KR100906714B1

KR100906714B1 - 기판 현상 방법 및 장치

Info

Publication number: KR100906714B1
Application number: KR1020090028916A
Authority: KR
Inventors: 오두영; 유인철
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2009-04-03
Filing date: 2009-04-03
Publication date: 2009-07-07
Also published as: KR20090049568A

Abstract

기판 현상 방법 및 장치가 개시되어 있다. 기판의 현상을 위하여, 기판을 지지하는 기판 지지부의 제1 측부에 설치된 제1 대기부로부터 현상 노즐을 분리시킨다. 이후, 상기 현상 노즐을 상기 기판 지지부의 제2 측부에 설치된 제2 대기부 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 도포한다. 이후, 상기 제2 대기부에 상기 현상 노즐을 결합시킨다. 이후, 상기 제2 대기부에서 상기 현상 노즐을 세정한다. 이와 같이, 현상 노즐을 이용한 현상액 도포 후 현상 노즐을 바로 세정하여 현상 노즐에 부착된 이물질을 제거함으로써, 기판 오염으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.

Description

기판 현상 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS OF DEVELOPING SUBSTRATE}

본 발명은 기판 현상 방법 및 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상액을 기판 상에 도포하여 기판을 현상하는 기판 현상 방법 및 장치에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 또는 평판 표시 장치 제조 공정에서 반도체 기판 또는 유리 기판 상의 각종 패턴은 포토리소그라피(photolithography) 기술에 의해 형성된다.

포토리소그라피 기술은 웨이퍼 또는 유리로 이루어진 기판 상에 감광액을 도포하는 공정, 마스크를 감광액이 도포된 기판에 정렬한 후 자외선 등에 노출시켜 마스크의 패턴 모양에 따라 기판에 노광된 부분과 노광되지 않은 부분으로 구분 짓게 하는 노광공정, 그리고 필요한 패턴만이 남도록 현상액을 이용하여 노광된 부분만 혹은 노광되지 않은 부분만의 감광액을 제거하는 현상 공정으로 이루어진다.

현상 공정을 수행하는 일반적인 장치는 회전 가능한 지지대 상에 노광 공정이 진행된 기판이 놓여지고, 기판의 중앙 상부에 배치된 노즐로부터 현상액이 기판 상으로 공급된다. 현상액은 원심력에 의해 기판의 중심으로부터 가장자리를 향해 퍼지게 된다. 그러나, 이러한 방법을 사용할 경우, 현상액은 기판 전역에 걸쳐 불 균일하게 분포되어 감광막 패턴의 선폭이 불균일하게 되며, 이러한 현상은 기판이 대형화됨에 따라 더욱 커지게 된다.

최근에는 기판의 직경에 대응되는 길이를 갖는 노즐을 사용하여 현상 공정이 수행되고 있다. 그러나, 노즐이 기판으로부터 약 1~2mm 이격된 높이에 배치된 상태에서 현상 공정이 진행되므로, 기판의 회전시 현상된 감광액의 찌꺼기가 노즐 토출부 측면에 부착된다. 이들 이물질들은 후속 기판에 대한 공정 진행시 기판의 오염원으로 작용하여 공정 불량을 야기하는 문제점이 있다.

본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 현상 노즐의 오염을 제거하여 공정 불량을 방지할 수 있는 기판 현상 방법을 제공한다.

또한, 본 발명은 상기한 기판 현상 방법을 수행하는 데 특히 적합한 기판 현상 장치를 제공한다.

본 발명의 일 특징에 따른 기판 현상 방법에 의하면, 기판을 지지하는 기판 지지부의 제1 측부에 설치된 제1 대기부로부터 현상 노즐을 분리시킨다. 이후, 상기 현상 노즐을 상기 기판 지지부의 제2 측부에 설치된 제2 대기부 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 도포한다. 이후, 상기 제2 대기부에 상기 현상 노즐을 결합시킨다. 이후, 상기 제2 대기부에서 상기 현상 노즐을 세정한다. 한편, 상기 현상액의 도포 후, 상기 기판 지지부를 둘러싸도록 설치된 차단벽을 상기 기판의 상부까지 상승시킨 후, 상기 현상액이 도포된 기판을 세정 및 건조한 후, 상기 차단벽을 하강시키는 공정을 더 진행할 수 있다.

본 발명의 다른 특징에 따른 기판 현상 방법에 따르면, 기판을 지지하는 기판 지지부의 제1 측부에 설치된 제1 대기부로부터 상기 기판 지지부의 제2 측부에 설치된 제2 대기부 방향으로 현상 노즐을 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 1차 도포한다. 이후, 상기 제2 대기부에서 상기 현상 노즐을 1차 세정한다. 이후, 상기 제2 대기부로부터 상기 제1 대기부 방향으로 상기 현상 노즐을 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 2차 도포한다. 이후, 상기 제1 대기부에서 상기 현상 노즐을 2차 세정한다. 한편, 상기 현상액의 1차 도포 후, 상기 기판을 1차 세정하고, 상기 현상액의 2차 도포 후, 상기 기판을 2차 세정하며, 상기 기판의 2차 세정 후 상기 기판을 건조시키는 공정을 더 진행할 수 있다.

본 발명의 일 특징에 따른 기판 현상 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부, 상기 기판 지지부의 제1 측부로부터 제2 측부 방향으로 이동하거나 상기 제2 측부로부터 상기 제1 측부 방향으로 이동하면서 상기 기판 상에 현상액을 도포하는 현상 노즐, 상기 기판 지지부의 제1 측부에 설치되어 상기 현상 노즐을 대기시키는 제1 대기부, 및 상기 기판 지지부의 제2 측부에 설치되어 상기 현상 노즐을 대기시키는 제2 대기부를 포함한다.

상기 제1 대기부 및 제2 대기부는 각각 상기 현상 노즐을 세정하기 위한 제1 세정장치 및 제2 세정장치를 포함할 수 있다.

상기 기판 현상 장치는 상기 기판 지지부를 둘러싸도록 설치되어 상하 이동되는 차단벽을 더 포함할 수 있다.

이와 같은 기판 현상 방법 및 장치에 따르면, 현상 노즐을 이용한 현상액 도포 후 현상 노즐을 바로 세정하여 현상 노즐에 부착된 이물질을 제거함으로써, 기판 오염으로 인한 공정 불량을 방지할 수 있다.

또한, 현상 노즐의 이동을 통한 현상액의 1차 도포 후, 현상 노즐의 반대 방향의 이동을 통한 현상액의 2차 도포를 수행함으로써, 이동 방향에 따른 기판의 위 치별 현상특성의 차이를 상쇄시켜 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조 부호를 유사한 구성 요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.

제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 현상 방법을 나타낸 플로우 챠트이며, 도 2는 도 1에 나타난 기판 현상 방법을 수행하기 위한 기판 현상 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 기판 현상 방법을 수행하기 적합한 기판 현상 장치(100)는 기판 지지부(110), 현상 노즐(120), 제1 대기부(130) 및 제2 대기부(140)를 포함한다.

기판 지지부(110)는 웨이퍼 또는 유리 등으로 이루어진 기판(111)이 놓여지는 지지대(112)와 그 하부면을 받치는 로드 형상의 지지축(113)을 포함한다. 지지축(113)에는 공정 진행시 기판(111)을 회전시키기 위한 모터가 연결될 수 있다.

현상 노즐(120)은 기판 지지부(110)에 놓여진 기판(111)에 현상액을 도포한다. 현상 노즐(120)은 예를 들어, 이동 방향과 수직한 방향으로 긴 길이를 갖는 직육면체 형상을 갖는다. 기판(111)이 웨이퍼와 같이 원형인 경우, 현상 노즐(120)은 웨이퍼의 직경과 대응되는 길이를 가지며, 기판(111)이 직사각의 형상인 경우, 현상 노즐(120)은 기판(111)의 일측면의 길이와 대응되는 길이를 갖도록 형성된다. 현상액은 현상 노즐(120)의 후면에 연결되어 있는 공급관을 통해 현상 노즐(120)에 공급되며, 현상 노즐(120)의 토출부를 통해 기판(111)에 도포된다. 예를 들어, 현상 노즐(120)의 토출부는 현상 노즐(120)의 길이 방향을 따라 연장되는 긴 길이의 슬릿으로 형성되거나, 동일 간격으로 이격된 복수의 홀들로 형성될 수 있다.

현상 노즐(120)은 제1 대기부(130)로부터 제2 대기부(140) 방향으로 이동하거나, 제2 대기부(140)로부터 제1 대기부(130) 방향으로 이동하면서 기판(111) 상에 현상액을 도포한다. 예를 들어, 현상 노즐(120)은 현상 노즐(120)에 연결된 노즐 이동 장치(미도시)에 의해 기판(111)과 매우 인접한 높이에서 기판(111)의 일측으로부터 타측까지 직선 이동된다.

제1 대기부(130)는 기판 지지부(110)의 제1 측부에 설치되며, 제2 대기부(140)는 제1 측부의 반대측인 기판 지지부(110)의 제2 측부에 설치된다. 현상액의 도포 전 또는 현상액의 도포 후의 현상 노즐(120)은 제1 대기부(130) 또는 제2 대기부(140)에서 대기하게 된다. 이때, 현상액의 도포시 현상 노즐(120)에 부착된 이물질을 제거하기 위하여, 제1 대기부(130) 및 제2 대기부(140)에는 제1 세정장치(132) 및 제2 세정장치(142)가 각각 구비된다.

한편, 기판 현상 장치(100)는 기판 지지부(110)를 둘러싸도록 설치된 차단 벽(150)을 더 포함할 수 있다. 차단벽(150)은 현상액의 도포 후, 기판(111) 주위의 분위기를 현상에 적합한 분위기로 유지하기 위하여 상하 이동이 가능하도록 설치된다. 즉, 현상 노즐(120)을 통한 현상액의 도포 후, 차단벽(150)은 기판(111)의 상부 영역까지 상승되어 현상 분위기를 유지시키고, 기판(111)의 세정 및 건조 과정에서 세정액 및 이물질이 외부 방향으로 이탈되는 것을 차단시킨다.

이하, 도 2에 도시된 기판 현상 장치(100)를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 현상 방법에 대하여 설명하기로 한다.

우선, 감광액의 도포 공정, 감광액의 노광 공정 등의 전처리 공정이 완료된 기판(111)을 기판 지지부(110)의 지지대(112) 상에 로딩한다. 이때, 현상 노즐(120)은 제1 대기부(130)에서 대기 상태를 유지한다.

기판(111)의 배치가 완료되면, 현상 노즐(120)이 기판(111)과 매우 인접한 높이에 위치될 수 있도록 현상 노즐(120)을 제1 대기부(130)로부터 분리시킨다(S10).

이후, 현상 노즐(120)을 제1 대기부(130)로부터 반대측에 설치된 제2 대기부(140) 방향으로 직선 이동시키면서 기판(111) 상에 현상액을 도포한다(S11).

이후, 현상액의 도포가 완료된 현상 노즐(120)을 제2 대기부(140)에 결합시켜 현상 노즐(120)을 대기시킨다(S12).

현상 노즐(120)은 기판(111)과 매우 인접한 높이에서 현상액을 토출하면서 이동되므로, 공정 진행 중 현상 노즐(120)의 토출부에는 공정 부산물들이 부착되며, 이들 부착물들은 후속 공정에서 오염원으로 작용하는 문제를 야기시킬 수 있 다. 이러한 문제점을 해결하기 위하여, 본 실시예에서는 현상액 도포를 완료한 현상 노즐(120)을 제2 대기부(140)에서 대기하는 동안 제2 대기부(140) 내에 설치된 제2 세정 장치(142)를 통해 세정 공정을 진행한다(S13). 이러한 현상 노즐(120)의 세정을 통해 현상 노즐(120)에 부착되어 있는 부착물들을 제거함으로써, 이어서 진행될 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

한편, 현상 노즐(120)의 이동을 통한 현상액 도포 후, 기판(111)의 현상을 위하여 기판 지지부(110)를 둘러싸도록 설치된 차단벽(150)을 기판(111)의 상부까지 상승시킨다(S14). 차단벽(150)의 상승을 통해 기판(111) 주위는 현상에 적합한 분위기를 유지하게 된다.

이후, 차단벽(150)이 상승된 상태에서, 기판(111) 상에 초순수를 분사하여 기판(111)을 세정한다(S15). 이때, 기판(111)의 세정 효율을 높이기 위하여 기판 지지부(110)를 회전시킬 수 있다.

이후, 차단벽(150)이 상승된 상태에서, 기판(111)을 건조시킨다(S16). 이때, 기판(111)의 건조 효율을 높이기 위하여 기판 지지부(110)를 회전시킬 수 있다.

기판(111)의 세정 및 건조 과정시에, 차단벽(150)이 기판(111)의 상부까지 둘러싸고 있으므로, 기판 지지부(110)의 회전에 의해 세정액 및 이물질이 차단벽(150) 외부로 이탈되지 않는다.

이러한 기판(111)의 세정 및 건조 공정을 통해 기판(111)의 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분이 제거되어 패턴이 형성된다. 이후, 기판(111)의 언로딩을 위하여 차단벽(150)을 하강시킨다(S17).

한편, 현상 노즐(120)의 세정 과정과, 기판(111)의 세정 및 건조 과정은 동시에 또는 별도로 진행될 수 있다.

이러한 일련의 과정을 통해 하나의 기판에 대한 현상 공정이 완료된 후, 다음 기판에 대한 현상 공정은 제2 대기부(140)로부터 제1 대기부(130) 방향으로 진행하게 된다.

따라서, 현상액이 도포된 상태에서 기판(111) 위로 현상 노즐(120)이 이동하지 않으므로 현상액 떨어짐에 의한 현상 불량을 방지할 수 있다. 또한, 현상액 도포 후, 바로 차단벽(150)을 상승시킴으로써 기판(111)의 현상 시간동안 현상 공정의 분위기 변화를 최소화시킬 수 있다. 또한, 불필요한 현상 노즐의 구동 회수를 최소화하여 현상 노즐 구동부의 사용수명을 연장시킬 수 있으며, 기판 현상 장치의 오버 헤드 시간을 최소화시켜 생산성을 향상시킬 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 현상 방법을 나타낸 플로우 챠트이며, 도 4는 도 3에 나타난 기판 현상 방법을 수행하는 과정을 나타낸 도면이다. 도 4에 도시된 기판 현상 장치의 기본 구성은 도 2에 도시된 것과 동일하므로, 그 중복되는 상세한 설명은 생략하기로 한다.

도 3 및 도 4를 참조하면, 기판(111)의 현상을 위하여, 감광액의 도포 공정, 감광액의 노광 공정 등의 전처리 공정이 완료된 기판(111)을 기판 지지부(110)의 지지대(112) 상에 로딩한다. 이때, 현상 노즐(120)은 제1 대기부(130)에서 대기 상태를 유지한다.

기판(111)의 배치가 완료되면, 현상 노즐(120)이 기판(111)과 매우 인접한 높이에 위치될 수 있도록 현상 노즐(120)을 제1 대기부(130)로부터 분리시킨 후, 현상 노즐(120)을 제1 대기부(130)로부터 반대측에 설치된 제2 대기부(140) 방향으로 직선 이동시키면서 기판(111) 상에 현상액을 1차 도포한다(S20).

이후, 현상액의 1차 도포가 완료된 현상 노즐(120)을 제2 대기부(140)에 결합시키고, 현상 노즐(120)이 제2 대기부(140)에서 대기하는 동안 제2 대기부(140) 내에 설치된 제2 세정 장치(142)를 통해 현상 노즐(120)의 1차 세정 공정을 진행한다(S21).

한편, 현상 노즐(120)의 이동을 통한 현상액의 1차 도포 후, 기판 지지부(110)를 둘러싸도록 설치된 차단벽(150)을 기판(111)의 상부까지 상승시킨다(S22).

이후, 차단벽(150)이 상승된 상태에서, 기판(111) 상에 초순수를 분사하여 기판(111)을 1차 세정한다(S23). 이때, 기판(111)의 세정 효율을 높이기 위하여 기판 지지부(110)를 회전시킬 수 있다. 기판(111)의 1차 세정 후, 차단벽(150)을 하강시켜 원위치시킨다(S24).

이후, 1차 세정이 완료된 현상 노즐(120)을 기판(111)과 매우 인접한 높이에 위치될 수 있도록 제2 대기부(140)로부터 분리시킨 후, 현상 노즐(120)을 제2 대기부(140)로부터 반대측에 설치된 제1 대기부(130) 방향으로 직선 이동시키면서 기판(111) 상에 현상액을 2차 도포한다(S25).

이후, 현상액의 2차 도포가 완료된 현상 노즐(120)을 제1 대기부(130)에 결 합시키고, 현상 노즐(120)이 제1 대기부(130)에서 대기하는 동안 제1 대기부(130) 내에 설치된 제1 세정 장치(132)를 통해 현상 노즐(120)의 2차 세정 공정을 진행한다(S26).

한편, 현상 노즐(120)의 이동을 통한 현상액의 2차 도포 후, 차단벽(150)을 기판(111)의 상부까지 재차 상승시킨다(S27).

이후, 차단벽(150)이 상승된 상태에서, 기판(111) 상에 초순수를 분사하여 기판(111)을 2차 세정한다(S28). 이때, 기판(111)의 세정 효율을 높이기 위하여 기판 지지부(110)를 회전시킬 수 있다.

이후, 차단벽(150)이 상승된 상태에서, 기판(111)을 건조시킨다(S29). 이때, 기판(111)의 건조 효율을 높이기 위하여 기판 지지부(110)를 회전시킬 수 있다.

기판(111)의 2차 세정 및 건조가 완료되면, 기판(111)의 언로딩을 위하여 차단벽(150)을 하강시켜 원위치시킨다(S30).

한편, 현상 노즐(120)의 1차 세정 공정과 기판(111)의 1차 세정 공정은 동시에 또는 별도로 진행될 수 있으며, 현상 노즐(120)의 2차 세정 공정과 기판(111)의 2차 세정 및 건조 공정은 동시에 또는 별도로 진행될 수 있다.

이와 같이, 현상액의 도포를 양방향으로 두 번에 걸쳐 진행하게 되면, 현상 노즐(120)의 이동 방향에 따른 기판(111)의 위치별 현상 특성의 차이를 상쇄시켜 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

본 발명에 따르면, 기판 현상 방법 및 장치에 있어서, 기판을 지지하는 기판 지지부의 양측에 각각 현상 노즐을 세정시킬 수 있는 제1 및 제2 대기부를 설치하고, 현상액 도포가 완료된 현상 노즐을 제1 또는 제2 대기부에서 세정한다. 이에 따라, 현상 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 현상 방법을 나타낸 플로우 챠트이다.

도 2는 도 1에 나타난 기판 현상 방법을 수행하기 위한 기판 현상 장치를 개략적으로 나타낸 구성도이다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 현상 방법을 나타낸 플로우 챠트이다.

도 4는 도 3에 나타난 기판 현상 방법을 수행하는 과정을 나타낸 도면이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

100 : 기판 현상 장치 110 : 기판 지지부

120 : 현상 노즐 130 : 제1 대기부

132 : 제1 세정 장치 140 : 제2 대기부

142 : 제2 세정 장치 150 : 차단벽

Claims

기판을 지지하는 기판 지지부의 제1 측부에 설치된 제1 대기부로부터 상기 기판 지지부의 제2 측부에 설치된 제2 대기부 방향으로 현상 노즐을 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 1차 도포하는 단계;

상기 제2 대기부에서 상기 현상 노즐을 1차 세정하는 단계;

상기 기판 지지부를 둘러싸도록 설치된 차단벽을 상기 기판의 상부까지 상승시키는 단계;

상기 기판을 1차 세정하는 단계;

상기 차단벽을 하강시키는 단계;

상기 제2 대기부로부터 상기 제1 대기부 방향으로 상기 현상 노즐을 이동시키면서 상기 기판 상에 현상액을 2차 도포하는 단계;

상기 제1 대기부에서 상기 현상 노즐을 2차 세정하는 단계;

상기 차단벽을 상기 기판의 상부까지 상승시키는 단계;

상기 기판을 2차 세정하는 단계;

상기 2차 세정된 기판을 건조시키는 단계; 및

상기 차단벽을 하강시키는 단계를 포함하는 기판 현상 방법.
제1항에 있어서, 상기 현상 노즐의 1차 세정 및 2차 세정은 상기 제2 대기부 내에 설치된 제2 세정 장치와 상기 제1 대기부 내에 설치된 제1 세정 장치에 의해 각각 수행되는 것을 특징으로 하는 기판 현상 방법.
제1항에 있어서, 상기 기판의 1차 세정 및 2차 세정은 상기 기판 지지부를 회전시키면서 상기 기판 상에 초순수를 분사함으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 현상 방법.
제1항에 있어서, 상기 기판의 건조 단계에서 상기 기판 지지부를 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판 현상 방법.
제1항에 있어서, 상기 차단벽은 상기 현상액의 1차 도포 및 2차 도포 후 상기 기판 주위를 현상 분위기로 형성하기 위하여 상승하는 것을 특징으로 하는 기판 현상 방법.