KR100875386B1 - Apparatus for processing wafer surface - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 웨이퍼 표면 처리 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조하기 위한 공정 중에서 웨이퍼의 표면을 식각하거나, 그 표면에 잔존하 는 이물질을 제거하는 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a wafer surface treatment apparatus, and more particularly, to an apparatus for etching a surface of a wafer or removing foreign matter remaining on the surface during a process for manufacturing a semiconductor device.
일반적으로, 반도체 소자는 실리콘을 기초로 한 웨이퍼로부터 제조된다. 구체적으로, 상기 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 포함하여 제조된다. In general, semiconductor devices are fabricated from wafers based on silicon. Specifically, the semiconductor device is manufactured including a deposition process, a photolithography process, an etching process, an ion implantation process, a cleaning process, an inspection process, and the like.
상기와 같은 공정들 중 식각 공정에서는 상기 웨이퍼를 식각용 케미컬에 투입시켜 상기 웨이퍼 표면의 식각하고자 하는 막을 제거한다. 또는, 상기 세정 공정에서는 상기 웨이퍼를 세정용 케미컬에 투입시켜 상기 웨이퍼 표면에 잔존하는 이물질을 제거한다.In the above etching process, the wafer is added to an etching chemical to remove the film to be etched from the surface of the wafer. Alternatively, in the cleaning step, the wafer is introduced into the cleaning chemical to remove foreign substances remaining on the surface of the wafer.
예를 들어, 상기 식각 공정 또는 상기 세정 공정은 먼저, 상기 웨이퍼를 강산성인 황산(H2SO4) 용액이 채워진 용기에 투입하여 해당 공정을 진행시킨다. 다음으로, 탈이온수가 채워진 용기에 투입시켜 상기 웨이퍼에 잔존하는 황산 용액을 제거한다. For example, in the etching process or the cleaning process, the wafer is first introduced into a container filled with a strongly acidic sulfuric acid (H 2 SO 4) solution to advance the process. Next, the sulfuric acid solution remaining on the wafer is removed by pouring into a container filled with deionized water.
이러한 과정에 있어서, 상기 식각 공정 또는 상기 세정 공정에서는 상기 웨이퍼를 각각의 용기들로 이송시키기 위하여 별도의 이송부가 사용된다. 상기 이송부는 상기 웨이퍼를 홀딩하는 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼 척을 실질적으로 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼 척과 연결된 이송암을 포함한다.In this process, in the etching process or the cleaning process, a separate transfer unit is used to transfer the wafer to the respective containers. The transfer section includes a wafer chuck holding the wafer and a transfer arm associated with the wafer chuck to substantially transport the wafer chuck.
그러나, 상기와 같은 식각 공정 또는 상기 세정 공정 중 상기 황산 용액이 상기 웨이퍼 척과 상기 이송암에 잔존함으로써, 그 잔존하는 상기 황산 용액이 상기 이송부의 동작 도중에 다른 부품으로 옮겨져 이를 오염시킬 수 있는 문제점을 갖는다. However, since the sulfuric acid solution remains in the wafer chuck and the transfer arm during the etching process or the cleaning process, the remaining sulfuric acid solution may be transferred to other parts during the operation of the transfer unit to contaminate it. .
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 웨이퍼를 이송시키는 이송부를 세정할 수 있는 웨이퍼 표면 처리 장치를 제공하는 것이다. Accordingly, the present invention has been made in view of such a problem, and an object of the present invention is to provide a wafer surface treatment apparatus capable of cleaning a transfer portion for transferring a wafer.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 웨이퍼 표면 처리 장치는 적재부, 표면 처리부, 이송부 및 세정부를 포함한다. 상기 적재부는 케미컬에 의하여 그 표면이 처리되는 웨이퍼가 적재된다. 상기 표면 처리부는 상기 웨이퍼의 표면을 처리하기 위한 케미컬이 채워진다. 상기 이송부는 상기 적재부에 적재된 웨이퍼를 홀딩하기 위한 웨이퍼 척 및 상기 웨이퍼 척에 홀딩된 웨이퍼를 이송시키기 위하여 상기 웨이퍼 척과 연결된 이송암을 갖는다. 상기 세정부는 상기 이송부의 웨이퍼 척이 상기 적재부에 적재된 웨이퍼를 홀딩하기 위하여 상기 적재부 앞에 대기할 때, 상기 웨이퍼 척과 같이 상기 이송암을 세정하여 그 외면에 잔존하는 이물질을 제거한다.In order to achieve the above object of the present invention, a wafer surface treatment apparatus according to one aspect includes a loading portion, a surface treatment portion, a transfer portion, and a cleaning portion. The stack is loaded with a wafer whose surface is processed by chemical. The surface treatment unit is filled with chemicals for treating the surface of the wafer. The transfer section has a wafer chuck for holding a wafer loaded on the loading section and a transfer arm connected to the wafer chuck for transferring a wafer held on the wafer chuck. The cleaning unit cleans the transfer arm like the wafer chuck and removes foreign substances remaining on the outer surface when the wafer chuck of the transfer unit waits in front of the loading unit to hold the wafer loaded on the loading unit.
상기 세정부는 상기 웨이퍼 척 및 상기 이송암을 동시에 세정한다. 상기 세정부는 상기 이송암이 노출되면서 상기 웨이퍼 척이 삽입되는 개구부가 형성된 세정 챔버, 상기 세정 챔버의 내부에 설치되어 상기 세정 챔버의 내부로 삽입되는 상기 웨이퍼 척을 세정하기 위한 척 세정부 및 상기 세정 챔버의 상기 개구부가 형성된 위치에 설치되어 상기 웨이퍼 척과 연결된 상기 이송암을 세정하기 위한 이송암 세정부를 포함한다.The cleaning unit simultaneously cleans the wafer chuck and the transfer arm. The cleaning unit includes a cleaning chamber having an opening through which the wafer chuck is inserted while the transfer arm is exposed, a chuck cleaning unit for cleaning the wafer chuck installed in the cleaning chamber and inserted into the cleaning chamber. And a transfer arm cleaning unit installed at a position where the opening of the cleaning chamber is formed to clean the transfer arm connected to the wafer chuck.
상기 척 세정부는 상기 웨이퍼 척의 제1 측에서 상기 웨이퍼 척에 세정액을 분사하는 제1 분사부 및 상기 제1 측과 반대되는 상기 웨이퍼 척의 제2 측에서 상기 세정액을 분사하는 제2 분사부를 포함한다.The chuck cleaner includes a first sprayer for injecting a cleaning liquid onto the wafer chuck from a first side of the wafer chuck and a second sprayer for spraying the cleaning liquid from a second side of the wafer chuck opposite to the first side. .
상기 이송암 세정부는 상기 웨이퍼 척이 상기 세정 챔버로 삽입될 때 상기 세정 챔버의 상면을 따라 이동하여 상기 개구부로부터 노출된 이송암을 커버하는 커버부 및 상기 커버부의 안쪽에 형성되어 상기 이송암에 세정액을 분사하는 분사부를 포함한다.The transfer arm cleaner is formed inside the cover part and the cover part which moves along the upper surface of the cleaning chamber to cover the transfer arm exposed from the opening when the wafer chuck is inserted into the cleaning chamber. It includes an injection unit for injecting the cleaning liquid.
또한, 상기 이송암 세정부는 상기 커버부와 결합되는 로드부 및 상기 로드부와 결합되어 상기 로드부를 직선 운동시키는 구동부를 갖는 이동부, 및 상기 커버부와 상기 구동부 사이에서 상기 로드부의 직선 운동을 가이드하기 위한 가이드홀이 형성된 가이드부를 더 포함할 수 있다.The transfer arm cleaner may further include a rod part coupled to the cover part and a moving part coupled to the rod part to move the rod part linearly, and a linear motion of the rod part between the cover part and the drive part. It may further include a guide portion formed with a guide hole for guiding.
한편, 상기 웨이퍼 표면 처리 장치는 상기 표면 처리부에서 상기 표면 처리된 웨이퍼에 잔존하는 케미컬을 제거하기 위하여 세척액이 채워진 세척부를 더 포함할 수 있다.On the other hand, the wafer surface treatment apparatus may further include a cleaning unit filled with a cleaning liquid in order to remove the chemical remaining on the surface-treated wafer in the surface treatment unit.
이러한 웨이퍼 표면 처리 장치에 따르면, 적재부와 표면 처리부 사이에서 웨이퍼를 이송시키는 이송부에 대하여 그 구성인 웨이퍼 척 및 이송암을 모두 세정부를 통해 세정함으로써, 상기 웨이퍼 척 및 상기 이송암의 외면에 잔존할 수 있는 케미컬과 같은 이물질을 제거할 수 있다.According to such a wafer surface treatment apparatus, the wafer chuck and the transfer arm, which are the components thereof, are cleaned through the cleaning portion for the transfer portion for transferring the wafer between the loading portion and the surface treatment portion, thereby remaining on the outer surface of the wafer chuck and the transfer arm. It can remove foreign substances such as chemicals.
즉, 상기 웨이퍼 척 및 상기 이송암의 세정을 통해 상기 이송부의 동작 도중 그에 잔존하는 케미컬과 같은 이물질로 인하여 다른 부품이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 상기 케미컬이 황산 용액일 경우, 이를 통해 상기 다른 부품이 부식되는 것을 방지할 수 있다. That is, the cleaning of the wafer chuck and the transfer arm may prevent contamination of other parts due to foreign substances such as chemicals remaining therein during the operation of the transfer unit. For example, when the chemical is a sulfuric acid solution, it is possible to prevent the other parts from corrosion through this.
첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 표면 처리 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 이해하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. With reference to the accompanying drawings will be described in detail a wafer surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention. As the inventive concept allows for various changes and numerous embodiments, particular embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the text. However, this is not intended to limit the present invention to the specific disclosed form, it should be understood to include all modifications, equivalents, and substitutes included in the spirit and scope of the present invention. In describing the drawings, similar reference numerals are used for similar elements. In the accompanying drawings, the dimensions of the structure is shown to be larger than the actual size for clarity of the invention, or to reduce the actual size to understand the schematic configuration.
또한, 제1 및 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. In addition, terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여 기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.
도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 웨이퍼 표면 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이고, 도 2는 도 1의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송부 및 세정부를 나타낸 개략적인 사시도이다.1 is a schematic diagram illustrating a wafer surface treatment apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating a transfer part and a cleaning part of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 1.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 표면 처리 장치(1000)는 적재부(100), 표면 처리부(200), 이송부(300) 및 세정부(400)를 포함한다. 1 and 2, a wafer
상기 적재부(100)에는 반도체 소자를 제조하기 위한 핵심 부품인 웨이퍼(10)가 다수개 적재된다. 이때, 상기 웨이퍼(10)는 일정 개수만큼 묶여서 적재될 수 있다. 이는, 상기 웨이퍼(10)를 상기 표면 처리부(200)에서 일정 개수만큼 한번에 처리되도록 하여 전체적인 공정 효율을 향상시키기 위해서이다.The
상기 표면 처리부(200)는 상기 웨이퍼(10)의 표면을 처리하기 위한 케미컬(20)이 채워진다. 구체적으로, 상기 표면 처리부(200)에서는 상기 웨이퍼(10)의 표면을 식각할 수 있다. 또는, 상기 표면 처리부(200)에서는 상기 웨이퍼(10)의 표면에 잔존하는 이물질을 제거할 수 있다. 상기와 같이 상기 웨이퍼(10)의 표면을 식각하거나 세정할 경우 보편적으로 황산 용액을 상기 케미컬(20)로써, 사용한다. 이럴 경우, 상기 황산 용액으로 구성된 상기 케미컬(20)은 그 특성 상 발열 반응으로 인하여 외부로 튈 수 있다.The
상기 이송부(300)는 상기 적재부(100) 및 상기 표면 처리부(200) 사이에서 상기 웨이퍼(10)를 이송한다. 구체적으로, 상기 이송부(300)는 상기 웨이퍼(10)를 상기 적재부(100)로부터 반입하여 상기 표면 처리부(200)에 채워진 상기 케미컬(20)로 투입시키거나, 상기 표면 처리부(200)에서 상기 케미컬(20)에 의해 처리된 상기 웨이퍼(10)를 다시 상기 적재부(100)로 반출시킨다. 여기서, 상기 웨이퍼 표면 처리 장치(1000)는 상기 표면 처리부(200)에서 처리된 상기 웨이퍼(10)로부터 잔존하는 상기 케미컬(20)을 제거하기 위하여 세척부(500)를 더 포함한다.The
상기 세척부(500)는 내부에 상기 케미컬(20)을 세척하기 위한 세척액(30)이 채워진다. 예를 들어, 상기 세척부(500)는 통상적으로, 화학 물질을 세척할 때 사용되는 탈이온수일 수 있다. 이러한 상기 세척부(500)는 상기 표면 처리부(200)와 하나의 몸체에 연속적으로 배치될 수 있다. The
이에, 상기 이송부(300)는 상기 표면 처리부(200)에서 처리된 상기 웨이퍼(10)를 상기 적재부(100)로 반출시키기 전에, 상기 세척부(500)를 거치게된다. 이때에도, 상기 이송부(300)는 상기 표면 처리부(200)의 처리 효율을 향상시키기 위하여 상기 웨이퍼(10)를 일정 개수만큼 한번에 이송시킨다.Thus, the
상기 이송부(300)는 실질적으로 웨이퍼 척(310), 이송암(320) 및 이송 몸체(330)를 포함한다. 상기 웨이퍼 척(310)은 일정 개수의 상기 웨이퍼(10)들을 한 번에 홀딩하거나, 놓아준다. 즉, 상기 웨이퍼 척(310)은 상기 웨이퍼(10)들의 양측을 홀딩하기 위하여 두 개로 구성되며, 이들은 상기 웨이퍼(10)들 쪽으로 오므렸다, 상기 웨이퍼(10)들의 바깥쪽으로 펼쳐졌다, 한다. The
이에, 상기 웨이퍼 척(310)이 상기 웨이퍼(10)들을 홀딩하거나, 놓아주는 동작은 일반적으로 상기 적재부(100)에서 이루어진다. 다시 말해, 상기 웨이퍼 척(310)은 상기 적재부(100)에서 적재된 상기 웨이퍼(10)들을 한번에 잡은 다음, 상기 표면 처리부(200) 및 상기 세척부(500)를 거친 후, 다시 상기 적재부(100)에서 놓아준다. 여기서, 상기 웨이퍼 척(310)은 상기 표면 처리부(200)에 채워진 상기 케미컬(20)에 반응하지 않도록 하기 위하여 수정(quartz) 재질로 이루어질 수 있다.Accordingly, the
상기 이송암(320)은 상기 웨이퍼 척(310)과 연결된다. 상기 이송암(320)은 상기 웨이퍼 척(310)을 실질적으로, 이동시킨다. 또한, 상기 이송암(320)은 상기 이송 몸체(330)로부터 상기 웨이퍼 척(310)의 오므렸다, 펼쳐졌다 하는 동작을 위한 동력을 전달할 수 있다. 이와 달리, 상기 이송암(320) 자체에서 상기 웨이퍼 척(310)의 동작을 위한 동력을 발생하여 전달할 수 있다. The
상기 이송 몸체(330)는 상기 이송암(320)과 연결된다. 상기 이송 몸체(330)는 자체적으로 동력을 발생하여 상기 이송암(320)을 이송시키거나, 상기 이송암(320)을 통해 상기 웨이퍼 척(310)을 동작시킨다. 상기 이송 몸체(330)는 지면에 안착되어 상기 이송부(300)를 전체적으로 지지하는 중심 역할을 한다. 또한, 상기 이송 몸체(330)는 상기 웨이퍼 척(310)이 상기 표면 처리부(200) 또는 상기 세척 부(500)로 이동하도록 하기 위하여 지면을 따라 이동할 수 있다. 이럴 경우, 지면에는 상기 이송 몸체(330)의 이동을 가이드하기 위하여 별도의 레일이 설치될 수 있다. The
한편, 상기 이송암(320)은 통상적으로, 상기 웨이퍼 척(310)과 수직하게 연결된다. 이는, 상기 웨이퍼 척(310)이 지면으로 향하여 상기 웨이퍼(10)들을 홀딩하고, 상기 이송 몸체(330)는 상기 웨이퍼 척(310)과 평행한 방향으로 하여 지면에 안착되어 있기 때문이다. On the other hand, the
상기 세정부(400)는 상기 이송부(300)의 웨이퍼 척(310)이 상기 적재부(100)에 적재된 웨이퍼(10)를 홀딩하기 위하여 준비할 때 상기 웨이퍼 척(310) 및 상기 이송암(320)의 외면에 잔존하는 이물질을 제거하기 위하여 상기 웨이퍼 척(310) 및 상기 이송암(320)을 세정한다. 여기서, 상기 이물질은 상기 표면 처리부(200)에서 채워진 상기 케미컬(20)로 대표될 수 있다. The
상기 세정부(400)는 세정 챔버(410), 척 세정부(420) 및 이송암 세정부(430)를 포함한다. 상기 세정 챔버(410)는 상기 표면 처리부(200) 및 상기 세척부(500)와 유사한 크기를 가질 수 있다. 즉, 상기 세정 챔버(410)는 상기 표면 처리부(200) 및 상기 세척부(500)와 하나의 몸체에 연속적으로 배치될 수 있다.The
상기 세정 챔버(410)는 상기 이송 몸체(330)가 앞에 오도록 배치된다. 상기 세정 챔버(410)는 상부에 개구부(412)가 형성된다. 이에, 상기 웨이퍼 척(310)은 상기 개구부(412)로 삽입된다. 즉, 상기 이송암(320)은 상기 웨이퍼 척(310)과 수직하게 연결되어 있으므로, 상기 개구부(412)의 상부로 노출된다. The
상기 척 세정부(420)는 상기 세정 챔버(410)의 내부에 설치되어 상기 웨이퍼 척(310)을 세정한다. 구체적으로, 상기 척 세정부(420)는 상기 웨이퍼 척(310)의 제1 측에서 상기 웨이퍼 척(310)에 세정액(40)을 분사하는 제1 분사부(422) 및 상기 제1 측과 반대되는 상기 웨이퍼 척(310)의 제2 측에서 상기 웨이퍼 척(310)에 상기 세정액(40)을 분사하는 제2 분사부(424)를 포함한다.The
이에, 상기 제1 및 제2 분사부(422, 424)가 상기 세정 챔버(410)의 내벽과 구조적으로 고정될 경우, 상기 웨이퍼 척(310)은 상기 이송암(320)을 통해 상하로 움직이면서 상기 제1 및 제2 분사부(422, 424)로부터 세정된다. 반대로, 상기 제1 및 제2 분사부(422, 424)를 상하로 움직여 상기 웨이퍼 척(310)을 세정할 수 있다. 이러한 상기 제1 및 제2 분사부(422, 424)는 소정의 분사각을 갖는 분사 노즐로 이루어질 수 있다.Thus, when the first and
상기 이송암 세정부(430)는 상기 세정 챔버(410) 중 상기 이송암(320)이 노출된 외부에 설치되어 상기 이송암(320)을 세정한다. 여기서, 상기 이송암 세정부(430)는 상기 이송암(320)이 실질적으로, 상기 개구부(412)의 상부에서 노출되므로, 상기 개구부(412)가 설치된 상면에 설치된다. The transfer
이하, 상기 이송암 세정부(430)에 의하여 상기 이송암(320)이 세정되는 상태를 도 3 및 도 4를 참조하여 상세하게 설명하고자 한다. Hereinafter, a state in which the
도 3은 도 2의 세정부 중 이송암 세정부가 이송부의 이송암을 세정하는 상태를 간단하게 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절단한 단면도이다. FIG. 3 is a view schematically illustrating a state in which the transfer arm cleaning unit cleans the transfer arm of the transfer unit of FIG. 2, and FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 3.
도 3 및 도 4를 추가적으로 참조하면, 상기 이송암 세정부(430)는 커버부(431) 및 제3 분사부(433)를 포함한다. 3 and 4, the
상기 커버부(431)는 상기 웨이퍼 척(310)이 상기 개구부(412)로 삽입될 때, 상기 세정 챔버(410)의 상면을 따라 이동하여 노출된 상기 이송암(320)을 커버한다. 이는, 상기 웨이퍼 척(310)이 상기 개구부(412)로 삽입될 때, 상기 커버부(431)로 인하여 간섭되는 것을 방지하기 위해서이다. 또한, 상기 커버부(431)는 상기 세정 챔버(410)의 상면을 따라 이송할 때, 실질적으로 상기 이송암(320)이 삽입되는 구조를 가지므로, 그 앞 부분이 개구되도록 형성된다. When the
이에, 상기 세정 챔버(410)는 상기 커버부(431)가 상기 개구부(412)로부터 이격되면서 그 상부에 배치되도록 하기 위하여 상기 이송 몸체(330)와 반대되는 쪽이 더 연장되며, 그 연장된 위치에는 상기 커버부(431)가 삽입되어 보호될 수 있는 돌출부(415)가 형성된다. 즉, 상기 돌출부(415)는 상기 커버부(431)가 삽입될 수 있도록 상기 이송암(320)과 마주보는 위치에 삽입홈(416)이 형성된다. 따라서, 상기 돌출부(415)의 삽입홈(416)에 상기 커버부(431)가 삽입됨으로써, 상기 커버부(431)가 외부로 노출되어 미관상 좋지 않은 것을 방지할 수 있다.Thus, the
상기 제3 분사부(433)는 상기 커버부(431)의 안쪽에 다수 개가 형성된다. 상기 제3 분사부(433)는 상기 제1 및 제2 분사부(424)에서 분사되는 것과 동일한 상기 세정액(40)을 상기 이송암(320)으로 분사한다. 이에, 상기 제3 분사부(433)는 상기 이송암(320)에 상기 세정액(40)을 균일하게 분사시키기 위하여 다수개가 일정한 간격으로 형성된다. 이러한 제3 분사부(433)로 상기 제1 및 제2 분사부(422, 424)와 마찬가지로, 분사 노즐로 이루어질 수 있다.A plurality of
이와 같이, 상기 웨이퍼 표면 처리 장치(1000)는 상기 이송부(300)의 웨이퍼 척(310) 및 이송암(320)을 각각 상기 세정부(400)의 척 세정부(420) 및 이송암 세정부(430)에서 모두 동시에 이루어지도록 하여 상기 웨이퍼 척(310) 및 상기 이송암(320)에 잔존하는 상기 케미컬(20)과 같은 이물질을 제거함으로써, 상기 잔존하는 이물질로 인하여 다른 부품이 오염되는 것을 방지할 수 있다.As such, the wafer
도 5는 도 2의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송암 세정부의 위치를 우측에서 바라본 도면이다.FIG. 5 is a view of the transfer arm cleaning unit viewed from the right side of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 2; FIG.
도 2 및 도 5를 참조하면, 세정 챔버(410)의 돌출부(415)에는 실질적으로, 웨이퍼 척(310)과 이송암(320)을 세정부(400)를 통해 세정하는 도중 발생되는 세정액(40)의 증기를 배기시키기 위한 배기구(417)가 형성된다.2 and 5, the
또한, 상기 배기구(417)는 상기 돌출부(415)의 삽입홈(416)의 상기 이송암 세정부(430)가 삽입되는 위치에 형성된다. 이에, 상기 이송암 세정부(430)의 커버부(431)는 상기 이송암(320)과 마주보는 위치와 마찬가지로, 그 반대편도 상기 배기구(417)를 노출시키기 위하여 개구된 특징을 갖는다. 이로써, 상기 커버부(431)로 인하여 상기 배기구(417)의 역할에 간접받는 것을 방지할 수 있다.In addition, the
도 6은 도 2의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송암 세정부를 구체적으로 나타낸 사시도이다. 6 is a perspective view illustrating in detail the transfer arm cleaning unit of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 2.
도 2 및 도 6을 참조하면, 이송암 세정부(430)는 이동부(434) 및 가이드부(438)를 더 포함한다.2 and 6, the
상기 이동부(434)는 커버부(431)가 이송암(320)을 커버할 수 있도록 상기 커버부(431)를 세정 챔버(410)의 상면을 따라 이동시킨다. 상기 이동부(434)는 구체적으로, 로드부(435) 및 구동부(437)를 포함한다.The moving
상기 로드부(435)는 일단부가 상기 커버부(431)의 상면에 고정된다. 즉, 상기 로드부(435)는 상기 일단부에 제1 고정부(436)가 형성되고, 상기 커버부(431)에는 상기 제1 고정부(436)가 결합되는 제2 고정부(432)가 형성된다. 상기 제1 및 제2 고정부(432)는 예를 들어, 나사 결합 방식에 따라 고정될 수도 있고, 그 고정력을 최대화시키기 위하여 용접될 수도 있다.One end of the
상기 구동부(437)는 상기 일단부와 반대되는 상기 로드부(435)의 타단부에 연결되어 상기 커버부(431)가 상기 상면을 따라 이동되도록 하기 위하여 상기 로드부(435)를 직선 운동시킨다. 이에, 상기 구동부(437)는 에어 또는 오일에 의하여 직선 운동을 발생시키는 실린더로 이루어질 수 있다. 이와 달리, 상기 구동부(437)는 회전 운동을 발생시키는 구동 모터와 회전 운동을 직선 운동으로 전환시켜 주는 피니온 기어(pinion gear) 및 랙 기어(rack gear)를 이용할 수 있다.The driving
상기 가이드부(438)는 상기 커버부(431)와 상기 구동부(437) 사이에 배치된다. 상기 가이드부(438)는 상기 커버부(431) 및 상기 구동부(437)와 연결된 상기 로드부(435)의 직선 운동을 가이드한다. 즉, 상기 가이드부(438)는 상기 로드부(435)가 정확하게 직선 운동을 하도록 하고, 어느 정도의 스트로크(stroke) 이상을 넘지 않도록 제어한다. 다시 말해, 상기 가이드부(438)에는 상기 로드부(435)를 가이드하는 가이드홀(439)이 형성된다.The
따라서, 상기 이송암 세정부(430)는 상기 이동부(434)와 상기 가이드부(438)를 통하여 상기 커버부(431)가 상기 세정 챔버(410)의 상면을 따라 정확하게 이동하도록 함으로써, 상기 커버부(431)로 하여금 상기 이송암(320)을 정확하게 커버하도록 할 수 있다. 즉, 상기 커버부(431)에 의한 상기 이송암(320)의 세정을 원활하게 진행시킬 수 있다.Accordingly, the transfer
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. Although the detailed description of the present invention has been described with reference to the preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art or those skilled in the art will have the idea of the present invention described in the claims to be described later. It will be understood that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the scope of the present invention.
상술한 본 발명은 웨이퍼의 표면 습식 방식으로 처리하는 분야에서 상기 웨이퍼를 이송하는 이송 장치를 황산 용액과 이물질이 잔존할 수 있는 위치를 모두 세정하여 그 이물질로 인한 전체적인 장비의 오염을 방지할 수 있다.The present invention described above can prevent contamination of the entire equipment due to the foreign matter by cleaning both the sulfuric acid solution and the position where the foreign matter can remain in the transfer device for transferring the wafer in the field of the surface wet process of the wafer. .
도 1은 본 발명의 일 실시예 따른 웨이퍼 표면 처리 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.1 is a schematic diagram illustrating a wafer surface treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2는 도 1의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송부 및 세정부를 나타낸 개략적인 사시도이다.FIG. 2 is a schematic perspective view illustrating a transfer part and a cleaning part of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 1.
도 3은 도 2의 세정부 중 이송암 세정부가 이송부의 이송암을 세정하는 상태를 간단하게 나타낸 도면이다.FIG. 3 is a view schematically illustrating a state in which the transfer arm cleaner of the washing unit of FIG. 2 cleans the transfer arm of the transfer unit.
도 4는 도 3의 Ⅰ-Ⅰ' 선을 따라 절단한 단면도이다. 4 is a cross-sectional view taken along the line II ′ of FIG. 3.
도 5는 도 2의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송암 세정부의 위치를 우측에서 바라본 도면이다.FIG. 5 is a view of the transfer arm cleaning unit viewed from the right side of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 2; FIG.
도 6은 도 2의 웨이퍼 표면 처리 장치 중 이송암 세정부를 구체적으로 나타낸 사시도이다. 6 is a perspective view illustrating in detail the transfer arm cleaning unit of the wafer surface treatment apparatus of FIG. 2.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>
10 : 웨이퍼 20 : 케미컬10: wafer 20: chemical
100 : 적재부 200 : 표면 처리부100: loading part 200: surface treatment part
300 : 이송부 310 : 웨이퍼 척300: transfer unit 310: wafer chuck
320 : 이송암 400 : 세정부320: transfer arm 400: cleaning unit
410 : 세정 챔버 420 : 척 세정부410: cleaning chamber 420: chuck cleaning unit
430 : 이송암 세정부 1000 : 웨이퍼 표면 처리 장치430: transfer arm cleaning unit 1000: wafer surface treatment apparatus
Claims (7)
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KR1020070078939A KR100875386B1 (en) | 2007-08-07 | 2007-08-07 | Apparatus for processing wafer surface |
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-
2007
- 2007-08-07 KR KR1020070078939A patent/KR100875386B1/en not_active IP Right Cessation
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