KR100907264B1 - 패턴형성을 위한 에칭장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패턴형성을 위한 에칭장치에 관한 것이다.
본 발명은 에칭을 위해 인입된 기판의 가공 환경을 진공 상태로 유지시키는 챔버; 상기 챔버로 에칭가스를 공급하는 가스공급부; 상기 에칭가스에 의해 식각되는 과정에서 발생된 이물질을 배출시키는 배기부;를 포함하는 패턴 형성을 위한 에칭장치에 있어서, 상기 챔버 내에 인입 안착된 기판의 패턴 형성면 상방에 별도로 위치하면서 패턴 이외 부분에 에칭가스를 집중시키는 기구적 스크린을 더 포함시켜서 됨을 특징으로 한다.
본 발명은 에칭가스를 이용하여 건(乾)식으로 패턴 이외의 부분을 식각시킴으로써, 빠르게 에칭공정을 진행 할 수 있도록 한다. 또한, 에칭 과정에서 발생된 이물질을 배기시킴으로써, 기판 상의 잔류물 또는 이물질 제거를 위한 세정이라는 후속 공정을 생략할 수 있다. 또한, 기판 상에 형성되어질 패턴 부분에 보호막을 화학적으로 형성시키는 공정 및 에칭공정 후 보호막을 제거하는 공정을 생략할 수 있어 전체 공정을 대폭적으로 감축시킬 수 있다.

Description

패턴형성을 위한 에칭장치{ETCHING APPARATUS FOR PATTERN FORMATION}
본 발명은 패턴형성 특히, 태양전지용 TCO패턴막 형성을 위한 에칭장치에 관한 것이다.
일반적으로, 웨이퍼 또는 LCD글라스와 같은 기판 특히, 평판디스플레이 또는 태양전지용 소자에 패턴을 형성하는 방식은 레이저를 이용하여 설계된 패턴 이외의 부분을 제거하는 LASER SCRIBING 방식이 이용되고 있으며, 그 외에도 반도체 소자 가공 공정에서 주로 이용되는 에칭 가스를 이용하여 패턴 이외의 부분을 식각시켜 제거하는 건식 에칭 방식이 이용되고 있다.
상기의 도전막 형성 방식 중 LASER SCRIBING 방식은 첨부 도면 도 1에 도시된 바와 같이, 레이저(L)를 이용하여 설계된 패턴 이외의 부분을 제거하는 방식으로서, 첨부 도면 도 2a에 도시된 바와 같이, TCO(TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE ; 투명 도전막(P))막이 표면에 형성된 기판(G ; 글라스)에 첨부 도면 도 2b에 도시된 바와 같이, 설계된 패턴에 따라 패턴 이외의 부분에 레이저(L)를 조사하면 TCO 막(P)만 제거된다. 이때, 레이저(L)에 의해 제거된 부분에는 미세한 TCO막 잔류물이 존재하게 되는데, 이를 첨부 도면 도 2c에 도시된 바와 같이, 세정공정(예시적으로, 세정액을 이용하여 세정 후 에어를 이용하여 건조)에서 잔류물을 제거함으로써, TCO(P)에 의해 패턴이 형성된 기판(G)이 첨부 도면 도 2d에 도시된 바와 같이 완성된다.
한편, 상기의 도전막 형성 방식 중 건식 에칭 방식은 에칭 가스를 이용하여 패턴 이외의 부분을 식각시켜 제거하는 방식으로서, 첨부 도면 도 3a에 도시된 바와 같이, 기판(G ; 글라스) 표면에 형성된 TCO(TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE ; 투명 도전막(P))막 표면에 첨부 도면 도 3b에 도시된 바와 같이, 설계된 패턴에 따라 패턴 표면에 식각을 방지하는 보호막(PR)을 형성시킨다. 이후, 상기 기판(G)을 진공 챔버 내에 인입시킨 다음 에칭가스를 공급하면, 첨부 도면 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이, 보호막(PR)이 형성된 부분을 제외하고 TCO막(P)이 식각되면서 제거된다. 그 다음으로는 TCO막(P) 표면의 보호막(PR)을 제거하기 위해 첨부 도면 도 3e에 도시된 바와 같이, 세정공정(예시적으로, 세정액을 이용하여 세정 후 에어를 이용하여 건조)에서 잔류물을 제거함으로써, TCO(P)에 의해 패턴이 형성된 기판(G)이 첨부 도면 도 3f에 도시된 바와 같이 완성된다.
상기와 같은 패턴 형성 방식 중 LASER SCRIBING 방식은 도시된 바와 같이, 레이저를 이용하여 패턴 이외의 부분을 제거하게 되므로, 패턴형성공정의 처리 시간이 길어지게 되고, 패턴 형성 후, 잔류물을 별도의 세정공정을 통해 제거하여야 하는 추가 공정이 필요하게 되므로, 작업 공정 소요시간이 길어질 뿐 아니라 번거로운 작업이 추가되는 문제점이 있다.
또한, 종래 건식 에칭 방식의 경우에는 패턴 부분의 식각 방지를 위해 TCO막 표면에 보호막을 형성시키는 공정이 필요하고, 패턴 형성 후, 보호막을 다시 제거하여야하는 공정이 필요하게 되므로, 이 역시 작업 공정 소요시간이 길어질 뿐 아니라 번거로운 작업이 추가되는 문제점이 있다.
본 발명은 에칭을 위해 인입된 기판의 가공 환경을 진공 상태로 유지시키는 챔버; 상기 챔버로 에칭가스를 공급하는 가스공급부; 상기 에칭가스에 의해 식각되는 과정에서 발생된 이물질을 배출시키는 배기부;를 포함하는 패턴 형성을 위한 에칭장치에 있어서, 상기 챔버 내에 인입 안착된 기판의 패턴 형성면 상방에 별도로 위치하면서 패턴 이외 부분에 에칭가스를 집중시키는 기구적 스크린을 더 포함시켜서 됨을 특징으로 한다.
본 발명은 에칭가스를 이용하여 건(乾)식으로 패턴 이외의 부분을 식각시킴으로써, 빠르게 에칭공정을 진행 할 수 있도록 한다.
또한, 본 발명은 에칭 과정에서 발생된 이물질을 배기시킴으로써, 기판 상의 잔류물 또는 이물질 제거를 위한 세정이라는 후속 공정을 생략할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판 상에 형성되어질 패턴 부분에 보호막을 화학적으로 형성시키는 공정 및 에칭공정 후 보호막을 제거하는 공정을 생략할 수 있어 전체 공정을 대폭적으로 감축시킬 수 있다.
본 발명을 설명하기에 앞서 기술의 이해를 돕도록 제시하는 첨부 도면 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 6의 a), b)는 본 발명의 일실시예에 따른 작용을 도시한 개략적인 단면도이고, 도 7의 a), b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 8의 a), b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도이고, 도 9의 a), b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 일측 부분 단면도이고, 도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도이다.(본 발명을 설명하기 위한 첨부 도면에서 기판(1)인 글라스와 패턴형성면(2)인 TCO막은 명확한 도면 설명을 위해 두께를 과장되게 표현하였음을 미리 밝혀둔다.)
이와 같이 제시한 첨부 도면을 참고로 하여 본 발명을 설명하면 다음과 같 다.
먼저, 본 발명은 첨부 도면 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 에칭을 위해 인입된 기판의 가공 환경을 진공 상태로 유지시키는 챔버(11); 상기 챔버(11)로 에칭가스를 공급하는 가스공급부(12); 상기 에칭가스에 의해 식각되는 과정에서 발생된 이물질을 배출시키는 배기부(13);를 포함하는 패턴 형성을 위한 에칭장치(10)에 있어서, 상기 챔버(11) 내에 인입 안착된 기판(1)의 패턴 형성면(2) 상방에 별도로 위치하면서 패턴 이외 부분에 에칭가스를 집중시키는 기구적 스크린(14)을 더 포함시켜서 될 수 있다.
여기서, 본 발명 중 상기 챔버(11)는 진공챔버로서, 기판(1)이 안착되는 기판지지수단(11a); 상기 기판지지수단(11a)을 승강시키는 승강수단(11b);을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 챔버(11)의 일측 방향에 기판(1)의 인입/인출 통로를 개폐시키는 개폐수단이 더 포함되고, 상기 개폐수단 내/외를 오가며 기판(1)은 인입/인출시키는 이송수단이 더 포함될 수 도 있다.
이와 같이 된 챔버(11)는 상기 이송수단을 통해 기판(1)이 인입되면, 상기 승강수단(11a)이 상승하면서 기판(1)을 안착시켜 에칭위치에 정지한다. 이후, 진공장치를 통해 챔버(11) 내부가 진공 상태가 되면, 에칭가스가 유입되어 에칭공정이 진행되며, 그 다음으로 배기부(13)가 작동하여 폐가스와 잔유물을 흡입을 통해 배기시킨다.
한편, 본 발명 중 상기 가스공급부(12)는 여러 종류의 가스가 충진 된 복수의 공급탱크; 상기 각 공급탱크의 후단에 설치되어, 공급되는 가스의 양을 균일 공급 되도록 조절하는 MFC(Mass Flow Controller); 상기 각 MFC의 후단에 설치되어, 가스의 역류를 방지하는 체크밸브; 상기 각 체크밸브의 후단에 설치되어, 복수의 가스를 혼합하는 가스혼합탱크; 상기 공급탱크 또는 가스혼합탱크로부터 공급되는 가스를 챔버(11)로 유도하는 배관;을 포함하여 구성될 수 있다.
이와 같이 된 가스공급부(12)는 폭발성 가스 또는 점화성 가스를 포함하는 각각의 가스가 상기 공급탱크에 충진되어 있으며, 상기 가스는 밸브의 개폐로 레귤레이터에서 가스 유속이 조절되고, 상기 MFC로 유입되며, MFC에서는 가스를 균일하게 가스혼합탱크로 공급하게 된다. 이때, MFC로부터 가스혼합탱크로 유입되기 전에 필터에서 정화하여 순수한 가스를 가스혼합탱크에 공급한다. 이와 같이 하여 상기 가스혼합탱크에 공급된 가스는 유입구를 통하여 공간부로 유입되며, 유입과 동시에 반구형상의 난류유도부재에 충돌된다. 상기 난류유도부재에 충돌된 가스는 난류를 일으키게 되며, 동시에 혼합망을 통과하면서 혼합이 신속히 이루어진다. 이와 같이 하여 혼합이 이루어진 혼합가스는 상기 배관을 통해 프로세스용 상기 챔버(11)로 공급된다.
이때, 상기 가스공급부(12)로부터 공급되는 가스는 ClF3(삼불화염소)와 BCl3(삼염화붕소)일 수 있으며, 가스 흐름 정도는 50 ~ 200[sccm]인 것이 바람직하다. (상기 단위 sccm은 Standard Cubic Centimeter per Minute의 약자로서, cm3 / min 의 의미이며, 더 구체적으로는 분당 1cc 흐르는 것을 나타내는 유량 단위임)
또 한편, 본 발명 중 상기 배기부(13)는 에칭공정을 마친 폐가스(잔여가스)나 공정 생성물을 외부로 배출시키는 장치로서, 공정챔버의 일측에 연결되어 상기 공정챔버 내부의 잔여가스가 배기되는 배기라인; 상기 배기라인 상에 장착되는 트랩 및 트랩의 외면에 밀착되도록 장착되며, 내부에 냉각라인이 구비된 냉각자켓을 포함하여 구성될 수 있다.
이때, 상기 냉각라인은 냉각수 공급장치를 통하여 냉각수가 공급되는 냉각수 공급라인과 일단이 연결되고, 냉각수가 배출되는 냉각수 배출라인과 타단이 연결될 수 있다.
또한, 상기 냉각라인 또는 상기 냉각수 공급라인 상에는 냉각수의 온도를 감지하는 온도감지센서와 유동되는 냉각수의 유량을 감지하는 유량감지센서가 마련되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 냉각수 공급장치와 상기 온도감지센서 및 상기 유량감지센서에 전기적으로 연결되어 온도감지센서 및 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값에 의해 냉각수 공급장치를 제어하는 제어부를 더 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제어부에 전기적으로 연결되어 온도감지센서와 유량감지센서에서 감지되는 냉각수의 온도값과 유량값을 표시하는 표시장치를 더 포함할 수 있다.
이와 같이 되면, 배기라인의 외부에 열선을 구비한 히팅테이프를 감아 배기라인의 온도를 유지시켜 배기라인의 내부에서 불순물이 응착되는 것을 방지하고, 배기라인 상의 일측에 트랩을 설치하여 폐가스나 공정 생성물에 포함되어 있는 이들 불순물을 포획, 제거할 수 있다.
또 한편, 본 발명 중 상기 스크린(14)은 기판(1) 상에 패턴이 형성되어질 부분을 제외한 부분이 천공된 금속 판체로서, 기판(1)과 미세한 간격을 두고 위치할 수 있으며, 그 간격은 0.1 ~ 10[mm] 사이에서 고정 또는 가변되면서 기판(1)에 형성되어질 패턴을 제외한 부분에 에칭가스를 집중시킬 수 있다.
이때, 상기 스크린(14)은 에칭가스와 반응하여 금속이 부식되는 것을 방지하는 테프론이 코팅된 마스크일 수 있으며, 상기 테프론은 불소수지이며 도료화되어, 철ㆍ스테인리스ㆍ알루미늄ㆍ동ㆍ유리ㆍ고무ㆍ세라믹ㆍ플라스틱 등 재료에 스프레이(SPRAY)및 분말 정전도장ㆍ건조ㆍ가열ㆍ소성의 공정으로 도장될 수 있다.
이와 같이 구성되는 본 발명은 첨부 도면 도 6의 a), b)에 도시된 바와 같이, 챔버(11) 내로 인입된 기판(1)이 기판지지수단(11a)에 안착된 상태에서 에칭 위치까지 승강수단(11b)에 의해 승강되면, 진공상태에서 가스공급부(12)를 구성하는 밸브의 개폐로 레귤레이터에서 가스 유속이 조절되고, MFC로 유입되며, MFC에서는 가스를 균일하게 가스혼합탱크로 공급하게 된다. 이때, MFC로부터 가스혼합탱크로 유입되기 전에 필터에서 정화하여 순수한 가스를 가스혼합탱크에 공급한다. 이와 같이 하여 상기 가스혼합탱크에 공급된 가스는 유입구를 통하여 공간부로 유입되며, 유입과 동시에 반구형상의 난류유도부재에 충돌된다. 상기 난류유도부재에 충돌된 가스는 난류를 일으키게 되며, 동시에 혼합망을 통과하면서 혼합이 신속히 이루어진다. 이와 같이 하여 혼합되면서 에칭가스인 ClF3 가스와 BCL3 가스가 유입된다. 이때, 캐리어 가스인 Ar(아르곤)가스가 함께 유입되면서, 상기의 에칭가스들이 챔버(11) 내로 고르게 공급되도록 돕는다.
상기와 같이 공급된 에칭 가스는 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)을 통해 기판(1)의 패턴형성면(2 ; TCO막)에 집중적으로 반응하여 해당되는 부분의 TCO막을 식각한다. 이때, 전술한 바와 같이 기판(1)과 스크린(14)이 소정의 간격을 두고 위치하고 있으므로, 기판(1)의 패턴형성면(2)인 TCO막 전체면에 에칭가스가 반응할 수 있으나, 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)이 상대적으로 더 에칭가스에 노출되어 식각이 급격하게 발생된다.
이와 같이 하여, 필요한 에칭 공정이 완료 되면, 배기부(13)의 강제 흡입배기장치를 통해 폐가스 및 잔류물이 배출되는데, 이때, 배기라인의 외부에 열선을 구비한 히팅테이프를 감아 배기라인의 온도를 유지시켜 배기라인의 내부에서 불순물이 응착되는 것을 방지하고, 배기라인 상의 일측에 트랩을 설치하여 폐가스나 공정 생성물에 포함되어 있는 이들 불순물을 포획, 제거한다.
그리고, 본 발명은 첨부 도면 도 7의 a), b)에 도시된 바와 같이, 챔버(11)의 승강수단(11b)이 에칭공정 중에 기판지지수단(11a)에 안착된 기판(1)을 스크린(14) 방향으로 상승 또는 하강시키면서 에칭공정을 진행 할 수 도 있다. 이때, 상기 승강수단(11b)은 피스톤 운동하는 실린더일 수 도 있으며, 스텝모터의 회전에 의해 직선 운동하는 렉기어 또는 리드스크루일 수 도 있다.
예컨대, 에칭공정 초기에는 승강수단(11b)이 기판(1)을 스크린(14)의 면과 최대한 근접(본 발명에서는 실시예적으로 0.1mm로 설정함)시키고, 에칭시간이 흐르면서 하강하여 기판(1)을 스크린(14)의 면과 멀리(본 발명에서는 실시예적으로 10mm로 설정함) 이격시킬 수 있다.
이와 같이 하면, 에칭 공정 초기에는 스크린(14)의 가스집중유도공(14a) 즉, 에칭가스를 기판(1)의 패턴이 형성되지 않는 부분으로 유도하여 집중 반응하도록 천공된 부분을 통해 패턴 이외의 부분을 식각 제거하고, 이후에는 패턴 이외의 식각된 표면에 잔류하는 TCO막을 완전히 식각 제거할 수 있다.
또한, 이와는 반대로 에칭공정 초기에는 승강수단(11b)이 기판(1)을 스크린(14)의 면과 멀리 이격시키고, 에칭시간이 흐르면서 상승하여 기판(1)을 스크린(14)의 면과 근접시킬 수 도 있다.
이와 같이 하면, 에칭 공정 초기에는 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)을 통해 패턴 이외의 부분과 근접된 부분까지 식각을 진행하다가, 에칭공정 말미에는 패턴 이외의 부분만 정확히 식각 제거할 수 있다.
상기와 같은 에칭의 차이는 기판의 종류 및 용도 또는 도전막의 종류에 따라 필요에 따라 달리 적용할 수 있다.
그리고, 본 발명은 첨부 도면 도 8의 a), b)에 도시된 바와 같이, 상기 스크린(14)의 외곽 부분을 파지하고 승강시키는 별도의 승강수단1(15)이 포함될 수 있으며, 상기 승강수단1(15)은 피스톤 운동하는 실린더일 수 있다.
이때, 상기 승강수단1(15)은 스크린(14)의 사방을 지지하는 샤프트(15a); 상기 샤프트(15a)를 지지하는 승강프레임(15b); 상기 승강프레임(15b)을 더 포함하되, 상기 승강프레임(15b)의 일측에 고정 설치될 수 있다.
이와 같이 되면, 에칭공정 진행 정도에 따라 승강수단1(15)이 기판(1)을 스 크린(14)의 면과 최대한 근접 또는 멀리 이격시키는 정도를 가변시키면서 에칭이 이루어지도록 할 수 도 있다.
그리고, 본 발명은 첨부 도면 도 9의 a), b)에 도시된 바와 같이, 상기 스크린(14)의 외곽 부분을 파지하고 승강시키는 별도의 승강수단2(16)를 포함할 수 있으며, 상기 승강수단2(16)는 스텝모터의 회전에 의해 직선 운동하는 렉기어일 수 도 있으며, 스텝모터의 회전에 의해 회전하는 리드스크루일 수 도 있다.
이와 같이 되면, 역시 마찬가지로, 에칭공정 진행 정도에 따라 승강수단1(15)이 기판(1)을 스크린(14)의 면과 최대한 근접 또는 멀리 이격시키는 정도를 가변시키면서 에칭이 이루어지도록 할 수 도 있다.
이때, 상기와 같이 에칭 공정 진행 도중 필요에 따라 기판(1)과 스크린(14)의 간격을 조절하는 것은 별도의 제어수단(17)을 통해 사전에 설정된 값에 의해 이루어질 수 있다.
그리고, 본 발명은 첨부 도면 도 10에 도시된 바와 같이, 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)으로 직접 에칭가스를 집중 분사하는 가스분사부(18)를 더 포함할 수 도 있다.
이때, 상기 가스분사부(18)는 챔버(11) 내로 연장된 가스공급부(13)의 배관 단부와 연통되어 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)으로 에칭가스를 유도 분사하는 가스유도공(18b)이 형성된 하우징(18a)을 더 포함되어 구성될 수 있다.
이와 같이 되면, 에칭가스를 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)으로 직접 집중 분사시켜 스크린(14)의 가스집중유도공(14a)을 통과한 에칭가스가 직접 기판(1)의 TCO막을 식각시켜 패턴을 형성시킬 수 있다.
그밖에도, 본 발명은 첨부 도면 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 스크린(14)을 배제한 체, 가스분사부(18)가 직접 기판(1)과 근접하여 기판(1)에서 패턴 이외에 불필요한 부분으로 에칭가스을 분사하여 식각을 통해 패턴을 형성시킬 수 도 있다.
즉, 본 발명은 에칭을 위해 인입된 기판의 가공 환경을 진공 상태로 유지시키는 챔버(11); 상기 챔버(11)로 에칭가스를 공급하는 가스공급부(12); 상기 에칭가스에 의해 식각되는 과정에서 발생된 이물질을 배출시키는 배기부(13);를 포함하는 패턴 형성을 위한 에칭장치(10)에 있어서, 상기 챔버(11) 내에 인입 안착된 기판(1)의 패턴 형성면(2) 상방에 별도로 위치하면서 패턴 이외 부분에 에칭가스를 집중 분사시키는 가스분사부(18)를 더 포함시켜서 될 수 도 있다.
이상, 본 발명을 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다.
오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
도 1은 종래 레이저를 이용한 패턴 형성 장치(에칭장치)의 구성을 도시한 사시도.
도 2는 종래 레이저를 이용한 패턴 형성 장치(에칭장치)의 패턴형성 단계를 도시한 단면도.
도 3은 종래 에칭가스를 이용한 패턴 형성 장치(에칭장치)의 패턴형성 단계를 도시한 단면도.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 개략적으로 도시한 사시도.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 구성을 개략적으로 도시한 단면도.
도 6의 a), b)는 본 발명의 일실시예에 따른 작용을 도시한 개략적인 단면도.
도 7의 a), b)는 본 발명의 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도.
도 8의 a), b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도.
도 9의 a), b)는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 일측 부분 단면도.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시한 단면도.
도 11은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 구성 및 작용을 개략적으로 도시 한 단면도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 에칭장치 11 : 챔버
11a : 기판지지수단 11b : 승강수단
12 : 가스공급부 13 : 배기부
14 : 스크린 14a : 가스집중유도공
15 : 승강수단1 15a : 샤프트
15b : 승강프레임 16 : 승강수단2
17 : 제어수단 18 : 가스분사부
18a : 하우징 18b : 가스유도공
1 : 기판 2 : 패턴형성면

Claims (14)

  1. 에칭을 위해 인입된 기판(1)의 가공 환경을 진공 상태로 유지시키는 챔버(11); 상기 챔버(11)로 에칭가스를 공급하는 가스공급부(12); 상기 에칭가스에 의해 식각되는 과정에서 발생된 이물질을 배출시키는 배기부(13); 상기 기판(1)에 에칭가스가 작용하는 부분을 제한하는 스크린(14);을 포함하는 패턴 형성을 위한 에칭장치(10)에 있어서, 상기 챔버(11) 내에 인입 안착되는 기판(1)의 패턴형성면(2) 이외 부분에 에칭가스를 집중시키는 가스집중유도공(14a)이 천공된 스크린(14)을 기판(1) 상방에 미세한 간격을 두고 위치시키고, 에칭공정 시에 상기 기판(1)을 스크린(14) 방향으로 승강시키는 승강수단(11b)과, 상기 스크린(14)의 외곽 부분을 파지하고 기판(1)에 대해 승강시키도록 피스톤 운동하는 승강수단1(15)을 더 포함시켜서 됨을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 에칭가스는 ClF3(삼불화염소)와 BCl3(삼염화붕소)이되, 각각의 가스 흐름은 50 ~ 200[sccm]임을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 스크린(14)은 기판(1) 상에 패턴이 형성되어질 부분을 제외한 부분에 가스집중유도공(14a)이 천공된 금속 판체로서, 기판(1)과 미세한 간격을 두고 위치하여 기판(1)에 형성되어질 패턴을 제외한 부분에 에칭가스를 집중시키는 마스크임을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 스크린(14)과 기판(1)과의 간격은 0.1 ~ 10[mm] 사이임을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 스크린(14)은 에칭가스와 반응하여 금속이 부식되는 것을 방지하는 테프론이 코팅됨을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  6. 삭제
  7. 제 1항에 있어서, 상기 승강수단(11b)은 기판(1)이 안착되는 기판지지수단(11a)을 승강시키도록 피스톤 운동하는 실린더임을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  8. 삭제
  9. 제 1항에 있어서, 상기 승강수단1(15)은 스크린(14)의 사방을 지지하는 샤프트(15a); 상기 샤프트(15a)를 지지하는 승강프레임(15b); 상기 승강프레임(15b)을 더 포함하되, 상기 승강프레임(15b)의 일측에 고정 설치됨을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 스크린(14)을 기판(1)에 대해 승강시키도록 스텝모터의 회전에 의해 직선 운동하는 렉기어가 상기 스크린(14)의 외곽 부분에 고정된 승강수단2(16)임을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 스크린(14) 방향으로 직접 에칭가스를 집중 분사하는 가스분사부(18)를 더 포함함을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  12. 제 11항에 있어서, 상기 가스분사부(18)는 챔버(11) 내로 연장된 가스공급 부(13)의 배관 단부와 연통되어 스크린(14) 방향으로 에칭가스를 유도 분사하는 가스유도공(18b)이 형성된 하우징(18a)을 더 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 패턴형성을 위한 에칭장치.
  13. 삭제
  14. 삭제
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KR101470306B1 (ko) * 2013-09-17 2014-12-09 (주)에스이피 기체의 응축 거동을 이용한 마스크리스 식각 장치 및 이를 이용한 나노 또는 마이크로 패턴의 식각 방법
KR101995890B1 (ko) * 2017-02-03 2019-07-04 (주)제이케이씨코리아 배기 성능이 향상된 레이저 가공 장치
KR101995889B1 (ko) * 2017-02-03 2019-10-01 (주)제이케이씨코리아 가공 정밀도가 향상된 레이저 가공 장치
KR102102308B1 (ko) * 2018-03-12 2020-04-20 한국표준과학연구원 보호층을 이용한 패터닝 방법, 및 이를 이용한 소자 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020068608A (ko) * 2001-02-21 2002-08-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 플라즈마 에칭법을 이용한 반도체 웨이퍼 가공법
JP2006186181A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング装置およびエッチング方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020068608A (ko) * 2001-02-21 2002-08-28 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 플라즈마 에칭법을 이용한 반도체 웨이퍼 가공법
JP2006186181A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd エッチング装置およびエッチング方法

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