KR100887643B1 - Domain wall movement memory device having artificial antiferromagnetism or artificial ferrimagnetism and method of forming the same - Google Patents

Domain wall movement memory device having artificial antiferromagnetism or artificial ferrimagnetism and method of forming the same Download PDF

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Abstract

본 발명은 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동 메모리 장치 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 장치는 복수 개의 셀 영역들을 갖는 기판 및 셀 영역에 배치되는 메모리 패턴을 포함하되, 상기 메모리 패턴은 복수의 자구들을 갖는 제1 정보 저장 패턴, 상기 제1 정보 저장 패턴과 나란히 진행하는 복수의 자구들을 갖는 제2 정보 저장 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴을 포함한다. The present invention provides a magnetic domain moving memory device having artificial antiferromagnetic or artificial semiferromagnetic and a method of forming the same. The apparatus includes a substrate having a plurality of cell regions and a memory pattern disposed in the cell region, the memory pattern including a first information storage pattern having a plurality of magnetic domains and a plurality of magnetic domains running alongside the first information storage pattern. And a non-magnetic pattern interposed between the first information storage pattern and the second information storage pattern.

전류인가, 자벽이동, 자벽, 자구, 반강자성, 준반강자성 Current application, magnetic domain movement, magnetic domain wall, magnetic domain, antiferromagnetic, semiferromagnetic

Description

인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 자벽이동 메모리 장치 및 그 형성 방법{DOMAIN WALL MOVEMENT MEMORY DEVICE HAVING ARTIFICIAL ANTIFERROMAGNETISM OR ARTIFICIAL FERRIMAGNETISM AND METHOD OF FORMING THE SAME}FIELD OF MOVEMENT MEMORY DEVICE HAVING ARTIFICIAL ANTIFERROMAGNETISM OR ARTIFICIAL FERRIMAGNETISM AND METHOD OF FORMING THE SAME}

도 1a 및 도 1b는 전류인가 자벽이동 현상을 설명하기 위한 개념도이다.1A and 1B are conceptual diagrams for explaining a phenomenon of applying a magnetic domain wall movement.

도 2a 및 도 2b는 인위적 반강자성(artificial antiferromagnetism) 현상을 설명하기 위한 도면들이다. 2A and 2B are diagrams for explaining an artificial antiferromagnetism phenomenon.

도 3a 및 도 3b는 인위적 준반강자성(artificial ferrimagnetism) 현상을 설명하기 위한 도면들이다. 3A and 3B are diagrams for explaining an artificial ferrimagnetism phenomenon.

도 4a 내지 4b는 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 이용한 메모리 장치에서 정보 저장 패턴의 구조를 설명하기 위한 사시도이다. 4A to 4B are perspective views illustrating a structure of an information storage pattern in a memory device using artificial antiferromagnetic or artificial semiferromagnetic.

도 5a 내지 5c은 본 발명의 일 실시예에 따른 자벽이동 메모리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.5A through 5C are perspective views illustrating a magnetic wall moving memory device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 사시도이다.6A through 6E are perspective views illustrating a method of forming a memory device in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 사시도이다.7A and 7B are perspective views illustrating a method of forming a memory device in accordance with an embodiment of the present invention.

본 발명은 기억장치에 관한 것으로, 더 구체적으로 전류인가 자벽이동 메모리 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a memory device, and more particularly to a current-applied magnetic domain moving memory device.

메모리 장치에는 디렘(DRAM), 에스렘(SRAM), 플래시 메모리(Flash memory), 자기 하드 디스크(magnetic hard disk)등이 있다. 상기 플래시 메모리의 장점은 비휘발성이나, 단점은 가격이 비싸고 대용량화가 어렵다는 것이다. 상기 자기 하드 디스크의 장점은 높은 기록 밀도 및 비휘발성을 가지나, 단점은 기계적으로 움직이는 헤드를 가져 충격에 약하다. 따라서, 상기 하드 디스크는 이동성 저장장치로서 사용되기 부적합하다.Memory devices include DRAMs, DRAMs, flash memory, magnetic hard disks, and the like. The advantage of the flash memory is non-volatile, but the disadvantage is that the price is expensive and the capacity is difficult to enlarge. The advantage of the magnetic hard disk is that it has a high recording density and nonvolatile, but the disadvantage is that it has a mechanically moving head, which is weak to impact. Thus, the hard disk is not suitable for use as a removable storage device.

본 발명의 일 기술적 과제는 대용량화가 가능하고, 외부 충격에 강하며, 고속동작이 가능한 자벽이동 메모리 장치를 제공하는 것이다.One technical problem of the present invention is to provide a magnetic domain mobile memory device capable of high capacity, resistant to external impact, and capable of high speed operation.

본 발명의 일 기술적 과제는 대용량화가 가능하고, 외부 충격에 강하며, 고속동작이 가능한 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법을 제공하는 것이다.One technical problem of the present invention is to provide a method of forming a magnetic domain mobile memory device capable of increasing the capacity, resisting external shock, and enabling high-speed operation.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 이용한 자벽이동 메모리 장치를 제공한다. 이 장치는In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a magnetic domain moving memory device using artificial antiferromagnetic or artificial semiferromagnetic. This device is

복수 개의 셀 영역들을 갖는 기판, 및 상기 셀 영역에 배치되는 메모리 패 턴을 포함하되, 상기 메모리 패턴은 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴(data storage pattern), 상기 제1 정보 저장 패턴과 나란히 진행하는 복수의 자구들을 갖는 제2 정보 저장 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴을 포함한다.A substrate having a plurality of cell regions, and a memory pattern disposed in the cell region, wherein the memory pattern is a first data storage pattern having a plurality of magnetic domains, the first pattern And a second information storage pattern having a plurality of magnetic domains running alongside the information storage pattern, and at least one nonmagnetic pattern interposed between the first information storage pattern and the second information storage pattern.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 이용한 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 단계, 상기 제1 정보 저장 패턴 상에 비자성 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 비자성 패턴 상에 제2 정보저장 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.In order to achieve the above technical problem, the present invention provides a method of forming a magnetic domain movable memory device using artificial antiferromagnetic or artificial semiferromagnetic. The method includes forming a first information storage pattern having a plurality of magnetic domains, forming a nonmagnetic pattern on the first information storage pattern, and storing a second information on the nonmagnetic pattern. Forming a pattern.

자벽이동 메모리 장치는 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 정보 저장 패턴을 구비한다. 자구들은 자벽(magnetic domain wall)이라고 불리는 경계면에 의해 구분될 수 있으며, 자구들 각각은 서로 다른 자화 방향을 가질 수 있다.The magnetic domain moving memory device includes an information storage pattern having a plurality of magnetic domains. The domains can be distinguished by an interface called a magnetic domain wall, and each domain can have a different magnetization direction.

각 자구의 자화 방향(magnetization direction)은 상기 정보 저장 패턴의 일측에 배치되는 기록 전극 구조체로부터 인가되는 자기장에 의하여 바뀔 수 있지만, 서로 평행(parallel) 또는 반평행(anti-parallel)한 상태들 중의 하나일 수 있다. 이처럼, 자구의 자화 방향이 가변적이면서 평행 또는 반평행한 두 가지 상태만을 가질 수 있다는 점에서, 자구의 자화 방향은 이진 정보(binary data)로서 이용될 수 있다.The magnetization direction of each domain can be changed by a magnetic field applied from a recording electrode structure disposed on one side of the information storage pattern, but in one of parallel or anti-parallel states. Can be. As such, the magnetization direction of the magnetic domain may be used as binary data in that the magnetization direction of the magnetic domain may have only two states that are variable and parallel or anti-parallel.

이때, 상기 자구들은 정보가 저장될 수 있는 독립된 영역이라는 점에서, 하나의 정보 저장 패턴에는 복수 개의 정보들이 기록될 수 있다. 이에 더하여, 상기 자구들은 자벽을 경계로 연속적으로 배열된다는 점에서, 자벽 이동 메모리 장치는 정보가 저장되는 영역들(예를 들면, 플로팅 게이트 전극들)의 공간적 분리를 요구하는 플래시 메모리에 비하여 더 높은 정보 저장 밀도를 구현할 수 있다.In this case, since the magnetic domains are independent areas in which information may be stored, a plurality of information may be recorded in one information storage pattern. In addition, in that the magnetic domains are continuously arranged at the boundary of the magnetic wall, the magnetic domain moving memory device is higher than the flash memory requiring spatial separation of regions (eg, floating gate electrodes) in which information is stored. Information storage density can be implemented.

한편, 상기 정보 저장 패턴에 소정의 전류가 흐를 경우, 소정 자구에 기록된 정보는 인접하는 다른 자구로 연속적으로 이동될 수 있다. 이러한 현상은 전류인가 자벽이동(current driven magnetic domain wall movement) 현상이라고 불린다. 상기 전류인가 자벽이동 현상은 자구들에 기록된 데이터의 훼손 없이 데이터가 기록된 자구의 위치를 변화시킨다. 상기 전류인가 자벽이동 현상을 이용하면, 소정 자구에 기록된 데이터를 변경하기 위해, 자기 하드 디스크의 경우처럼 기록 전극 구조체를 기계적으로 이동시킬 필요가 없다. 이에 따라, 전류인가 자벽이동 현상을 이용하는 메모리 장치는 외부 충격에 강하다. On the other hand, when a predetermined current flows in the information storage pattern, information recorded in a predetermined magnetic domain may be continuously moved to another adjacent magnetic domain. This phenomenon is called current driven magnetic domain wall movement. The current-applied magnetic domain movement phenomenon changes the position of the magnetic domain in which the data is recorded without damaging the data recorded in the magnetic domains. By using the current applied magnetic wall shift phenomenon, it is not necessary to mechanically move the recording electrode structure as in the case of the magnetic hard disk in order to change the data recorded in the predetermined magnetic domain. Accordingly, the memory device using the current-applied magnetic domain shift phenomenon is resistant to external shock.

구체적으로, 이러한 데이터 변경은, 상기 전류인가 자벽이동 현상을 이용하여, 변경하고자 하는 데이터를 상기 기록 전극 구조체에 인접한 자구로 이동시킨 후, 상기 기록 전극 구조체를 이용하여 해당 데이터를 변경하는 과정을 통하여 수행될 수 있다.Specifically, the data change is performed by moving the data to be changed to a magnetic domain adjacent to the recording electrode structure by using the current-applied magnetic domain shift phenomenon, and then changing the data by using the recording electrode structure. Can be performed.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되어진 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기 하기 위하여 과장되어진 것이다. 또한 층 다른 층 또는 기판 "상"에 있다고 언급되어지는 경우에 그것은 다른 층 또는 기판 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 층이 개재될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호로 표시된 부분들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the spirit of the present invention to those skilled in the art will fully convey. In the drawings, the thicknesses of layers and regions are exaggerated for clarity. Also when referred to as being "on" another layer or substrate, it may be formed directly on the other layer or substrate, or a third layer may be interposed therebetween. Portions denoted by like reference numerals denote like elements throughout the specification.

도 1a 및 도 1b는 전류인가 자벽이동 현상을 설명하기 위한 개념도이다.1A and 1B are conceptual diagrams for explaining a phenomenon of applying a magnetic domain wall movement.

도 1a를 참조하면, 정보 저장 패턴(100)은 자구들(magnetic domains, 10,30)을 포함하고, 스트립 라인(strip line)의 형태이고, 상기 정보 저장 패턴(100)은 설명을 위하여 세 영역만을 표시하였다. 제1 영역(10)은 자구이며, 스트립 라인의 장축 방향(6)으로 자화되어 있으며, 제 3 영역(30)도 자구이며, 스트립 라인의 장축 방향(6)의 역방향으로 자화되어 있다. 상기 제1 영역(10)과 상기 제3 영역(30) 사이에는 제2 영역(20)인 자벽이 존재한다. 상기 제2 영역(자벽)의 자화 방향은 상기 스트립 라인의 진행방향과 평행 또는 반평행하지 않을 수 있다. Referring to FIG. 1A, the information storage pattern 100 includes magnetic domains 10 and 30 and is in the form of a strip line, and the information storage pattern 100 is divided into three regions for explanation. Only the marks are indicated. The first region 10 is a magnetic domain, magnetized in the major axis direction 6 of the strip line, and the third region 30 is also a magnetic domain, and magnetized in the reverse direction of the major axis direction 6 of the strip line. Between the first region 10 and the third region 30 is a magnetic wall, which is the second region 20. The magnetization direction of the second region (magnetic wall) may not be parallel or antiparallel to the traveling direction of the strip line.

전류에 의하여 자벽이 이동하기 위하여는 자벽(20) 내부의 자화 방향(magnetization direction)이 이동하여야 한다. 복수의 자구들(10, 30)로 구성된 정보 저장 패턴(data storage pattern, 100)에서 전류인가 자벽이동 현상은 물리적으로 아디아바틱(adiabatic)항, 논아디아바틱(non-adiabatic)항, 감쇄 (damping) 항, 유효 자기장 (effective field) 항에 의한 운동으로 나누어 설명될 수 있다. In order to move the magnetic wall by the current, the magnetization direction of the magnetic wall 20 must move. In the data storage pattern (100) consisting of a plurality of domains (10, 30) the current-applied magnetic domain movement phenomenon is physically adiabatic, non-adiabatic, attenuation ( It can be explained by dividing the motion by the damping term and the effective field term.

상기 정보 저장 패턴(100)이 스트립 라인(strip line)의 형태를 가진 경우, 도 1a에 도시된 것처럼, 상기 자구의 자화 방향은 상기 스트립 라인 표면의 법선 방향(normal direction, 2)과 상기 법선 방향에 수직한 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(plane direction, 4)으로 분리될 수 있다. 상기 정보 저장 패턴에 전류를 인가한 경우, 상기 자구 사이의 자벽의 자화 방향은 스핀 토크(spin torque)에 의하여 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(4)에서 벗어나면서 진행할 수 있다. 이때, 상기 자벽(20)의 자화 방향은 상기 법선 방향(2)의 성분을 가질 수 있다.When the information storage pattern 100 is in the form of a strip line, as shown in FIG. 1A, the magnetization direction of the magnetic domain is the normal direction 2 and the normal direction of the strip line surface. It may be separated in a plane direction 4 including the surface of the strip line perpendicular to. When a current is applied to the information storage pattern, the magnetization direction of the magnetic walls between the magnetic domains may proceed while being out of the surface direction 4 including the surface of the strip line by spin torque. At this time, the magnetization direction of the magnetic domain wall 20 may have a component of the normal direction (2).

아디아바틱(Adiabatic)항의 기여만 있는 경우, 상기 자벽(20)은 전류에 의해서 자화 방향을 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(4)에서 움직이게 한다. 이 자벽의 움직임은 다시 감쇄 항에 의해서 상기 법선 방향(2)을 생성하는 방향으로 움직일 수 있다. 이 경우, 상기 자벽(20)의 자화 방향이 상기 법선 방향(2)을 가지는 상기 정보 저장 패턴(100)의 정자기 에너지(static magnetic energy)는 불안정 상태일 수 있고, 상기 정자기 에너지는 상기 법선 방향(2)의 변화를 저지하는 힘을 발생시킬 수 있다. 따라서, 상기 아디아바틱(adiabatic)항 만의 기여가 있는 경우, 상기 자벽(20)은 전류에 의하여 이동하지 않을 수 있다. If only the contribution of the Adiabatic term, the magnetic wall 20 causes the magnetization direction to move in the surface direction 4 including the surface of the strip line by the current. The movement of the magnetic wall can again be moved in the direction of generating the normal direction 2 by the attenuation term. In this case, the static magnetic energy of the information storage pattern 100 having the magnetization direction of the magnetic wall 20 having the normal direction 2 may be in an unstable state, and the static magnetic energy is the normal It is possible to generate a force that resists a change in direction (2). Therefore, when there is a contribution of the adiabatic port, the magnetic domain wall 20 may not move by current.

한편, 논아디아바틱(non-adiabatic) 항이 아디아바틱 항과 함께 존재하는 경우 상기 자벽(20) 내부의 자화 방향이 전류에 의해서 변할 때, 감쇄항에 의한 효과를 효과적으로 상쇄 시킬 수 있다. 따라서 상기 자화 방향은 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(4)에서 효과적으로 움직일 수 있다. 상기 자벽(20)의 자화방향이 상기 법선 방향(2)을 가지지 않는 경우, 상기 정보 저장 패턴(100)의 정자기 에너지는 안정 상태일 수 있고, 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(4)의 변화를 저지하는 힘을 발생시키지 않을 수 있다. 따라서, 상기 논아디아바틱(non-adiabatic)항의 기여가 있는 경우, 상기 자벽은 전류에 의하여 이동할 수 있다. 즉, 전류 인가 자벽 이동 속도는 논아디아바틱(non-adiabatic)항에 의존할 수 있다. On the other hand, when a non-adiabatic term is present together with an adiabatic term, when the magnetization direction inside the magnetic wall 20 is changed by an electric current, the effect of the attenuation term may be effectively canceled. The magnetization direction can thus be effectively moved in the surface direction 4 including the surface of the strip line. When the magnetization direction of the magnetic domain wall 20 does not have the normal direction 2, the static magnetic energy of the information storage pattern 100 may be stable and may include a surface of the strip line 4. ) May not produce a force that prevents the change. Thus, when there is a contribution of the non-adiabatic term, the magnetic domain wall may move by electric current. In other words, the current application wall moving speed may depend on the non-adiabatic term.

한편, 전이금속 강자성체(Co, Fe, Ni)이나 그 합금(FeNi)등은 상기 논아디아바틱(non-adiabatic)항이 작을 수 있다. 따라서, 상기 아디아바틱 (adiabatic)항에 의한 불안정한 상기 정자기 에너지를 안정화할 필요가 있다.On the other hand, the transition metal ferromagnetic material (Co, Fe, Ni) or its alloy (FeNi), etc. may have a small non-adiabatic term. Therefore, there is a need to stabilize the unstable static magnetic energy due to the adiabatic term.

도 1b를 참조하면, 상기 정보 저장 패턴(100a)에 전류가 인가된 경우, 전류인가 자벽이동 현상에 의하여 상기 제1 영역(10), 상기 제2 영역(20) 및 상기 제3 영역(30)은 상기 스트립라인의 장축 방향(6)으로 이동하여 각각 이동된 제1 영역(10a), 이동된 제2 영역(20a) 및 이동된 제3 영역(30a)이 된다. 상기 정보 저장 패턴(100a)에 전류를 인가한 경우, 자벽의 자화 방향은 스핀 토크에 의하여 상기 스트립 라인의 표면을 포함하는 표면 방향(4)에서 벗어나면서 진행할 수 있다. 이때, 상기 자벽(20)의 자화 방향은 상기 법선 방향(2)의 성분을 가질 수 있다.Referring to FIG. 1B, when a current is applied to the information storage pattern 100a, the first region 10, the second region 20, and the third region 30 may be caused by a current-applied magnetic domain movement phenomenon. Is moved in the major axis direction 6 of the stripline to be the first region 10a, the second region 20a and the third region 30a. When a current is applied to the information storage pattern 100a, the magnetization direction of the magnetic wall may proceed while moving away from the surface direction 4 including the surface of the strip line by spin torque. At this time, the magnetization direction of the magnetic domain wall 20 may have a component of the normal direction (2).

상기 자벽의 자화방향이 상기 법선 방향(2)을 가지는 경우, 상기 정보 저장 패턴(100b)의 정자기 에너지는 불안정 상태일 수 있고, 상기 법선 방향(2)의 변화를 저지하는 힘을 발생시킬 수 있다. 본 발명에 따르면, 인위적 반강자성과 인위적 준반강자성을 이용하여 상기 정보 저장 패턴(100b)의 정자기 에너지를 안정화시킨다. When the magnetization direction of the magnetic wall has the normal direction 2, the static magnetic energy of the information storage pattern 100b may be in an unstable state, and may generate a force for preventing a change in the normal direction 2. have. According to the present invention, the static magnetic energy of the information storage pattern 100b is stabilized by using artificial antiferromagnetic and artificial semiferromagnetic.

도 2a 및 도 2b는 인위적 반강자성(artificial antiferromagnetism) 현상을 설명하기 위한 도면들이다. 2A and 2B are diagrams for explaining an artificial antiferromagnetism phenomenon.

도 2a를 참조하면, 두께가 같은 제1 정보 저장 패턴(300a) 및 제2 정보 저장 패턴(200a) 사이에 적어도 하나의 비자성 패턴(150a)이 개재된다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300a)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200a)의 층간 상호 교환 작용 에너지(interlayer exchange coupling energy)가 양수인 경우, 상기 제1 정보 저장 패턴(300a)의 자화 방향과 제2 정보 저장 패턴(200a)의 자화 방향은 서로 같은 방향(평행한 방향)으로 정렬될 수 있다. Referring to FIG. 2A, at least one nonmagnetic pattern 150a is interposed between the first information storage pattern 300a and the second information storage pattern 200a having the same thickness. When the interlayer exchange coupling energy of the first information storage pattern 300a and the second information storage pattern 200a is positive, the magnetization direction and the second magnetization direction of the first information storage pattern 300a are positive. The magnetization directions of the data storage pattern 200a may be aligned in the same direction (parallel direction).

도 2b를 참조하면, 두께가 같은 제1 정보 저장 패턴(300b)과 제2 정보 저장 패턴(200b) 사이에 비자성 패턴(150b) 이 개재된다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300b)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200b)의 층간 상호 교환 작용 에너지가 음수인 경우, 상기 제1 정보 저장 패턴(300b)의 자화 방향과 제2 정보 저장 패턴(200b)의 자화 방향은 서로 반대 방향으로 정렬될 수 있다. 즉, 두께가 같은 제1 정보 저장 패턴의 자화 방향과 제2 정보 저장 패턴의 자화 방향이 반평행(anti parallel)한 방향으로 정렬될 수 있다. 이러한 현상을 인위적 반강자성(artificial antiferromagnetism)이라 한다. 상기 인위적 반강자성은 상기 비자성 패턴(150b)의 물질과 비자성 패턴의 두께 등에 영향을 받을 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 전류인가 메모리 장치에서 상기 인위적 반강자성을 이용할 수 있다. 상기 인위적 반강성을 갖는 메모리 장치는 에너지가 안정되어 상기 자벽이동 속도가 증가할 수 있다.Referring to FIG. 2B, a nonmagnetic pattern 150b is interposed between the first information storage pattern 300b and the second information storage pattern 200b having the same thickness. When the interlayer interaction energy between the first information storage pattern 300b and the second information storage pattern 200b is negative, the magnetization direction and the second information storage pattern 200b of the first information storage pattern 300b are negative. Magnetization directions can be aligned in opposite directions. That is, the magnetization direction of the first information storage pattern having the same thickness and the magnetization direction of the second information storage pattern may be aligned in an anti-parallel direction. This phenomenon is called artificial antiferromagnetism. The artificial antiferromagneticity may be affected by the material of the nonmagnetic pattern 150b and the thickness of the nonmagnetic pattern. According to an embodiment of the present invention, the artificial antiferromagneticity may be used in a current application memory device. The memory device having artificial anti-stiffness may have stable energy and increase the magnetic wall movement speed.

도 3a 및 도 3b는 인위적 준반강자성(artifical ferrimagnetizm) 현상을 설 명하기 위한 도면들이다. 3A and 3B are diagrams for explaining an artificial ferrimagnetizm phenomenon.

도 3a를 참조하면, 두께가 다른 제1 정보 저장 패턴(300c)과 제2 정보 저장 패턴(200c) 사이에 적어도 하나의 비자성 패턴(150c)이 개재된다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300c)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200c)의 층간 상호 교환 작용 에너지가 양수인 경우, 상기 제1 정보 저장 패턴(300c)의 자화 방향과 제2 정보 저장 패턴(200c)의 자화 방향은 서로 평행한 방향으로 정렬될 수 있다. Referring to FIG. 3A, at least one nonmagnetic pattern 150c is interposed between the first information storage pattern 300c and the second information storage pattern 200c having different thicknesses. When the interlayer interaction energy between the first information storage pattern 300c and the second information storage pattern 200c is positive, the magnetization direction and the second information storage pattern 200c of the first information storage pattern 300c are positive. The magnetization directions of may be aligned in directions parallel to each other.

도 3b를 참조하면, 두께가 다른 제1 정보 저장 패턴(300d)과 제2 정보 저장 패턴(200d) 사이에 비자성 패턴(150d)이 개재된다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300d)과 상기 제2 정보 저장 패턴(400d)의 층간 상호 교환 작용 에너지가 음수인 경우, 상기 제1 정보 저장 패턴(300d)의 자화 방향과 제2 정보 저장 패턴(200d)의 자화 방향은 서로 반대 방향으로 정렬될 수 있다. 두께가 다른 상기 제1 정보 저장 패턴(300d)의 자화 방향과 상기 제2 정보 저장 패턴(200d)의 자화 방향이 반평행(anti parallel)한 경우를 인위적 준반강자성(artificial ferrimagnetizm)이라 한다. 상기 인위적 준반강자성은 상기 비자성 패턴(150d)의 물질과 두께에 영향받을 수 있다. 상기 인위적 준반강성을 갖는 메모리 장치는 에너지가 안정되어 상기 자벽이동 속도가 증가할 수 있다.Referring to FIG. 3B, a nonmagnetic pattern 150d is interposed between the first information storage pattern 300d and the second information storage pattern 200d having different thicknesses. When the interlayer interaction energy between the first information storage pattern 300d and the second information storage pattern 400d is negative, the magnetization direction and the second information storage pattern 200d of the first information storage pattern 300d are negative. Magnetization directions can be aligned in opposite directions. The case in which the magnetization direction of the first information storage pattern 300d having a different thickness and the magnetization direction of the second information storage pattern 200d are anti-parallel is referred to as artificial ferrimagnetizm. The artificial semi-ferromagnetic properties may be affected by the material and the thickness of the nonmagnetic pattern 150d. In the memory device having artificial semi-rigid stiffness, energy may be stabilized to increase the magnetic wall moving speed.

도 4a 내지 4b는 인위적 반강자성 또는 인위적 반강자성을 이용한 메모리 장치에서 정보 저장 패턴의 구조를 설명하기 위한 사시도이다. 4A to 4B are perspective views illustrating the structure of an information storage pattern in a memory device using artificial antiferromagnetic or artificial antiferromagnetic.

도 4a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 인위적 반강자성을 갖는 자벽이동 메모리 장치는 제1 정보 저장 패턴(300e) 및 제2 정보 저장 패턴(200e)을 포함한다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300e) 및 상기 제2 정보 저장 패턴(200e)사이 에 적어도 하나의 비자성 패턴(150e)이 개재된다. 메모리 패턴(90e)은 제1 정보 저장 패턴(300e), 제2 정보 저장 패턴(200e), 및 비자성 패턴을 포함한다.Referring to FIG. 4A, according to an embodiment of the present invention, the magnetic domain moving memory device having artificial anti-ferromagneticity includes a first information storage pattern 300e and a second information storage pattern 200e. At least one nonmagnetic pattern 150e is interposed between the first information storage pattern 300e and the second information storage pattern 200e. The memory pattern 90e includes a first information storage pattern 300e, a second information storage pattern 200e, and a nonmagnetic pattern.

상기 제1 정보 저장 패턴(300e)는 복수의 자구들(magnetic domains)을 포함하고, 스트립 라인(strip line)의 모양일 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300e)은 설명의 간략함을 위하여 세 영역만을 표시하였다. 제1 영역(310e)은 자구이며, 스트립 라인의 장축 방향(6)으로 자화되어 있으며, 제 3 영역(330e)도 자구이며, 스트립 라인의 장축 방향(6)의 역방향으로 자화되어 있다. 상기 제1 영역(310e)과 상기 제3 영역(330e) 사이에는 제2 영역(320e)인 자벽이 존재한다. 상기 제3 영역(330e)의 자화 방향은 상기 스트립 라인의 장축 방향(6)과 평행 또는 반평행하지 않을 수 있다. The first information storage pattern 300e may include a plurality of magnetic domains and may have a shape of a strip line. The first information storage pattern 300e displays only three regions for simplicity of description. The first region 310e is a magnetic domain and is magnetized in the major axis direction 6 of the strip line, and the third region 330e is also a magnetic domain and magnetized in the reverse direction of the major axis direction 6 of the strip line. Between the first region 310e and the third region 330e, a magnetic wall that is the second region 320e exists. The magnetization direction of the third region 330e may not be parallel or antiparallel to the major axis direction 6 of the strip line.

도 4b를 참조하면, 인위적 반강자성을 갖는 상기 자벽이동 메모리 장치에서 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴(300e, 200e)에 전류가 인가된 경우, 전류인가 자벽이동 현상에 의하여 상기 제1 영역(310e, 210e), 상기 제2 영역(320e, 220e) 및 상기 제3 영역(330e, 220e)은 상기 스트립라인의 장축 방향(6)으로 이동하여 각각 이동된 제1 영역(310f, 210f), 이동된 제2 영역(320f, 220f) 및 이동된 제3 영역(330f, 230f)이 된다. Referring to FIG. 4B, when a current is applied to the first and second information storage patterns 300e and 200e in the magnetic wall moving memory device having artificial anti-ferromagneticity, the first region may be moved by a current applying magnetic wall moving phenomenon. 310e and 210e, the second regions 320e and 220e and the third regions 330e and 220e respectively move in the major axis direction 6 of the stripline to move the first regions 310f and 210f, respectively. The second regions 320f and 220f and the moved third regions 330f and 230f.

상기 제1 정보 저장 패턴(300f) 및 상기 제2 정보 저장 패턴(200f)사이에 적어도 하나의 비자성 패턴(150f)이 개재된다. 상기 비자성 패턴(150f)은 상기 자벽이동 메모리 장치의 에너지를 안정하게 할 수 있다. 따라서, 상기 제1 정보 저장 패턴(300f)에 전류 인가시, 상기 자벽(320f, 220f)은 감소된 저항력을 받는다. At least one nonmagnetic pattern 150f is interposed between the first information storage pattern 300f and the second information storage pattern 200f. The nonmagnetic pattern 150f may stabilize the energy of the magnetic domain moving memory device. Therefore, when the current is applied to the first information storage pattern 300f, the magnetic domain walls 320f and 220f receive a reduced resistance force.

도 5a 내지 5c은 본 발명의 일 실시예에 따른 자벽이동 메모리 장치를 설명하기 위한 사시도이다.5A through 5C are perspective views illustrating a magnetic wall moving memory device according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 5a을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 자벽이동 메모리 장치는 제1 및 제2 정보 저장 패턴들(300,200)과 상기 제1 및 제2 정보 저장 패턴들(300,200) 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴(150)을 포함한다. 메모리 패턴(90)은 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들(300, 200), 및 상기 비자성 패턴(150)을 포함한다. 상기 제 1 정보 저장 패턴(300)의 소정의 자구(301)의 자화 방향은 이에 대향하는 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 자구(201)의 자화 방향과 역평행할 수 있다. 상기 자벽이동 메모리 장치는 상기 메모리 패턴(90)의 일측에서 배치되는 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 재생 전극 구조체(230), 및 상기 메모리 패턴(90)의 일측에 배치되는 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 기록 전극 구조체(220)를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 5A, the magnetic domain moving memory device may include at least one interposed between first and second information storage patterns 300 and 200 and first and second information storage patterns 300 and 200. One nonmagnetic pattern 150 is included. The memory pattern 90 includes the first and second information storage patterns 300 and 200 and the nonmagnetic pattern 150. The magnetization direction of the predetermined magnetic domain 301 of the first information storage pattern 300 may be antiparallel to the magnetization direction of the magnetic domain 201 of the second information storage pattern 200 opposite thereto. The magnetic domain moving memory device may include at least one regenerative electrode structure 230 facing at least one magnetic domain disposed at one side of the memory pattern 90, and at least one magnetic domain disposed at one side of the memory pattern 90. It may include at least one recording electrode structure 220 opposed to.

상기 기판(400)은 2차원적으로 배열된 복수 개의 셀 영역들을 가질 수 있다. 각각의 상기 셀 영역에는 복수 자구들을 포함하는 메모리 패턴이 배치될 수 있다. 상기 기판(400) 상에 제1 정보 저장 패턴(300)이 배치된다. 상기 기판(200)은 절연체 또는 반도체일 수 있다. 상기 기판(400) 상에는 본 발명의 자벽이동 메모리 장치를 구동시키는 소자가 배치될 수 있다.The substrate 400 may have a plurality of cell regions arranged in two dimensions. A memory pattern including a plurality of magnetic domains may be disposed in each cell region. The first information storage pattern 300 is disposed on the substrate 400. The substrate 200 may be an insulator or a semiconductor. An element for driving the magnetic wall moving memory device of the present invention may be disposed on the substrate 400.

상기 기판(400)과 상기 메모리 패턴(90) 사이에는 절연막이 존재할 수 있다. 상기 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막일 수 있다. An insulating layer may exist between the substrate 400 and the memory pattern 90. The insulating layer may be a silicon oxide layer or a silicon nitride layer.

상기 메모리 패턴(90)의 모양은 도 5a에 도시된 것처럼 스트립 라인(strip line) 모양, 도 5b에 도시된 것처럼 서펜타인(serpentine) 모양, 및 도 5c에 도시된 것처럼 "U" 모양 중에서 적어도 하나일 수 있다. 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴(300,200)은 나란히 배치될 수 있다.The shape of the memory pattern 90 is at least one of a strip line shape as shown in FIG. 5A, a serpentine shape as shown in FIG. 5B, and a “U” shape as shown in FIG. 5C. It can be one. The first and second information storage patterns 300 and 200 may be arranged side by side.

상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들(300, 200)은 강자성체(ferromagnetic material), 강자성체 합금, 및 페리자성체(ferrimagnetic material) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 강자성체는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)등의 전이금속 강자성체일 수 있다. The first and second information storage patterns 300 and 200 may include at least one of a ferromagnetic material, a ferromagnetic alloy, and a ferrimagnetic material. The ferromagnetic material may be a transition metal ferromagnetic material such as iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co).

상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들(300,200)은 자구들 사이의 자벽을 포함할 수 있다. 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들(300,200)은 저장영역(242)과 보존영역(244)으로 구분될 수 있다. 상기 저장 영역(242)은 상기 기록 전극 구조체(220)에 의하여 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴(300,200)이 자화된 영역을 포함할 수 있다. 상기 보존 영역(244)은 상기 저장 영역(242)의 정보를 임시로 보관하는 영역일 수 있다.The first and second information storage patterns 300 and 200 may include magnetic domain walls between magnetic domains. The first and second information storage patterns 300 and 200 may be divided into a storage area 242 and a storage area 244. The storage area 242 may include an area in which the first and second information storage patterns 300 and 200 are magnetized by the recording electrode structure 220. The storage area 244 may be an area for temporarily storing the information of the storage area 242.

상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200)은 다른 물질일 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 제2 정보 저장 패턴(200)의 폭(W)은 다를 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 제2 정보 저장 패턴(200)의 두께(t)가 다를 수 있다.The first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 200 may be different materials. The width W of the first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 200 may be different. According to an embodiment of the present invention, the thickness t of the first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 200 may be different.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 상기 메모리 패턴(90)은 상기 기판(400) 상에 평행하게 배치되는 것에 한하지 않고, 상기 기판(400)에 기울어진 각도 또는 수 직한 각도로 배치될 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the memory pattern 90 is not limited to being disposed on the substrate 400 in parallel, and may be disposed at an inclined angle or a vertical angle to the substrate 400. .

도 5a를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른, 자벽이동 메모리 장치는 상기 제1 정보 저장 패턴(300)에 연결된 배선(202)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 정보 저장 패턴(300)에 연결된 상기 배선들(202)은 상기 제1 정보 저장 패턴(300)에 흐르는 전류를 생성하는 전류인가 회로(204)에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200)은 상기 비자성 패턴(150)을 통하여 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300) 또는 제2 정보 저장 패턴(200)의 저항은 상기 비자성 패턴(150)의 저항보다 작을 수 있다. 또는 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴(300,200)의 전기 전도도는 상기 비자성 패턴(150)의 전기 전도도 보다 클 수 있다. Referring to FIG. 5A, according to an embodiment of the present disclosure, the magnetic domain moving memory device may include a wiring 202 connected to the first information storage pattern 300. According to an embodiment of the present invention, the wires 202 connected to the first information storage pattern 300 are electrically connected to a current applying circuit 204 that generates a current flowing in the first information storage pattern 300. Can be connected. The first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 200 may be electrically connected through the nonmagnetic pattern 150. The resistance of the first information storage pattern 300 or the second information storage pattern 200 may be smaller than the resistance of the nonmagnetic pattern 150. Alternatively, the electrical conductivity of the first and second information storage patterns 300 and 200 may be greater than that of the nonmagnetic pattern 150.

도 5a를 참조하면, 상기 비자성 패턴(150)은 전이금속(주기율표 상에서 3d, 4d, 5d) 또는 그 합금 중에서 적어도 하나일 수 있다. 구체적으로, 상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 간격은(h)는 0.1nm 내지 100 nm 중에서 하나일 수 있다. 상기 비자성 패턴(150)은 물질이 다른 복수의 층으로 구성될 수 있다. Referring to FIG. 5A, the nonmagnetic pattern 150 may be at least one of a transition metal (3d, 4d, 5d on the periodic table) or an alloy thereof. Specifically, the transition metal may include at least one of copper (Cu), chromium (Cr), and rucedium (Ru). An interval (h) between the first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 200 may be one of 0.1 nm to 100 nm. The nonmagnetic pattern 150 may be formed of a plurality of layers having different materials.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상술한 것처럼, 본 발명의 메모리 장치는 상기 기록 전극 구조체(220)를 포함할 수 있다. 상기 기록 전극 구조체(220)는 도전성 물질일 수 있다. 상기 기록 전극 구조체(220)에 전류가 흐르는 경우, 상기 기록 전극 구조체(220)에 대향하는 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 소정의 자구(301)는 특정한 방향으로 자화될 수 있고다. 에 따라, 상기 제 1 정보 저장 패턴(300)에 대향하는 제2 정보 저장 패턴(200)의 소정의 자구(201)는 상기 특정한 방향의 반대 방향으로 자화될 수 있다. 상기 기록 전극 구조체(220)에 흐르는 전류의 방향은 상기 제1 정보 저장 패턴(300)에 기록되는 정보에 따라 변할 수 있다. 상기 기록 전극 구조체(220)에 흐르는 전류는 펄스 형태일 수 있다.According to an embodiment of the present invention, as described above, the memory device of the present invention may include the write electrode structure 220. The recording electrode structure 220 may be a conductive material. When a current flows through the recording electrode structure 220, the predetermined magnetic domain 301 of the first information storage pattern 300 facing the recording electrode structure 220 may be magnetized in a specific direction. Accordingly, the predetermined magnetic domain 201 of the second information storage pattern 200 facing the first information storage pattern 300 may be magnetized in a direction opposite to the specific direction. The direction of the current flowing in the recording electrode structure 220 may vary according to information recorded in the first information storage pattern 300. The current flowing through the recording electrode structure 220 may be in the form of a pulse.

도 5a를 참조하면, 상기 기록 전극 구조체(220)가 상기 메모리 패턴(90)의 일측에 배치된 경우, 상기 기록 전극 구조체(220)에 전류가 인가되면, 상기 기록 전극 구조체(220)에 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 가장 인접한 자구(201)는 소정의 방향으로 자화되고, 상기 인접한 자구(201)에 대향하는 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 자구(301)는 상기 인접한 자구(201)의 자화 방향과 역방향으로 자화될 수 있다. Referring to FIG. 5A, when the write electrode structure 220 is disposed on one side of the memory pattern 90, when a current is applied to the write electrode structure 220, the write electrode structure 220 is disposed on the write electrode structure 220. The closest magnetic domain 201 of the first information storage pattern 300 is magnetized in a predetermined direction, and the magnetic domain 301 of the second information storage pattern 200 facing the adjacent magnetic domain 201 is the adjacent magnetic domain ( It can be magnetized in the reverse direction to the magnetization direction of 201).

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 메모리 패턴(90)의 일측에 상기 기록 전극 구조체(230)가 배치되고, 또다른 일측에 상기 기록 전극 구조체(220)가 배치될 수 있다. 다만, 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 소정의 자구(301)의 자화방향은 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 소정의 자구(201)의 자화방향과 서로 평행할 수 있다. According to a modified embodiment of the present invention, the write electrode structure 230 may be disposed on one side of the memory pattern 90, and the write electrode structure 220 may be disposed on the other side. However, the magnetization direction of the predetermined magnetic domain 301 of the first information storage pattern 300 may be parallel to the magnetization direction of the predetermined magnetic domain 201 of the second information storage pattern 200.

상기 재생 전극 구조체(230)은 도전성 물질일 수 있다. 상기 재생 전극 구조체(230)과 상기 메모리 패턴(90)의 교차점 상에 상기 자구의 자화 방향을 감지하는 센서가 개재될 수 있다. 상기 센서는 상기 재생 전극 구조체(230)과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 센서는 터널링 자기저항 센서(tunneling magneto resistance sensor) 또는 거대 자기저항 센서(giant magneto resistance sensor)일 수 있다.The regenerative electrode structure 230 may be a conductive material. A sensor for sensing the magnetization direction of the magnetic domain may be interposed on the intersection of the regeneration electrode structure 230 and the memory pattern 90. The sensor may be electrically connected to the regeneration electrode structure 230. The sensor may be a tunneling magneto resistance sensor or a giant magneto resistance sensor.

도 6a 내지 도 6e는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 사시도이다.6A through 6E are perspective views illustrating a method of forming a memory device in accordance with an embodiment of the present invention.

도 6a를 참조하면, 기판(400) 상에 도전막을 형성할 수 있다. 상기 도전막은 금속, 금속 실리사이드, 및 도핑된 폴리 실리콘 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도전막 상에 제1 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제1 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 도전막을 식각하여 기록 전극 구조체(220) 및 재생 전극 구조체(230)을 형성할 수 있다. 상기 재생 전극 구조체(230) 상에는 자구의 자화 방향을 감지하는 센서가 배치될 수 있다. 상기 센서는 상기 재생 전극 구조체(230)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 센서는 터널링 자기저항 센서(tunneling magneto resistance sensor) 또는 거대 자기저항 센서 (giant magneto resistance sensor)일 수 있다.Referring to FIG. 6A, a conductive film may be formed on the substrate 400. The conductive layer may include at least one of metal, metal silicide, and doped polysilicon. A first photoresist pattern may be formed on the conductive layer. The conductive layer may be etched using the first photoresist pattern as a mask to form the recording electrode structure 220 and the reproducing electrode structure 230. A sensor for sensing the magnetization direction of the magnetic domain may be disposed on the regenerative electrode structure 230. The sensor may be electrically connected to the regeneration electrode structure 230. The sensor may be a tunneling magneto resistance sensor or a giant magneto resistance sensor.

도 6b를 참조하면, 상기 재생 전극 구조체(230) 상에 제1 절연막(210)이 형성될 수 있다. 상기 제1 절연막(210)은 유전막일 수 있다. 상기 제1 절연막(210)은 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6B, a first insulating layer 210 may be formed on the regenerative electrode structure 230. The first insulating layer 210 may be a dielectric layer. The first insulating layer 210 may include at least one of a silicon oxide layer and a silicon nitride layer.

도 6c를 참조하면, 상기 제1 절연막(212) 상에 제1 정보 저장막이 형성될 수 있다. 상기 제1 정보 저장막 상에 제2 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제2 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 상기 제1 정보 저장막을 식각하여 제1 정보 저장 패턴(300)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6C, a first information storage layer may be formed on the first insulating layer 212. A second photoresist pattern may be formed on the first information storage layer. The first information storage layer may be etched using the second photoresist pattern as a mask to form a first information storage pattern 300.

상기 제1 정보 저장 패턴(300)은 강자성체(ferromagnetic material), 강자 성체 합금, 및 페리자성체(ferrimagnetic material) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 강자성체는 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co)등의 전이금속 강자성체일 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 모양은 스트립 라인(strip line) 모양, "U" 모양, 및 서펜타인(serpentine) 모양 중에서 적어도 하나의 모양일 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)은 복수의 자구와 상기 자구들 사이의 자벽을 포함할 수 있다. 상기 제 1 정보 저장 패턴(300)은 상기 재생 전극 구조체(230)를 가로지르도록 형성될 수 있다.The first information storage pattern 300 may include at least one of a ferromagnetic material, a ferromagnetic alloy, and a ferrimagnetic material. The ferromagnetic material may be a transition metal ferromagnetic material such as iron (Fe), nickel (Ni), cobalt (Co). The shape of the first information storage pattern 300 may be at least one of a strip line shape, a “U” shape, and a serpentine shape. The first information storage pattern 300 may include a plurality of magnetic domains and a magnetic wall between the magnetic domains. The first information storage pattern 300 may be formed to cross the reproduction electrode structure 230.

도 6d를 참조하면, 상기 제1 정보 저장 패턴 상에는 비자성막이 형성될 수 있다. 상기 비자성막은 전이금속(주기율표 상에서 3d, 4d, 5d) 또는 그 합금일 수 있다. 구체적으로, 상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 비자성막은 도전성을 가질 수 있다. 상기 비자성막(150)은 물질이 다른 복수의 층으로 형성될 수 있다. 상기 비자성막을 패터닝하여 비자성 패턴(150)을 형성할 수 있다.Referring to FIG. 6D, a nonmagnetic film may be formed on the first information storage pattern. The nonmagnetic film may be a transition metal (3d, 4d, 5d on the periodic table) or an alloy thereof. Specifically, the transition metal may include at least one of copper (Cu), chromium (Cr), and rucedium (Ru). The nonmagnetic film may have conductivity. The nonmagnetic film 150 may be formed of a plurality of layers having different materials. The nonmagnetic pattern 150 may be patterned to form a nonmagnetic pattern 150.

도 6e를 참조하면, 상기 비자성 패턴(212) 상에 제2 정보 저장막을 형성할 수 있다. 상기 제2 정보 저장막 상에 제3 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 제3 포토레지스트 패턴을 마스크로 사용하여 제2 정보 저장막을 식각하여 제2 정보 저장 패턴(200)을 형성할 수 있다. 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 장축 방향은 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 장축 방향과 평행할 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴(200)의 두께가 다를 수 있다. 상기 제1 정보 저장 패턴(300)과 상기 제2 정보 저장 패턴(2000)의 간격(h)는 0.1 nm 내지 100 nm 중에서 하나일 수 있다. Referring to FIG. 6E, a second information storage layer may be formed on the nonmagnetic pattern 212. A third photoresist pattern may be formed on the second information storage layer. The second information storage layer may be etched using the third photoresist pattern as a mask to form the second information storage pattern 200. The long axis direction of the second information storage pattern 200 may be parallel to the long axis direction of the first information storage pattern 300. The thickness of the first information storage pattern 300 may be different from the thickness of the second information storage pattern 200. An interval h between the first information storage pattern 300 and the second information storage pattern 2000 may be one of 0.1 nm to 100 nm.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 메모리 장치의 형성 방법을 설명하기 위한 사시도이다.7A and 7B are perspective views illustrating a method of forming a memory device in accordance with an embodiment of the present invention.

도 7a를 참조하면, 도 6a 및 도 6b에서 설명한 것처럼, 기판(400) 상에 기록 전극 구조체(220)와 재생 전극 구조체(230)를 형성하고, 이어서 상기 기록 전극 구조체(220) 및 상기 재생 전극 구조체(230)을 덮는 제1 절연막(210)을 형성한다. 이어서, 상기 제1 절연막(210) 상에 차례로 적층된 제1 정보 저장막(300g), 비자성막(150g), 및 제2 정보 저장막(200g)을 형성한다. 상기 제1 정보 저장막(300g), 비자성막(150g), 및 제2 정보 저장막(200g)의 특성은 도 6 a 내지 6e에서 설명한 바와 같다. Referring to FIG. 7A, as described with reference to FIGS. 6A and 6B, a recording electrode structure 220 and a reproducing electrode structure 230 are formed on a substrate 400, and then the recording electrode structure 220 and the reproducing electrode are formed. The first insulating layer 210 covering the structure 230 is formed. Subsequently, a first information storage film 300g, a nonmagnetic film 150g, and a second information storage film 200g are sequentially formed on the first insulating film 210. The characteristics of the first information storage film 300g, the nonmagnetic film 150g, and the second information storage film 200g are as described with reference to FIGS. 6A through 6E.

도 7b를 참조하면, 상기 제2 정보 저장막(200g), 비자성막(150g), 및 제1 정보 저장막(300g)을 연속적으로 패터닝하여 상기 제2 정보 저장 패턴(200), 상기 비자성 패턴(150), 및 상기 제1 정보 저장 패턴(300)을 형성한다. 상기 패터닝은 포토 리소그라피(photo lithography) 공정 및 식각 공정을 사용할 수 있다. 이 실시예의 장점은 공정을 단순화가 가능하다는 것이다.Referring to FIG. 7B, the second information storage layer 200g, the nonmagnetic layer 150g, and the first information storage layer 300g are successively patterned to form the second information storage pattern 200 and the nonmagnetic pattern. 150, and the first information storage pattern 300. The patterning may use a photo lithography process and an etching process. An advantage of this embodiment is that the process can be simplified.

본 발명의 변형된 실시예에 따르면, 상기 기록 전극 구조체(220) 및 상기 재생 전극 구조체(230) 중에서 적어도 하나는 상기 제2 정보 저장 패턴(200) 상에 형성될 수 있다.According to a modified embodiment of the present invention, at least one of the recording electrode structure 220 and the reproduction electrode structure 230 may be formed on the second information storage pattern 200.

본 발명에 따르면, 메로리 패턴은 나란히 배치된 제1, 제2 정보 저장 패턴을 구비한다. 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 에너지를 안정화시키는 비자성 패턴이 개재하기 때문에, 상기 제1 또는 제2 정보 저장 패턴에 전류를 흘릴 때 상기 제1 또는 제2 정보 저장 패턴의 자벽들은 더 빠른 속도로 이동된다. 즉, 이러한 인위적 반강자성 또는 인위적 준반강자성을 갖는 상기 메모리 패턴은 전류인가 자벽이동 메모리 장치의 동작속도를 증가시키는데 기여한다. According to the present invention, the memory pattern includes first and second information storage patterns arranged side by side. Since a nonmagnetic pattern for stabilizing energy is present between the first information storage pattern and the second information storage pattern, the first or second information storage pattern when a current flows in the first or second information storage pattern. Walls are moving faster. That is, the memory pattern having such an artificial antiferromagnetic or artificial semiferromagnetic contributes to increasing the operating speed of the current-applied magnetic domain moving memory device.

본 발명에 따르면, 상기 메모리 패턴의 일측에 기록 전극 구조체가 배치된다. 상기 기록 전극 구조체는 기판에 배치되기 때문에, 전류인가 자벽이동 메모리 장치는 충격에 강하다.According to the present invention, a write electrode structure is disposed on one side of the memory pattern. Since the write electrode structure is disposed on the substrate, the current-applied magnetic domain moving memory device is resistant to impact.

본 발명에 따르면, 상기 메모리 패턴은 복수의 자구들을 포함하고 있기 때문에, 대용량의 메모리 장치가 될 수 있다.According to the present invention, since the memory pattern includes a plurality of magnetic domains, the memory pattern may be a large memory device.

Claims (19)

복수 개의 셀 영역들을 갖는 기판; 및A substrate having a plurality of cell regions; And 상기 셀 영역에 배치되는 메모리 패턴을 포함하되,Including a memory pattern disposed in the cell area, 상기 메모리 패턴은 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴(the first data storage pattern), 상기 제1 정보 저장 패턴과 나란히 진행하는 복수의 자구들을 갖는 제2 정보 저장 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴 사이에 개재된 적어도 하나의 비자성 패턴을 포함하는 자벽이동 메모리 장치.The memory pattern may include a first data storage pattern having a plurality of magnetic domains, a second information storage pattern having a plurality of magnetic domains running alongside the first information storage pattern, and And a magnetic domain wall memory device including at least one nonmagnetic pattern interposed between the first information storage pattern and the second information storage pattern. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 정보 저장 패턴의 소정의 자구의 자화 방향은 이에 대향하는 제2 정보 저장 패턴의 자구의 자화 방향과 반평행한 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the magnetization direction of the predetermined magnetic domain of the first information storage pattern is antiparallel to the magnetization direction of the magnetic domain of the second information storage pattern opposite thereto. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제 1 정보 저장 패턴의 소정의 자구의 자화 방향은 이에 대향하는 제2 정보 저장 패턴의 자구의 자화 방향과 평행한 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.The magnetization direction of the predetermined magnetic domain of the first information storage pattern is parallel to the magnetization direction of the magnetic domain of the second information storage pattern opposite thereto. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제1, 제2 정보 저장 패턴들은 강자성체(ferromagnetic material), 강자성체 합금, 및 페리자성체(ferrimagnetic material) 중에서 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the first and second information storage patterns are at least one of a ferromagnetic material, a ferromagnetic alloy, and a ferrimagnetic material. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메모리 패턴은 스트립 라인(strip line) 모양, "U" 모양, 및 서펜타인(serpentine) 모양 중에서 적어도 하나의 모양인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the memory pattern has at least one of a strip line shape, a “U” shape, and a serpentine shape. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And a thickness of the first information storage pattern and a thickness of the second information storage pattern are different. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 같은 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the thickness of the first information storage pattern is the same as that of the second information storage pattern. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 물질이 같은 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the thickness of the first information storage pattern and the material of the second information storage pattern are the same. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 제1 정보 저장 패턴의 물질와 상기 제2 정보 저장 패턴의 물질이 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And a material of the first information storage pattern and a material of the second information storage pattern are different. 제1 항에 있어서,According to claim 1, 상기 비자성 패턴은 전이금속 및 그 합금 중의 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the nonmagnetic pattern includes at least one of a transition metal and an alloy thereof. 제 10 항에 있어서,The method of claim 10, 상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And the transition metal includes at least one of copper (Cu), chromium (Cr) and rucedium (Ru). 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 제1 정보 자장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴의 간격은 0.1 nm 내지 100 nm 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And a distance between the first information magnetic field pattern and the second information storage pattern is one of 0.1 nm to 100 nm. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 메모리 패턴의 일측에서 배치되어, 상기 제1 및 제2 정보 저장 패턴들 의 자구들 중에 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 재생 전극 구조체; 및At least one reproducing electrode structure disposed at one side of the memory pattern to face at least one of the domains of the first and second information storage patterns; And 상기 메모리 패턴의 일측에 배치되어, 상기 제1 및 제2 정보 저장 패턴들의 자구들 중에 적어도 하나의 자구에 대향되는 적어도 하나의 기록 전극 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치.And at least one write electrode structure disposed on one side of the memory pattern to face at least one of the magnetic domains of the first and second information storage patterns. 복수의 자구들(magnetic domains)을 갖는 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 단계;Forming a first information storage pattern having a plurality of magnetic domains; 상기 제1 정보 저장 패턴 상에 비자성 패턴을 형성하는 단계; 및Forming a nonmagnetic pattern on the first information storage pattern; And 상기 비자성 패턴 상에 제2 정보저장 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.And forming a second data storage pattern on the nonmagnetic pattern. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제2 정보 저장 패턴, 상기 비자성 패턴, 및 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 단계는:Forming the second information storage pattern, the nonmagnetic pattern, and the first information storage pattern include: 기판 상에 차례로 적층된 제1 정보 저장막, 비자성막, 및 제2 정보 저장막을 형성하는 단계; 및Forming a first information storage film, a nonmagnetic film, and a second information storage film, which are sequentially stacked on the substrate; And 상기 제2 정보 저장막, 비자성막, 및 제1 정보 저장막을 연속적으로 패터닝하여 상기 제2 정보 저장 패턴, 상기 비자성 패턴, 및 상기 제1 정보 저장 패턴을 형성하는 것을 포함하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.And continuously patterning the second information storage film, the nonmagnetic film, and the first information storage film to form the second information storage pattern, the nonmagnetic pattern, and the first information storage pattern. Forming method. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 비자성 패턴은 전이금속 및 그 합금으로 형성하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.And the nonmagnetic pattern is formed of a transition metal and an alloy thereof. 제 16 항에 있어서,The method of claim 16, 상기 전이금속은 구리(Cu), 크롬(Cr), 루세듐(Ru) 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.The transition metal may be formed of at least one of copper (Cu), chromium (Cr) and rucedium (Ru). 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 정보 저장 패턴과 상기 제2 정보 저장 패턴의 간격은 0.1 nm 내지 100 nm 중에서 하나인 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.The interval between the first information storage pattern and the second information storage pattern is one of 0.1 nm to 100 nm. 제 14 항에 있어서,The method of claim 14, 상기 제1 정보 저장 패턴의 두께와 상기 제2 정보 저장 패턴의 두께가 다른 것을 특징으로 하는 자벽이동 메모리 장치의 형성 방법.And the thickness of the first information storage pattern is different from the thickness of the second information storage pattern.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10210970B2 (en) 2015-05-21 2019-02-19 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Metallic-magnetic-domain-wall-based nonvolatile tunable resistor for memory and sensor applications
KR20210021228A (en) 2019-08-16 2021-02-25 삼성전자주식회사 Magnetic memory device

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010039979A (en) * 1999-10-08 2001-05-15 포만 제프리 엘 Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer
JP2001185778A (en) 1999-12-24 2001-07-06 Alps Electric Co Ltd Magnetic impedance effect element and method for manufacturing the same
JP2002092842A (en) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Maxell Ltd Information recording medium and information recording device using the same
KR20070087453A (en) * 2006-02-23 2007-08-28 삼성전자주식회사 Magnetic memory device using magnetic domain dragging

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6955926B2 (en) * 2004-02-25 2005-10-18 International Business Machines Corporation Method of fabricating data tracks for use in a magnetic shift register memory device
JP2006005308A (en) * 2004-06-21 2006-01-05 Victor Co Of Japan Ltd Non-volatile magnetic memory
US7242604B2 (en) * 2005-01-13 2007-07-10 International Business Machines Corporation Switchable element

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010039979A (en) * 1999-10-08 2001-05-15 포만 제프리 엘 Magnetic recording media with antiferromagnetically coupled ferromagnetic films as the recording layer
JP2001185778A (en) 1999-12-24 2001-07-06 Alps Electric Co Ltd Magnetic impedance effect element and method for manufacturing the same
JP2002092842A (en) 2000-09-19 2002-03-29 Hitachi Maxell Ltd Information recording medium and information recording device using the same
KR20070087453A (en) * 2006-02-23 2007-08-28 삼성전자주식회사 Magnetic memory device using magnetic domain dragging

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