KR100922882B1 - Control circuit for termination - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 터미네이션 동작의 시작과 끝을 정하는 터미네이션 제어회로에 관한 것으로, 특히 터미네이션 제어회로의 오동작을 방지하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a termination control circuit that determines the start and end of the termination operation, and particularly to prevent the malfunction of the termination control circuit.
반도체 메모리장치(DRAM)의 용량/속도가 점점 증가하고 DDR SDRAM의 등장과 함께 메모리장치의 데이터 전송속도를 더욱 빠르게 제어하기 위해 여러 가지 새로운 개념이 추가되었다. 이 중에서 터미네이션(termination)단의 저항은 소자간의 신호전송을 원활히 하기 위해 필요하다.With the increase in capacity / speed of semiconductor memory devices (DRAM) and the advent of DDR SDRAM, several new concepts have been added to control the data transfer speed of memory devices faster. Among them, the termination resistance is necessary to facilitate signal transmission between the devices.
여기서 저항이 적절히 매칭되지 않을 경우 전송되는 신호가 반사되어 신호전송의 에러가 발생할 가능성이 크다. 그러나 외부에 고정저항을 인가하는 경우에는 직접회로의 노화나 온도변화 혹은 제조공정상의 차이로 인하여 적절히 매칭될 수 없다. 이에 따라, 최근에는 외부 기준 저항과 비교하여 저항값이 같아지도록 하기 위해 병렬 접속된 복수 트랜지스터 중 턴온되는 트랜지스터의 갯수를 조절함으로써 터미네이션단의 저항을 조정하는 기술이 제시되어 사용되고 있다.In this case, if the resistance is not properly matched, the transmitted signal is reflected and a signal transmission error is likely to occur. However, when a fixed resistance is applied to the outside, it cannot be properly matched due to aging of the integrated circuit, temperature change, or difference in manufacturing process. Accordingly, in recent years, a technique for adjusting the resistance of the termination stage has been proposed and used by adjusting the number of turned-on transistors among the plurality of transistors connected in parallel so that the resistance value is the same as compared with the external reference resistor.
터미네이션 제어회로란, 메모리장치의 외부에서 입력되는 터미네이션 명령에 응답하여, 입/출력 패드를 터미네이션시키는 터미네이션 동작의 온/오프를 제어하는 회로를 말한다. 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령은 외부의 클럭에 동기되어 입력되지만, 메모리장치는 내부 클럭에 동기해 동작한다. 따라서 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령은 내부의 명령으로 도메인 크로싱되어야 하는데 터미네이션 제어회로는 이러한 역할을 수행하는 회로를 말한다.The termination control circuit refers to a circuit that controls on / off of a termination operation for terminating an input / output pad in response to a termination command input from an outside of the memory device. The termination command input from the outside is input in synchronization with the external clock, but the memory device operates in synchronization with the internal clock. Therefore, the termination command input from the outside should be domain-crossed by the internal command, and the termination control circuit is a circuit that performs this role.
또한, JEDEC에서 정해진 스펙에 따라 DDR3 SDRAM 부터는 다이나믹 터미네이션(Dynamic ODT) 동작이 지원되어야 한다. 다이나믹 터미네이션 동작이란 모드 레지스터셋(MRS) 등을 다시 설정하지 않더라도, 라이트 명령이 입력되면 칩 내부의 터미네이션 저항의 저항값이 데이터 입력시에 필요한 저항값을 갖도록 설정해 주는 동작을 말한다.In addition, Dynamic Termination (Dynamic ODT) operation must be supported from DDR3 SDRAM according to the specifications set by JEDEC. Dynamic termination operation refers to an operation that sets the resistance value of the termination resistor inside the chip to have the resistance value required for data input even when the write command is input, even if the mode register set (MRS) is not set again.
반도체 메모리장치의 인터페이스는 데이터 입력시와 출력시의 터미네이션 방식 및 저항값이 다르다. 데이터 출력시에는 입/출력 패드(DQ pad)를 풀업으로 또는 풀다운으로 터미네이션해 '하이' 또는 '로우'데이터를 출력하고, 데이터 입력시에는 일정 저항값(데이터 출력시의 저항값과는 다름)으로 입/출력패드를 풀업 및 풀다운으로 터미네이션한 상태에서 데이터를 입력받게 된다. 다이나믹 터미네이션 동작을 지원하는 DDR3 메모리장치부터는 라이트 명령의 입력만으로 칩 내부의 온 다이 터미네이션 회로가 데이터 입력에 알맞은 동작을 하게 된다.The interface of the semiconductor memory device differs in the termination method and the resistance value at the time of data input and output. When outputting data, the DQ pad is pulled up or pulled down to output 'high' or 'low' data.When data is input, a constant resistance value (different from the resistance value at data output) With the input / output pads pulled up and pulled down, you can receive data. Starting with DDR3 memory devices that support dynamic termination operation, the on-die termination circuit inside the chip performs the proper operation for data input only by inputting a write command.
즉, 터미네이션 제어회로는 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령에 따라 터 미네이션 동작의 시작과 끝을 제어해주며, 외부로부터 입력되는 라이트 명령에 따라 다이나믹 터미네이션 동작의 시작과 끝을 제어해주고 있다.That is, the termination control circuit controls the start and end of the termination operation according to the termination command input from the outside, and controls the start and end of the dynamic termination operation according to the write command input from the outside.
도 1은 종래의 터미네이션 제어회로의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional termination control circuit.
터미네이션 제어회로는, 클럭분배부(101), 레플리카 지연부(102), 내부카운터(110), 외부카운터(120), 노멀제어부(130), 다이나믹 제어부(140)를 포함한다.The termination control circuit includes a
클럭분배부(101)는 지연고정루프(DLL: Delay Locked Loop)를 통해 공급되는 내부클럭(DLLCLK1)을 입력받으며, 리셋신호(RST)가 해제될 때까지 클럭(DLLCLK2)의 토글링(toggling)을 막는다. 그리고 리셋신호(RST)가 해제되면 토글링되는 내부클럭(DLLCLK2)을 출력한다. 즉, DLLCLK1과 DLLCLK2는 동일한 내부클럭이지만 DLLCLK2는 리셋신호(RST)의 해제시까지는 토글링하지 않으며 일정한 레벨을 유지한다는 점만이 상이하다. 리셋신호(RST)란 터미네이션 제어회로가 동작하지 않을 때는 인에이블되어 있다가 터미네이션 제어회로가 동작을 할 때 디스에이블되는 신호를 말한다. 예를 들어, 비동기(asynchronous) 모드에서는 터미네이션 제어회로가 동작할 필요가 없는데, 이때는 리셋신호(RST)가 인에이블되어 도메인 크로싱 회로가 동작을 멈추고 내부의 코드값(DLLCNT<2:0>, EXTCNT<2:0>) 등이 초기화 되도록 한다.The
레플리카 지연부(102)는 내부클럭(DLLCLK2)과 외부클럭(EXTCLK) 사이에 존재하는 시간 차이를 모델링(modeling)해 놓은 블록이며, 입력되는 내부클럭(DLLCLK2)에 외부클럭(EXTCLK)과의 시간차이를 반영해 외부클럭(EXTCLK)을 출력한다.The
내부카운터(110)는 리셋신호(RST)에 의해 초기화되어 있다가, 리셋신호(RST) 의 해제시점으로부터 내부클럭(DLLCKL2)을 카운트해 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 출력한다. 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 초기값은 카스 라이트 레이턴시(CWL: Cas Write Latency)에 따라 결정되는 초기값을 가진다. 카스 라이트 레이턴시(CWL)에 따라 외부명령의 인가시점으로부터 내부 터미네이션 동작의 개시 시점이 변하기 때문이다. 카스 라이트 레이턴시(CWL)는 그 값 자체가 동작 주파수에 따라 제한된 값을 갖도록 스펙에 규정되어 있으므로, 카스 라이트 레이턴시(CWL)에 따라 초기값이 결정된다는 것은 동작 주파수에 따라 초기값이 결정된다는 것과 동일한 의미를 가진다.The
외부카운터(120) 리셋신호(RST)에 의해 초기화되어 있다가, 리셋신호(RST)의 해제시점으로부터 외부클럭(EXTCLK)을 카운트해 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 출력한다. 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 초기값은 0으로 설정된다.The
노멀 제어부(130)는, 외부 메모리 컨트롤러(Memory Controller)로부터의 명령(ODT_startp, ODT_endp, 외부 커맨드에 의해 생성되는 신호들임)에 응답하여 노멀(normal) 터미네이션 명령(ODTEN)을 생성한다. 메모리장치는 내부명령인 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)에 응답하여 터미네이션 동작의 개시시점 및 종료시점을 정하게 된다.The
다이나믹 제어부(140)는, 라이트 명령(WT_startp, 라이트 명령에 의해 생성되는 신호로 자세한 사항은 후술)에 응답하여 내부명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)을 생성한다. 메모리장치는 내부명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 인에이블되면 이에 응답하여 다이나믹 터미네이션 동작을 개시하며, 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 디스에이블되면 이에 응답하 여 다이나믹 터미네이션 동작을 멈춘다.The
도 2는 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for describing an operation of the
리셋신호(RST)의 해제 전에 내부카운터(110)는 동작하지 아니하며, 내부코드(DLLCNT<0:2>)는 5의 초기값(상술한 바와 같이, CWL에 따라 결정됨)을 갖는다. 마찬가지로 리셋신호(RST)의 해제 전에 외부카운터(120)도 동작하지 아니하며, 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 0의 초기값을 갖는다. 리셋신호(RST)가 해제되면 내부카운터(110)와 외부카운터(120)가 인에이블되며, 내부클럭(DLLCLK2)도 토글링하기 시작한다. 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)을 지연시켜 생성하기 때문에 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)보다 늦게 토글링된다. 따라서 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 먼저 카운팅되기 시작하고, 레플리카 지연부(102)의 지연값 만큼의 시간이 지난 후에 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되기 시작한다.The
내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되던 중 외부에서 라이트 명령이 입력되면 이에 응답하여 WT_STARTP 펄스신호가 인에이블 된다. 그리고 WT_STARTP 펄스신호의 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 저장된다(도면의 경우 1이 저장). 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1)의 값과 같아질 때 DYNAMIC_ON 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 내부 명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)을 인에이블시킨다. 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 인에이블되면 메모리장치의 다이나믹 터미네이션 동작이 시작된다.When the write command is input while the internal code DLLCNT <2: 0> and the external code EXTCNT <2: 0> are counted, the WT_STARTP pulse signal is enabled in response. The external code EXTCNT <2: 0> at the time of enabling the WT_STARTP pulse signal is stored (1 is stored in the drawing). When the internal code (DLLCNT <2: 0>) is equal to the value of the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 1), the DYNAMIC_ON signal is enabled as 'low', which is the internal command dynamic termination. Enable the command (DYNAMIC ODTEN). When the dynamic termination command DYNAMIC ODTEN is enabled, the dynamic termination operation of the memory device starts.
이제 다이나믹 터미네이션 명령의 디스에이블에 대해 설명한다. 라이트 명령에 응답하여 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1의 값)에는 버스트 길이(BL: Burst Length)에 따라 일정 값이 더해진다. 버스트 길이(BL)가 8일 경우 8개의 데이터가 클럭의 라이징/폴링으로 입력되므로 데이터가 입력되기 위해서 4클럭이 필요하며 앞뒤로 타이밍 마진을 고려하여 총 6클럭이 요구된다.(스펙으로 규정됨) 또한, 버스트길이(BL)가 4인 경우에는 데이터 입력을 위한 2클럭과 앞뒤의 마진 2클럭을 더해서 총 4클럭이 요구된다.(스펙으로 규정됨)Now we'll discuss disabling the dynamic termination command. The external code stored in response to the write command (EXTCNT <2: 0>, value of 1) is added with a predetermined value according to the burst length (BL). When the burst length BL is 8, 8 data are inputted to the rising / falling of the clock, so 4 clocks are required to input data and 6 clocks are required in consideration of timing margins. In addition, when the burst length BL is 4, a total of 4 clocks is required by adding 2 clocks for data input and 2 clocks at the front and rear.
따라서 버스트길이(BL)가 8일 경우에는 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1의 값)에 6이 더해지고(도면은 BL=8을 예시하고 있으며, 따라서 1+6=7의 값을 가지게 된다), 버스트길이가 4일 경우에는 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>)에 4가 더해진다.(즉, (BL/2)+2 만큼의 값이 더해짐) 그리고 일정 값이 더해진 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 값(7)과 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 비교되고 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 일정 값이 더해진 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 값(7)과 같아질 때 DYNAMIC_OFF 신호가 '로우'로 인에이블 되어 DYNAMIC ODTEN 명령를 디스에이블 하게 된다. 이에 따라 다이나믹 터미네이션 동작이 종료된다.Therefore, when the burst length BL is 8, 6 is added to the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 1 value) (the figure illustrates BL = 8, thus 1 + 6 = 7 value). If the burst length is 4, 4 is added to the stored external code (EXTCNT <2: 0>) (i.e., (BL / 2) +2 is added) and a certain value is added. The value of the external code (EXTCNT <2: 0>) (7) and the value of the internal code (DLLCNT <2: 0>) are compared and the value of the internal code (DLLCNT <2: 0>) is added to a certain value When the value (7) of (EXTCNT <2: 0>) is equal to (7), the DYNAMIC_OFF signal is enabled low, which disables the DYNAMIC ODTEN instruction. As a result, the dynamic termination operation is terminated.
이러한 방식으로 다이나믹 제어부(140)는 라이트 명령 입력시 일정시간 후에 다이나믹 터미네이션 동작을 인에이블 시키고, 데이터 입력에 필요한 시간과 일정한 마진을 확보한 후 다이나믹 터미네이션 동작을 디스에이블 시킨다.In this manner, the
도 3은 도 2의 WT_STARTP 펄스신호에 대한 이해를 돕기 위한 도면이다.FIG. 3 is a diagram to help understand the WT_STARTP pulse signal of FIG. 2.
WT_STARTP 펄스신호는 기본적으로 라이트 명령에 응답하여 인에이블 되는 신호이다. 도면에 도시된 바와 같이, 라이트 명령에 해당하는 외부 카스 명령(CAS: Column Address Strobe)이 입력되고, 애디티브 레이턴시(AL, Addictive Latency)가 반영된 약간의 시간 뒤에 인에이블 된다.The WT_STARTP pulse signal is basically enabled in response to a write command. As shown in the figure, an external casing command (CAS) corresponding to a write command is input and enabled after some time in which an additive latency (AL) is reflected.
상세하게 라이트 명령에 해당하는 외부 카스 명령(CAS)이 입력되면, 커맨드 입력 버퍼에서 이를 클럭(CLK)에 동기하여 입력받고, 이후 내부 회로에 의해 일정한 지연을 거친 후 WT_STARTP 펄스신호가 인에이블 된다. 즉, WT_STARTP 펄스신호는 외부에서 라이트 명령이 입력되고, 이 명령이 약간 지연되어 생성되는 신호로 볼 수 있다. 참고로 WT_STARTP 펄스신호의 펄스 폭은 마진 등에 따라 알맞게 설정하면 된다.In detail, when the external cas command CAS corresponding to the write command is input, the WC_STARTP pulse signal is enabled after a predetermined delay is received by the internal input circuit in synchronization with the clock CLK. That is, the WT_STARTP pulse signal can be regarded as a signal generated by a write command inputted from the outside and delayed slightly. For reference, the pulse width of the WT_STARTP pulse signal may be appropriately set depending on the margin.
도 4는 도 1의 노멀제어부(130)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation of the
리셋신호(RST)의 해제 전에 내부카운터(110)는 동작하지 아니하며, 내부코드(DLLCNT<0:2>)는 5의 초기값(상술한 바와 같이, CWL에 따라 결정됨)을 갖는다. 마찬가지로 리셋신호(RST)의 해제 전에 외부카운터(120)도 동작하지 아니하며, 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 0의 초기값을 갖는다. 리셋신호(RST)가 해제되면 내부카운터(110)와 외부카운터(120)가 인에이블되며, 내부클럭(DLLCLK2)도 토글링하기 시작한다. 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)을 지연시켜 생성하기 때문에 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)보다 늦게 토글링된다. 따라서 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 먼저 카운팅되기 시작하고, 레플리카 지연부(102)의 지연값 만 큼의 시간이 지난 후에 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되기 시작한다.The
그러던 중 외부 메모리 컨트롤러의 명령에 의해 생성되는 ODT_STARTP신호가 인에이블 된다. 그리고 ODT_STARTP 펄스신호의 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 저장된다.(도면의 경우 1이 저장) 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1)의 값과 같아질 때 ODT_DLL_STARTBP 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 노멀 터미네이션 동작(다이나믹 터미네이션 동작이 아닌 기존의 동작을 의미한다)을 제어하는 신호인 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)을 인에이블시켜 노멀 터미네이션 동작이 시작되게 한다.Meanwhile, the ODT_STARTP signal generated by the command of the external memory controller is enabled. The external code (EXTCNT <2: 0>) at the time of enabling the ODT_STARTP pulse signal is stored (1 in the drawing) and the external code (EXTCNT <2) in which the internal code (DLLCNT <2: 0>) is stored. When it is equal to the value of: 0>, 1), the ODT_DLL_STARTBP signal is enabled as 'low', and this signal is the normal termination command which controls the normal termination operation (meaning the existing operation rather than the dynamic termination operation). Enable (ODTEN) to start the normal termination operation.
노멀 터미네이션 명령(ODTEN)의 디스에이블도 인에이블과 동일한 방식으로 된다. 외부 컨트롤러의 명령에 의해 생성되는 ODT_ENDP 신호에 의해, 그 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하고(도면의 경우 6이 저장), 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 6)의 값과 동일해지면, ODT_DLL_ENDBP 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)을 디스에이블시켜 노멀 터미네이션 동작이 종료되게 한다.The disable of the normal termination command ODTEN is the same as the enable. By using the ODT_ENDP signal generated by the command of the external controller, the external code (EXTCNT <2: 0>) at the time of enabling is stored (6 in the drawing), and the internal code (DLLCNT <2: 0>). If the value of is equal to the value of the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 6), the ODT_DLL_ENDBP signal is enabled as 'low', and this signal disables the normal termination command (ODTEN) to enable normal termination. Let it end.
즉, 노멀 터미네이션 동작의 시작과 끝은 모두 근본적으로 외부 메모리컨트롤러에 의해 제어된다.In other words, both the start and end of the normal termination operation are essentially controlled by an external memory controller.
도 5는 도 4의 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호의 이해를 돕기 위한 도면이다.FIG. 5 is a diagram for better understanding of the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal of FIG. 4.
ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호는 기본적으로 외부 메모리컨트롤러(Memory controller, 외부 chipset이라고도 함)로부터의 입력에 의해 생성된다. 외부 ODT 명령은 셋업 홀드 조건 등을 만족할 수 있도록 외부 메모리컨트롤러로부터 넣어주는 신호이며, 이는 클럭에 동기된 후 애디티브(additive) 레이턴시가 반영되어 일정시간 지연된 ODT_COM 신호를 생성한다. 그리고 ODT_COM 신호의 인에이블 시점과 디스에이블 시점에 펄스 형태의 신호인 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호가 각각 인에이블 된다.The ODT_STARTP and ODT_ENDP signals are basically generated by input from an external memory controller (also called an external chipset). An external ODT instruction is a signal input from an external memory controller to satisfy a setup hold condition. The ODT command generates an ODT_COM signal which is delayed for a predetermined time by adding an additive latency after synchronizing with a clock. At the time of enabling and disabling the ODT_COM signal, the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal, which are pulse signals, are enabled.
도 6은 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 구성도이다.6 is a configuration diagram of the
다이나믹 제어부(140)는, 저장부(610), 제1비교부(620), 덧셈부(630), 제2비교부(640), 제어부(650)를 포함하며, 제1비교부(620)와 제2비교부(640)의 온/오프를 제어하기 위한 제1비교 제어부(621), 제2비교 제어부(641), 지연부(642)를 포함한다.The
저장부(610)는 라이트 명령(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장한다. 즉, 도 2에서 라이트 명령(WT_STARTP)이 인에이블 되었을 때 외부코드(EXTCNT<2:0>) '1'의 값을 저장하는 역할을 저장부가 담당한다. 이러한 저장부(610)는 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하는 D플립플롭들로 구성될 수 있다. 도면에는 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 3비트(bit)로 구성된 경우를 예시하고 있으므로, 이러한 경우 3개의 D플립플롭으로 구성되면 된다.The
제1비교부(620)는, 저장부(610)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 생성한다. 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 동일해지는 시점에 활성화신호(DYNAMIC_ON)는 활성화된다. 즉, 제1비교부(620)는 다이나믹 터미네이션 동작의 시작을 제어하는데, 이러한 동작에 대해서는 도 2에서 자세히 설명하였으므로, 여기서는 더 이상의 상세한 설명을 생략하기로 한다.The
제1비교 제어부(621)는 제1비교부(620)의 온/오프를 제어하는데, 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 응답하여 제1비교부(620)를 활성화시키고, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제1비교부(620)를 비활성화시킨다. 즉, 제1비교부(620)의 인에이블 신호인 COMPEN1은 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 의해 활성화되고, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 비활성화된다. 제1비교 제어부(621)는 SR래치 등으로 구성될 수 있다.The
덧샘부(630)는 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값에 버스트 길이(BL)에 따라 소정 값을 더한다. 앞서 설명한 바와 같이, 덧셈부(630)는 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)에 (BL/2)+2 만큼의 값을 더한다.The
제2비교부(640)는, 덧셈부(630)로부터 출력되는 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 생성한다. 덧셈된 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 동일해지는 시점에 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)는 활성화된다. 즉, 제2비교부(640)는 다이나믹 터미네이션 동작의 종료를 제어하는데, 이러한 동작에 대해서는 도 2에서 자세히 설명하였으므로, 여기서는 더 이상의 상세한 설명을 생략하기로 한다.The
제2비교 제어부(641)는 제2비교부(640)의 온/오프를 제어하는데, 지연부(642)에 의해 지연된 라이트 커맨드(WT_STARTPD)에 응답하여 제2비교부(640)를 활성화시키고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 제2비교부(640)를 비활성화시킨다. 즉, 제2비교부(640)의 인에이블 신호인 COMPEN2는 지연된 라이트 커맨드(WT_STARTPD)에 의해 활성화되고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 의해 비활성화된다. 제2비교 제어부(641)는 SR래치 등으로 간단히 구성될 수 있다.The
제어부(650)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 DYNAMIC ODTEN 신호를 활성화시키며, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 DYNAMIC ODTEN 신호를 비활성화시킨다. DYNAMIC ODTEN 신호는 활성화되어 있는 동안 메모리장치가 다이나믹 터미네이션 동작을 하도록 하는 신호이다.The
제2비교 제어부(641)는 지연부(642)에 의해 지연된 라이트 커맨드에 의해 활성화되어 동작을 시작한다. 즉, 제2비교부(640)와 제1비교부(620)는 지연부(642)의 지연값만큼 동작을 시작하는 시점이 차이난다. 지연부(642)의 지연값은 전원전압(VDD)의 변동에 따라 달라진다. 전원전압(VDD)의 레벨이 올라가면 지연부(642)의 지연값이 작아지고, 전원전(VDD)압의 레벨이 낮아지면 지연부(642)의 지연값이 커진다. 이러한 지연부(642)의 지연값 변동에 따라 제2비교부(640)가 오동작을 하는 경우가 생기는데 이하 이에 대해 알아보기로 한다.The
도 7은 전원전압(VDD) 등의 변동으로 지연부(642)의 지연값이 작아져 터미네이션 제어회로의 오동작이 발생하는 경우를 도시한 도면이다. BL=8인 경우를 예시하였다.FIG. 7 is a diagram illustrating a case where a malfunction of the termination control circuit occurs due to a decrease in the delay value of the
라이트 명령(WT_STARTP)의 활성화와 함께, 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 코드값 '2'가 저장부(610)에 저장된다. 또한, 제1비교부(620)가 라이트 명령(WT_STARTP)에 의해 활성화된다. 지연부(642)의 지연값이 작아지는 경우 제2비교부(640)가 제1비교부(620)의 동작 개시 이후 바로 활성화된다. 덧셈부(630)는 저장부(610)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>, '2')에 '6'를 더한다. 그리고 제2비교부(640)는 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 코드값이 '0'(=2+6)이 되는 순간 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 '로우'로 활성화시킨다. 아직, DYNAMIC ODTEN 신호는 '하이'로 활성화되지도 않았는데 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)가 미리 '로우'로 활성화되는 것이다. 그리고 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)의 활성화에 의해 제2비교부(640)는 동작을 정지한다.With the activation of the write command WT_STARTP, the code value '2' of the external code EXTCNT <2: 0> is stored in the
이후에 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 코드값이 '2'에 도달하면 제1비교부(620)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 '로우'로 활성화시킨다. 따라서 DYNAMIC ODTEN 신호는 '하이'로 활성화된다. 그러나 이미 제2비교부(640)는 동작을 멈추었기 때문에, DYNAMIC ODTEN 신호는 계속 '하이'상태를 유지하게 된다. 즉, 다이나믹 터미네이션 동작이 시작되기만 하고 종료되지는 못하는 것이다.Thereafter, when the code value of the internal code DLLCNT <2: 0> reaches '2', the
정리하면, 지연부(642)의 지연값이 작아져서 제2비교부(640)가 너무 빨리 활성화된 결과, 다이나믹 터미네이션 동작이 시작되기만 하고, 종료되지는 않는 오동작이 발생한다.In summary, as a result of the delay value of the
상기한 예시에서는 지연부(642)의 지연값이 작아져서 터미네이션 제어회로에 오동작이 발생하는 것을 설명하였지만, 지연부(642)의 지연값이 커지더라도 동일한 문제가 발생한다. 최소 tCCD 간격으로 라이트 명령(WT_STARTP)이 인가되는 경우 저장부(630)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값이 계속 바뀌는데, 이러한 경우 지연부(642)의 지연값이 크다면 제2비교부(640)의 동작 계시시점이 늦어져서 다이나믹 터미네이션 동작의 종료도 늦어지는 문제가 발생할 수 있다.In the above-described example, the delay value of the
즉, 종래와 같은 구성에서는 지연부(642)의 지연값이 커지던 작아지던 다이나믹 터미네이션 동작에 오동작(fail)이 발생한다는 문제점이 있다. That is, in the conventional configuration, there is a problem in that a malfunction occurs in the dynamic termination operation, in which the delay value of the
본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 터미네이션 제어회로의 오동작을 방지하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to prevent a malfunction of the termination control circuit.
본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 라이트 명령에 응답하여 외부코드를 저장하는 저장부; 상기 저장된 외부코드의 값과 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호를 생성하는 제1비교부; 상기 저장된 외부코드의 값에 버스트 길이에 따라 소정 값을 더하는 덧셈부; 및 상기 활성화신호에 의해 활성화되어 상기 덧셈부에 의해 더해진 상기 외부코드의 값과 상기 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호를 생성하는 제2비교부를 포함한다.The termination control circuit according to the present invention includes a storage unit for storing an external code in response to a write command; A first comparison unit configured to generate an activation signal of a dynamic termination operation by comparing the stored external code value with an internal code; An adder for adding a predetermined value to a value of the stored external code according to a burst length; And a second comparator configured to generate a deactivation signal of a dynamic termination operation by comparing the internal code with the value of the external code activated by the activation signal and added by the adder.
상기 제2비교부는, 상기 비활성화 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 할 수 있다.The second comparator may be deactivated in response to the deactivation signal.
상기 제1비교부는, 상기 라이트 명령에 응답하여 활성화되고, 상기 활성화신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 할 수 있다.The first comparator may be activated in response to the write command and inactivated in response to the activation signal.
본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 다이나믹 동작을 종료시키는 역할을 하는 제2비교부가 활성화신호에 응답하여 동작을 개시한다. 따라서 전원전압이 변 동된다던지 하는 주변 상황이 바뀌더라도 오동작 없이 다이나믹 터미네이션 동작의 종료를 안정적으로 제어할 수 있다는 장점이 있다.In the termination control circuit according to the present invention, the second comparator, which serves to terminate the dynamic operation, starts operation in response to the activation signal. Therefore, there is an advantage that it is possible to stably control the termination of the dynamic termination operation without malfunction even if the surrounding conditions such as the power supply voltage is changed.
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.
도 8은 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로의 구성도이다.8 is a configuration diagram of a termination control circuit according to the present invention.
본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 라이트 명령(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하는 저장부(810); 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 생성하는 제1비교부(820); 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값에 버스트 길이(BL)에 따라 소정 값을 더하는 덧셈부(830); 및 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 활성화되어 덧셈부(830)에 의해 더해진 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 생성하는 제2비교부(840)를 포함한다. 그리고 활성화신호(DYNAMIC_ON)와 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 다이나믹 터미네이션 동작 동안 인에이블되는 신호를 생성하는 제어부(850)를 포함한다.The termination control circuit according to the present invention includes a
본 발명은 다이나믹 터미네이션 동작의 오동작을 막기 위함에 그 목적이 있 으므로, 본 발명과 관련없는 노멀 터미네이션 동작의 제어를 위한 부분은 도면에 그 도시를 생략하였다. 또한, 내부클럭(DLLCLK)과 외부클럭(EXTCLK)간의 스큐(skew)를 반영하는 내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 종래와 동일하게 생성될 수 있으므로, 도면에는 이와 관련된 구성의 도시를 생략하였다.Since the present invention aims to prevent a malfunction of the dynamic termination operation, a portion for controlling the normal termination operation not related to the present invention is omitted in the drawings. Also, the inner code DLLCNT <2: 0> and the outer code EXTCNT <2: 0> reflecting a skew between the inner clock DLLCLK and the outer clock EXTCLK may be generated in the same manner as in the prior art. Therefore, in the drawings, illustration of the configuration related thereto is omitted.
종래기술에서는 제2비교부(840)의 활성화시점을 지연부(도 6의 642)를 통해 결정함으로써, 다이나믹 터미네이션 동작에 오동작이 발생하는 문제점이 있었다. 따라서 본 발명에서는 제2비교부(840)의 활성화시점을 종래와는 다르게 제어한다.In the prior art, by determining the activation time of the
제2비교부(840)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 활성화된다. 활성화신호(DYNAMIC_ON)는 다이나믹 터미네이션 동작을 시작하도록 하는 신호이다. 그리고 제2비교부(840)는 이미 시작된 터미네이션 동작을 종료시키기 위해 존재한다. 따라서 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 동작을 시작하도록 구성한다면, 제2비교부(840)는 항상 터미네이션 동작이 시작된 이후에만 동작을 하게 되므로, 종래처럼 제2비교부(840)가 터미네이션 동작을 종료시키지 못하는 문제점은 발생하지 않는다.The
또한, 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 동작을 개시하기 때문에 제2비교부(840)가 뒤늦게 활성화되는 문제점도 발생하지 않는다. 어차피 제2비교부(840)는 이미 시작된 터미네이션 동작을 종래시키기 위해 존재하는 것이고, 터미네이션 동작이 시작되지마자 제2비교부(840)가 동작을 개시하기 때문에, 종래와 같이 제2비교부(840)가 터미네이션 동작을 뒤늦게 종료시키는 문제점 또한 발생하지 않는다.In addition, since the
제2비교 제어부(841)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제2비교부(840)의 인에이블 신호인 CMPEN2 신호를 활성화시키고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 제2비교부의 CMPEN2 신호를 비활성화시킨다.The
그 밖의 다른 부분의 구성 및 동작들은 배경기술 부분에서 설명한 종래의 터미네이션 제어회로와 동일하므로, 여기서는 더 이상의 설명을 생략하기로 한다.Since the configuration and operation of the other parts are the same as the conventional termination control circuit described in the background section, further description thereof will be omitted.
도 9는 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로에 의해 다이나믹 터미네이션 동작이 제어되는 것을 도시한 도면이다. 도 9에는 내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 도 7과 동일한 스큐를 갖는 경우를 도시하였다.9 is a diagram illustrating that the dynamic termination operation is controlled by the termination control circuit according to the present invention. FIG. 9 illustrates a case where the inner code DLLCNT <2: 0> and the outer code EXTCNT <2: 0> have the same skew as in FIG. 7.
라이트 명령(WT_STARTP)의 활성화와 함께, 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 코드값 '2'가 저장부(810)에 저장된다. 또한, 제1비교부(820)가 라이트 명령(WT_STARTP)에 의해 활성화된다. 덧셈부(830)는 저장부(810)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)에 '6'을 더한다. 그리고 제1비교부(820)는 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 '2'가 되는 순간 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 '로우'로 활성화시킨다. 이에 따라 DYNAMIC ODTEN 신호가 활성화되어 다이나믹 터미네이션 동작이 시작된다.With the activation of the write command WT_STARTP, the code value '2' of the 'subcode EXTCNT <2: 0>' is stored in the
또한, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제2비교부(840)가 활성화된다. 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)값이 '0'(=2+6)이 되는 순간 제2비교부(840)는 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 '로우'로 활성화시킨다. 따라서 DYNAMIC ODTEN 신호가 비활성화되고 다이나믹 터미네이션 동작이 종료된다.In addition, the
본 발명에서는 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 동작을 시 작하도록 설계하였기 때문에, 전원전압(VDD) 등의 변동과 상관없이 다이나믹 터미네이션 동작의 종료가 안정적으로 이루어질 수 있다.In the present invention, since the
본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
도 1은 종래의 터미네이션 제어회로의 구성도.1 is a block diagram of a conventional termination control circuit.
도 2는 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 동작을 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining the operation of the
도 3은 도 2의 WT_STARTP 펄스신호에 대한 이해를 돕기 위한 도면.3 is a view to help understand the WT_STARTP pulse signal of FIG.
도 4는 도 1의 노멀제어부(130)의 동작을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining the operation of the
도 5는 도 4의 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호의 이해를 돕기 위한 도면.FIG. 5 is a diagram for better understanding of the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal of FIG. 4. FIG.
도 6은 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 구성도.6 is a configuration diagram of the
도 7은 전원전압(VDD) 등의 변동으로 지연부(642)의 지연값이 작아져 터미네이션 제어회로의 오동작이 발생하는 경우를 도시한 도면.FIG. 7 is a diagram illustrating a case where a malfunction of the termination control circuit occurs due to a decrease in the delay value of the
도 8은 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로의 구성도.8 is a block diagram of a termination control circuit according to the present invention.
도 9는 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로에 의해 다이나믹 터미네이션 동작이 제어되는 것을 도시한 도면.9 is a diagram illustrating a dynamic termination operation controlled by a termination control circuit according to the present invention.
Claims (7)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020080088291A KR100922882B1 (en) | 2008-09-08 | 2008-09-08 | Control circuit for termination |
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KR1020080088291A KR100922882B1 (en) | 2008-09-08 | 2008-09-08 | Control circuit for termination |
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KR1020080088291A KR100922882B1 (en) | 2008-09-08 | 2008-09-08 | Control circuit for termination |
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Citations (2)
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KR20070081881A (en) * | 2006-02-14 | 2007-08-20 | 삼성전자주식회사 | Method and apparatus of dynamic on die termination circuit for semiconductor memory device |
KR100863536B1 (en) | 2007-11-02 | 2008-10-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | Circuit and method for controlling on die termination |
-
2008
- 2008-09-08 KR KR1020080088291A patent/KR100922882B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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