KR100898335B1 - Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 첨가제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 폴리에틸렌 왁스와 산화방지제를 사용함으로써 이형성, 연속 작업성, 및 신뢰도가 우수한 반도체 소자를 제공한다. The present invention relates to an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device and a semiconductor device sealed using the same, and more particularly, to an epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and an additive. By using a polyethylene wax and an antioxidant, a semiconductor device having excellent releasability, continuous workability, and reliability is provided.

반도체 소자, 첨가제, 폴리에틸렌 왁스, 산화방지제, 이형성, 연속 작업성, 신뢰도 Semiconductor devices, additives, polyethylene wax, antioxidants, release properties, continuous workability, reliability

Description

반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자{Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same}Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device using the same

본 발명은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 몰딩 후 패키지와 금형 간의 이형성, 패키지 표면 및 금형의 내오염성, 연속 작업성 및 패키지 신뢰도가 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device, and more particularly, an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device excellent in mold release property between a package and a mold after molding, contamination resistance of the package surface and the mold, continuous workability, and package reliability; It relates to a semiconductor device sealed using this.

반도체 소자의 집적도의 기술은 향상되고 있으며 이에 따른 배선의 미세화, 칩의 대형화 및 다층 배선화가 급속히 진전되고 있다. 한편 반도체 소자를 외부 환경으로부터 보호하는 패키지(Package)는 프린트 기판으로의 고밀도 실장, 즉 표면 실장이라는 관점으로부터 소형·박형화가 가속화되고 있다.The technology of the degree of integration of semiconductor devices is improving, and accordingly, the miniaturization of wiring, the enlargement of chips, and the multilayer wiring are rapidly progressing. On the other hand, a package that protects a semiconductor element from the external environment is accelerating its size and thickness from the viewpoint of high-density mounting on a printed board, that is, surface mounting.

일반적으로 반도체 패키지 몰딩 후 금형으로부터 이형 시, 충분한 이형성이 확보되지 않을 경우 패키지 크랙이 발생할 가능성이 높아지게 된다. 이러한 문제는 반도체 패키지가 얇아질수록 더욱 발생 빈도가 높아지게 된다.In general, when releasing from a mold after semiconductor package molding, if sufficient release property is not secured, the possibility of package cracking increases. This problem occurs more frequently as the semiconductor package becomes thinner.

통상 이형 시의 응력을 낮추는 방법으로서, 에폭시 수지 조성물에 여러 종의 왁스를 혼합하는 방법이 폭넓게 채택되고 있다. 이러한 방법에서 상기 왁스는 패키징 시의 고온에서도 내열성을 지속적으로 유지하여야 하는데, 기존의 왁스 혼합 제품들은 고온 내열 지속성이 부족하여 시간이 경과함에 따라 이형 성능이 저하되는 현상을 나타내었다. 만일, 이러한 문제점을 개선하기 위하여 전체 왁스의 사용 함량을 증가시키면 반도체 칩 및 리드프레임과 에폭시 수지 조성물 간의 부착력이 저하되어 패키지 신뢰도에 문제가 발생할 뿐만 아니라 금형에 산화된 왁스가 쌓여 연속 작업성이 나빠지고 반도체 패키지 표면에 오염 현상이 발생하는 문제가 있었다.Usually, as a method of reducing the stress at the time of mold release, the method of mixing various types of wax in an epoxy resin composition is widely adopted. In this method, the wax must continuously maintain the heat resistance even at a high temperature during packaging. Existing wax-mixed products show a phenomenon in which the release performance deteriorates with time due to lack of high temperature heat resistance. In order to improve such a problem, increasing the content of the entire wax decreases the adhesion between the semiconductor chip and the lead frame and the epoxy resin composition, which may cause a problem in package reliability, and also accumulate oxidized wax in the mold, thereby improving continuous workability. There was a problem that the phenomena occurred and contamination on the surface of the semiconductor package.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 이형성, 연속 작업성, 및 신뢰도가 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention is to solve the problems of the prior art as described above, and an object of the present invention is to provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor device excellent in releasability, continuous workability and reliability, and a semiconductor device using the same.

그러므로 본 발명에 의하면, 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 첨가제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 폴리에틸렌 왁스와 하기 화학식 2로 표시되는 산화방지제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 제공된다.Therefore, according to the present invention, in the epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and an additive, a polyethylene wax represented by the following formula (1) and an antioxidant represented by the following formula (2) are used as the additive. An epoxy resin composition for semiconductor element sealing is provided.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112007093467538-pat00001
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(상기 식에서, n은 30 내지 450의 정수이다.)(Wherein n is an integer from 30 to 450).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112007093467538-pat00002
Figure 112007093467538-pat00002

(상기 식에서, R1과 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소 수 1 내지 12의 알킬기이다.)(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.)

상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스는 120℃에서의 점도가 300 mPa·s 이하이고, 수평균 분자량이 1000 ∼ 3000인 것을 특징으로 한다.The polyethylene wax of the formula (1) is characterized in that the viscosity at 120 ° C is 300 mPa · s or less, and the number average molecular weight is 1000 to 3000.

상기 화학식 2의 산화방지제는 분자량이 500 ~ 800인 것을 특징으로 한다.The antioxidant of Formula 2 is characterized in that the molecular weight is 500 ~ 800.

상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제는 사용 전에 멜트 블렌딩하여 혼합한 후 사용되는 것을 특징으로 한다.The polyethylene wax of Chemical Formula 1 and the antioxidant of Chemical Formula 2 may be used after mixing by melt blending before use.

상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제의 혼합비가 2:1 ~ 8:1인 것을 특징으로 한다.A mixture ratio of the polyethylene wax of Formula 1 and the antioxidant of Formula 2 is 2: 1 to 8: 1.

상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제의 합계 함 량이 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.001 ~ 4 중량%인 것을 특징으로 한다.The total content of the polyethylene wax of Formula 1 and the antioxidant of Formula 2 is 0.001 to 4% by weight based on the total epoxy resin composition.

또한, 본 발명은 상기 에폭시 수지 조성물을 헨셀 믹서 또는 뢰디게 믹서를 이용하여 혼합한 뒤, 롤밀 또는 니이더로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄과정을 거쳐 얻은 최종 분말 제품으로 밀봉한 반도체 소자를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a semiconductor device that is mixed with the epoxy resin composition using a Henschel mixer or a Lodige mixer, melt kneaded with a roll mill or kneader, and then sealed with a final powder product obtained through cooling and grinding. do.

상기 최종 분말 제품을 저압 트랜스퍼 성형법, 인젝션 성형법 또는 캐스팅(Casting) 성형법으로 밀봉한 것을 특징으로 한다.The final powder product is sealed by a low pressure transfer molding method, an injection molding method or a casting (Casting) molding method.

상기 반도체 소자가 동계 리드프레임, 철계 리드프레임, 동계 또는 철계 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 프리플레이팅된 리드프레임, 및 유기계 라미네이트 프레임 중에서 선택되는 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 한다.The semiconductor device may include a lead frame selected from a copper lead frame, an iron lead frame, a lead frame pre-plated with a material containing nickel and palladium in a copper or iron lead frame, and an organic laminate frame.

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 이형성, 연속 작업성, 및 신뢰도가 우수한 반도체 소자를 제작하는 데에 유용하다.The epoxy resin composition for semiconductor element sealing of the present invention is useful for producing a semiconductor element having excellent releasability, continuous workability, and reliability.

본 발명은 에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 첨가제를 포함 하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 폴리에틸렌 왁스와 하기 화학식 2로 표시되는 산화방지제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자를 제공한다.The present invention is an epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and an additive, wherein the additive is a polyethylene wax represented by the following formula (1) and an antioxidant represented by the following formula (2). Provided are an epoxy resin composition for sealing a semiconductor element and a semiconductor element using the same.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112007093467538-pat00003
Figure 112007093467538-pat00003

(상기 식에서, n은 30 내지 450의 정수이다.)(Wherein n is an integer from 30 to 450).

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112007093467538-pat00004
Figure 112007093467538-pat00004

(상기 식에서, R1과 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소 수 1 내지 12의 알킬기이다.)(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.)

상기 화학식 1로 표시되는 폴리에틸렌 왁스는 이형제이고, 상기 화학식 2로 표시되는 산화방지제는 상기 이형제의 산화를 방지하여 고온에서의 장기간 열적 안정성을 부여하는 효과를 나타낸다. 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스는 120℃에서의 점도가 300 mPa·s 이하이고, 수평균 분자량이 1000 ∼ 3000인 것을 사용하는 것이 바람직하며, 상기 화학식 2의 산화방지제는 분자량이 500 ~ 800인 것을 사용하는 것이 바람직하다. The polyethylene wax represented by Chemical Formula 1 is a release agent, and the antioxidant represented by Chemical Formula 2 has an effect of preventing long term thermal stability at high temperature by preventing oxidation of the release agent. The polyethylene wax of the formula (1) is preferably a viscosity of 120 mPa · s or less, the number average molecular weight of 1000 to 3000, the antioxidant of the formula (2) of 500 to 800 It is desirable to.

상기 산화방지제의 효과 극대화를 위해서 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제는 사용 전에 멜트 블렌딩하여 혼합한 후 사용하는 것이 바람직하며, 이때, 혼합비는 2:1 ~ 8:1이 바람직하고, 3:1 ~ 7:1이 더욱 바람직하며, 4:1 ~ 6:1이 가장 바람직하다. 이외에 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 더불어 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산, 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스 등의 기타 이형제를 상기 멜트 블렌딩 전 또는 후에 함께 사용하는 것도 가능하다. 또한, 에폭시 수지 조성물 내에서 상기 이형제와 산화방지제의 균일한 분산을 위해 에폭시 수지 조성물 제조 전에 멜트마스터배치(Melt Master Batch; MMB)와 같은 방법을 통하여 에폭시수지 또는 경화제의 용융물에 미리 녹여 분산한 후 조성물에 투입하여 사용할 수도 있으며, 에폭시 수지 조성물의 원료 혼합 시에 스프레이 방식으로 투입하여 사용할 수도 있다.In order to maximize the effect of the antioxidant, the polyethylene wax of Formula 1 and the antioxidant of Formula 2 are preferably used after melt blending before use, wherein the mixing ratio is preferably 2: 1 to 8: 1. , 3: 1 to 7: 1 are more preferred, and 4: 1 to 6: 1. In addition to the polyethylene wax of Formula 1, other release agents such as higher fatty acids, higher fatty acid metal salts, natural fatty acids, paraffin waxes, and ester waxes may be used together before or after the melt blending. In addition, in order to uniformly disperse the release agent and the antioxidant in the epoxy resin composition, before dissolving and dispersing it in the melt of the epoxy resin or curing agent in advance through a method such as melt master batch (MMB) It may be added to the composition and may be used by spraying at the time of mixing the raw materials of the epoxy resin composition.

상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제는 몰딩 후 패키지와 금형 간의 이형성, 패키지 표면 및 금형의 내오염성, 및 패키지 신뢰도 측면에서, 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.001 ~ 4 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 0.01 ~ 3 중량%로 사용하는 것이 보다 바람직하며, 0.1 ~ 2 중량%로 사 용하는 것이 가장 바람직하다. The polyethylene wax of Chemical Formula 1 and the antioxidant of Chemical Formula 2 may be used in an amount of 0.001 to 4 wt% based on the total epoxy resin composition in terms of releasability between the package and the mold after molding, contamination of the package surface and the mold, and package reliability. It is preferable to use it in 0.01 to 3 weight%, and it is more preferable to use it in 0.1 to 2 weight%.

본 발명의 에폭시수지로는 반도체 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 에폭시수지라면 특별히 제한되는 것은 아니며, 분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물인 것이 바람직하다. 이와 같은 에폭시수지로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시수지, 페놀노볼락형 에폭시수지, 크레졸노볼락형 에폭시수지, 다관능형 에폭시수지, 바이페닐형 에폭시수지, 페놀아랄킬형 에폭시수지, 나프톨노볼락형 에폭시수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 노볼락형 에폭시수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD의 글리시딜에테르, 비스히드록시비페닐계 에폭시수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시수지 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직한 에폭시수지로서는 다관능형 에폭시수지, 바이페닐형 에폭시수지, 및 분자 중에 바이페닐 유도체를 포함하는 노볼락 구조의 페놀아랄킬형 에폭시수지를 들 수 있다. 이들 에폭시수지는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 에폭시수지에 경화제, 경화촉진제, 반응 조절제, 이형제, 커플링제, 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트마스터배치와 같은 선 반응을 시켜 만든 부가 화합물도 사용할 수 있다. 또한 내습 신뢰성 향상을 위해 이러한 에폭시수지 중에 함유된 염소 이온, 나트륨 이온, 및 그 밖의 이온성 불순물이 낮은 것을 사용한 것이 바람직하다. 사용량은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 2 ~ 15 중량%가 바람직하며, 3 ~ 12 중량%가 보다 바람직하다.The epoxy resin of the present invention is not particularly limited as long as it is an epoxy resin generally used for semiconductor sealing, and is preferably an epoxy compound containing two or more epoxy groups in a molecule. Such epoxy resins include epoxy resins obtained by epoxidizing condensates of phenol or alkyl phenols with hydroxybenzaldehyde, phenol novolak type epoxy resins, cresol novolak type epoxy resins, polyfunctional epoxy resins, and biphenyl type epoxy resins. , Phenol aralkyl type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, bisphenol A / bisphenol F / bisphenol AD novolak type epoxy resin, bisphenol A / bisphenol F / bisphenol AD glycidyl ether, bishydroxy biphenyl epoxy Resins, dicyclopentadiene-based epoxy resins, and the like. Preferred epoxy resins include polyfunctional epoxy resins, biphenyl epoxy resins, and phenol aralkyl type epoxy resins having a novolak structure containing a biphenyl derivative in a molecule. These epoxy resins may be used alone or in combination, and additional compounds made by preliminary reactions such as melt master batches with other components, such as curing agents, curing accelerators, reaction regulators, mold release agents, coupling agents, and stress relaxers, may also be used. have. In addition, it is preferable to use those having low chlorine ions, sodium ions, and other ionic impurities contained in such epoxy resins to improve the moisture resistance reliability. 2-15 weight% is preferable with respect to the whole epoxy resin composition, and, as for the usage-amount, 3-12 weight% is more preferable.

본 발명의 경화제는 반도체 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 것으로 2개 이상의 반응기를 가진 것이라면 특별히 한정되지 않으며 구체적으로는 페놀아랄킬형 페놀수지, 페놀노볼락형 페놀수지, 자일록형 페놀수지, 크레졸노볼락형 페놀수지, 나프톨형 페놀수지, 테르펜형 페놀수지, 다관능형 페놀수지, 디시클로펜타디엔계 페놀수지, 비스페놀 A와 레졸로부터 합성된 노볼락형 페놀수지, 트리스(하이드록시페닐)메탄, 디하이드록시바이페닐을 포함하는 다가 페놀 화합물, 무수 말레인산 및 무수 프탈산을 포함하는 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노이페닐메탄, 디아미노이페닐설폰 등의 방향족 아민 등을 들 수 있다. 이들 중 바람직한 경화제로는 다관능형 페놀수지를 들 수 있다. 이들 경화제는 단독 혹은 병용하여 사용될 수 있으며, 경화제에 에폭시수지, 경화촉진제, 반응 조절제, 이형제, 커플링제, 응력완화제 등의 기타 성분과 멜트마스터배치와 같은 선 반응을 시켜 만든 부가 화합물로도 사용할 수 있다. 사용량은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.5 ~ 12 중량%가 바람직하며, 1 ~ 8 중량%가 보다 바람직하다. 상기 에폭시수지와 경화제와의 배합비는 패키지에서의 기계적 성질 및 내습 신뢰성의 요구에 따라 경화제에 대한 에폭시수지의 화학 당량비가 0.5 ~ 2인 것이 바람직하며, 0.8 ~ 1.6 범위에서 사용하는 것이 보다 바람직하다.The curing agent of the present invention is generally used for semiconductor sealing and is not particularly limited as long as it has two or more reactors. Specifically, a phenol aralkyl type phenol resin, a phenol novolak type phenol resin, a xylock type phenol resin, and a cresol novolak type Phenolic resin, naphthol phenol resin, terpene phenol resin, polyfunctional phenol resin, dicyclopentadiene phenol resin, novolac phenol resin synthesized from bisphenol A and resol, tris (hydroxyphenyl) methane, dihydroxy And polyhydric phenol compounds containing biphenyl, acid anhydrides containing maleic anhydride and phthalic anhydride, aromatic amines such as metaphenylenediamine, diaminoimphenylmethane, diaminoimphenylsulfone, and the like. Preferred curing agents of these are polyfunctional phenol resins. These curing agents may be used alone or in combination, and may also be used as additive compounds made by preliminary reactions such as melt master batches with other components such as epoxy resins, curing accelerators, reaction control agents, mold release agents, coupling agents, stress relief agents and the like. have. 0.5-12 weight% is preferable with respect to the total epoxy resin composition, and, as for the usage-amount, 1-8 weight% is more preferable. The compounding ratio of the epoxy resin and the curing agent is preferably a chemical equivalent ratio of the epoxy resin to the curing agent is 0.5 to 2, more preferably 0.8 to 1.6, depending on the mechanical properties and moisture resistance reliability of the package.

본 발명에 사용되는 경화촉진제는 에폭시수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질이다. 예를 들면, 제 3급아민, 유기금속화합물, 유기인화합물, 이미다졸, 붕소화합물 등이 사용 가능하다. 제 3급 아민에는 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트 리에틸렌디아민, 디에틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀, 2-2-(디메틸아미노메틸)페놀, 2,4,6-트리스(디아미노메틸)페놀과 트리-2-에틸헥실 에시드의 염 등이 있다. 유기 금속화합물에는 크로뮴아세틸아세토네이트, 징크아세틸아세토네이트, 니켈아세틸아세토네이트 등이 있다. 유기인화합물에는 트리스-4-메톡시포스핀, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 페닐포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀, 트리페닐포스핀트리페닐보란, 트리페닐포스핀-1,4-벤조퀴논 부가물 등이 있다. 이미다졸류에는 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-아미노이미다졸, 2메틸-1-비닐이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-헵타데실이미다졸 등이 있다. 붕소화합물에는 테트라페닐포스포늄-테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀 테트라페닐보레이트, 테트라페닐보론염, 트리플루오로보란-n-헥실아민, 트리플루오로보란모노에틸아민, 테트라플루오로보란트리에틸아민, 테트라플루오로보란아민 등이 있다. 이외에도 1,,5-디아자바이시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene: DBN), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene: DBU) 및 페놀노볼락 수지염 등을 사용할 수 있다. 특히 바람직한 경화촉진제로는 유기인화합물, 또는 아민계, 또는 이미다졸계 경화촉진제를 단독 혹은 혼합하여 사용하는 것을 들 수 있다. 상기 경화촉진제는 에폭시수지 또는 경화제와 선반응하여 만든 부가물을 사용하는 것도 가능하다. 본 발명에서 사용되는 경화촉진제의 배합량은 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.001 ~ 1.5 중량%가 바람직하며, 0.01 ~ 1 중량%가 보다 바람직하다.The curing accelerator used in the present invention is a substance that promotes the reaction between the epoxy resin and the curing agent. For example, tertiary amines, organometallic compounds, organophosphorus compounds, imidazoles, boron compounds and the like can be used. Tertiary amines include benzyldimethylamine, triethanolamine, triethylenediamine, diethylaminoethanol, tri (dimethylaminomethyl) phenol, 2-2- (dimethylaminomethyl) phenol, 2,4,6-tris (dia) Salts of minomethyl) phenol and tri-2-ethylhexyl acid, and the like. Organometallic compounds include chromium acetylacetonate, zinc acetylacetonate, nickel acetylacetonate and the like. Organophosphorus compounds include tris-4-methoxyphosphine, tetrabutylphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, phenylphosphine, diphenylphosphine, triphenylphosphine, triphenylphosphine triphenylborane, triphenyl Phosphine-1,4-benzoquinone adducts and the like. The imidazoles include 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-aminoimidazole, 2methyl-1-vinylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, and 2-heptadecyl. Midazoles and the like. Boron compounds include tetraphenylphosphonium-tetraphenylborate, triphenylphosphine tetraphenylborate, tetraphenylboron salt, trifluoroborane-n-hexylamine, trifluoroborane monoethylamine, tetrafluoroboranetriethylamine And tetrafluoroboraneamine. In addition, 1,5- diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene (1, 5- diazabicyclo [4.3.0] non-5-ene: DBN), 1, 8- diazabicyclo [5.4 .0] undec-7-ene (1,8-diazabicyclo [5.4.0] undec-7-ene: DBU), phenol novolak resin salts, and the like. Particularly preferred curing accelerators include organophosphorus compounds, amine-based or imidazole-based curing accelerators used alone or in combination. The curing accelerator may use an epoxy resin or an adduct made by linear reaction with a curing agent. As for the compounding quantity of the hardening accelerator used by this invention, 0.001-1.5 weight% is preferable with respect to the whole epoxy resin composition, and 0.01-1 weight% is more preferable.

본 발명에 사용되는 무기 충전제는 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성의 향상과 저 응력화를 위하여 사용되는 물질이다. 일반적으로 사용되는 예로서는 용융실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이, 탈크, 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등을 들 수 있다. 저응력화를 위해서는 선평창계수가 낮은 용융실리카를 사용하는 것이 바람직하다. 상기 용융실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함된다. 용융실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지는 않지만, 평균 입경 5 ~ 30㎛의 구상용융실리카를 50 ~ 99 중량%, 평균입경 0.001 ~ 1㎛의 구상용융실리카를 1 ~ 50 중량%를 포함한 용융실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40 ~ 100 중량%가 되도록 포함하는 것이 좋다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 45um, 55um 및 75um 등으로 조정해서 사용할 수가 있다. 용융 구상 실리카에는 도전성의 카본이 실리카 표면에 이물로서 포함되는 경우가 있으나 극력 이물의 혼입이 적은 물질을 선택하는 것도 중요하다. 본 발명에서 무기 충전제의 비율은 성형성, 저응력성, 고온강도 등의 요구 물성에 따라 다르지만, 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 70 ~ 95 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 82 ~ 92 중량% 비율로 사용하는 것이 더욱 바람직하다.The inorganic filler used in the present invention is a material used for improving the mechanical properties of the epoxy resin composition and reducing the stress. Examples generally used include fused silica, crystalline silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, alumina, magnesia, clay, talc, calcium silicate, titanium oxide, antimony oxide, glass fibers and the like. In order to reduce the stress, it is preferable to use molten silica having a low linear window coefficient. The fused silica refers to amorphous silica having a specific gravity of 2.3 or less, and includes crystalline silica made by melting crystalline silica or synthesized from various raw materials. The shape and particle size of the molten silica are not particularly limited, but the molten silica includes 50 to 99% by weight of spherical molten silica having an average particle diameter of 5 to 30 µm and 1 to 50% by weight of spherical molten silica having an average particle diameter of 0.001 to 1 µm. It is preferred to include the mixture in an amount of 40 to 100% by weight based on the total filler. Moreover, according to a use, the maximum particle diameter can be adjusted to 45um, 55um, 75um, etc., and can be used. In fused spherical silica, conductive carbon may be included as a foreign material on the silica surface, but it is also important to select a material with little foreign matter mixing. In the present invention, the ratio of the inorganic filler depends on the required physical properties such as moldability, low stress, high temperature strength, etc., but is preferably used in an amount of 70 to 95% by weight based on the total epoxy resin composition, It is more preferable to use.

또한, 본 발명의 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 카본블랙, 유기염료, 무기염료 등의 착색제, 에폭시실란, 아미노실란, 머캡토실란, 알킬실란, 알콕시실란 등의 커플링제 및 변성 실리콘 오일, 실리콘 파우더, 실리콘 레진 등의 응력완화제 등을 필요에 따라 함유할 수 있다. 이때, 변성 실리콘 오일로는 내열성이 우수한 실리콘 중합체가 좋으며, 에폭시 관능기를 갖는 실리콘 오일, 아민 관능기를 갖는 실리콘 오일 및 카르복시 관능기를 갖는 실리콘 오일 등을 1종 또는 2종 이상 혼합하여 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.01 내지 2 중량%로 사용할 수 있다. 또한, 포스파젠, 붕산아연, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘 등의 유, 무기 난연제를 필요에 따라 함유할 수 있다.In addition, the epoxy resin composition of the present invention is a coupling agent such as coloring agents such as carbon black, organic dyes, inorganic dyes, epoxysilanes, aminosilanes, mercaptosilanes, alkylsilanes, alkoxysilanes and the like in a range that does not impair the object of the present invention Stress relieving agents, such as silicone oil, silicone powder, and silicone resin, etc. can be contained as needed. At this time, the modified silicone oil is preferably a silicone polymer excellent in heat resistance, a silicone oil having an epoxy functional group, a silicone oil having an amine functional group, a silicone oil having a carboxyl functional group, or the like, or a mixture of two or more kinds thereof to the entire epoxy resin composition. It can be used in 0.01 to 2% by weight relative to the. Moreover, oil and inorganic flame retardants, such as phosphazene, zinc borate, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide, can be contained as needed.

이상과 같은 원재료를 이용하여 에폭시 수지 조성물을 제조하는 일반적인 방법으로는 소정의 배합량을 헨셀 믹서나 뢰디게 믹서를 이용하여 균일하게 충분히 혼합한 뒤, 롤밀이나 니이더로 용융혼련한 후, 냉각, 분쇄과정을 거쳐 최종 분말 제품을 얻는 방법이 사용되고 있다. 본 발명에서 얻어진 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로써는 저압 트랜스퍼 성형법이 가장 일반적으로 사용되는 방법이나, 인젝션(Injection) 성형법이나 캐스팅(Casting) 등의 방법으로도 성형이 가능하다. 상기 방법에 의해 동계 리드프레임 또는 철계 리드프레임 또는 상기 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 프리플레이팅된 리드프레임, 또는 유기계 라미네이트 프레임의 반도체 소자를 제조할 수 있다.As a general method for producing an epoxy resin composition using the raw materials described above, a predetermined amount is uniformly mixed sufficiently using a Henschel mixer or a Roedig mixer, melt-kneaded with a roll mill or kneader, and then cooled and pulverized. The process of obtaining the final powder product is used. As a method of sealing a semiconductor element using the epoxy resin composition obtained in the present invention, the low pressure transfer molding method is most commonly used, and molding can also be carried out by a method such as injection molding or casting. By the above method, a semiconductor device of a copper lead frame or an iron lead frame or a lead frame pre-plated with a material containing nickel and palladium on the lead frame or an organic laminate frame can be manufactured.

다음에 본 발명을 실시예에 의거 더욱 상세히 설명하나, 실시예에 의하여 본 발명이 한정되는 것은 아니다. Next, the present invention will be described in more detail with reference to Examples, but the present invention is not limited by Examples.

[실시예 1 또는 2, 비교예 1 또는 2][Example 1 or 2, Comparative Example 1 or 2]

다음 표 1의 조성에 따라 헨셀 믹서를 이용하여 균일하게 혼합한 후, 2축 니이더(Twin screw kneader)를 이용하여 100 ~ 120℃ 범위에서 용융 혼련 후 냉각, 분쇄하여 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 각종 물성은 다음의 방법에 의해 평가하였다. 평가 결과를 표 1에 나타내었다.Next, after mixing uniformly using a Henschel mixer according to the composition of Table 1, melt kneading in a range of 100 to 120 ° C. using a twin screw kneader, and cooling and pulverizing the epoxy resin composition for semiconductor sealing. Prepared. Various physical properties were evaluated by the following method. The evaluation results are shown in Table 1.

(이형력): 멜라민 수지를 이용하여 175℃에서 300초간 3번의 트랜스퍼 몰딩으로 도 1에 도시된 이형력 테스트 금형을 크리닝(cleaning)한 후 상기와 같이 제조한 에폭시 수지 조성물을 175℃, 120초의 조건에서 상기 금형에 트랜스퍼 몰딩한 후, 도 2에 도시된 바와 같이 응력측정계(force pull gauge)를 구비한 측정장치를 통하여 금형과의 이형력을 측정하였다. (Releasing force): The epoxy resin composition prepared as described above was cleaned after cleaning the mold release force test mold shown in FIG. 1 by three transfer moldings for 300 seconds at 175 ° C using melamine resin. After transfer molding to the mold under the conditions, the release force with the mold was measured through a measuring device having a force pull gauge as shown in FIG.

이형력 측정은 각 수지 조성물에 대하여 40회씩 이루어졌으며, 결과를 표 1과 도 3에 나타내었다. 측정값이 낮을수록 이형력이 우수한 것이다.The release force was measured 40 times for each resin composition, and the results are shown in Table 1 and FIG. 3. The lower the measured value, the better the release force.

(연속 작업성): 표 1의 에폭시 수지 조성물로 MPS(Multi Plunger System) 성형기를 이용하여 175℃, 트랜스퍼 압력 9.3 MPa 조건으로 60초간 성형시켜 208-LQFP(Low-profile Quad Flat Package)(28mm×28mm×1.4mm) 패키지를 연속으로 제작하였다. 게이트 막힘, 에어 벤트(vent) 막힘, 패키지 뜯김, 컬(cull) 뜯김 등의 이형 불량이 발생하기까지의 연속 몰딩 회수를 평가하였다. 연속 몰딩 회수가 높을수록 연속 작업성이 우수한 것이다. (Continuous workability): The epoxy resin composition of Table 1 was molded for 60 seconds at 175 ° C and transfer pressure of 9.3 MPa using an MPS (Multi Plunger System) molding machine to form a 208-LQFP (Low-profile Quad Flat Package) (28mm × 28 mm x 1.4 mm) package was produced continuously. The number of continuous moldings until release defects such as gate clogging, air vent clogging, package tearing, and curl tearing occurred was evaluated. The higher the number of continuous moldings, the better the continuous workability.

(신뢰성): 상기 연속 작업성 평가 시 초기에 제작한 208-LQFP 패키지 36개 를 175℃에서 4시간 동안 후경화(PMC; post mold cure)시킨 이후 상온으로 냉각하였다. 이후 상기 패키지를 125℃에서 24시간 건조시킨 후, 5 사이클(1 사이클은 패키지를 -65℃에서 10분, 25℃에서 5분, 150℃에서 10분씩 방치하는 것을 의미함)의 열충격 시험을 수행하였다. 이후, 패키지를 85℃, 85% 상대습도 조건 하에서 168시간 동안 방치한 후 260℃에서 30초 동안 IR 리플로우(reflow)를 1회 통과시키는 것을 3회 반복하는 프리컨디션 조건 이후에 비파괴 검사기인 C-SAM(Scanning Acoustical Microscopy)을 이용하여 패키지 크랙 및 에폭시 수지 조성물과 리드프레임 간의 박리 발생 유무를 평가하였다.(Reliability): In the continuous workability evaluation, 36 initially prepared 208-LQFP packages were post-cured (PMC) for 4 hours at 175 ° C and then cooled to room temperature. After drying the package at 125 ° C. for 24 hours, a thermal shock test of 5 cycles (1 cycle means 10 minutes at −65 ° C., 5 minutes at 25 ° C. and 10 minutes at 150 ° C.) was performed. It was. Then, the package was left at 85 ° C. and 85% relative humidity condition for 168 hours, and then the C non-destructive tester after preconditioning condition of repeating three passes of IR reflow for 30 seconds at 260 ° C. Scanning Acoustical Microscopy (SAM) was used to evaluate the occurrence of delamination between the package crack and the epoxy resin composition and the leadframe.

Figure 112009026134559-pat00011
Figure 112009026134559-pat00011

(단위: 중량%)(Unit: weight%)

주 1) EPPN-502H, Nippon KayakuNote 1) EPPN-502H, Nippon Kayaku

2) YX-4000H, JER   2) YX-4000H, JER

3) NC-3000, Nippon Kayaku   3) NC-3000, Nippon Kayaku

4) MEH-7500, Meiwa Chem.   4) MEH-7500, Meiwa Chem.

5) TPP-K, Hokko   5) TPP-K, Hokko

6) FB-100, Denka   6) FB-100, Denka

7) KMP-594, Shinetsu   7) KMP-594, Shinetsu

8) PED-522, Clariant8) PED-522, Clariant

9) 왁스(PED-522; Clariant)와 산화방지제(SONGNOX 2450;송원산업)의 5:1 멜트 혼합물   9) 5: 1 melt mixture of wax (PED-522; Clariant) and antioxidant (SONGNOX 2450; Songwon Industry)

10) S-510, Chisso   10) S-510, Chisso

11) KBM-573, Shinetsu   11) KBM-573, Shinetsu

12) MA-600, Matsushita   12) MA-600, Matsushita

상기 결과로부터 본 발명에 의한 에폭시 수지 조성물은 이형성, 연속 작업성, 및 신뢰도가 우수한 반도체 소자를 제작할 수 있음을 확인하였다.   From the above results, it was confirmed that the epoxy resin composition according to the present invention can produce a semiconductor device having excellent releasability, continuous workability, and reliability.

도 1은 본 발명의 실시예에서 사용된 이형력 테스트 금형을 나타낸 도면,1 is a view showing a release force test mold used in the embodiment of the present invention,

도 2는 본 발명의 실시예에서 사용된 이형력 측정장치를 나타낸 도면, 및2 is a view showing a release force measuring apparatus used in an embodiment of the present invention, and

도 3은 본 발명의 실시예 및 비교예의 수지조성물을 이용하여 측정된 이형력을 비교하는 그래프이다.3 is a graph comparing the release force measured using the resin compositions of Examples and Comparative Examples of the present invention.

Claims (9)

에폭시수지, 경화제, 경화촉진제, 무기 충전제, 및 첨가제를 포함하는 에폭시 수지 조성물에 있어서, 상기 첨가제로 하기 화학식 1로 표시되는 폴리에틸렌 왁스와 하기 화학식 2로 표시되는 산화방지제를 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.An epoxy resin composition comprising an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, an inorganic filler, and an additive, wherein the additive comprises a polyethylene wax represented by the following formula (1) and an antioxidant represented by the following formula (2). Epoxy resin composition for element sealing. [화학식 1][Formula 1]
Figure 112007093467538-pat00006
Figure 112007093467538-pat00006
(상기 식에서, n은 30 내지 450의 정수이다.)(Wherein n is an integer from 30 to 450). [화학식 2][Formula 2]
Figure 112007093467538-pat00007
Figure 112007093467538-pat00007
(상기 식에서, R1과 R2는 각각 독립적으로 수소 또는 탄소 수 1 내지 12의 알킬기이다.)(Wherein R 1 and R 2 are each independently hydrogen or an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms.)
제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스는 120℃에서의 점도가 300 mPa·s 이하이고, 수평균 분자량이 1000 ∼ 3000인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device according to claim 1, wherein the polyethylene wax of Chemical Formula 1 has a viscosity at 120 ° C of 300 mPa · s or less and a number average molecular weight of 1000 to 3000. 제 1항에 있어서, 상기 화학식 2의 산화방지제는 분자량이 500 ~ 800인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition of claim 1, wherein the antioxidant of Formula 2 has a molecular weight of 500 to 800. 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제는 사용 전에 멜트 블렌딩하여 혼합한 후 사용되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition of claim 1, wherein the polyethylene wax of Formula 1 and the antioxidant of Formula 2 are used after melt blending before use. 제 4항에 있어서, 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화방지제의 혼합비가 2:1 ~ 8:1인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device according to claim 4, wherein a mixing ratio of the polyethylene wax of Chemical Formula 1 and the antioxidant of Chemical Formula 2 is 2: 1 to 8: 1. 제 1항에 있어서, 상기 화학식 1의 폴리에틸렌 왁스와 상기 화학식 2의 산화 방지제의 합계 함량이 전체 에폭시 수지 조성물에 대하여 0.001 ~ 4 중량%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.The epoxy resin composition for sealing a semiconductor device according to claim 1, wherein the total content of the polyethylene wax of Formula 1 and the antioxidant of Formula 2 is 0.001 to 4 wt% based on the total epoxy resin composition. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항 기재의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 헨셀 믹서 또는 뢰디게 믹서를 이용하여 혼합한 뒤, 롤밀 또는 니이더로 용융 혼련한 후, 냉각, 분쇄과정을 거쳐 얻은 최종 분말 제품으로 밀봉한 반도체 소자.The epoxy resin composition for sealing a semiconductor element according to any one of claims 1 to 6 is mixed using a Henschel mixer or a Lodige mixer, melt-kneaded with a roll mill or kneader, and then cooled and pulverized. A semiconductor device sealed with the final powder product obtained. 제 7항에 있어서, 상기 최종 분말 제품을 저압 트랜스퍼 성형법, 인젝션 성형법 또는 캐스팅 성형법으로 밀봉한 반도체 소자.8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the final powder product is sealed by low pressure transfer molding, injection molding, or casting molding. 제 8항에 있어서, 상기 반도체 소자가 동계 리드프레임, 철계 리드프레임, 동계 또는 철계 리드프레임에 니켈과 팔라듐을 포함하는 물질로 프리플레이팅된 리드프레임, 및 유기계 라미네이트 프레임 중에서 선택되는 리드프레임을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자.The semiconductor device of claim 8, wherein the semiconductor device comprises a lead frame selected from a copper lead frame, an iron lead frame, a lead frame pre-plated with a material containing nickel and palladium in a copper or iron lead frame, and an organic laminate frame. A semiconductor device characterized in that.
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