KR100920842B1 - Refresh period signal generator with digital temperature information generation - Google Patents
Refresh period signal generator with digital temperature information generation Download PDFInfo
- Publication number
- KR100920842B1 KR100920842B1 KR1020080038032A KR20080038032A KR100920842B1 KR 100920842 B1 KR100920842 B1 KR 100920842B1 KR 1020080038032 A KR1020080038032 A KR 1020080038032A KR 20080038032 A KR20080038032 A KR 20080038032A KR 100920842 B1 KR100920842 B1 KR 100920842B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- temperature
- period
- generator
- periodic
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40626—Temperature related aspects of refresh operations
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4072—Circuits for initialization, powering up or down, clearing memory or presetting
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/20—Memory cell initialisation circuits, e.g. when powering up or down, memory clear, latent image memory
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
본 발명은 주기 신호 발생 장치에 관한 것으로서, 특히 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a periodic signal generator, and more particularly, to a refresh periodic signal generator having a digital temperature information generating function.
반도체 집적 회로의 대표적인 예로서, 반도체 기억 장치는 메모리 셀에 데이터를 기록하거나, 상기 메모리 셀에 기록된 데이터를 외부로 출력하는 장치이다.As a representative example of a semiconductor integrated circuit, a semiconductor memory device is a device that writes data in a memory cell or outputs data written in the memory cell to the outside.
상기 반도체 기억 장치는 메모리 셀에 기록된 데이터의 손실을 방지하기 위해 필수적으로 수행되어야 하는 리프레시(Refresh) 라는 동작 모드를 구비하고 있다.The semiconductor memory device has an operation mode called refresh which must be performed in order to prevent loss of data written in the memory cell.
상기 리프레시는 반도체 기억 장치 내부에서 자체적으로 수행하는 셀프 리프레시(Self Refresh)와 반도체 기억 장치 외부의 명령에 따라 수행하는 오토 리프레시(Auto Refresh)로 구분할 수 있다.The refresh may be classified into a self refresh performed in the semiconductor memory device itself and an auto refresh performed according to a command external to the semiconductor memory device.
상기 오토 리프레시는 반도체 기억 장치 외부에서 명령이 입력되는 경우에만 수행되는 한편, 셀프 리프레시는 반도체 기억 장치 내부에서 주기적으로 수행된다.The auto refresh is performed only when a command is input from the outside of the semiconductor memory device, while the self refresh is periodically performed inside the semiconductor memory device.
따라서 반도체 기억 장치는 셀프 리프레시 동작의 타이밍을 정하기 위한 주 기 신호를 필요로 한다.Therefore, the semiconductor memory device needs a periodic signal for determining the timing of the self refresh operation.
상기 주기 신호를 리프레시 신호라 하며, 반도체 기억 장치 내부에서 생성하여 사용한다.The periodic signal is called a refresh signal and is generated and used in the semiconductor memory device.
상기 셀프 리프레시 동작의 효율을 높이기 위해 주변 온도에 따라 상기 리프레시 신호의 주기를 가변시키는 기술이 적용되고 있으며, 이를 위해 TCSR 오실레이터(Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)라는 장치가 사용되고 있다.In order to increase the efficiency of the self-refresh operation, a technique of varying the period of the refresh signal according to the ambient temperature is applied. To this end, a device called a TCSR oscillator (Temperature Compensated Self Refresh Oscillator) is used.
도 1은 종래의 기술에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 출력 그래프이다.1 is a temperature / cycle output graph of a self refresh signal according to the related art.
상기 TCSR 오실레이터는 도 1과 같이, 온도가 낮아짐에 따라 펄스 신호의 주기를 증가시켜 생성하며, 이와 같이 생성된 펄스 신호를 반도체 기억 장치가 상기 리프레시 신호로서 사용하고 있다.As shown in FIG. 1, the TCSR oscillator increases the period of the pulse signal as the temperature decreases, and the semiconductor memory device uses the generated pulse signal as the refresh signal.
상기 TCSR 오실레이터는 리프레시 신호의 주기 가변을 통해 효율적인 셀프 리프레시 동작이 가능하도록 하는 장점을 가지고 있다.The TCSR oscillator has an advantage of enabling efficient self refresh operation by varying the period of the refresh signal.
그러나 상기 TCSR 오실레이터는 도 1에 도시된 바와 같이, 특정 온도 예를 들어, 37℃ 이하[반도체 회로 기술에서 통상 실온(Room Temperature) 또는 저온(Cold Temperature) 이라 칭함] 에서는 지나치게 주기가 증가된 리프레시 신호를 생성하여 셀프 리프레시 동작 자체가 이루어지지 못하는 심각한 오류를 유발할 수 있다.However, as shown in Fig. 1, the TCSR oscillator is a refresh signal with an excessively increased period at a certain temperature, for example, 37 ° C. or lower (commonly referred to as room temperature or cold temperature in semiconductor circuit technology). This can cause a serious error that prevents the self-refresh operation itself.
상기 오토 리프레시 동작 또한 주변 온도에 따라 오토 리프레시 신호의 주기를 가변시키는 기술 적용을 위해 반도체 기억장치 주변의 온도 정보를 필요로 하고 있으며, Mobile DRAM 관련 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 규격에는 DRAM의 패드(DQ8 ~ DQ10)를 통해 출력되는 온도 정보에 따른 리프레시 레이트(Refresh Rate)가 정의되어 있다.The auto refresh operation also requires temperature information around the semiconductor memory device in order to apply the technology of varying the cycle of the auto refresh signal according to the ambient temperature.The JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) standard related to mobile DRAM requires DRAM pads. The refresh rate according to the temperature information output through the DQ8 to DQ10 is defined.
그러나 현재까지는 반도체 집적회로 측에서 상기 온도 정보를 제공하기 위한 하드웨어 및 소프트웨어의 구체적인 개발이 이루어지지 않고 있다.However, the development of hardware and software for providing the temperature information on the semiconductor integrated circuit side has not been made until now.
본 발명은 효율적이고 안정적인 리프레시 동작을 위해 리프레시 신호의 주기를 제어할 수 있도록 함과 동시에, 디지털 형태의 온도 정보를 생성하여 반도체 집적회로 외부로 출력할 수 있도록 한 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides a refresh cycle having a digital temperature information generation function capable of controlling the cycle of the refresh signal for efficient and stable refresh operation, and generating digital temperature information and outputting it to the outside of the semiconductor integrated circuit. The object is to provide a signal generator.
본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 비교하여 그들 중 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 정해진 타이밍에 맞도록 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비함을 특징으로 한다.A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention comprises: a temperature information generator for generating temperature information using a first cycle signal and a second cycle signal; A refresh period signal generator for comparing the first period signal with the second period signal, selecting a signal having a short period among them, and outputting the selected signal as a refresh period signal; And an operation timing controller configured to operate the temperature information generator and the refresh cycle signal generator to match a predetermined timing.
본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 온도에 따라 주기가 가변되는 제 1 주기 신호를 발생시키는 제 1 주기 신호 발생부; 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 제 2 주기 신호를 발생시키는 제 2 주기 신호 발생부; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 정해진 복수개의 분주비로 분주하여 제 1 내지 제 4 분주 주기 신호를 출력하는 분주부; 상기 제 1 분주 주기 신호와 상기 제 2 분주 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부; 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호 중 에서 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 서로 다른 타이밍에 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비함을 다른 특징으로 한다.A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention comprises: a first cycle signal generator for generating a first cycle signal whose cycle varies according to temperature; A second periodic signal generator for generating a second periodic signal having a constant period regardless of temperature; A divider which divides the first period signal and the second period signal at a plurality of predetermined division ratios and outputs first to fourth division period signals; A temperature information generator configured to generate temperature information by using the first frequency division signal and the second frequency division signal; A refresh period signal generator which selects a signal having a short period from among the third division period signal and the fourth division period signal and outputs it as a refresh period signal; And an operation timing controller for operating the temperature information generator and the refresh cycle signal generator at different timings.
본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention has the following effects.
첫째, 디지털 형태의 온도 정보를 자체적으로 생성하여 외부에서 사용 가능한 형식으로 출력할 수 있으므로 반도체 집적회로 관련 기술변화에 신속하게 대응하여 반도체 집적회로의 활용범위를 확대시킬 수 있다. 또한 장치 내부의 회로 구성을 통해 잘못된 온도 정보의 생성을 방지할 수 있으므로 온도 정보의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 온도 정보 디코딩 동작이 최소의 시간 동안 만 이루어지도록 하여 전류 소비도 최소화할 수 있다.First, since digital temperature information can be generated by itself and output in a format that can be used externally, it is possible to rapidly respond to technological changes related to semiconductor integrated circuits and to expand the scope of use of semiconductor integrated circuits. In addition, the circuit configuration inside the device can prevent the generation of wrong temperature information, thereby improving the reliability of the temperature information, and minimize the current consumption by ensuring that the temperature information decoding operation is performed for a minimum time.
둘째, 온도 조건에 따라 주기를 가변 할 수 있음은 물론이고, 특정 온도 이하에서 주기가 지나치게 증가되는 것을 방지하므로 효율적이고 안정적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 하고, 나아가서는 반도체 집적회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Second, the period can be varied according to the temperature condition, and the cycle can be prevented from being excessively increased below a certain temperature, thereby enabling efficient and stable self-refreshing operation and further improving the reliability of the semiconductor integrated circuit. have.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같 다.Hereinafter, a preferred embodiment of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 블록도이다.2 is a block diagram of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function according to the present invention.
본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 주기 신호 발생부(100), 제 2 주기 신호 발생부(300), 분주부(400), 온도 정보 발생부(500), 리프레시 주기 신호 발생부(600) 및 동작 타이밍 제어부(700)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention includes a first
상기 제 1 주기 신호 발생부(100)는 제 1 리셋 신호(RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 입력받아 온도에 따라 주기가 가변되는 제 1 주기 신호(OSC1)를 발생하도록 구성된다. 상기 제 1 주기 신호 발생부(100)는 TCSR 오실레이터(Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)로 구성할 수 있다.The first
상기 제 2 주기 신호 발생부(300)는 상기 제 1 리셋 신호(RST) 및 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 입력받아 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 제 2 주기 신호(OSC2)를 발생하도록 구성된다. 상기 제 2 주기 신호 발생부(300)는 EMRS(Extended Mode Register Set) 오실레이터로 구성할 수 있다.The second
상기 분주부(400)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 기설정된 복수개의 분주비(예를 들어, 2 분주, 4 분주, 8 분주, ..., 4096 분주)중에서 선택된 분주비로 분주하여 제 1 내지 제 5 분주 주기 신호(DIV1 ~ DIV5)를 출력하도록 구성된다. 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1) 를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 40㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주 하여 생성하며, 예를 들어, 160㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 20㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 80㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 5 분주 주기 신호(DIV5)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2) 또는 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 분주하여 생성할 수 있으며, 예를 들어, 320㎳의 주기를 가질 수 있다.The
도 3은 도 2의 온도 정보 발생부의 구성을 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a configuration of the temperature information generator of FIG. 2.
상기 온도 정보 발생부(500)는 도 3에 도시된 바와 같이, 다중 분주 신호 발생부(510), 출력 제어부(520), 분주신호 래치부(530), 제 1 디코더(540), 제 2 디코더(550) 및 온도 코드 래치부(560)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the
상기 다중 분주 신호 발생부(510)는 제 1 주기 신호(OSC1)의 천이 타이밍에따라 제 2 주기 신호(OSC2)를 다중 분주한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치 및 디코딩하여 온도 정보를 생성하도록 구성된다.The multiple divided
상기 다중 분주 신호 발생부(510)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 입력받아 정해진 분주비(X2)로 순차적으로 분주하여 출력하는 복수개의 분주기(511)를 구비한다. 상기 복수개의 분주기(511)는 동일하게 구성할 수 있다.The multiple
상기 출력 제어부(520)는 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1), 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2), 파워 업 신호(PWRUP) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 따라 제 1 전 달 제어 신호(A1, A1B) 및 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The
상기 분주신호 래치부(530)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하도록 구성된다. 상기 분주신호 래치부(530)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 공통 입력 받고, 상기 복수개의 분주기(511)에서 출력된 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받는 복수개의 제 1 래치 회로부(531)를 구비한다. 상기 복수개의 제 1 래치 회로부(531)는 동일하게 구성할 수 있다.The divided
상기 제 1 디코더(540)는 상기 분주신호 래치부에 래치된 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 온도를 정의하는 디지털 형식의 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)로 디코딩 하도록 구성된다.The
상기 제 2 디코더(550)는 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)를 반도체 메모리 규격에 맞는 즉, JEDEC 규격에 따른 디지털 형식의 3비트의 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)로 디코딩하여 출력하도록 구성된다.The
상기 온도 코드 래치부(560)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력하도록 구성된다. 상기 온도 코드 래치부(560)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 공통 입력 받고, 상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 입력 받는 복수개의 제 2 래치 회로부(561)를 구비한다. 상기 복수개의 제 2 래치 회로부(561)는 동일하게 구성할 수 있다.The temperature
도 4는 도 3의 출력 제어부의 회로도이다.4 is a circuit diagram of an output control unit of FIG. 3.
상기 출력 제어부(520)는 도 4에 도시된 바와 같이, 온도 감지 구간 신호 발생부(521), 제 1 전달 제어 신호 발생부(522) 및 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)를 구비한다.As illustrated in FIG. 4, the
상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1), 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2), 파워 업 신호(PWRUP) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 따라 온도 감지 구간 신호(A)를 생성하도록 구성된다.The temperature sensing
상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 복수개의 인버터(IVI ~ IV3), 복수개의 트랜지스터(M1 ~ M4) 및 래치(521-1)를 구비한다. 상기 트랜지스터(M1)는 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 응답하여 온도 감지 구간 신호(A)를 하이 레벨로 활성화 시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV1) 및 트랜지스터(M2)는 파워 업 신호(PWRUP)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 초기화시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV2) 및 트랜지스터(M3)는 제 1 분주 주기 신호(DIV1)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 비활성화 시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV3) 및 트랜지스터(M4)는 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 비활성화 시키도록 구성된다. 상기 래치(521-1)는 상기 복수개의 트랜지스터(M1 ~ M4)의 드레인과 공통 연결되어 상기 온도 감지 구간 신호(A)의 레벨을 유지시키도록 구성된다.The temperature sensing
상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 제 2 분주 주기 신호(DIV2) 없이 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 하나만으로도 동작이 가능하다. 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 추가적으로 이용하는 이유는 다음과 같다. 상기 제 1 주기 신 호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)를 셀프 리프레시 주기를 정하는 기준으로 사용할 경우, 특정 온도(예를 들어, 37℃) 이하에서는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)가 무한대로 증가하여 리프레시 불량을 초래할 수 있다. 따라서 온도가 37℃ 이하로 되는 경우에 대비하기 위하여 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 입력 받는 회로 구성을 추가하여 콜드 스토퍼(Cold Stopper) 기능을 구현하였다. 또한 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 사용하는 이유는 분주 비율이 커질수록 온도 감지 성능이 향상되기 때문이다.The temperature sensing
상기 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)에 따라 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하도록 구성된다.The first transfer
상기 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 복수개의 인버터(IV6 ~ IV8), 지연 소자(DLY1) 및 노아 게이트(NR1)로 이루어진 펄스 발생회로를 구비하여, 상기 온도 감지 구간 신호(A)가 비활성화되는 시점에 상기 지연 소자(DLY1)의 지연 시간에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하도록 구성된다.The first transfer
상기 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)와 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)에 따라 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The second transfer
상기 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)는 지연 소자(DLY2), 노아 게이트(NR2) 및 복수개의 인버터(IV9, IV10)로 이루어져, 상기 온도 감지 구간 신호(A)와 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)를 논리합하여 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The second transfer
도 5는 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram of the first latch circuit of FIG. 3.
상기 제 1 래치 회로부(531)는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수개의 트리 스테이트 인버터(TIV11, TIV12) 및 인버터(IV11)를 구비한다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV12)와 인버터(IV11)가 래치 구조를 이룬다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV11)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 상기 다중 분주 신호(S1)를 통과시키도록 구성된다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV12)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 래치의 동작 여부를 결정한다.As illustrated in FIG. 5, the first
도 6은 도 3의 제 2 래치 회로부의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a second latch circuit of FIG. 3.
상기 제 2 래치 회로부(561)는 도 6에 도시된 바와 같이, 복수개의 트리 스테이트 인버터(TIV21, TIV22) 및 인버터(IV21)를 구비한다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV22)와 인버터(IV21)가 래치 구조를 이룬다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV21)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 상기 온도 코드(DTI0)를 통과시키도록 구성된다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV22)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 래치의 동작 여부를 결정한다.As illustrated in FIG. 6, the second
도 7은 도 2의 리프레시 신호 발생부의 구성을 나타낸 블록도이다.FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of the refresh signal generator of FIG. 2.
상기 리프레시 주기 신호 발생부(600)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기가 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기 보다 길지 않은 경우 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 선택하여 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력하도록 구성된다.The refresh
상기 리프레시 주기 신호 발생부(600)는 도 7에 도시된 바와 같이, 주기 비교부(610) 및 주기 신호 선택부(630)를 구비한다.As illustrated in FIG. 7, the refresh
상기 주기 비교부(610)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 펄스 발생 타이밍을 비교하여 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4) 중 하나를 선택하기 위한 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)를 출력하도록 구성된다.The
상기 주기 비교부(610)는 제 1 논리 회로부(611) 및 제 2 논리 회로부(612)를 구비한다.The
도 8은 도 7의 주기 비교부의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a period comparator of FIG. 7.
상기 제 1 논리 회로부(611)는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리셋 신호(RST)에 따라 비교 신호(C, D)를 초기화 시키고, 정해진 시차를 두고 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 응답하여 상기 비교 신호(C, D)의 레벨을 천이시키도록 구성된다.As illustrated in FIG. 8, the first
상기 제 1 논리 회로부(611)는 제 1 내지 제 3 인버터(IV31 ~ IV33), 제 1 및 제 2 지연 소자(DLY31, DLY32), 제 1 내지 제 3 트랜지스터(M31 ~ M33), 및 래치(611-1)를 구비한다. 상기 제 1 지연 소자(DLY31)는 상기 제 1 리셋 신호(RST)를 입력받도록 구성된다. 상기 제 1 트랜지스터(M31)는 소오스가 접지단(VSS)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 지연 소자(DLY31)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 인버터(IV31)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 트랜지스터(M32)는 소오스가 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 인버터(IV31)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 인버터(IV32)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 지연 소자(DLY32)는 상기 제 2 인버터(IV32)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 3 트랜지스터(M33)는 소오스가 상기 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 2 지연 소자(DLY32)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 내지 제 3 트랜지스터(M31 ~ M33)의 드레인이 공통 연결되도록 구성된다. 상기 래치(611-1)는 입력단이 상기 제 3 트랜지스터(M33)의 드레인과 연결되도록 구성된다. 상기 제 3 인버터(IV33)는 입력단이 상기 래치(611-1)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 1 지연 소자(DLY31)의 지연시간과 상기 제 2 지연 소자(DLY32)의 지연시간은 동일하게 설정될 수 있다.The first
상기 제 2 논리 회로부(612)는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리셋 신호(RST)에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE) 중 하나를 상기 비교 신호(C, D)의 천이 타이밍에 따라 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)로서 출력하도록 구성된다.As illustrated in FIG. 8, the second
상기 제 2 논리 회로부(612)는 제 4 및 제 5 인버터(IV34, IV35), 제 4 및 제 5 트랜지스터(M34, M35), 제 2 내지 제 4 래치(621 ~ 623), 제 1 및 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV31, TSIV32)를 구비한다. 상기 제 4 트랜지스터(M34)는 소오스가 접지단(VSS)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 리셋 신호(RST)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 4 인버터(IV34)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받도 록 구성된다. 상기 제 5 트랜지스터(M35)는 소오스가 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 4 인버터(IV34)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 래치(621)는 입력단이 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(M34, M35)의 드레인과 연결되도록 구성된다. 상기 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)는 입력단이 상기 제 1 래치(621)의 출력단과 연결되고 제어단에 상기 비교 신호(D, C)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 래치(622)는 입력단이 상기 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)는 입력단이 상기 제 2 래치(622)의 출력단과 연결되고 제어단에 상기 비교 신호(C, D)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 3 래치(623)는 입력단이 상기 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 5 인버터(IV35)는 입력단이 상기 제 3 래치(623)의 출력단과 연결되도록 구성된다.The second
도 9는 도 7의 주기 신호 선택부의 회로도이다.FIG. 9 is a circuit diagram of the periodic signal selector of FIG. 7.
상기 주기 신호 선택부(630)는 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)에 따라 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4) 중 하나를 선택하여 상기 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력하도록 구성된다.The
상기 주기 신호 선택부(630)는 도 9에 도시된 바와 같이, 제 3 및 제 4 트리 스테이트 인버터(TSIV33, TSIV34)를 구비한다. 상기 제 3 트리 스테이트 인버터(TSIV33)는 입력단에 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받고 제어단에 상기 제어 신호(COLD_ENB, COLD_EN)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 4 트리 스테이트 인버터(TSIV34)는 입력단에 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 입력 받고 제어 단에 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)를 입력 받으며, 출력단이 상기 제 3 트리 스테이트 인버터(TSIV33)의 출력단과 공통 연결되도록 구성된다.As illustrated in FIG. 9, the
도 10은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 회로도이다.10 is a circuit diagram of an operation timing controller of FIG. 2.
상기 동작 타이밍 제어부(700)는 파워 업 신호(PWRUP), 셀프 리프레시 신호(SREF), 제 5 분주 주기 신호(DIV5) 및 리프레시 주기 신호(PSRF)에 따라 타이밍 신호들 즉, 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 발생하도록 구성된다.The
상기 동작 타이밍 제어부(700)는 도 10에 도시된 바와 같이, 시프터(710) 및 타이밍 신호 발생부(720)를 구비한다.As shown in FIG. 10, the
상기 시프터(710)는 리프레시 주기 신호(PSRF)를 서로 다른 시간만큼 시프트시켜 제 1 시프트 신호(PSRF_6) 및 제 2 시프트 신호(PSRF_10)를 발생하도록 구성된다.The
상기 타이밍 신호 발생부(720)는 파워 업 신호(PWRUP), 제 5 분주 주기 신호(DIV5), 셀프 리프레시 신호(SREF), 제 1 시프트 신호(PSRF_6) 및 제 2 시프트 신호(PSRF_10)에 따라 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 발생하도록 구성된다.The
상기 타이밍 신호 발생부(720)는 제 1 내지 제 10 인버터(IV41 ~ IV50), 낸드 게이트(ND41), 제 1 내지 제 6 노아 게이트(NR41 ~ NR46), 라이징 펄스 발생기(RPG), 폴링 펄스 발생기(FPG) 및 제 1 내지 제 4 트랜지스터(M41 ~ M44)를 구비한다. 상기 라이징 펄스 발생기(RPG)는 입력 신호의 라이징을 엣지를 감지하여 정 해진 폭을 갖는 펄스를 발생하도록 구성된다. 상기 폴링 펄스 발생기(FPG)는 입력 신호의 폴링 엣지를 감지하여 정해진 폭을 갖는 펄스를 발생하도록 구성된다.The
상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 온도 검출 구간을 정의하는 신호로 사용된다. 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 구간과 동일한 활성화 구간을 갖거나, 파워 업 신호(PWRUP)가 발생된 시점부터 제 2 시프트 신호(PSRF_10)가 발생된 구간에 해당하는 활성화 구간을 갖도록 생성된다. 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 구간은 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기의 일정한 배수(예를 들어, 9배)의 구간에 해당한다.The operation section signal SERF_TDET is used as a signal defining a temperature detection section. The operation section signal SERF_TDET has an activation section identical to the activation section of the self-refresh signal SREF or corresponds to a section in which the second shift signal PSRF_10 is generated from the time when the power-up signal PWRUP is generated. It is created to have an activation interval. The activation section of the operation section signal SERF_TDET corresponds to a section of a constant multiple (for example, 9 times) of the period of the refresh cycle signal PSRF.
상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)는 제 1 주기 신호 발생부(100) 내부의 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)을 초기화시키기 위해 사용되는 신호로서 펄스형태로 발생된다. 상기 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)은 전류 감소를 위해 꺼져 있다가 상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)에 의해 초기화되어 동작을 개시한다. 상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)는 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 시작시점에 발생된다.The enable signal LTCSR_EN is a signal used to initialize a reference generation block inside the first
상기 제 1 리셋 신호(RST)는 제 1 주기 신호 발생부(100), 제 2 주기 신호 발생부(300), 분주부(400) 및 리프레시 주기 신호 발생부(600)를 초기화시키기 위해 사용되는 신호이다. 상기 제 1 리셋 신호(RST)는 파워 업 신호(PWRUP)의 발생 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 발생되는 펄스 신호이다.The first reset signal RST is a signal used to initialize the first
상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)는 상기 온도 정보 발생부(500)를 초기화시키기 위해 사용되는 신호이다. 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)에 따라 발생되는 펄스 신호이다. 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)를 제 1 시프트 신호(PSRF_6)에 따라 발생시키는 이유는 온도 검출 구간의 시작시점 즉, 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화시점에 제 1 주기 신호 발생부(100) 내부의 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)이 안정적으로 초기화되지 못하여 제 1 주기 신호(OSC1)가 비정상적이기 때문이다. 따라서 제 1 주기 신호(OSC1)의 안정화를 위해 제 1 시프트 신호(PSRF_6)가 발생된 이후에 온도 정보 발생부(500)가 동작을 개시하도록 한 것이다.The second reset signal TI_RST is a signal used to initialize the
상기 동작 타이밍 제어부(700)는 동작 구간 신호(SERF_TDET), 인에이블 신호(LTCSR_EN), 제 1 리셋 신호(RST) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 상술한 타이밍에 맞게 생성되도록 회로 구성이 이루어진다.The
이하, 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 디지털 온도 정보 생성 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the digital temperature information generating method of the refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention will be described.
도 11은 온도에 따른 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호의 주기 비교 그래프이고, 도 12는 본 발명에 따른 온도 코드 디코딩 방법을 보여주는 도면이다.FIG. 11 is a graph comparing periods of a first periodic signal and a second periodic signal according to temperature, and FIG. 12 is a diagram illustrating a method of decoding a temperature code according to the present invention.
먼저, 본 발명의 디지털 온도 정보 생성 원리를 설명하면 다음과 같다.First, the digital temperature information generation principle of the present invention will be described.
상기 제 1 주기 신호(OSC1)는 온도 별로 주기가 다르므로 펄스 발생 타이밍도 다르게 된다. 도 11는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)의 펄스 발생 타이밍을 온도 구간별로 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)와 매칭시킨 것이다. 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)는 온도와 상관없이 일정한 주기를 가지므로 상기 제 1 주기 신호(OSC1)의 펄스 발생 타이밍에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하여 그 값을 읽으면 도 12와 같은 값을 갖게 된다. 본 발명은 상술한 원리에 따라 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스 발생 타이밍에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하고 그 래치된 값을 디코딩하여 도 12와 같이, JEDEC 규격에 맞는 디지털 온도 정보로서 출력하도록 한 것이다. 상기 도 12에서 온도 범위는 JEDEC 규격은 아니며, 제조사 측에서 임의로 설정할 수 있는 값으로 일 예를 도시한 것이다.Since the period of the first periodic signal OSC1 is different for each temperature, a pulse generation timing is also different. FIG. 11 illustrates a timing of generating a pulse of the first period signal OSC1 with multiple division signals S1 to S64 dividing the second period signal OSC2 for each temperature section. Since the multiple divided signals S1 to S64 have a constant period regardless of temperature, the multiple divided signals S1 to S64 are latched at the pulse generation timing of the first periodic signal OSC1 to read the value. It will have the same value as The present invention latches the multiple frequency division signals S1 to S64 at the timing of the pulse generation of the first frequency division signal DIV1 in which the first period signal OSC1 is divided, and decodes the latched value. As shown in FIG. 12, the digital temperature information is output as digital temperature information conforming to the JEDEC standard. In FIG. 12, the temperature range is not a JEDEC standard, and shows an example as a value that can be arbitrarily set by the manufacturer.
도 13은 도 3의 출력 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 13 is a timing diagram for describing an operation of the output controller of FIG. 3.
제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 2의 제 1 주기 신호 발생부(100)가 동작하여 제 1 주기 신호(OSC1)를 출력하고, 제 2 주기 신호 발생부(300)가 동작하여 제 2 주기 신호(OSC2)를 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the first
상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면, 분주부(400)가 상기 제 1 주기 신호(OSC1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주하여 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the
도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생되기 이전에 반도체 집적회로의 초기 동작시 발생된 파워 업 신호(PWRUP)에 따라 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 초기화시킨다.The temperature sensing
상기 온도 감지 구간 신호(A)가 로우 레벨로 초기화된 구간 동안 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)를 생성한다.During the period in which the temperature sensing section signal A is initialized to a low level, the first transmission
상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)에 따라 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 입력이 차단되어 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받지 않는다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단되는 동안 래치(IV11, TIV12)는 계속 동작하여 이전의 출력 신호 레벨을 유지시킨다.In response to the first transfer control signal A1 = low level and A1B = high level, the first
상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)에 따라 도 6의 제 2 래치 회로부(561)는 도 3의 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력한다.According to the second transfer control signal A3 = low level, A3B = high level, the second
제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생됨에 따라 도 3의 다중 분주 신호 발생부(510)의 각 분주기(511)에서 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 이용한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)의 생성 동작이 개시된다.As the second reset signal TI_RST is generated, each of the
제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생됨에 따라 도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 하이 레벨로 활성화시킨다.As the second reset signal TI_RST is generated, the temperature sensing
상기 온도 감지 구간 신호(A)가 하이 레벨로 활성화된 구간 동안 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 2 전달 제어 신호(A3 = 하이 레벨, A3B = 로우 레벨)를 생성한다.The first transmission
상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)에 따라 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 입력이 계속 차단되어 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받지 않는다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단되는 동안 래치(IV11, TIV12)는 계속 동작하여 이전의 출력 신호 레벨을 유지시킨다.According to the first transfer control signal A1 = low level, A1B = high level, the first
상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 하이 레벨, A3B = 로우 레벨)에 따라 도 6의 제 2 래치 회로부(561)는 입력이 차단되어 현재 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 입력 받지 않고, 래치(IV21, TIV22)의 동작도 중지된다.According to the second transfer control signal (A3 = high level, A3B = low level), the second
상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 및 제 2 분주 주기 신호(DIV2)의 생성 동작이 개시된 이후 최초의 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 펄스 또는 최초의 제 2 분주 주기 신호(DIV2) 펄스가 발생됨에 따라 도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 비활성화시킨다.After the operation of generating the first division period signal DIV1 and the second division period signal DIV2 starts, the first first division period signal DIV1 pulse or the first second division period signal DIV2 pulse is generated. Accordingly, the temperature sensing
상기 온도 감지 구간 신호(A)가 로우 레벨로 비활성화되면 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 지연 소자(DLY1)에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)가 비활성화되는 타이밍에 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)를 생성한다.When the temperature sensing section signal A is deactivated to a low level, the first transfer
상기 지연 소자(DLY1)에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)의 펄스 폭 구간 동안 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받아 도 3의 제 1 디코더(540)로 출력한다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단된 후에는 도 5의 래치(IV11, TIV12)가 동작하여 이전의 출력 신호 레벨이 유지된다.During the pulse width section of the first transmission control signals A1 and A1B having the pulse width corresponding to the delay element DLY1, the first
도 3의 제 1 디코더(540)는 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 디코딩하여 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)로 출력한다. 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)는 상 기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값에 해당하는 온도범위의 코드만을 하이 레벨로 디코딩한 것이다. 예를 들어, 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값이 X/X/X/L/L/L/L, X/X/L/H/L/L/L 또는 L/L/H/H/L/L/L 중 하나라면 온도가 100℃ 이상이므로 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp100 만을 하이 레벨로 디코딩하고 나머지 값은 로우 레벨로 디코딩한다. 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값 중에서 X는 don't care, L은 로우 레벨, H는 하이 레벨을 의미한다.The
상기 도 3의 제 2 디코더(550)는 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)를 JEDEC 규격에 맞도록 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)로 디코딩하여 출력한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 예를 들어 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp85 만이 하이 레벨로 디코딩되어 있다면 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 '101' 로 디코딩한다. 또 다른 예를 들어, 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp75 만이 하이 레벨로 디코딩되어 있다면 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 '001' 로 디코딩한다.The
상기 도 5의 제 1 래치 회로부(531)가 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받는 동안 즉, 상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 하이 레벨, A1B = 로우 레벨)의 레벨이 유지되는 동안 도 3의 제 1 디코더(540) 및 제 2 디코더(550)를 통해 디코딩 동작이 이루어지고, 그에 따른 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)가 출력된다.While the first
상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)가 생성됨에 따라 도 6의 제 2 래치 회로(561)가 도 3의 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력한다. 상기 도 5의 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단된 구간 동안은 도 3의 제 1 디코더(540) 및 제 2 디코 더(550)의 입력 및 출력 레벨 천이가 발생하지 않으므로 전류 소모를 최소화할 수 있다.As the second transfer control signal (A3 = low level, A3B = high level) is generated, the
도 14 및 도 15는 온도 코드 디코딩 시뮬레이션의 결과를 보여주는 파형도,14 and 15 are waveform diagrams showing the results of the temperature code decoding simulation;
100℃ 온도에서의 실제 시뮬레이션 결과가 도 14에 도시되어 있다. 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 활성화된 이후 최초로 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스가 발생되는 시점에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치한 값이 L/L/H/H/L/L/L이며, 도 12의 100℃ 온도 구간에 정의된 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값과 동일함을 알 수 있다.The actual simulation results at 100 ° C. are shown in FIG. 14. After the second reset signal TI_RST is activated, the value of latching the multiple division signals S1 to S64 at the time when the first division period signal DIV1 is pulsed is L / L / H / H / L. It is / L / L, it can be seen that the same as the value of the multi-dividing signal (S1 ~ S64) defined in the 100 ℃ temperature section of FIG.
그리고 70℃ 온도에서의 시뮬레이션 결과가 도 15에 도시되어 있다. 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 활성화된 이후 최초로 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스가 발생되는 시점에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치한 값이 L/H/L/H/H/L/L이며, 도 12의 55℃ 이상 온도 구간에 정의된 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값인 X/X/X/H/H/L/L에 해당함을 알 수 있다.And the simulation result at 70 degreeC temperature is shown in FIG. After the second reset signal TI_RST is activated, the value of latching the multiple division signals S1 to S64 at the time when the first division period signal DIV1 is pulsed is L / H / L / H / H. It is / L / L, it can be seen that it corresponds to the X / X / X / H / H / L / L of the multi-dividing signal (S1 ~ S64) value defined in the temperature range of 55 ℃ or higher of FIG.
상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2) 값이 패드(DQ8 ~ DQ10)를 통해 디지털 온도 정보로서 반도체 집적회로 외부로 출력되면, 메모리 컨트롤러 예를 들어, GPU(Graphic Processing Unit)가 상기 디지털 온도 정보를 반도체 집적회로의 오토 리프레시 레이트(Auto Refresh Rate)를 정하는데 사용할 수 있다.When the temperature code DTI0 to DTI2 is output to the outside of the semiconductor integrated circuit as digital temperature information through the pads DQ8 to DQ10, a memory controller, for example, a GPU (Graphic Processing Unit) may integrate the digital temperature information into the semiconductor integrated circuit. It can be used to set the auto refresh rate of the circuit.
상술한 본 발명은 온도 감지 구간 즉, 온도 감지 구간 신호(A)가 활성화된 구간 동안 도 3의 분주신호 래치부(530)의 입력을 차단하여 제 1 및 제 2 디코더(540, 550)의 입력 레벨이 천이되지 않도록 하고, 온도 감지가 종료된 후 소정 시간 동안만 분주신호 래치부(530)의 입력을 개방하여 제 1 및 제 2 디코더(540, 550)를 동작시킨다. 또한 온도 감지 구간 동안 도 3의 온도 코드 래치부(560)의 입력을 차단하였다. 이와 같은 방식에 의해 순간적인 입력신호의 천이로 인한 글리치(Glitch)와 같은 노이즈 성분이 디지털 온도 정보 생성 과정에 포함되어 잘못된 디지털 온도 정보가 출력되지 않도록 한 것이다.According to the present invention, the input of the first and
도 16은 본 발명에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 그래프이다.16 is a temperature / cycle graph of a self refresh signal according to the present invention.
이하, 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 리프레시 주기 신호 발생 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of generating a refresh cycle signal of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention will be described.
본 발명 실시예의 동작 방식은 특정 온도 예를 들어, 37℃ 이하[반도체 회로 기술에서 통상 실온(Room Temperature) 또는 저온(Cold Temperature) 이라 칭함]의 온도 조건에서 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기가 너무 길어지는 것을 방지하는 것을 최우선으로 함과 동시에, 38℃ 이상의 온도 조건에서는 효율적인 셀프 리프레시 동작을 위해 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기를 가변시킬 수 있도록 하는 것이다.The operating mode of the embodiment of the present invention is such that the period of the refresh period signal PSRF is too high at a specific temperature, for example, 37 ° C. or less (commonly referred to as room temperature or cold temperature in semiconductor circuit technology). It is a priority to prevent the elongation and to change the period of the refresh cycle signal PSRF for efficient self refresh operation at a temperature of 38 ° C. or higher.
먼저, 온도가 37℃ 보다 높은 경우 예를 들어, 90℃즉, 반도체 회로기술에서 통상적으로 고온(Hot Temperature)이라 칭하는 경우의 본 발명의 동작에 대하여 설명한다.First, the operation of the present invention when the temperature is higher than 37 ° C., for example, at 90 ° C., that is, commonly referred to as hot temperature in semiconductor circuit technology, will be described.
상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 8의 제 1 논리 회로부(611)는 상기 비교 신호(C, D)를 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력한다. 상기 제 2 논리 회로부(612)는 상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생함에 따라 전치 제어 신 호(COLD_EN_PRE)를 로우 레벨로 출력한다. 상기 비교 신호(C, D)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨이므로 상기 로우 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)를 통과하여 제 2 래치(622)에 래치된다.When the first reset signal RST is generated, the
현재 온도가 온도가 90℃ 이므로 도 16에 도시된 바와 같이, 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기가 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기에 비해 짧다. 즉, 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 펄스가 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 비해 먼저 발생된다.Since the current temperature is 90 ° C., as shown in FIG. 16, the period of the third division period signal DIV3 is shorter than the period of the fourth division period signal DIV4. That is, the pulse of the third division period signal DIV3 is generated before the fourth division period signal DIV4.
따라서 상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생된 이후 상기 제 1 논리 회로부(611)의 제 2 트랜지스터(M32)가 턴 온 되어 상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이된다.Therefore, after the first reset signal RST is generated, the second transistor M32 of the first
상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이되므로 상기 제 2 논리 회로부(612)의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)를 통과하여 제 3 래치(623)에 래치되고 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 출력된다.Since the comparison signals C and D transition to the low level and the high level, respectively, the pre-control signal COLD_EN_PRE of the second
상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 출력되므로 도 9의 주기 신호 선택부(630)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 통과시켜 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력한다.Since the control signals COLD_EN and COLD_ENB are output at a low level and a high level, respectively, the
한편, 온도가 37℃ 보다 낮은 저온(Cold Temperature) 조건 예를 들어, 30℃인 경우의 본 발명의 동작에 대하여 설명한다.On the other hand, the operation of the present invention in the case where the temperature is a cold temperature condition lower than 37 ° C, for example, 30 ° C will be described.
상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 8의 제 1 논리 회로부(611)는 상기 비교 신호(C, D)를 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the
현재 온도가 온도가 30℃ 이므로 도 16에 도시된 바와 같이, 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기가 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기에 비해 짧다. 즉, 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 펄스가 제 3 분주 주기 신호(DIV3)에 비해 먼저 발생된다.As the current temperature is 30 ° C., as shown in FIG. 16, the period of the fourth division period signal DIV4 is shorter than the period of the third division period signal DIV3. That is, the pulse of the fourth division period signal DIV4 is generated before the third division period signal DIV3.
따라서 제 2 논리 회로부(612)의 제 5 트랜지스터(M35)가 턴 온 되어 상기 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 하이 레벨로 천이된다. 상기 비교 신호(C, D)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨이므로 상기 하이 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)를 통과하여 제 2 래치(622)에 래치된다.Accordingly, the fifth transistor M35 of the second
상기 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 하이 레벨로 천이되고 상기 제 1 논리 회로부(611)의 제 2 지연 소자(DLY32)의 지연 시간 경과 후 제 3 트랜지스터(M33)가 턴 온 되어 상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이된다.The pre-control signal COLD_EN_PRE transitions to a high level, and after the delay time of the second delay element DLY32 of the first
상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이되므로 상기 하이 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)를 통과하여 제 3 래치(623)에 래치되고 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력된다.Since the comparison signals C and D transition to the low level and the high level, respectively, the high level pre-control signal COLD_EN_PRE is passed through the second tree state inverter TSIV32 to be latched to the
상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력되므로 도 9의 주기 신호 선택부(630)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 통과시켜 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력한다.Since the control signals COLD_EN and COLD_ENB are output at a high level and a low level, respectively, the
본 발명은 도 16에 도시된 바와 같이, 특정 온도(37℃)를 기준으로 고온 조건(37℃ 이상인 경우)과 저온 조건(37℃ 미만인 경우)으로 구분하여, 각각 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로 출력한다.As shown in FIG. 16, the third division period signal DIV3 is divided into a high temperature condition (when the temperature is higher than 37 ° C.) and a low temperature condition (when the temperature is lower than 37 ° C.) based on a specific temperature (37 ° C.). And the fourth divided period signal DIV4 are output as the refresh period signal PSRF.
따라서 본 발명은 고온 조건에서는 온도에 따라 주기가 가변되는 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 이용하여 효율적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 하고, 저온 조건에서는 고정된 주기를 갖는 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로 이용하여 셀프 리프레시 주기가 너무 길어지는 것을 방지하여 안정적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 한다.Therefore, the present invention enables efficient self-refresh operation by using the third frequency division signal DIV3 whose period varies with temperature in the high temperature condition as the refresh period signal PSRF, and has a fixed period in the low temperature condition. By using the four-division cycle signal DIV4 as the refresh cycle signal PSRF, the self-refresh cycle is prevented from becoming too long, thereby enabling stable self-refresh operation.
도 17은 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화되지 않은 경우의 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이고, 도 18은 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화된 경우의 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이다.17 is a timing diagram of an output signal of the operation timing controller of FIG. 2 when the self refresh signal SREF is not activated, and FIG. 18 is a timing diagram of the operation timing controller of FIG. 2 when the self refresh signal SREF is activated. This is a timing chart of the output signal.
이하, 본 발명의 동작 타이밍 제어부(700)에서 타이밍 신호들 즉, 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 생성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of generating timing signals, that is, a first reset signal RST, a second reset signal TI_RST, an enable signal LTCSR_EN, and an operation interval signal SERF_TDET in the
먼저, 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화되지 않은 경우, 도 17에 도시된 바와 같이, 파워 업 신호(PWRUP)가 발생된 시점부터 제 2 시프트 신호(PSRF_10)가 발생된 구간에 해당하는 활성화 구간을 갖도록 동작 구간 신호(SERF_TDET)가 생성된다.First, when the self refresh signal SREF is not activated, as shown in FIG. 17, the activation period corresponding to the period in which the second shift signal PSRF_10 is generated from the time when the power-up signal PWRUP is generated is shown. The operation section signal SERF_TDET is generated.
상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 시작시점에 인에이블 신호(LTCSR_EN)가 발생된다.An enable signal LTCSR_EN is generated at the start of activation of the operation section signal SERF_TDET.
상기 파워 업 신호(PWRUP)의 발생 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 제 1 리셋 신호(RST)가 발생 된다.The first reset signal RST is generated every time when the power-up signal PWRUP is generated, when the fifth frequency division signal DIV5 is generated, or when the first shift signal PSRF_6 is generated.
상기 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생시점에 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생된다.The second reset signal TI_RST is generated when the first shift signal PSRF_6 is generated.
다음으로, 온도 검출이 시작된 이후 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화된 경우, 도 18에 도시된 바와 같이, 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 기 활성화된 상태를 유지하게 된다.Next, when the self-refresh signal SREF is activated after the temperature detection is started, as shown in FIG. 18, the operation section signal SERF_TDET is maintained in a pre-activated state.
상기 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 시작시점에 인에이블 신호(LTCSR_EN)가 발생된다.An enable signal LTCSR_EN is generated at the start of activation of the self refresh signal SREF.
상기 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 시작 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 제 1 리셋 신호(RST)가 발생된다.The first reset signal RST is generated every time the start of activation of the self-refresh signal SREF, the generation time of the fifth frequency division signal DIV5, or the generation time of the first shift signal PSRF_6.
상기 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생시점에 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생된다.The second reset signal TI_RST is generated when the first shift signal PSRF_6 is generated.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above should be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. Should be. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.
도 1은 도 1은 종래의 기술에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 출력 그래프,1 is a temperature / cycle output graph of a self-refresh signal according to the prior art,
도 2는 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 블록도,2 is a block diagram of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function according to the present invention;
도 3은 도 2의 온도 정보 발생부의 구성을 나타낸 블록도,3 is a block diagram illustrating a configuration of a temperature information generation unit of FIG. 2;
도 4는 도 3의 출력 제어부의 회로도,4 is a circuit diagram of an output control unit of FIG. 3;
도 5는 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도,5 is a circuit diagram of a first latch circuit of FIG. 3;
도 6은 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도,6 is a circuit diagram of a first latch circuit of FIG. 3;
도 7은 도 2의 리프레시 신호 발생부의 구성을 나타낸 블록도,7 is a block diagram illustrating a configuration of a refresh signal generation unit of FIG. 2;
도 8은 도 7의 주기 비교부의 회로도,8 is a circuit diagram of a period comparator of FIG. 7;
도 9는 도 7의 주기 신호 선택부의 회로도,9 is a circuit diagram of a periodic signal selector of FIG. 7;
도 10은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 회로도,10 is a circuit diagram of an operation timing controller of FIG. 2;
도 11은 온도에 따른 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호의 주기 비교 그래프,11 is a graph comparing periods between a first period signal and a second period signal according to temperature;
도 12는 본 발명에 따른 온도 코드 디코딩 방법을 보여주는 도면,12 is a view showing a temperature code decoding method according to the present invention;
도 13은 도 3의 출력 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도,FIG. 13 is a timing diagram for describing an operation of an output controller of FIG. 3.
도 14 및 도 15는 온도 코드 디코딩 시뮬레이션의 결과를 보여주는 파형도,14 and 15 are waveform diagrams showing the results of the temperature code decoding simulation;
도 16은 본 발명에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 그래프이고,16 is a temperature / period graph of a self refresh signal according to the present invention;
도 17 및 도 18은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이다.17 and 18 are timing diagrams of output signals of the operation timing controller of FIG. 2.
Claims (41)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080038032A KR100920842B1 (en) | 2008-04-24 | 2008-04-24 | Refresh period signal generator with digital temperature information generation |
US12/334,308 US7859931B2 (en) | 2007-12-14 | 2008-12-12 | Refresh period signal generator with digital temperature information generation function |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080038032A KR100920842B1 (en) | 2008-04-24 | 2008-04-24 | Refresh period signal generator with digital temperature information generation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100920842B1 true KR100920842B1 (en) | 2009-10-14 |
Family
ID=41561805
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080038032A KR100920842B1 (en) | 2007-12-14 | 2008-04-24 | Refresh period signal generator with digital temperature information generation |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100920842B1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150095495A (en) * | 2014-02-13 | 2015-08-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Semiconductor device comprising period signal generation circuit and semiconductor system using the same |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030050349A (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Circuit for reducing current consumption of self refresh and method thereof |
KR20070118359A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | Apparatus and method for controlling refresh of semiconductor memory |
KR20080003025A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Self-refresh control circuit for semiconductor memory device |
KR20080030358A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor memory device with self-refresh-period generator and there for operation method |
-
2008
- 2008-04-24 KR KR1020080038032A patent/KR100920842B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030050349A (en) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | Circuit for reducing current consumption of self refresh and method thereof |
KR20070118359A (en) * | 2006-06-12 | 2007-12-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | Apparatus and method for controlling refresh of semiconductor memory |
KR20080003025A (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Self-refresh control circuit for semiconductor memory device |
KR20080030358A (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | Semiconductor memory device with self-refresh-period generator and there for operation method |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150095495A (en) * | 2014-02-13 | 2015-08-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Semiconductor device comprising period signal generation circuit and semiconductor system using the same |
KR102193790B1 (en) * | 2014-02-13 | 2020-12-21 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Semiconductor device comprising period signal generation circuit and semiconductor system using the same |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7859931B2 (en) | Refresh period signal generator with digital temperature information generation function | |
US7248527B2 (en) | Self refresh period control circuits | |
KR100880925B1 (en) | Period signal generator of semiconductor integrated circuit | |
US8547759B2 (en) | Semiconductor device performing refresh operation | |
US7123536B2 (en) | Voltage generation control circuit in semiconductor memory device, circuit using the same and method thereof | |
US8111575B2 (en) | Semiconductor device | |
US7636269B2 (en) | Semiconductor memory device performing self refresh operation | |
US6292420B1 (en) | Method and device for automatically performing refresh operation in semiconductor memory device | |
JP2013183415A (en) | Semiconductor device and method of adjusting phase of clock signal | |
US20030111676A1 (en) | Circuit for controlling an AC-timing parameter of a semiconductor memory device and method thereof | |
KR100920842B1 (en) | Refresh period signal generator with digital temperature information generation | |
US7145826B2 (en) | Device for controlling temperature compensated self-refresh period | |
US8220992B2 (en) | Digital temperature information generating apparatus for semiconductor integrated circuit | |
US7167948B2 (en) | Semiconductor memory device | |
US6654302B2 (en) | Semiconductor memory device with a self refresh mode | |
US7623402B2 (en) | Semiconductor memory device operating a self refreshing and an auto refreshing | |
US5905392A (en) | Auto-refresh control circuit for semiconductor device | |
US9875778B2 (en) | Semiconductor device including a clock adjustment circuit | |
CN1527484B (en) | Integrated circuit memory device and method for controlling delay locking ring circuit | |
KR20090063374A (en) | Digital temperature information generator of semiconductor integrated circuit | |
US7751271B2 (en) | Semiconductor memory device | |
KR101003120B1 (en) | Digital temperature information generator of semiconductor integrated circuit | |
CN110931067A (en) | Memory performing refresh operation and method of operating the same | |
JP2002313080A (en) | Semiconductor memory | |
US20240355376A1 (en) | Pre-charge control circuit and voltage generation circuit including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120824 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130822 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140822 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150824 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160822 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170824 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180822 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190826 Year of fee payment: 11 |