KR100918000B1 - 전원 전압의 기울기에 무관한 저 전력 por 회로 - Google Patents
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- H03K17/223—Modifications for ensuring a predetermined initial state when the supply voltage has been applied in field-effect transistor switches
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Abstract
Description
Claims (5)
- 반도체 장치의 POR (Power On Reset) 회로에 있어서,외부로부터 전원 전압 (VDD) 을 인가받아 전원 전압의 기울기가 제 1 기울기 (SL) 이하인 범위에서 제 1 리셋 펄스 신호를 생성하는 레벨 디텍션 회로;외부로부터 전원 전압을 인가받아 전원 전압의 기울기가 제 2 기울기 (ST) 이상인 범위에서 제 2 리셋 펄스 신호를 생성하고, 상기 제 1 기울기 (SL) 는 상기 제 2 기울기 (ST) 보다 작거나 같은 트랜시언트 디텍션 회로; 및상기 제 1 리셋 펄스 신호와 상기 제 2 리셋 펄스 신호를 OR 로직하는 논리합 회로를 포함하고,상기 레벨 디텍션 회로, 상기 트랜시언트 디텍션 회로 및 상기 논리합 회로는 반도체 칩 내에 일체로 형성되는, POR 회로.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 트랜시언트 디텍션 회로는,일단이 상기 전원 전압을 인가받고 타단이 출력 전압 노드에 접속되는 제 1 커패시터; 및일단이 상기 출력 전압 노드에 접속되고 타단이 접지되는 제 1 저항을 포함하는, POR 회로.
- 제 3 항에 있어서,상기 레벨 디텍션 회로는,상기 전원 전압의 크기에 상관없이 일정한 크기의 전압이 출력되는 기준부; 및상기 전원 전압의 크기에 비례하여 증가하는 검출부 전압을 갖고, 상기 기준부 전압과 상기 검출부 전압의 크기를 비교하여 기준부 전압이 검출부 전압보다 높은 범위에서 리셋 펄스를 형성하는 검출부를 포함하는, POR 회로.
- 제 4 항에 있어서,상기 기준부는,일단이 전원 전압을 인가받고 타단이 기준 전압 노드에 접속되는 제 2 저항;게이트단 및 소스단이 상기 기준 전압 노드에 접속되고 드레인단이 접지되는 트랜지스터; 및일단이 상기 기준 전압에 접속되고 타단이 접지되는 제 2 커패시터를 포함하고,상기 기준 전압은 상기 검출부의 입력 전압이 되는, POR 회로.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR1020070043023A KR100918000B1 (ko) | 2007-05-03 | 2007-05-03 | 전원 전압의 기울기에 무관한 저 전력 por 회로 |
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KR1020070043023A KR100918000B1 (ko) | 2007-05-03 | 2007-05-03 | 전원 전압의 기울기에 무관한 저 전력 por 회로 |
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KR20080097760A KR20080097760A (ko) | 2008-11-06 |
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KR (1) | KR100918000B1 (ko) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10313240A (ja) | 1997-05-12 | 1998-11-24 | Oki Electric Ind Co Ltd | パワーオンリセット回路 |
KR100376881B1 (ko) | 2000-12-19 | 2003-03-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 파워 온 리세트 회로 |
KR100583611B1 (ko) * | 2005-01-25 | 2006-05-26 | 삼성전자주식회사 | 파워-온 리셋 회로 및 파워-온 리셋 방법 |
KR100634428B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2006-10-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 전원전압 레벨 디텍터 및 그를 포함하는 파워 온 리셋 회로 |
-
2007
- 2007-05-03 KR KR1020070043023A patent/KR100918000B1/ko active IP Right Grant
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