KR100896107B1 - Optosemiconductor device test system using silicon optical bench and Testing method using the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템 및 이를 이용한 테스트 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템은, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 측벽에 경사면이 구비된 개구가 마련되고, 개구의 하부에는 흡입력을 인가하는 진공 홀이 형성된 광 반도체 소자 트레이 및 상기 광 반도체 소자 트레이의 개구에 자기 정렬되어 실장 되는 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention discloses an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench and a test method using the same. In the optical semiconductor device test system according to the present invention, a silicon wafer is used as a body, and the body includes an opening having an inclined surface at a sidewall thereof so that the light emitting semiconductor device or the light receiving semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted. And an optical semiconductor device test device configured to test an optical semiconductor device tray having a vacuum hole for applying suction force and a light emitting semiconductor device or a light receiving semiconductor device self-aligned and mounted in an opening of the optical semiconductor device tray at a lower portion of the opening. It is characterized by including.

본 발명에 따르면, 광 반도체 소자 테스트 시스템에 사용되는 트레이를 실리콘 옵티컬 벤치를 이용하여 제조함으로써, 다양한 광 반도체 소자의 크기와 종류에 맞게 제조하는데 걸리는 시간과 금액의 경제성을 향상시킬 수 있다. 또한, 테스트 가능한 소자의 수에 대해서 제한이 적고 테스트 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 열에 대한 영향이 큰 신뢰성 테스트에 광 반도체 소자 트레이를 응용하여 이용할 수 있다.According to the present invention, by manufacturing a tray used in the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, it is possible to improve the economics of the time and cost required to manufacture according to the size and type of various optical semiconductor devices. In addition, there is a limit on the number of devices that can be tested and the test time can be reduced. Moreover, the optical semiconductor element tray can be applied and used for the reliability test with a big influence on heat.

실리콘 옵티컬 벤치, 광 반도체 소자, 발광 반도체 소자, 수광 반도체 소자 Silicon optical bench, optical semiconductor device, light emitting semiconductor device, light receiving semiconductor device

Description

실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템 및 이를 이용한 테스트 방법{Optosemiconductor device test system using silicon optical bench and Testing method using the same}Optical semiconductor device test system using silicon optical bench and test method using same {Optosemiconductor device test system using silicon optical bench and Testing method using the same}

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니된다.The following drawings, which are attached to this specification, illustrate exemplary embodiments of the present invention, and together with the detailed description of the present invention, serve to further understand the technical spirit of the present invention. It should not be construed as limited to.

도 1a 내지 도 1e은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 트레이를 제조하는 과정을 도시한 일련의 공정 단면도들이다.1A to 1E are a series of process cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an optical semiconductor device tray according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 구성을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of an optical semiconductor device test system according to a first embodiment of the present invention.

도 3은 도 2에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 발광 반도체 소자 테스트 방법을 도시한 흐름도이다. 3 is a flowchart illustrating a light emitting semiconductor device test method using the optical semiconductor device test system illustrated in FIG. 2.

도 4는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 구성을 도시한 단면도이다.4 is a cross-sectional view showing the configuration of an optical semiconductor device test system according to a second embodiment of the present invention.

도 5는 도 4에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 수광 반도체 소자 테스트 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a light receiving semiconductor device test method using the optical semiconductor device test system illustrated in FIG. 4.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 3×3배열의 광 반도체 소자 트레이를 도시한 상부 평면도이다.FIG. 6 is a top plan view illustrating a 3 × 3 array optical semiconductor device tray according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 동시 측정 방식을 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a simultaneous measurement method of an optical semiconductor device test system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 개별 측정 방식을 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating an individual measurement method of an optical semiconductor device test system according to a preferred embodiment of the present invention.

<도면의 주요 참조 부호에 대한 설명><Description of Major Reference Marks in Drawing>

100...광 반도체 소자 테스트 시스템Optical semiconductor device test system

10...광 반도체 소자 트레이 11...실리콘 웨이퍼10 ... optical semiconductor device tray 11 ... silicon wafer

12...실리콘 박막 13...진공 홀12 ... silicon thin film 13 ... vacuum hole

14...금속 박막 전극 20...광 반도체 소자 테스트 장치14 ... metal thin film electrode 20 ... optical semiconductor device test device

21...제1탐침부 22...제2탐침부21 ... probe 1 22 ... probe 2

23...수광 검침부 50...발광 반도체 소자23 ... light-receiving meter 50 ... light-emitting semiconductor element

51...하부 전극 52...상부 전극51 Lower electrode 52 Upper electrode

53...발광부53.Light Emitting Part

본 발명은 광 반도체 소자를 테스트하는 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용하여 제작된 광 반도체 소자 트레이에 광 반도 체 소자를 실장하여 테스트하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템 및 이를 이용한 테스트 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a system for testing an optical semiconductor device, and more particularly, to an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench for mounting and testing an optical semiconductor device on an optical semiconductor device tray manufactured using a silicon optical bench. And it relates to a test method using the same.

광 반도체 소자는 광전효과를 이용하여 광신호를 전기적인 신호로 변환시켜주는 수광 반도체 소자와 전기 신호를 광신호로 변환시켜주는 발광 반도체 소자로 크게 나누어져 있다. 대표적인 수광 반도체 소자로는 포토 다이오드(Photo Diode; PD)가 있고, 발광 반도체 소자로는 발광 다이오드 (Light Emitting Diode; LED)와 레이저 다이오드(Laser Diode; LD) 등이 있다. 최근에는 발광 다이오드를 대체하여 정밀 광전 센서의 제작이 가능하고 근거리 광 통신망에 유리한 수직 공진 표면방출 레이저(Vertical Cavity Surface Emitting Laser; VCSEL)가 많은 연구를 통해 고수율, 저비용으로 광 저장 장치 등 다양한 응용 제품으로 구현되고 있다.Optical semiconductor devices are broadly classified into light receiving semiconductor devices for converting optical signals into electrical signals using photoelectric effects and light emitting semiconductor devices for converting electrical signals into optical signals. Typical light-receiving semiconductor devices include a photo diode (PD), and light-emitting semiconductor devices include a light emitting diode (LED) and a laser diode (LD). Recently, it has been possible to manufacture precision photoelectric sensors by replacing light emitting diodes, and many researches on Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL), which is advantageous for short-range optical communication network, have been applied to various applications such as optical storage devices at high yield and low cost. It is implemented as a product.

이러한 광 반도체 소자들은 제조 공정 중 패키징이 이루어지지 않은 웨이퍼 상태에서도 성능 테스트가 가능하기 때문에 패키징 이전에 테스트를 하여 양호한 것들과 불량한 것들을 구분하고 양호한 소자들만을 패키징하는 기술이 사용되고 있다.Since the optical semiconductor devices are capable of performing performance tests even in a wafer state in which the packaging is not performed during the manufacturing process, a technology of testing before packaging to distinguish between good and bad ones and packaging only good devices is used.

그러나 최종 제품 제조 시에는 칩 브레이킹(chip breaking) 또는 디싱(dicing) 같은 물리적인 스트레스를 동반한 공정을 수반하게 되고 이는 이후 칩 테스트와 신뢰성 테스트에서 소자의 성능에 악 영향을 미칠 가능성이 커 최종 제품에 불량이 발생되는 문제가 있을 수 있다.However, final product manufacturing involves processes that involve physical stresses, such as chip breaking or dishing, which are likely to adversely affect the device's performance in subsequent chip and reliability tests. There may be a problem that a failure occurs.

또한, 기존의 칩 테스트 방식인 프로브 스테이션(probe station)방식은 처리 속도가 느려 시간이 많이 소비될 뿐만 아니라 실리콘 반도체 제조 기술에서 쓰 이고 있는 프로브 테스터는 소자의 크기와 강도 및 광 반도체 소자의 구동 방식의 차이 때문에 광 반도체 소자의 테스트에는 적합하지 않다. 또한, 종래기술의 광 반도체 소자용 칩 테스터들은 테이프 등에 붙여진 소자들을 하나씩 떼어내어 픽업한 후 테스트용 트레이(tray) 위에서 탐침(probe)으로 전류를 인가하는 방식으로 제작되어 측정 속도 면과 비용면에서 상당히 열악한 문제가 있다.In addition, the probe station method, which is a conventional chip test method, is not only time-consuming due to a slow processing speed, but also a probe tester used in silicon semiconductor manufacturing technology is a device size and strength and a driving method of an optical semiconductor device. Due to the difference, it is not suitable for testing of optical semiconductor devices. In addition, the chip testers for optical semiconductor devices of the prior art are manufactured by removing and picking up devices attached to tapes one by one and applying a current to a probe on a test tray in terms of measurement speed and cost. There is a fairly poor problem.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 광 반도체 소자를 테스트하는데 있어서, 실리콘 옵티컬 벤치(Silicon Optical Bench; SiOB)를 이용하여 광 반도체 소자 트레이를 제조함으로써 다양한 종류와 크기의 광 반도체 소자에 대해서 신속하고 경제성 있는 테스트가 가능한 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템 및 이를 이용한 테스트 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention was devised to solve the problems of the prior art, and in testing an optical semiconductor device, various types and sizes are manufactured by manufacturing an optical semiconductor device tray using a silicon optical bench (SiOB). The purpose of the present invention is to provide an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench and a test method using the same, which can quickly and economically test an optical semiconductor device.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 일 측면에 따른 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템은 전기 신호를 광신호로 변환시키는 발광 반도체 소자를 테스트하는 시스템으로서, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 발광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 측벽에 경사면이 구비된 개구가 마련되고, 개구의 하부에는 흡입력을 인가하는 진공 홀이 형성된 광 반도체 소자 트레이 및 상기 광 반도체 소자 트레이의 개구에 자기 정렬되어 실장 되는 발광 반도체 소자를 테스트하는 광 반도 체 소자 테스트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench according to an aspect of the present invention is a system for testing a light emitting semiconductor device for converting an electrical signal into an optical signal, and is formed using a silicon wafer as a body. The body is provided with an opening having an inclined surface on a side wall so that the light emitting semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted, and an optical semiconductor device tray having a vacuum hole for applying a suction force under the opening and the light. And an optical semiconductor device test apparatus for testing a light emitting semiconductor device that is self-aligned and mounted in an opening of the semiconductor device tray.

상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 다른 측면에 따른 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템은 광 신호를 전기 신호로 변환시키는 수광 반도체 소자를 테스트하는 시스템으로서, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 수광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 측벽에 경사면이 구비된 개구가 마련되고, 개구의 하부에는 흡입력을 인가하는 진공 홀이 형성된 광 반도체 소자 트레이 및 상기 광 반도체 소자 트레이의 개구에 자기 정렬되어 실장 되는 수광 반도체 소자를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench according to another aspect of the present invention is a system for testing a light-receiving semiconductor device for converting an optical signal into an electrical signal, which is formed using a silicon wafer as a body. The body is provided with an opening having an inclined surface on the side wall so that the light-receiving semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted, and an optical semiconductor device tray having a vacuum hole for applying suction force under the opening and the optical And an optical semiconductor device test apparatus for testing a light receiving semiconductor device that is self-aligned and mounted in an opening of the semiconductor device tray.

본 발명에 있어서, 상기 진공 홀을 통해 상기 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자를 개구 내에 고정시키는 흡입력을 인가하는 진공 흡입 수단;을 더 포함할 수 있다.In the present invention, the vacuum suction means for applying a suction force for fixing the light emitting semiconductor element or the light receiving semiconductor element in the opening through the vacuum hole; may further include.

바람직하게, 상기 개구는 뒤집어진 사다리꼴 형상을 가지며, 측벽의 경사 각도는 54.7°이다.Preferably, the opening has an inverted trapezoidal shape and the inclination angle of the side wall is 54.7 °.

본 발명에 있어서, 상기 개구의 상부 바닥면에는 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자가 실장 되는 광 반도체 소자 수감부를 포함한다.In the present invention, the upper bottom surface of the opening includes an optical semiconductor element receiver in which a light emitting semiconductor element or a light receiving semiconductor element is mounted.

본 발명에 있어서, 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응된다.In the present invention, the width and length of the bottom surface of the light receiving element receiving portion correspond to the width and height of the bottom surface of the light emitting semiconductor element or the light receiving semiconductor element mounted in the opening, respectively.

본 발명에 있어서, 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면으로부터 개구의 측벽 을 따라 광 반도체 소자 트레이의 상부 일면까지 금속 박막 전극이 구비되고, 테스트 수행 시 상기 발광 반도체 소자 또는 수광 반도체 소자의 하부 전극부와 금속 박막 전극이 상호 접속된다.In the present invention, a metal thin film electrode is provided from the bottom surface of the optical semiconductor element receiving portion to the upper surface of the optical semiconductor element tray along the sidewall of the opening, and the lower electrode portion and the metal of the light emitting semiconductor element or the light receiving semiconductor element when the test is performed. Thin film electrodes are interconnected.

본 발명에 있어서, 상기 금속 박막 전극은 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진다.In the present invention, the metal thin film electrode is made of a material of Ti / Pt / Au or Cu / Au.

바람직하게, 상기 개구는 m×n의 배열로 구비된다.Preferably, the openings are provided in an array of m × n.

본 발명의 일 측면에 따르면, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치는 상기 발광 반도체 소자의 상부 전극부와 접속하여 발광 반도체 소자에 전류를 인가하는 제1탐침부; 상기 발광 반도체 소자의 하부 전극부와 전기적으로 접속된 금속 박막 전극과 접속하여 하부 전극부를 접지시키는 제2탐침부; 및 상기 발광 반도체 소자로부터 방사되는 광신호를 수광 하여 테스트하는 수광 검침부;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, the optical semiconductor device test apparatus may include a first probe part connected to an upper electrode part of the light emitting semiconductor device to apply a current to the light emitting semiconductor device; A second probe part connected to the metal thin film electrode electrically connected to the lower electrode part of the light emitting semiconductor element to ground the lower electrode part; And a light receiving meter unit configured to receive and test an optical signal emitted from the light emitting semiconductor element.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치는 상기 수광 반도체 소자의 상부 전극부와 접속하여 수광 반도체 소자에서 광신호를 변환한 전기 신호를 테스트하는 제1탐침부; 상기 수광 반도체 소자의 하부 전극부와 전기적으로 접속된 금속 박막 전극과 접속하여 하부 전극부를 접지시키는 제2탐침부; 및 상기 수광 반도체 소자로 광신호를 인가하는 광신호 발신부;를 포함한다.According to another aspect of the present invention, the optical semiconductor device test apparatus may include a first probe unit connected to an upper electrode part of the light receiving semiconductor element to test an electrical signal converted from an optical signal in the light receiving semiconductor element; A second probe portion connected to the metal thin film electrode electrically connected to the lower electrode portion of the light receiving semiconductor element to ground the lower electrode portion; And an optical signal transmitter for applying an optical signal to the light receiving semiconductor element.

바람직하게, 상기 광 반도체 소자 테스트 시스템의 배열 방식은 단일 배열 방식, 일렬 배열 방식, 및 정방형 배열 방식이다.Preferably, the arrangement of the optical semiconductor device test system is a single arrangement, a single arrangement, and a square arrangement.

바람직하게, 상기 광 반도체 소자 테스트 시스템의 광 반도체 소자 트레이는 소자를 에이징하는 신뢰성 테스트에 이용될 수 있다.Preferably, the optical semiconductor device tray of the optical semiconductor device test system may be used for a reliability test for aging the device.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 광 반도체 소자 트레이를 제조하는 방법은, 결정면에 따라 다른 식각 특성을 가지고 소정의 길이와 소정의 높이로 형성된 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼의 상부면과 배면에 사각형의 개구를 정의하는 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼를 이방성 습식 식각액에 침지시켜 웨이퍼 상부와 하부의 상기 사각형 개구를 통해 경사면을 갖는 상부 개구와 하부 개구를 동시에 형성하여 상부 개구와 하부 개구가 서로 만나 중공이 형성될 때까지 식각을 진행하는 단계; 상기 실리콘 웨이퍼 상면과 배면에 형성된 식각 마스크 패턴을 제거하고 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 상부 개구의 바닥면으로부터 상부 개구의 측벽을 따라 실리콘 웨이퍼의 상부 일면까지 금속 박막 전극을 증착하는 단계;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing an optical semiconductor device tray, the method comprising: preparing a silicon wafer having a predetermined length and a predetermined height with different etching characteristics according to a crystal plane; Forming an etch mask pattern defining a rectangular opening on an upper surface and a rear surface of the silicon wafer; The silicon wafer is immersed in an anisotropic wet etchant to simultaneously form upper and lower openings having inclined surfaces through the rectangular openings at the top and the bottom of the wafer to etch until the upper and lower openings meet each other to form a hollow. step; Removing an etching mask pattern formed on the top and bottom surfaces of the silicon wafer and forming an insulating layer; And depositing a metal thin film electrode from a bottom surface of the upper opening to an upper surface of a silicon wafer along sidewalls of the upper opening.

바람직하게, 웨이퍼의 상면에 정의된 사각형 개구가 웨이퍼 배면에 정의된 사각형 개구보다 크다. 그리고 상기 상부 개구의 측벽은 웨이퍼 표면과 54.7°를 이룬다. 아울러 상기와 같이 크기가 다른 사각형 개구에 의해 노출된 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하면 상기 상부 개구의 바닥면에는 광 반도체 소자가 실장되는 광 반도체 소자 수감부가 형성된다.Preferably, the rectangular openings defined on the top of the wafer are larger than the rectangular openings defined on the back of the wafer. And the side wall of the upper opening is 54.7 ° with the wafer surface. In addition, when the silicon wafer exposed by the rectangular openings having different sizes is anisotropically etched, an optical semiconductor device receiver portion in which the optical semiconductor device is mounted is formed on the bottom surface of the upper opening.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 광 반도체 소자 테스트 방법은, 전기 신호를 광신호로 변환시키는 발광 반도체 소자를 테스트하는 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 발광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 경사면이 형성된 측벽과 발광 반도체 소자를 흡착 고정시키는 진공 홀이 저면에 형성된 개구가 마련 되고, 개구의 저면으로부터 개구 측벽을 따라 개구 외부까지 연장 형성된 금속 박막 전극이 구비된 광 반도체 소자 트레이에 발광 반도체 소자를 자기 정렬시켜 실장하는 단계; 상기 진공 홀을 통해 진공 흡입력을 인가하여 발광 반도체 소자를 고정시키는 단계; 상기 발광 반도체 소자에 광 반도체 소자 테스트 장치를 접근시키는 단계; 상기 발광 반도체 소자의 상부 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부를 접속하고 이와 동시에 광 반도체 소자 트레이의 금속 박막 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제2탐침부를 접속한 후, 상기 발광 반도체 소자에서 방사하는 광신호와 대향하는 방향으로 수광 검침부를 위치시켜 광축 정렬시키는 단계; 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부에 전류를 인가하여 상기 발광 반도체 소자를 작동시켜 광신호를 방사시키는 단계; 및 상기 발광 반도체 소자로부터 방사되는 광신호를 상기 수광 검침부에서 수광하여 광의 세기를 테스트하는 단계;를 포함한다.An optical semiconductor device test method according to an aspect of the present invention for achieving the above technical problem, in the method for testing a light emitting semiconductor device for converting an electrical signal into an optical signal, formed of a silicon wafer as a body, the body The side wall is formed with a sidewall having an inclined surface and a vacuum hole adsorbing and fixing the light emitting semiconductor element so that the light emitting semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted, and an opening formed at the bottom thereof. Self-aligning and mounting a light emitting semiconductor device on an optical semiconductor device tray including an extended metal thin film electrode; Fixing a light emitting semiconductor device by applying a vacuum suction force through the vacuum hole; Approaching an optical semiconductor device test apparatus to the light emitting semiconductor device; After connecting the upper electrode of the light emitting semiconductor element and the first probe portion of the optical semiconductor element test apparatus, and at the same time to connect the metal thin film electrode of the optical semiconductor element tray and the second probe portion of the optical semiconductor element test apparatus, the light emitting semiconductor Arranging the optical axis by positioning the light receiving meter in a direction opposite to the optical signal emitted from the device; Radiating an optical signal by applying a current to a first probe part of the optical semiconductor device test device to operate the light emitting semiconductor device; And receiving the optical signal emitted from the light emitting semiconductor element in the light receiving meter reading unit to test the intensity of light.

상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 다른 측면에 따른 광 반도체 소자 테스트 방법은, 광 신호를 전기 신호로 변환시키는 수광 반도체 소자를 테스트하는 방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 수광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 경사면이 형성된 측벽과 수광 반도체 소자를 흡착 고정시키는 진공 홀이 저면에 형성된 개구가 마련되고, 개구의 저면으로부터 개구 측벽을 따라 개구 외부까지 연장 형성된 금속 박막 전극이 구비된 광 반도체 소자 트레이에 수광 반도체 소자를 자기 정렬시켜 실장하는 단계; 상기 진공 홀을 통해 진공 흡입력을 인가하여 수광 반도체 소 자를 고정시키는 단계; 상기 수광 반도체 소자에 광 반도체 소자 테스트 장치를 접근시키는 단계; 상기 수광 반도체 소자의 상부 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부를 접속하고 이와 동시에 광 반도체 소자 트레이의 금속 박막 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제2탐침부를 접속한 후, 상기 수광 반도체 소자가 광신호를 수광할 수 있도록 광신호를 방사하는 광신호 발신부를 위치시켜 광축 정렬시키는 단계; 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 광신호 발신부에서 상기 수광 반도체 소자로 광신호를 방사하는 단계; 및 상기 광신호 발신부로부터 수광된 광신호에 따라 상기 수광 반도체 소자에서 변환되는 전기 신호를 테스트하는 단계;를 포함한다.An optical semiconductor device test method according to another aspect of the present invention for achieving the above technical problem, in the method for testing a light receiving semiconductor device for converting an optical signal into an electrical signal, formed of a silicon wafer as a body, the body The opening is provided with a sidewall having an inclined surface and a vacuum hole for suction-fixing the light receiving semiconductor element so that the light receiving semiconductor element to be tested can be self-aligned and mounted thereon, and from the bottom of the opening to the outside of the opening along the sidewall of the opening. Self-aligning and mounting a light receiving semiconductor device on an optical semiconductor device tray including an extended metal thin film electrode; Fixing a light receiving semiconductor element by applying a vacuum suction force through the vacuum hole; Approaching an optical semiconductor device test apparatus to the light receiving semiconductor device; Connecting the upper electrode of the light-receiving semiconductor element and the first probe part of the optical semiconductor element test apparatus, and simultaneously connecting the metal thin film electrode of the optical semiconductor element tray and the second probe part of the optical semiconductor element test apparatus, and then Positioning an optical axis by locating an optical signal transmitter for emitting an optical signal so that the device can receive the optical signal; Radiating an optical signal from the optical signal transmitter of the optical semiconductor device test apparatus to the light receiving semiconductor device; And testing an electrical signal converted in the light receiving semiconductor device according to the optical signal received from the optical signal transmitter.

바람직하게, 상기 광 반도체 소자 테스트는 다수개의 광 반도체 소자 트레이와 다수의 광 반도체 소자 테스트 장치로 동시에 다수의 광 반도체 소자를 테스트한다.Preferably, the optical semiconductor device test tests a plurality of optical semiconductor devices simultaneously with a plurality of optical semiconductor device trays and a plurality of optical semiconductor device test apparatus.

바람직하게, 상기 광 반도체 소자 테스트는 다수개의 광 반도체 소자 트레이와 단일의 광 반도체 소자 테스트 장치로 테스트 장치 또는 테스트용 트레이의 이동으로 개별적으로 다수의 광 반도체 소자를 테스트한다Preferably, the optical semiconductor device test tests a plurality of optical semiconductor devices individually by moving a test device or a test tray with a plurality of optical semiconductor device trays and a single optical semiconductor device test device.

바람직하게, 상기 광 반도체 소자 테스트는 단일의 광 반도체 소자 트레이와 단일의 광 반도체 소자 테스트 장치로 단일의 광 반도체 소자를 테스트한다.Preferably, the optical semiconductor device test tests a single optical semiconductor device with a single optical semiconductor device tray and a single optical semiconductor device test apparatus.

이하 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가 장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Prior to this, the terms or words used in this specification and claims should not be construed as being limited to the ordinary or dictionary meanings, and the inventors should properly introduce the concept of terms in order to best explain their invention. It should be interpreted as meanings and concepts in accordance with the technical spirit of the present invention based on the principle that it can be defined. Therefore, the embodiments described in the specification and the drawings shown in the drawings are only the most preferred embodiment of the present invention and do not represent all of the technical idea of the present invention, various modifications that can be replaced at the time of the present application It should be understood that there may be equivalents and variations.

도 1a 내지 도 1e은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 트레이를 제조하는 과정을 도시한 일련의 공정 단면도들이다.1A to 1E are a series of process cross-sectional views illustrating a process of manufacturing an optical semiconductor device tray according to a preferred embodiment of the present invention.

먼저, 도 1a에 도시된 바와 같이, 결정면에 따라 다른 식각 특성(이방성 식각 특성)을 가지고 소정의 길이(D)와 소정의 높이(H)로 형성된 육면체의 실리콘 웨이퍼(11)를 준비한다.First, as shown in FIG. 1A, a hexahedral silicon wafer 11 having a predetermined length D and a predetermined height H having different etching characteristics (anisotropic etching characteristics) according to a crystal surface is prepared.

이어서, 도 1b에 도시된 바와 같이, 포토 리소그래피(photo-lithography) 공정을 이용하여 상기 실리콘 웨이퍼(11) 상부의 가장자리 부분에 소정의 길이(d)를 갖는 사각형 형태의 습식 식각 마스크 패턴(15)을 형성하고, 상기 실리콘 웨이퍼(11) 하부의 가장자리 부분에도 소정의 길이(d')를 갖는 사각형 형태의 습식 식각 마스크 패턴(15)을 형성한다. 이때, d는 d'보다 작은 조건을 만족한다.Subsequently, as illustrated in FIG. 1B, a wet etching mask pattern 15 having a rectangular shape d having a predetermined length d at an edge portion of the upper portion of the silicon wafer 11 using a photo-lithography process. And a wet etching mask pattern 15 having a rectangular shape having a predetermined length d 'is formed on an edge portion of the lower portion of the silicon wafer 11. At this time, d satisfies a condition smaller than d '.

계속하여, 도 1c에 도시된 바와 같이, 습식 식각 마스크 패턴(15)이 형성된 실리콘 웨이퍼(11)에 대해 KOH 또는 TMAH(Tetra-methyl ammonium hydroxide)용액에서 습식 식각을 수행하면 실리콘 웨이퍼(11)의 상부와 하부에서 동시에 식각이 진행된다. 그 결과, 상부와 하부에 54.7°의 경사면을 갖고 각기 다른 크기를 갖는 사다리꼴 형상의 개구가 실리콘 웨이퍼(11)의 상부와 하부에 동시 형성된다. 상기 상술된 식각 과정은 실리콘 웨이퍼(11)의 상부와 하부에 각각 형성되는 개구가 상호 맞닿아 실리콘 웨이퍼(11)의 중간지점에 진공 홀(13)이 형성될 때까지 유지된다.Subsequently, as shown in FIG. 1C, when wet etching is performed on the silicon wafer 11 having the wet etching mask pattern 15 formed thereon in KOH or Tetra-methyl ammonium hydroxide (TMAH) solution, the silicon wafer 11 may be formed. Etching takes place simultaneously at the top and bottom. As a result, trapezoidal openings having inclined surfaces of 54.7 ° in the upper and lower portions and having different sizes are simultaneously formed in the upper and lower portions of the silicon wafer 11. The above-described etching process is maintained until the openings formed in the upper and lower portions of the silicon wafer 11 abut each other to form a vacuum hole 13 at an intermediate point of the silicon wafer 11.

그리고 나서, 도 1d에 도시된 바와 같이, BOE(buffered oxide etch) 공정을 이용하여 실리콘 웨이퍼(11)에 존재하는 습식 식각 마스크 패턴(15)을 제거한다. 그리고 다시 실리콘 웨이퍼(11) 상부와 하부 표면에 Si3N4 또는 SiO2로 이루어진 절연막(12)을 형성한다.Then, as illustrated in FIG. 1D, the wet etch mask pattern 15 existing on the silicon wafer 11 is removed using a buffered oxide etch (BOE) process. Then, an insulating film 12 made of Si 3 N 4 or SiO 2 is formed on the upper and lower surfaces of the silicon wafer 11.

그런 후, 도 1e에 도시된 바와 같이, 실리콘 웨이퍼(11)에서 광 반도체 소자가 실장 되는 광 반도체 소자 수감부(16)와 실리콘 웨이퍼(11)의 상부 표면 일부에 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진 금속 박막 전극(14)을 증착 함으로써 광 반도체 소자 트레이의 제작이 완료된다.Then, as shown in FIG. 1E, the Ti / Pt / Au or Cu / Au is formed on the optical semiconductor element receiver 16 in which the optical semiconductor element is mounted on the silicon wafer 11 and a part of the upper surface of the silicon wafer 11. Fabrication of the optical semiconductor device tray is completed by depositing the metal thin film electrode 14 made of a material of.

도 2는 본 발명의 바람직한 제1실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 구성을 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing the configuration of an optical semiconductor device test system according to a first embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)은 발광 반도체 소자(50)가 실장 되는 광 반도체 소자 트레이(10)와 발광 반도체 소자(50)를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치(20)를 포함한다.Referring to FIG. 2, the optical semiconductor device test system 100 includes an optical semiconductor device test apparatus 20 for testing the optical semiconductor device tray 10 on which the light emitting semiconductor device 50 is mounted and the light emitting semiconductor device 50. Include.

도 2에 도시된 바와 같이, 상기 광 반도체 소자 트레이(10)는 실리콘 웨이퍼(11)로 몸체를 형성하고 있으며 실리콘 웨이퍼(11)의 상부와 하부 표면에는 Si3N4 또는 SiO2로 이루어진 절연막(12)이 형성되어 있다. 또한, 상기 광 반도체 소자 트레이(10)의 중심부에는 발광 반도체 소자(50)가 실장될 수 있도록 뒤집어진 사다리꼴 형태의 광 반도체 소자 수감부(16)가 마련된다. 상기 광 반도체 소자 수감부(16) 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 발광 반도체 소자(50) 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응되는 형태를 이룬다. 또한, 상기 광 반도체 소자 수감부(16)의 중심부에는 진공 홀(13)이 형성되어 있어 실장된 발광 반도체 소자(50)를 소정의 진공 흡입 수단(미도시)에서 인가된 진공으로 흡착 고정하는 작용을 한다. 또한, 상기 광 반도체 소자 수감부(16)와 실리콘 웨이퍼(11) 상면의 일면에는 발광 반도체 소자(50)의 하부 전극부(51)와 접속할 수 있는 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진 금속 박막 전극(14)이 증착되어있다.As shown in FIG. 2, the optical semiconductor device tray 10 forms a body of a silicon wafer 11, and an insulating film made of Si 3 N 4 or SiO 2 is formed on upper and lower surfaces of the silicon wafer 11. 12) is formed. In addition, an inverted trapezoidal optical semiconductor element receiver 16 is provided at the center of the optical semiconductor element tray 10 so that the light emitting semiconductor element 50 may be mounted. The width and height of the bottom surface of the optical semiconductor device receiver 16 form a shape corresponding to the width and height of the bottom surface of the light emitting semiconductor device 50 mounted in the opening. In addition, a vacuum hole 13 is formed in a central portion of the optical semiconductor element receiving unit 16, and the light emitting semiconductor element 50 is attached and fixed to a vacuum applied by a predetermined vacuum suction means (not shown). do. In addition, one surface of the upper surface of the optical semiconductor device receiver 16 and the silicon wafer 11 may be made of a material of Ti / Pt / Au or Cu / Au, which may be connected to the lower electrode 51 of the light emitting semiconductor device 50. A metal thin film electrode 14 is deposited.

한편, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)에서 제1탐침부(21)는 상기 발광 반도체 소자(50)의 상부 전극부(52)와 접속하여 상기 발광 반도체 소자(50)에 전류를 인가한다. 또한, 제2탐침부(22)는 상기 광 반도체 소자 트레이(10)에 실장된 발광 반도체 소자(50)와 접속된 금속 박막 전극(14)과 접속함으로써 전기적으로 접지 연결한다.In the optical semiconductor device test apparatus 20, the first probe part 21 is connected to the upper electrode part 52 of the light emitting semiconductor device 50 to apply a current to the light emitting semiconductor device 50. In addition, the second probe part 22 is electrically connected to the ground by connecting to the metal thin film electrode 14 connected to the light emitting semiconductor element 50 mounted on the optical semiconductor element tray 10.

도 3은 도 2에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 발광 반도체 소자 테스트 방법을 도시한 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a light emitting semiconductor device test method using the optical semiconductor device test system illustrated in FIG. 2.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 제1실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 발광 반도체 소자 테스트 방법은 먼저, 광 반도체 소자 트레 이(10)에 뒤집어진 사다리꼴 형태의 광 반도체 소자 수감부(16)의 형태적 특성에 의해서 발광 반도체 소자(50)가 자기 정렬을 이루며 위치하고 상기 광 반도체 소자 수감부(16) 중심에 있는 진공 홀(13)을 통해 소정의 진공 흡입 수단(미도시)으로부터 인가되는 진공 흡입력에 의해서 광 반도체 소자 트레이(10)의 금속 박막 전극(14)과 발광 반도체 소자(50)의 하부 전극(51)이 접속을 이루며 밀착 고정된다(S100).2 and 3, the light emitting semiconductor device test method according to the optical semiconductor device test system according to the first embodiment of the present invention firstly, an optical semiconductor device having a trapezoidal shape inverted in the optical semiconductor device tray 10. Due to the morphological characteristics of the receiver 16, the light emitting semiconductor elements 50 are arranged in a self-aligned manner from a predetermined vacuum suction means (not shown) through the vacuum hole 13 in the center of the optical semiconductor element receiver 16. The metal thin film electrode 14 of the optical semiconductor element tray 10 and the lower electrode 51 of the light emitting semiconductor element 50 are connected to each other and fixed by the vacuum suction force applied (S100).

이어서, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)는 광 반도체 소자 트레이(10)에 실장된 발광 반도체 소자(50)에 접속될 수 있도록 이동한다(S200).Subsequently, the optical semiconductor device test apparatus 20 moves to be connected to the light emitting semiconductor device 50 mounted on the optical semiconductor device tray 10 (S200).

그런 다음, 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 수광 검침부(23)는 상기 발광 반도체 소자(50)의 발광부(53)에서 방사하는 광신호(54)를 수광 할 수 있도록 위치하며 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 제1탐침부(21)와 발광 반도체 소자(50)의 상부 전극(52)을 상호 접속하고, 이와 동시에 제2탐침부(22)와 발광 반도체 소자(50)의 하부 전극(51)과 접속된 광 반도체 소자 트레이(10)의 금속 박막 전극(14)을 상호 접속함으로써 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)과 발광 반도체 소자(50)를 전기적으로 연결한다(S300).Then, the light receiving meter 23 of the optical semiconductor device test apparatus 20 is positioned to receive the optical signal 54 emitted from the light emitting part 53 of the light emitting semiconductor device 50 and the optical semiconductor The first probe part 21 of the device test apparatus 20 and the upper electrode 52 of the light emitting semiconductor device 50 are interconnected, and at the same time, the second probe part 22 and the lower part of the light emitting semiconductor device 50 are connected. The optical semiconductor device test system 100 and the light emitting semiconductor device 50 are electrically connected by interconnecting the metal thin film electrodes 14 of the optical semiconductor device tray 10 connected to the electrode 51 (S300).

그리고 나서, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 제1탐침부(21)로부터 전류가 인가되어 발광 반도체 소자(50)가 동작을 개시하면 발광 반도체 소자(50)의 발광부(53)에서 광신호(54)가 방사된다(S400).Then, when a current is applied from the first probe unit 21 of the optical semiconductor device test apparatus 20 to start the operation of the light emitting semiconductor device 50, the light is emitted from the light emitting unit 53 of the light emitting semiconductor device 50. Signal 54 is emitted (S400).

그러면, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 수광 검침부(23)는 발광 반도체 소자(50)의 발광부(53)에서 방사되는 광신호(54)를 수광하여 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 제1탐침부(21)에서 인가하는 전류 값에 따른 기준 광신호 세기와 비교하여 발광 반도체 소자를 테스트한다(S500). 그 결과 테스트에 합격한 발광 발도체 소자(50)는 패키징 단계로 이행하고, 테스트에 합격하지 못한 발광 반도체 소자(50)는 불량품으로 별도 분류시킨다.Then, the light receiving meter 23 of the optical semiconductor device test device 20 receives the optical signal 54 emitted from the light emitting part 53 of the light emitting semiconductor device 50 to receive the optical semiconductor device test device 20. The light emitting semiconductor device is tested in comparison with the reference optical signal strength according to the current value applied by the first probe unit 21 (S500). As a result, the light emitting conductor element 50 that passed the test proceeds to the packaging step, and the light emitting semiconductor element 50 that does not pass the test is classified as a defective product separately.

도 4는 본 발명의 바람직한 제2실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 구성을 도시한 구성 단면도이다.4 is a configuration sectional view showing the configuration of an optical semiconductor device test system according to a second preferred embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면, 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)은 수광 반도체 소자(60)가 실장 되는 광 반도체 소자 트레이(10)와 수광 반도체 소자(60)를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치(20)를 포함한다.Referring to FIG. 4, the optical semiconductor device test system 100 includes an optical semiconductor device test apparatus 20 for testing the optical semiconductor device tray 10 on which the light receiving semiconductor device 60 is mounted and the light receiving semiconductor device 60. Include.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 광 반도체 소자 트레이(10)는 실리콘 웨이퍼(11)로 몸체를 형성하고 있으며 실리콘 웨이퍼(11)의 상부와 하부 표면에는 Si3N4 또는 SiO2로 이루어진 절연막(12)이 형성되어 있다. 또한, 상기 광 반도체 소자 트레이(10)의 중심부에는 수광 반도체 소자(60)가 실장될 수 있도록 뒤집어진 사다리꼴 형태의 광 반도체 소자 수감부(16)가 마련된다. 상기 광 반도체 소자 수감부(16) 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 수광 반도체 소자(60) 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응되는 형태를 이룬다. 또한, 광 반도체 소자 수감부(16)의 중심부에는 진공 홀(13)이 있어 실장된 수광 반도체 소자(60)를 소정의 진공 흡입 수단(미도시)에서 인가된 진공으로 흡착 고정하는 작용을 한다. 또한, 상기 광 반도체 소자 수감부(16)와 실리콘 웨이퍼(11) 상면의 일면에는 수광 반도 체 소자(60)의 하부 전극부(61)와 접속할 수 있는 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진 금속 박막 전극(14)이 증착 되어있다.As shown in FIG. 4, the optical semiconductor device tray 10 forms a body of a silicon wafer 11, and an insulating film made of Si 3 N 4 or SiO 2 is formed on upper and lower surfaces of the silicon wafer 11. 12) is formed. In addition, an inverted trapezoidal optical semiconductor element receiver 16 is provided at the center of the optical semiconductor element tray 10 so that the light receiving semiconductor element 60 may be mounted. The horizontal width and the vertical width of the bottom surface of the optical semiconductor device receiver 16 form a shape corresponding to the horizontal width and the vertical width of the bottom surface of the light receiving semiconductor device 60 mounted in the opening. In addition, the central portion of the optical semiconductor element receiving portion 16 has a vacuum hole 13 to serve to adsorb and fix the mounted light receiving semiconductor element 60 with a vacuum applied by a predetermined vacuum suction means (not shown). In addition, one surface of the optical semiconductor device receiver 16 and the upper surface of the silicon wafer 11 may be formed of a material of Ti / Pt / Au or Cu / Au, which may be connected to the lower electrode 61 of the light-receiving semiconductor device 60. A metal thin film electrode 14 formed thereon is deposited.

한편, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)에서 제1탐침부(21)는 상기 수광 반도체 소자(60)의 상부 전극부(62)와 접속하여 수광 반도체 소자(60)가 광신호를 수광하여 변환한 전기 신호를 측정하여 테스트한다. 또한, 제2탐침부(22)는 광 반도체 소자 트레이(10)에 실장된 수광 반도체 소자(60)와 접속된 금속 박막 전극(14)과 접속함으로써 전기적으로 접지 연결한다.In the optical semiconductor device test apparatus 20, the first probe part 21 is connected to the upper electrode part 62 of the light receiving semiconductor device 60 so that the light receiving semiconductor device 60 receives and converts an optical signal. Test by measuring one electrical signal. In addition, the second probe part 22 is electrically connected to the ground by connecting to the metal thin film electrode 14 connected to the light receiving semiconductor element 60 mounted on the optical semiconductor element tray 10.

도 5는 도 4에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 수광 반도체 소자 테스트 방법을 도시한 흐름도이다.FIG. 5 is a flowchart illustrating a light receiving semiconductor device test method using the optical semiconductor device test system illustrated in FIG. 4.

도 4 및 도 5를 참조하면, 본 발명의 제2실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 수광 반도체 소자 테스트 방법은 먼저, 광 반도체 소자 트레이(10)에 뒤집어진 사다리꼴 형태의 광 반도체 소자 수감부(16)의 형태적 특성에 의해서 수광 반도체 소자(60)가 자기 정렬을 이루며 위치하고 상기 광 반도체 소자 수감부(16) 중심에 있는 진공 홀(13) 을 통해 소정의 진공 흡입 수단(미도시)으로부터 인가되는 진공 흡입력에 의해서 광 반도체 소자 트레이(10)의 금속 박막 전극(14)과 수광 반도체 소자(60)의 하부 전극(61)이 접속을 이루며 밀착 고정된다(S110).4 and 5, in the light receiving semiconductor device test method according to the optical semiconductor device test system according to the second embodiment of the present invention, first, an optical semiconductor device receiver having a trapezoidal shape turned upside down on the optical semiconductor device tray 10 is described. Due to the morphological characteristics of (16), the light receiving semiconductor element 60 is placed in a self-aligned position and applied from a predetermined vacuum suction means (not shown) through the vacuum hole 13 in the center of the optical semiconductor element receiver 16. The metal thin film electrode 14 of the optical semiconductor element tray 10 and the lower electrode 61 of the light receiving semiconductor element 60 form a connection and are fixed closely by the vacuum suction force (S110).

이어서, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)는 광 반도체 소자 트레이(10)에 실장된 수광 반도체 소자(60)에 접속될 수 있도록 이동한다(S210).Subsequently, the optical semiconductor device test apparatus 20 moves to be connected to the light receiving semiconductor device 60 mounted on the optical semiconductor device tray 10 (S210).

그런 다음, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 광신호 발신부(24)가 수광 반도체 소자(60)의 수광부(63)에서 광신호(64)를 수광할 수 있도록 위치시킨다. 그 다음, 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 제1탐침부(21)와 수광 반도체 소자(60)의 상부 전극(62)을 상호 접속하고, 이와 동시에 제2탐침부(22)와 수광 반도체 소자(60)의 하부 전극(61)과 접속된 광 반도체 소자 트레이(10)의 금속 박막 전극(14)을 상호 접속함으로써 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)과 수광 반도체 소자(60)를 전기적으로 연결한다(S310).Then, the optical signal transmitter 24 of the optical semiconductor device test apparatus 20 is positioned to receive the optical signal 64 in the light receiver 63 of the light receiving semiconductor device 60. Then, the first probe portion 21 of the optical semiconductor element test apparatus 20 and the upper electrode 62 of the light receiving semiconductor element 60 are interconnected, and at the same time, the second probe portion 22 and the light receiving semiconductor element The optical semiconductor device test system 100 and the light receiving semiconductor device 60 are electrically connected by interconnecting the metal thin film electrode 14 of the optical semiconductor device tray 10 connected with the lower electrode 61 of the 60. (S310).

그리고 나서, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 광신호 발신부(24)에서 광신호(64)를 수광 반도체 소자(60)의 수광부(63)를 향해 방사한다(S410).Then, the optical signal transmitting unit 24 of the optical semiconductor device test apparatus 20 emits the optical signal 64 toward the light receiving unit 63 of the light receiving semiconductor device 60 (S410).

그러면, 상기 수광 반도체 소자(60)의 수광부(63)는 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 광신호 발신부(24)에서 방사되는 광신호(64)를 수광하여 수광된 광신호(64)를 전기 신호로 변환한다. 그러면 상기 광 반도체 소자 테스트 장치(20)의 제1탐침부(21)는 수광 반도체 소자(60)로부터 입력받은 전류 값을 기준 전류 값과 비교하여 수광 반도체 소자를 테스트한다(S510). 그 결과 테스트에 합격한 수광 반도체 소자(60)는 패키징 단계로 이행하고, 테스트에 합격하지 못한 수광 반도체 소자(60)는 불량품으로 별도 분류시킨다.Then, the light receiving unit 63 of the light receiving semiconductor element 60 receives the optical signal 64 emitted from the optical signal transmitter 24 of the optical semiconductor device test apparatus 20 to receive the received optical signal 64. Convert it to an electrical signal. Then, the first probe unit 21 of the optical semiconductor device test apparatus 20 tests the light receiving semiconductor device by comparing the current value received from the light receiving semiconductor device 60 with a reference current value (S510). As a result, the light-receiving semiconductor element 60 that passed the test proceeds to the packaging step, and the light-receiving semiconductor element 60 that does not pass the test is classified separately as a defective product.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 3×3배열의 광 반도체 소자 트레이를 도시한 상부 평면도이다.FIG. 6 is a top plan view illustrating a 3 × 3 array optical semiconductor device tray according to a preferred embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)의 광 반도체 소자 트레이(10)는 3×3배열로 이루어져 9개의 광 반도체 소자 트레이(10)로 구성될 수 있다.Referring to FIG. 6, the optical semiconductor device tray 10 of the optical semiconductor device test system 100 according to the present invention may be configured of nine optical semiconductor device trays 10 in a 3 × 3 array.

도 6에 도시된 광 반도체 소자 트레이(10)는 용도에 따라 그물 망과 같은 구조로 배열할 경우 수십 만개의 광 반도체 소자를 실장하여 테스트하는데 사용될 수 있다.The optical semiconductor element tray 10 shown in FIG. 6 may be used to test hundreds of thousands of optical semiconductor elements when arranged in a net-like structure according to a use.

또한, 도 6에 도시된 정방형 배열 방식 이외에도 단일 배열 방식 또는 일렬 배열 방식으로 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)을 구성하여 광 반도체 소자를 테스트 할 수 있다.In addition to the square array method illustrated in FIG. 6, the optical semiconductor device test system 100 may be configured in a single array method or a single array method to test the optical semiconductor device.

도 7은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 동시 측정 방식을 도시한 단면도이다.7 is a cross-sectional view illustrating a simultaneous measurement method of an optical semiconductor device test system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 7에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)은 다수의 광 반도체 소자 트레이(10)를 배열하고 광 반도체 소자 트레이(10)와 동일한 숫자의 광 반도체 소자 테스트 장치(20)를 구비한다. 이러한 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)에서는 광 반도체 소자의 테스트를 시행하는데 있어서 다수의 광 반도체 소자 트레이(10)에 다수의 광 반도체 소자를 실장하고 동시에 테스트가 이루어지므로 테스트 속도가 빠르다는 장점이 있다.The optical semiconductor device test system 100 illustrated in FIG. 7 arranges a plurality of optical semiconductor device trays 10 and includes an optical semiconductor device test apparatus 20 having the same number as the optical semiconductor device tray 10. In the optical semiconductor device test system 100, since a plurality of optical semiconductor devices are mounted on the plurality of optical semiconductor device trays 10 and tested simultaneously, the test speed is high. .

도 8은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 광 반도체 소자 테스트 시스템의 개별 측정 방식을 도시한 단면도이다.8 is a cross-sectional view illustrating an individual measurement method of an optical semiconductor device test system according to a preferred embodiment of the present invention.

도 8에 도시된 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)은 다수의 광 반도체 소자 트레이(10)를 구성하고 하나 내지 상기 다수의 광 반도체 소자 트레이(10) 보다는 적은 수의 광 반도체 소자 테스트 장치(20)를 구비한다. 이러한 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)에서는 광 반도체 소자 테스트를 시행하는데 있어서 상기 다수의 광 반도체 소자 트레이(10)에 다수의 광 반도체 소자를 실장하고 광 반도체 소자 트레이(10) 또는 광 반도체 소자 테스트 장치(20)를 이동시켜 하나 내지 소수의 광 반도체 소자를 복수번의 스캔 과정을 통해 테스트한다.The optical semiconductor device test system 100 illustrated in FIG. 8 constitutes a plurality of optical semiconductor device trays 10, and has one to fewer optical semiconductor device test devices 20 than the plurality of optical semiconductor device trays 10. It is provided. In the optical semiconductor device test system 100, a plurality of optical semiconductor devices are mounted on the plurality of optical semiconductor device trays 10 to perform the optical semiconductor device test, and the optical semiconductor device tray 10 or the optical semiconductor device test device is provided. 20 is moved to test one to a few optical semiconductor devices through a plurality of scan processes.

상술된 본 발명의 실시예 이외에도 광 반도체 소자 테스트 시스템(100)의 광 반도체 소자 트레이(10)는 반도체 소자의 신뢰성 테스트에 사용되는 에이징 테스트에 이용될 수 있는데 본 발명의 광 반도체 소자 트레이(10)는 종래기술에 사용되었던 금속 재질의 트레이보다 열전도, 열변형 등의 문제점을 최소화할 수 있는 이점이 있다.In addition to the above-described embodiments of the present invention, the optical semiconductor device tray 10 of the optical semiconductor device test system 100 may be used for an aging test used for the reliability test of the semiconductor device. This has the advantage of minimizing the problems of thermal conductivity, heat deformation, etc. than the tray of the metal material used in the prior art.

이상에서 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술 사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등 범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.Although the present invention has been described above by means of limited embodiments and drawings, the present invention is not limited thereto and will be described below by the person skilled in the art to which the present invention pertains. Of course, various modifications and variations are possible within the scope of the claims.

본 발명에 따르면, 광 반도체 소자 테스트 시스템에 사용되는 트레이를 실리콘 옵티컬 벤치를 이용하여 제조함으로써, 다양한 광 반도체 소자의 크기와 종류에 맞게 제조하는데 걸리는 시간과 금액의 경제성을 향상시킬 수 있다. 또한, 테스트 가능한 소자의 수에 대해서 제한이 적고 테스트 시간을 감소시킬 수 있다. 또한, 열에 대한 영향이 큰 신뢰성 테스트에 광 반도체 소자 트레이를 응용하여 이용할 수 있다.According to the present invention, by manufacturing a tray used in the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, it is possible to improve the economics of the time and cost required to manufacture according to the size and type of various optical semiconductor devices. In addition, there is a limit on the number of devices that can be tested and the test time can be reduced. Moreover, the optical semiconductor element tray can be applied and used for the reliability test with a big influence on heat.

Claims (32)

전기 신호를 광신호로 변환시키는 발광 반도체 소자를 테스트하는 시스템에 있어서,In the system for testing a light emitting semiconductor device for converting an electrical signal into an optical signal, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 발광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 측벽에 경사면이 구비된 개구가 마련되고, 개구의 하부에는 상기 발광 반도체 소자의 저면에 흡입력을 인가할 수 있도록 상기 개구의 하부를 관통하는 진공 홀이 형성된 광 반도체 소자 트레이; 및It is formed using a silicon wafer as a body, and the body is provided with an opening having an inclined surface on the side wall so that the light emitting semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted, and a suction force is provided at the bottom of the opening. An optical semiconductor device tray having a vacuum hole penetrating a lower portion of the opening so as to be applied thereto; And 상기 광 반도체 소자 트레이의 개구에 자기 정렬되어 실장 되는 발광 반도체 소자를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.And an optical semiconductor device test device for testing a light emitting semiconductor device that is self-aligned and mounted in the opening of the optical semiconductor device tray. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 진공 홀을 통해 상기 발광 반도체 소자를 개구 내에 고정시키는 흡입력을 인가하는 진공 흡입 수단;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.And a vacuum suction means for applying a suction force to fix the light emitting semiconductor element in the opening through the vacuum hole. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구는 뒤집어진 사다리꼴 형상을 가지며, 측벽의 경사 각도는 54.7°인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스 템.The opening has an inverted trapezoidal shape, and the inclination angle of the side wall is 54.7 °, the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구의 상부 바닥면에는 발광 반도체 소자가 실장 되는 광 반도체 소자 수감부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.An optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that the upper bottom surface of the opening includes an optical semiconductor device receiver portion in which a light emitting semiconductor device is mounted. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 발광 반도체 소자 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The horizontal width and the vertical width of the bottom surface of the optical semiconductor element receiving portion corresponding to the width and height of the bottom surface of the light emitting semiconductor element mounted in the opening, the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면으로부터 개구의 측벽을 따라 광 반도체 소자 트레이의 상부 일면까지 금속 박막 전극이 구비되고, 테스트 수행 시 상기 발광 반도체 소자의 하부 전극부와 금속 박막 전극이 상호 접속되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.A metal thin film electrode is provided from a bottom surface of the optical semiconductor element receiving portion to an upper surface of the optical semiconductor element tray along a sidewall of the opening, and the lower electrode portion and the metal thin film electrode of the light emitting semiconductor element are interconnected when a test is performed. Optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 금속 박막 전극은 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진 것을 특징으 로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The metal thin film electrode is an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that made of a material of Ti / Pt / Au or Cu / Au. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 개구는 m×n의 배열로 구비되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템. The opening is an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that provided in an array of m × n. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치는 상기 발광 반도체 소자의 상부 전극부와 접속하여 발광 반도체 소자에 전류를 인가하는 제1탐침부;The optical semiconductor device test apparatus may include: a first probe part connected to an upper electrode part of the light emitting semiconductor device to apply a current to the light emitting semiconductor device; 상기 발광 반도체 소자의 하부 전극부와 전기적으로 접속된 금속 박막 전극과 접속하여 하부 전극부를 접지시키는 제2탐침부; 및A second probe part connected to the metal thin film electrode electrically connected to the lower electrode part of the light emitting semiconductor element to ground the lower electrode part; And 상기 발광 반도체 소자로부터 방사되는 광신호를 수광 하여 테스트하는 수광 검침부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.And a light receiving meter for receiving and testing an optical signal emitted from the light emitting semiconductor device. 광 신호를 전기 신호로 변환시키는 수광 반도체 소자를 테스트하는 시스템에 있어서,A system for testing a light receiving semiconductor device for converting an optical signal into an electrical signal, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 수광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 측벽에 경사면이 구비된 개구가 마련되고, 개구의 하부에는 상기 수광 반도체 소자의 저면에 흡입력을 인가할 수 있도록 상기 개구의 하부를 관통하는 진공 홀이 형성된 광 반도체 소자 트레이; 및It is formed using a silicon wafer as a body, and the body is provided with an opening having an inclined surface on the side wall so that the light receiving semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted, and a suction force is provided at the bottom of the light receiving semiconductor device. An optical semiconductor device tray having a vacuum hole penetrating a lower portion of the opening so as to be applied thereto; And 상기 광 반도체 소자 트레이의 개구에 자기 정렬되어 실장 되는 수광 반도체 소자를 테스트하는 광 반도체 소자 테스트 장치;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템. And an optical semiconductor device test device for testing a light-receiving semiconductor device that is self-aligned and mounted in the opening of the optical semiconductor device tray. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 진공 홀을 통해 상기 수광 반도체 소자를 개구 내에 고정시키는 흡입력을 인가하는 진공 흡입 수단;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.And vacuum suction means for applying a suction force to fix the light receiving semiconductor element in the opening through the vacuum hole. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 개구는 뒤집어진 사다리꼴 형상을 가지며, 측벽의 경사 각도는 54.7°인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The opening has an inverted trapezoidal shape, and the inclination angle of the sidewall is 54.7 °, the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 개구의 상부 바닥면에는 수광 반도체 소자가 실장 되는 광 반도체 소자 수감부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.An optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that the upper bottom surface of the opening includes an optical semiconductor device receiving portion on which the light receiving semiconductor device is mounted. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 수광 반도체 소자 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The horizontal width and the vertical width of the bottom surface of the optical semiconductor element receiver portion correspond to the horizontal width and the vertical width of the bottom surface of the light receiving semiconductor element mounted in the opening, the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 광 반도체 소자 수감부의 바닥면으로부터 개구의 측벽을 따라 광 반도체 소자 트레이의 상부 일면까지 금속 박막 전극이 구비되고, 테스트 수행 시 상기 수광 반도체 소자의 하부 전극부와 금속 박막 전극이 상호 접속되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.A metal thin film electrode is provided from a bottom surface of the optical semiconductor element receiving portion to an upper surface of the optical semiconductor element tray along a sidewall of the opening, and the lower electrode portion of the light receiving semiconductor element and the metal thin film electrode are interconnected when a test is performed. Optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 금속 박막 전극은 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The metal thin film electrode is an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that made of a material of Ti / Pt / Au or Cu / Au. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 개구는 m×n의 배열로 구비되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The opening is an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that provided in an array of m × n. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 광 반도체 소자 테스트 장치는 상기 수광 반도체 소자의 상부 전극부와 접속하여 수광 반도체 소자에서 광신호를 변환한 전기 신호를 테스트하는 제1탐침부;The optical semiconductor device test apparatus may include: a first probe part connected to an upper electrode part of the light receiving semiconductor device to test an electrical signal converted from an optical signal in the light receiving semiconductor device; 상기 수광 반도체 소자의 하부 전극부와 전기적으로 접속된 금속 박막 전극과 접속하여 하부 전극부를 접지시키는 제2탐침부; 및A second probe portion connected to the metal thin film electrode electrically connected to the lower electrode portion of the light receiving semiconductor element to ground the lower electrode portion; And 상기 수광 반도체 소자로 광신호를 인가하는 광신호 발신부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.And an optical signal transmitting unit for applying an optical signal to the light receiving semiconductor element. 제1항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 1 or 10, 상기 광 반도체 소자 테스트 시스템의 배열 방식은 단일 배열 방식, 일렬 배열 방식, 및 정방형 배열 방식인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The method of arranging the optical semiconductor device test system may include a single array method, a serial array method, and a square array method. 제1항 또는 제10항에 있어서,The method according to claim 1 or 10, 상기 광 반도체 소자 테스트 시스템의 광 반도체 소자 트레이는 소자를 에이징하는 신뢰성 테스트에 이용될 수 있는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템.The optical semiconductor device tray of the optical semiconductor device test system can be used for the reliability test for aging the device, the optical semiconductor device test system using a silicon optical bench. 광 반도체 소자 트레이를 제조하는 방법에 있어서,In the method of manufacturing the optical semiconductor element tray, 결정면에 따라 다른 식각 특성을 가지고 소정의 길이와 소정의 높이로 형성 된 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;Preparing a silicon wafer having a predetermined length and a predetermined height having different etching characteristics according to the crystal plane; 상기 실리콘 웨이퍼의 상부면과 배면에 사각형의 개구를 정의하는 식각 마스크 패턴을 형성하는 단계;Forming an etch mask pattern defining a rectangular opening on an upper surface and a rear surface of the silicon wafer; 상기 실리콘 웨이퍼를 이방성 습식 식각액에 침지시켜 웨이퍼 상부와 하부의 상기 사각형 개구를 통해 경사면을 갖는 상부 개구와 하부 개구를 동시에 형성하여 상부 개구와 하부 개구가 서로 만나 중공이 형성될 때까지 식각을 진행하는 단계;The silicon wafer is immersed in an anisotropic wet etchant to simultaneously form upper and lower openings having inclined surfaces through the rectangular openings at the top and the bottom of the wafer to etch until the upper and lower openings meet each other to form a hollow. step; 상기 실리콘 웨이퍼 상면과 배면에 형성된 식각 마스크 패턴을 제거하고 절연막을 형성하는 단계; 및Removing an etching mask pattern formed on the top and bottom surfaces of the silicon wafer and forming an insulating layer; And 상기 상부 개구의 바닥면으로부터 상부 개구의 측벽을 따라 실리콘 웨이퍼의 상부 일면까지 금속 박막 전극을 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.And depositing a metal thin film electrode from the bottom surface of the upper opening to the upper surface of the silicon wafer along the sidewall of the upper opening. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 웨이퍼의 상면에 정의된 사각형 개구가 웨이퍼 배면에 정의된 사각형 개구보다 큰 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.And a rectangular opening defined on an upper surface of the wafer is larger than a rectangular opening defined on a rear surface of the wafer. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 상부 개구의 측벽은 웨이퍼 표면과 54.7°인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.And a sidewall of the upper opening is 54.7 ° from the surface of the wafer. 제21항 또는 제22항에 있어서,The method of claim 21 or 22, 상기와 같이 크기가 다른 사각형 개구에 의해 노출된 실리콘 웨이퍼를 이방성 식각하면 상기 상부 개구의 바닥면에는 광 반도체 소자가 실장되는 광 반도체 소자 수감부가 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.When the silicon wafer exposed by the rectangular openings having different sizes is anisotropically etched, an optical semiconductor device receiver is formed on the bottom surface of the upper opening to mount the optical semiconductor device. Tray manufacturing method. 제24항에 있어서,The method of claim 24, 상기 광 반도체 소자 수감부 바닥면의 가로폭과 세로폭은 개구에 실장 되는 광 반도체 소자 저면의 가로폭과 세로폭에 각각 대응되는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.The width and height of the bottom surface of the optical semiconductor element receiver portion corresponding to the width and height of the bottom surface of the optical semiconductor device mounted in the opening, respectively, characterized in that the optical semiconductor device tray using a silicon optical bench. 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 절연막은 Si3N4 또는 SiO2의 재질인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.The insulating film is a method of manufacturing an optical semiconductor device tray using a silicon optical bench, characterized in that the material of Si 3 N 4 or SiO 2 . 제21항에 있어서,The method of claim 21, 상기 금속 박막 전극은 Ti/Pt/Au 또는 Cu/Au의 재질인 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 트레이 제조방법.The metal thin film electrode is an optical semiconductor device tray manufacturing method using a silicon optical bench, characterized in that the material of Ti / Pt / Au or Cu / Au. 전기 신호를 광신호로 변환시키는 발광 반도체 소자를 테스트하는 방법에 있어서,In the method for testing a light emitting semiconductor device for converting an electrical signal into an optical signal, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 발광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 경사면이 형성된 측벽과 발광 반도체 소자를 흡착 고정시키는 진공 홀이 저면에 형성된 개구가 마련되고, 개구의 저면으로부터 개구 측벽을 따라 개구 외부까지 연장 형성된 금속 박막 전극이 구비된 광 반도체 소자 트레이에 발광 반도체 소자를 자기 정렬시켜 실장하는 단계;It is formed using a silicon wafer as a body, the body is provided with a sidewall formed with an inclined surface and a vacuum hole for adsorbing and fixing the light emitting semiconductor device so that the light emitting semiconductor device to be tested is self-aligned and mounted, Self-aligning and mounting the light emitting semiconductor device on an optical semiconductor device tray including a metal thin film electrode extending from the bottom of the opening to the outside of the opening along the opening sidewall; 상기 진공 홀을 통해 진공 흡입력을 인가하여 발광 반도체 소자를 고정시키는 단계;Fixing a light emitting semiconductor device by applying a vacuum suction force through the vacuum hole; 상기 발광 반도체 소자에 광 반도체 소자 테스트 장치를 접근시키는 단계;Approaching an optical semiconductor device test apparatus to the light emitting semiconductor device; 상기 발광 반도체 소자의 상부 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부를 접속하고 이와 동시에 광 반도체 소자 트레이의 금속 박막 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제2탐침부를 접속한 후, 상기 발광 반도체 소자에서 방사하는 광신호와 대향하는 방향으로 수광 검침부를 위치시켜 광축 정렬시키는 단계;After connecting the upper electrode of the light emitting semiconductor element and the first probe portion of the optical semiconductor element test apparatus, and at the same time to connect the metal thin film electrode of the optical semiconductor element tray and the second probe portion of the optical semiconductor element test apparatus, the light emitting semiconductor Arranging the optical axis by positioning the light receiving meter in a direction opposite to the optical signal emitted from the device; 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부에 전류를 인가하여 상기 발광 반도체 소자를 작동시켜 광신호를 방사시키는 단계; 및Radiating an optical signal by applying a current to a first probe part of the optical semiconductor device test device to operate the light emitting semiconductor device; And 상기 발광 반도체 소자로부터 방사되는 광신호를 상기 수광 검침부에서 수광하여 광의 세기를 테스트하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 광 반도체 소자 테스트 방법.And receiving the optical signal emitted from the light emitting semiconductor element in the light receiving meter reading unit to test the light intensity. The optical semiconductor device test method of claim 1, further comprising testing the light intensity. 광 신호를 전기 신호로 변환시키는 수광 반도체 소자를 테스트하는 방법에 있어서,In the method for testing a light receiving semiconductor device for converting an optical signal into an electrical signal, 실리콘 웨이퍼를 몸체로 하여 형성되고, 상기 몸체에는 테스트 대상이 되는 수광 반도체 소자가 자기 정렬되어 실장될 수 있도록 경사면이 형성된 측벽과 수광 반도체 소자를 흡착 고정시키는 진공 홀이 저면에 형성된 개구가 마련되고, 개구의 저면으로부터 개구 측벽을 따라 개구 외부까지 연장 형성된 금속 박막 전극이 구비된 광 반도체 소자 트레이에 수광 반도체 소자를 자기 정렬시켜 실장하는 단계;It is formed using a silicon wafer as a body, the body is provided with a sidewall formed with an inclined surface and an opening formed in the bottom surface of the vacuum hole for adsorbing and fixing the light-emitting semiconductor device so that the light-receiving semiconductor device to be tested can be self-aligned and mounted. Self-aligning and mounting the light receiving semiconductor device on an optical semiconductor device tray including a metal thin film electrode extending from the bottom of the opening to the outside of the opening along the opening sidewall; 상기 진공 홀을 통해 진공 흡입력을 인가하여 수광 반도체 소자를 고정시키는 단계;Fixing a light receiving semiconductor element by applying a vacuum suction force through the vacuum hole; 상기 수광 반도체 소자에 광 반도체 소자 테스트 장치를 접근시키는 단계;Approaching an optical semiconductor device test apparatus to the light receiving semiconductor device; 상기 수광 반도체 소자의 상부 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제1탐침부를 접속하고 이와 동시에 광 반도체 소자 트레이의 금속 박막 전극과 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 제2탐침부를 접속한 후, 상기 수광 반도체 소자가 광신호를 수광할 수 있도록 광신호를 방사하는 광신호 발신부를 위치시켜 광축 정렬시키는 단계;Connecting the upper electrode of the light-receiving semiconductor element and the first probe part of the optical semiconductor element test apparatus, and simultaneously connecting the metal thin film electrode of the optical semiconductor element tray and the second probe part of the optical semiconductor element test apparatus, and then Positioning an optical axis by locating an optical signal transmitter for emitting an optical signal so that the device can receive the optical signal; 상기 광 반도체 소자 테스트 장치의 광신호 발신부에서 상기 수광 반도체 소자로 광신호를 방사하는 단계; 및Radiating an optical signal from the optical signal transmitter of the optical semiconductor device test apparatus to the light receiving semiconductor device; And 상기 광신호 발신부로부터 수광된 광신호에 따라 상기 수광 반도체 소자에서 변환되는 전기 신호를 테스트하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 광 반도체 소자 테스트 방법.Testing an electrical signal converted in the light receiving semiconductor device according to the optical signal received from the optical signal transmitter; and an optical semiconductor device test method using an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, comprising: . 제28항 또는 제29항에 있어서,The method of claim 28 or 29, 상기 광 반도체 소자 테스트는 다수개의 광 반도체 소자 트레이와 다수의 광 반도체 소자 테스트 장치로 동시에 다수의 광 반도체 소자를 테스트하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 광 반도체 소자 테스트 방법.The optical semiconductor device test is an optical semiconductor device test using an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, wherein a plurality of optical semiconductor device trays and a plurality of optical semiconductor device test apparatuses simultaneously test a plurality of optical semiconductor devices. Way. 제28항 또는 제29항에 있어서,The method of claim 28 or 29, 상기 광 반도체 소자 테스트는 다수개의 광 반도체 소자 트레이와 단일의 광 반도체 소자 테스트 장치로 테스트 장치 또는 테스트용 트레이의 이동으로 개별적으로 다수의 광 반도체 소자를 테스트하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 광 반도체 소자 테스트 방법.In the optical semiconductor device test, a plurality of optical semiconductor device trays and a single optical semiconductor device test device are used to test a plurality of optical semiconductor devices individually by moving a test device or a test tray. Optical semiconductor device test method by semiconductor device test system. 제28항 또는 제29항에 있어서,The method of claim 28 or 29, 상기 광 반도체 소자 테스트는 단일의 광 반도체 소자 트레이와 단일의 광 반도체 소자 테스트 장치로 단일의 광 반도체 소자를 테스트하는 것을 특징으로 하는 실리콘 옵티컬 벤치를 이용한 광 반도체 소자 테스트 시스템에 의한 광 반도체 소자 테스트 방법.The optical semiconductor device test method is an optical semiconductor device test method using an optical semiconductor device test system using a silicon optical bench, characterized in that for testing a single optical semiconductor device with a single optical semiconductor device tray and a single optical semiconductor device test device. .
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