KR100920842B1 - Refresh period signal generator with digital temperature information generation - Google Patents

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송호욱
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Abstract

PURPOSE: A refresh period signal generator having a digital temperature information generating function is provided to expand an application range of a semiconductor integrated circuit by rapidly coping with a technology change related to a semiconductor integrated circuit. CONSTITUTION: A refresh period signal generator includes a temperature information generating part(500), a refresh period signal generating part(600), and an operation timing control part(700). The temperature information generating part generates temperature information using a first period signal and a second period signal. The refresh period signal generating part compares the first period signal with the second period signal. The refresh period signal generating part selects and outputs a signal having a short period as a period signal. The operation timing control part operates the temperature information generating part and the refresh period signal generating part during a predetermined timing.

Description

디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치{REFRESH PERIOD SIGNAL GENERATOR WITH DIGITAL TEMPERATURE INFORMATION GENERATION}Refresh cycle signal generator with digital temperature information generation {REFRESH PERIOD SIGNAL GENERATOR WITH DIGITAL TEMPERATURE INFORMATION GENERATION}

본 발명은 주기 신호 발생 장치에 관한 것으로서, 특히 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a periodic signal generator, and more particularly, to a refresh periodic signal generator having a digital temperature information generating function.

반도체 집적 회로의 대표적인 예로서, 반도체 기억 장치는 메모리 셀에 데이터를 기록하거나, 상기 메모리 셀에 기록된 데이터를 외부로 출력하는 장치이다.As a representative example of a semiconductor integrated circuit, a semiconductor memory device is a device that writes data in a memory cell or outputs data written in the memory cell to the outside.

상기 반도체 기억 장치는 메모리 셀에 기록된 데이터의 손실을 방지하기 위해 필수적으로 수행되어야 하는 리프레시(Refresh) 라는 동작 모드를 구비하고 있다.The semiconductor memory device has an operation mode called refresh which must be performed in order to prevent loss of data written in the memory cell.

상기 리프레시는 반도체 기억 장치 내부에서 자체적으로 수행하는 셀프 리프레시(Self Refresh)와 반도체 기억 장치 외부의 명령에 따라 수행하는 오토 리프레시(Auto Refresh)로 구분할 수 있다.The refresh may be classified into a self refresh performed in the semiconductor memory device itself and an auto refresh performed according to a command external to the semiconductor memory device.

상기 오토 리프레시는 반도체 기억 장치 외부에서 명령이 입력되는 경우에만 수행되는 한편, 셀프 리프레시는 반도체 기억 장치 내부에서 주기적으로 수행된다.The auto refresh is performed only when a command is input from the outside of the semiconductor memory device, while the self refresh is periodically performed inside the semiconductor memory device.

따라서 반도체 기억 장치는 셀프 리프레시 동작의 타이밍을 정하기 위한 주 기 신호를 필요로 한다.Therefore, the semiconductor memory device needs a periodic signal for determining the timing of the self refresh operation.

상기 주기 신호를 리프레시 신호라 하며, 반도체 기억 장치 내부에서 생성하여 사용한다.The periodic signal is called a refresh signal and is generated and used in the semiconductor memory device.

상기 셀프 리프레시 동작의 효율을 높이기 위해 주변 온도에 따라 상기 리프레시 신호의 주기를 가변시키는 기술이 적용되고 있으며, 이를 위해 TCSR 오실레이터(Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)라는 장치가 사용되고 있다.In order to increase the efficiency of the self-refresh operation, a technique of varying the period of the refresh signal according to the ambient temperature is applied. To this end, a device called a TCSR oscillator (Temperature Compensated Self Refresh Oscillator) is used.

도 1은 종래의 기술에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 출력 그래프이다.1 is a temperature / cycle output graph of a self refresh signal according to the related art.

상기 TCSR 오실레이터는 도 1과 같이, 온도가 낮아짐에 따라 펄스 신호의 주기를 증가시켜 생성하며, 이와 같이 생성된 펄스 신호를 반도체 기억 장치가 상기 리프레시 신호로서 사용하고 있다.As shown in FIG. 1, the TCSR oscillator increases the period of the pulse signal as the temperature decreases, and the semiconductor memory device uses the generated pulse signal as the refresh signal.

상기 TCSR 오실레이터는 리프레시 신호의 주기 가변을 통해 효율적인 셀프 리프레시 동작이 가능하도록 하는 장점을 가지고 있다.The TCSR oscillator has an advantage of enabling efficient self refresh operation by varying the period of the refresh signal.

그러나 상기 TCSR 오실레이터는 도 1에 도시된 바와 같이, 특정 온도 예를 들어, 37℃ 이하[반도체 회로 기술에서 통상 실온(Room Temperature) 또는 저온(Cold Temperature) 이라 칭함] 에서는 지나치게 주기가 증가된 리프레시 신호를 생성하여 셀프 리프레시 동작 자체가 이루어지지 못하는 심각한 오류를 유발할 수 있다.However, as shown in Fig. 1, the TCSR oscillator is a refresh signal with an excessively increased period at a certain temperature, for example, 37 ° C. or lower (commonly referred to as room temperature or cold temperature in semiconductor circuit technology). This can cause a serious error that prevents the self-refresh operation itself.

상기 오토 리프레시 동작 또한 주변 온도에 따라 오토 리프레시 신호의 주기를 가변시키는 기술 적용을 위해 반도체 기억장치 주변의 온도 정보를 필요로 하고 있으며, Mobile DRAM 관련 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 규격에는 DRAM의 패드(DQ8 ~ DQ10)를 통해 출력되는 온도 정보에 따른 리프레시 레이트(Refresh Rate)가 정의되어 있다.The auto refresh operation also requires temperature information around the semiconductor memory device in order to apply the technology of varying the cycle of the auto refresh signal according to the ambient temperature.The JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council) standard related to mobile DRAM requires DRAM pads. The refresh rate according to the temperature information output through the DQ8 to DQ10 is defined.

그러나 현재까지는 반도체 집적회로 측에서 상기 온도 정보를 제공하기 위한 하드웨어 및 소프트웨어의 구체적인 개발이 이루어지지 않고 있다.However, the development of hardware and software for providing the temperature information on the semiconductor integrated circuit side has not been made until now.

본 발명은 효율적이고 안정적인 리프레시 동작을 위해 리프레시 신호의 주기를 제어할 수 있도록 함과 동시에, 디지털 형태의 온도 정보를 생성하여 반도체 집적회로 외부로 출력할 수 있도록 한 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치를 제공함에 그 목적이 있다.The present invention provides a refresh cycle having a digital temperature information generation function capable of controlling the cycle of the refresh signal for efficient and stable refresh operation, and generating digital temperature information and outputting it to the outside of the semiconductor integrated circuit. The object is to provide a signal generator.

본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 비교하여 그들 중 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 정해진 타이밍에 맞도록 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비함을 특징으로 한다.A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention comprises: a temperature information generator for generating temperature information using a first cycle signal and a second cycle signal; A refresh period signal generator for comparing the first period signal with the second period signal, selecting a signal having a short period among them, and outputting the selected signal as a refresh period signal; And an operation timing controller configured to operate the temperature information generator and the refresh cycle signal generator to match a predetermined timing.

본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 온도에 따라 주기가 가변되는 제 1 주기 신호를 발생시키는 제 1 주기 신호 발생부; 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 제 2 주기 신호를 발생시키는 제 2 주기 신호 발생부; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 정해진 복수개의 분주비로 분주하여 제 1 내지 제 4 분주 주기 신호를 출력하는 분주부; 상기 제 1 분주 주기 신호와 상기 제 2 분주 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부; 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호 중 에서 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 서로 다른 타이밍에 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비함을 다른 특징으로 한다.A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention comprises: a first cycle signal generator for generating a first cycle signal whose cycle varies according to temperature; A second periodic signal generator for generating a second periodic signal having a constant period regardless of temperature; A divider which divides the first period signal and the second period signal at a plurality of predetermined division ratios and outputs first to fourth division period signals; A temperature information generator configured to generate temperature information by using the first frequency division signal and the second frequency division signal; A refresh period signal generator which selects a signal having a short period from among the third division period signal and the fourth division period signal and outputs it as a refresh period signal; And an operation timing controller for operating the temperature information generator and the refresh cycle signal generator at different timings.

본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 다음과 같은 효과가 있다.The refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention has the following effects.

첫째, 디지털 형태의 온도 정보를 자체적으로 생성하여 외부에서 사용 가능한 형식으로 출력할 수 있으므로 반도체 집적회로 관련 기술변화에 신속하게 대응하여 반도체 집적회로의 활용범위를 확대시킬 수 있다. 또한 장치 내부의 회로 구성을 통해 잘못된 온도 정보의 생성을 방지할 수 있으므로 온도 정보의 신뢰성을 향상시킬 수 있으며, 온도 정보 디코딩 동작이 최소의 시간 동안 만 이루어지도록 하여 전류 소비도 최소화할 수 있다.First, since digital temperature information can be generated by itself and output in a format that can be used externally, it is possible to rapidly respond to technological changes related to semiconductor integrated circuits and to expand the scope of use of semiconductor integrated circuits. In addition, the circuit configuration inside the device can prevent the generation of wrong temperature information, thereby improving the reliability of the temperature information, and minimize the current consumption by ensuring that the temperature information decoding operation is performed for a minimum time.

둘째, 온도 조건에 따라 주기를 가변 할 수 있음은 물론이고, 특정 온도 이하에서 주기가 지나치게 증가되는 것을 방지하므로 효율적이고 안정적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 하고, 나아가서는 반도체 집적회로의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.Second, the period can be varied according to the temperature condition, and the cycle can be prevented from being excessively increased below a certain temperature, thereby enabling efficient and stable self-refreshing operation and further improving the reliability of the semiconductor integrated circuit. have.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 바람직한 실시예를 설명하면 다음과 같 다.Hereinafter, a preferred embodiment of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 블록도이다.2 is a block diagram of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function according to the present invention.

본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치는 도 2에 도시된 바와 같이, 제 1 주기 신호 발생부(100), 제 2 주기 신호 발생부(300), 분주부(400), 온도 정보 발생부(500), 리프레시 주기 신호 발생부(600) 및 동작 타이밍 제어부(700)를 구비한다.As shown in FIG. 2, the refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention includes a first cycle signal generator 100, a second cycle signal generator 300, and a divider 400. And a temperature information generator 500, a refresh cycle signal generator 600, and an operation timing controller 700.

상기 제 1 주기 신호 발생부(100)는 제 1 리셋 신호(RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 입력받아 온도에 따라 주기가 가변되는 제 1 주기 신호(OSC1)를 발생하도록 구성된다. 상기 제 1 주기 신호 발생부(100)는 TCSR 오실레이터(Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)로 구성할 수 있다.The first periodic signal generator 100 receives a first reset signal RST, an enable signal LTCSR_EN, and an operation section signal SERF_TDET, and receives a first periodic signal OSC1 whose period varies depending on temperature. Configured to occur. The first periodic signal generator 100 may be configured as a TCSR oscillator (Temperature Compensated Self Refresh Oscillator).

상기 제 2 주기 신호 발생부(300)는 상기 제 1 리셋 신호(RST) 및 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 입력받아 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 제 2 주기 신호(OSC2)를 발생하도록 구성된다. 상기 제 2 주기 신호 발생부(300)는 EMRS(Extended Mode Register Set) 오실레이터로 구성할 수 있다.The second periodic signal generator 300 is configured to receive the first reset signal RST and the operation section signal SERF_TDET and generate a second periodic signal OSC2 having a constant period regardless of temperature. . The second periodic signal generator 300 may be configured as an extended mode register set (EMRS) oscillator.

상기 분주부(400)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 기설정된 복수개의 분주비(예를 들어, 2 분주, 4 분주, 8 분주, ..., 4096 분주)중에서 선택된 분주비로 분주하여 제 1 내지 제 5 분주 주기 신호(DIV1 ~ DIV5)를 출력하도록 구성된다. 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1) 를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 40㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주 하여 생성하며, 예를 들어, 160㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 20㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주하여 생성하며, 예를 들어, 80㎲의 주기를 가질 수 있다. 상기 제 5 분주 주기 신호(DIV5)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2) 또는 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 분주하여 생성할 수 있으며, 예를 들어, 320㎳의 주기를 가질 수 있다.The division unit 400 divides the first period signal OSC1 and the second period signal OSC2 into a plurality of preset division ratios (for example, two divisions, four divisions, eight divisions, ..., 4096 divisions). Is divided into a division ratio selected from the plurality of to output the first to fifth division period signal (DIV1 ~ DIV5). The first division period signal DIV1 is generated by dividing the first period signal OSC1 and may have, for example, a period of 40 ms. The second divided period signal DIV2 is generated by dividing the second period signal OSC2, and may have a period of 160 ms, for example. The third divided period signal DIV3 is generated by dividing the first period signal OSC1 and may have, for example, a period of 20 ms. The fourth divided period signal DIV4 is generated by dividing the second period signal OSC2 and may have, for example, a period of 80 ms. The fifth divided period signal DIV5 may be generated by dividing the second divided signal OSC2 or the fourth divided period signal DIV4, and may have a period of 320 ms, for example.

도 3은 도 2의 온도 정보 발생부의 구성을 나타낸 블록도이다.3 is a block diagram illustrating a configuration of the temperature information generator of FIG. 2.

상기 온도 정보 발생부(500)는 도 3에 도시된 바와 같이, 다중 분주 신호 발생부(510), 출력 제어부(520), 분주신호 래치부(530), 제 1 디코더(540), 제 2 디코더(550) 및 온도 코드 래치부(560)를 구비한다.As shown in FIG. 3, the temperature information generator 500 includes a multi-division signal generator 510, an output controller 520, a divided signal latch unit 530, a first decoder 540, and a second decoder. 550 and a temperature code latch portion 560.

상기 다중 분주 신호 발생부(510)는 제 1 주기 신호(OSC1)의 천이 타이밍에따라 제 2 주기 신호(OSC2)를 다중 분주한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치 및 디코딩하여 온도 정보를 생성하도록 구성된다.The multiple divided signal generator 510 generates temperature information by latching and decoding the multiple divided signals S1 to S64 multi-divided with the second periodic signal OSC2 according to the transition timing of the first periodic signal OSC1. It is configured to.

상기 다중 분주 신호 발생부(510)는 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 입력받아 정해진 분주비(X2)로 순차적으로 분주하여 출력하는 복수개의 분주기(511)를 구비한다. 상기 복수개의 분주기(511)는 동일하게 구성할 수 있다.The multiple frequency division generator 510 includes a plurality of frequency division units 511 that receive the second period signal OSC2 and sequentially divide and output the second frequency signal OSC2 at a predetermined division ratio X2. The plurality of dividers 511 may be configured in the same manner.

상기 출력 제어부(520)는 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1), 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2), 파워 업 신호(PWRUP) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 따라 제 1 전 달 제어 신호(A1, A1B) 및 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The output controller 520 may generate a first transfer control signal according to the first divided cycle signal DIV1, the second divided cycle signal DIV2, the power up signal PWRUP, and the second reset signal TI_RST. A1, A1B and second transfer control signals A3, A3B.

상기 분주신호 래치부(530)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하도록 구성된다. 상기 분주신호 래치부(530)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 공통 입력 받고, 상기 복수개의 분주기(511)에서 출력된 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받는 복수개의 제 1 래치 회로부(531)를 구비한다. 상기 복수개의 제 1 래치 회로부(531)는 동일하게 구성할 수 있다.The divided signal latch unit 530 is configured to latch the multiple divided signals S1 to S64 according to the first transfer control signals A1 and A1B. The divided signal latch unit 530 receives the first transfer control signals A1 and A1B in common and receives a plurality of divided signals S1 to S64 output from the plurality of dividers 511. One latch circuit portion 531 is provided. The plurality of first latch circuits 531 may be configured in the same manner.

상기 제 1 디코더(540)는 상기 분주신호 래치부에 래치된 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 온도를 정의하는 디지털 형식의 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)로 디코딩 하도록 구성된다.The first decoder 540 is configured to decode the multiple divided signals S1 to S64 latched in the divided signal latch unit into preliminary codes Temp100 to Temp55L of a digital type defining temperature.

상기 제 2 디코더(550)는 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)를 반도체 메모리 규격에 맞는 즉, JEDEC 규격에 따른 디지털 형식의 3비트의 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)로 디코딩하여 출력하도록 구성된다.The second decoder 550 is configured to decode and output the preliminary codes Temp100 to Temp55L into three-bit temperature codes DTI0 to DTI2 that conform to the semiconductor memory standard, that is, the digital format according to the JEDEC standard.

상기 온도 코드 래치부(560)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력하도록 구성된다. 상기 온도 코드 래치부(560)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 공통 입력 받고, 상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 입력 받는 복수개의 제 2 래치 회로부(561)를 구비한다. 상기 복수개의 제 2 래치 회로부(561)는 동일하게 구성할 수 있다.The temperature code latch unit 560 is configured to latch the temperature codes DTI0 to DTI2 according to the second transfer control signals A3 and A3B and output them to the pads DQ8 to DQ10. The temperature code latch unit 560 includes a plurality of second latch circuit units 561 that receive the second transfer control signals A3 and A3B in common and receive the temperature codes DTI0 to DTI2. The plurality of second latch circuit units 561 may be configured in the same manner.

도 4는 도 3의 출력 제어부의 회로도이다.4 is a circuit diagram of an output control unit of FIG. 3.

상기 출력 제어부(520)는 도 4에 도시된 바와 같이, 온도 감지 구간 신호 발생부(521), 제 1 전달 제어 신호 발생부(522) 및 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)를 구비한다.As illustrated in FIG. 4, the output control unit 520 includes a temperature sensing section signal generator 521, a first transfer control signal generator 522, and a second transfer control signal generator 523.

상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1), 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2), 파워 업 신호(PWRUP) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 따라 온도 감지 구간 신호(A)를 생성하도록 구성된다.The temperature sensing section signal generator 521 may sense the temperature sensing section according to the first division period signal DIV1, the second division period signal DIV2, a power up signal PWRUP, and a second reset signal TI_RST. And generate signal A.

상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 복수개의 인버터(IVI ~ IV3), 복수개의 트랜지스터(M1 ~ M4) 및 래치(521-1)를 구비한다. 상기 트랜지스터(M1)는 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)에 응답하여 온도 감지 구간 신호(A)를 하이 레벨로 활성화 시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV1) 및 트랜지스터(M2)는 파워 업 신호(PWRUP)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 초기화시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV2) 및 트랜지스터(M3)는 제 1 분주 주기 신호(DIV1)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 비활성화 시키도록 구성된다. 상기 인버터(IV3) 및 트랜지스터(M4)는 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 비활성화 시키도록 구성된다. 상기 래치(521-1)는 상기 복수개의 트랜지스터(M1 ~ M4)의 드레인과 공통 연결되어 상기 온도 감지 구간 신호(A)의 레벨을 유지시키도록 구성된다.The temperature sensing section signal generator 521 includes a plurality of inverters IVI to IV3, a plurality of transistors M1 to M4, and a latch 521-1. The transistor M1 is configured to activate the temperature sensing section signal A to a high level in response to the second reset signal TI_RST. The inverter IV1 and the transistor M2 are configured to initialize the temperature sensing section signal A to a low level in response to a power up signal PWRUP. The inverter IV2 and the transistor M3 are configured to deactivate the temperature sensing period signal A in response to a first division period signal DIV1. The inverter IV3 and the transistor M4 are configured to deactivate the temperature sensing section signal A in response to the second division period signal DIV2. The latch 521-1 is configured to be commonly connected to drains of the plurality of transistors M1 to M4 to maintain the level of the temperature sensing section signal A.

상기 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 제 2 분주 주기 신호(DIV2) 없이 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 하나만으로도 동작이 가능하다. 상기 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 추가적으로 이용하는 이유는 다음과 같다. 상기 제 1 주기 신 호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)를 셀프 리프레시 주기를 정하는 기준으로 사용할 경우, 특정 온도(예를 들어, 37℃) 이하에서는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)가 무한대로 증가하여 리프레시 불량을 초래할 수 있다. 따라서 온도가 37℃ 이하로 되는 경우에 대비하기 위하여 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 입력 받는 회로 구성을 추가하여 콜드 스토퍼(Cold Stopper) 기능을 구현하였다. 또한 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 제 2 분주 주기 신호(DIV2)를 사용하는 이유는 분주 비율이 커질수록 온도 감지 성능이 향상되기 때문이다.The temperature sensing period signal generator 521 may operate with only one first division period signal DIV1 without the second division period signal DIV2. The reason why the second divided period signal DIV2 is additionally used is as follows. When using the first division period signal DIV1 in which the first period signal OSC1 is divided as a reference for determining a self refresh period, the first period signal OSC1 is below a specific temperature (for example, 37 ° C.). ) May increase to infinity, resulting in a refresh failure. Accordingly, in order to prepare for the case where the temperature is lower than 37 ° C, a cold stopper function is implemented by adding a circuit configuration that receives the second division period signal DIV2 in which the second period signal OSC2 is divided. In addition, the reason why the first division period signal DIV1 in which the first period signal OSC1 is divided and the second division period signal DIV2 in which the second period signal OSC2 is divided is used. This is because performance is improved.

상기 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)에 따라 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하도록 구성된다.The first transfer control signal generator 522 is configured to generate the first transfer control signals A1 and A1B according to the temperature sensing interval signal A.

상기 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 복수개의 인버터(IV6 ~ IV8), 지연 소자(DLY1) 및 노아 게이트(NR1)로 이루어진 펄스 발생회로를 구비하여, 상기 온도 감지 구간 신호(A)가 비활성화되는 시점에 상기 지연 소자(DLY1)의 지연 시간에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하도록 구성된다.The first transfer control signal generator 522 includes a pulse generation circuit including a plurality of inverters IV6 to IV8, a delay element DLY1, and a noah gate NR1, so that the temperature sensing section signal A is It is configured to generate the first transfer control signals A1 and A1B having a pulse width corresponding to the delay time of the delay element DLY1 at the time of deactivation.

상기 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)와 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)에 따라 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The second transfer control signal generator 523 is configured to generate the second transfer control signals A3 and A3B according to the temperature sensing section signal A and the delayed temperature sensing section signal A_D.

상기 제 2 전달 제어 신호 발생부(523)는 지연 소자(DLY2), 노아 게이트(NR2) 및 복수개의 인버터(IV9, IV10)로 이루어져, 상기 온도 감지 구간 신호(A)와 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)를 논리합하여 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)를 생성하도록 구성된다.The second transfer control signal generator 523 includes a delay element DLY2, a NOR gate NR2, and a plurality of inverters IV9 and IV10, and the temperature sensing section signal A and the delayed temperature sensing section signal ( And A_D) to generate the second transfer control signals A3 and A3B.

도 5는 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도이다.FIG. 5 is a circuit diagram of the first latch circuit of FIG. 3.

상기 제 1 래치 회로부(531)는 도 5에 도시된 바와 같이, 복수개의 트리 스테이트 인버터(TIV11, TIV12) 및 인버터(IV11)를 구비한다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV12)와 인버터(IV11)가 래치 구조를 이룬다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV11)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 상기 다중 분주 신호(S1)를 통과시키도록 구성된다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV12)는 상기 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)에 따라 래치의 동작 여부를 결정한다.As illustrated in FIG. 5, the first latch circuit unit 531 includes a plurality of tree state inverters TIV11 and TIV12 and an inverter IV11. The tree state inverter TIV12 and the inverter IV11 form a latch structure. The tree state inverter TIV11 is configured to pass the multiple frequency division signal S1 in accordance with the first transfer control signals A1 and A1B. The tree state inverter TIV12 determines whether to operate the latch according to the first transfer control signals A1 and A1B.

도 6은 도 3의 제 2 래치 회로부의 회로도이다.6 is a circuit diagram of a second latch circuit of FIG. 3.

상기 제 2 래치 회로부(561)는 도 6에 도시된 바와 같이, 복수개의 트리 스테이트 인버터(TIV21, TIV22) 및 인버터(IV21)를 구비한다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV22)와 인버터(IV21)가 래치 구조를 이룬다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV21)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 상기 온도 코드(DTI0)를 통과시키도록 구성된다. 상기 트리 스테이트 인버터(TIV22)는 상기 제 2 전달 제어 신호(A3, A3B)에 따라 래치의 동작 여부를 결정한다.As illustrated in FIG. 6, the second latch circuit unit 561 includes a plurality of tree state inverters TIV21 and TIV22 and an inverter IV21. The tree state inverter TIV22 and the inverter IV21 form a latch structure. The tree state inverter TIV21 is configured to pass the temperature code DTI0 according to the second transfer control signals A3 and A3B. The tree state inverter TIV22 determines whether the latch is operated according to the second transfer control signals A3 and A3B.

도 7은 도 2의 리프레시 신호 발생부의 구성을 나타낸 블록도이다.FIG. 7 is a block diagram illustrating a configuration of the refresh signal generator of FIG. 2.

상기 리프레시 주기 신호 발생부(600)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기가 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기 보다 길지 않은 경우 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 선택하여 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력하도록 구성된다.The refresh period signal generator 600 selects and refreshes the third division period signal DIV3 when the period of the third division period signal DIV3 is not longer than the period of the fourth division period signal DIV4. And output as the periodic signal PSRF.

상기 리프레시 주기 신호 발생부(600)는 도 7에 도시된 바와 같이, 주기 비교부(610) 및 주기 신호 선택부(630)를 구비한다.As illustrated in FIG. 7, the refresh cycle signal generator 600 includes a cycle comparator 610 and a cycle signal selector 630.

상기 주기 비교부(610)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 펄스 발생 타이밍을 비교하여 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4) 중 하나를 선택하기 위한 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)를 출력하도록 구성된다.The period comparator 610 compares the pulse generation timing of the third divided period signal DIV3 and the fourth divided period signal DIV4 to compare the third divided period signal DIV3 with the fourth divided period signal. And outputs control signals COLD_EN and COLD_ENB for selecting one of the (DIV4).

상기 주기 비교부(610)는 제 1 논리 회로부(611) 및 제 2 논리 회로부(612)를 구비한다.The period comparator 610 includes a first logic circuit 611 and a second logic circuit 612.

도 8은 도 7의 주기 비교부의 회로도이다.8 is a circuit diagram of a period comparator of FIG. 7.

상기 제 1 논리 회로부(611)는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리셋 신호(RST)에 따라 비교 신호(C, D)를 초기화 시키고, 정해진 시차를 두고 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 응답하여 상기 비교 신호(C, D)의 레벨을 천이시키도록 구성된다.As illustrated in FIG. 8, the first logic circuit unit 611 initializes the comparison signals C and D according to the first reset signal RST, and has a predetermined time difference. And the level of the comparison signals C and D in response to the fourth division period signal DIV4.

상기 제 1 논리 회로부(611)는 제 1 내지 제 3 인버터(IV31 ~ IV33), 제 1 및 제 2 지연 소자(DLY31, DLY32), 제 1 내지 제 3 트랜지스터(M31 ~ M33), 및 래치(611-1)를 구비한다. 상기 제 1 지연 소자(DLY31)는 상기 제 1 리셋 신호(RST)를 입력받도록 구성된다. 상기 제 1 트랜지스터(M31)는 소오스가 접지단(VSS)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 지연 소자(DLY31)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 인버터(IV31)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 트랜지스터(M32)는 소오스가 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 인버터(IV31)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 인버터(IV32)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 지연 소자(DLY32)는 상기 제 2 인버터(IV32)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 3 트랜지스터(M33)는 소오스가 상기 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 2 지연 소자(DLY32)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 내지 제 3 트랜지스터(M31 ~ M33)의 드레인이 공통 연결되도록 구성된다. 상기 래치(611-1)는 입력단이 상기 제 3 트랜지스터(M33)의 드레인과 연결되도록 구성된다. 상기 제 3 인버터(IV33)는 입력단이 상기 래치(611-1)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 1 지연 소자(DLY31)의 지연시간과 상기 제 2 지연 소자(DLY32)의 지연시간은 동일하게 설정될 수 있다.The first logic circuit unit 611 may include first to third inverters IV31 to IV33, first and second delay elements DLY31 and DLY32, first to third transistors M31 to M33, and a latch 611. -1). The first delay element DLY31 is configured to receive the first reset signal RST. The first transistor M31 is configured to have a source connected to the ground terminal VSS and to receive an output of the first delay element DLY31 from a gate. The first inverter IV31 is configured to receive the third division period signal DIV3. The second transistor M32 is configured such that a source is connected to a power supply terminal VPERI and receives an output of the first inverter IV31 at a gate thereof. The second inverter IV32 is configured to receive the fourth division period signal DIV4. The second delay element DLY32 is configured to receive an output of the second inverter IV32. The third transistor M33 is configured to have a source connected to the power supply terminal VPERI and to receive an output of the second delay element DLY32 from a gate. The drains of the first to third transistors M31 to M33 are commonly connected. The latch 611-1 is configured such that an input terminal is connected to a drain of the third transistor M33. The third inverter IV33 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the latch 611-1. The delay time of the first delay element DLY31 and the delay time of the second delay element DLY32 may be set to be the same.

상기 제 2 논리 회로부(612)는 도 8에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 리셋 신호(RST)에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE) 중 하나를 상기 비교 신호(C, D)의 천이 타이밍에 따라 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)로서 출력하도록 구성된다.As illustrated in FIG. 8, the second logic circuit unit 612 corresponds to the pre-control signal COLD_EN_PRE and the fourth division period signal DIV4 having a level corresponding to the first reset signal RST. And output one of the pre-control signals COLD_EN_PRE having a level as the control signals COLD_EN and COLD_ENB according to the transition timing of the comparison signals C and D.

상기 제 2 논리 회로부(612)는 제 4 및 제 5 인버터(IV34, IV35), 제 4 및 제 5 트랜지스터(M34, M35), 제 2 내지 제 4 래치(621 ~ 623), 제 1 및 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV31, TSIV32)를 구비한다. 상기 제 4 트랜지스터(M34)는 소오스가 접지단(VSS)과 연결되고 게이트에 상기 제 1 리셋 신호(RST)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 4 인버터(IV34)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받도 록 구성된다. 상기 제 5 트랜지스터(M35)는 소오스가 전원단(VPERI)과 연결되고 게이트에 상기 제 4 인버터(IV34)의 출력을 입력 받도록 구성된다. 상기 제 1 래치(621)는 입력단이 상기 제 4 및 제 5 트랜지스터(M34, M35)의 드레인과 연결되도록 구성된다. 상기 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)는 입력단이 상기 제 1 래치(621)의 출력단과 연결되고 제어단에 상기 비교 신호(D, C)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 2 래치(622)는 입력단이 상기 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)는 입력단이 상기 제 2 래치(622)의 출력단과 연결되고 제어단에 상기 비교 신호(C, D)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 3 래치(623)는 입력단이 상기 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)의 출력단과 연결되도록 구성된다. 상기 제 5 인버터(IV35)는 입력단이 상기 제 3 래치(623)의 출력단과 연결되도록 구성된다.The second logic circuit unit 612 includes fourth and fifth inverters IV34 and IV35, fourth and fifth transistors M34 and M35, second to fourth latches 621 to 623, and first and second electrodes. Three state inverters TSIV31 and TSIV32 are provided. The fourth transistor M34 is configured to have a source connected to the ground terminal VSS and to receive the first reset signal RST to a gate thereof. The fourth inverter IV34 is configured to receive the fourth division period signal DIV4. The fifth transistor M35 has a source connected to a power supply terminal VPERI and configured to receive an output of the fourth inverter IV34 from a gate. The first latch 621 is configured such that an input terminal is connected to drains of the fourth and fifth transistors M34 and M35. The first tree state inverter TSIV31 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the first latch 621 and receives the comparison signals D and C from a control terminal. The second latch 622 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the first tree state inverter TSIV31. The second tree state inverter TSIV32 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the second latch 622 and receives the comparison signals C and D from a control terminal. The third latch 623 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the second tree state inverter TSIV32. The fifth inverter IV35 is configured such that an input terminal is connected to an output terminal of the third latch 623.

도 9는 도 7의 주기 신호 선택부의 회로도이다.FIG. 9 is a circuit diagram of the periodic signal selector of FIG. 7.

상기 주기 신호 선택부(630)는 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)에 따라 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4) 중 하나를 선택하여 상기 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력하도록 구성된다.The periodic signal selector 630 selects one of the third divided cycle signal DIV3 and the fourth divided cycle signal DIV4 according to the control signals COLD_EN and COLD_ENB to refresh the cycle signal PSRF. It is configured to output as.

상기 주기 신호 선택부(630)는 도 9에 도시된 바와 같이, 제 3 및 제 4 트리 스테이트 인버터(TSIV33, TSIV34)를 구비한다. 상기 제 3 트리 스테이트 인버터(TSIV33)는 입력단에 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 입력 받고 제어단에 상기 제어 신호(COLD_ENB, COLD_EN)를 입력 받도록 구성된다. 상기 제 4 트리 스테이트 인버터(TSIV34)는 입력단에 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 입력 받고 제어 단에 상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)를 입력 받으며, 출력단이 상기 제 3 트리 스테이트 인버터(TSIV33)의 출력단과 공통 연결되도록 구성된다.As illustrated in FIG. 9, the periodic signal selector 630 includes third and fourth tree state inverters TSIV33 and TSIV34. The third tree state inverter TSIV33 is configured to receive the fourth division period signal DIV4 at an input terminal and to receive the control signals COLD_ENB and COLD_EN at a control terminal. The fourth tree state inverter TSIV34 receives the third frequency division period signal DIV3 at an input terminal, receives the control signals COLD_EN and COLD_ENB at a control terminal, and an output terminal of the fourth tree state inverter TSIV33. It is configured to be connected in common with the output terminal of.

도 10은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 회로도이다.10 is a circuit diagram of an operation timing controller of FIG. 2.

상기 동작 타이밍 제어부(700)는 파워 업 신호(PWRUP), 셀프 리프레시 신호(SREF), 제 5 분주 주기 신호(DIV5) 및 리프레시 주기 신호(PSRF)에 따라 타이밍 신호들 즉, 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 발생하도록 구성된다.The operation timing controller 700 may generate timing signals, that is, a first reset signal RST according to a power-up signal PWRUP, a self refresh signal SREF, a fifth division period signal DIV5 and a refresh period signal PSRF. ), The second reset signal TI_RST, the enable signal LTCSR_EN, and the operation section signal SERF_TDET.

상기 동작 타이밍 제어부(700)는 도 10에 도시된 바와 같이, 시프터(710) 및 타이밍 신호 발생부(720)를 구비한다.As shown in FIG. 10, the operation timing controller 700 includes a shifter 710 and a timing signal generator 720.

상기 시프터(710)는 리프레시 주기 신호(PSRF)를 서로 다른 시간만큼 시프트시켜 제 1 시프트 신호(PSRF_6) 및 제 2 시프트 신호(PSRF_10)를 발생하도록 구성된다.The shifter 710 is configured to shift the refresh period signal PSRF by a different time to generate the first shift signal PSRF_6 and the second shift signal PSRF_10.

상기 타이밍 신호 발생부(720)는 파워 업 신호(PWRUP), 제 5 분주 주기 신호(DIV5), 셀프 리프레시 신호(SREF), 제 1 시프트 신호(PSRF_6) 및 제 2 시프트 신호(PSRF_10)에 따라 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 발생하도록 구성된다.The timing signal generator 720 is configured to generate the first signal according to the power-up signal PWRUP, the fifth division period signal DIV5, the self refresh signal SREF, the first shift signal PSRF_6, and the second shift signal PSRF_10. And a first reset signal RST, a second reset signal TI_RST, an enable signal LTCSR_EN, and an operation section signal SERF_TDET.

상기 타이밍 신호 발생부(720)는 제 1 내지 제 10 인버터(IV41 ~ IV50), 낸드 게이트(ND41), 제 1 내지 제 6 노아 게이트(NR41 ~ NR46), 라이징 펄스 발생기(RPG), 폴링 펄스 발생기(FPG) 및 제 1 내지 제 4 트랜지스터(M41 ~ M44)를 구비한다. 상기 라이징 펄스 발생기(RPG)는 입력 신호의 라이징을 엣지를 감지하여 정 해진 폭을 갖는 펄스를 발생하도록 구성된다. 상기 폴링 펄스 발생기(FPG)는 입력 신호의 폴링 엣지를 감지하여 정해진 폭을 갖는 펄스를 발생하도록 구성된다.The timing signal generator 720 includes first to tenth inverters IV41 to IV50, NAND gates ND41, first to sixth NOR gates NR41 to NR46, a rising pulse generator RPG, and a falling pulse generator. (FPG) and first to fourth transistors M41 to M44. The rising pulse generator (RPG) is configured to detect the rising edge of the input signal to generate a pulse having a predetermined width. The falling pulse generator FPG is configured to detect a falling edge of the input signal and generate a pulse having a predetermined width.

상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 온도 검출 구간을 정의하는 신호로 사용된다. 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 구간과 동일한 활성화 구간을 갖거나, 파워 업 신호(PWRUP)가 발생된 시점부터 제 2 시프트 신호(PSRF_10)가 발생된 구간에 해당하는 활성화 구간을 갖도록 생성된다. 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 구간은 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기의 일정한 배수(예를 들어, 9배)의 구간에 해당한다.The operation section signal SERF_TDET is used as a signal defining a temperature detection section. The operation section signal SERF_TDET has an activation section identical to the activation section of the self-refresh signal SREF or corresponds to a section in which the second shift signal PSRF_10 is generated from the time when the power-up signal PWRUP is generated. It is created to have an activation interval. The activation section of the operation section signal SERF_TDET corresponds to a section of a constant multiple (for example, 9 times) of the period of the refresh cycle signal PSRF.

상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)는 제 1 주기 신호 발생부(100) 내부의 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)을 초기화시키기 위해 사용되는 신호로서 펄스형태로 발생된다. 상기 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)은 전류 감소를 위해 꺼져 있다가 상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)에 의해 초기화되어 동작을 개시한다. 상기 인에이블 신호(LTCSR_EN)는 상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 시작시점에 발생된다.The enable signal LTCSR_EN is a signal used to initialize a reference generation block inside the first periodic signal generator 100 and is generated in a pulse form. The reference generation block is turned off to reduce current and is initialized by the enable signal LTCSR_EN to start an operation. The enable signal LTCSR_EN is generated at the start of activation of the operation section signal SERF_TDET.

상기 제 1 리셋 신호(RST)는 제 1 주기 신호 발생부(100), 제 2 주기 신호 발생부(300), 분주부(400) 및 리프레시 주기 신호 발생부(600)를 초기화시키기 위해 사용되는 신호이다. 상기 제 1 리셋 신호(RST)는 파워 업 신호(PWRUP)의 발생 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 발생되는 펄스 신호이다.The first reset signal RST is a signal used to initialize the first periodic signal generator 100, the second periodic signal generator 300, the divider 400, and the refresh periodic signal generator 600. to be. The first reset signal RST is a pulse signal that is generated every time when the power-up signal PWRUP is generated, when the fifth frequency division signal DIV5 is generated, or when the first shift signal PSRF_6 is generated.

상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)는 상기 온도 정보 발생부(500)를 초기화시키기 위해 사용되는 신호이다. 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)에 따라 발생되는 펄스 신호이다. 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)를 제 1 시프트 신호(PSRF_6)에 따라 발생시키는 이유는 온도 검출 구간의 시작시점 즉, 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화시점에 제 1 주기 신호 발생부(100) 내부의 레퍼런스 생성 블록(Widlar Reference)이 안정적으로 초기화되지 못하여 제 1 주기 신호(OSC1)가 비정상적이기 때문이다. 따라서 제 1 주기 신호(OSC1)의 안정화를 위해 제 1 시프트 신호(PSRF_6)가 발생된 이후에 온도 정보 발생부(500)가 동작을 개시하도록 한 것이다.The second reset signal TI_RST is a signal used to initialize the temperature information generator 500. The second reset signal TI_RST is a pulse signal generated according to the first shift signal PSRF_6. The reason for generating the second reset signal TI_RST according to the first shift signal PSRF_6 may be due to the start of the temperature detection section, that is, the activation time of the operation section signal SERF_TDET. This is because the first reference signal OSC1 is abnormal because the reference generation block of the first reference block is not stably initialized. Accordingly, the temperature information generator 500 starts the operation after the first shift signal PSRF_6 is generated to stabilize the first periodic signal OSC1.

상기 동작 타이밍 제어부(700)는 동작 구간 신호(SERF_TDET), 인에이블 신호(LTCSR_EN), 제 1 리셋 신호(RST) 및 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 상술한 타이밍에 맞게 생성되도록 회로 구성이 이루어진다.The operation timing controller 700 has a circuit configuration such that the operation section signal SERF_TDET, the enable signal LTCSR_EN, the first reset signal RST, and the second reset signal TI_RST are generated in accordance with the above-described timing.

이하, 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 디지털 온도 정보 생성 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, the digital temperature information generating method of the refresh cycle signal generator having the digital temperature information generating function according to the present invention will be described.

도 11은 온도에 따른 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호의 주기 비교 그래프이고, 도 12는 본 발명에 따른 온도 코드 디코딩 방법을 보여주는 도면이다.FIG. 11 is a graph comparing periods of a first periodic signal and a second periodic signal according to temperature, and FIG. 12 is a diagram illustrating a method of decoding a temperature code according to the present invention.

먼저, 본 발명의 디지털 온도 정보 생성 원리를 설명하면 다음과 같다.First, the digital temperature information generation principle of the present invention will be described.

상기 제 1 주기 신호(OSC1)는 온도 별로 주기가 다르므로 펄스 발생 타이밍도 다르게 된다. 도 11는 상기 제 1 주기 신호(OSC1)의 펄스 발생 타이밍을 온도 구간별로 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)와 매칭시킨 것이다. 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)는 온도와 상관없이 일정한 주기를 가지므로 상기 제 1 주기 신호(OSC1)의 펄스 발생 타이밍에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하여 그 값을 읽으면 도 12와 같은 값을 갖게 된다. 본 발명은 상술한 원리에 따라 제 1 주기 신호(OSC1)를 분주한 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스 발생 타이밍에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치하고 그 래치된 값을 디코딩하여 도 12와 같이, JEDEC 규격에 맞는 디지털 온도 정보로서 출력하도록 한 것이다. 상기 도 12에서 온도 범위는 JEDEC 규격은 아니며, 제조사 측에서 임의로 설정할 수 있는 값으로 일 예를 도시한 것이다.Since the period of the first periodic signal OSC1 is different for each temperature, a pulse generation timing is also different. FIG. 11 illustrates a timing of generating a pulse of the first period signal OSC1 with multiple division signals S1 to S64 dividing the second period signal OSC2 for each temperature section. Since the multiple divided signals S1 to S64 have a constant period regardless of temperature, the multiple divided signals S1 to S64 are latched at the pulse generation timing of the first periodic signal OSC1 to read the value. It will have the same value as The present invention latches the multiple frequency division signals S1 to S64 at the timing of the pulse generation of the first frequency division signal DIV1 in which the first period signal OSC1 is divided, and decodes the latched value. As shown in FIG. 12, the digital temperature information is output as digital temperature information conforming to the JEDEC standard. In FIG. 12, the temperature range is not a JEDEC standard, and shows an example as a value that can be arbitrarily set by the manufacturer.

도 13은 도 3의 출력 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.FIG. 13 is a timing diagram for describing an operation of the output controller of FIG. 3.

제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 2의 제 1 주기 신호 발생부(100)가 동작하여 제 1 주기 신호(OSC1)를 출력하고, 제 2 주기 신호 발생부(300)가 동작하여 제 2 주기 신호(OSC2)를 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the first periodic signal generator 100 of FIG. 2 operates to output the first periodic signal OSC1, and the second periodic signal generator 300 operates to generate the second. The periodic signal OSC2 is output.

상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면, 분주부(400)가 상기 제 1 주기 신호(OSC1)와 제 2 주기 신호(OSC2)를 분주하여 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the division unit 400 divides the first period signal OSC1 and the second period signal OSC2 to generate a third division period signal DIV3 and a fourth division period. Output the signal DIV4.

도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생되기 이전에 반도체 집적회로의 초기 동작시 발생된 파워 업 신호(PWRUP)에 따라 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 초기화시킨다.The temperature sensing section signal generator 521 of FIG. 4 generates the temperature sensing section signal A according to the power-up signal PWRUP generated during the initial operation of the semiconductor integrated circuit before the second reset signal TI_RST is generated. Reset to low level.

상기 온도 감지 구간 신호(A)가 로우 레벨로 초기화된 구간 동안 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)를 생성한다.During the period in which the temperature sensing section signal A is initialized to a low level, the first transmission control signal generator 522 of FIG. 4 generates a first transmission control signal A1 = low level, A1B = high level, The second transfer control signal generator 522 generates a second transfer control signal A3 = low level, A3B = high level.

상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)에 따라 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 입력이 차단되어 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받지 않는다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단되는 동안 래치(IV11, TIV12)는 계속 동작하여 이전의 출력 신호 레벨을 유지시킨다.In response to the first transfer control signal A1 = low level and A1B = high level, the first latch circuit unit 531 of FIG. 5 is cut off to receive the multiple division signals S1 to S64. While the input of the first latch circuit portion 531 is blocked, the latches IV11 and TIV12 continue to operate to maintain the previous output signal level.

상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)에 따라 도 6의 제 2 래치 회로부(561)는 도 3의 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력한다.According to the second transfer control signal A3 = low level, A3B = high level, the second latch circuit unit 561 of FIG. 6 receives the temperature codes DTI0 to DTI2 output from the second decoder 550 of FIG. 3. The latches are output to the pads DQ8 to DQ10.

제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생됨에 따라 도 3의 다중 분주 신호 발생부(510)의 각 분주기(511)에서 상기 제 2 주기 신호(OSC2)를 이용한 다중 분주 신호(S1 ~ S64)의 생성 동작이 개시된다.As the second reset signal TI_RST is generated, each of the frequency divider 511 of the multiple frequency division signal generator 510 of FIG. 3 generates the multiple frequency division signals S1 to S64 using the second period signal OSC2. The operation is started.

제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생됨에 따라 도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 하이 레벨로 활성화시킨다.As the second reset signal TI_RST is generated, the temperature sensing section signal generator 521 of FIG. 4 activates the temperature sensing section signal A to a high level.

상기 온도 감지 구간 신호(A)가 하이 레벨로 활성화된 구간 동안 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 제 2 전달 제어 신호(A3 = 하이 레벨, A3B = 로우 레벨)를 생성한다.The first transmission control signal generator 522 of FIG. 4 generates a first transmission control signal A1 = low level, A1B = high level while the temperature sensing section signal A is activated to a high level. The second transfer control signal generator 522 generates a second transfer control signal A3 = high level, A3B = low level.

상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 로우 레벨, A1B = 하이 레벨)에 따라 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 입력이 계속 차단되어 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받지 않는다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단되는 동안 래치(IV11, TIV12)는 계속 동작하여 이전의 출력 신호 레벨을 유지시킨다.According to the first transfer control signal A1 = low level, A1B = high level, the first latch circuit unit 531 of FIG. 5 is continuously blocked so that the multiple division signals S1 to S64 are not received. While the input of the first latch circuit portion 531 is blocked, the latches IV11 and TIV12 continue to operate to maintain the previous output signal level.

상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 하이 레벨, A3B = 로우 레벨)에 따라 도 6의 제 2 래치 회로부(561)는 입력이 차단되어 현재 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 입력 받지 않고, 래치(IV21, TIV22)의 동작도 중지된다.According to the second transfer control signal (A3 = high level, A3B = low level), the second latch circuit unit 561 of FIG. 6 is blocked from input and currently outputs the temperature codes DTI0 to DTI2 output from the second decoder 550. ) Is not input, and the operation of the latches IV21 and TIV22 is also stopped.

상기 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 및 제 2 분주 주기 신호(DIV2)의 생성 동작이 개시된 이후 최초의 제 1 분주 주기 신호(DIV1) 펄스 또는 최초의 제 2 분주 주기 신호(DIV2) 펄스가 발생됨에 따라 도 4의 온도 감지 구간 신호 발생부(521)는 상기 온도 감지 구간 신호(A)를 로우 레벨로 비활성화시킨다.After the operation of generating the first division period signal DIV1 and the second division period signal DIV2 starts, the first first division period signal DIV1 pulse or the first second division period signal DIV2 pulse is generated. Accordingly, the temperature sensing section signal generator 521 of FIG. 4 deactivates the temperature sensing section signal A to a low level.

상기 온도 감지 구간 신호(A)가 로우 레벨로 비활성화되면 도 4의 제 1 전달 제어 신호 발생부(522)는 지연 소자(DLY1)에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)를 생성하고, 제 2 전달 제어 신호 발생부(522)는 지연된 온도 감지 구간 신호(A_D)가 비활성화되는 타이밍에 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)를 생성한다.When the temperature sensing section signal A is deactivated to a low level, the first transfer control signal generator 522 of FIG. 4 may have the first transfer control signals A1 and A1B having a pulse width corresponding to the delay element DLY1. The second transfer control signal generator 522 generates a second transfer control signal A3 = low level and A3B = high level at a timing at which the delayed temperature sensing interval signal A_D is inactivated.

상기 지연 소자(DLY1)에 해당하는 펄스 폭을 갖는 제 1 전달 제어 신호(A1, A1B)의 펄스 폭 구간 동안 도 5의 제 1 래치 회로부(531)는 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받아 도 3의 제 1 디코더(540)로 출력한다. 상기 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단된 후에는 도 5의 래치(IV11, TIV12)가 동작하여 이전의 출력 신호 레벨이 유지된다.During the pulse width section of the first transmission control signals A1 and A1B having the pulse width corresponding to the delay element DLY1, the first latch circuit unit 531 of FIG. 5 receives the multiple division signals S1 to S64. Output to the first decoder 540 of FIG. After the input of the first latch circuit unit 531 is cut off, the latches IV11 and TIV12 of FIG. 5 operate to maintain the previous output signal level.

도 3의 제 1 디코더(540)는 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 디코딩하여 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)로 출력한다. 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)는 상 기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값에 해당하는 온도범위의 코드만을 하이 레벨로 디코딩한 것이다. 예를 들어, 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값이 X/X/X/L/L/L/L, X/X/L/H/L/L/L 또는 L/L/H/H/L/L/L 중 하나라면 온도가 100℃ 이상이므로 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp100 만을 하이 레벨로 디코딩하고 나머지 값은 로우 레벨로 디코딩한다. 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값 중에서 X는 don't care, L은 로우 레벨, H는 하이 레벨을 의미한다.The first decoder 540 of FIG. 3 decodes the multiple divided signals S1 to S64 and outputs the preliminary codes Temp100 to Temp55L. The preliminary codes Temp100 to Temp55L decode only the codes of the temperature range corresponding to the values of the multiple frequency division signals S1 to S64 to a high level. For example, the multi-dividing signal (S1 ~ S64) value is X / X / X / L / L / L / L, X / X / L / H / L / L / L or L / L / H / H If one of / L / L / L, the temperature is more than 100 ℃ decode only Temp100 of the preliminary code (Temp100 ~ Temp55L) to a high level and the rest of the value to a low level. Among the values of the multiple divided signals S1 to S64, X means don't care, L means low level, and H means high level.

상기 도 3의 제 2 디코더(550)는 상기 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L)를 JEDEC 규격에 맞도록 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)로 디코딩하여 출력한다. 도 12에 도시된 바와 같이, 예를 들어 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp85 만이 하이 레벨로 디코딩되어 있다면 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 '101' 로 디코딩한다. 또 다른 예를 들어, 예비 코드(Temp100 ~ Temp55L) 중에서 Temp75 만이 하이 레벨로 디코딩되어 있다면 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 '001' 로 디코딩한다.The second decoder 550 of FIG. 3 decodes the preliminary codes Temp100 to Temp55L into temperature codes DTI0 to DTI2 so as to conform to the JEDEC standard. As shown in FIG. 12, if only Temp85 is decoded at a high level among the preliminary codes Temp100 to Temp55L, the temperature codes DTI0 to DTI2 are decoded as '101'. As another example, if only Temp75 of the preliminary codes Temp100 to Temp55L is decoded to a high level, the temperature codes DTI0 to DTI2 are decoded to '001'.

상기 도 5의 제 1 래치 회로부(531)가 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 입력 받는 동안 즉, 상기 제 1 전달 제어 신호(A1 = 하이 레벨, A1B = 로우 레벨)의 레벨이 유지되는 동안 도 3의 제 1 디코더(540) 및 제 2 디코더(550)를 통해 디코딩 동작이 이루어지고, 그에 따른 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)가 출력된다.While the first latch circuit unit 531 of FIG. 5 receives the multiple division signals S1 to S64, that is, while the level of the first transfer control signal A1 = high level and A1B = low level is maintained, FIG. The decoding operation is performed through the first decoder 540 and the second decoder 550 of 3, and the temperature codes DTI0 to DTI2 are output accordingly.

상기 제 2 전달 제어 신호(A3 = 로우 레벨, A3B = 하이 레벨)가 생성됨에 따라 도 6의 제 2 래치 회로(561)가 도 3의 제 2 디코더(550)에서 출력되는 온도 코드(DTI0 ~ DTI2)를 래치하여 패드(DQ8 ~ DQ10)로 출력한다. 상기 도 5의 제 1 래치 회로부(531)의 입력이 차단된 구간 동안은 도 3의 제 1 디코더(540) 및 제 2 디코 더(550)의 입력 및 출력 레벨 천이가 발생하지 않으므로 전류 소모를 최소화할 수 있다.As the second transfer control signal (A3 = low level, A3B = high level) is generated, the second latch circuit 561 of FIG. 6 outputs the temperature codes DTI0 to DTI2 output from the second decoder 550 of FIG. 3. ) Is output to the pads DQ8 to DQ10. The input and output level transitions of the first decoder 540 and the second decoder 550 of FIG. 3 do not occur during the period in which the input of the first latch circuit 531 of FIG. 5 is blocked, thereby minimizing current consumption. can do.

도 14 및 도 15는 온도 코드 디코딩 시뮬레이션의 결과를 보여주는 파형도,14 and 15 are waveform diagrams showing the results of the temperature code decoding simulation;

100℃ 온도에서의 실제 시뮬레이션 결과가 도 14에 도시되어 있다. 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 활성화된 이후 최초로 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스가 발생되는 시점에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치한 값이 L/L/H/H/L/L/L이며, 도 12의 100℃ 온도 구간에 정의된 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값과 동일함을 알 수 있다.The actual simulation results at 100 ° C. are shown in FIG. 14. After the second reset signal TI_RST is activated, the value of latching the multiple division signals S1 to S64 at the time when the first division period signal DIV1 is pulsed is L / L / H / H / L. It is / L / L, it can be seen that the same as the value of the multi-dividing signal (S1 ~ S64) defined in the 100 ℃ temperature section of FIG.

그리고 70℃ 온도에서의 시뮬레이션 결과가 도 15에 도시되어 있다. 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 활성화된 이후 최초로 제 1 분주 주기 신호(DIV1)의 펄스가 발생되는 시점에 상기 다중 분주 신호(S1 ~ S64)를 래치한 값이 L/H/L/H/H/L/L이며, 도 12의 55℃ 이상 온도 구간에 정의된 다중 분주 신호(S1 ~ S64) 값인 X/X/X/H/H/L/L에 해당함을 알 수 있다.And the simulation result at 70 degreeC temperature is shown in FIG. After the second reset signal TI_RST is activated, the value of latching the multiple division signals S1 to S64 at the time when the first division period signal DIV1 is pulsed is L / H / L / H / H. It is / L / L, it can be seen that it corresponds to the X / X / X / H / H / L / L of the multi-dividing signal (S1 ~ S64) value defined in the temperature range of 55 ℃ or higher of FIG.

상기 온도 코드(DTI0 ~ DTI2) 값이 패드(DQ8 ~ DQ10)를 통해 디지털 온도 정보로서 반도체 집적회로 외부로 출력되면, 메모리 컨트롤러 예를 들어, GPU(Graphic Processing Unit)가 상기 디지털 온도 정보를 반도체 집적회로의 오토 리프레시 레이트(Auto Refresh Rate)를 정하는데 사용할 수 있다.When the temperature code DTI0 to DTI2 is output to the outside of the semiconductor integrated circuit as digital temperature information through the pads DQ8 to DQ10, a memory controller, for example, a GPU (Graphic Processing Unit) may integrate the digital temperature information into the semiconductor integrated circuit. It can be used to set the auto refresh rate of the circuit.

상술한 본 발명은 온도 감지 구간 즉, 온도 감지 구간 신호(A)가 활성화된 구간 동안 도 3의 분주신호 래치부(530)의 입력을 차단하여 제 1 및 제 2 디코더(540, 550)의 입력 레벨이 천이되지 않도록 하고, 온도 감지가 종료된 후 소정 시간 동안만 분주신호 래치부(530)의 입력을 개방하여 제 1 및 제 2 디코더(540, 550)를 동작시킨다. 또한 온도 감지 구간 동안 도 3의 온도 코드 래치부(560)의 입력을 차단하였다. 이와 같은 방식에 의해 순간적인 입력신호의 천이로 인한 글리치(Glitch)와 같은 노이즈 성분이 디지털 온도 정보 생성 과정에 포함되어 잘못된 디지털 온도 정보가 출력되지 않도록 한 것이다.According to the present invention, the input of the first and second decoders 540 and 550 is blocked by blocking the input of the divided signal latching unit 530 of FIG. 3 during the temperature sensing section, that is, the temperature sensing section signal A is activated. The first and second decoders 540 and 550 are operated by opening the input of the divided signal latch unit 530 only for a predetermined time after the temperature sensing is completed and preventing the level from being shifted. In addition, the input of the temperature code latch unit 560 of FIG. In this way, noise components such as glitches due to instantaneous transitions of the input signal are included in the digital temperature information generation process so that incorrect digital temperature information is not output.

도 16은 본 발명에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 그래프이다.16 is a temperature / cycle graph of a self refresh signal according to the present invention.

이하, 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 리프레시 주기 신호 발생 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of generating a refresh cycle signal of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function according to the present invention will be described.

본 발명 실시예의 동작 방식은 특정 온도 예를 들어, 37℃ 이하[반도체 회로 기술에서 통상 실온(Room Temperature) 또는 저온(Cold Temperature) 이라 칭함]의 온도 조건에서 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기가 너무 길어지는 것을 방지하는 것을 최우선으로 함과 동시에, 38℃ 이상의 온도 조건에서는 효율적인 셀프 리프레시 동작을 위해 리프레시 주기 신호(PSRF)의 주기를 가변시킬 수 있도록 하는 것이다.The operating mode of the embodiment of the present invention is such that the period of the refresh period signal PSRF is too high at a specific temperature, for example, 37 ° C. or less (commonly referred to as room temperature or cold temperature in semiconductor circuit technology). It is a priority to prevent the elongation and to change the period of the refresh cycle signal PSRF for efficient self refresh operation at a temperature of 38 ° C. or higher.

먼저, 온도가 37℃ 보다 높은 경우 예를 들어, 90℃즉, 반도체 회로기술에서 통상적으로 고온(Hot Temperature)이라 칭하는 경우의 본 발명의 동작에 대하여 설명한다.First, the operation of the present invention when the temperature is higher than 37 ° C., for example, at 90 ° C., that is, commonly referred to as hot temperature in semiconductor circuit technology, will be described.

상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 8의 제 1 논리 회로부(611)는 상기 비교 신호(C, D)를 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력한다. 상기 제 2 논리 회로부(612)는 상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생함에 따라 전치 제어 신 호(COLD_EN_PRE)를 로우 레벨로 출력한다. 상기 비교 신호(C, D)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨이므로 상기 로우 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)를 통과하여 제 2 래치(622)에 래치된다.When the first reset signal RST is generated, the first logic circuit 611 of FIG. 8 outputs the comparison signals C and D at a high level and a low level, respectively. The second logic circuit unit 612 outputs the pre-control signal COLD_EN_PRE at a low level as the first reset signal RST is generated. Since the comparison signals C and D are high and low, respectively, the pre-control signal COLD_EN_PRE having the low level passes through the first tree state inverter TSIV31 and is latched in the second latch 622.

현재 온도가 온도가 90℃ 이므로 도 16에 도시된 바와 같이, 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기가 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기에 비해 짧다. 즉, 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 펄스가 제 4 분주 주기 신호(DIV4)에 비해 먼저 발생된다.Since the current temperature is 90 ° C., as shown in FIG. 16, the period of the third division period signal DIV3 is shorter than the period of the fourth division period signal DIV4. That is, the pulse of the third division period signal DIV3 is generated before the fourth division period signal DIV4.

따라서 상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생된 이후 상기 제 1 논리 회로부(611)의 제 2 트랜지스터(M32)가 턴 온 되어 상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이된다.Therefore, after the first reset signal RST is generated, the second transistor M32 of the first logic circuit unit 611 is turned on so that the comparison signals C and D transition to the low level and the high level, respectively. .

상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이되므로 상기 제 2 논리 회로부(612)의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)를 통과하여 제 3 래치(623)에 래치되고 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 출력된다.Since the comparison signals C and D transition to the low level and the high level, respectively, the pre-control signal COLD_EN_PRE of the second logic circuit unit 612 passes through the second tree state inverter TSIV32 to form a third latch 623. ) And the control signals COLD_EN and COLD_ENB are output at low and high levels, respectively.

상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 출력되므로 도 9의 주기 신호 선택부(630)는 상기 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 통과시켜 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력한다.Since the control signals COLD_EN and COLD_ENB are output at a low level and a high level, respectively, the periodic signal selector 630 of FIG. 9 passes the third divided period signal DIV3 and outputs the refresh period signal PSRF. .

한편, 온도가 37℃ 보다 낮은 저온(Cold Temperature) 조건 예를 들어, 30℃인 경우의 본 발명의 동작에 대하여 설명한다.On the other hand, the operation of the present invention in the case where the temperature is a cold temperature condition lower than 37 ° C, for example, 30 ° C will be described.

상기 제 1 리셋 신호(RST)가 발생되면 도 8의 제 1 논리 회로부(611)는 상기 비교 신호(C, D)를 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력한다.When the first reset signal RST is generated, the first logic circuit 611 of FIG. 8 outputs the comparison signals C and D at a high level and a low level, respectively.

현재 온도가 온도가 30℃ 이므로 도 16에 도시된 바와 같이, 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 주기가 제 3 분주 주기 신호(DIV3)의 주기에 비해 짧다. 즉, 제 4 분주 주기 신호(DIV4)의 펄스가 제 3 분주 주기 신호(DIV3)에 비해 먼저 발생된다.As the current temperature is 30 ° C., as shown in FIG. 16, the period of the fourth division period signal DIV4 is shorter than the period of the third division period signal DIV3. That is, the pulse of the fourth division period signal DIV4 is generated before the third division period signal DIV3.

따라서 제 2 논리 회로부(612)의 제 5 트랜지스터(M35)가 턴 온 되어 상기 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 하이 레벨로 천이된다. 상기 비교 신호(C, D)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨이므로 상기 하이 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 1 트리 스테이트 인버터(TSIV31)를 통과하여 제 2 래치(622)에 래치된다.Accordingly, the fifth transistor M35 of the second logic circuit unit 612 is turned on so that the pre-control signal COLD_EN_PRE transitions to a high level. Since the comparison signals C and D are at the high level and the low level, respectively, the pre-control signal COLD_EN_PRE having the high level passes through the first tree state inverter TSIV31 and is latched in the second latch 622.

상기 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 하이 레벨로 천이되고 상기 제 1 논리 회로부(611)의 제 2 지연 소자(DLY32)의 지연 시간 경과 후 제 3 트랜지스터(M33)가 턴 온 되어 상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이된다.The pre-control signal COLD_EN_PRE transitions to a high level, and after the delay time of the second delay element DLY32 of the first logic circuit unit 611 passes, the third transistor M33 is turned on so that the comparison signal C, D) is transitioned to the low level and the high level, respectively.

상기 비교 신호(C, D)가 각각 로우 레벨과 하이 레벨로 천이되므로 상기 하이 레벨의 전치 제어 신호(COLD_EN_PRE)가 제 2 트리 스테이트 인버터(TSIV32)를 통과하여 제 3 래치(623)에 래치되고 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력된다.Since the comparison signals C and D transition to the low level and the high level, respectively, the high level pre-control signal COLD_EN_PRE is passed through the second tree state inverter TSIV32 to be latched to the third latch 623 and controlled. The signals COLD_EN and COLD_ENB are output at high and low levels, respectively.

상기 제어 신호(COLD_EN, COLD_ENB)가 각각 하이 레벨과 로우 레벨로 출력되므로 도 9의 주기 신호 선택부(630)는 상기 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 통과시켜 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 출력한다.Since the control signals COLD_EN and COLD_ENB are output at a high level and a low level, respectively, the periodic signal selector 630 of FIG. 9 passes the fourth divided period signal DIV4 and outputs the refresh period signal PSRF. .

본 발명은 도 16에 도시된 바와 같이, 특정 온도(37℃)를 기준으로 고온 조건(37℃ 이상인 경우)과 저온 조건(37℃ 미만인 경우)으로 구분하여, 각각 제 3 분주 주기 신호(DIV3)와 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로 출력한다.As shown in FIG. 16, the third division period signal DIV3 is divided into a high temperature condition (when the temperature is higher than 37 ° C.) and a low temperature condition (when the temperature is lower than 37 ° C.) based on a specific temperature (37 ° C.). And the fourth divided period signal DIV4 are output as the refresh period signal PSRF.

따라서 본 발명은 고온 조건에서는 온도에 따라 주기가 가변되는 제 3 분주 주기 신호(DIV3)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로서 이용하여 효율적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 하고, 저온 조건에서는 고정된 주기를 갖는 제 4 분주 주기 신호(DIV4)를 리프레시 주기 신호(PSRF)로 이용하여 셀프 리프레시 주기가 너무 길어지는 것을 방지하여 안정적인 셀프 리프레시 동작을 가능하게 한다.Therefore, the present invention enables efficient self-refresh operation by using the third frequency division signal DIV3 whose period varies with temperature in the high temperature condition as the refresh period signal PSRF, and has a fixed period in the low temperature condition. By using the four-division cycle signal DIV4 as the refresh cycle signal PSRF, the self-refresh cycle is prevented from becoming too long, thereby enabling stable self-refresh operation.

도 17은 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화되지 않은 경우의 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이고, 도 18은 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화된 경우의 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이다.17 is a timing diagram of an output signal of the operation timing controller of FIG. 2 when the self refresh signal SREF is not activated, and FIG. 18 is a timing diagram of the operation timing controller of FIG. 2 when the self refresh signal SREF is activated. This is a timing chart of the output signal.

이하, 본 발명의 동작 타이밍 제어부(700)에서 타이밍 신호들 즉, 제 1 리셋 신호(RST), 제 2 리셋 신호(TI_RST), 인에이블 신호(LTCSR_EN) 및 동작 구간 신호(SERF_TDET)를 생성하는 방법을 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, a method of generating timing signals, that is, a first reset signal RST, a second reset signal TI_RST, an enable signal LTCSR_EN, and an operation interval signal SERF_TDET in the operation timing controller 700 according to the present invention. This is as follows.

먼저, 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화되지 않은 경우, 도 17에 도시된 바와 같이, 파워 업 신호(PWRUP)가 발생된 시점부터 제 2 시프트 신호(PSRF_10)가 발생된 구간에 해당하는 활성화 구간을 갖도록 동작 구간 신호(SERF_TDET)가 생성된다.First, when the self refresh signal SREF is not activated, as shown in FIG. 17, the activation period corresponding to the period in which the second shift signal PSRF_10 is generated from the time when the power-up signal PWRUP is generated is shown. The operation section signal SERF_TDET is generated.

상기 동작 구간 신호(SERF_TDET)의 활성화 시작시점에 인에이블 신호(LTCSR_EN)가 발생된다.An enable signal LTCSR_EN is generated at the start of activation of the operation section signal SERF_TDET.

상기 파워 업 신호(PWRUP)의 발생 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 제 1 리셋 신호(RST)가 발생 된다.The first reset signal RST is generated every time when the power-up signal PWRUP is generated, when the fifth frequency division signal DIV5 is generated, or when the first shift signal PSRF_6 is generated.

상기 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생시점에 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생된다.The second reset signal TI_RST is generated when the first shift signal PSRF_6 is generated.

다음으로, 온도 검출이 시작된 이후 셀프 리프레시 신호(SREF)가 활성화된 경우, 도 18에 도시된 바와 같이, 동작 구간 신호(SERF_TDET)는 기 활성화된 상태를 유지하게 된다.Next, when the self-refresh signal SREF is activated after the temperature detection is started, as shown in FIG. 18, the operation section signal SERF_TDET is maintained in a pre-activated state.

상기 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 시작시점에 인에이블 신호(LTCSR_EN)가 발생된다.An enable signal LTCSR_EN is generated at the start of activation of the self refresh signal SREF.

상기 셀프 리프레시 신호(SREF)의 활성화 시작 시점, 제 5 분주 주기 신호(DIV5)의 발생 시점 또는 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생 시점마다 제 1 리셋 신호(RST)가 발생된다.The first reset signal RST is generated every time the start of activation of the self-refresh signal SREF, the generation time of the fifth frequency division signal DIV5, or the generation time of the first shift signal PSRF_6.

상기 제 1 시프트 신호(PSRF_6)의 발생시점에 상기 제 2 리셋 신호(TI_RST)가 발생된다.The second reset signal TI_RST is generated when the first shift signal PSRF_6 is generated.

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.As those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features, the embodiments described above should be understood as illustrative and not restrictive in all aspects. Should be. The scope of the present invention is shown by the following claims rather than the detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention. do.

도 1은 도 1은 종래의 기술에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 출력 그래프,1 is a temperature / cycle output graph of a self-refresh signal according to the prior art,

도 2는 본 발명에 따른 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치의 블록도,2 is a block diagram of a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function according to the present invention;

도 3은 도 2의 온도 정보 발생부의 구성을 나타낸 블록도,3 is a block diagram illustrating a configuration of a temperature information generation unit of FIG. 2;

도 4는 도 3의 출력 제어부의 회로도,4 is a circuit diagram of an output control unit of FIG. 3;

도 5는 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도,5 is a circuit diagram of a first latch circuit of FIG. 3;

도 6은 도 3의 제 1 래치 회로부의 회로도,6 is a circuit diagram of a first latch circuit of FIG. 3;

도 7은 도 2의 리프레시 신호 발생부의 구성을 나타낸 블록도,7 is a block diagram illustrating a configuration of a refresh signal generation unit of FIG. 2;

도 8은 도 7의 주기 비교부의 회로도,8 is a circuit diagram of a period comparator of FIG. 7;

도 9는 도 7의 주기 신호 선택부의 회로도,9 is a circuit diagram of a periodic signal selector of FIG. 7;

도 10은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 회로도,10 is a circuit diagram of an operation timing controller of FIG. 2;

도 11은 온도에 따른 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호의 주기 비교 그래프,11 is a graph comparing periods between a first period signal and a second period signal according to temperature;

도 12는 본 발명에 따른 온도 코드 디코딩 방법을 보여주는 도면,12 is a view showing a temperature code decoding method according to the present invention;

도 13은 도 3의 출력 제어부의 동작을 설명하기 위한 타이밍도,FIG. 13 is a timing diagram for describing an operation of an output controller of FIG. 3.

도 14 및 도 15는 온도 코드 디코딩 시뮬레이션의 결과를 보여주는 파형도,14 and 15 are waveform diagrams showing the results of the temperature code decoding simulation;

도 16은 본 발명에 따른 셀프 리프레시 신호의 온도/주기 그래프이고,16 is a temperature / period graph of a self refresh signal according to the present invention;

도 17 및 도 18은 도 2의 동작 타이밍 제어부의 출력 신호의 타이밍도이다.17 and 18 are timing diagrams of output signals of the operation timing controller of FIG. 2.

Claims (41)

제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부;A temperature information generator configured to generate temperature information using the first period signal and the second period signal; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 비교하여 그들 중 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및A refresh period signal generator for comparing the first period signal with the second period signal, selecting a signal having a short period among them, and outputting the selected signal as a refresh period signal; And 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 정해진 타이밍에 맞도록 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비하며,An operation timing controller configured to operate the temperature information generator and the refresh cycle signal generator in accordance with a predetermined timing; 상기 동작 타이밍 제어부는The operation timing controller 상기 리프레시 주기 신호 발생부와 상기 온도 정보 발생부를 정해진 시차를 두고 동작시키도록 구성되는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a refresh temperature signal generation function configured to operate the refresh cycle signal generator and the temperature information generator with a predetermined time difference. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리프레시 주기 신호 발생부는The refresh cycle signal generator 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호의 펄스 발생 타이밍을 비교하여 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호 중 하나를 선택하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성된 주기 비교부, 및A period comparator configured to compare pulse generation timings of the first period signal and the second period signal to output a control signal for selecting one of the first period signal and the second period signal; and 상기 제어 신호에 따라 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호 중 하나를 선택하여 출력하도록 구성된 주기 신호 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a periodic signal selector configured to select and output one of the first periodic signal and the second periodic signal according to the control signal. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 주기 비교부는The period comparison unit 제 1 리셋 신호에 따라 비교 신호를 초기화 시키고, 정해진 시차를 두고 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호에 응답하여 상기 비교 신호의 레벨을 천이시키도록 구성된 제 1 논리 회로부, 및A first logic circuit unit configured to initialize a comparison signal according to a first reset signal and to shift a level of the comparison signal in response to the first period signal and the second period signal with a predetermined time difference, and 상기 제 1 리셋 신호에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호와 상기 제 2 주기 신호에 상응하는 레벨을 갖는 전치 제어 신호 중 하나를 상기 비교 신호의 천이 타이밍에 따라 상기 제어 신호로서 출력하도록 구성된 제 2 논리 회로부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.Second logic configured to output one of a pre-control signal having a level corresponding to the first reset signal and a pre-control signal having a level corresponding to the second periodic signal as the control signal according to the transition timing of the comparison signal A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function, comprising a circuit section. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 1 논리 회로부는The first logic circuit portion 제 1 설정시간 만큼의 시차를 두고 상기 제 1 리셋 신호에 응답하여 상기 비교 신호를 초기화 시키도록 구성된 제 1 스위칭 소자,A first switching element configured to initialize the comparison signal in response to the first reset signal with a time difference by a first set time; 상기 제 1 주기 신호에 응답하여 상기 초기화된 비교 신호의 레벨을 천이 시키도록 구성된 제 2 스위칭 소자, 및A second switching element configured to transition a level of the initialized comparison signal in response to the first periodic signal, and 제 2 설정시간 만큼의 시차를 두고 상기 제 2 주기 신호에 응답하여 상기 초기화된 비교 신호의 레벨을 천이시키도록 구성된 제 3 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장 치.And a third switching element configured to shift the level of the initialized comparison signal in response to the second periodic signal with a time difference by a second set time. Generation device. 제 3 항에 있어서,The method of claim 3, wherein 상기 제 2 논리 회로부는The second logic circuit portion 상기 제 1 리셋 신호에 응답하여 상기 전치 제어 신호를 초기화 시키도록 구성된 제 1 스위칭 소자,A first switching element configured to initialize the pre-control signal in response to the first reset signal, 상기 제 2 주기 신호에 응답하여 상기 전치 제어 신호의 레벨을 천이시키도록 구성된 제 2 스위칭 소자,A second switching element configured to shift the level of the pre-control signal in response to the second periodic signal; 상기 초기화된 비교 신호에 응답하여 상기 전치 제어 신호를 통과시키는 제 3 스위칭 소자, 및A third switching element for passing the pre-control signal in response to the initialized comparison signal, and 상기 비교 신호의 레벨이 천이되면 상기 제 3 스위칭 소자의 출력을 통과시켜 상기 제어 신호로서 출력하는 제 4 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a fourth switching element for passing the output of said third switching element and outputting it as said control signal when the level of said comparison signal changes. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 주기 신호 선택부는The periodic signal selector 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제 2 주기 신호를 통과시키는 제 1 스위칭 소자, 및A first switching element configured to pass the second periodic signal in response to the control signal, and 상기 제어 신호에 응답하여 상기 제 1 주기 신호를 통과시키는 제 2 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second switching element for passing the first periodic signal in response to the control signal. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 온도 정보 발생부는The temperature information generation unit 상기 제 1 주기 신호의 펄스 발생 타이밍에 따라 제 1 전달 제어 신호 및 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성된 출력 제어부;An output control unit configured to generate a first transmission control signal and a second transmission control signal according to the pulse generation timing of the first periodic signal; 상기 제 2 주기 신호를 이용하여 다중 분주 신호를 생성하는 다중 분주 신호 발생부;A multi-division signal generator for generating a multi-division signal using the second periodic signal; 상기 제 1 전달 제어 신호에 따라 상기 다중 분주 신호를 래치하는 분주신호 래치부;A division signal latch unit for latching the multiple division signal according to the first transfer control signal; 상기 분주신호 래치부에서 래치된 다중 분주 신호를 디코딩하여 온도 코드를 출력하는 디코딩부; 및A decoding unit for decoding a multiple division signal latched by the division signal latch unit and outputting a temperature code; And 상기 제 2 전달 제어 신호에 따라 상기 온도 코드를 래치하는 온도 코드 래치부를 구비하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a temperature code latch unit for latching the temperature code according to the second transfer control signal. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 다중 분주 신호 발생부는The multi-division signal generator 상기 제 2 주기 신호를 각각의 분주비로 순차적으로 분주하여 출력하는 복수개의 분주기를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a plurality of dividers which sequentially divide and output the second periodic signals at respective division ratios, wherein the refresh cycle signal generator has a digital temperature information generating function. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 복수개의 분주기의 분주비는 서로 동일한 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a division ratio of the plurality of frequency dividers is the same. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 출력 제어부는The output control unit 온도 감지 구간의 종료 시점부터 제 1 시간 동안 상기 분주신호 래치부가 상기 다중 분주 신호를 입력 받도록 하기 위한 상기 제 1 전달 제어 신호를 생성하고,Generating the first transfer control signal to allow the divided signal latch unit to receive the multi-divided signal for a first time from the end of the temperature sensing period; 상기 온도 감지 구간의 시작 시점부터 상기 온도 감지 구간의 종료 시점을 경과한 제 2 시간 동안 상기 온도 코드 래치부가 상기 디코딩부의 출력을 입력 받지 못하도록 하기 위한 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And generate the second transfer control signal to prevent the temperature code latch unit from receiving an output of the decoding unit for a second time elapsed from the start point of the temperature detection section to the end point of the temperature detection section. A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 출력 제어부는The output control unit 상기 온도 감지 구간의 시작 시점 이전에는 상기 온도 코드 래치부가 상기 디코딩부의 출력을 입력받도록 하기 위한 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second temperature control signal for generating the second transmission control signal to allow the temperature code latch unit to receive the output of the decoding unit before a start point of the temperature sensing section. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 제 1 시간에 비해 상기 제 2 시간이 더 긴 시간인 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And wherein the second time is longer than the first time. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 출력 제어부는The output control unit 상기 제 1 주기 신호, 상기 제 2 주기 신호, 파워 업 신호 및 제 2 리셋 신호를 이용하여 온도 감지 구간을 정의하기 위한 온도 감지 구간 신호를 생성하도록 구성된 온도 감지 구간 신호 발생부,A temperature sensing section signal generator configured to generate a temperature sensing section signal for defining a temperature sensing section using the first periodic signal, the second periodic signal, a power up signal, and a second reset signal; 상기 온도 감지 구간 신호를 이용하여 상기 제 1 전달 제어 신호를 생성하도록 구성된 제 1 전달 제어 신호 발생부, 및A first transfer control signal generator configured to generate the first transfer control signal using the temperature sensing interval signal, and 상기 온도 감지 구간 신호를 이용하여 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성된 제 2 전달 제어 신호 발생부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second transmission control signal generator configured to generate the second transmission control signal by using the temperature sensing interval signal. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 온도 감지 구간 신호 발생부는The temperature sensing section signal generator 상기 파워 업 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 초기화 시키고, 상기 제 2 리셋 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 활성화시키며, 상기 제 1 주기 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 비활성화시키도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.Initialize the temperature sensing section signal in response to the power up signal, activate the temperature sensing section signal in response to the second reset signal, and deactivate the temperature sensing section signal in response to the first periodic signal. And a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 온도 감지 구간 신호 발생부는The temperature sensing section signal generator 상기 제 1 주기 신호 또는 상기 제 2 주기 신호에 응답하여 상기 온도 감지구간 신호를 비활성화시키도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the temperature sensing section signal is deactivated in response to the first periodic signal or the second periodic signal. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 온도 감지 구간 신호 발생부는The temperature sensing section signal generator 상기 파워 업 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 초기화 레벨로천이시키도록 구성된 제 1 스위칭 소자,A first switching element configured to transition the temperature sensing section signal to an initialization level in response to the power up signal; 상기 제 2 리셋 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 활성화 레벨로 천이시키도록 구성된 제 2 스위칭 소자,A second switching element configured to transition the temperature sensing interval signal to an activation level in response to the second reset signal; 상기 제 1 주기 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 비활성화 레벨로 천이시키도록 구성된 제 3 스위칭 소자, 및A third switching element configured to transition the temperature sensing interval signal to an inactive level in response to the first periodic signal, and 상기 제 2 주기 신호에 응답하여 상기 온도 감지 구간 신호를 상기 비활성화 레벨로 천이시키도록 구성된 제 4 스위칭 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a fourth switching element configured to transition the temperature sensing section signal to the deactivation level in response to the second periodic signal. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 1 전달 제어 신호 발생부는The first transfer control signal generator is 상기 온도 감지 구간 신호를 이용하여 상기 온도 감지 구간의 종료 시점부터 제 1 시간 동안의 펄스 폭을 갖는 상기 제 1 전달 제어 신호를 생성하기 위한 펄스 발생회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a pulse generating circuit for generating the first transfer control signal having a pulse width for a first time from the end of the temperature sensing section by using the temperature sensing section signal. Refresh cycle signal generator having a. 제 13 항에 있어서,The method of claim 13, 상기 제 2 전달 제어 신호 발생부는The second transfer control signal generator 상기 온도 감지 구간 신호와 상기 온도 감지 구간 신호를 제 2 시간 만큼 지연시킨 신호를 조합하여 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And generating the second transfer control signal by combining the temperature sensing section signal and the signal delayed by the temperature sensing section signal by a second time period. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 분주신호 래치부는The divided signal latch unit 상기 제 1 전달 제어 신호가 활성화되면 상기 다중 분주 신호를 입력 받아 출력 하고, 상기 제 1 전달 제어 신호가 비활성화되면 상기 다중 분주 신호의 입력을 차단함과 동시에 이전에 입력된 다중 분주 신호를 래치하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.Is configured to receive and output the multi-dispense signal when the first transfer control signal is activated; A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function, characterized in that. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 분주신호 래치부는The divided signal latch unit 상기 제 1 전달 제어 신호에 응답하여 상기 다중 분주 신호를 입력 받는 제 1 스위칭 소자,A first switching element configured to receive the multiple divided signal in response to the first transfer control signal; 상기 제 1 스위칭 소자의 출력 신호를 상기 제 1 전달 제어 신호에 응답하여 래치하는 래치를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a latch for latching an output signal of the first switching element in response to the first transfer control signal. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 디코딩부는The decoding unit 상기 분주신호 래치부에 래치된 다중 분주 신호를 온도를 정의하는 예비 코드로 디코딩하는 제 1 디코더, 및A first decoder which decodes the multiple frequency division signal latched in the frequency division latch unit with a preliminary code defining a temperature; 상기 제 1 디코더에서 출력된 예비 코드를 반도체 메모리 규격에 맞는 온도 코드로 디코딩하는 제 2 디코더를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second decoder for decoding the preliminary code output from the first decoder into a temperature code conforming to a semiconductor memory standard. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 온도 코드 래치부는The temperature code latch unit 상기 제 2 전달 제어 신호가 활성화되면 상기 온도 코드를 입력 받아 래치 및 출력 하고, 상기 제 2 전달 제어 신호가 비활성화되면 상기 온도 코드의 입력을 차단함과 동시에 래치 동작이 중지되도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the latching and outputting the temperature code when the second transfer control signal is activated, and when the second transfer control signal is inactivated, the latch operation is stopped while the input of the temperature code is blocked. A refresh cycle signal generator having a temperature information generating function. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 온도 코드 래치부는The temperature code latch unit 상기 제 2 전달 제어 신호에 응답하여 상기 온도 코드를 입력 받는 제 1 스위칭 소자,A first switching element receiving the temperature code in response to the second transfer control signal, 상기 제 1 스위칭 소자의 출력 신호를 상기 제 2 전달 제어 신호에 응답하여 래치하는 래치를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a latch for latching an output signal of the first switching element in response to the second transfer control signal. 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 동작 타이밍 제어부는The operation timing controller 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 동작시키고 설정시간 이후에 상기 온도 정보 발생부를 동작시키도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And operating the refresh period signal generator and operating the temperature information generator after a set time. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 온도에 따라 주기가 가변되는 상기 제 1 주기 신호를 발생시키는 제 1 주기 신호 발생부,A first periodic signal generator which generates the first periodic signal whose period varies with temperature, 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 상기 제 2 주기 신호를 발생시키는 제 2 주기 신호 발생부, 및A second periodic signal generator which generates the second periodic signal having a constant period irrespective of temperature, and 제 1 주기 신호 발생부의 출력 또는 상기 제 2 주기 신호 발생부의 출력 중 적어도 하나를 분주하기 위한 분주부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a dividing unit for dividing at least one of an output of the first periodic signal generator or an output of the second periodic signal generator. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 제 1 주기 신호 발생부는 LTCSR 오실레이터(Linear Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the first periodic signal generator comprises a linear temperature compensated self refresh oscillator (LCTSR). 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 제 2 주기 신호 발생부는 EMRS(Extended Mode Register Set) 오실레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the second periodic signal generator comprises an extended mode register set (EMRS) oscillator. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 분주부는The dispensing part 상기 제 1 주기 신호와 제 2 주기 신호를 서로 다른 분주비로 분주한 복수개의 분주 신호들을 선택적으로 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부로 출력하도록 구성된 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a plurality of divided signals which divide the first period signal and the second period signal at different division ratios to the temperature information generator and the refresh period signal generator. Refresh cycle signal generator. 제 26 항에 있어서,The method of claim 26, 상기 동작 타이밍 제어부는The operation timing controller 상기 제 1 주기 신호 발생부, 상기 제 2 주기 신호 발생부, 상기 분주부 및 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 제 1 리셋 신호를 이용하여 동시에 초기화시키고, 설정시간 후 제 2 리셋 신호를 이용하여 상기 온도 정보 발생부를 초기화시키도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.Simultaneously initialize the first periodic signal generator, the second periodic signal generator, the frequency divider, and the refresh periodic signal generator using a first reset signal, and use the second reset signal after a set time to reset the temperature information. And a refresh cycle signal generator having a digital temperature information generating function, configured to initialize the generator. 제 30 항에 있어서,The method of claim 30, 상기 동작 타이밍 제어부는The operation timing controller 파워 업 신호, 셀프 리프레시 신호 및 상기 리프레시 주기 신호를 이용하여 상기 제 1 리셋 신호 및 상기 제 2 리셋 신호를 발생하도록 구성된 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And generating a first reset signal and a second reset signal by using a power-up signal, a self refresh signal, and the refresh cycle signal. 온도에 따라 주기가 가변되는 제 1 주기 신호를 발생시키는 제 1 주기 신호 발생부;A first periodic signal generator for generating a first periodic signal whose period varies with temperature; 온도에 상관없이 일정한 주기를 갖는 제 2 주기 신호를 발생시키는 제 2 주기 신호 발생부;A second periodic signal generator for generating a second periodic signal having a constant period regardless of temperature; 상기 제 1 주기 신호와 상기 제 2 주기 신호를 정해진 복수개의 분주비로 분주하여 제 1 내지 제 4 분주 주기 신호를 출력하는 분주부;A divider which divides the first period signal and the second period signal at a plurality of predetermined division ratios and outputs first to fourth division period signals; 상기 제 1 분주 주기 신호와 상기 제 2 분주 주기 신호를 이용하여 온도 정보를 생성하는 온도 정보 발생부;A temperature information generator configured to generate temperature information by using the first frequency division signal and the second frequency division signal; 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호 중에서 짧은 주기를 갖는 신호를 선택하여 리프레시 주기 신호로 출력하는 리프레시 주기 신호 발생부; 및A refresh cycle signal generator for selecting a signal having a short cycle from among the third divided cycle signal and the fourth divided cycle signal and outputting the selected refresh cycle signal as a refresh cycle signal; And 상기 온도 정보 발생부와 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 서로 다른 타이밍에 동작시키는 동작 타이밍 제어부를 구비하며,An operation timing controller configured to operate the temperature information generator and the refresh cycle signal generator at different timings; 상기 동작 타이밍 제어부는The operation timing controller 상기 제 1 주기 신호 발생부, 상기 제 2 주기 신호 발생부, 상기 분주부 및 상기 리프레시 주기 신호 발생부를 동시에 초기화시키고, 설정시간 후 상기 온도 정보 발생부를 초기화시키도록 구성되는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a digital temperature information generating function configured to simultaneously initialize the first periodic signal generator, the second periodic signal generator, the frequency divider, and the refresh period signal generator, and initialize the temperature information generator after a set time. Refresh cycle signal generator. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 리프레시 주기 신호 발생부는The refresh cycle signal generator 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호의 펄스 발생 타이밍을 비교하여 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호 중 하나를 선택하기 위한 제어 신호를 출력하도록 구성된 주기 비교부, 및A period comparator configured to compare pulse generation timings of the third divided period signal and the fourth divided period signal to output a control signal for selecting one of the third divided period signal and the fourth divided period signal; and 상기 제어 신호에 따라 상기 제 3 분주 주기 신호와 상기 제 4 분주 주기 신호 중 하나를 선택하여 출력하도록 구성된 주기 신호 선택부를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a periodic signal selector configured to select and output one of the third divided cycle signal and the fourth divided cycle signal in accordance with the control signal. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 온도 정보 발생부는The temperature information generation unit 상기 제 1 분주 주기 신호의 펄스 발생 타이밍에 따라 제 1 전달 제어 신호 및 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성된 출력 제어부;An output control unit configured to generate a first transfer control signal and a second transfer control signal according to a pulse generation timing of the first division period signal; 상기 제 2 분주 주기 신호를 이용하여 다중 분주 신호를 생성하는 다중 분주 신호 발생부;A multiple division signal generator for generating a multiple division signal using the second division period signal; 상기 제 1 전달 제어 신호에 따라 상기 다중 분주 신호를 래치하는 분주신호 래치부;A division signal latch unit for latching the multiple division signal according to the first transfer control signal; 상기 분주신호 래치부에서 래치된 다중 분주 신호를 디코딩하여 온도 코드를 출력하는 디코딩부; 및A decoding unit for decoding a multiple division signal latched by the division signal latch unit and outputting a temperature code; And 상기 제 2 전달 제어 신호에 따라 상기 온도 코드를 래치하는 온도 코드 래치부를 구비하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a temperature code latch unit for latching the temperature code according to the second transfer control signal. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 출력 제어부는The output control unit 온도 감지 구간의 종료 시점부터 제 1 시간 동안 상기 분주신호 래치부가 상기 다중 분주 신호를 입력 받도록 하기 위한 상기 제 1 전달 제어 신호를 생성하고,Generating the first transfer control signal to allow the divided signal latch unit to receive the multi-divided signal for a first time from the end of the temperature sensing period; 상기 온도 감지 구간의 시작 시점부터 상기 온도 감지 구간의 종료 시점을 경과한 제 2 시간 동안 상기 온도 코드 래치부가 상기 디코딩부의 출력을 입력 받지 못하도록 하기 위한 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하며,Generating the second transfer control signal to prevent the temperature code latch unit from receiving an output of the decoding unit for a second time elapsed from the start point of the temperature detection section to the end point of the temperature detection section, 상기 온도 감지 구간의 시작 시점 이전에는 상기 온도 코드 래치부가 상기 디코딩부의 출력을 입력받도록 하기 위한 상기 제 2 전달 제어 신호를 생성하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second temperature control signal for generating the second transmission control signal to allow the temperature code latch unit to receive the output of the decoding unit before a start point of the temperature sensing section. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 분주신호 래치부는The divided signal latch unit 상기 제 1 전달 제어 신호가 활성화되면 상기 다중 분주 신호를 입력 받아 출력 하고, 상기 제 1 전달 제어 신호가 비활성화되면 상기 다중 분주 신호의 입력을 차단함과 동시에 이전에 입력된 다중 분주 신호를 래치하도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.Is configured to receive and output the multi-dispense signal when the first transfer control signal is activated; A refresh cycle signal generator having a digital temperature information generation function, characterized in that. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 디코딩부는The decoding unit 상기 분주신호 래치부에 래치된 다중 분주 신호를 온도를 정의하는 예비 코드로 디코딩하는 제 1 디코더, 및A first decoder which decodes the multiple frequency division signal latched in the frequency division latch unit with a preliminary code defining a temperature; 상기 제 1 디코더에서 출력된 예비 코드를 반도체 메모리 규격에 맞는 온도 코드로 디코딩하는 제 2 디코더를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And a second decoder for decoding the preliminary code output from the first decoder into a temperature code conforming to a semiconductor memory standard. 제 34 항에 있어서,The method of claim 34, wherein 상기 온도 코드 래치부는The temperature code latch unit 상기 제 2 전달 제어 신호가 활성화되면 상기 온도 코드를 입력 받아 래치 및 출력 하고, 상기 제 2 전달 제어 신호가 비활성화되면 상기 온도 코드의 입력을 차단함과 동시에 래치 동작이 중지되도록 구성됨을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the latching and outputting the temperature code when the second transfer control signal is activated, and when the second transfer control signal is inactivated, the latch operation is stopped while the input of the temperature code is blocked. A refresh cycle signal generator having a temperature information generating function. 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 제 1 주기 신호 발생부는 LTCSR 오실레이터(Linear Temperature Compensated Self Refresh Oscillator)를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the first periodic signal generator comprises a linear temperature compensated self refresh oscillator (LCTSR). 제 32 항에 있어서,The method of claim 32, 상기 제 2 주기 신호 발생부는 EMRS(Extended Mode Register Set) 오실레이터를 구비하는 것을 특징으로 하는 디지털 온도 정보 생성 기능을 갖는 리프레시 주기 신호 발생 장치.And the second periodic signal generator comprises an extended mode register set (EMRS) oscillator. 삭제delete
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