adjusted according to the present invention and the intensity of light transmitted thereto.

도 3 내지 도 6은 보호막에 투과율조절층을 형성하는 여러 가지 실시예들을 나타내 보인 도면들이다.3 to 6 are views showing various embodiments of forming a transmittance control layer on the protective film.

본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 포토마스크의 투과율을 선택적으로 조절할 수 있는 포토마스크 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a photomask that can selectively control the transmittance of the photomask.

웨이퍼 상에 원하는 소정의 패턴을 전사하기 위하여 포토마스크가 사용된다. 포토마스크는 통상 석영(Quarz)과 같은 투명기판으로 제조되는데, 경우에 따라서 포토마스크의 일부분의 빛의 투과율을 다르게 함으로써 웨이퍼 상에 보다 미세한 패턴을 형성할 수 있게 한다.A photomask is used to transfer the desired predetermined pattern onto the wafer. The photomask is usually made of a transparent substrate such as quartz, and in some cases, a finer pattern can be formed on the wafer by varying light transmittance of a part of the photomask.

도 1은 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 일반적인 포토마스크 와 포토마스크를 투과한 빛의 세기를 도시한 것이다.1 illustrates a general photomask used to form a pattern on a wafer and the intensity of light transmitted through the photomask.

포토마스크는 석영(Qz)과 같은 투명한 기판(10)과, 상기 투명기판(10)의 표면 상에 소정의 패턴을 형성하고 있는 크롬(Cr)막(20)이 배치되어 있다. 상기 포토마스크의 표면 상에는 패턴을 보호하기 위한 보호막(30) 또는 펠리클(pellicle)이 설치되어 있다. 상기 보호막(30)은 투명한 재료로 이루어져 있어 빛이 투과하도록 되어 있다.The photomask includes a transparent substrate 10 such as quartz (Qz) and a chromium (Cr) film 20 forming a predetermined pattern on the surface of the transparent substrate 10. On the surface of the photomask, a protective film 30 or a pellicle is provided to protect the pattern. The protective film 30 is made of a transparent material so that light is transmitted.

도시된 것과 같이, 상기 보호막(30)은 전체적으로 투명한 구조로 되어 있어, 포토마스크를 투과한 빛의 세기가 전체적으로 균일하다.As shown, the protective film 30 has an overall transparent structure, so that the intensity of light transmitted through the photomask is uniform throughout.

상기한 포토마스크는 경우에 따라서 보다 미세한 패턴을 형성하기 위하여 선택적으로 투과율이 조절될 수 있다. 이러한 포토마스크의 투과율을 선택적으로 조절하기 위하여 일반적으로, 포토마스크의 배면(back side)을 일정 두께 식각하거나, 포토마스크 기판의 내부에 인위적으로 손상을 주어 빛의 투과율을 조절하는 방법이 사용된다. 포토마스크 기판을 식각하거나 또는 손상을 주기 위하여, 마스크 노광 및 식각 방법이나 집속(focused) 레이저를 이용하는데, 이러한 방법을 사용할 경우 가공 후 기판 손상에 대한 수정이나 변경이 어렵고, 가공비용이 높은 단점이 있다.In some cases, the photomask may be selectively controlled to form a finer pattern. In order to selectively control the transmittance of the photomask, a method of controlling the transmittance of light by etching the back side of the photomask to a predetermined thickness or by artificially damaging the inside of the photomask substrate is used. In order to etch or damage the photomask substrate, a mask exposure and etching method or a focused laser is used, which is difficult to correct or change the substrate damage after processing and has a high processing cost. have.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 포토마스크에 대한 직접적인 식각 또는 손상 없이 포토마스크의 투과율을 선택적으로 조절할 수 있는 포토마스크의 제조방법을 제공하는 것이다.The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a method of manufacturing a photomask that can selectively control the transmittance of the photomask without direct etching or damage to the photomask.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 의한 포토마스크의 제조방법은, 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 포함하는 포토마스크를 마련하는 단계와, 기 포토마스크에 보호막을 배치하는 단계, 및 보호막의 소정 영역에, 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, a method of manufacturing a photomask according to the present invention includes providing a photomask including a pattern to be transferred onto a wafer, arranging a protective film on the photomask, and in a predetermined region of the protective film. , Forming a transmittance control layer for controlling transmittance.

상기 투과율조절층은, 상기 보호막의 소정 영역에 인위적으로 손상(damage)을 줌으로써 형성할 수 있다. 상기 보호막의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 보호막의 성분을 변화시켜 형성할 수 있다.The transmittance control layer may be formed by artificially damaging a predetermined area of the protective film. The predetermined area of the protective film may be irradiated with a laser to change the components of the protective film.

상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서, 상기 보호막의 소정 영역에 위상반전패턴을 형성하거나, 상기 보호막의 소정 영역에 수지를 흡착하여 투과율조절층을 형성하거나, 상기 보호막의 소정 영역에 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층을 형성할 수 있다.In the forming of the transmittance control layer, a phase inversion pattern may be formed in a predetermined region of the passivation layer, or a resin may be adsorbed in a predetermined region of the passivation layer to form a transmittance adjustment layer, or an oxide film or a nitride layer may be formed in a predetermined region of the passivation layer. Deposition may form a transmittance control layer.

상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명에 따른 포토마스크의 다른 제조방법은, 포토마스크의 패턴을 보호하기 위한 보호막을 마련하는 단계와, 보호막의 소정 영역에, 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층을 형성하는 단계, 및 보호막을, 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 포함하는 포토마스크에 설치하는 단계를 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a photomask, including providing a protective film for protecting a pattern of a photomask, and forming a transmittance control layer for controlling transmittance in a predetermined region of the protective film. And installing a protective film in a photomask including a pattern to be transferred onto a wafer.

상기 투과율조절층은, 상기 보호막의 소정 영역에 인위적으로 손상(damage)을 줌으로써 형성할 수 있다. 상기 보호막의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 보호막의 성분을 변화시켜 형성할 수 있다.The transmittance control layer may be formed by artificially damaging a predetermined area of the protective film. The predetermined area of the protective film may be irradiated with a laser to change the components of the protective film.

상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서, 상기 보호막의 소정 영역에 위상반전패턴을 형성하거나, 상기 보호막의 소정 영역에 수지를 흡착하여 투과율조절층을 형성하거나, 상기 보호막의 소정 영역에 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층을 형성할 수 있다.In the forming of the transmittance control layer, a phase inversion pattern may be formed in a predetermined region of the passivation layer, or a resin may be adsorbed in a predetermined region of the passivation layer to form a transmittance adjustment layer, or an oxide film or a nitride layer may be formed in a predetermined region of the passivation layer. Deposition may form a transmittance control layer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안된다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, embodiments of the present invention may be modified in many different forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below.

본 발명은 포토마스크에 부착 또는 설치되는 보호막의 투과율을 선택적으로 조절함으로써 포토마스크를 투과하는 빛의 투과율을 조절할 수 있도록 하는 방법을 제시한다.The present invention provides a method for controlling the transmittance of light passing through the photomask by selectively adjusting the transmittance of the protective film attached to or installed on the photomask.

도 2는 본 발명에 따른 투과율이 조절된 마스크와 이를 투과한 빛의 세기를 나타내 보인 도면이다.2 is a view showing a mask in which the transmittance is adjusted according to the present invention and the intensity of light transmitted thereto.

포토마스크는 석영(Qz)과 같은 투명 재료로 이루어진 기판(40)과, 상기 투명기판(40)의 표면 상에 소정의 패턴을 형성하고 있는 크롬(Cr)막(50)이 배치되어 있다. 상기 포토마스크의 표면 상에는 패턴을 보호하기 위한 보호막(60) 또는 펠리클(pellicle)이 설치되어 있다. 상기 보호막(60)은 투명한 재료로 이루어져 있어 빛이 투과하도록 되어 있으나, 빛의 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층(70)이 부분적으로 형성되어 있다.The photomask includes a substrate 40 made of a transparent material such as quartz (Qz), and a chromium (Cr) film 50 forming a predetermined pattern on the surface of the transparent substrate 40. On the surface of the photomask, a protective film 60 or a pellicle is provided to protect the pattern. The passivation layer 60 is made of a transparent material to transmit light, but the transmittance adjusting layer 70 for controlling the transmittance of light is partially formed.

도시된 것과 같이, 상기 보호막(60) 상에 형성된 투과율조절층(70)으로 인해 상기 포토마스크를 투과한 빛의 세기가 균일하지 않다. 즉, 투과율조절층(70)이 형성되지 않은 영역에서는 빛이 100％ 투과하지만, 투과율조절층(70)이 형성되어 있는 영역에서는 투과율이 조절되어 빛의 세기가 줄어들었음을 알 수 있다.As shown, the intensity of light transmitted through the photomask is not uniform due to the transmittance adjusting layer 70 formed on the passivation layer 60. That is, although 100% of light transmits in the region where the transmittance adjusting layer 70 is not formed, the transmittance is controlled in the region where the transmittance adjusting layer 70 is formed, thereby reducing the intensity of light.

이렇게 포토마스크에 부착되는 보호막의 투과율은 여러 가지 방법으로 변화시킬 수 있다. 그 다양한 실시예가 도 3 내지 도 6에 도시되어 있다. 도면 참조번호 "80"은 포토마스크에 부착되어 패턴을 보호하기 위한 보호막을 나타내고, "90"은 상기 보호막의 투과율을 조절하기 위하여 다양한 방법으로 형성되는 투과율조절층을 나타낸다.The transmittance of the protective film attached to the photomask can be changed in various ways. Various embodiments thereof are shown in FIGS. 3 to 6. Reference numeral 80 denotes a protective film attached to the photomask to protect the pattern, and reference numeral 90 denotes a transmittance control layer formed by various methods to adjust the transmittance of the protective film.

도 3을 참조하면, 포토마스크에 부착되는 보호막(80)의 소정 영역에 인위적으로 손상(damage)을 줌으로써 빛의 투과율을 변화시킬 수 있다. 보호막(80)에 손상을 일으키기 위하여 여러 가지 방법을 사용할 수 있다. 예컨대, 도시된 것과 같이, 투과율을 변경코자 하는 보호막(80)의 소정 영역에 레이저를 조사하여 보호막(80) 표면의 조성을 변화시켜 투과율조절층(90)을 형성할 수 있다. 이때 보호막(80)은 예컨대 석영(Qz)과 같은 투명재료로 형성할 수 있다.Referring to FIG. 3, light transmittance may be changed by artificially damaging a predetermined area of the protective film 80 attached to the photomask. Various methods may be used to damage the protective film 80. For example, as illustrated, the transmittance control layer 90 may be formed by changing a composition of the surface of the passivation layer 80 by irradiating a laser to a predetermined region of the passivation layer 80 to change the transmittance. In this case, the passivation layer 80 may be formed of a transparent material such as quartz (Qz).

도 4를 참조하면, 보호막(80) 위에 투과율 조절효과를 낼 수 있도록 패턴을 형성함으로써 빛의 투과율을 변화시킬 수 있다. 즉, 예컨대 석영(Qz)으로 이루어진 보호막(80) 위에, 인접패턴을 투과한 빛의 위상을 반전 또는 변화시킬 수 있도록 예컨대 홀(hole) 패턴을 형성하여 투과율조절층(90)을 형성할 수 있다. 상기 투과율조절패턴을 포함하는 보호막이 설치된 포토마스크를 사용하여 노광할 경우 상기 투과율조절패턴 사이의 빛의 간섭에 의해 빛의 손실이 발생하게 되므로 빛의 투과 율이 변화된다.Referring to FIG. 4, the light transmittance may be changed by forming a pattern on the passivation layer 80 so as to have a transmittance control effect. That is, on the passivation layer 80 made of, for example, quartz (Qz), the transmittance adjusting layer 90 may be formed by forming a hole pattern, for example, to invert or change the phase of light passing through the adjacent pattern. . When exposure is performed using a photomask provided with a passivation layer including the transmittance control pattern, light loss is caused by interference of light between the transmittance control patterns, thereby changing light transmittance.

도 5를 참조하면, 투과율을 조절할 수 있는 물질을 사용하여 보호막(80) 위에 투과율조절층(90)을 직접 형성함으로써 포토마스크를 투과한 빛의 투과율을 조절할 수 있다. 즉, 예컨대 보호막(80)의 표면상에, 수지를 흡착시키거나, 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층(90)을 형성한다. 상기 보호막(80)이 수지 성분일 경우에 플라즈마를 이용하여 F계통의 수지를 보호막(80)의 표면에 흡착시켜 투과율조절층(90)을 형성한다. 그리고, 보호막(80)이 석영(Qz)으로 이루어진 경우에 플라즈마를 이용하여 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층(90)을 형성한다.Referring to FIG. 5, the transmittance of light transmitted through the photomask may be controlled by directly forming the transmittance adjusting layer 90 on the passivation layer 80 using a material capable of adjusting transmittance. That is, for example, a resin is adsorbed on the surface of the protective film 80, or an oxide film or a nitride film is deposited to form the transmittance adjusting layer 90. When the protective film 80 is a resin component, the F system resin is adsorbed onto the surface of the protective film 80 by using plasma to form the transmittance control layer 90. When the protective film 80 is made of quartz (Qz), an oxide film or a nitride film is deposited using plasma to form the transmittance control layer 90.

도 6을 참조하면, 투과율을 조절할 영역의 보호막(80)을 일정 두께 식각함으로써 포토마스크를 투과한 빛의 투과율을 조절할 수 있다. 즉, 도시된 것과 같이 투과율을 조절하고자 하는 영역의 보호막(80)을 일정 두께 식각함으로써 투과율조절층(90)을 형성할 수 있다. 보호막(80)이 수지성분일 경우 오존 플라즈마를 사용하여 보호막을 식각할 수 있다.Referring to FIG. 6, the transmittance of light transmitted through the photomask may be adjusted by etching a thickness of the passivation layer 80 in a region where the transmittance is to be controlled. That is, as shown, the transmittance adjusting layer 90 may be formed by etching the protective film 80 in a region to which the transmittance is to be controlled to a predetermined thickness. When the protective film 80 is a resin component, the protective film may be etched using ozone plasma.

투과율조절층(90)을 형성하는 공정은 보호막(80)을 포토마스크에 부착하기 전에 실시할 수 있으며, 경우에 따라서는 포토마스크에 설치한 상태에서 진행할 수도 있다.The step of forming the transmittance control layer 90 may be performed before attaching the protective film 80 to the photomask, and in some cases, may be performed in a state of being installed in the photomask.

이상 보호막의 투과율을 조절하기 위한 여러 가지 방법이 제시되었지만 열거된 방법 외에도 여러 가지 방법 또는 재료들이 사용될 수 있다.Various methods for controlling the transmittance of the above protective film have been proposed, but various methods or materials may be used in addition to the methods listed.

상술한 본 발명에 따른 포토마스크의 제조방법에 의하면, 포토마스크에 형성된 패턴을 보호하기 위하여 설치되는 보호막 자체에 여러 가지 방법으로 투과율조절층을 형성할 수 있다. 따라서, 포토마스크에 대한 직접적인 식각 또는 손상없이 보다 미세한 패턴을 형성하기 위한 투과율조절층을 형성할 수 있다.According to the method of manufacturing the photomask according to the present invention, the transmittance control layer can be formed in various ways on the protective film itself provided to protect the pattern formed on the photomask. Therefore, it is possible to form a transmittance adjusting layer for forming a finer pattern without direct etching or damage to the photomask.

이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications may be made by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. Do.

Claims (12)

웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 포함하는 포토마스크를 마련하는 단계;Providing a photomask including a pattern to be transferred onto a wafer; 상기 포토마스크의 패턴 면 상부에 보호막을 배치하는 단계; 및Disposing a passivation layer on the pattern surface of the photomask; And 상기 보호막의 소정 영역에 빛의 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And forming a transmittance control layer for controlling light transmittance in a predetermined region of the passivation layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 인위적으로 손상(damage)을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And artificially forming damage to a predetermined area of the protective film. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 보호막의 성분을 변화시키는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And irradiating a laser to a predetermined region of the protective film to change a component of the protective film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 위상반전패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포 토마스크의 제조방법.A method of manufacturing a photomask, characterized in that to form a phase inversion pattern in a predetermined region of the protective film. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 수지를 흡착하여 투과율조절층을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.A method of manufacturing a photomask, comprising adsorbing a resin to a predetermined region of the protective film to form a transmittance control layer. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And depositing an oxide film or a nitride film in a predetermined region of the protective film to form a transmittance control layer. 포토마스크의 패턴을 보호하기 위한 보호막을 마련하는 단계;Providing a protective film for protecting the pattern of the photomask; 상기 보호막의 소정 영역에, 투과율을 조절하기 위한 투과율조절층을 형성하는 단계; 및Forming a transmittance control layer for controlling transmittance in a predetermined region of the protective film; And 상기 보호막을, 웨이퍼에 전사하고자 하는 패턴을 포함하는 포토마스크에 설치하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And installing the protective film on a photomask including a pattern to be transferred onto a wafer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 인위적으로 손상(damage)를 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.A method of manufacturing a photomask, characterized in that artificial damage is formed in a predetermined area of the protective film. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 레이저를 조사하여 상기 보호막의 성분을 변화시키는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And irradiating a laser to a predetermined region of the protective film to change a component of the protective film. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 위상반전패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And a phase inversion pattern is formed in a predetermined region of the passivation layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 수지를 흡착하여 투과율조절층을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.A method of manufacturing a photomask, comprising adsorbing a resin to a predetermined region of the protective film to form a transmittance control layer. 제7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 투과율조절층을 형성하는 단계에서,In the step of forming the transmittance control layer, 상기 보호막의 소정 영역에 산화막 또는 질화막을 증착하여 투과율조절층을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토마스크의 제조방법.And depositing an oxide film or a nitride film in a predetermined region of the passivation film to form a transmittance control layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US9874809B2 (en) 2015-09-04 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Pellicle for a reflective mask and reflective mask assembly including the same

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101729717B1 (en) 2010-08-31 2017-04-25 삼성디스플레이 주식회사 A mask for sealant hardening and the flat display device manufacturing method using the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050068786A (en) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Photo-mask protection method
KR20060007777A (en) * 2004-07-22 2006-01-26 삼성전자주식회사 Photo-mask and method of compensating transmissivity of photo-mask

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050068786A (en) * 2003-12-30 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 Photo-mask protection method
KR20060007777A (en) * 2004-07-22 2006-01-26 삼성전자주식회사 Photo-mask and method of compensating transmissivity of photo-mask

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9874809B2 (en) 2015-09-04 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Pellicle for a reflective mask and reflective mask assembly including the same

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