KR100905476B1 - 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조에 관한 것으로, 크리스탈 발진 주파수를 기준 주파수로 분주하여 위상비교기(14)로 입력하고, 상기 위상비교기(14)의 출력은 전압제어 발진기(16)로 입력시키고, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력은 비교 주파수로 분주하여 상기 위상비교기(14)로 입력하여 기준 주파수와 비교하고, 상기 기준 주파수와 비교 주파수의 위상차가 위상비교기(14)로 출력되며, 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바이어스 전압원으로 전압제어 발진기(16)로 인가되어, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력 주파수를 40㎒로 안정화시키는 위상잠금루프(11)로 구비되는 발진회로부(10)와; 상기 전압제어 발진기(16)의 출력단에 연결되어 1차 증폭부(21)에서 50Ω 임피던스에서 1W의 출력으로 증폭시키고, 상기 1차 증폭부(21)의 출력단에 연결되는 2차 증폭부(22)의 40㎒ 동조회로에서 고조파 신호를 제거하여 30W로 증폭시키는 프리앰프회로부(20)와; 상기 프리앰프회로부(20)에서 증폭된 30W 출력이 입력되어, FET반도체(31,32)에 의해 500W의 출력으로 증폭시키는 파워앰프회로부(30)로 구성된다. 따라서, 본 발명은 고전력(500Watt) 파워앰프로 사용되고 있는 진공관 대신 반도체 방식을 이용하여, 상기 파워앰프 전단의 프리앰프 설계시 안정된 주파수 발진을 위한 위상잠금루프를 적용하여, 유전가열장치 프리앰프, 40㎒±100㎐ 안정도, 평균전력 44.77dB(30Watt)을 갖는 전단 증폭기를 이용하여, 12dB 이상의 증폭율을 갖는 전력 증폭기에 인가하여 500W 이상의 출력을 발생시켜, 안정된 주파수 발진을 통한 고조파 발진을 최 소화하고, 유전 가열시의 공진 주파수 공진점을 일정하게 유지하여, 전력 효율을 높이는 효과가 있다.
Figure R1020080028516
발진회로부, 프리앰프회로부, 파워앰프회로부

Description

반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조{Circuit Structure for Dielectric Heating Device}
본 발명은 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조에 관한 것으로, 더욱 세부적으로는 크리스탈 발진 주파수 10.24㎒를 기준 주파수로 사용하여 위상잠금루프(PLL : Phase Locked Loop)를 이용한 전압제어 발진기(VCO : Voltage Controlled Oscillator)의 출력이 40㎒가 되도록 하고, 일차 1W(30dB)로 증폭된 신호를 14.8dB 증폭된 30W 출력으로 하여, 최종적으로 500W까지 증폭시키는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조에 관한 것이다.
유전가열 시스템에 사용되는 고주파용 유전가열 산업분야의 ISM(Industrial Scientific Medical) 대역으로는 13.56㎒±6.78㎑, 27.12㎒±162.72㎑, 40.68㎒±20.34㎑가 일반적으로 할당되어 있으며, 이와 같은 주파수 대역의 전파 방사는 전자기기의 전파 환경을 악화시키고, 작업장에서는 인체에 유해성을 유발하는 원인으로 작용하기 때문에 안정된 발진을 통하여 전력 효율을 높이고 고조파 발진의 최소화가 요구된다.
유전가열장치는 보통 비전도 전기적 성질을 가진 재질에 적용되는 것으로서, 가열되는 물질(부하)은 두 전극 사이에 놓여 고주파 형태의 에너지가 전극에 가해져 매우 빠른 비율로 부하 전체에 열을 발생시키는 장치로서, 일반적 유전가열장치는 고주파 전력용으로는 고출력 진공관을 사용하였다.
그러나, 상기 진공관 방식의 발진기는 LC 발진기를 적용하므로서, 외부 환경에 의한 출력 주파수의 변동이 심하여 부하단의 임피던스에 부정합이 빈번하게 발생되어 에너지 효율이 낮아지는 주요 원인이 되었다.
상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명에서는 유전가열장치의 효율성 개선을 위해, 고전력(500Watt) 파워앰프(Power Amplifier)로 사용되고 있는 진공관 대신 반도체(High Power MOSFET) 방식을 이용하여, 상기 파워앰프(Power Amplifier) 전단의 프리앰프(Pre Amplifier) 설계시 안정된 주파수 발진을 위한 위상잠금루프(PLL : Phase Locked Loop)를 적용하여, 유전가열장치 프리앰프(Pre Amplifier), 40㎒±100㎐ 안정도, 평균전력(Average Power) 44.77dB(30Watt)을 갖는 전단 증폭기를 이용하여, 12dB 이상의 증폭율을 갖는 전력 증폭기에 인가하여 500W 이상의 출력을 발생시켜, 안정된 주파수 발진을 통한 고조파 발진을 최소화하고, 유전 가열시의 공진 주파수 공진점을 일정하게 유지하여, 전력 효율을 높이는 반도체를 이용한 유전가열장치 증폭단의 회로구조를 제공하는데 목적이 있다.
목적을 달성하기 위한 구성으로는, 크리스탈 발진 주파수를 기준 주파수로 분주하여 위상비교기로 입력하고, 상기 위상비교기의 출력은 전압제어 발진기로 입력시키고, 상기 전압제어 발진기의 출력은 비교 주파수로 분주하여 상기 위상비교기로 입력하여 기준 주파수와 비교하고, 상기 기준 주파수와 비교 주파수의 위상차가 위상비교기로 출력되며, 저역통과필터를 거쳐 바이어스 전압원으로 전압제어 발진기로 인가되어, 상기 전압제어 발진기의 출력 주파수를 40㎒로 안정화시키는 위상잠금루프로 구비되는 발진회로부와; 상기 전압제어 발진기의 출력단에 연결되어 1차 증폭부에서 50Ω 임피던스에서 1W의 출력으로 증폭시키고, 상기 1차 증폭부의 출력단에 연결되는 2차 증폭부의 40㎒ 동조회로에서 고조파 신호를 제거하여 30W로 증폭시키는 프리앰프회로부와; 상기 프리앰프회로부에서 증폭된 30W 출력이 입력되어, FET반도체에 의해 500W의 출력으로 증폭시키는 파워앰프회로부로 구성된다.
본 발명의 다른 특징으로서, 상기 위상잠금루프는 크리스탈 발진기에서 10.24㎒의 출력 주파수를 생성하며, 기준 주파수 분주기에서 분주비 1024로 분주하여, 기준클럭이 10㎑가 되도록 하고, 전압제어 발진기로부터 인가되는 40㎒ 출력 주파수를 비교 주파수 분주기에서 분주비 4000으로 분주하여 출력클럭이 10㎑가 되도록 하여, 상기 기준클럭과 위상비교한다.
본 발명의 또 다른 특징으로서, 상기 전압제어 발진기는 위상잠금루프의 위상검파기 출력을 제거하고, 트리머를 사용하여 40㎒가 중심 주파수가 되도록 조정한 후 상기 위상검파기의 출력을 연결하여 LED가 OFF 되도록 조정하면, 40㎒ LOCK이 설정되어, 상기 전압제어 발진기의 출력이 위상잠금루프의 비교 주파수 분주기로 인가되고, 상기 위상검파기의 출력은 저역통과필터를 거쳐 바렉터 다이오드의 제어 전압으로 인가되어 구동된다.
본 발명의 또 다른 특징으로서, 상기 프리앰프회로부의 1차 증폭부는 30V 전원으로 구동되는 트랜지스터에 의해 증폭되되, 임피던스 변환 및 조정을 위한 전단 트리머와 최대 공진점 조정을 위한 후단 트리머를 각각 조정하여 50Ω 임피던스에서 1W가 출력된다.
본 발명의 또 다른 특징으로서, 상기 프리앰프회로부의 2차 증폭부는 MOS 트 랜지스터에 의해 1차 증폭부에서 출력되는 1W를 1차 트로이덜 코어에 의해 Push-Pull 형태의 양입력에 인가되며, 2차 및 3차 트로이덜 코어의 트리머를 조정하여 30W의 출력으로 증폭시키되, 3차 트로이덜 코어의 60PF는 40㎒ 동조회로에 의해 고조파를 제거한다.
상기한 바와 같이, 본 발명은 고전력(500Watt) 파워앰프로 사용되고 있는 진공관 대신 반도체 방식을 이용하여, 상기 파워앰프 전단의 프리앰프 설계시 안정된 주파수 발진을 위한 위상잠금루프를 적용하여, 유전가열장치 프리앰프, 40㎒±100㎐ 안정도, 평균전력 44.77dB(30Watt)을 갖는 전단 증폭기를 이용하여, 12dB 이상의 증폭율을 갖는 전력 증폭기에 인가하여 500W 이상의 출력을 발생시켜, 안정된 주파수 발진을 통한 고조파 발진을 최소화하고, 유전 가열시의 공진 주파수 공진점을 일정하게 유지하여, 전력 효율을 높이는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 위상잠금루프 세부 구성도이고, 도 3은 본 발명에 따른 전압제어 발진기에 적용되는 다이오드의 특성을 나타낸 그래프이고, 도 4는 본 발명에 따른 1차 증폭기 및 2차 증폭기 출력 파형을 나타낸 사진이고, 도 5는 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 출력성능을 나타낸 비교 분석도이다.
이하, 도면을 참고로 구성요소를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로도로서, 크리스탈 발진 주파수 10.24㎒를 기준 주파수로 사용하여 위상잠금루프(PLL : Phase Locked Loop)(11)를 응용한 전압제어 발진기(VCO : Voltage Controlled Oscillator)(16)의 출력이 40㎒가 되도록 하고, 1차 1W(30dB)로 증폭된 신호를 14.8dB 증폭된 30W 출력을 최종적으로 500W까지 증폭시키는 구성으로, 발진회로부(10)와 프리앰프회로부(20) 및 파워앰프회로부(30)로 구성된다.
상기 발진회로부(10)는 크리스탈 발진기(12)에 의해 출력되는 크리스탈 발진 주파수를 기준 주파수 분주기(13)에서 기준 주파수로 분주하여 위상비교기(14)로 입력하고, 상기 위상비교기(14)의 출력은 전압제어 발진기(16)로 입력시키고, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력은 비교 주파수 분주기(15)에서 비교 주파수로 분주하여 상기 위상비교기(14)로 입력하여 기준 주파수와 비교하고, 상기 기준 주파수와 비교 주파수의 위상차가 위상비교기(14)로 출력되며, 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바이어스 전압원으로 전압제어 발진기(16)로 인가되어, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력 주파수를 40㎒로 안정화시키는 위상잠금루프(11)로 구성된다.
상기 프리앰프회로부(20)는 상기 전압제어 발진기(16)의 출력단에 연결되어 1차 증폭부(21)에서 50Ω 임피던스에서 1W의 출력으로 증폭시키고, 상기 1차 증폭부(21)의 출력단에 연결되는 2차 증폭부(22)의 40㎒ 동조회로에서 고조파 신호를 제거하여 30W로 증폭시킨다.
상기 프리앰프회로부(20)의 1차 증폭부(21)는 30V 전원으로 구동되는 트랜지스터(211)에 의해 증폭되되, 임피던스 변환 및 조정을 위한 전단 트리머(212)와 최 대 공진점 조정을 위한 후단 트리머(213)를 각각 조정하여 50Ω 임피던스에서 1W가 출력되고, 상기 2차 증폭부(22)는 MOS 트랜지스터(221)에 의해 1차 증폭부(21)에서 출력되는 1W를 1차 트로이덜 코어(222)에 의해 Push-Pull 형태의 양입력에 인가되며, 2차 및 3차 트로이덜 코어(223,224)의 트리머를 조정하여 30W의 출력으로 증폭시키되, 3차 트로이덜 코어(224)의 60PF는 40㎒ 동조회로에 의해 고조파를 제거하는 구성이다.
상기 파워앰프회로부(30)는 상기 프리앰프회로부(20)에서 증폭된 30W 출력이 입력되어, FET반도체(31,32)에 의해 500W의 출력으로 증폭시킨다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로의 작동과정을 설명하면 다음과 같다.
상기 발진회로부(10)의 위상잠금루프(11)는 도 2의 세부 구성도와 같이, 크리스탈 발진기(12)에서 10.24㎒의 출력 주파수를 생성하며, 기준 주파수 분주기(13)에서 분주비 1024로 분주하여, 기준클럭(REF)이 10㎑가 되도록 안정 클럭원을 생성하고, 전압제어 발진기(16)로부터 인가되는 40㎒ 출력 주파수를 비교 주파수 분주기(15)에서 분주비 4000으로 분주하여 출력클럭이 10㎑가 되도록 하여, 상기 위상비교기(14)에서 기준클럭과 위상비교하고, 주파수에 따른 위상을 보정하기 위한 저역통과필터(LPF)에 의해 전압제어 발진기(16)로 입력되어 주파수를 안정화시키게 된다.
따라서, 크리스탈 발진기(12)를 10.24㎒로 설정하고, 하기의 표 1과 같이 RA0와 RA1을 1024비율로 분주되도록 하여, 기준클럭(REF)이 10㎑가 되도록 하고, 전압제어 발진기(16)로부터 인가되는 40㎒ 출력 주파수는 4000로 분주하여 출력 클럭이 10㎑가 되도록 하여 기준 클럭과 위상 비교가 가능하도록 하며, 위상차에 해당하는 PD출력은 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바이어스 전압원으로 전압제어 발진기(16)에 인가되어 바렉터의 용량을 가변시키는 역할을 하게 되므로서, 최종적으로 상기 전압제어 발진기(16)의 출력 주파수를 안정화시키는 기능을 하게 된다.
- Reference frequency divider and Decoder
RA0 RA1 분주비율
L L 512
L H 1024
H L 2048
H H 4096
상기 전압제어 발진기(16)는
Figure 112008022319582-pat00001
에서 가변 50p 및 바렉터와 L2(0.6d/4Φ/6~7t)에 의해 출력 주파수가 결정되고, 사용되는 2N5109 TR은 VHF/UHF에 사용되는 저전력파워 트랜지스터로서 200㎒에서 최대 12dB의 이득을 갖는 소자로서 40㎒ 구동발진기에 사용된다.
상기 전압제어 발진기(16)는 위상잠금루프(11)의 위상검파기 출력을 제거하고, 트리머를 사용하여 40㎒가 중심 주파수가 되도록 조정한 후, 상기 위상검파기의 출력을 연결하여 LED가 OFF 되도록 조정하면, 40㎒ LOCK이 설정되어, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력이 위상잠금루프(11)의 비교 주파수 분주기(15)로 인가되고, 상기 위상검파기의 출력은 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바렉터 다이오드의 제어 전압으로 인가되어 구동되는 루프(Loop) 역할을 하게 된다.
상기 바렉터(MV104)는 도 3의 그래프와 같이, 0.3~30V 입력에 대하여 10~100pF의 가변 개패시터 특성을 보이므로 위상잠금루프(11)의 피드백루프 회로로 전압제어 발진기(16)에 적용하여 안정한 주파수 발진회로를 적용하는데 적합하다.
상기 프리앰프회로부(20)는 도 1과 같이, 1차 증폭부(21)와 2차 증폭부(22)로 구성되는데, 상기 1차 증폭부(21)는 트랜지스터(2N3866 TR)(211)을 이용한 1차 증폭기 회로로, 상기 2N3866 TR은 30V 전원으로 구동되며, VHF/UBF 대역에서 일반적으로 사용되는 소자로서 1W이상의 출력과 입력에 대하여 10dB 이상의 이득에서 45% 정도의 효율을 얻을 수 있다.
임피던스 변환 및 조정을 위한 전단 트리머(212)와 최대 공진점 조정을 위한 후단 트리머(213)를 각각 조정하여 최대 출력이 되도록 하며, 이때 출력은 50Ω 임피던스에서 1W가 출력된다.
도 4는 본 발명의 1차 증폭기 및 2차 증폭기 출력 파형을 나타낸 사진으로, 하단의 그래프는 1차 증폭부(21)의 출력 파형이며, 상단의 그래프는 2차 증폭부(22)의 출력 파형을 나타내고 있다.
상기 출력 파형과 같이, 1차 증폭부(21)에서의 출력은 많은 고조파를 함유한 왜곡된 파형임을 알 수 있으며, 1차 증폭부(21)의 출력단 즉, 2차 증폭부(22)의 입력단에 공진회로를 구성하여 상기 고조파로부터 발생되는 잡음을 제거한다.
상기 프리앰프회로부(20)의 2차 증폭부(22)는 MOS 트랜지스터(221)에 의해 1차 증폭부(21)에서 출력되는 1W를 1차 트로이덜 코어(222)에 의해 Push-Pull 형태의 입력에 인가되며, 2차 및 3차 트로이덜 코어(223,224)의 트리머를 조정하여 30W의 출력으로 증폭시키되, 3차 트로이덜 코어(224)의 60PF는 40㎒ 동조회로에 의해 고조파를 제거하게 된다.
하기의 표 2와 도 5는 본 발명의 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로의 성능 측정 결과 및 성능 비교 분석도를 나타낸 것으로, 최대 28V/45W에서 최소 11V/7W 범위에서 측정하였으며, 상기 표 2 및 도 5를 통하여 입력전압이 증가하면 소비전류도 증가함을 알 수 있고, 소비전력 대비 전체 시스템의 효율은 대략 52% 내외임을 확인할 수 있었다.
- 성능 측정 결과표
입력전압(V) 소비전류(I) 출력측정(W) 소비전력(W) 전력효율(%)
28 3.20 45.0 89.60 50.2
27 3.14 42.5 84.78 50.1
26 3.07 41.0 79.82 51.4
25 3.00 39.0 78.00 52.0
24 2.90 36.0 69.60 51.7
23 2.79 34.0 64.17 52.9
22 2.68 31.0 58.96 52.6
21 2.56 28.0 53.76 52.1
20 2.43 26.0 48.60 53.5
19 2.30 23.0 43.70 52.6
18 2.18 21.0 39.24 53.5
17 2.05 18.5 34.85 54.0
16 1.92 16.0 30.72 52.0
15 1.77 14.0 26.55 52.7
14 1.63 12.0 22.82 61.3
13 1.50 10.0 19.50 66.7
12 1.34 8.51 16.05 52.9
11 1.24 7.0 13.64 51.3
상기 프리앰프회로부(20)에서 증폭된 30W 출력은 파워앰프회로부(30)의 입력단으로 입력되어, FET반도체(31,32)에 의해 500W의 출력으로 증폭되어 출력된다.
따라서, 본 발명은 유전가열장치의 효율성 개선을 위해, 고전력(500Watt) 파워앰프(Power Amplifier)로 사용되고 있는 진공관 대신 반도체(High Power MOSFET) 방식을 이용하여, 상기 파워앰프(Power Amplifier) 전단의 프리앰프(Pre Amplifier) 설계시 안정된 주파수 발진을 위한 위상잠금루프(PLL : Phase Locked Loop)를 적용하여, 유전가열장치 프리앰프(Pre Amplifier), 40㎒±100㎐ 안정도, 평균전력(Average Power) 44.77dB(30Watt)을 갖는 전단 증폭기를 이용하여, 12dB 이상의 증폭율을 갖는 전력 증폭기에 인가하여 500W 이상의 출력을 발생시켜, 안정된 주파수 발진을 통한 고조파 발진을 최소화하고, 유전 가열시의 공진 주파수 공진점을 일정하게 유지하여, 전력 효율을 높일 수 있다.
본 발명은 특정의 실시 예와 관련하여 도시 및 설명하였지만, 첨부된 특허청구범위에 의해 나타난 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 한도 내에서 다양한 개조 및 변화가 가능하다는 것을 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구나 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로도.
도 2는 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 위상잠금루프 세부 구성도.
도 3은 본 발명에 따른 전압제어 발진기에 적용되는 다이오드의 특성을 나타낸 그래프.
도 4는 본 발명에 따른 1차 증폭기 및 2차 증폭기 출력 파형을 나타낸 사진.
도 5는 본 발명에 따른 반도체를 이용한 유전가열장치의 출력성능을 나타낸 비교 분석도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 >
10 : 발진회로부 11 : 위상잠금루프
12 : 크리스탈 발진기 13 : 기준 주파수 분주기
14 : 위상비교기 15 : 비교 주파수 분주기
16 : 전압제어 발진기 20 : 프리앰프회로부
21 : 1차 증폭부 22 : 2차 증폭부
30 : 파워앰프회로부 31 : FET반도체
32 : FET반도체

Claims (5)

  1. 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조에 있어서,
    크리스탈 발진 주파수를 기준 주파수로 분주하여 위상비교기(14)로 입력하고, 상기 위상비교기(14)의 출력은 전압제어 발진기(16)로 입력시키고, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력은 비교 주파수로 분주하여 상기 위상비교기(14)로 입력하여 기준 주파수와 비교하고, 상기 기준 주파수와 비교 주파수의 위상차가 위상비교기(14)로 출력되며, 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바이어스 전압원으로 전압제어 발진기(16)로 인가되어, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력 주파수를 40㎒로 안정화시키는 위상잠금루프(11)로 구비되는 발진회로부(10)와;
    상기 전압제어 발진기(16)의 출력단에 연결되어 1차 증폭부(21)에서 50Ω 임피던스에서 1W의 출력으로 증폭시키고, 상기 1차 증폭부(21)의 출력단에 연결되는 2차 증폭부(22)의 40㎒ 동조회로에서 고조파 신호를 제거하여 30W로 증폭시키는 프리앰프회로부(20)와;
    상기 프리앰프회로부(20)에서 증폭된 30W 출력이 입력되어, FET반도체(31,32)에 의해 500W의 출력으로 증폭시키는 파워앰프회로부(30)로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 위상잠금루프(11)는 크리스탈 발진기(12)에서 10.24㎒의 출력 주파수를 생성하며, 기준 주파수 분주기(13)에서 분주비 1024로 분주하여, 기준클럭(REF)이 10㎑가 되도록 하고, 전압제어 발진기(16)로부터 인가되는 40㎒ 출력 주파수를 비교 주파수 분주기(15)에서 분주비 4000으로 분주하여 출력클럭이 10㎑가 되도록 하여, 상기 기준클럭과 위상비교하는 것을 특징으로 하는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전압제어 발진기(16)는 위상잠금루프(11)의 위상검파기 출력을 제거하고, 트리머를 사용하여 40㎒가 중심 주파수가 되도록 조정한 후 상기 위상검파기의 출력을 연결하여 LED가 OFF 되도록 조정하면, 40㎒ LOCK이 설정되어, 상기 전압제어 발진기(16)의 출력이 위상잠금루프(11)의 비교 주파수 분주기(15)로 인가되고, 상기 위상검파기의 출력은 저역통과필터(LPF)를 거쳐 바렉터 다이오드의 제어 전압으로 인가되어 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 프리앰프회로부(20)의 1차 증폭부(21)는 30V 전원으로 구동되는 트랜지스터(211)에 의해 증폭되되, 임피던스 변환 및 조정을 위한 전단 트리머(212)와 최대 공진점 조정을 위한 후단 트리머(213)를 각각 조정하여 50Ω 임피던스에서 1W가 출력되는 것을 특징으로 하는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조.
  5. 제 1항 또는 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프리앰프회로부(20)의 2차 증폭부(22)는 MOS 트랜지스터(221)에 의해 1차 증폭부(21)에서 출력되는 1W를 1차 트로이덜 코어(222)에 의해 Push-Pull 형태의 양입력에 인가되며, 2차 및 3차 트로이덜 코어(223,224)의 트리머를 조정하여 30W의 출력으로 증폭시키되, 3차 트로이덜 코어(224)의 60PF는 40㎒ 동조회로에 의해 고조파를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체를 이용한 유전가열장치의 회로구조.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR940007040B1 (ko) * 1991-05-24 1994-08-03 삼성전자 주식회사 무선전화기의 전압 제어 온도보상형 발진기의 안정화회로 및 방법
KR960006602B1 (ko) * 1993-10-12 1996-05-20 재단법인한국전기연구소 반도체 소자(igbt, mosfet)를 사용한 crt(tv 브라운관) 제조용 유도 가열 전원장치

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