KR100870341B1 - 웨이퍼 크리닝 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 크리닝 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼의 후면(Backside)에 초음파 세정소를 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정과, 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 제트(Jets) 공정 및 상기 웨이퍼의 후면(Backside)을 DHCl 용액으로 세정하여 질화막 표면의 구리(Cu) 파티클을 제거하고 상기 질화막의 표면을 DHF 용액으로 식각하여 상기 구리(Cu) 파티클의 확산을 방지하는 리멘(Rimen) 공정이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 구리(Cu) 배선 공정에서 발생하는 오염된 웨이퍼를 효율적으로 크리닝함으로써 구리(Cu) 오염에 의한 웨이퍼의 폐기를 최소화하여 원가를 절감시키는 효과가 있다.
크리닝, 디 소닉(D-Sonic), 제트(Jets), 리멘(Rimen), 전처리 용액

Description

웨이퍼 크리닝 방법{METHOD OF CREANNING FOR WAFER}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법의 공정을 나타내는 다이아그램.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법의 공정을 나타내는 다이아그램.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법의 공정을 나타내는 다이아그램.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
S10:감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정
S20:감광막(Photo Resist) 제거 공정
S30:디 소닉(D-Sonic) 공정
S40:웨이퍼 제트(Jets) 공정
S50:리멘(Rimen) 공정
S100:웨이퍼 크리닝 공정
S200:구리(Cu) 파티클 포집 공정
S300:구리(Cu) 농도 측정 공정
S400: 웨이퍼 오염 유무 판단 공정
S500:후속 공정
본 발명은 웨이퍼 크리닝 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 오염된 웨이퍼를 크리닝하고, 그 결과를 효율적으로 평가하여 공정상의 원가절감 및 신뢰성을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 크리닝 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 미세화, 고집적화 및 고속화에 따라 금속 배선 물질로 전기저항이 낮은 구리(Cu)가 사용되는데, 구리(Cu)는 용해성(Solubility)과 확산성(Diffusivity)이 뛰어난 금속이다.
상기 특성을 가지는 구리(Cu)는 배선 공정 과정에서 웨이퍼가 깨지는 경우, 구리(Cu) 파티클이 인접된 웨이퍼 표면에 흡착되어 오염을 유발시키고, 또한, 동일 lot 내의 구리(Cu) 웨이퍼의 오염을 유발시킬 수 있다. 이에 따라, 반도체 디바이스의 성능과 수율이 저하되는 문제점이 발생한다.
종래에는 상기 구리(Cu) 파티클에 의한 웨이퍼의 오염이 있는 경우에 구리(Cu) 파티클의 침투 및 오염 정도에 상관없이 인접된 모든 웨이퍼가 크리닝됨으로써 반도체 공정의 수율이 나빠지고 반도체 소자의 신뢰성도 낮아지는 문제점이 있다.
또한, Al 배선과 Cu 배선기술에 공용으로 사용되는 공정 장비, 예를 들어 포토(Photo) 장비에 오염된 웨이퍼가 도입될 경우, 구리(Cu) 오염물이 공정 장비에 전파되면서 교차오염(Cross Contamination)을 발생시키는 문제점이 있다.
한편, 오염된 웨이퍼를 평가하는 방법으로 기상분해(VPD)법이 있다. 상기 기상분해(VPD)법은 구리(Cu)배선이 웨이퍼 전면(frontside)에 드러나 있는 경우 HF(불산) 증기 발생 챔버에서 후면(Backside)에 대한 전처리만 수행되더라도 웨이퍼 전면(frontside)이 HF(불산)에 의한 영향을 받아 역오염될 가능성이 있기 때문에 전처리가 불가능하다. 따라서, 구리(Cu)오염물의 제거에 대한 평가가 불가능한 문제점이 있다.
이에 따라, 구리(Cu) 막질 웨이퍼가 깨진 경우 오염된 웨이퍼에서 오염물을 효과적으로 제거할 수 있는 크리닝 방법과, 그 결과를 효율적으로 평가할 수 있는 크리닝 평가 방법도 함께 요청된다.
이에 본 발명은 상술한 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로 구리(Cu) 배선 과정에서 발생하는 오염된 웨이퍼를 크리닝하여 원가를 절감시키고, 상기 크리닝을 효율적으로 평가하여 공정의 신뢰성을 확보하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 웨이퍼 크리닝 방법은 웨이퍼의 후면(Backside)에 초음파 세정수를 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정과, 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 제트(Jets) 공정 및 상기 웨이퍼의 후면(Backside)을 DHCl 용액으로 세정하여 질화막 표면의 구리(Cu) 파티클을 제거하고 상기 질화막의 표면을 DHF 용액으로 식각하여 상기 구리(Cu) 파티클의 확산을 방지하는 리멘(Rimen) 공정이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 디 소닉(D-Sonic) 공정 이전에 감광막(Photo Resist)이 존재하는 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)과 후면(Backside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 상기 감광막(Photo Resist) 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 제거하는 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정 및 상기 감광막(Photo Resist)을 PR Asher로 제거하여 플라즈마에 의한 웨이퍼의 손상을 방지하는 감광막(Photo Resist) 제거 공정이 더 포함되어 구성될 수 있다.
또한, 상기 리멘(Rimen) 공정에서는 상기 질화막의 표면을 7Å 내지 14Å의 두께로 식각할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 웨이퍼 크리닝 방법은 크리닝이 완료된 웨이퍼 표면에 전처리 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 포집하는 구리(Cu) 파티클 포집 공정과, 상기 전처리 용액에서 포집된 구리(Cu)의 농도를 측정하는 구리(Cu) 농도 측정 공정 및 상기 구리(Cu) 농도를 웨이퍼의 오염 스펙(Spec)과 비교하여 웨이퍼의 오염 유무를 판단하는 웨이퍼 오염유무 판단 공정이 포함되어 구성될 수 있는 것이다.
또한, 상기 전처리 용액은 5 내지 10 부피퍼센트(vol%)의 HF(불산)와, 1 내 지 5 부피퍼센트(vol%)의 HCl(염산)과, 10 내지 15 부피퍼센트(vol%)의 H2O2(과수)와, 70 내지 88 부피퍼센트(vol%)의 H2O(초순수)가 혼합되어 구성될 수 있다.
이하, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법은 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과, 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)과, 리멘(Rimen) 공정(S50)이 포함되어 구성된다.
상기 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)은 상기 웨이퍼의 후면(Backside)에 초음파 세정수를 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 공정으로 초음파 진동을 이용한 스핀 스크러버(Spin Scrubber)로 탈이온수 세정을 하여 상기 웨이퍼의 후면(Backside)에 부착된 구리(Cu) 파티클을 제거한다.
상기 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)은 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 공정으로 스핀 스크러버(Spin Scrubber)로 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 형성된 구리(Cu) 배선 패턴의 손상을 방지하도록 제트 스크러버(Jets Scrubber)를 사용한다. 이에 따라, 하이드로다이나믹 제트(Hydrodynamic Jets)을 통한 탈이온수 세정을 하여 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 부착된 구리(Cu) 파티클을 제거한다.
상기 리멘(Rimen) 공정(S50)은 상기 웨이퍼의 후면(Backside)을 DHCl 용액으 로 세정하여 질화막 표면에 흡착된 구리(Cu) 파티클을 제거하는 공정과, 구리(Cu)가 확산 및 침투되었을 가능성이 있는 상기 질화막의 표면을 DHF 용액으로 식각하여 기판으로 상기 구리(Cu) 파티클이 확산되는 것을 방지하는 공정으로 이루어진다.
상기 DHCl 용액은 HCl(염산)과 H2O2(과수) 및 H2O(초순수)가 혼합되어 형성되며, 상기 DHF 용액은 HF(불산)과 H2O(초순수)가 혼합되어 형성된다.
한편, 상기 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)은 웨이퍼 표면에 부착되어 있는 구리(Cu) 파티클이 큰 입자로 형성된 경우에 이용될 수 있으며, 상기 리멘(Rimen) 공정(S50)은 상기 구리(Cu) 파티클이 미세한 입자로 형성되거나, 웨이퍼 내부로 확산된 경우에 이용될 수 있다.
하기의 [표 1]은 웨이퍼 표면에 감광막(Photo Resist)이 존재하지 않는 상태로 구리(Cu) 웨이퍼가 깨져 주위의 웨이퍼가 오염된 경우, 웨이퍼 크리닝을 실시한 후에 웨이퍼 후면(Backside)의 구리(Cu) 오염 정도를 측정하여 얻은 결과값이다.
크리닝(Cleanning) 구리오염농도 (atoms/㎠)
비교예 1 No 1.92E+11
비교예 2 웨이퍼 디 소닉 공정 2.64E+10
비교예 3 웨이퍼 디 소닉 공정과 리멘 공정(7Å 식각) 1.47E+10
비교예 4 웨이퍼 디 소닉 공정과 리멘 공정(14Å 식각) 1.38E+10
비교예 5 웨이퍼 디 소닉 공정과 웨이퍼 제트 공정 2.47E+10
실시예 1 웨이퍼 디 소닉 공정과 웨이퍼 제트 공정 및 리멘 공정(7Å식각) 9.79E+09
실시예 2 웨이퍼 디 소닉 공정과 웨이퍼 제트 공정 및 리멘 공정(14Å 식각) 9.24E+09
상기 [표 1]에서 구리(Cu) 오염된 웨이퍼에 크리닝을 전혀 수행하지 않은 비교예 1은 1.92E+11 atoms/㎠으로 높은 오염농도를 나타낸다. 그러나, 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)과 리멘(Rimen) 공정(S50)을 수행하여 크리닝한 상기 실시예 1 및 실시예 2의 웨이퍼는 낮은 구리(Cu) 농도를 나타낸다.
특히, 상기 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)을 40 내지 50 sec로 처리하고, 상기 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)을 30 내지 40 sec로 처리하며, 상기 리멘(Rimen) 공정(S50)에서는 7Å 내지 14Å의 두께로 식각처리함으로써 상기 웨이퍼의 구리(Cu) 오염 정도를 효율적으로 낮출 수 있다.
다음에는, 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법은 도 2에 도시된 바와 같이, 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정(S10)과, 감광막(Photo Resist) 제거 공정(S20)과, 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과, 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)과, 리멘(Rimen) 공정(S50)이 포함되어 구성된다.
상기 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정(S10)은 감광막(Photo Resist)이 존재하는 웨이퍼의 전면(Frontside)과 후면(Backside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 상기 감광막(Photo Resist) 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 제거하는 공정으로, 예를 들어, 포토(Photo) 장비 내부에서 웨이퍼 표면에 감광막(Photo Resist)이 존재하는 상태로 구리(Cu) 웨이퍼가 깨져 주위의 웨이퍼가 오염된 경우, 교차오염을 방지하기 위해 감광막(Photo Resist) 표면에 존재하는 구리(Cu)오염물을 제거하는 공정이다.
상기 감광막(Photo Resist) 제거 공정(S20)은 상기 감광막(Photo Resist)을 PR Asher로 제거하여 플라즈마에 의한 웨이퍼의 손상을 방지하는 공정이다.
상기 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic)(S30) 공정과, 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)과, 리멘(Rimen) 공정(S50)은 기 서술한 일 실시예의 각각의 공정과 동일하다.
하기의 [표 2]는 웨이퍼 표면에 감광막(Photo Resist)이 존재하는 상태로 구리(Cu) 웨이퍼가 깨져 주위의 웨이퍼가 오염된 경우, 웨이퍼 크리닝을 실시한 후에 웨이퍼 후면(Backside)의 구리(Cu) 오염 정도를 측정하여 얻은 결과값이다.
크리닝(Cleanning) 구리오염농도 (atoms/㎠)
비교예 No 2.12E+11
실시예 감광막 제트 공정과 감광막 제거 공정과 웨이퍼 디 소닉 공정과 웨이퍼 제트 공정 및 리멘 공정(14Å 식각) 3.26E+10
상기 [표 2]에서 구리(Cu) 오염된 웨이퍼에 크리닝을 전혀 수행하지 않은 비교예는 2.12E+11 atoms/㎠으로 높은 오염농도를 나타낸다. 그러나, 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정(S10)과 감광막(Photo Resist) 제거 공정(S20)과 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40) 및 리멘(Rimen) 공정(S50)을 수행하여 크리닝한 상기 실시예의 웨이퍼는 낮은 구리(Cu) 농도를 나타낸다.
한편, 하기의 [표 3]은 구리(Cu) 배선 공정 중 가장 오염 가능성이 큰 구리(Cu) 전기화학도금(ECP) 장비에서 웨이퍼를 동일한 조건으로 오염시킨 후 상기 리멘(Rimen) 공정(S50)에 따른 구리(Cu) 오염 정도를 측정하여 얻은 결과값이다.
리멘 공정 구리오염농도 (atoms/㎠)
Cu ECP 오염 비교예 No 2.13E+12
Cu ECP 오염 실시예 1 리멘 공정(DHCl) 5.48E+10
Cu ECP 오염 실시예 2 리멘 공정(DHCL+DHF:7Å) 4.77E+09
Cu ECP 오염 실시예 3 리멘 공정(DHCL+DHF:14Å) 2.43E+09
상기 [표 3]에서 리멘(Rimen) 공정(S50)을 전혀 수행하지 않은 비교예는 2.13E+12 atoms/㎠으로 높은 오염농도를 나타내지만, 리멘(Rimen) 공정(S50)을 수행한 실시예 중 특히, 실시예 3은 2.43E+09 atoms/㎠ 까지 농도 감소가 나타난다. 따라서, 상기 리멘(Rimen) 공정(S50)은 구리(Cu) 오염된 웨이퍼에 대한 주요한 크리닝 방법이 될 수 있다.
다음에는 첨부된 예시도면을 참조하여 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법을 상세히 설명한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법은 도 3에 도시된 바와 같이, 구리(Cu) 파티클 포집 공정(S200)과, 구리(Cu) 농도 측정 공정(S300)과, 웨이퍼 오염유무 판단 공정(S400)를 더 포함되어 구성된다.
상기 구리(Cu) 파티클 포집 공정(S200)은 상술한 웨이퍼 크리닝 공정(S100)에 의해 크리닝이 완료된 웨이퍼를 박막 분석 장치에 설치한 후 웨이퍼 표면에 전처리 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 포집하는 공정이다.
상기 전처리 용액은 HF(불산)와, HCl(염산)과, H2O2(과수)를 포함하여 구성될 수 있으며, 구리(Cu) 오염물의 포집률을 향상시키도록 5 내지 10 부피퍼센트(vol%)의 HF(불산)와, 1 내지 5 부피퍼센트(vol%)의 HCl(염산)과, 10 내지 15 부피퍼센트(vol%)의 H2O2(과수)와, 70 내지 88 부피퍼센트(vol%)의 H2O(초순수)가 혼합되어 구성될 수 있다.
상기 구리(Cu) 농도 측정 공정(S300)은 상기 전처리 용액에서 포집된 구리(Cu)의 농도를 분석장비, 예를 들어, 흑연로 원자흡수 분광 분석기(GF-AAS))로 측정하는 공정이다.
상기 웨이퍼 오염유무 판단 공정(S400)은 측정된 구리(Cu) 농도를 웨이퍼의 오염 스펙(Spec)과 비교하여 상기 오염 스펙(Spec)을 만족하면 후속 공정(S500)을 진행하고, 오염 스펙(Spec)을 만족하지 않으면 상기 웨이퍼 크리닝 공정(S100)을 다시 처리하도록 판단하는 공정이다.
상술한 웨이퍼 크리닝 평가 방법은 웨이퍼 전면(frontside)에 구리(Cu) 막질의 노출 유무에 관계없이 구리(Cu)오염물을 포집할 수 있으며, 크리닝이 완료된 웨이퍼의 구리(Cu) 오염 유무를 판단할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법의 작용을 설명한다.
본 발명의 실시예에 따른 웨이퍼 크리닝 방법을 적용하기 위해 먼저, 구리(Cu) 오염된 웨이퍼 표면에 감광막(Photo Resist)이 존재하지 않는 경우에는 도 1에 도시된 바와 같이, 웨이퍼의 후면(Backside)에 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)을 실시한 다음, 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40)을 실시한다. 이후, 상기 웨이퍼의 후면(Backside)에 리멘(Rimen) 공정(S50)을 실시하여 상기 웨이퍼에 분사된 구리(Cu) 파티클을 제거한다.
또한, 구리(Cu) 오염된 웨이퍼 표면에 상기 감광막(Photo Resist)이 존재하는 경우에는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30) 전에 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)과 후면(Backside)에 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정(S10)을 실시하여 상기 감광막(Photo Resist) 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 제거한 다음, 감광막(Photo Resist) 제거 공정(S20)을 실시하여 플라즈마에 의한 웨이퍼의 손상을 방지한다. 이후, 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정(S30)과, 웨이퍼 제트(Jets) 공정(S40) 및 리멘(Rimen) 공정(S50)을 실시하여 상기 웨이퍼에 분사된 구리(Cu) 파티클을 제거한다. 이처럼, 상기 웨이퍼에 분사된 구리(Cu) 파티클을 상기의 크리닝 방법에 의해 효율적으로 제거하여 구리(Cu) 오염에 의한 웨이퍼의 폐기를 최소화함에 따라 원가를 절감시킬 수 있다.
이후, 크리닝이 완료된 웨이퍼를 박막 분석 장치에 설치한 후 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 표면에 전처리 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 포집한다. 이후, 상기 전처리 용액의 구리(Cu) 농도를 측정하고, 측정된 상기 구리(Cu) 농도를 오염 스펙(Spec)과 비교하여 웨이퍼의 오염 유무를 판단한다. 상기와 같이, 크리닝된 웨이퍼의 오염여부를 신속하게 파악하여 후속 공정(S500) 장비의 구리(Cu) 오염 확산을 방지할 수 있어 공정 신뢰성을 확보할 수 있다.
본 발명은 상술한 특정의 실시예나 도면에 기재된 내용에 그 기술적 사상이 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 본 발명의 청구범위 내에 있게 된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 구리(Cu) 배선 공정에서 발생하는 오염된 웨이퍼를 효율적으로 크리닝함으로써 구리(Cu) 오염에 의한 웨이퍼의 폐기를 최소화하여 원가를 절감시키는 효과가 있다.
본 발명의 다른 효과는, 크리닝된 웨이퍼의 오염여부를 신속하게 파악하여 후속 공정 장비의 구리(Cu) 오염 확산을 방지하여 공정 신뢰성을 확보하며, 반도체 제조 공정 수율을 향상시키는 것이다.

Claims (5)

  1. 웨이퍼의 후면(Backside)에 초음파 세정수를 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 디 소닉(D-Sonic) 공정;
    상기 웨이퍼의 전면(Frontside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 구리(Cu) 파티클을 제거하는 웨이퍼 제트(Jets) 공정;
    상기 웨이퍼의 후면(Backside)을 DHCl 용액으로 세정하여 표면의 구리(Cu) 파티클을 제거하고 상기 표면을 DHF 용액으로 식각하여 상기 구리(Cu) 파티클의 확산을 방지하는 리멘(Rimen) 공정;
    상기 웨이퍼 표면에 전처리 용액을 도포하여 상기 웨이퍼 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 포집하는 구리(Cu) 파티클 포집 공정;
    상기 전처리 용액에서 포집된 구리(Cu)의 농도를 측정하는 구리(Cu) 농도 측정 공정; 및
    상기 구리(Cu)농도를 웨이퍼의 오염 스펙(Spec)과 비교하여 웨이퍼의 오염 유무를 판단하는 웨이퍼 오염유무 판단 공정
    이 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 디 소닉(D-Sonic) 공정 이전에 감광막(Photo Resist)이 존재하는 상기 웨이퍼의 전면(Frontside)과 후면(Backside)에 세정액을 제트(Jets) 분사하여 상기 감광막(Photo Resist) 표면에 존재하는 구리(Cu) 파티클을 제거하는 감광막(Photo Resist) 제트(Jets) 공정; 및
    상기 감광막(Photo Resist)을 PR Asher로 제거하여 플라즈마에 의한 웨이퍼의 손상을 방지하는 감광막(Photo Resist) 제거 공정이 더 포함되어 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 리멘(Rimen) 공정에서는 상기 질화막의 표면을 7Å 내지 14Å의 두께로 식각하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 전처리 용액은 5 내지 10 부피퍼센트(vol%)의 HF(불산)와, 1 내지 5 부피퍼센트(vol%)의 HCl(염산)과, 10 내지 15 부피퍼센트(vol%)의 H2O2(과수)와, 70 내지 88 부피퍼센트(vol%)의 H2O(초순수)가 혼합되어 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 크리닝 방법.
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KR20060125344A (ko) * 2005-06-02 2006-12-06 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼의 세정 방법

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