KR100922882B1 - Control circuit for termination - Google Patents

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KR100922882B1
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정종호
장지은
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주식회사 하이닉스반도체
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Abstract

PURPOSE: A termination control circuit is provided to stably control a dynamic termination operation although a peripheral situation is changed. CONSTITUTION: A termination control circuit includes a storing part(810), a first comparing part(820), an adding part(830), and a second comparing part(840). The storing part stores an external code in response to a write command. The first comparing part compares a value of the external code with an internal code, and generates an activation signal of a dynamic termination operation. The adding part adds a fixed value to the value of the external code according to a burst length. The second comparing part compares the value of the external code added by the adding part with the internal code, and generates a deactivation signal of the dynamic termination operation.

Description

터미네이션 제어회로{CONTROL CIRCUIT FOR TERMINATION}Termination Control Circuit {CONTROL CIRCUIT FOR TERMINATION}

본 발명은 터미네이션 동작의 시작과 끝을 정하는 터미네이션 제어회로에 관한 것으로, 특히 터미네이션 제어회로의 오동작을 방지하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention relates to a termination control circuit that determines the start and end of the termination operation, and particularly to prevent the malfunction of the termination control circuit.

반도체 메모리장치(DRAM)의 용량/속도가 점점 증가하고 DDR SDRAM의 등장과 함께 메모리장치의 데이터 전송속도를 더욱 빠르게 제어하기 위해 여러 가지 새로운 개념이 추가되었다. 이 중에서 터미네이션(termination)단의 저항은 소자간의 신호전송을 원활히 하기 위해 필요하다.With the increase in capacity / speed of semiconductor memory devices (DRAM) and the advent of DDR SDRAM, several new concepts have been added to control the data transfer speed of memory devices faster. Among them, the termination resistance is necessary to facilitate signal transmission between the devices.

여기서 저항이 적절히 매칭되지 않을 경우 전송되는 신호가 반사되어 신호전송의 에러가 발생할 가능성이 크다. 그러나 외부에 고정저항을 인가하는 경우에는 직접회로의 노화나 온도변화 혹은 제조공정상의 차이로 인하여 적절히 매칭될 수 없다. 이에 따라, 최근에는 외부 기준 저항과 비교하여 저항값이 같아지도록 하기 위해 병렬 접속된 복수 트랜지스터 중 턴온되는 트랜지스터의 갯수를 조절함으로써 터미네이션단의 저항을 조정하는 기술이 제시되어 사용되고 있다.In this case, if the resistance is not properly matched, the transmitted signal is reflected and a signal transmission error is likely to occur. However, when a fixed resistance is applied to the outside, it cannot be properly matched due to aging of the integrated circuit, temperature change, or difference in manufacturing process. Accordingly, in recent years, a technique for adjusting the resistance of the termination stage has been proposed and used by adjusting the number of turned-on transistors among the plurality of transistors connected in parallel so that the resistance value is the same as compared with the external reference resistor.

터미네이션 제어회로란, 메모리장치의 외부에서 입력되는 터미네이션 명령에 응답하여, 입/출력 패드를 터미네이션시키는 터미네이션 동작의 온/오프를 제어하는 회로를 말한다. 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령은 외부의 클럭에 동기되어 입력되지만, 메모리장치는 내부 클럭에 동기해 동작한다. 따라서 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령은 내부의 명령으로 도메인 크로싱되어야 하는데 터미네이션 제어회로는 이러한 역할을 수행하는 회로를 말한다.The termination control circuit refers to a circuit that controls on / off of a termination operation for terminating an input / output pad in response to a termination command input from an outside of the memory device. The termination command input from the outside is input in synchronization with the external clock, but the memory device operates in synchronization with the internal clock. Therefore, the termination command input from the outside should be domain-crossed by the internal command, and the termination control circuit is a circuit that performs this role.

또한, JEDEC에서 정해진 스펙에 따라 DDR3 SDRAM 부터는 다이나믹 터미네이션(Dynamic ODT) 동작이 지원되어야 한다. 다이나믹 터미네이션 동작이란 모드 레지스터셋(MRS) 등을 다시 설정하지 않더라도, 라이트 명령이 입력되면 칩 내부의 터미네이션 저항의 저항값이 데이터 입력시에 필요한 저항값을 갖도록 설정해 주는 동작을 말한다.In addition, Dynamic Termination (Dynamic ODT) operation must be supported from DDR3 SDRAM according to the specifications set by JEDEC. Dynamic termination operation refers to an operation that sets the resistance value of the termination resistor inside the chip to have the resistance value required for data input even when the write command is input, even if the mode register set (MRS) is not set again.

반도체 메모리장치의 인터페이스는 데이터 입력시와 출력시의 터미네이션 방식 및 저항값이 다르다. 데이터 출력시에는 입/출력 패드(DQ pad)를 풀업으로 또는 풀다운으로 터미네이션해 '하이' 또는 '로우'데이터를 출력하고, 데이터 입력시에는 일정 저항값(데이터 출력시의 저항값과는 다름)으로 입/출력패드를 풀업 및 풀다운으로 터미네이션한 상태에서 데이터를 입력받게 된다. 다이나믹 터미네이션 동작을 지원하는 DDR3 메모리장치부터는 라이트 명령의 입력만으로 칩 내부의 온 다이 터미네이션 회로가 데이터 입력에 알맞은 동작을 하게 된다.The interface of the semiconductor memory device differs in the termination method and the resistance value at the time of data input and output. When outputting data, the DQ pad is pulled up or pulled down to output 'high' or 'low' data.When data is input, a constant resistance value (different from the resistance value at data output) With the input / output pads pulled up and pulled down, you can receive data. Starting with DDR3 memory devices that support dynamic termination operation, the on-die termination circuit inside the chip performs the proper operation for data input only by inputting a write command.

즉, 터미네이션 제어회로는 외부로부터 입력되는 터미네이션 명령에 따라 터 미네이션 동작의 시작과 끝을 제어해주며, 외부로부터 입력되는 라이트 명령에 따라 다이나믹 터미네이션 동작의 시작과 끝을 제어해주고 있다.That is, the termination control circuit controls the start and end of the termination operation according to the termination command input from the outside, and controls the start and end of the dynamic termination operation according to the write command input from the outside.

도 1은 종래의 터미네이션 제어회로의 구성도이다.1 is a block diagram of a conventional termination control circuit.

터미네이션 제어회로는, 클럭분배부(101), 레플리카 지연부(102), 내부카운터(110), 외부카운터(120), 노멀제어부(130), 다이나믹 제어부(140)를 포함한다.The termination control circuit includes a clock divider 101, a replica delay unit 102, an internal counter 110, an external counter 120, a normal controller 130, and a dynamic controller 140.

클럭분배부(101)는 지연고정루프(DLL: Delay Locked Loop)를 통해 공급되는 내부클럭(DLLCLK1)을 입력받으며, 리셋신호(RST)가 해제될 때까지 클럭(DLLCLK2)의 토글링(toggling)을 막는다. 그리고 리셋신호(RST)가 해제되면 토글링되는 내부클럭(DLLCLK2)을 출력한다. 즉, DLLCLK1과 DLLCLK2는 동일한 내부클럭이지만 DLLCLK2는 리셋신호(RST)의 해제시까지는 토글링하지 않으며 일정한 레벨을 유지한다는 점만이 상이하다. 리셋신호(RST)란 터미네이션 제어회로가 동작하지 않을 때는 인에이블되어 있다가 터미네이션 제어회로가 동작을 할 때 디스에이블되는 신호를 말한다. 예를 들어, 비동기(asynchronous) 모드에서는 터미네이션 제어회로가 동작할 필요가 없는데, 이때는 리셋신호(RST)가 인에이블되어 도메인 크로싱 회로가 동작을 멈추고 내부의 코드값(DLLCNT<2:0>, EXTCNT<2:0>) 등이 초기화 되도록 한다.The clock divider 101 receives an internal clock DLLCLK1 supplied through a delay lock loop (DLL), and toggles the clock DLLCLK2 until the reset signal RST is released. To prevent. When the reset signal RST is released, the internal clock DLLCLK2 that is toggled is output. In other words, the DLLCLK1 and the DLLCLK2 are the same internal clocks, but the DLLCLK2 does not toggle until the reset signal RST is released and maintains a constant level. The reset signal RST is a signal that is enabled when the termination control circuit does not operate and then disabled when the termination control circuit operates. For example, in the asynchronous mode, the termination control circuit does not need to operate. In this case, the reset signal RST is enabled so that the domain crossing circuit stops operating and the internal code values (DLLCNT <2: 0>, EXTCNT) <2: 0>) and so on.

레플리카 지연부(102)는 내부클럭(DLLCLK2)과 외부클럭(EXTCLK) 사이에 존재하는 시간 차이를 모델링(modeling)해 놓은 블록이며, 입력되는 내부클럭(DLLCLK2)에 외부클럭(EXTCLK)과의 시간차이를 반영해 외부클럭(EXTCLK)을 출력한다.The replica delay unit 102 is a block modeling a time difference existing between the internal clock DLLCLK2 and the external clock EXTCLK, and the time with the external clock EXTCLK is input to the internal clock DLLCLK2. The external clock (EXTCLK) is output to reflect the difference.

내부카운터(110)는 리셋신호(RST)에 의해 초기화되어 있다가, 리셋신호(RST) 의 해제시점으로부터 내부클럭(DLLCKL2)을 카운트해 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 출력한다. 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 초기값은 카스 라이트 레이턴시(CWL: Cas Write Latency)에 따라 결정되는 초기값을 가진다. 카스 라이트 레이턴시(CWL)에 따라 외부명령의 인가시점으로부터 내부 터미네이션 동작의 개시 시점이 변하기 때문이다. 카스 라이트 레이턴시(CWL)는 그 값 자체가 동작 주파수에 따라 제한된 값을 갖도록 스펙에 규정되어 있으므로, 카스 라이트 레이턴시(CWL)에 따라 초기값이 결정된다는 것은 동작 주파수에 따라 초기값이 결정된다는 것과 동일한 의미를 가진다.The internal counter 110 is initialized by the reset signal RST, and counts the internal clock DLLCKL2 from the time when the reset signal RST is released to output the internal code DLLCNT <2: 0>. The initial value of the internal code DLLCNT <2: 0> has an initial value determined according to Cas Write Latency (CWL). This is because the start time of the internal termination operation is changed from the time of applying the external command according to the cas light latency CWL. Since the caslight latency CWL is defined in the specification so that the value itself is limited to the operating frequency, the initial value is determined according to the caslight latency CWL, which is equivalent to the initial value determined according to the operating frequency. Has meaning.

외부카운터(120) 리셋신호(RST)에 의해 초기화되어 있다가, 리셋신호(RST)의 해제시점으로부터 외부클럭(EXTCLK)을 카운트해 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 출력한다. 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 초기값은 0으로 설정된다.The external counter 120 is initialized by the reset signal RST, and the external clock EXTCLK is counted from the time when the reset signal RST is released to output the external code EXTCNT <2: 0>. The initial value of the external code EXTCNT <2: 0> is set to zero.

노멀 제어부(130)는, 외부 메모리 컨트롤러(Memory Controller)로부터의 명령(ODT_startp, ODT_endp, 외부 커맨드에 의해 생성되는 신호들임)에 응답하여 노멀(normal) 터미네이션 명령(ODTEN)을 생성한다. 메모리장치는 내부명령인 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)에 응답하여 터미네이션 동작의 개시시점 및 종료시점을 정하게 된다.The normal controller 130 generates a normal termination command ODTEN in response to a command (ODT_startp, ODT_endp, signals generated by an external command) from an external memory controller. The memory device determines the start point and the end point of the termination operation in response to the normal termination command ODTEN, which is an internal command.

다이나믹 제어부(140)는, 라이트 명령(WT_startp, 라이트 명령에 의해 생성되는 신호로 자세한 사항은 후술)에 응답하여 내부명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)을 생성한다. 메모리장치는 내부명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 인에이블되면 이에 응답하여 다이나믹 터미네이션 동작을 개시하며, 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 디스에이블되면 이에 응답하 여 다이나믹 터미네이션 동작을 멈춘다.The dynamic controller 140 generates a dynamic termination command DYNAMIC ODTEN, which is an internal command, in response to the write command WT_startp (a signal generated by the write command, which will be described in detail later). The memory device starts a dynamic termination operation in response to the internal termination of the dynamic termination command DYNAMIC ODTEN, and stops the dynamic termination operation in response to the dynamic termination command DYNAMIC ODTEN being disabled.

도 2는 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.2 is a diagram for describing an operation of the dynamic controller 140 of FIG. 1.

리셋신호(RST)의 해제 전에 내부카운터(110)는 동작하지 아니하며, 내부코드(DLLCNT<0:2>)는 5의 초기값(상술한 바와 같이, CWL에 따라 결정됨)을 갖는다. 마찬가지로 리셋신호(RST)의 해제 전에 외부카운터(120)도 동작하지 아니하며, 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 0의 초기값을 갖는다. 리셋신호(RST)가 해제되면 내부카운터(110)와 외부카운터(120)가 인에이블되며, 내부클럭(DLLCLK2)도 토글링하기 시작한다. 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)을 지연시켜 생성하기 때문에 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)보다 늦게 토글링된다. 따라서 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 먼저 카운팅되기 시작하고, 레플리카 지연부(102)의 지연값 만큼의 시간이 지난 후에 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되기 시작한다.The internal counter 110 does not operate before the reset signal RST is released, and the internal code DLLCNT <0: 2> has an initial value of 5 (determined according to CWL, as described above). Likewise, the external counter 120 does not operate before the reset signal RST is released, and the external code EXTCNT <2: 0> has an initial value of zero. When the reset signal RST is released, the internal counter 110 and the external counter 120 are enabled, and the internal clock DLLCLK2 also starts to toggle. Since the external clock EXTCLK is generated by delaying the internal clock DLLCLK2, the external clock EXTCLK is toggled later than the internal clock DLLCLK2. Therefore, the inner code DLLCNT <2: 0> starts counting first, and after the time equal to the delay value of the replica delay unit 102, the outer code EXTCNT <2: 0> starts counting.

내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되던 중 외부에서 라이트 명령이 입력되면 이에 응답하여 WT_STARTP 펄스신호가 인에이블 된다. 그리고 WT_STARTP 펄스신호의 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 저장된다(도면의 경우 1이 저장). 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1)의 값과 같아질 때 DYNAMIC_ON 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 내부 명령인 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)을 인에이블시킨다. 다이나믹 터미네이션 명령(DYNAMIC ODTEN)이 인에이블되면 메모리장치의 다이나믹 터미네이션 동작이 시작된다.When the write command is input while the internal code DLLCNT <2: 0> and the external code EXTCNT <2: 0> are counted, the WT_STARTP pulse signal is enabled in response. The external code EXTCNT <2: 0> at the time of enabling the WT_STARTP pulse signal is stored (1 is stored in the drawing). When the internal code (DLLCNT <2: 0>) is equal to the value of the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 1), the DYNAMIC_ON signal is enabled as 'low', which is the internal command dynamic termination. Enable the command (DYNAMIC ODTEN). When the dynamic termination command DYNAMIC ODTEN is enabled, the dynamic termination operation of the memory device starts.

이제 다이나믹 터미네이션 명령의 디스에이블에 대해 설명한다. 라이트 명령에 응답하여 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1의 값)에는 버스트 길이(BL: Burst Length)에 따라 일정 값이 더해진다. 버스트 길이(BL)가 8일 경우 8개의 데이터가 클럭의 라이징/폴링으로 입력되므로 데이터가 입력되기 위해서 4클럭이 필요하며 앞뒤로 타이밍 마진을 고려하여 총 6클럭이 요구된다.(스펙으로 규정됨) 또한, 버스트길이(BL)가 4인 경우에는 데이터 입력을 위한 2클럭과 앞뒤의 마진 2클럭을 더해서 총 4클럭이 요구된다.(스펙으로 규정됨)Now we'll discuss disabling the dynamic termination command. The external code stored in response to the write command (EXTCNT <2: 0>, value of 1) is added with a predetermined value according to the burst length (BL). When the burst length BL is 8, 8 data are inputted to the rising / falling of the clock, so 4 clocks are required to input data and 6 clocks are required in consideration of timing margins. In addition, when the burst length BL is 4, a total of 4 clocks is required by adding 2 clocks for data input and 2 clocks at the front and rear.

따라서 버스트길이(BL)가 8일 경우에는 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1의 값)에 6이 더해지고(도면은 BL=8을 예시하고 있으며, 따라서 1+6=7의 값을 가지게 된다), 버스트길이가 4일 경우에는 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>)에 4가 더해진다.(즉, (BL/2)+2 만큼의 값이 더해짐) 그리고 일정 값이 더해진 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 값(7)과 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 비교되고 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 일정 값이 더해진 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 값(7)과 같아질 때 DYNAMIC_OFF 신호가 '로우'로 인에이블 되어 DYNAMIC ODTEN 명령를 디스에이블 하게 된다. 이에 따라 다이나믹 터미네이션 동작이 종료된다.Therefore, when the burst length BL is 8, 6 is added to the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 1 value) (the figure illustrates BL = 8, thus 1 + 6 = 7 value). If the burst length is 4, 4 is added to the stored external code (EXTCNT <2: 0>) (i.e., (BL / 2) +2 is added) and a certain value is added. The value of the external code (EXTCNT <2: 0>) (7) and the value of the internal code (DLLCNT <2: 0>) are compared and the value of the internal code (DLLCNT <2: 0>) is added to a certain value When the value (7) of (EXTCNT <2: 0>) is equal to (7), the DYNAMIC_OFF signal is enabled low, which disables the DYNAMIC ODTEN instruction. As a result, the dynamic termination operation is terminated.

이러한 방식으로 다이나믹 제어부(140)는 라이트 명령 입력시 일정시간 후에 다이나믹 터미네이션 동작을 인에이블 시키고, 데이터 입력에 필요한 시간과 일정한 마진을 확보한 후 다이나믹 터미네이션 동작을 디스에이블 시킨다.In this manner, the dynamic control unit 140 enables the dynamic termination operation after a predetermined time when the write command is input, and disables the dynamic termination operation after securing a required time and a constant margin for data input.

도 3은 도 2의 WT_STARTP 펄스신호에 대한 이해를 돕기 위한 도면이다.FIG. 3 is a diagram to help understand the WT_STARTP pulse signal of FIG. 2.

WT_STARTP 펄스신호는 기본적으로 라이트 명령에 응답하여 인에이블 되는 신호이다. 도면에 도시된 바와 같이, 라이트 명령에 해당하는 외부 카스 명령(CAS: Column Address Strobe)이 입력되고, 애디티브 레이턴시(AL, Addictive Latency)가 반영된 약간의 시간 뒤에 인에이블 된다.The WT_STARTP pulse signal is basically enabled in response to a write command. As shown in the figure, an external casing command (CAS) corresponding to a write command is input and enabled after some time in which an additive latency (AL) is reflected.

상세하게 라이트 명령에 해당하는 외부 카스 명령(CAS)이 입력되면, 커맨드 입력 버퍼에서 이를 클럭(CLK)에 동기하여 입력받고, 이후 내부 회로에 의해 일정한 지연을 거친 후 WT_STARTP 펄스신호가 인에이블 된다. 즉, WT_STARTP 펄스신호는 외부에서 라이트 명령이 입력되고, 이 명령이 약간 지연되어 생성되는 신호로 볼 수 있다. 참고로 WT_STARTP 펄스신호의 펄스 폭은 마진 등에 따라 알맞게 설정하면 된다.In detail, when the external cas command CAS corresponding to the write command is input, the WC_STARTP pulse signal is enabled after a predetermined delay is received by the internal input circuit in synchronization with the clock CLK. That is, the WT_STARTP pulse signal can be regarded as a signal generated by a write command inputted from the outside and delayed slightly. For reference, the pulse width of the WT_STARTP pulse signal may be appropriately set depending on the margin.

도 4는 도 1의 노멀제어부(130)의 동작을 설명하기 위한 도면이다.4 is a view for explaining the operation of the normal control unit 130 of FIG.

리셋신호(RST)의 해제 전에 내부카운터(110)는 동작하지 아니하며, 내부코드(DLLCNT<0:2>)는 5의 초기값(상술한 바와 같이, CWL에 따라 결정됨)을 갖는다. 마찬가지로 리셋신호(RST)의 해제 전에 외부카운터(120)도 동작하지 아니하며, 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 0의 초기값을 갖는다. 리셋신호(RST)가 해제되면 내부카운터(110)와 외부카운터(120)가 인에이블되며, 내부클럭(DLLCLK2)도 토글링하기 시작한다. 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)을 지연시켜 생성하기 때문에 외부클럭(EXTCLK)은 내부클럭(DLLCLK2)보다 늦게 토글링된다. 따라서 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 먼저 카운팅되기 시작하고, 레플리카 지연부(102)의 지연값 만 큼의 시간이 지난 후에 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 카운팅되기 시작한다.The internal counter 110 does not operate before the reset signal RST is released, and the internal code DLLCNT <0: 2> has an initial value of 5 (determined according to CWL, as described above). Likewise, the external counter 120 does not operate before the reset signal RST is released, and the external code EXTCNT <2: 0> has an initial value of zero. When the reset signal RST is released, the internal counter 110 and the external counter 120 are enabled, and the internal clock DLLCLK2 also starts to toggle. Since the external clock EXTCLK is generated by delaying the internal clock DLLCLK2, the external clock EXTCLK is toggled later than the internal clock DLLCLK2. Therefore, the inner code DLLCNT <2: 0> starts counting first, and the outer code EXTCNT <2: 0> starts counting after a time equivalent to the delay value of the replica delay unit 102.

그러던 중 외부 메모리 컨트롤러의 명령에 의해 생성되는 ODT_STARTP신호가 인에이블 된다. 그리고 ODT_STARTP 펄스신호의 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 저장된다.(도면의 경우 1이 저장) 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 1)의 값과 같아질 때 ODT_DLL_STARTBP 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 노멀 터미네이션 동작(다이나믹 터미네이션 동작이 아닌 기존의 동작을 의미한다)을 제어하는 신호인 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)을 인에이블시켜 노멀 터미네이션 동작이 시작되게 한다.Meanwhile, the ODT_STARTP signal generated by the command of the external memory controller is enabled. The external code (EXTCNT <2: 0>) at the time of enabling the ODT_STARTP pulse signal is stored (1 in the drawing) and the external code (EXTCNT <2) in which the internal code (DLLCNT <2: 0>) is stored. When it is equal to the value of: 0>, 1), the ODT_DLL_STARTBP signal is enabled as 'low', and this signal is the normal termination command which controls the normal termination operation (meaning the existing operation rather than the dynamic termination operation). Enable (ODTEN) to start the normal termination operation.

노멀 터미네이션 명령(ODTEN)의 디스에이블도 인에이블과 동일한 방식으로 된다. 외부 컨트롤러의 명령에 의해 생성되는 ODT_ENDP 신호에 의해, 그 인에이블 시점의 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하고(도면의 경우 6이 저장), 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 값이 저장된 외부코드(EXTCNT<2:0>, 6)의 값과 동일해지면, ODT_DLL_ENDBP 신호가 '로우'로 인에이블 되고, 이 신호는 노멀 터미네이션 명령(ODTEN)을 디스에이블시켜 노멀 터미네이션 동작이 종료되게 한다.The disable of the normal termination command ODTEN is the same as the enable. By using the ODT_ENDP signal generated by the command of the external controller, the external code (EXTCNT <2: 0>) at the time of enabling is stored (6 in the drawing), and the internal code (DLLCNT <2: 0>). If the value of is equal to the value of the stored external code (EXTCNT <2: 0>, 6), the ODT_DLL_ENDBP signal is enabled as 'low', and this signal disables the normal termination command (ODTEN) to enable normal termination. Let it end.

즉, 노멀 터미네이션 동작의 시작과 끝은 모두 근본적으로 외부 메모리컨트롤러에 의해 제어된다.In other words, both the start and end of the normal termination operation are essentially controlled by an external memory controller.

도 5는 도 4의 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호의 이해를 돕기 위한 도면이다.FIG. 5 is a diagram for better understanding of the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal of FIG. 4.

ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호는 기본적으로 외부 메모리컨트롤러(Memory controller, 외부 chipset이라고도 함)로부터의 입력에 의해 생성된다. 외부 ODT 명령은 셋업 홀드 조건 등을 만족할 수 있도록 외부 메모리컨트롤러로부터 넣어주는 신호이며, 이는 클럭에 동기된 후 애디티브(additive) 레이턴시가 반영되어 일정시간 지연된 ODT_COM 신호를 생성한다. 그리고 ODT_COM 신호의 인에이블 시점과 디스에이블 시점에 펄스 형태의 신호인 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호가 각각 인에이블 된다.The ODT_STARTP and ODT_ENDP signals are basically generated by input from an external memory controller (also called an external chipset). An external ODT instruction is a signal input from an external memory controller to satisfy a setup hold condition. The ODT command generates an ODT_COM signal which is delayed for a predetermined time by adding an additive latency after synchronizing with a clock. At the time of enabling and disabling the ODT_COM signal, the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal, which are pulse signals, are enabled.

도 6은 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 구성도이다.6 is a configuration diagram of the dynamic controller 140 of FIG. 1.

다이나믹 제어부(140)는, 저장부(610), 제1비교부(620), 덧셈부(630), 제2비교부(640), 제어부(650)를 포함하며, 제1비교부(620)와 제2비교부(640)의 온/오프를 제어하기 위한 제1비교 제어부(621), 제2비교 제어부(641), 지연부(642)를 포함한다.The dynamic controller 140 includes a storage unit 610, a first comparator 620, an adder 630, a second comparator 640, and a controller 650, and a first comparator 620. And a first comparison control unit 621, a second comparison control unit 641, and a delay unit 642 for controlling the on / off of the second comparison unit 640.

저장부(610)는 라이트 명령(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장한다. 즉, 도 2에서 라이트 명령(WT_STARTP)이 인에이블 되었을 때 외부코드(EXTCNT<2:0>) '1'의 값을 저장하는 역할을 저장부가 담당한다. 이러한 저장부(610)는 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하는 D플립플롭들로 구성될 수 있다. 도면에는 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 3비트(bit)로 구성된 경우를 예시하고 있으므로, 이러한 경우 3개의 D플립플롭으로 구성되면 된다.The storage unit 610 stores the external code EXTCNT <2: 0> in response to the write command WT_STARTP. That is, in FIG. 2, when the write command WT_STARTP is enabled, the storage unit is responsible for storing a value of '1' of the external code EXTCNT <2: 0>. The storage unit 610 may be configured as D flip-flops that store the external code EXTCNT <2: 0> in response to the write command WT_STARTP. The drawing illustrates an example in which the external code EXTCNT <2: 0> is composed of three bits, and in this case, three D flip-flops may be used.

제1비교부(620)는, 저장부(610)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 생성한다. 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 동일해지는 시점에 활성화신호(DYNAMIC_ON)는 활성화된다. 즉, 제1비교부(620)는 다이나믹 터미네이션 동작의 시작을 제어하는데, 이러한 동작에 대해서는 도 2에서 자세히 설명하였으므로, 여기서는 더 이상의 상세한 설명을 생략하기로 한다.The first comparison unit 620 compares the value of the external code EXTLAT <2: 0> stored in the storage unit 610 with the internal code DLLCNT <2: 0>, and activates the activation signal DYNAMIC_ON of the dynamic termination operation. Create The activation signal DYNAMIC_ON is activated when the value of the stored external code EXTLAT <2: 0> and the internal code DLLCNT <2: 0> are the same. That is, the first comparator 620 controls the start of the dynamic termination operation. Since this operation has been described in detail with reference to FIG. 2, a detailed description thereof will be omitted.

제1비교 제어부(621)는 제1비교부(620)의 온/오프를 제어하는데, 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 응답하여 제1비교부(620)를 활성화시키고, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제1비교부(620)를 비활성화시킨다. 즉, 제1비교부(620)의 인에이블 신호인 COMPEN1은 라이트 커맨드(WT_STARTP)에 의해 활성화되고, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 비활성화된다. 제1비교 제어부(621)는 SR래치 등으로 구성될 수 있다.The first comparison controller 621 controls the on / off of the first comparison unit 620. The first comparison control unit 621 activates the first comparison unit 620 in response to the write command WT_STARTP and responds to the activation signal DYNAMIC_ON. Deactivate the first comparator 620. That is, COMPEN1, which is an enable signal of the first comparator 620, is activated by the write command WT_STARTP and is inactivated by the activation signal DYNAMIC_ON. The first comparison control unit 621 may be configured with an SR latch.

덧샘부(630)는 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값에 버스트 길이(BL)에 따라 소정 값을 더한다. 앞서 설명한 바와 같이, 덧셈부(630)는 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)에 (BL/2)+2 만큼의 값을 더한다.The summation unit 630 adds a predetermined value to the value of the stored external code EXTLAT <2: 0> according to the burst length BL. As described above, the adder 630 adds a value of (BL / 2) +2 to the stored external code EXTLAT <2: 0>.

제2비교부(640)는, 덧셈부(630)로부터 출력되는 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 생성한다. 덧셈된 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 동일해지는 시점에 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)는 활성화된다. 즉, 제2비교부(640)는 다이나믹 터미네이션 동작의 종료를 제어하는데, 이러한 동작에 대해서는 도 2에서 자세히 설명하였으므로, 여기서는 더 이상의 상세한 설명을 생략하기로 한다.The second comparator 640 compares the value of the external code EXTADD <2: 0> output from the adder 630 with the internal code DLLCNT <2: 0> to deactivate the signal DYNAMIC_OFF of the dynamic termination operation. ) The deactivation signal DYNAMIC_OFF is activated when the value of the added external code EXTADD <2: 0> is equal to the internal code DLLCNT <2: 0>. That is, the second comparator 640 controls the end of the dynamic termination operation. Since this operation has been described in detail with reference to FIG. 2, a detailed description thereof will be omitted.

제2비교 제어부(641)는 제2비교부(640)의 온/오프를 제어하는데, 지연부(642)에 의해 지연된 라이트 커맨드(WT_STARTPD)에 응답하여 제2비교부(640)를 활성화시키고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 제2비교부(640)를 비활성화시킨다. 즉, 제2비교부(640)의 인에이블 신호인 COMPEN2는 지연된 라이트 커맨드(WT_STARTPD)에 의해 활성화되고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 의해 비활성화된다. 제2비교 제어부(641)는 SR래치 등으로 간단히 구성될 수 있다.The second comparison controller 641 controls the on / off of the second comparison unit 640, and activates the second comparison unit 640 in response to the write command WT_STARTPD delayed by the delay unit 642. The second comparison unit 640 is deactivated in response to the deactivation signal DYNAMIC_OFF. That is, the enable signal COMPEN2 of the second comparator 640 is activated by the delayed write command WT_STARTPD and is inactivated by the deactivation signal DYNAMIC_OFF. The second comparison control unit 641 may be simply configured with an SR latch.

제어부(650)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 DYNAMIC ODTEN 신호를 활성화시키며, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 DYNAMIC ODTEN 신호를 비활성화시킨다. DYNAMIC ODTEN 신호는 활성화되어 있는 동안 메모리장치가 다이나믹 터미네이션 동작을 하도록 하는 신호이다.The controller 650 activates the DYNAMIC ODTEN signal in response to the activation signal DYNAMIC_ON, and deactivates the DYNAMIC ODTEN signal in response to the deactivation signal DYNAMIC_OFF. The DYNAMIC ODTEN signal allows the memory device to perform dynamic termination while active.

제2비교 제어부(641)는 지연부(642)에 의해 지연된 라이트 커맨드에 의해 활성화되어 동작을 시작한다. 즉, 제2비교부(640)와 제1비교부(620)는 지연부(642)의 지연값만큼 동작을 시작하는 시점이 차이난다. 지연부(642)의 지연값은 전원전압(VDD)의 변동에 따라 달라진다. 전원전압(VDD)의 레벨이 올라가면 지연부(642)의 지연값이 작아지고, 전원전(VDD)압의 레벨이 낮아지면 지연부(642)의 지연값이 커진다. 이러한 지연부(642)의 지연값 변동에 따라 제2비교부(640)가 오동작을 하는 경우가 생기는데 이하 이에 대해 알아보기로 한다.The second comparison controller 641 is activated by the write command delayed by the delay unit 642 to start an operation. In other words, the second comparator 640 and the first comparator 620 are different from each other in starting the operation by the delay value of the delay unit 642. The delay value of the delay unit 642 depends on the change in the power supply voltage VDD. When the level of the power supply voltage VDD increases, the delay value of the delay unit 642 decreases, and when the level of the power supply VDD pressure decreases, the delay value of the delay unit 642 increases. As the delay value of the delay unit 642 changes, the second comparator 640 may malfunction. This will be described below.

도 7은 전원전압(VDD) 등의 변동으로 지연부(642)의 지연값이 작아져 터미네이션 제어회로의 오동작이 발생하는 경우를 도시한 도면이다. BL=8인 경우를 예시하였다.FIG. 7 is a diagram illustrating a case where a malfunction of the termination control circuit occurs due to a decrease in the delay value of the delay unit 642 due to variations in the power supply voltage VDD. The case where BL = 8 is illustrated.

라이트 명령(WT_STARTP)의 활성화와 함께, 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 코드값 '2'가 저장부(610)에 저장된다. 또한, 제1비교부(620)가 라이트 명령(WT_STARTP)에 의해 활성화된다. 지연부(642)의 지연값이 작아지는 경우 제2비교부(640)가 제1비교부(620)의 동작 개시 이후 바로 활성화된다. 덧셈부(630)는 저장부(610)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>, '2')에 '6'를 더한다. 그리고 제2비교부(640)는 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 코드값이 '0'(=2+6)이 되는 순간 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 '로우'로 활성화시킨다. 아직, DYNAMIC ODTEN 신호는 '하이'로 활성화되지도 않았는데 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)가 미리 '로우'로 활성화되는 것이다. 그리고 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)의 활성화에 의해 제2비교부(640)는 동작을 정지한다.With the activation of the write command WT_STARTP, the code value '2' of the external code EXTCNT <2: 0> is stored in the storage unit 610. In addition, the first comparator 620 is activated by the write command WT_STARTP. When the delay value of the delay unit 642 decreases, the second comparison unit 640 is activated immediately after the operation of the first comparison unit 620 starts. The adder 630 adds '6' to the external codes EXTLAT <2: 0> and '2' stored in the storage 610. The second comparison unit 640 activates the deactivation signal DYNAMIC_OFF as low when the code value of the internal code DLLCNT <2: 0> becomes '0' (= 2 + 6). Yet, the DYNAMIC ODTEN signal is not activated 'high' but the deactivation signal (DYNAMIC_OFF) is activated to 'low' in advance. The second comparator 640 stops the operation by activating the deactivation signal DYNAMIC_OFF.

이후에 내부코드(DLLCNT<2:0>)의 코드값이 '2'에 도달하면 제1비교부(620)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 '로우'로 활성화시킨다. 따라서 DYNAMIC ODTEN 신호는 '하이'로 활성화된다. 그러나 이미 제2비교부(640)는 동작을 멈추었기 때문에, DYNAMIC ODTEN 신호는 계속 '하이'상태를 유지하게 된다. 즉, 다이나믹 터미네이션 동작이 시작되기만 하고 종료되지는 못하는 것이다.Thereafter, when the code value of the internal code DLLCNT <2: 0> reaches '2', the first comparison unit 620 activates the activation signal DYNAMIC_ON to 'low'. Therefore, the DYNAMIC ODTEN signal is activated 'high'. However, since the second comparator 640 has stopped operating, the DYNAMIC ODTEN signal continues to be 'high'. In other words, the dynamic termination operation starts but does not end.

정리하면, 지연부(642)의 지연값이 작아져서 제2비교부(640)가 너무 빨리 활성화된 결과, 다이나믹 터미네이션 동작이 시작되기만 하고, 종료되지는 않는 오동작이 발생한다.In summary, as a result of the delay value of the delay unit 642 becoming small, and the second comparison unit 640 is activated too soon, a dynamic termination operation starts but does not end.

상기한 예시에서는 지연부(642)의 지연값이 작아져서 터미네이션 제어회로에 오동작이 발생하는 것을 설명하였지만, 지연부(642)의 지연값이 커지더라도 동일한 문제가 발생한다. 최소 tCCD 간격으로 라이트 명령(WT_STARTP)이 인가되는 경우 저장부(630)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값이 계속 바뀌는데, 이러한 경우 지연부(642)의 지연값이 크다면 제2비교부(640)의 동작 계시시점이 늦어져서 다이나믹 터미네이션 동작의 종료도 늦어지는 문제가 발생할 수 있다.In the above-described example, the delay value of the delay unit 642 is reduced and malfunction occurs in the termination control circuit. However, the same problem occurs even if the delay value of the delay unit 642 increases. When the write command WT_STARTP is applied at the minimum tCCD interval, the value of the external code EXTLAT <2: 0> stored in the storage unit 630 is continuously changed. In this case, if the delay value of the delay unit 642 is large, The operation timing of the second comparator 640 may be delayed, thereby causing a problem in that the termination of the dynamic termination operation is delayed.

즉, 종래와 같은 구성에서는 지연부(642)의 지연값이 커지던 작아지던 다이나믹 터미네이션 동작에 오동작(fail)이 발생한다는 문제점이 있다. That is, in the conventional configuration, there is a problem in that a malfunction occurs in the dynamic termination operation, in which the delay value of the delay unit 642 is increased or decreased.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 터미네이션 제어회로의 오동작을 방지하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and an object thereof is to prevent a malfunction of the termination control circuit.

본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 라이트 명령에 응답하여 외부코드를 저장하는 저장부; 상기 저장된 외부코드의 값과 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호를 생성하는 제1비교부; 상기 저장된 외부코드의 값에 버스트 길이에 따라 소정 값을 더하는 덧셈부; 및 상기 활성화신호에 의해 활성화되어 상기 덧셈부에 의해 더해진 상기 외부코드의 값과 상기 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호를 생성하는 제2비교부를 포함한다.The termination control circuit according to the present invention includes a storage unit for storing an external code in response to a write command; A first comparison unit configured to generate an activation signal of a dynamic termination operation by comparing the stored external code value with an internal code; An adder for adding a predetermined value to a value of the stored external code according to a burst length; And a second comparator configured to generate a deactivation signal of a dynamic termination operation by comparing the internal code with the value of the external code activated by the activation signal and added by the adder.

상기 제2비교부는, 상기 비활성화 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 할 수 있다.The second comparator may be deactivated in response to the deactivation signal.

상기 제1비교부는, 상기 라이트 명령에 응답하여 활성화되고, 상기 활성화신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 할 수 있다.The first comparator may be activated in response to the write command and inactivated in response to the activation signal.

본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 다이나믹 동작을 종료시키는 역할을 하는 제2비교부가 활성화신호에 응답하여 동작을 개시한다. 따라서 전원전압이 변 동된다던지 하는 주변 상황이 바뀌더라도 오동작 없이 다이나믹 터미네이션 동작의 종료를 안정적으로 제어할 수 있다는 장점이 있다.In the termination control circuit according to the present invention, the second comparator, which serves to terminate the dynamic operation, starts operation in response to the activation signal. Therefore, there is an advantage that it is possible to stably control the termination of the dynamic termination operation without malfunction even if the surrounding conditions such as the power supply voltage is changed.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art may easily implement the technical idea of the present invention.

도 8은 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로의 구성도이다.8 is a configuration diagram of a termination control circuit according to the present invention.

본 발명에 따른 터미네이션 제어회로는, 라이트 명령(WT_STARTP)에 응답하여 외부코드(EXTCNT<2:0>)를 저장하는 저장부(810); 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 생성하는 제1비교부(820); 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)의 값에 버스트 길이(BL)에 따라 소정 값을 더하는 덧셈부(830); 및 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 활성화되어 덧셈부(830)에 의해 더해진 외부코드(EXTADD<2:0>)의 값과 내부코드(DLLCNT<2:0>)를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 생성하는 제2비교부(840)를 포함한다. 그리고 활성화신호(DYNAMIC_ON)와 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 다이나믹 터미네이션 동작 동안 인에이블되는 신호를 생성하는 제어부(850)를 포함한다.The termination control circuit according to the present invention includes a storage unit 810 for storing an external code EXTCNT <2: 0> in response to a write command WT_STARTP; A first comparison unit 820 for generating an activation signal DYNAMIC_ON of the dynamic termination operation by comparing the value of the stored external code EXTLAT <2: 0> with the internal code DLLCNT <2: 0>; An adder 830 that adds a predetermined value according to the burst length BL to the value of the stored external code EXTLAT <2: 0>; And comparing the value of the external code EXTADD <2: 0>, which is activated by the activation signal DYNAMIC_ON and added by the adder 830, with the internal code DLLCNT <2: 0>, and deactivation signal of the dynamic termination operation ( DYNAMIC_OFF) to generate a second comparison unit 840. And a controller 850 for generating a signal enabled during the dynamic termination operation in response to the activation signal DYNAMIC_ON and the deactivation signal DYNAMIC_OFF.

본 발명은 다이나믹 터미네이션 동작의 오동작을 막기 위함에 그 목적이 있 으므로, 본 발명과 관련없는 노멀 터미네이션 동작의 제어를 위한 부분은 도면에 그 도시를 생략하였다. 또한, 내부클럭(DLLCLK)과 외부클럭(EXTCLK)간의 스큐(skew)를 반영하는 내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)는 종래와 동일하게 생성될 수 있으므로, 도면에는 이와 관련된 구성의 도시를 생략하였다.Since the present invention aims to prevent a malfunction of the dynamic termination operation, a portion for controlling the normal termination operation not related to the present invention is omitted in the drawings. Also, the inner code DLLCNT <2: 0> and the outer code EXTCNT <2: 0> reflecting a skew between the inner clock DLLCLK and the outer clock EXTCLK may be generated in the same manner as in the prior art. Therefore, in the drawings, illustration of the configuration related thereto is omitted.

종래기술에서는 제2비교부(840)의 활성화시점을 지연부(도 6의 642)를 통해 결정함으로써, 다이나믹 터미네이션 동작에 오동작이 발생하는 문제점이 있었다. 따라서 본 발명에서는 제2비교부(840)의 활성화시점을 종래와는 다르게 제어한다.In the prior art, by determining the activation time of the second comparator 840 through the delay unit (642 of FIG. 6), there is a problem that a malfunction occurs in the dynamic termination operation. Therefore, in the present invention, the activation time of the second comparison unit 840 is controlled differently from the prior art.

제2비교부(840)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 활성화된다. 활성화신호(DYNAMIC_ON)는 다이나믹 터미네이션 동작을 시작하도록 하는 신호이다. 그리고 제2비교부(840)는 이미 시작된 터미네이션 동작을 종료시키기 위해 존재한다. 따라서 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 동작을 시작하도록 구성한다면, 제2비교부(840)는 항상 터미네이션 동작이 시작된 이후에만 동작을 하게 되므로, 종래처럼 제2비교부(840)가 터미네이션 동작을 종료시키지 못하는 문제점은 발생하지 않는다.The second comparator 840 is activated in response to the activation signal DYNAMIC_ON. The activation signal DYNAMIC_ON is a signal for starting the dynamic termination operation. And the second comparator 840 exists to end the termination operation already started. Therefore, if the second comparison unit 840 is configured to start the operation by the activation signal DYNAMIC_ON, the second comparison unit 840 always operates only after the termination operation is started. The problem that the 840 does not terminate the termination operation does not occur.

또한, 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 동작을 개시하기 때문에 제2비교부(840)가 뒤늦게 활성화되는 문제점도 발생하지 않는다. 어차피 제2비교부(840)는 이미 시작된 터미네이션 동작을 종래시키기 위해 존재하는 것이고, 터미네이션 동작이 시작되지마자 제2비교부(840)가 동작을 개시하기 때문에, 종래와 같이 제2비교부(840)가 터미네이션 동작을 뒤늦게 종료시키는 문제점 또한 발생하지 않는다.In addition, since the second comparator 840 starts operation in response to the activation signal DYNAMIC_ON, the second comparator 840 is not activated late. Anyway, the second comparison unit 840 exists to conventionally initiate the termination operation already started, and since the second comparison unit 840 starts operation as soon as the termination operation is started, the second comparison unit 840 as in the prior art. The problem of terminating the termination operation too late does not occur.

제2비교 제어부(841)는 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제2비교부(840)의 인에이블 신호인 CMPEN2 신호를 활성화시키고, 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)에 응답하여 제2비교부의 CMPEN2 신호를 비활성화시킨다.The second comparison controller 841 activates the CMPEN2 signal, which is the enable signal of the second comparison unit 840, in response to the activation signal DYNAMIC_ON, and deactivates the CMPEN2 signal of the second comparison unit in response to the deactivation signal DYNAMIC_OFF. Let's do it.

그 밖의 다른 부분의 구성 및 동작들은 배경기술 부분에서 설명한 종래의 터미네이션 제어회로와 동일하므로, 여기서는 더 이상의 설명을 생략하기로 한다.Since the configuration and operation of the other parts are the same as the conventional termination control circuit described in the background section, further description thereof will be omitted.

도 9는 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로에 의해 다이나믹 터미네이션 동작이 제어되는 것을 도시한 도면이다. 도 9에는 내부코드(DLLCNT<2:0>)와 외부코드(EXTCNT<2:0>)가 도 7과 동일한 스큐를 갖는 경우를 도시하였다.9 is a diagram illustrating that the dynamic termination operation is controlled by the termination control circuit according to the present invention. FIG. 9 illustrates a case where the inner code DLLCNT <2: 0> and the outer code EXTCNT <2: 0> have the same skew as in FIG. 7.

라이트 명령(WT_STARTP)의 활성화와 함께, 외부코드(EXTCNT<2:0>)의 코드값 '2'가 저장부(810)에 저장된다. 또한, 제1비교부(820)가 라이트 명령(WT_STARTP)에 의해 활성화된다. 덧셈부(830)는 저장부(810)에 저장된 외부코드(EXTLAT<2:0>)에 '6'을 더한다. 그리고 제1비교부(820)는 내부코드(DLLCNT<2:0>)가 '2'가 되는 순간 활성화신호(DYNAMIC_ON)를 '로우'로 활성화시킨다. 이에 따라 DYNAMIC ODTEN 신호가 활성화되어 다이나믹 터미네이션 동작이 시작된다.With the activation of the write command WT_STARTP, the code value '2' of the 'subcode EXTCNT <2: 0>' is stored in the storage unit 810. In addition, the first comparator 820 is activated by the write command WT_STARTP. The adder 830 adds '6' to the external code EXTLAT <2: 0> stored in the storage 810. The first comparator 820 activates the activation signal DYNAMIC_ON low when the internal code DLLCNT <2: 0> becomes '2'. This activates the DYNAMIC ODTEN signal, which starts the dynamic termination operation.

또한, 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 응답하여 제2비교부(840)가 활성화된다. 그리고 내부코드(DLLCNT<2:0>)값이 '0'(=2+6)이 되는 순간 제2비교부(840)는 비활성화신호(DYNAMIC_OFF)를 '로우'로 활성화시킨다. 따라서 DYNAMIC ODTEN 신호가 비활성화되고 다이나믹 터미네이션 동작이 종료된다.In addition, the second comparator 840 is activated in response to the activation signal DYNAMIC_ON. The second comparator 840 activates the deactivation signal DYNAMIC_OFF as low when the internal code DLLCNT <2: 0> becomes '0' (= 2 + 6). As a result, the DYNAMIC ODTEN signal is disabled and the dynamic termination operation is terminated.

본 발명에서는 제2비교부(840)가 활성화신호(DYNAMIC_ON)에 의해 동작을 시 작하도록 설계하였기 때문에, 전원전압(VDD) 등의 변동과 상관없이 다이나믹 터미네이션 동작의 종료가 안정적으로 이루어질 수 있다.In the present invention, since the second comparator 840 is designed to start the operation by the activation signal DYNAMIC_ON, the termination of the dynamic termination operation can be stably performed regardless of a change in the power supply voltage VDD.

본 발명의 기술사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above-described preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, those skilled in the art will appreciate that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

도 1은 종래의 터미네이션 제어회로의 구성도.1 is a block diagram of a conventional termination control circuit.

도 2는 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 동작을 설명하기 위한 도면.2 is a view for explaining the operation of the dynamic controller 140 of FIG.

도 3은 도 2의 WT_STARTP 펄스신호에 대한 이해를 돕기 위한 도면.3 is a view to help understand the WT_STARTP pulse signal of FIG.

도 4는 도 1의 노멀제어부(130)의 동작을 설명하기 위한 도면.4 is a view for explaining the operation of the normal control unit 130 of FIG.

도 5는 도 4의 ODT_STARTP 신호와 ODT_ENDP 신호의 이해를 돕기 위한 도면.FIG. 5 is a diagram for better understanding of the ODT_STARTP signal and the ODT_ENDP signal of FIG. 4. FIG.

도 6은 도 1의 다이나믹 제어부(140)의 구성도.6 is a configuration diagram of the dynamic controller 140 of FIG. 1.

도 7은 전원전압(VDD) 등의 변동으로 지연부(642)의 지연값이 작아져 터미네이션 제어회로의 오동작이 발생하는 경우를 도시한 도면.FIG. 7 is a diagram illustrating a case where a malfunction of the termination control circuit occurs due to a decrease in the delay value of the delay unit 642 due to variations in the power supply voltage VDD.

도 8은 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로의 구성도.8 is a block diagram of a termination control circuit according to the present invention.

도 9는 본 발명에 따른 터미네이션 제어회로에 의해 다이나믹 터미네이션 동작이 제어되는 것을 도시한 도면.9 is a diagram illustrating a dynamic termination operation controlled by a termination control circuit according to the present invention.

Claims (7)

라이트 명령에 응답하여 외부코드를 저장하는 저장부;A storage unit to store an external code in response to a write command; 상기 저장된 외부코드의 값과 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 활성화신호를 생성하는 제1비교부;A first comparison unit configured to generate an activation signal of a dynamic termination operation by comparing the stored external code value with an internal code; 상기 저장된 외부코드의 값에 버스트 길이에 따라 소정 값을 더하는 덧셈부; 및An adder for adding a predetermined value to a value of the stored external code according to a burst length; And 상기 활성화신호에 의해 활성화되어 상기 덧셈부에 의해 더해진 상기 외부코드의 값과 상기 내부코드를 비교해 다이나믹 터미네이션 동작의 비활성화신호를 생성하는 제2비교부A second comparison unit which is activated by the activation signal and compares the value of the external code added by the adder with the internal code to generate a deactivation signal of a dynamic termination operation; 를 포함하는 터미네이션 제어회로.Termination control circuit comprising a. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2비교부는,The second comparison unit, 상기 비활성화 신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.And a termination control circuit in response to the deactivation signal. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 제1비교부는,The first comparison unit, 상기 라이트 명령에 응답하여 활성화되고, 상기 활성화신호에 응답하여 비활성화되는 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.And is activated in response to the write command and inactivated in response to the activation signal. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 터미네이션 제어회로는,The termination control circuit, 외부클럭을 카운트해 상기 외부코드를 출력하고, 내부클럭을 카운트해 상기 내부코드를 출력하는 카운터부; 및A counter unit for counting an external clock to output the external code, and counting an internal clock to output the internal code; And 상기 활성화신호에 응답하여 활성화되고, 상기 비활성화 신호에 응답하여 비활성화되는 다이나믹 터미네이션 제어신호를 생성하는 제어부A controller configured to generate a dynamic termination control signal activated in response to the activation signal and deactivated in response to the deactivation signal. 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.Termination control circuit further comprising. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 외부코드와 상기 내부코드가 카운트되기 시작하는 초기값은, 카스 라이트 레이턴시(CWL)에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.And an initial value at which the external code and the internal code starts to count is determined according to a cas light latency (CWL). 제 5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 외부코드와 상기 내부코드가 카운팅되기 시작하는 시점은, 상기 외부클럭과 상기 내부클럭의 스큐(skew)만큼 차이나는 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.And a time point at which the outer code and the inner code start counting is different by a skew of the outer clock and the inner clock. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 소정 값은,The predetermined value is (버스트길이/2)+2의 값인 것을 특징으로 하는 터미네이션 제어회로.A termination control circuit, characterized in that (burst length / 2) +2.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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